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JP2010153792A5 - - Google Patents

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次に、図３を参照すると、Ga1-xInxP電流拡散層１４上にプラズマCVD法、熱CVD法あるいはスパッタリング法で成膜してフォトリソグラフィ／バッファード弗酸（BHF）エッチング法あるいはドライエッチング法により厚さ90nmの酸化シリコン（SiO2）層１５を形成する。さらに、Ga1-xInxP電流拡散層１４及び酸化シリコン層１５上に抵抗加熱蒸着法、電子ビーム（EB）蒸着法あるいはスパッタリング法により厚さ300nmのAuZnよりなる反射電極層１６を形成する。この場合、酸化シリコン層１５がパターン化されるのはGa1-xInxP電流拡散層１４とAuZn反射電極層１６とのオーミック接合をとるためである。酸化シリコン層１５及び反射電極層１６が一体となって反射層として機能する。尚、酸化シリコン層１５は他の透明な誘電体材料層たとえばAl2O3、SiNx、TaOx、TiOx、ITO、ZnOの層でもよく、また、反射電極層１６は他の高反射性金属で形成してもよい。
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