JP2010085474A - 表示パネルモジュール及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示パネルの高精細化時や高周波数化時に好適な駆動技術を提案する。
【解決手段】自発光型の表示パネルモジュールとして、（１）保持容量と、駆動トランジスタと、サンプリングトランジスタとを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、（２）信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、（３）サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、（４）発光期間の初期期間の終了後、駆動トランジスタの制御電極の電位を、カップリング動作を通じて下降させる第３の駆動部とを有するものを提案する。
【選択図】図１６

Description

この明細書で説明する発明は、電流駆動型の自発光素子を駆動する画素回路の駆動技術に関する。なお、この明細書で提案する発明は、表示パネルモジュール及び当該表示パネルモジュールを搭載する各種の電子機器としての側面も有する。

以下では、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬパネルモジュールを例に、パネル構造とその駆動動作例を説明する。
図１に、有機ＥＬパネルモジュールのシステム構造例を示す。図１に示す表示パネル１は、画素アレイ部３と、その駆動回路である信号線駆動部５、制御線駆動部７及び９で構成される。
画素アレイ部３には、ホワイトユニットを構成する１画素が、画面内の垂直方向と水平方向についてそれぞれ規定の解像度で配置されている。

図２に、ホワイトユニットとしての１画素を構成するサブ画素１１の配列例を示す。図２の場合、１画素は、Ｒ（赤）画素１１、Ｇ（緑）画素１１、Ｂ（青）画素１１の集合体として構成される。従って、画素アレイ部３の垂直解像度をＭ、水平解像度をＮとすると、画素アレイ部３の総サブ画素数は、Ｍ×Ｎ×３で与えられる。
図１では、画素アレイ部３を構成する画素構造の最小単位であるサブ画素１１とその駆動回路部との接続関係を表している。

信号線駆動部５は、画素データＤinに対応する信号電位Ｖsig を信号線ＤＴＬに供給する駆動デバイスである。個々の信号線ＤＴＬはＹ方向に延びるように配置され、画面の水平方向（Ｘ方向）に３Ｎ本配置される。
制御線駆動部７は、書込制御線ＷＳＬを通じて、サブ画素１１への信号電位Ｖsig 等の書き込みを線順次に制御する駆動デバイスである。図１の場合、制御線駆動部７は、オフセット電位Ｖofs と信号電位Ｖsig の書き込みタイミングを水平ライン単位でライン順次に指定する動作を実行する。

制御線駆動部９は、点灯制御線ＬＳＬを通じて、サブ画素１１への駆動電圧の供給と停止を切り替え制御する駆動デバイスである。具体的には、制御線駆動部９は、高位駆動電圧（発光電圧）Ｖccと低位駆動電圧（非発光電圧）ＶＳＳの２値で点灯制御線ＬＳＬを駆動する。
ここで、書込制御線ＷＳＬと点灯制御線ＬＳＬは、Ｘ方向に延びるように配置され、画面の垂直方向にそれぞれ３Ｍ本ずつ配置される。

図３に、サブ画素１１の画素構造を示す。サブ画素１１は、図３に示すように、薄膜トランジスタＮ１（以下「サンプリングトランジスタＮ１」という。）と、薄膜トランジスタＮ２（以下「駆動トランジスタＮ２」という。）と、階調情報を保持する保持容量Ｃｓと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとで構成される。

サンプリングトランジスタＮ１の一方の主電極は信号線ＤＴＬに接続され、他方の主電極は駆動トランジスタＮ２の制御電極に接続される。また、サンプリングトランジスタＮ１の制御電極は、書込制御線ＷＳＬに接続される。
駆動トランジスタＮ２の一方の主電極は点灯制御線ＬＳＬに接続され、他方の主電極は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極側に接続される。

なお、図３の場合、薄膜トランジスタは、いずれもＮチャネル型を想定する。因みに、図３では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが有する容量成分Ｃoledと基板との間に形成される寄生容量Ｃsub も破線にて表している。
特開２００３−２７１０９５号公報 特開２００３−２５５８９７号公報 特開２００５−１７３４３４号公報 特開２００６−２１５２１３号公報

図４に、前述したサブ画素１１の駆動動作例を示す。図４（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図４（Ｂ）は、信号線ＤＴＬの駆動波形である。図４（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。図４（Ｄ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの波形である。図４（Ｅ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ（ここでは、発光動作時にソース電極として機能する主電極の電位をソース電位と呼ぶことにする。）の波形である。

図４に示すように、サブ画素１１の駆動動作は、発光期間と非発光期間に分類される。信号電位Ｖsig の書き込みは、非発光期間に実行される。ただし、薄膜トランジスタの形成に低温ポリシリコンプロセスやアモルファスシリコンプロセスを用いる場合、形成された薄膜トランジスタの閾値特性や移動度特性には特性バラツキが残存することになる。
このため、図４の場合には、１水平走査期間内に特性バラツキを補正する２つの動作期間が設けられている。この２つの動作は、書込制御線ＷＳＬの２つのＨレベル期間で与えられる。

１つ目のＨレベル期間は、閾値補正期間に対応する。なお、閾値補正を実行する前には、その準備動作として、薄膜トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsを閾値電圧Ｖth以上に拡大する動作（すなわち、初期化動作）が実行される。この初期化動作のために、点灯制御線ＬＳＬは、一度、Ｌレベル（ＶＳＳ）に制御される。初期化が完了した時点で、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは閾値電圧Ｖthより広くなる。従って、点灯制御線ＬＳＬが駆動電位Ｖccに制御されることで、駆動トランジスタＮ２に駆動電流が流れ出し、ソース電位Ｖｓが上昇を開始する。

この際、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇはオフセット電位Ｖofs に固定される。従って、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖthに達するまでソース電位Ｖｓの上昇が継続する。なお、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖthに達した時点で、駆動トランジスタＮ２は自動的にカットオフする。これが、閾値補正動作である。

２つ目のＨレベル期間は、移動度補正期間に対応する。なお、この移動度補正作は、信号電位Ｖsig の書き込み動作を兼用する。
移動度補正は、信号線ＤＴＬに信号電位Ｖsig が印加された状態で、サンプリングトランジスタＮ１がオン動作されることで実行される。なお、移動度μの大きさは、駆動トランジスタＮ２の電流駆動能力を表している。

従って、ゲート・ソース間電圧Ｖgsが同じでも、移動度μが大きい駆動トランジスタＮ２の駆動電流Ｉdsの方が、移動度μの小さい駆動トランジスタＮ２の駆動電流Ｉdsよりも大きくなる。そこで、移動度補正によって、移動度μの大きい駆動トランジスタＮ２ほどソース電位Ｖｓを上げて（ゲート・ソース間電圧Ｖgsを小さくして）、移動度μの違いによらず信号電位Ｖsig が同じであれば同じ大きさの駆動電流Ｉdsが流れるように補正する。

ところで、この移動度補正に必要な時間ｔは、信号電位Ｖsig の大きさによって異なっている。
一般に、移動度補正時における駆動電流Ｉdsは、次式で与えられる。
Ｉds＝ｋ・μ・｛Ｖsig ／[１＋（Ｖsig・ｋ・μ・ｔ）／Ｃ]｝² 式（１）
ここで、ｋは定数、Ｃは画素回路の総容量（＝Ｃｓ＋Ｃloed＋Ｃsub ）である。

この際、最適な移動度補正時間ｔは、次式で与えられる。
ｔ＝Ｃ／（ｋ・μ・Ｖsig ） 式（２）
なお、式（２）を式（１）に代入すると、補正時間が最適化された際の駆動電流Ｉdsは、次式で与えられることが分かる。
Ｉds＝ｋ・μ・｛Ｖsig ／２｝² 式（３）

このことは、計算上導き出される最適な移動度補正時間が、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓを信号電位Ｖsig の半分に当たる電位分だけ持ち上げるのに必要な時間で与えられることを意味する。換言すると、移動度補正電圧ΔＶが、信号電位Ｖsig の半分で与えられることを意味する。
図５に、信号電位Ｖsig と最適な補正時間ｔとの関係を示す。図５に太線で示す曲線が、移動度補正が最適化される際の補正電圧ΔＶと補正時間との関係である。

そこで、移動度補正時には、各信号電位Ｖsig について過不足なく移動度補正が実行されるように、図４（Ａ）に示す２回目のＨレベル期間の立ち下がりを図５の曲線に合わせて変化させている。
図６に、具体例を示す。図６は、信号電位Ｖsig が３Ｖの場合（オフセット電位Ｖofs を０Ｖ電位とする場合）の信号波形例である。なお、図６（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図６（Ｂ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。図６（Ｃ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの波形である、図６（Ｄ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの波形である。

図６（Ｄ）に示すように、移動度補正期間中に、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓは１．５Ｖ上昇する。従って、移動度補正後の駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは１．５Ｖ＋Ｖthになる。
これらの補正動作により、閾値補正と移動度補正が最適化される。すなわち、駆動トランジスタＮ２の特性バラツキが、発光輝度差として知覚されないようにできる。

ところが、昨今の表示パネルには、移動度補正時間に十分な時間を割り当たられない問題が生じている。その原因は、表示パネルの高精細化と駆動周波数の高周波化である。
前述したように、移動度補正時間は、信号電位Ｖsig の大きさによって定まる。このため、図５に示すように、低階調域ほど移動度補正時間は長くなる。そして、この低階調域についても移動度補正を完了できなければ、移動度補正動作を完了したことにならない。

すなわち、画素回路の駆動時間は、低階調域の移動度補正が完了するのに必要な時間以上には短くすることができない。
このため、表示パネルの高精細化や駆動周波数の高周波化への技術的な対応が困難になっている。

そこで、発明者らは、自発光型の表示パネルモジュールとして、
（ａ）保持容量と、保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
（ｂ）信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
（ｃ）サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
（ｄ）駆動トランジスタの他方の主電極に接続される第２の制御線に、３値の駆動電圧を時間順次に与える第３の駆動部であって、非発光期間の初期期間から前記駆動トランジスタの特性補正期間が開始されるまでの間、最も電位が低い第１の駆動電圧を印加し、駆動トランジスタの特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで、最も電位が高い第２の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、中間電位に対応する第３の駆動電圧を印加する第３の駆動部と
を有するものを提案する。

また、発明者らは、自発光型の表示パネルモジュールとして、
（ａ）保持容量と、保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタと、駆動トランジスタの制御電極に一端が接続され、他端が第３の制御線に接続されるカップリング容量とを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
（ｂ）信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
（ｃ）サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
（ｄ）駆動トランジスタに対する駆動電圧の供給と停止を制御する第３の駆動部と、
（ｅ）第３の制御線に２値の駆動電圧を時間順次に印加する第４の駆動部であって、特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで高位側の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、低位側の駆動電圧を印加する第４の駆動部と
を有するものを提案する。

なお、前述した２つの表示パネルモジュールにおいては、画素階調に対応する信号電位の書き込み期間Ｔが、各信号電位について計算上導き出される移動度補正時間長ｔより短く設定されることが望ましい。

この他、前述した自発光型の表示パネルモジュールは、以下のデバイスを搭載するものとしても表現することができる。
（ａ）保持容量と、保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを少なくとも有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部
（ｂ）信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部
（ｃ）サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部
（ｄ）発光期間の初期期間の終了後、駆動トランジスタの制御電極の電位を、カップリング動作を通じて下降させる第３の駆動部

また、発明者らは、前述したパネル構造を有する表示パネルモジュールを搭載した電子機器を提案する。
ここで、電子機器は、表示パネルモジュールと、システム全体の動作を制御するシステム制御部と、システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部とで構成する。

発明者らの提案する発明の場合、カップリング動作によって、駆動トランジスタの制御電極電位を発光開始後に下降させることにより、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を最適化する。

すなわち、信号電位の書き込み時には、発光期間で使用する電位関係を得るのに必要な信号電位よりも高い信号電位を用いて移動度補正時間を短縮し、その後のカップリング動作によって移動度補正量と信号電位との整合性を確保する。
この駆動方法の場合、カップリング量に応じて移動度補正時間の短縮量を調整することができる。結果的に、表示パネルの高精細化や駆動周波数の高周波化にも対応することが可能になる。

以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。

（Ａ）外観構成
この明細書では、画素アレイ部と駆動回路（例えば信号線駆動部及び制御線駆動部等）を、半導体プロセスを用いて同じ基板上に形成する表示パネルモジュールだけでなく、例えば特定用途向けＩＣとして製造された駆動回路を画素アレイ部と同じ基板上に実装したものも表示パネルモジュールと呼ぶ。

図７に、有機ＥＬパネルモジュールの外観構成例を示す。有機ＥＬパネルモジュール２１は、支持基板２３のうち画素アレイ部の形成領域に対向基板２５を貼り合わせた構造を有している。
支持基板２３は、ガラス、プラスチックその他の基材で構成される。対向基板２５も、ガラス、プラスチックその他の透明部材を基材とする。

対向基板２５は、封止材料を挟んで支持基板２３の表面を封止する部材である。
なお、基板の透明性は光の射出側だけ確保されていれば良く、他方の基板側は不透性の基板でも良い。この他、有機ＥＬパネルモジュール２１には、外部信号や駆動電源を入力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２７が配置される。

（Ｂ）形態例１
（Ｂ−１）システム構成
図８に、この形態例に係る有機ＥＬパネルモジュール３１のシステム構成例を示す。なお、図８には、図１との対応部分に同一符号を付して示す。
図８に示す有機ＥＬパネルモジュール３１は、画素アレイ部３と、その駆動回路である信号線駆動部３３、制御線駆動部３５及び３７で構成される。
以下では、形態例に特有の駆動回路の構成について説明する。

（ａ）画素アレイ部
この形態例における画素アレイ部３も、ホワイトユニットを構成する１画素が、画面内の垂直方向と水平方向についてそれぞれ規定の解像度で配置されている。また、ホワイトユニットを構成するサブ画素１１は、図９に示すように、薄膜トランジスタＮ１と、薄膜トランジスタＮ２と、階調情報を保持する保持容量Ｃｓと、カップリング容量Ｃｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとで構成される。ただし、この形態例の場合、駆動トランジスタＮ２の一方の主電極が接続される点灯制御線ＬＳＬには、３種類の駆動電圧（１種類のオフ電圧と２種類のオン電圧）が印加される。

（ｂ）信号線駆動部の構成
信号線駆動部３３は、画素データＤinに対応する信号電位Ｖsig を信号線ＤＴＬに供給する駆動デバイスである。
図１０に、信号線駆動部３３の内部構成例を示す。信号線駆動部３３は、シフトレジスタ４１、ラッチ部４３、ディジタル／アナログ変換部４５、スイッチ４７で構成される。
シフトレジスタ４１は、クロック信号ＣＫに基づいて、画素データＤinの取り込みタイミングを与える回路デバイスである。

ラッチ部４３は、シフトレジスタ４１から与えられるタイミング信号に基づいて、画素データＤinを対応する記憶領域に取り込む記憶回路である。
ディジタル／アナログ変換回路４５は、ラッチ部４３に取り込まれた画素データＤinを、アナログの信号電圧Ｖsig に変換する回路デバイスである。なお、ディジタル／アナログ変換回路４５の変換特性は、Ｈレベル基準電位ＶrefHとＬレベル基準電位ＶrefLによって規定される。

この形態例の場合、後述するように、発光開始後のカップリング動作を通じて駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇを下降させる駆動方式が用いられる。
このため、ディジタル／アナログ変換回路４５では、カップリング駆動時の電圧降下分を想定した信号振幅が得られるように基準電位を調整する。具体的には、Ｈレベル基準電位ＶrefHを、カップリング動作後に実現される信号振幅に対して、カップリング電圧分だけ高い電位に設定する。勿論、カップリング電圧が大きいほど、Ｈレベル基準電位ＶrefHを大きくする必要がある。

図１１に、この形態例で信号線ＤＴＬに印加する入出力特性（破線で示す）と、カップリング動作を通じて最終的に実現される入出力特性（実線で示す）との関係を示す。この形態例の場合、ディジタル／アナログ変換回路４５は、７Ｖの信号振幅が印加されたのと同じ信号振幅が最終的に得られるように、Ｈレベル基準電位ＶrefHを８Ｖに設定する。

このように、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig の信号振幅が最終的に実現される信号振幅よりも大きいため、移動度補正時に必要となる時間も、カップリング動作を組み合わせない場合の移動度補正時間よりも短くなる。特に、低階調域における移動度補正期間の短縮効果が大きくなる。

スイッチ４７は、画素階調に対応する信号電位Ｖsig と閾値補正用のオフセット電位Ｖofs のいずれか一方を、選択的に対応する信号線ＤＴＬに出力する回路デバイスである。具体的には、閾値補正期間にはオフセット電位Ｖofs が出力され、信号電位Ｖsig の書き込み兼移動度補正期間には信号電位Ｖsig が出力される。

（ｃ）第１の制御線駆動部の構成
制御線駆動部３５は、書込制御線ＷＳＬを通じて、サブ画素１１への信号電位Ｖsig
等の書き込みを線順次に制御する駆動デバイスである。
図１２に、制御線駆動部３５の部分構成例を示す。なお、図１２に示す構成は、１つの水平ラインに対応する構成である。従って、画面内の垂直方向には、図１２に示す構成の回路を、垂直解像度数分だけ配置する。

図１２の場合、制御線駆動部３５は、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ１１の一方の主電極を電源線Ｖcc0 に接続し、他方の主電極を書込制御線ＷＳＬに接続する。この書込制御線ＷＳＬには、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ１１の一方の主電極を接続する。なお、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ１１の他方の主電極は接地電源ＶＳＳに接続される。

因みに、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ１１のゲート電極とＮチャネル型の薄膜トランジスタＮ１１のゲート電極には、共通の制御信号線Ｓcnt1が接続される。これら２つの薄膜トランジスタはチャネルの特性が異なるため、一方がオン動作しているとき、他方はオフ動作する。すなわち、相補動作する。
この形態例の場合、制御信号線Ｓcnt1の電位は、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。

前述したように、制御線駆動部３５は、非発光期間の１水平走査期間に２回のＨレベル期間を与えるように動作する。このうち、１回目のＨレベル期間は閾値補正に用いられ、２回目のＨレベル期間は移動度補正期間に用いられる。
従って、２回目のＨレベル期間は、当該期間に印加される信号電位Ｖsig の半分に相当する電圧を保持容量Ｃｓに新たに充電するのに必要な時間が、移動度補正に必要な時間となる。

ただし、この形態例の場合には、信号電位Ｖsig の電位がカップリング駆動による降下分を想定して高めに設定されている。従って、制御線駆動部３５による２回目のＨレベル期間は、（信号電位Ｖsig−カップリング電圧）／２を充電するのに必要な時間として設定される。

図１３に、この形態例で使用する移動度補正カーブの形状を太線で示す。なお、図１３の場合には、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig の最大振幅が８Ｖであり、カップリング駆動による降下電圧（カップリング電圧）が１Ｖの場合を想定している。
従って、図１３では、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が８Ｖの場合でも、移動度補正量が３．５Ｖに遷移するのに必要な時間が移動度補正時間の最適値になる。

同様に、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が７Ｖの場合でも、移動度補正量が３Ｖに遷移するのに必要な時間が移動度補正時間の最適値になる。
また、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が６Ｖの場合でも、移動度補正量が２．５Ｖに遷移するのに必要な時間が移動度補正時間の最適値になる。
また、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が５Ｖの場合でも、移動度補正量が２Ｖに遷移するのに必要な時間が移動度補正時間の最適値になる。

また、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が４Ｖの場合でも、移動度補正量が１．５Ｖに遷移するのに必要な時間が移動度補正時間の最適値になる。
また、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が３Ｖの場合でも、移動度補正量が１Ｖに遷移するのに必要な時間が移動度補正時間の最適値になる。
また、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が２Ｖの場合でも、移動度補正量が０．５Ｖに遷移するのに必要な時間が移動度補正時間の最適値になる。

これらの最適値を結んだ太線が、制御線駆動部３５が移動度補正時の終了時に印加すべき駆動波形となる。
図１３に示す移動度補正カーブを見て分かるように、図５で説明した移動度補正カーブに比して、各信号電位Ｖsig に対応する移動度補正時間が短くなっていることが分かる。
例えば発光輝度を実現する信号電位Ｖsig が２Ｖの場合に着目すると、図５の場合には約 300μｓ必要であった移動度補正時間が約 0.9μｓにまで短縮していることが分かる。

なお、図５については、２Ｖの信号電位Ｖsig が与えられた場合に、補正電圧が１Ｖに達する時間を移動度補正時間として求めている。一方、図１３については、１Ｖのカップリング駆動を考慮し、３Ｖの信号電位Ｖsig が与えられる場合に、補正電圧が１Ｖに達する時間を移動度補正時間として求めている。
以上の通り、補正時間の短縮効果は約２μｓであり、１００分率表示では実に７０％もの短縮効果が認められる。

また、この形態例の場合、信号電位Ｖsig の違いによる移動度補正時間の違いは非常に小さく、ほぼ同一と看做すことができる。実際、補正時間の差は、最大でも 300ｎｓ程度である。この程度の時間差であれば、駆動パルスのトランジェントによって、同様の移動度補正カーブを実現することができる。このため、この形態例の場合には、２回目の駆動パルスについても、その立ち下がり波形を矩形波とする。

（ｄ）第２の制御線駆動部の構成
制御線駆動部３７は、点灯制御線ＬＳＬを通じて、サブ画素１１への駆動電源の供給と停止を線順次に制御する駆動デバイスである。
図１４に、制御線駆動部３７の部分構成例を示す。なお、図１４に示す構成は、１つの水平ラインに対応する構成である。従って、画面内の垂直方向には、図１４に示す構成の回路を、垂直解像度数分だけ配置する。

図１４の場合、制御線駆動部３７は、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ２１の一方の主電極をパルス電源線Ｖccp に接続し、他方の主電極を点灯制御線ＬＳＬに接続する。この点灯制御線ＬＳＬには、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ２１の一方の主電極を接続する。なお、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ２１の他方の主電極は接地電源ＶＳＳに接続される。

因みに、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ２１のゲート電極とＮチャネル型の薄膜トランジスタＮ２１のゲート電極には、共通の制御信号線Ｓcnt11 が接続される。これら２つの薄膜トランジスタはチャネルの特性が異なるため、一方がオン動作しているとき他方はオフ動作する。すなわち、相補動作する。
この形態例の場合、制御信号線Ｓcnt11の電位は、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。

図１５に、制御線駆動部３７の駆動波形と画素回路の動作期間との関係を示す。図１５（Ａ）は、パルス電源線Ｖccp の駆動波形である。図１５（Ｂ）は、制御信号線Ｓcnt11 の駆動波形である。図１５（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬに現れる電位波形である。
図１５に示すように、初期化期間に、制御信号線Ｓcnt11 がＨレベルになる。この期間に、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ２１がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬの電位をＬレベル（特許請求の範囲における「第１の駆動電圧」）に制御する。

また、初期化期間が終了すると、制御信号線Ｓcnt11 がＬレベルになる。このＬレベルの期間は、次フレームの初期化期間まで継続する。この期間に、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ２１がオン動作し、パルス電源線Ｖccp の電位が点灯制御線ＬＳＬに出力される。
なお、図１５（Ａ）に示すように、パルス電源線Ｖccp の電位は、まず高位のオン電位Ｖcc12 （特許請求の範囲における「第２の駆動電圧」）に制御され、発光期間開始から初期のタイミングで低位のオン電位Ｖcc11 （特許請求の範囲における「第３の駆動電圧」）に切り替え制御される。

従って、点灯制御線ＬＳＬには、このパルス電源線Ｖccp の電位変化がそのまま出力される。因みに、２つのオン電位Ｖcc11 、Ｖcc12 は、いずれも駆動トランジスタＮ２をオン制御可能な電位に定められている。
また、この形態例の場合、低位のオン電位Ｖcc11 と高位のオン電位Ｖcc12 の電位差は１Ｖであるものとする。

（Ｂ−２）駆動動作
以下では、この形態例に係る有機ＥＬパネルモジュール３１の駆動動作例を説明する。
図１６に、あるサブ画素１１に着目した内部電位の変化を示す。図１６（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図１６（Ｂ）は、信号線ＤＴＬの駆動波形である。図１６（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。図１６（Ｄ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの電位変化を示す波形である。図１６（Ｅ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの電位変化を示す波形である。

（ａ）初期化動作
発光期間が終了し、非発光期間が開始すると、信号電位Ｖsig の新たな書き込みに備えてサブ画素１１の初期化動作が実行される。このとき、点灯制御線ＬＳＬの電位は接地電位（すなわち、ＶＳＳ）に制御される。
図１７に、この動作時におけるサブ画素１１の等価回路を示す。図１７に示すように、サンプリングトランジスタＮ１はオフ制御されている。

このとき、駆動トランジスタＮ２のゲート電極と点灯制御線ＬＳＬの間の電圧が閾値電圧Ｖthより大きくなっている。このため、駆動トランジスタＮ２がオン動作し、保持容量Ｃｓに保持されていた電荷が引き出される。この電荷の引出しに伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの接続側の電位）は接地電位ＶＳＳになる。また、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇも、ソース電位Ｖｓの電位低下に引きずられるように低下する。

（ｂ）閾値補正準備及び閾値補正動作
初期化動作が完了すると、サンプリングトランジスタＮ１がオン動作し、駆動トランジスタＮ２のゲート電極に、基準電位としてのオフセット電位Ｖofs を印加する状態になる。図１８に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。このとき、保持容量Ｃｓは、Ｖofs −ＶＳＳで与えられる電圧が印加された状態に制御される。この電圧は、駆動トランジスタＮ２の閾値電圧Ｖth(N2)より広い状態である。この電位状態によって、閾値補正準備動作が完了する。

この電位状態において、点灯制御線ＬＳＬの電位が印加される３つの電位のうちの最も高い電位に当たるオン電圧Ｖcc12（特許請求の範囲おける第２の駆動電圧）に切り替わる。図１９に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。このとき、駆動トランジスタＮ２のドレイン・ソース間電圧Ｖdsが広がる。このため、駆動トランジスタＮ２がオン状態になり、点灯制御線ＬＳＬより保持容量Ｃｓの方向に電流が流れ込み、保持容量Ｃｓに保持されている電荷を中和する。これに伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。

なお、このソース電位Ｖｓの上昇は、保持容量Ｃｓに保持される電圧が、駆動トランジスタＮ２の閾値電圧Ｖth（N2）に達した時点で停止する。これは、駆動トランジスタＮ２が自動的にカットオフするためである。
やがて、閾値補正期間が終了すると、図２０に示すように、サンプリングトランジスタＮ１がオフ制御される。これにより、駆動トランジスタＮ２のゲート電極はフローティング状態になる。

（ｃ）信号電位の書き込み兼移動度補正動作
閾値補正動作が完了すると、信号線ＤＴＬの電位はオフセット電位Ｖofs から信号電位Ｖsig に切り替わる。この後、書込制御線ＷＳＬがＨレベルに制御され、サンプリングトランジスタＮ１がオン制御される。図２１に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。信号電位Ｖsig の書き込みによって、保持容量Ｃｓの電圧は再び閾値電圧Ｖth(N2)より拡大し、駆動トランジスタＮ２がオン制御される。

これにより、駆動電流Ｉdsの供給が開始される。なお、駆動電流Ｉdsは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量Ｃel等を充電するように流れ込む。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極電位（駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ）は、移動度補正電圧ΔＶだけ上昇する。なお、駆動パルスが与える移動度補正時間Ｔは、全ての信号電位Ｖsig について共通である。もっとも、実際の駆動パルスの波形は、配線容量等の影響により、図１３に示すようなトランジェントが現われる。

このため、高輝度階調の移動度補正時間よりは低輝度階調の移動度補正時間が長くなる。いずれにしても、使用される移動度補正時間Ｔは、実際に書き込まれる信号電位Ｖsig について計算上求められる移動度補正時間ｔよりも短く設定されている。
また、ここでの移動度補正電圧ΔＶは、続いて実行されるカップリング動作を考慮し、実際に信号線ＤＴＬに印加されている信号電位Ｖsig の半分よりも小さい値になる。

言うまでもなく、ここでの移動度補正電圧ΔＶを加味した電位（Ｖofs −Ｖth(N2)＋ΔＶ）は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖth(oled)を超えないように定められている。
従って、移動度補正動作中に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがオン動作することはない。すなわち、移動度補正動作中も、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは非点灯のままである。

（ｄ）発光動作（カップリング動作を含む）
移動度補正動作が完了すると、サンプリングトランジスタＮ１がオフ制御される。図２２に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。
このとき、書込制御線ＷＳＬの駆動パルスは、Ｈレベル（Ｖcc0 ）からＬレベル（ＶＳＳ）に変化する。

この電位変化によって、サンプリングトランジスタＮ１はオフ制御され、信号線ＤＴＬと駆動トランジスタＮ２のゲート電極との電気的な接続が切り離される。すなわち、駆動トランジスタＮ２のゲート電極はフローティング状態になる。
一方、駆動トランジスタＮ２は、駆動電流Idsの供給を継続する。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量の充電も継続し、その陽極電位が引き続き上昇する。

この陽極電位の上昇に伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓが上昇する。また、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの上昇に伴って、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇもブートストラップ動作により上昇する。
この後、ソース電位Ｖｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖth(oled)に達した時点で、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤはオン動作する。すなわち、駆動電流Ｉdsは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへと流れ、当該駆動電流Ｉdsの大きさに応じた輝度レベルで発光を開始する。

なお、この発光期間における輝度レベルは、信号線ＤＴＬに実際に書き込まれた信号電位Ｖsig
の大きさで定まる輝度レベルであり、本来の輝度レベルとは異なる。従って、この初期期間の発光動作は短いほど良い。さて、この発光期間の初期期間が終了すると、点灯制御線ＬＳＬの電位が、低位のオン電位Ｖcc11（特許請求の範囲おける第３の駆動電圧）に切り替わる。

図２３に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。
このとき、点灯制御線ＬＳＬにはＶcc12−Ｖcc11で与えられる電位変化が発生する。この電位変化は、駆動トランジスタＮ２のゲート・ドレイン間に寄生する容量Ｃｃを通じて、フローティング状態にある駆動トランジスタのゲート電極に伝搬する。

すなわち、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇは、信号電位ＶｘからＶｘ−ΔＶｇに降下する。一方、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量等に充電された電位によって固定的に与えられている。
従って、カップリング動作によって、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgs’は、ＶgsからＶgs−ΔＶｇに変化する。

図２４に、カップリング動作によるゲート・ソース間電圧Ｖgsの圧縮補正完了後のサブ画素１１の等価回路を示す。
図２４に示すように、これ以降の発光期間では、カップリング補正後のゲート・ソース間電圧Ｖgs’に応じた大きさの駆動電流Ｉds’が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れ、当該補正後の輝度レベルによる発光状態が継続される。

最後に図２５を用い、カップリング動作後の電位関係が、適正な移動度補正が実行された後の電位関係と同じになっていることを説明する。
図２５（Ａ）は書込制御線ＷＳＬの駆動波形であり、図２５（Ｂ）は点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。また、図２５（Ｃ）は駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの電位変化の波形であり、図２５（Ｄ）は駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの電位変化の波形である。

なお、図２５においては、信号線ＤＴＬに印加された信号電位Ｖsig が４Ｖである場合（実質的に実現したい信号電位Ｖsig が３Ｖの場合）について表している。
図２５に示すように、移動度補正時間Ｔは、計算上の移動度補正時間ｔよりも短く設定されている。従って、信号電位Ｖsig が４Ｖの場合における計算上の移動度補正電圧は２Ｖであるが、この例の場合には移動度補正電圧が１．５Ｖに達した時点で移動補正期間が終了する。このとき、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは２．５Ｖ＋Ｖthである。

この状態で、点灯制御線ＬＳＬの電位変化が、駆動トランジスタＮ２の寄生容量を通じてゲート電極に伝搬する。この形態例の場合には、信号電位Ｖsig の大きさに関係なく１Ｖである。
すると、カップリング駆動の影響によって、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇは１Ｖだけ低下する。一方、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓは、ほとんど低下しない。

結果的に、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは１．５Ｖ＋Ｖthに縮小する。
この電位状態は、最初から３Ｖの信号電位Ｖsig を信号線ＤＴＬに印加した状態で移動度補正動作を実行する場合（図６）と全く同じ電位状態である。

（Ｂ−３）形態例の効果
この形態例の場合、駆動トランジスタＮ２と点灯制御線ＬＳＬの間に寄生する容量成分を利用して、発光期間の初期期間の終了後における保持容量Ｃｓの保持電圧Ｖgsを、移動度補正時よりも縮小させる駆動方式を採用する。

この駆動方式の採用により、信号線ＤＴＬに印加する信号振幅を、カップリング動作を考慮しない場合の信号振幅よりも大きくできる。その結果、カップリング動作を採用しない場合に比して移動度補正時間を短縮することができる。

加えて、移動度補正期間に生成する補正電圧は、あくまでもカップリング動作後に実現する電位関係を想定する。従って、必要な移動度補正電圧を得るための移動度補正時間は、全ての信号電位Ｖsig について、計算上の移動度補正電圧よりも格段に短くなる。結果的に、カップリング動作を採用しない場合に比して、移動度補正時間を大幅に短縮することができる。

この結果、表示パネルの高精細化や駆動周波数の高周波化にも容易に対応可能な有機ＥＬパネルを実現することができる。
しかも、移動度補正時間が短くなることで、移動度補正時間を与える駆動パルスを矩形パルスのトランジェントで再現することができる。

このため、書込制御線ＷＳＬを駆動する制御線駆動部３５の回路構成を単純化することができる。かくして、制御線駆動部３５を、画素アレイ部３３内にサブ画素と同じパネル上に同じプロセスを用いて形成することができる。
これにより、有機ＥＬパネルの更なる低コスト化や低消費電力化を実現することができる。

また、書込制御線ＷＳＬの駆動パルスの立ち下がりトランジェントが急峻になることで、閾値補正バラツキによる画質低下や閾値補正動作の経時シフトによる画質低下を抑制することができる。この点からも、高画質かつ輝度レベルの安定する表示パネルを実現することができる。

（Ｃ）形態例２
（Ｃ−１）システム構成
図２６に、２つ目の形態例に係る有機ＥＬパネルモジュール５１のシステム構成例を示す。なお、図２６には、図１と図８の対応部分に同一符号を付して示す。
図２６に示す有機ＥＬパネルモジュール５１は、画素アレイ部５３と、その駆動回路である信号線駆動部３３、制御線駆動部３５、９及び５５で構成される。
以下では、形態例に特有の駆動回路の構成について説明する。

（ａ）画素アレイ部
この形態例の場合、画素アレイ部５３は、ホワイトユニットとしての1画素を構成するサブ画素６１のマトリクス配置によって構成される。
図２７に、サブ画素６１の画素構造を示す。なお、図２７には、図３との対応部分に同一符号を付して表している。

サブ画素６１は、図２７に示すように、薄膜トランジスタＮ１と、薄膜トランジスタＮ２と、信号電位Ｖsig を保持する保持容量Ｃｓと、カップリング容量Ｃｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとで構成される。
すなわち、カップリグ容量Ｃｃを配置する点が形態例１で使用するサブ画素１１との違いである。

カップリング容量Ｃｃは、発光動作中の駆動トランジスタＮ２のゲート電極にカップリング電圧を重畳するために設ける専用の容量である。このため、カップリング容量Ｃｃの一方の電極は駆動トランジスタＮ２のゲート電極配線に接続され、他方の電極はカップリング制御線ＣＳＬに接続される。勿論、カップリング制御線ＣＳＬは全ての水平ラインに１本追加される。
なお、カップリング容量Ｃｃの容量値は、寄生容量を用いる場合に比して大きくできる。従って、カップリング制御線ＣＳＬの電位変化は、形態例１における点灯制御線ＬＳＬの電位変化に比して小さくすることができる。

（ｂ）信号線駆動部の構成
信号線駆動部３３は、形態例１で説明したものを使用する。この形態例の場合も、発光期間の初期期間終了後にマイナス方向のカップリング動作を実行する駆動方法を組み合わせるためである。このため、この形態例の場合にも、事前に設定されたカップリング電圧分だけ、実質的な駆動振幅に対して信号線ＤＴＬに印加する信号電位Ｖsig の信号振幅を拡大する。

（ｃ）第１の制御線駆動部の構成
制御線駆動部３５も、形態例１で説明したものを使用する。すなわち、制御線駆動部３５は、サブ画素６１の閾値補正動作と移動度補正動作を制御する動作を実行する。この形態例の場合も、制御線駆動部３５は、書込制御線ＷＳＬを２値駆動する。書込制御線ＷＳＬの電位がＨレベル（Ｖcc0 ）のとき、サンプリングトランジスタＮ１がオン動作し、書込制御線ＷＳＬの電位がＬレベル（ＶＳＳ）のとき、サンプリングトランジスタＮ１がオフ動作する。

勿論、この形態例における移動度補正期間も、形態例１の場合と同じく、計算上の移動度補正時間よりも短く設定されている。また、移動度補正期間の終了タイミングを与える駆動パルスの波形も、急峻に立ち下がるように駆動制御される。

（ｄ）第２の制御線駆動部の構成
制御線駆動部９は、点灯制御線ＬＳＬを通じて、サブ画素１１に対する駆動電源の供給と停止を２値的に制御する駆動デバイスである。
図２８に、制御線駆動部９の部分構成例を示す。なお、図２８に示す構成は、１つの水平ラインに対応する構成である。従って、画面内の垂直方向には、図２８に示す構成の回路を、垂直解像度数分だけ配置する。

図２８の場合、制御線駆動部９は、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ３１の一方の主電極を電源線Ｖcc21に接続し、他方の主電極を点灯制御線ＬＳＬに接続する。この点灯制御線ＬＳＬには、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ３１の一方の主電極を接続する。なお、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ３１の他方の主電極は接地電源ＶＳＳに接続される。

因みに、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ３１のゲート電極とＮチャネル型の薄膜トランジスタＮ３１のゲート電極には、共通の制御信号線Ｓcnt21 が接続される。これら２つの薄膜トランジスタはチャネルの特性が異なるため、一方がオン動作しているとき、他方はオフ動作する。すなわち、相補動作する。
この形態例の場合、制御信号線Ｓcnt21 の電位は、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。

例えば非発光期間における初期化期間と発光期間中の消灯期間に、制御線駆動部９は、点灯制御線ＬＳＬをＬレベル（ＶＳＳ）に駆動し、その他の期間、制御線駆動部９は、点灯制御線ＬＳＬをＨレベル（Ｖcc21）に駆動する。

（ｅ）第３の制御線駆動部の構成
制御線駆動部５５は、この形態例に特有の制御線であるカップリング制御線ＣＳＬ（特許請求の範囲における「第３の制御線」）を２値的に制御する駆動デバイスである。前述したように、カップリング制御線ＣＳＬは、発光開始後に駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇを降下させるために使用する制御線である。

図２９に、制御線駆動部５５の部分構成例を示す。なお、図２９に示す構成は、１つの水平ラインに対応する構成である。従って、画面内の垂直方向には、図２９に示す構成の回路を、垂直解像度数分だけ配置する。
図２９の場合、制御線駆動部５５は、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ４１の一方の主電極を電源線Ｖcc31に接続し、他方の主電極をカップリング制御線ＣＳＬに接続する。

このカップリング制御線ＣＳＬには、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ４１の一方の主電極を接続する。なお、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ４１の他方の主電極は接地電源ＶＳＳに接続される。
因みに、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ４１のゲート電極とＮチャネル型の薄膜トランジスタＮ４１のゲート電極には、共通の制御信号線Ｓcnt31 が接続される。

これら２つの薄膜トランジスタはチャネルの特性が異なるため、一方がオン動作しているとき、他方はオフ動作する。すなわち、相補動作する。
この形態例の場合、制御信号線Ｓcnt31 の電位は、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。

例えば非発光期間の初期期間から発光期間の初期期間が終了する点までの間、制御線駆動部５５は、カップリング制御線ＣＳＬをＨレベル（Ｖcc31）に制御し、その他の期間、制御線駆動部５５は、カップリング制御線ＣＳＬをＬレベル（ＶＳＳ）に制御する。

（Ｃ−２）駆動動作
以下では、この形態例に係る有機ＥＬパネルモジュール５１の駆動動作例を説明する。
図３０に、あるサブ画素６１に着目した内部電位の変化を示す。図３０（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図３０（Ｂ）は、信号線ＤＴＬの駆動波形である。図３０（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。

図３０（Ｄ）は、カップリング制御線ＣＳＬの駆動波形である。図３０（Ｅ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの電位変化を示す波形である。図３０（Ｆ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの電位変化を示す波形である。
なお、この形態例の場合も、発光開始後のカップリング動作を含む基本動作は、形態例１と同じである。

（ａ）初期化動作
発光期間が終了し、非発光期間が開始すると、信号電位Ｖsig の新たな書き込みに備えてサブ画素６１の初期化動作が実行される。このとき、点灯制御線ＬＳＬの電位は接地電位（すなわち、ＶＳＳ）に制御される。
図３１に、この動作時におけるサブ画素６１の等価回路を示す。図３１に示すように、サンプリングトランジスタＮ１はオフ制御されている。

このとき、駆動トランジスタＮ２のゲート電極と点灯制御線ＬＳＬの間の電圧が閾値電圧Ｖthより大きくなっている。このため、駆動トランジスタＮ２がオン動作し、保持容量Ｃｓに保持されていた電荷が引き出される。この電荷の引出しに伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの接続側の電位）は接地電位ＶＳＳになる。また、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇも、ソース電位Ｖｓの電位低下に引きずられるように低下する。

なお、この形態例の場合、この初期化動作の期間に、カップリング制御線ＣＳＬがＬレベル（ＶＳＳ）からＨレベル（Ｖcc31）に切り替え制御される。このため、フローティング状態にある駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇは、カップリング容量Ｃｃを通じたカップリング動作の影響で上昇する。もっとも、この電位の上昇は、閾値補正動作の際にリセットされる（オフセット電位Ｖofs にリセットされる）ので、特性補正動作に与える影響はない。

（ｂ）閾値補正準備及び閾値補正動作
初期化動作が完了すると、サンプリングトランジスタＮ１がオン動作し、駆動トランジスタＮ２のゲート電極に、基準電位としてのオフセット電位Ｖofs を印加する状態になる。図３２に、この時点におけるサブ画素６１の等価回路を示す。このとき、保持容量Ｃｓは、Ｖofs −ＶＳＳで与えられる電圧が印加された状態に制御される。この電圧は、駆動トランジスタＮ２の閾値電圧Ｖth(N2)より広い状態である。この電位状態によって、閾値補正準備動作が完了する。

この電位状態において、点灯制御線ＬＳＬがオン電位Ｖcc21に切り替わる。図３３に、この時点におけるサブ画素６１の等価回路を示す。このとき、駆動トランジスタＮ２のドレイン・ソース間電圧Ｖdsが広がる。このため、駆動トランジスタＮ２がオン状態になり、点灯制御線ＬＳＬより保持容量Ｃｓの方向に電流が流れ込み、保持容量Ｃｓに保持されている電荷を中和する。これに伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。

なお、このソース電位Ｖｓの上昇は、保持容量Ｃｓに保持される電圧が、駆動トランジスタＮ２の閾値電圧Ｖth（N2）に達した時点で停止する。これは、駆動トランジスタＮ２が自動的にカットオフするためである。
やがて、閾値補正期間が終了すると、図３４に示すように、サンプリングトランジスタＮ１がオフ制御される。すなわち、書込制御線ＷＳＬには、オフ電位ＶＳＳが印加される。

（ｃ）信号電位の書き込み兼移動度補正動作
閾値補正動作が完了すると、信号線ＤＴＬの電位はオフセット電位Ｖofs から信号電位Ｖsig に切り替わる。この後、書込制御線ＷＳＬがオン制御され、サンプリングトランジスタＮ１がオン制御される。図３５に、この時点におけるサブ画素６１の等価回路を示す。
信号電位Ｖsig の書き込みによって、保持容量Ｃｓの電圧は再び閾値電圧Ｖth(N2)より拡大し、駆動トランジスタＮ２がオン制御される。

これにより、駆動電流Ｉdsの供給が開始される。なお、駆動電流Ｉdsは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量Ｃel等を充電するように流れ込む。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極電位（駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ）は、移動度補正電圧ΔＶだけ上昇する。なお、駆動パルスが与える移動度補正時間Ｔは、全ての信号電位Ｖsig について共通である。もっとも、実際の駆動パルスの波形は、配線容量等の影響により、図１３に示すようなトランジェントが現われる。

このため、高輝度階調の移動度補正時間よりは低輝度階調の移動度補正時間が長くなる。勿論、移動度補正時間は、マイナス方向のカップリング駆動後の信号電位Ｖsig について最適化されるように設定されている。
従って、ここでの移動度補正時間Ｔは、実際に書き込まれる信号電位Ｖsig について計算上求められる移動度補正時間ｔよりも短く済む。
また、ここでの移動度補正電圧ΔＶは、続いて実行されるカップリング動作を考慮し、実際に印加されている信号電位Ｖsig の半分よりも小さい値になる。

言うまでもなく、ここでの移動度補正電圧ΔＶについても、移動度補正後の電位（Ｖofs −Ｖth(N2)＋ΔＶ）が、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖth(oled)を超えないように定められている。
従って、移動度補正動作中に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがオン動作することはない。すなわち、移動度補正動作中も、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは非点灯のままである。

（ｄ）発光動作（カップリング動作を含む）
移動度補正動作が完了すると、サンプリングトランジスタＮ１がオフ制御される。図３６に、この時点におけるサブ画素６１の等価回路を示す。
このとき、書込制御線ＷＳＬの駆動パルスは、Ｈレベル（Ｖcc0 ）からＬレベル（ＶＳＳ）に変化する。

この電位変化によって、サンプリングトランジスタＮ１はオフ制御され、信号線ＤＴＬと駆動トランジスタＮ２のゲート電極との電気的な接続が切り離される。すなわち、駆動トランジスタＮ２のゲート電極はフローティング状態になる。
一方、駆動トランジスタＮ２は、駆動電流Idsの供給を継続する。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量の充電も継続し、その陽極電位が引き続き上昇する。

この陽極電位の上昇に伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓが上昇する。また、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの上昇に伴って、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇもブートストラップ動作により上昇する。
この後、ソース電位Ｖｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖth(oled)に達した時点で、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤはオン動作する。すなわち、駆動電流Ｉdsは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへと流れ、当該駆動電流Ｉdsの大きさに応じた輝度レベルで発光を開始する。

なお、この発光期間における輝度レベルは、信号線ＤＴＬに実際に書き込まれた信号電位Ｖsig
の大きさで定まる輝度レベルであり、本来の輝度レベルとは異なる。従って、この初期期間の発光動作は短いほど良い。さて、この発光期間の初期期間が終了すると、カップリング制御線ＣＳＬの電位が、オフ電位ＶＳＳに切り替わる。

図３７に、この時点におけるサブ画素６１の等価回路を示す。このとき、カップリング制御線ＣＳＬにはＶcc31−ＶＳＳで与えられる電位変化が発生する。この電位変化は、カップリング容量Ｃｃを通じて、フローティング状態にある駆動トランジスタのゲート電極に伝搬する。

すなわち、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇは、信号電位ＶｘからＶｘ−ΔＶｇに降下する。一方、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量等に充電された電位によって固定的に与えられている。
従って、カップリング動作によって、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgs’は、ＶgsからＶgs−ΔＶｇに変化する。

図３８に、カップリング動作によるゲート・ソース間電圧Ｖgsの圧縮補正完了後のサブ画素６１の等価回路を示す。
図３８に示すように、これ以降の発光期間では、カップリング補正後のゲート・ソース間電圧Ｖgs’に応じた大きさの駆動電流Ｉds’が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れ、当該補正後の輝度レベルによる発光状態が継続される。
勿論、カップリング動作後の電位関係は、形態例１と同じく、適正な移動度補正が実行された後の電位関係と同じになる。

（Ｃ−３）形態例の効果
この形態例の場合には、カップリング容量Ｃｃとその駆動線であるカップリング制御線ＣＳＬを新たに設けることにより、電源供給線としての点灯制御線ＬＳＬの駆動回路の構成を単純化できる。
また、カップリング容量Ｃｃを新たに用いることで、寄生容量に比してカップリング電圧ΔＶの設定が容易になり、設計通りの駆動動作を実現できる。

（Ｄ）他の形態例
（Ｄ−１）制御線駆動部の他の構成例（１）
前述した形態例１においては、点灯制御線ＬＳＬの駆動部として、図１４に示す回路構成の制御線駆動部３７を例示した。
しかし、同様の制御は、他の回路構成によっても実現できる。図３９に、点灯制御線ＬＳＬの駆動に適する制御線駆動部３７の他の構成例を示す。

図３９に示す制御線駆動部３７では、点灯制御線ＬＳＬに印加する３値の電位ＶＳＳ、Ｖcc11 、Ｖcc12 のそれぞれについて１つのスイッチ（薄膜トランジスタ）を配置する構成を採用する。
図３９に示す制御線駆動部３７の場合、点灯制御線ＬＳＬに対して、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ５１とＰ５２が並列に接続される。
このうち、薄膜トランジスタＰ５１の一方の主電極は、低位のオン電位Ｖcc11 が印加される電源線に接続され、他方の主電極は点灯制御線ＬＳＬに接続される。また、薄膜トランジスタＰ５２の一方の主電極は、高位のオン電位Ｖcc12 が印加される電源線に接続され、他方の主電極を点灯制御線ＬＳＬに接続される。

また、これら２つの薄膜トランジスタＰ５１、Ｐ５２に対して直列にＮチャネル型の薄膜トランジスタＮ５１が接続され、他方の主電極は接地電源ＶＳＳに接続される。
この図３９に示す制御線駆動部３７の場合、個々の薄膜トランジスタＰ５１、Ｐ５２及びＮ５１のゲート電極には、それぞれ専用の制御信号線Ｓcnt41 、Ｓcnt42 、Ｓcnt43
が接続される。

因みに、薄膜トランジスタＰ５１のゲート電極には制御信号線Ｓcnt41 が接続され、薄膜トランジスタＰ５２のゲート電極には制御信号線Ｓcnt42 が接続され、薄膜トランジスタＮ５１のゲート電極には制御信号線Ｓcnt43 が接続される。
これらの制御信号線Ｓcnt41 、Ｓcnt42 、Ｓcnt43 の電位についても、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。

図４０に、制御線駆動部（図３９）の駆動波形と画素回路の動作期間との関係を示す。図４０（Ａ）は、制御信号線Ｓcnt41 の駆動波形である。図４０（Ｂ）は、制御信号線Ｓcnt42 の駆動波形である。図４０（Ｃ）は、制御信号線Ｓcnt43 の駆動波形である。図４０（Ｄ）は、点灯制御線ＬＳＬに現れる電位波形である。

この回路構成の場合、まず、制御信号線Ｓcnt43 がＨレベルの期間、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ５１がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬの電位をＬレベル（ＶＳＳ）に制御する。

次に、制御信号線Ｓcnt43 がＬレベルに切り替わり、この切り替わりに連動して、制御信号線Ｓcnt42 がＨレベルからＬレベルに変化する。このとき、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ５２がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬには高位のオン電位Ｖcc12 が出力される。

続いて、制御信号線Ｓcnt42 が再びＨベルに切り替わり、この切り替わりに連動して、制御信号線Ｓcnt41 がＨレベルからＬレベルに変化する。このとき、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ５１がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬには低位のオン電位Ｖcc11 が出力される。この動作によって、図１４に示す回路構成と全く同じ電位変化を実現することができる。

（Ｄ−２）制御線駆動部の他の構成例（２）
前述した形態例の場合には、移動度補正動作の実行を指示する制御パルスの立ち下げ波形を矩形波とした。
しかし、移動度補正の精度をより高めたい場合には、図１３に示す移動度補正カーブが得られるように、制御パルスの立ち下げ波形を制御しても良い。以下、この種の補正カーブ付きの駆動パルスを生成できる制御線駆動部３５の構成例を示す。

図４１に、制御線駆動部３５の部分構成例を示す。なお、図４１に示す構成は、１つの水平ラインに対応する構成である。従って、画面内の垂直方向には、図４１に示す構成の回路を、垂直解像度数分だけ配置する。

以下では、この部分回路も制御線駆動部３５と呼ぶ。制御線駆動部３５は、シフトレジスタ７１、２段のインバータ回路７３、７５で構成されるバッファ回路、レベルシフタ７７及び１段のインバータ回路７９で構成される出力バッファ回路で構成される。
信号電位Ｖsig に応じた移動度補正時間を実現するための補正カーブは、インバータ回路７９に供給される電源電圧パルスＷＳＰの波形レベルによって実現される。
図４２に、電源電圧パルスＷＳＰの波形例を示す。

図４２に示すように、移動度補正カーブの部分は、各水平ラインの移動度補正期間に位相同期したタイミングに設定される。
この形態例の場合、移動度補正カーブの形状は、印加される信号電位Ｖsig に対して過補正がかかるように設定する。すなわち、式（２）に基づいて算出される補正時間よりも、各信号電位Ｖsig に対する補正時間が短くなるように、移動度補正カーブの形状（図１３）を設定する。

図４３に、制御線駆動部３５に供給される電源電圧パルスＷＳＰを発生する回路デバイスの構成を示す。
電源電圧パルスＷＳＰは、タイミングジェネレータ８１と駆動電源発生部８３により生成される。タイミングジェネレータ８１は、制御線駆動部３５だけでなく、他の制御線駆動部にも駆動パルス（矩形波）を供給する回路デバイスである。なお、駆動パルスの立ち下がりタイミングは、移動度補正の開始タイミングに対して所定時間だけ遅れたタイミングに設定される。

駆動電源発生部８３は、矩形波状の駆動パルスに基づいて、立ち下がり時の波形が２段階に折れ曲がる駆動電圧パルスＷＳＰを発生する回路デバイスである。
図４４に、駆動電源発生部８３の回路例を示す。図４４に示す駆動電源発生部８３は、移動度補正カーブに近似する疑似的な駆動電圧パルスＷＳＰを発生する回路デバイスの構成例である。図４４に示す駆動電源発生部８３は、２個のトランジスタと、１個の容量と、３個の固定抵抗と、２個の可変抵抗により構成される。

駆動電源発生部８３は、駆動パルスをアナログ処理し、立ち下がり時の波形が２段階に折れ曲がる電源電圧パルスＷＳＰを発生する。すなわち、１段目の立ち下がり波形の傾斜角度が大きく、２段目の立ち下がり波形の傾斜が小さい電源電圧パルスＷＳＰを発生する。勿論、多段階で立ち下がる波形を生成できる回路構成を採用すれば、それだけ理想的な移動度補正カーブに近い電源電圧パルスＷＳＰを生成することができる。

（Ｄ−３）信号線駆動部の他の構成
前述した形態例の説明では、マイナス方向のカップリング電圧分を想定して、信号線駆動部３３のディジタル／アナログ変換回路４５の信号振幅を、最終的に実現したい信号振幅に比して大きくした。しかしながら、信号線駆動部３３の構成は、現在一般的に使用されている信号線駆動部５をそのまま使用することもできる。

（Ｄ−４）サブ画素の他の構造（１）
前述した形態例１の場合には、駆動トランジスタＮ２のゲート電極と主電極との間に寄生する容量を用いて、点灯制御線ＬＳＬのオン電位変化をゲート電極に伝搬させる場合について説明した。
なお、寄生容量が大きいほど、点灯制御線ＬＳＬの電位変化を効率的に伝搬させることができる。

一般に、薄膜トランジスタのチャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比（すなわち、Ｗ／Ｌ）が大きくなると、ゲート電極と主電極間の寄生容量を大きくすることができる。従って、少なくとも駆動トランジスタＮ２のＷ／Ｌを大きくすることにより、効率的なカップリング動作を実現できる。図４５に、サブ画素を構成する薄膜トランジスタの構造例を示す。

図４５（Ａ）はサンプリングトランジスタＮ１のトランジスタサイズ例を示す図であり、図４５（Ｂ）は駆動トランジスタＮ２のトランジスタサイズ例を示す図である。
図４５は、駆動トランジスタＮ２のトランジスタサイズを、サンプリングトランジスタＮ１のトランジスタサイズより大きくした例である。

（Ｄ−５）サブ画素の他の構造（２）
前述した形態例１の場合には、駆動トランジスタＮ２のゲート電極と主電極との間に寄生する容量を用いて、点灯制御線ＬＳＬのオン電位変化をゲート電極に伝搬させる場合について説明した。
なお、寄生容量が大きいほど、点灯制御線ＬＳＬの電位変化を効率的に伝搬させることができる。

例えば駆動トランジスタＮ２を構成するゲート電極とドレイン電極／ソース電極とのオーバーラップ長を増加させることによっても、寄生容量を大きくすることができる。図４６に、ボトムゲート型の薄膜トランジスタに対応する断面構造例を示す。

駆動トランジスタＮ２は、絶縁基板（例えばガラスパネル）９１の表面に形成されたゲート電極９３の表面を層間絶縁膜で覆い、更にその上面にチャネル領域９５、ソース領域９７、ドレイン領域９９を形成した構造を有している。なお、ソース領域９７には金属配線１０１が接続され、ドレイン領域９９には金属配線１０３が接続されている。ここで、チャネル領域９５と金属配線との各重なり量がオーバーラップ長である。勿論、駆動トランジスタＮ２と接続される側の主電極領域についてのみオーバーラップが生じるように形成されていれば良い。

（Ｄ−６）サブ画素の他の構造（３）
前述した形態例１の場合には、駆動トランジスタＮ２のゲート電極と主電極との間に寄生する容量を用いて、点灯制御線ＬＳＬのオン電位変化をゲート電極に伝搬させる場合について説明した。
しかし、寄生容量を補完するカップリング容量Ｃｃを、図４７に示すように、駆動トランジスタＮ２のゲート電極と主電極との間に接続しても良い。

（Ｄ−７）サブ画素の他の構造（４）
前述した形態例２の場合には、サブ画素を構成する薄膜トランジスタの数が２つの場合について説明した。
しかし、サブ画素の構成は、これら以外の場合にも適用できる。例えば薄膜トランジスタの数は３つ以上でも良い。

図４８に、４つの薄膜トランジスタで構成されるサブ画素の構成例を示す。なお、図４８には、図２７との対応部分に同一符号を付して示している。図４８に示すサブ画素に新規な構成部分は３つである。
１つ目の新規構成部分は、駆動電源が固定電源線ＶＣＣを通じて供給される点である。２つ目の新規構成部分は、固定電源線ＶＣＣと駆動トランジスタＮ２の間に、点灯制御トランジスタＮ６１が直列に接続される点である。

図４８の場合、点灯制御トランジスタＮ６１は、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタで形成される。この点灯制御トランジスタＮ６１は、点灯制御線ＬＳＬによって開閉制御され、オン制御時に駆動電源が固定電源線ＶＣＣより供給され、オフ制御時に駆動電源の供給が停止される。ここでのオフ制御は、非発光期間と発光期間中における消灯時に選択される。

３つ目の新規構成部分は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと並列に接続されるリセットトランジスタＮ６３である。リセットトランジスタＮ６３もＮチャネル型の薄膜トランジスタで形成される。このリセットトランジスタＮ６３は、リセット制御線ＲＳＬによって開閉制御される。リセットトランジスタＮ６３は初期化時にオン制御され、その他の期間はオフ制御される。

図４９に、この画素構造に対応する内部電位の変化を示す。因みに、図４９（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図４９（Ｂ）は、信号線ＤＴＬの駆動波形である。図４９（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。図４９（Ｄ）は、リセット制御線ＲＳＬの駆動波形である。図４９（Ｅ）は、カップリング制御線ＣＳＬの駆動波形である。図４９（Ｆ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの電位変化を示す波形である。図４９（Ｇ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの電位変化を示す波形である。

なお、基本的な駆動動作は、形態例２の駆動動作と同じである。固有の動作は、駆動トランジスタＮ２に対する駆動電源の供給制御に関連する点灯制御トランジスタＮ６１の動作と、初期化に伴うリセットトランジスタＮ６３の動作である。

ここでは、相違点を中心に駆動動作を説明する。例えば初期化時には、点灯制御トランジスタＮ６１はオフ制御されると共に、リセットトランジスタＮ６３がオン制御される。このとき、保持容量Ｃｓの一方の電極と接地電位ＶＳＳとが接続され、保持容量Ｃｓに保持されていた電荷が接地電位ＶＳＳに引き出され、初期化が実行される。

初期化動作が終了すると、点灯制御トランジスタＮ６１がオン制御されると共に、リセットトランジスタＮ６３はオフ制御される。これ以降、図４８に示すサブ画素の等価回路の動作は、形態例２についての動作と同じになる。

（Ｄ−８）製品例
（ａ）電子機器
前述の説明では、有機ＥＬパネルモジュールについて発明を説明した。しかし、前述した有機ＥＬパネルモジュールは、各種の電子機器に実装した商品形態でも流通される。以下、他の電子機器への実装例を示す。

図５０に、電子機器１１１の概念構成例を示す。電子機器１１１は、前述した駆動回路を搭載する表示パネルモジュール１１３、システム制御部１１５及び操作入力部１１７で構成される。システム制御部１１５で実行される処理内容は、電子機器１１１の商品形態により異なる。また、操作入力部１１７は、システム制御部１１５に対する操作入力を受け付けるデバイスである。操作入力部１１７には、例えばスイッチ、ボタンその他の機械式インターフェース、グラフィックインターフェース等が用いられる。

図５１に、電子機器がテレビジョン受像機の場合の外観例を示す。テレビジョン受像機１２１の筐体正面には、フロントパネル１２３及びフィルターガラス１２５等で構成される表示画面１２７が配置される。表示画面１２７の部分が、図５０の表示パネルモジュール１１３に対応する。
また、この種の電子機器には、例えばデジタルカメラが想定される。図５２に、デジタルカメラ１３１の外観例を示す。図５２（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図５２（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。

デジタルカメラ１３１は、保護カバー１３３、撮像レンズ部１３５、表示画面１３７、コントロールスイッチ１３９及びシャッターボタン１４１で構成される。このうち、表示画面１３７の部分が、図５０の表示パネルモジュール１１３に対応する。
また、この種の電子機器には、例えばビデオカメラが想定される。図５３に、ビデオカメラ１５１の外観例を示す。
ビデオカメラ１５１は、本体１５３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ１５５、撮影のスタート／ストップスイッチ１５７及び表示画面１５９で構成される。このうち、表示画面１５９の部分が、図５０の表示パネルモジュール１１３に対応する。

また、この種の電子機器には、例えば携帯端末装置が想定される。図５４に、携帯端末装置としての携帯電話機１６１の外観例を示す。図５４に示す携帯電話機１６１は折りたたみ式であり、図５４（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図５４（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
携帯電話機１６１は、上側筐体１６３、下側筐体１６５、連結部（この例ではヒンジ部）１６７、表示画面１６９、補助表示画面１７１、ピクチャーライト１７３及び撮像レンズ１７５で構成される。このうち、表示画面１６９及び補助表示画面１７１の部分が、図５０の表示パネルモジュール１１３に対応する。

また、この種の電子機器には、例えばコンピュータが想定される。図５５に、ノート型コンピュータ１８１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１８１は、下型筐体１８３、上側筐体１８５、キーボード１８７及び表示画面１８９で構成される。このうち、表示画面１８９の部分が、図５０の表示パネルモジュール１１３に対応する。
これらの他、電子機器には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。

（Ｄ−９）他の表示デバイス例
前述の形態例においては、発明を有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明した。
しかし、前述した電源系回路の構成は、その他の自発光型の表示パネルモジュールにも適用することができる。
例えばＬＥＤをマトリクス状に配列する表示装置やダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示パネルモジュールに対しても適用することができる。例えば無機ＥＬパネルにも適用できる。

（Ｄ−１０）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。

有機ＥＬパネルモジュールのシステム構造を説明する図である。 サブ画素の画素配列を説明する図である。 サブ画素の構造例を説明する図である。 サブ画素の駆動波形例を説明する図である。 計算上導き出される移動度補正カーブの形状を説明する図である。 駆動トランジスタのゲート・ソース間に現われる電圧変化を説明する図である。 有機ＥＬパネルモジュールの外観構成例を示す図である。 形態例１に係る有機ＥＬパネルモジュールのシステム構造例を示す図である。 形態例１で使用するサブ画素の構造例を説明する図である。 信号線駆動部の構成例を示す図である。 信号線に印加される入出力特性（破線で示す）とカップリング駆動後に実現される入出力特性（実線で示す）の関係を説明する図である。 書込制御線を駆動する制御線駆動部の回路構成例を説明する図である。 形態例１で使用する移動度補正カーブの形状例を示す図である。 点灯制御線を駆動する制御線駆動部の回路構成例を説明する図である。 図１４に示す制御線駆動部の駆動波形を示す図である。 形態例１に係る駆動波形例を説明する図である。 初期化動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 閾値補正準備動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 閾値補正動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 閾値補正動作が完了した後のサブ画素の等価回路を示す図である。 信号電位の書き込み兼移動度補正動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 発光期間の初期期間におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 マイナス方向のカップリング動作が実行される場合のサブ画素の等価回路を示す図である。 発光期間の初期期間以降におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 形態例に係る駆動動作の適用時に、駆動トランジスタのゲート・ソース間に現われる電圧変化を説明する図である。 形態例２に係る有機ＥＬパネルモジュールのシステム構造例を示す図である。 形態例２で使用するサブ画素の構造例を説明する図である。 点灯制御線を駆動する制御線駆動部の回路構成例を説明する図である。 カップリング制御線を駆動する制御線駆動部の回路構成例を説明する図である。 形態例２に係る駆動波形例を説明する図である。 初期化動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 閾値補正準備動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 閾値補正動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 閾値補正動作が完了した後のサブ画素の等価回路を示す図である。 信号電位の書き込み兼移動度補正動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 発光期間の初期期間におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 マイナス方向のカップリング動作が実行される場合のサブ画素の等価回路を示す図である。 発光期間の初期期間以降におけるサブ画素の等価回路を示す図である。 点灯制御線を駆動する制御線駆動部の他の回路構成例を説明する図である。 図３９に示す制御線駆動部の駆動波形を示す図である。 書込制御線を駆動する制御線駆動部の他の回路構成例を説明する図である。 電源電圧パルスの波形例を説明する図である。 電源電圧パルスを発生する回路デバイスの構成例を示す図である。 駆動電源発生部の構成例を示す図である。 トランジスタサイズを説明する図である。 オーバーラップ量を説明する図である。 サブ画素の他の構造例を説明する図である。 サブ画素の他の構造例を説明する図である。 図４８に示すサブ画素の駆動波形例を示す図である。 電子機器の概念構成例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。

符号の説明

３ 画素アレイ部
３１ 有機ＥＬパネルモジュール
３３ 信号線駆動部
３５ 制御線駆動部
３７ 制御線駆動部
５１ 有機ＥＬパネルモジュール
５３ 画素アレイ部
５５ 制御線駆動部

Claims (8)

1. 保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
   信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
   前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
   前記駆動トランジスタの他方の主電極に接続される第２の制御線に、３値の駆動電圧を時間順次に与える第３の駆動部であって、非発光期間の初期期間から前記駆動トランジスタの特性補正期間が開始されるまでの間、最も電位が低い第１の駆動電圧を印加し、前記駆動トランジスタの特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで、最も電位が高い第２の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、中間電位に対応する第３の駆動電圧を印加する第３の駆動部と
   を有する自発光型の表示パネルモジュール。
2. 請求項１に記載の表示パネルモジュールにおいて、
   画素階調に対応する信号電位の書き込み期間Ｔが、各信号電位について計算上導き出される移動度補正時間長ｔより短く設定される
   表示パネルモジュール。
3. 保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に一端が接続され、他端が第３の制御線に接続されるカップリング容量とを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
   信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
   前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
   前記駆動トランジスタに対する駆動電圧の供給と停止を制御する第３の駆動部と、
   前記第３の制御線に２値の駆動電圧を時間順次に印加する第４の駆動部であって、特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで高位側の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、低位側の駆動電圧を印加する第４の駆動部と
   を有する自発光型の表示パネルモジュール。
4. 請求項３に記載の表示パネルモジュールにおいて、
   画素階調に対応する信号電位の書き込み期間Ｔが、各信号電位について計算上導き出される移動度補正時間長ｔより短く設定される
   ことを特徴とする表示パネルモジュール。
5. 保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを少なくとも有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
   信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
   前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
   発光期間の初期期間の終了後、前記駆動トランジスタの制御電極の電位を、カップリング動作を通じて下降させる第３の駆動部と
   を有する自発光型の表示パネルモジュール。
6. 保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
   信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
   前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
   前記駆動トランジスタの他方の主電極に接続される第２の制御線に、３値の駆動電圧を時間順次に与える第３の駆動部であって、非発光期間の初期期間から前記駆動トランジスタの特性補正期間が開始されるまでの間、最も電位が低い第１の駆動電圧を印加し、前記駆動トランジスタの特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで、最も電位が高い第２の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、中間電位に対応する第３の駆動電圧を印加する第３の駆動部と
   を有する自発光型の表示パネルモジュールと、
   システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
   前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
   を有する電子機器。
7. 保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に一端が接続され、他端が第３の制御線に接続されるカップリング容量とを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
   信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
   前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
   前記駆動トランジスタに対する駆動電圧の供給と停止を制御する第３の駆動部と、
   前記第３の制御線に２値の駆動電圧を時間順次に印加する第４の駆動部であって、特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで高位側の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、低位側の駆動電圧を印加する第４の駆動部と
   を有する自発光型の表示パネルモジュールと、
   システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
   前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
   を有する電子機器。
8. 保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを少なくとも有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
   信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
   前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
   発光期間の初期期間の終了後、前記駆動トランジスタの制御電極の電位を、カップリング動作を通じて下降させる第３の駆動部と
   を有する自発光型の表示パネルモジュールと、
   システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
   前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
   を有する電子機器。