JP2010049054A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】金属性のブラックマトリクスを用いた横電界駆動方式を採用する液晶装置において、表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】液晶装置（１００）は、複数の画素部（７０）を備え、各画素部は、第１基板（１０）と第２基板（２０）との間に挟持されると共に印加される電界によって駆動される液晶分子（５０ａ）を含む液晶層（５０）と、第１基板に形成される第１電極（９ａ）と、第１基板に形成され且つ第１電極との間に絶縁層（１２）を挟持する第２電極（１１）とを備えると共に、各画素部内に、反射表示を行う反射表示領域（７２）と、透過表示を行う透過表示領域（７１）とが設けられており、液晶分子は、負の誘電率異方性を有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、例えば液晶装置及びこのような液晶装置を備える電子機器の技術分野に関する。

一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置がある。液晶装置では、例えば一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。

このような液晶装置として、１つの画素内に反射表示領域と透過表示領域とが設けられる半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１から特許文献４等参照）。半透過反射型の液晶装置は、バックライトが不要になるがゆえに低消費電力化・薄型化・軽量化が達成できる反射型の液晶装置の利点と、バックライトを光源としているがゆえに周囲の光が暗い場合でも視認性がよいという透過型の液晶装置の利点とを併せ持つ液晶装置として知られている。

他方で、このような液晶装置として、ＴＦＴアレイ基板側に画素電極及び共通電極の夫々を設け且つ液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式或いはＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用した液晶装置が知られている（例えば、特許文献１から特許文献４等参照）。横電界駆動方式は、相対向する一対の基板の夫々に形成された画素電極及び対向電極間に介在する液晶に縦電界を印加する、ＴＮ（Twisted Nematic）駆動方式等の縦電界駆動方式に比べて視角特性に優れていることから注目されている。

特開２００５−３３８２６４号公報 特開２００６−１７１３１６号公報 特開２００７−４７７３４号公報 特開２００３−３４４８３７号公報

ここで、横電界駆動方式を採用する液晶装置では、本来ＴＦＴアレイ基板上に形成される画素電極と共通電極との間において、基板にほぼ平行な方向の横電界が生じるべきであるが、基板に垂直な方向の縦電界が生じてしまうことがある。この場合、本来基板にほぼ平行な方向に駆動されるべき（言い換えれば、基板にほぼ水平な面内で回転するべき）液晶が、基板に垂直な方向に駆動してしまう（言い換えれば、基板に垂直な方向に立ち上がってしまう）。このため、本来意図している態様での液晶の配向制御を行なうことができずに、その結果、液晶装置の表示品位の低下を招いてしまう。

本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば横電界駆動方式を採用する半透過反射型の液晶装置において、表示品位の低下を抑制することができる液晶装置及びこのような液晶装置を備える電子機器を提供することを課題とする。

（液晶装置）
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、複数の画素部を備え、各画素部は、互いに対向する第１基板（例えば、後述のＴＦＴアレイ基板）と第２基板（例えば、後述の対向基板）との間に挟持されると共に、印加される電界によって駆動される液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板の前記第２基板側に形成される第１電極（例えば、後述の画素電極）と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され且つ前記第１電極との間に絶縁層を挟持する第２電極（例えば、後述の共通電極）とを備えると共に、各画素部内に、反射表示を行う反射表示領域と、透過表示を行う透過表示領域とが設けられており、前記液晶分子は、負の誘電率異方性を有する。

本発明の液晶装置によれば、一対の基板（つまり、第１基板及び第２基板）間に挟持されている液晶分子の配向状態を、第１電極及び第２電極の夫々の電位差によって生ずる電界によって変化させることができる。これにより、液晶装置を、例えば直視型の或いは投射型の各種表示装置等として利用することができる。尚、本発明においては、電界は、例えば横電界が一例としてあげられる。尚、「横電界」とは、第１基板又は第２基板の表面に沿った方向の電界（典型的には、第１基板又は第２基板の表面に対して平行な或いは概ね平行と同視し得る電界）を示す趣旨である。加えて、本発明では、第１電極と第２電極との間に絶縁層が積層されている。つまり、本発明では、第１電極と絶縁層と第２電極とが、第１基板又は第２基板の法線方向に沿って積層構造を形成するように第１基板上に形成されている。つまり、本発明に係る液晶装置は、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用している。

加えて、本発明では、各画素部には、透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域の夫々が設けられている。つまり、本発明における液晶装置は、半透過反射型の液晶装置である。このため、透過表示領域においては、例えば第１基板側から入射する光が液晶層及び第２基板を透過して観察者に視認される必要があるため、透過表示領域における第１電極及び第２電極の夫々は透明電極であることが好ましい。他方で、反射表示領域においては、例えば第２基板側から入射した光が液晶層を透過した後に反射され且つ再度液晶層及び第２基板を透過して観察者に視認される必要があるため、反射表示領域における第１電極及び第２電極のうちの少なくとも一方は金属材料等を含む電極である又は反射表示領域における第１電極及び第２電極のうちの少なくとも一方に対向する位置に反射膜が形成されることが好ましい。

本発明では特に、液晶層中に含まれる液晶分子は、負の誘電率異方性を有している。言い換えれば、液晶層中に含まれる液晶分子は、ネガ型の液晶分子を含んでいる又はネガ型の液晶分子から構成されている。

ここで、液晶分子が負の誘電率異方性を有しているため、液晶分子は、液晶分子の長軸方向が印加される電界の方向に対して直交するように（言い換えれば、液晶分子の短軸方向が印加される電界の方向に沿うように）回転する。このため、第１基板又は第２基板の表面に沿った方向の電界である横電界が印加された場合には、液晶分子は、第１基板又は第２基板の表面に対して水平な面内において回転する。他方で、仮に第１基板又は第２基板の表面に交わる方向の電界（典型的には、第１基板又は第２基板の表面に対して垂直な或いは概ね垂直と同視し得る電界）である縦電界が液晶層に意図せず印加されてしまった場合であっても、液晶分子の短軸が縦電界に沿った方向に配列する（つまり、液晶分子の長軸方向が縦電界に直交するように配列する）ため、液晶分子の長軸方向が第１基板又は第２基板の表面に対して水平になる状態が維持される。言い換えれば、液晶分子が第１基板又は第２基板の表面に対して垂直な方向に立ち上がる又は起き上がることはなくなる。つまり、液晶層に本来印加するべき横電界のみならず、縦電界が液晶層に意図せず印加されてしまった場合であっても、液晶分子の長軸方向が縦電界に応じて第１基板又は第２基板の表面に対して確実に水平に配向されると共に、液晶分子は、横電界に応じて第１基板又は第２基板の表面に対して水平な面内において回転する。このため、横電界のみならず縦電界が印加されてしまったとしても、液晶分子は、その長軸方向が第１基板又は第２基板の表面と略平行となる状態を維持しながら回転する。従って、液晶層に含まれる液晶分子の駆動を好適に制御することができる。その結果、液晶装置の表示品位の低下を好適に抑制することができる。

特に、本発明の液晶装置は、１つの画素部中に透過表示領域と反射表示領域とが設けられているため、透過表示領域と反射表示領域との境界付近で意図せず縦電界が発生してしまいかねない。例えば、本来透過表示領域内の第１電極と第２電極との間の電位差に応じた電界が透過表示領域内の液晶層に印加され且つ反射表示領域内の第１電極と第２電極との間の電位差に応じた電界が反射表示領域内の液晶層に印加されるべきであるところ、透過表示領域内の第１電極と反射表示領域内の第１電極又は第２電極との間の電位差に応じた電界や透過表示領域内の第２電極と反射表示領域内の第１電極又は第２電極との間の電位差に応じた電界等が液晶層に印加されてしまいかねない。この場合、透過表示領域内の第１電極と反射表示領域内の第１電極又は第２電極との間の電位差に応じた電界や透過表示領域内の第２電極と反射表示領域内の第１電極又は第２電極との間の電位差に応じた電界等は、液晶層に対して縦電界になりかねない（或いは、縦電界成分を有しかねない）。しかるに、このような縦電界が生じ得る場合であっても、上述したように、液晶分子は、その長軸方向が第１基板又は第２基板の表面と略平行となる状態を維持しながら回転する。従って、半透過反射型の液晶装置であっても、液晶層に含まれる液晶分子の駆動を好適に制御することができる。その結果、液晶装置の表示品位の低下を好適に抑制することができる。

本発明の液晶装置の一の態様では、前記第１基板の前記第２基板側と反対側に、第１の方向（例えば、平面視４５°の方向）に沿った透過軸を有する第１偏光板と、前記第２基板の前記第１基板側と反対側に、前記第１の方向と直交する方向（例えば、平面視１３５°の方向）の透過軸を有する第２偏光板と、前記第１基板及び前記第２基板の夫々の前記液晶層側に形成され且つ前記第１の方向又は前記第１の方向と直交する方向（例えば、平面視１３５°の方向）に沿ってラビング処理されている配向膜とを更に備え、前記第１電極及び前記第２電極のうち前記液晶層側の電極は、(i)前記反射表示領域内において、前記第１の方向に対して４５°の角度をなす方向（例えば、平面視０°の方向）に沿って伸張する第１スリットを有しており、(ii)前記透過表示領域内において、前記ラビング処理されている方向に略直交する方向（例えば、平面視４５°の方向）に沿って伸張する第２スリットを有しており、前記反射表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、四分の一波長であり、前記透過表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、二分の一波長である。

この態様によれば、反射表示領域では以下のような動作が行われる。まず、反射表示領域の液晶層に電界を印加している場合には、第１スリットの長手方向（例えば、平面視０°の方向）に直交する方向（例えば、平面視９０°の方向）に電界がかかるため、反射表示領域の液晶層の液晶分子は、その長軸方向が第１スリットの長手方向に向かって回転する。従って、第２偏光板を透過した直線偏光（例えば、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）は、反射表示領域の液晶層のレタデーションが四分の一波長に設定されているため、反射表示領域の液晶層を透過することで、左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）になる。その後、左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）は、反射層等において反射されることで、回転方向が反転した右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）になる。その後、回転方向が反転した右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）は、再度反射表示領域の液晶層を透過することで、第２偏光板の透過軸に直交する方向に振動する直線偏光（例えば、平面視４５°の方向に振動する直線偏光）となる。このため、この直線偏光は、第２偏光板において吸収される。これにより、黒表示が行われる。他方で、反射表示領域の液晶層に電界を印加していない場合には、反射表示領域の液晶層の液晶分子は、その長軸方向が配向膜のラビング処理の方向（例えば、平面視１３５°の方向）に平行になるように配向されている。従って、第２偏光板を透過した直線偏光（例えば、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）は、反射表示領域の液晶層をそのまま透過し、反射層等において反射され、再度反射表示領域の液晶層をそのまま透過する。このため、この直線偏光は、第２偏光板を透過する。これにより、白表示が行われる。

続いて、透過表示領域では以下のような動作が行われる。まず、透過表示領域の液晶層に電界を印加していない場合には、透過表示領域の液晶層の液晶分子は、その長軸方向が配向膜のラビング処理の方向（例えば、平面視１３５°の方向）に平行になるように配向されている。従って、第１偏光板を透過して透過表示領域の液晶層に入射する直線偏光（例えば、平面視４５°の方向に振動する直線偏光）は、透過表示領域の液晶層をそのまま透過した後に第１偏光板の透過軸と直交する透過軸を有する第２偏光板によって吸収される。これにより、黒表示が行われる。他方で、透過表示領域の液晶層に電界を印加している場合には、透過表示領域の液晶層の液晶分子は、第２スリットの長手方向（例えば、平面視４５°の方向）に直交する方向（例えば、平面視１３５°の方向）に電界がかかるため、液晶分子の長軸方向が第１の方向に向かって回転する。従って、第１偏光板を透過して透過表示領域の液晶層に入射する直線偏光（例えば、平面視４５°の方向に振動する直線偏光）は、透過表示領域の液晶層のねじれによって旋光され、第２偏光板の透過軸に平行な方向の直線偏光（例えば、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）となり第２偏光板を透過する。これにより、白表示が行われる。

本発明の液晶装置の他の態様では、前記第１基板の前記第２基板側と反対側に、第１の方向（例えば、平面視４５°の方向）に沿った透過軸を有する第１偏光板と、前記第２基板の前記第１基板側と反対側に、前記第１の方向と直交する方向（例えば、平面視１３５°の方向）の透過軸を有する第２偏光板と、前記第１基板及び前記第２基板の夫々の前記液晶層側に形成され且つ前記第１の方向（例えば、平面視４５°の方向）又は前記第１の方向に直交する方向に沿ってラビング処理されている配向膜とを更に備え、前記第１電極及び前記第２電極のうち前記液晶層側の電極は、(i)前記反射表示領域内において、前記第１の方向に対して４５°の角度をなす方向（例えば、平面視０°の方向）に沿って伸張する第１スリットを有しており、(ii)前記透過表示領域内において、前記第１の方向に対して４５°の角度をなす方向（例えば、平面視０°の方向）に沿って伸張する第２スリットを有しており、前記反射表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、四分の一波長であり、前記透過表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、二分の一波長である。

この態様によれば、反射表示領域では以下のような動作が行われる。まず、反射表示領域の液晶層に電界を印加している場合には、反射表示領域の液晶層の液晶分子は、第１スリットの長手方向（例えば、平面視０°の方向）に直交する方向（例えば、平面視９０°の方向）の電界により、液晶分子の長軸方向が第１スリットの長手方向に向かって回転する。従って、第２偏光板を透過した直線偏光（例えば、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）は、反射表示領域の液晶層のレタデーションが四分の一波長に設定されているため、反射表示領域の液晶層を透過することで、左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）になる。その後、左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）は、反射層等において反射されることで、回転方向が反転した右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）になる。その後、回転方向が反転した右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）は、再度反射表示領域の液晶層を透過することで、第２偏光板の透過軸に直交する方向に振動する直線偏光（例えば、平面視４５°の方向に振動する直線偏光）となる。このため、この直線偏光は、第２偏光板において吸収される。これにより、黒表示が行われる。他方で、反射表示領域の液晶層に電界を印加していない場合には、反射表示領域の液晶層の液晶分子は、その長軸方向が配向膜のラビング処理の方向（例えば、平面視４５°の方向）に平行になるように配向されている。従って、第２偏光板を透過した直線偏光（例えば、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）は、反射表示領域の液晶層をそのまま透過し、反射層等において反射され、再度反射表示領域の液晶層をそのまま透過する。このため、この直線偏光は、第２偏光板を透過する。これにより、白表示が行われる。

続いて、透過表示領域では以下のような動作が行われる。まず、透過表示領域の液晶層に電界を印加していない場合には、透過表示領域の液晶層の液晶分子は、その長軸方向が配向膜のラビング処理の方向（例えば、平面視４５°の方向）に平行になるように配向されている。従って、第１偏光板を透過して透過表示領域の液晶層に入射する直線偏光（例えば、平面視４５°の方向に振動する直線偏光）は、透過表示領域の液晶層をそのまま透過した後に第１偏光板の透過軸と直交する透過軸を有する第２偏光板によって吸収される。これにより、黒表示が行われる。他方で、透過表示領域の液晶層に電界を印加している場合には、透過表示領域の液晶層の液晶分子は、その長軸方向が第２スリットの長手方向（例えば、平面視０°の方向）に直交する方向（例えば、平面視９０°の方向）の電界によりスリットの長手方向に向かって回転する。従って、第１偏光板を透過して透過表示領域の液晶層に入射する直線偏光（例えば、平面視４５°の方向に振動する直線偏光）は、透過表示領域の液晶層を透過することで楕円偏光になる。その後、楕円偏光が第２偏光板に入射するが、楕円偏光のうち第２偏光板の透過軸に平行な方向の直線偏光成分（例えば、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分）が第２偏光板を透過する。これにより、白表示が行われる。

ここで、第１偏光板の透過軸に対して４５°又は１３５°の角度を形成する方向に液晶分子を回転させ且つ液晶層のレタデーションを二分の一波長に設定しているため、液晶層を透過した楕円偏光の大部分を第２偏光板の透過軸に平行な方向の直線偏光成分とすることができ、光の透過率を相対的には向上させることができる。その結果、相対的に明るい白表示を行うことができる。

特に、本発明では、液晶層が負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んでいるため、液晶分子が第１基板又は第２基板の表面に対して垂直な方向に立ち上がる又は起き上がることはなくなる。従って、液晶層のレタデーションを二分の一波長に確実に設定することができるため、相対的に明るい白表示を確実に行うことができる。

上述の如く第１電極及び第２電極の一方が第１スリットと第２スリットとを備える液晶装置の態様では、前記第２電極は、前記反射表示領域の反射表示用第２電極と前記透過表示領域の透過用第２表示電極を含み、前記第１電極に対して、前記反射表示用第２電極に印加される電圧と前記透過表示用第２電極に印加される電圧との極性が反転するように電圧を印加する電圧印加回路を更に備えるように構成してもよい。

この態様によれば、反射表示領域に対して電圧を印加しない場合に透過表示領域に電圧を印加し、且つ反射表示領域に対して電圧を印加している場合に透過表示領域に電圧を印加しない状態を実現することができる。従って、上述したように、反射表示領域に対して電圧を印加せず且つ透過表示領域に電圧を印加する場合には、液晶装置全体として白表示を行うことができる。同様に、反射表示領域に対して電圧を印加し且つ透過表示領域に電圧を印加しない場合には、液晶装置全体として黒表示を行うことができる。従って、液晶装置を好適に動作させることができる。

この場合には、反射表示用第２電極と透過表示用第２電極との電位差が発生するため、この電極間に電界が発生するが、液晶分子が負の誘電異方性を有することにより、反射表示領域と透過表示領域の境界周辺の液晶が立ち上がることによる、コントラストの低下や透過率の低下を抑制することができる。このため、透過表示領域と反射表示領域の間を広くしなくても、十分なコントラストや透過率が得られるため、開口率を上げることができ、さらに透過率を高くすることができる。

本発明の液晶装置の他の態様では、第１電極は画素電極であり、第２電極は共通電極である。

この態様によれば、共通電極を反射表示用電極と透過表示用電極に分けていて、画素電極を共通としているため、画素電極にデータを送るデータ線を増やすことなく、反射表示領域と透過表示領域の液晶層に別の電圧を印加することができる。

（電子機器）
上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述した本発明の液晶装置（但し、その各種態様を含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の液晶装置（或いは、その各種態様）備えているため、焼き付きの発生を好適に抑制することができる。このため、焼き付きの発生が抑制された投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現することができる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。

（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「第１基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と本発明における「第２基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のスペーサが散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。但し、データ線駆動回路１０１は、シール領域よりも内側に、データ線駆動回路１０１が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられていてもよい。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１６や、走査線Ｙ１からＹｎ（但し、ｎは１以上の整数）や、データ線Ｘ１からＸｍ（但し、ｍは１以上の整数）等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。具体的には、画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ１１６や、走査線Ｙ１からＹｎや、データ線Ｘ１からＸｍ等の配線の上層に共通電極１１、絶縁層１２及び画素電極９ａがこの順に形成されている。つまり、本実施形態に係る液晶装置１００は、画素電極９ａと共通電極１１との間に生ずる電界によって液晶層５０の配向状態を制御する横電界駆動方式（特に、ＦＦＳ方式）を採用している。

ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と反対側の面には、本発明の「第１偏光板」の一具体例を構成する偏光板１３が積層されている。同様に、対向基板２０の液晶層５０と反対側の面には、本発明の「第２偏光板」の一具体例を構成する偏光板２４が積層されている。ここで、偏光板１３の透過軸の方向と偏光板２４の透過軸の方向とは互いに直交していることが好ましい。例えば、偏光板１３の透過軸の方向は平面視４５°（図１に示す角度参照。以下同じ）であり、偏光板２４の透過軸の方向は平面視１３５°であることが好ましい。

ここで、本発明の「第１電極」及び「第２電極」のうちの一方の一具体例を構成する画素電極９ａは、画像表示領域１０ａを構成する各画素を形成するように平面視マトリクス状に設けられている。また、画素電極９ａは、後に詳述するように、長手方向に伸張するスリット９ｂを有している（図４参照）。一方で、本発明の「第１電極」及び「第２電極」のうちの他方の一具体例を構成する共通電極１１は、画素電極９ａと同じように平面視マトリクス状に設けられてもよいし、複数の画素電極９ａ毎に共通するように平面視ベタ状に設けられてもよい。

画素電極９ａ上（言い換えれば、画素電極９ａ等の構成要素が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上）には、配向膜８が積層されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、不図示のカラーフィルタと、ブラックマトリクス２３とが形成されている。ブラックマトリクス２３は、例えばクロムや酸化クロム等の遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、ブラックマトリクス２３上に配向膜８が形成されている。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０上及び対向基板２０の夫々に形成される配向膜８に対してラビング処理が施されているが、ラビングの方向は、偏光板１３の透過軸の方向又は偏光板２４の透過軸の方向に沿った方向であることが好ましい。さらに、液晶分子のプレチルトを考慮すると、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のラビング処理の方向は反対の方向とすることが好ましい。例えば、ラビングの方向は、偏光板２４の透過軸の方向である平面視１３５°（または偏光板１３の透過軸の方向である平面視４５°に沿った方向）であることが好ましい。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶分子５０ａを含んでおり、これら一対の配向膜８間で、所定の配向状態をとる。本実施形態では特に、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａは、負の誘電率異方性を有している。具体的には、例えば、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａの誘電率異方性Δεは、−４である。但し、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａの誘電率異方性Δεが−４以外の値を有していてもよいことは言うまでもない。また、例えば、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａの複屈折性Δｎは、０．１であるが、０．１以外の値を有していてもよいことは言うまでもない。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

（２）液晶装置の詳細な構成
続いて、図３及び図４を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００の要部の電気的な構成について説明する。ここに、図３は、本実施形態に係る液晶装置１００の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図であり、図４は、画素部７０のより詳細な構成を概念的に示す平面図である。

図３において、本実施形態に係る液晶装置１００は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１や、不図示のドライバＩＣ回路等の駆動回路が形成されている。

走査線駆動回路１０４は、走査信号を、走査線Ｙ１からＹｎに順次供給する。例えば、ある走査線Ｙｊ（但し、ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）にハイレベルの走査信号が供給されると、この走査線Ｙｊに接続されたＴＦＴ１１６が全てオン状態となり、この走査線Ｙｊに対応する画素部７０が全て選択される。

データ線駆動回路１０１は、画像信号を、データ線Ｘ１からＸｍに順次供給し、オン状態のＴＦＴ１１６を介してこの画像信号に基づく書込電圧を画素電極９ａに書き込む。

本実施形態に係る液晶装置１００には、更に、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に配列された複数の画素部７０が設けられている。

図３及び図４に示すように、画素部７０は、平面視略矩形状の外形を有すると共にその内側に形成された複数のスリット９ｂを備える画素電極９ａと、画素電極９ａを包含する平面視ベタ状の形状を有する共通電極１１と、画素電極９ａの長辺端に沿って延在するデータ線Ｘｋ（但し、ｋは１≦ｋ≦ｍを満たす整数）と、画素電極９ａの短辺端に沿って延在する走査線Ｙｊ（但し、ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数）と、データ線Ｘｋ及び走査線Ｙｊの交点付近に形成される画素スイッチング用のＴＦＴ１１６と、蓄積容量１１９（但し、図４では不図示）を備えている。

ＴＦＴ１１６は、ソース端子がデータ線Ｘ１〜Ｘｍのいずれかに電気的に接続され、ゲート端子が走査線Ｙ１からＹｎのいずれかに電気的に接続され、ドレイン端子が画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用のＴＦＴ１１６は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態が切り換えられる。

液晶素子１１８は、画素電極９ａ、共通電極１１並びに画素電極９ａ及び共通電極１１間に位置する液晶分子５０ａから構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ１１６を介してデータ線Ｘ１からＸｍのいずれかと電気的に接続されている。共通電極１１は、共通配線ＣＯＭと電気的に接続されている。尚、画素電極９ａ及び共通電極１１は、上述したように、いずれもＴＦＴアレイ基板１０上に設けられている。液晶装置１００の動作時には、データ線Ｘ１からＸｍ及びＴＦＴ１１６を介して供給された画像信号の電位（書込電位）を有する画素電極９ａと、共通配線ＣＯＭを介して供給された共通電位を有する共通電極１１との間に電界が生じる。液晶は、当該電界に応じて駆動されることによって、即ち、当該電界に応じて分子集合の配向や秩序が変化することによって、光を変調し、階調表示を可能とする。

蓄積容量１１９は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、液晶素子１１８と並列に付加されている。蓄積容量１１９を構成する一方の電極は、画素電極９ａに電気的に接続され、他方の電極は、共通電極１１に電気的に接続されている。

特に、本実施形態では、画素部７０には、透過表示を行う透過表示領域７１と、反射表示を行う反射表示領域７２とが設けられている。つまり、本実施形態に係る液晶装置１００は、半透過反射型の液晶装置である。

透過表示領域７１には、スリット９ｂ−１を備え且つ透明電極である画素電極９ａ−１が、上述した画素電極９ａとして形成されている。ここで、透過表示領域７１におけるスリット９ｂ−１は、その長手方向が配向膜８のラビングの方向と略直交となるように形成されることが好ましい。具体的には、ラビングの方向に完全に直交する方向とした場合は、電界による液晶分子の回転方向が不定となることが考えられるので、ラビングの方向に直交する方向から５〜１５°程度どちらかにずれた方向とすることが好ましい。より具体的には、例えば、スリット９ｂ−１は、その長手方向が平面視４５°±５°の角度を有するように形成されることが好ましい。尚、図４では、スリット９ｂ−１が矩形の開口となる例を示している。しかしながら、スリット９ｂ−１は、画素電極９ａ−１に設けられた矩形の開口に限定されることはなく、例えば任意の形状の開口となっていてもよい。更には、スリット９ｂ−１は、画素電極９ａに設けられた開口に限定されることはなく、例えば、片側が開放された形状（つまり、画素電極９ａ−１が櫛歯状になるような形状）となっていてもよい。また、透過表示領域７１には、透明電極である共通電極１１−１が、上述した共通電極１１として形成されている。また、透過表示領域７１には、ドレイン端子が画素電極９ａ−１に電気的に接続されているＴＦＴ１６１−１が、上述したＴＦＴ１６１（つまり、透過表示領域７１用のスイッチング素子）として形成されている。また、透過表示領域７１における液晶層５０のレタデーションは、λ／２（つまり、二分の一波長）に設定されていることが好ましいが、λ／２以外の値に設定されていてもよい。また、透過表示領域７１における液晶層５０のセルギャップは３μｍであるが、３μｍ以外の値を有していてもよいことは言うまでもない。

反射表示領域７２には、スリット９ｂ−２を備え且つ透明電極である画素電極９ａ−２が、上述した画素電極９ａとして形成されている。ここで、反射表示領域７２におけるスリット９ｂ−２は、その長手方向が偏光板１３の透過軸の方向に対して４５°の角度を有するように形成されることが好ましい。具体的には、例えば、スリット９ｂ−２は、その長手方向が平面視０°の角度を有するように形成されることが好ましい。尚、図４では、スリット９ｂ−２が矩形の開口となる例を示している。しかしながら、スリット９ｂ−２は、画素電極９ａ−２に設けられた矩形の開口に限定されることはなく、例えば任意の形状の開口となっていてもよい。更には、スリット９ｂ−２は、画素電極９ａに設けられた開口に限定されることはなく、例えば、片側が開放された形状（つまり、画素電極９ａ−２が櫛歯状になるような形状）となっていてもよい。また、反射表示領域７２には、金属材料を含む金属電極である共通電極１１−２が、上述した共通電極１１として形成されている。この共通電極１１−２は、対向基板２０側から入射する外光に対して反射層として機能する。但し、共通電極１１−２を金属電極とすることに代えて、金属材料を含む反射層を別途設けるように構成してもよい。また、反射表示領域７２には、ドレイン端子が画素電極９ａ−２に電気的に接続されているＴＦＴ１６１−２が、上述したＴＦＴ１６１（つまり、反射表示領域７２用のスイッチング素子）として形成されている。また、反射表示領域７２における液晶層５０のレタデーションは、λ／４（つまり、四分の一波長）に設定されていることが好ましいが、λ／４以外の値に設定されていてもよい。また、反射表示領域７２における液晶層５０のセルギャップは１．５μｍであるが、１．５μｍ以外の値を有していてもよいことは言うまでもない。

尚、透過表示領域７１における液晶層５０のセルギャップと、反射表示領域７２における液晶層５０のセルギャップとが異なっているが、これは、反射表示領域７２中の対向基板２０側に段差部２５（図５等参照）を形成することで実現される。

（３）液晶装置の駆動の態様
続いて、図５及び図６を参照して、液晶装置１００の駆動の態様について説明する。ここに、図５は、本実施形態に係る液晶装置１００の駆動の態様を概念的に示す断面図であり、図６は、比較例に係る液晶装置１０１の駆動の態様を概念的に示す断面図である。

本実施形態の液晶装置１００は、以下のように動作する。まず、走査線駆動回路１０４から走査線Ｙｊにハイレベルの走査信号を供給することで、走査線Ｙｊに接続された全てのＴＦＴ１１６をオン状態にして、走査線Ｙｊに係る全ての画素部７０を選択する。また、走査線Ｙｊに係る画素部７０の選択に同期して、データ線駆動回路１０１からデータ線Ｘ１からＸｍに、画像信号が供給される。これにより、走査線駆動回路１０４で選択した全ての画素部７０に、データ線駆動回路１０１からデータ線Ｘ１からＸｍ及びＴＦＴ１１６を介して画像信号が供給され、この画像信号に基づく書込電圧が画素電極９ａに書き込まれる。これにより、画素電極９ａと共通電極１１との間に電位差が生じて、駆動電圧が液晶に印加される。

このとき、透過表示領域７１の共通電極１１−１に供給される電圧と、反射表示領域７２の共通電極１１−２に供給される電圧とが逆極性となるように、共通配線ＣＯＭに対して共通電位を供給することが好ましい。この場合、画素電極９ａ−１及び画素電極９ａ−２に電圧が供給されない場合には、透過表示領域７１における液晶層５０には電界は印加されず且つ反射表示領域７２における液晶層５０には電界が印加されることになる。

以下、液晶装置１００のより具体的な駆動の態様について、透過表示領域７１及び反射表示領域７２の夫々に毎に順に説明する。

まず、透過表示領域７１における駆動の態様について説明する。画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロである場合には、図５（ａ）に示すように、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａの配向状態は初期状態のまま維持される。具体的には、配向膜８のラビングの方向に沿って液晶分子５０ａの長軸方向が配列すると共に液晶分子５０ａの長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して略水平に配列する状態（つまり、液晶分子５０ａの長軸方向が平面視１３５°の方向に沿って配列する状態）が維持されている。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０の側から、偏光板１３に対してバックライト光等が入射する。この場合、偏光板１３の存在によって、入射するバックライト光のうち平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、液晶分子５０ａの配向状態が初期状態のまま維持されているため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光は液晶層５０をそのまま透過する。ここで、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸が平面視１３５°であるため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分は偏光板２４において吸収される。その結果、バックライト光が液晶装置１００の外部へ出射しない。これにより、液晶装置１００では黒表示が行われる。

他方で、画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロでない場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロでない場合には、図５（ｂ）に示すように、画素電極９ａと共通電極１１との間には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界（図５（ｂ）中の太線矢印参照）が生ずる。このため、液晶層５０には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が印加される。その結果、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に水平な面内において、スリット９ｂ−１の長手方向に対して直交する方向（例えば、平面視１３５°の方向）に電界が係るため、液晶分子５０ａの長軸方向がスリット９ｂ−１の長軸方向に向かって回転する。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０の側から、偏光板１３に対してバックライト光等が入射する。この場合、偏光板１３の存在によって、入射するバックライト光のうち平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、液晶層５０のレタデーションがλ／２であるため、この直線偏光成分は、液晶層５０のねじれによって旋光され、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が大部分を占める楕円偏光となる。その後、液晶層５０を透過してきた楕円偏光は、偏光板２４の透過軸の方向に振動する直線偏光（つまり、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）のみが液晶装置１００の外部に出射する。これにより、液晶装置１００では白表示が行われる。

続いて、反射表示領域７２における駆動の態様について説明する。画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロでない場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロでない場合には、図５（ａ）に示すように、画素電極９ａと共通電極１１との間には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界（図５（ａ）中の太線矢印参照）が生ずる。このため、液晶層５０には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が印加される。その結果、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に水平な面内において、スリット９ｂ−２の長手方向に対して直交する電界により、液晶分子５０ａの長軸方向がスリット９ｂ−２の長手方向に向かって回転する。このとき、対向基板２０の側から、偏光板２４に対して外光等が入射する。この場合、偏光板２４の存在によって、入射する外光のうち平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、液晶層５０のレタデーションがλ／４に設定されているため、この直線偏光成分は液晶層５０を透過することで右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）になる。その後、右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）は、共通電極１１−２において反射されることで、回転方向が反転した左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）になる。その後、回転方向が反転した左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）が再度液晶層５０に入射するが、この楕円偏光成分は液晶層５０を透過することで平面視４５°の方向に振動する直線偏光になる。ここで、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸が平面視１３５°であるため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分は偏光板２４において吸収される。その結果、バックライト光が液晶装置１００の外部へ出射しない。これにより、液晶装置１００では黒表示が行われる。

他方で、画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロである場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロである場合には、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａの配向状態は初期状態のまま維持される。具体的には、配向膜８のラビングの方向に沿って液晶分子５０ａの長軸方向が配列すると共に液晶分子５０ａの長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して略水平に配列する状態（つまり、液晶分子５０ａの長軸方向が平面視１３５°の方向に沿って配列する状態）が維持されている。このとき、対向基板２０の側から、偏光板２４に対して外光等が入射する。この場合、偏光板２４の存在によって、入射する外光のうち平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、この直線偏光成分は液晶層５０をそのまま透過し、共通電極１１−２において反射され、再度液晶層５０をそのまま透過する。このため、この直線偏光（つまり、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分）は、偏光板２４を透過する。これにより、液晶装置１００では白表示が行われる。

ここで、液晶分子５０ａが負の誘電率異方性を有しているため、電界の印加によって、液晶分子５０ａは、液晶分子５０ａの長軸方向が印加される電界の方向に対して直交するように回転する。言い換えれば、液晶分子５０ａは、液晶分子の短軸方向が印加される電界の方向に沿うように回転する。このため、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に沿った方向の電界である横電界が印加された場合には、液晶分子５０ａの長軸方向は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して水平な面内において回転する。他方で、仮にＴＦＴアレイ基板１０の表面に交わる方向の電界（典型的には、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して垂直な或いは概ね垂直と同視し得る電界）である縦電界が液晶層５０に意図せず印加されてしまった場合であっても、液晶分子５０ａの短軸が縦電界に沿った方向に配列する（つまり、液晶分子５０ａの長軸方向が縦電界に直交するように配列する）ため、液晶分子５０ａは、液晶分子５０ａの長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して水平になるように配向される。つまり、液晶層５０に本来印加するべき横電界のみならず、縦電界が液晶層５０に意図せず印加されてしまった場合であっても、液晶分子５０ａの長軸方向が縦電界に応じてＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して確実に水平に配向されると共に、液晶分子５０ａは、横電界に応じてＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して水平な面内において回転する。このため、横電界のみならず縦電界が印加されてしまったとしても、液晶分子５０ａは、その長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面と略平行な状態を維持しながら回転する。

他方で、正の誘電率異方性を有する液晶分子５１ａを含む液晶層５１を備える比較例に係る液晶装置１０１であれば、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に交わる方向の電界である縦電界が液晶層５０に意図せず印加されてしまった場合には、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、液晶分子５１ａは、その長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０に対して起き上がるように回転してしまう。言い換えれば、液晶分子５１ａは、その長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して垂直な方向へ傾くように回転してしまう。このため、本来意図している態様での液晶分子５１ａの配向制御を行なうことができずに、その結果、液晶装置１０１の表示品位の低下を招いてしまいかねない。

しかるに、本実施形態では、横電界のみならず縦電界が印加されてしまったとしても、液晶分子５０ａは、その長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面と略平行な状態を維持しながら回転する。つまり、横電界のみならず縦電界が印加されてしまったとしても、液晶分子５０ａの長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０に対して起き上がるように又はＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して垂直な方向へ傾くように液晶分子５０ａが回転してしまうことは殆ど又は全くなくなる。従って、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａの駆動を好適に制御することができる。このため、黒表示がぼやけてしまったり、白表示がくすんでしまったりする不都合を好適に抑制することができるため、コントラストを相対的には高めることができる。これにより、液晶装置１００の表示品位の低下を好適に抑制することができる。

特に、本実施形態に係る液晶装置１００では、１つの画素部７０中に透過表示領域７１と反射表示領域７２とが設けられている。このため、透過表示領域７１と反射表示領域７２との境界付近で意図せず縦電界が発生してしまいかない。具体的には、例えば、本来透過表示領域７１内の画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差に応じた電界が透過表示領域７１内の液晶層５０に印加され且つ反射表示領域７２内の画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差に応じた電界が反射表示領域７２内の液晶層５０に印加されるべきであるところ、透過表示領域７１内の画素電極９ａと反射表示領域７２内の画素電極９ａ又は共通電極１１との間の電位差に応じた電界や透過表示領域７１内の共通電極１１と反射表示領域７２内の画素電極９ａ又は共通電極１１との間の電位差に応じた電界等が液晶層５０に印加されてしまいかねない。この場合、透過表示領域７１内の画素電極９ａと反射表示領域７２内の画素電極９ａ又は共通電極１１との間の電位差に応じた電界や透過表示領域７１内の共通電極１１と反射表示領域７２内の画素電極９ａ又は共通電極１１との間の電位差に応じた電界等は、液晶層５０に対して縦電界になりかねない（或いは、縦電界成分を有しかねない）。しかるに、このような縦電界が生じ得る場合であっても、上述したように、液晶分子５０ａは、その長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０の表面と略平行となる状態を維持しながら回転する。従って、半透過反射型の液晶装置１００であっても、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａの駆動を好適に制御することができる。特に、駆動が不安定になりがちな透過表示領域７１と反射表示領域７２との境界付近の液晶分子５０ａの駆動を好適に制御することができる。その結果、液晶装置１００の表示品位の低下を好適に抑制することができる。

（４）変形例
続いて、図７を参照して、変形例に係る液晶装置１００ａについて説明する。ここに、図７は、変形例に係る液晶装置１００ａの構成を示す平面図である。尚、上述した液晶装置１００と同一の構成については、同一の参照符号を付することでその詳細な説明を省略する。

図７に示すように、変形例に係る液晶装置１００ａは、透過表示領域７１における画素電極９ａ−１が備えるスリット９ｂ−１の平面視方向における角度以外は、上述した液晶装置１００と同様の構成を有している。但し、配向膜８のラビングの方向は、平面視４５°であることが好ましい。変形例に係る液晶装置１００ａでは特に、透過表示領域７１における画素電極９ａ−１が備えるスリット９ｂ−１は、その長手方向が偏光板１３の透過軸の方向に対して４５°の角度を有するように形成されることが好ましい。具体的には、例えば、スリット９ｂ−１は、その長手方向が平面視０°の角度を有するように形成されることが好ましい。

このような構成を有する変形例に係る液晶装置１００ａは以下のように動作する。

まず、透過表示領域７１における駆動の態様について説明する。画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロである場合には、上述した液晶装置１００と同様に駆動する。他方で、画素電極９ａと共通電極１１との間の電位差がゼロでない場合には、液晶層５０に含まれる液晶分子５０ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に水平な面内において、スリット９ｂ−１の長手方向に対して直交する方向（例えば、平面視９０°の方向）の電界により、液晶分子５０ａの長軸方向がスリット９ｂ−１の長手方向に向かって回転する。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０の側から、偏光板１３に対してバックライト光等が入射する。この場合、偏光板１３の存在によって、入射するバックライト光のうち平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、液晶層５０のレタデーションがλ／２であるため、この直線偏光成分は液晶層５０を透過することで偏光板２４の透過軸の方向に振動する直線偏光成分（つまり、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分）が大部分を占める楕円偏光となる。その後、液晶層５０を透過してきた楕円偏光は、偏光板２４の透過軸の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００の外部に出射する。これにより、液晶装置１００では白表示が行われる。

続いて、反射表示領域７２における駆動の態様は、上述した液晶装置１００と同様である。

このため、変形例に係る液晶装置１００ａにおいても、上述した液晶装置１００が享受する各種効果を好適に享受することができる。加えて、変形例に係る液晶装置１００ａでは、スリット９ｂ−１の長手方向、配向膜８のラビングの方向及び偏光板１３（２４）の透過軸の夫々を上述した値に設定することで、偏光板１３及び２４の夫々の透過軸に対して４５°又は１３５°の方向に向かうように液晶分子５０ａの長軸方向を回転させることができる。このため、液晶層５０を透過した楕円偏光の大部分を偏光板２４の透過軸に平行な方向の直線偏光成分とすることができ、光の透過率（特に、液晶層５０における透過率）を相対的に向上させることができる。従って、相対的に明るい白表示を行うことができる。

（５）電子機器
続いて、図８及び図９を参照しながら、上述の液晶装置１００を具備してなる電子機器の例を説明する。

図８は、上述した液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図８において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置１００を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶装置１００の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

次に、上述した液晶装置１００を携帯電話に適用した例について説明する。図９は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図９において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、上述した液晶装置１００と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。

これらの電子機器においても、上述した液晶装置１００を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。

尚、図８及び図９を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう液晶装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ’断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。 画素部のより詳細な構成を概念的に示す平面図である。 本実施形態に係る液晶装置の駆動の態様を概念的に示す断面図である。 比較例に係る液晶装置の駆動の態様を概念的に示す断面図である。 変形例に係る液晶装置の画素部のより詳細な構成を概念的に示す平面図である。 液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。 液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。

符号の説明

８…配向膜、９ａ…画素電極、９ｂ…スリット、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…共通電極、１２…絶縁膜、１３…偏光板、２０…対向基板、２４…偏光板、５０…液晶層、５０ａ…液晶分子、７０…画素部、７１…透過表示領域、７２…反射表示領域、１００…液晶装置、１１６…ＴＦＴ

Claims (6)

1. 複数の画素部を備え、
   各画素部は、
   互いに対向する第１基板と第２基板との間に挟持されると共に、印加される電界によって駆動される液晶分子を含む液晶層と、
   前記第１基板の前記第２基板側に形成される第１電極と、
   前記第１基板の前記第２基板側に形成され且つ前記第１電極との間に絶縁層を挟持する第２電極と
   を備えると共に、
   各画素部内に、反射表示を行う反射表示領域と、透過表示を行う透過表示領域とが設けられており、
   前記液晶分子は、負の誘電率異方性を有することを特徴とする液晶装置。
2. 前記第１基板の前記第２基板側と反対側に、第１の方向に沿った透過軸を有する第１偏光板と、
   前記第２基板の前記第１基板側と反対側に、前記第１の方向と直交する方向の透過軸を有する第２偏光板と、
   前記第１基板及び前記第２基板の夫々の前記液晶層側に形成され且つ前記第１の方向又は前記第１の方向に直交する方向に沿ってラビング処理されている配向膜と
   を更に備え、
   前記第１電極及び前記第２電極のうち前記液晶層側の電極は、(i)前記反射表示領域内において、前記第１の方向に対して４５°の角度をなす方向に沿って伸張する第１スリットを有しており、(ii)前記透過表示領域内において、前記ラビング処理されている方向に略直交する方向に沿って伸張する第２スリットを有しており、
   前記反射表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、四分の一波長であり、
   前記透過表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、二分の一波長であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第１基板の前記第２基板側と反対側に、第１の方向に沿った透過軸を有する第１偏光板と、
   前記第２基板の前記第１基板側と反対側に、前記第１の方向と直交する方向の透過軸を有する第２偏光板と、
   前記第１基板及び前記第２基板の夫々の前記液晶層側に形成され且つ前記第１の方向に沿ってラビング処理されている配向膜と
   を更に備え、
   前記第１電極及び前記第２電極のうち前記液晶層側の電極は、(i)前記反射表示領域内において、前記第１の方向に対して４５°の角度をなす方向に沿って伸張する第１スリットを有しており、(ii)前記透過表示領域内において、前記第１の方向に対して４５°の角度をなす方向に沿って伸張するの第２スリットを有しており、
   前記反射表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、四分の一波長であり、
   前記透過表示領域内における前記液晶層のレタデーションは、二分の一波長であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
4. 前記第２電極は、前記反射表示領域の反射表示用第２電極と前記透過表示領域の透過用第２表示電極を含み、
   前記第１電極に対して、前記反射表示用第２電極に印加される電圧と前記透過表示用第２電極に印加される電圧との極性が反転するように電圧を印加する電圧印加回路を更に備えることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
5. 前記第１電極は画素電極であり、前記第２電極は共通電極であることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

Images