JP2010040867A - Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010040867A JP2010040867A JP2008203429A JP2008203429A JP2010040867A JP 2010040867 A JP2010040867 A JP 2010040867A JP 2008203429 A JP2008203429 A JP 2008203429A JP 2008203429 A JP2008203429 A JP 2008203429A JP 2010040867 A JP2010040867 A JP 2010040867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- nitride semiconductor
- iii nitride
- multilayer structure
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 179
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 48
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 245
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 203
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 148
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 148
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 145
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 35
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 34
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 18
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 179
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 163
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 71
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 32
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 13
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- -1 that is Inorganic materials 0.000 description 7
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
- H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
- H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02647—Lateral overgrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/12—Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/815—Bodies having stress relaxation structures, e.g. buffer layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
- H10H20/8252—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN characterised by the dopants
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることにより、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。
【解決手段】C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【選択図】図１
【解決手段】C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【選択図】図１
Description
本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法に関する。
ＩＩＩ族窒化物半導体ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮでは大型のバルク単結晶を成長することが極めて困難であるので、サファイアを基板として用いたヘテロエピタキシャル成長が一般に行われてきた。しかし、サファイアと上記ＩＩＩ族窒化物半導体の間には１１〜２３％の格子不整合および〜２×１０-6/℃の熱膨張係数差が存在する。また、両者の化学的性質が違うために、サファイア上に直接成長したＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル膜は、基板の単結晶としての性質を部分的にしか受け継がないで、三次元的に成長してしまい、表面の形を平坦に保つことも非常に難しいとされてきた。GaNの単結晶膜を成長させるための基板に必要な特性として、まず1200℃までの耐熱性と、その温度においてNH3に反応しないことが要求される。この点から、使用可能なコストで製造可能な基板としてはサファイアとSiCしか現在存在しない。そのなかでもコストを比較するとサファイアが圧倒的に有利であり、実際世の中で生産されているGaN系の発光素子（LED）の90％以上がサファイア基板を使用するものである。しかし、サファイアとGaNとは格子定数が違い、熱膨張係数の違い、さらに化学的特性が違うために直接GaN単結晶は成長させることができないとされている。この結果、サファイア基板上に作製したＧａＮ系発光素子はいろいろな工夫で大幅な改善がなされてきたとはいえ内部にかなり高密度の欠陥を包含しており、発光効率や素子寿命を十分に向上させることに限界があるという問題があった。
一般的に、格子不整合の大きなヘテロエピタキシャル成長で結晶性の良い単結晶膜を得る方法としては以下の2通りの考え方の流れがある。
（ｉ）基板とエピタキシャル膜の中間的な物理定数をもつ材料を介して成長を行うことによりエピタキシャル膜の品質を向上することができる。すなわち、格子定数、化学的性質、熱膨張係数などが中間的な性質を持つ薄膜を間に挟む。その場合には、基板の単結晶の性質をできるだけそのまま単結晶で受け継ぎたいので単結晶薄膜を挿入する必要がある。
（ｉｉ）目的の単結晶薄膜と同じ物質の多結晶あるいは非晶質の膜を挟む。通常、それを成膜する方法は単結晶成長温度よりも低い温度で成膜することによって作製する（特公昭62-29397号公報）。SOS(サファイア基板上のシリコン)などのエピタキシャル成長で検討されたのが始めである。そして、サファイア基板上のＧａＮでは低温バッファー層として成功を収めた。その機構は、バッファー層上ではGaNの核発生密度が高く、その中で結晶方位が良く揃った結晶粒のみが選別的に成長・合体することで粒界の発生を抑え、横成長方向の成長がバッファー層上で速いことを利用して平坦化するものである（赤崎勇ら、日本結晶成長学界誌Vol.13, No.4 ,1986, pp218-225；Vol.15 No.3-4, 1988, pp334-342；および Vol.20, No.4, 1993, pp346-354等）。
（ｉ）基板とエピタキシャル膜の中間的な物理定数をもつ材料を介して成長を行うことによりエピタキシャル膜の品質を向上することができる。すなわち、格子定数、化学的性質、熱膨張係数などが中間的な性質を持つ薄膜を間に挟む。その場合には、基板の単結晶の性質をできるだけそのまま単結晶で受け継ぎたいので単結晶薄膜を挿入する必要がある。
（ｉｉ）目的の単結晶薄膜と同じ物質の多結晶あるいは非晶質の膜を挟む。通常、それを成膜する方法は単結晶成長温度よりも低い温度で成膜することによって作製する（特公昭62-29397号公報）。SOS(サファイア基板上のシリコン)などのエピタキシャル成長で検討されたのが始めである。そして、サファイア基板上のＧａＮでは低温バッファー層として成功を収めた。その機構は、バッファー層上ではGaNの核発生密度が高く、その中で結晶方位が良く揃った結晶粒のみが選別的に成長・合体することで粒界の発生を抑え、横成長方向の成長がバッファー層上で速いことを利用して平坦化するものである（赤崎勇ら、日本結晶成長学界誌Vol.13, No.4 ,1986, pp218-225；Vol.15 No.3-4, 1988, pp334-342；および Vol.20, No.4, 1993, pp346-354等）。
まず(i) の考え方は、基板とエピタキシャル膜の中間的な物理定数をもつ材料を介して成長を行うことによりエピタキシャル膜の品質を向上することができるとする考え方である。したがって、サファイア基板上のＧａＮ層を成長させるためにはＡｌＮ層を介した成長が有効であると考えられる。これはＡｌＮがサファイアとＧａＮの中間的な格子定数と熱膨張係数を持つため、格子不整合と熱歪みが効率的に緩和される結果である。また、ＡｌＮとＧａＮの化学的特性が近く、両者の間の界面エネルギも小さい。これは見方を変えると以下のようにも理解できる。サファイア、すなわちAl2O3は酸化物であり、これに化学的に最も近い窒化物はAlを共通にしているAlNである。格子の不整合は11%で比較的大きいが、Alを共通にしていることによりAlN単結晶が成長しやすい。またAlNはGaNが唯一全率固溶で混ざり合う化合物であるので、化学的性質は最も近いし、格子不整合は2%しかない。したがって、Al2O3/GaNを直接成長させるのは難しくても、Al2O3/AlN/GaNのようにAlNを挟めばサファイア（Al2O3）の結晶性を引き継いでGaNの単結晶を成長させ得る。したがって、平坦なＡｌＮ層を単結晶のまま形成できさえすればその上に成長するヘテロエピタキシャル膜のGaNの膜質を飛躍的に向上させることができる。
以上の目的のＡｌＮ成膜方法としては以下の３つの方法が知られている。
Ｉ．サファイア基板をＮＨ3、Ｎ2Ｈ2 、有機アミン等の窒素原料ガス雰囲気中で熱処理することにより基板表面を単結晶ＡｌＮ化する方法（特公平7-54806号公報 ）またはＮＨ3、Ｎ2Ｈ2雰囲気中でＡｌを蒸着させる化学蒸着方法（特公昭59-48796 号公報）。
ＩＩ．ＡｌＮの単結晶成長が可能な高温に保ったサファイア基板上に有機アルミニウム，ハロゲン化アルミニウムあるいは金属アルミニウム蒸気等のアルミニウム原料ガスと窒素原料ガスを供給し単結晶ＡｌＮ層を堆積する方法（特開平９−６４４７７号公報）であり、通常1300℃程度の高温が必要となる。
ＩＩＩ．５００〜１０００℃の低温でアルミニウム原料ガスと窒素原料ガスを供給し、数１００〜１０００Åの多結晶もしくはアモルファスＡｌＮ層を堆積した後、これより高温でアニールすることにより単結晶化する方法（特公平４−１５２００号公報、特開平５−４１５４１号公報）。
Ｉ．サファイア基板をＮＨ3、Ｎ2Ｈ2 、有機アミン等の窒素原料ガス雰囲気中で熱処理することにより基板表面を単結晶ＡｌＮ化する方法（特公平7-54806号公報 ）またはＮＨ3、Ｎ2Ｈ2雰囲気中でＡｌを蒸着させる化学蒸着方法（特公昭59-48796 号公報）。
ＩＩ．ＡｌＮの単結晶成長が可能な高温に保ったサファイア基板上に有機アルミニウム，ハロゲン化アルミニウムあるいは金属アルミニウム蒸気等のアルミニウム原料ガスと窒素原料ガスを供給し単結晶ＡｌＮ層を堆積する方法（特開平９−６４４７７号公報）であり、通常1300℃程度の高温が必要となる。
ＩＩＩ．５００〜１０００℃の低温でアルミニウム原料ガスと窒素原料ガスを供給し、数１００〜１０００Åの多結晶もしくはアモルファスＡｌＮ層を堆積した後、これより高温でアニールすることにより単結晶化する方法（特公平４−１５２００号公報、特開平５−４１５４１号公報）。
上記Iの方法では、表面窒化の場合は数１０Åの窒化層を再現性良く形成できるうえ、この単結晶ＡｌＮ層は傾斜的な組成変化を伴うためわずか数１０Åの領域で効果的に格子不整合を緩和する。化学蒸着法では10-8Ｔｏｒｒという超高真空が必要であり、1000〜1200℃という高温の基板にＡｌ蒸気とＮＨ3かＮ2Ｈ2を反応させる。しかし、これらの方法で作製したＡｌＮ層は窒素化反応が均一に進まず、１０Åのオーダーで表面荒れを起こしやすい。表面が荒れたＡｌＮ層上にエピタキシャル成長を行うと、膜厚の増加に伴いこの凹凸が強調され平坦な表面形状が得られない。
一方、IIの方法で作製したＡｌＮ層は高温で膜成長を行うため、均一微細に一斉に成長核を発生させることができず、順次核発生するので三次元成長が避けられない。ItoらはAlNを高温で成長させるときもNH3の流量を極力少なくすることにより、単結晶の成長を抑えて均一微細に一斉に多結晶を生成させ、横方向成長を促進することで平滑面を出すという低温バッファで使う機構が働かないと、表面が平滑なGaN結晶は得られないとしている（J. Crystal Growth, 205(1999)20-24）。
以上のように、Ｉ及びＩＩの方法で作製した単結晶ＡｌＮ層は、その上に成長したエピタキシャル膜の結晶性を向上させ、ＰＬ（フォトルミネッセンス）特性などの光学的特性の向上に一定の働きはするものの、三次元成長はむしろ促進され凸凹の表面となるので電流を流しても信頼性のあるＬＥＤ素子を作れるエピウエハーを得ることは難しい。
また、IIIの方法では、三次元成長が起こらないような低温でＡｌＮ膜を堆積するため平坦なアモルファス層の形成が可能となる。ところが、完全に単結晶化するまでアニールすると初めに結晶になった箇所と後から結晶になった箇所とで微妙に方位の違いが生じるため表面が乱れ始める。その上にGaNエピタキシャル膜を成長するとしだいに凹凸が生じてしまうことになる。
以上のように、サファイア基板の上にＧａＮ単結晶を成長させるヘテロエピタキシャル成長において、中間的な物理定数をもつ単結晶AlNシード層を使う方法は古くから検討されてきたが、表面平坦性を維持することができずほとんど諦められているのが現状である。
そこで、現在は上記（ｉ）ではなく(ｉｉ)の考え方に沿ったバッファー層が用いられている。バッファー層として使う場合は中間的な物理定数を持つことに意味がなく, 成長させたい単結晶と同組成で微結晶か非晶質の薄膜を用いるのが基本である。したがって、ＧａＮを500℃近くの低温で成膜した層をバッファーとする低温バッファー法が最も広く用いられている。
これに対して、均一な膜厚のAlNを得る方法としてスパッター法も古くから検討されてきた。A.J.Shuskusらは次のような報告をしている（Applied Physics Letters, Vol.24, No.4(1974) pp155-156）。すなわち、高純度Alターゲットを１０-8Torrが達成できる反応容器を使って、NH3ガスでRF放電させ、1200℃の(0001)面サファイア基板にAlNを成膜させ、反射型電子線解析で単結晶薄膜ができたとしている。しかしながら、得られたAlN膜は反射電子線回折でパターンが一種類であるというだけにすぎず、柱状結晶の粒界がないこと、および表面性、についての記述は何もされていない。その後、C.R.Aita等は高純度Alターゲットを使ってArとN2との混合ガスを放電させ、室温で単結晶Siの上にAlN薄膜をつくり放電条件と成膜した膜質とを詳しく調べた（J.Appl.Phys. Vol.53, No.3(1982) pp1807-1809 、J. Vac. Sci. Technol.A Vol.1, No.2(1983)pp403-406）。W.J.Meng等はSi(111),Si(100)基板に同様の条件で温度を600℃以上に上げて成膜実験をしており、両者ともC面に方位を揃えて非常に細かい多結晶の表面が平滑なAlN薄膜ができたと報告している（J.Appl.Phys. Vol.75,No.7(1994) pp3446-3455）。その後、AlNはエネルギーギャップが６．２eVもあることから化合物半導体としての用途がいろいろ議論されたが実用には至らなかった。
プラズマを発生させると高いエネルギーをもった電子の流れが発生し、これが結晶に打ち込まれると、いわゆるプラズマダメージといわれる欠陥が結晶の中にできる。そこで、できるだけ低欠陥の薄膜結晶が望まれる半導体の用途ではスパッター法は積極的には使われてこなかった。しかし、スパッター法が数１０〜数１００Åの薄膜を再現よく成膜する方法としてきわめて優れた方法であることが、Si半導体の配線プロセスやハードディスクのメディアやヘッドの分野で薄膜多層の高機能性の薄膜を大量に安定して生産してきた実績から浸透してきており、スパッター法の検討が精力的に検討されることになった。スパッター法でAlNを成膜した場合にはアモルファスか多結晶であることが多く、単結晶を成膜した報告は極めて少ない。特にプラズマダメージという言葉があるように単結晶をプラズマに曝すと結晶が壊れてしまうという考えるのが一般的である。以上より、基板の平坦性を維持して成膜する方法としてスパッターは極めて有利な方法であるが、結晶性を上げる方法としては省みられることは非常に少ない。
一方、均一微細に多結晶を一斉に核発生させ、方向が揃った結晶のみが合体し、横方向成長を使うことにより平坦な単結晶ができるというのが低温バッファの考え方である。したがって、多結晶か非晶質の薄膜を均一に成膜する必要がある。そこで低温バッファの成膜をスパッター法のAlNを使うというのが一つの方向として浮上した。AlあるいはGaターゲットを用いた反応スパッターでアモルファスAlNまたはGaN膜を成膜した後に装置から一度出し、MOCVDを使ってGaNを成長させることになる（特開２０００−２８６２０２号公報、特開２００１−９４１５０号公報、特開昭６０−１７３８２９号公報）。
Ｃuomoらは1972年にサファイア基板にGaターゲットを使った反応スパッターでGaNの方向が揃った多結晶薄膜を成膜するのに成功し（Appl.Phys.Lett.,Vol.20, No.2 (1972),pp71-72、特開昭48-40699号公報）、さらに、その技術を発展させてスパッターでバッファー層と下地層とを作製する方法を提案した（米国特許６,６９２，５６８号明細書、米国特許第６，７８４，０８５号明細書、特公表2004-523450号公報）。基板上にコラム（柱）状の結晶を多数発生させ、装置上の工夫とArとN2の比率、放電パワーなどの条件を変えることにより、その柱状結晶上で結晶方位がほぼ揃っているものだけが合体していくという横方向成長を使うことにより柱状結晶上に単結晶GaN薄膜を得ている（たとえば、米国特許６,６９２，５６８号明細書のFig.4）。
一方において、ヘテロエピキシャル成長させる場合の高結晶化技術として部分的に成長できない場所を作り、横方向成長を促進させることで結晶性をよくするという技術が知られている。これをGaN単結晶薄膜にも適用して欠陥密度の低い結晶を作製することが試みられ成果を挙げている。
I．GaN系半導体レーザーダイオード（ＬＤ）への適用以前
サファイア基板にGaNを成長させる技術が普及する以前にSi基板の上にGaAsなどの結晶を成長させる方法として以下の文献が開示されている。
I．GaN系半導体レーザーダイオード（ＬＤ）への適用以前
サファイア基板にGaNを成長させる技術が普及する以前にSi基板の上にGaAsなどの結晶を成長させる方法として以下の文献が開示されている。
特開昭57-115849号公報は、以下の（イ）〜（ニ）の工程を取ることを特徴とするものであり、選択・横方向成長の概念を含んでいる。実施例ではSi基板の上にGaAsを成長させている。
（イ）基板上にエピタキシャル成長する工程、
（ロ）エピタキシャル成長層をホトエッチングにより、格子状、溝状または点状にパターニングする工程、
（ハ）前記基板上に再びエピタキシャル成長する工程、
（ニ）基板を研磨してエピタキシャル層を平坦にする工程
特公平０６−１０５７９７号公報には、化合物半導体基板表面に部分的に複数の窓部を設けた絶縁物薄膜又は高融点金属薄膜を有し、該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分と接合して一体化した化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板が記載されており、概念としては選択成長・横方向成長を含んでいる。
（イ）基板上にエピタキシャル成長する工程、
（ロ）エピタキシャル成長層をホトエッチングにより、格子状、溝状または点状にパターニングする工程、
（ハ）前記基板上に再びエピタキシャル成長する工程、
（ニ）基板を研磨してエピタキシャル層を平坦にする工程
特公平０６−１０５７９７号公報には、化合物半導体基板表面に部分的に複数の窓部を設けた絶縁物薄膜又は高融点金属薄膜を有し、該薄膜上に上記窓部に露出した基板部分を種として、種部より基板表面に平行な方向に連続してかつ隣接する種部より成長したエピタキシャル成長部分と接合して一体化した化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板が記載されており、概念としては選択成長・横方向成長を含んでいる。
特開平04‐127521公報には、GaAs基板にSiO2でマスクを形成し、InGaAsを液相エピ成長させることが記載されている。
特開平04‐303920公報には、Si基板にSiO2でマスクを形成しGaAsをMOCVDで成長させ横方向成長させることが記載されている。マスクの上は欠陥が減るがマスクがない場所は減らないので、平坦化できたところでもう一度マスクを作り、その上にGaAsを成長させることが記載されている。
II．GaN系半導体ＬＤへの適用を意識した開発
量子井戸構造を使ったダブルヘテロ構造のGaN系LEDが1996年に作製され、その後、最先端の開発の主体はＬＤに向けられた。20mAでの出力が5mWを上回る青色LEDは当時としては超高輝度であったが、貫通転位密度で結晶性を評価すると10+9/cm2程度も存在するレベルの結晶であり、GaAs系のLEDに使っている結晶と比べると転位密度が4桁近く高いものであった。これでＬＤを作成するとかろうじてレーザー発振を確認できる程度であった。ＬＤの場合は欠陥が多いものほど発振する閾値電流が高くなり、閾値電流が高いものは無駄な発熱が多くなる。実際に使用するためには長時間連続発振させる必要があり、そのためには大幅に閾値電流を下げる必要があった。閾値電流を下げるためには結晶性を良くすることが必須である。LEDの方は結晶性を上げても発光効率は変わらないといる説（Science 14 August 1998 Vol.281 No.5379 pp951-956）が有力になり、取り出し効率を上げることに研究の主体が移っていったが、LDを成立させるためには結晶性を上げることがどうしても必要であり、その方法として選択・横方向成長が注目された。
II．GaN系半導体ＬＤへの適用を意識した開発
量子井戸構造を使ったダブルヘテロ構造のGaN系LEDが1996年に作製され、その後、最先端の開発の主体はＬＤに向けられた。20mAでの出力が5mWを上回る青色LEDは当時としては超高輝度であったが、貫通転位密度で結晶性を評価すると10+9/cm2程度も存在するレベルの結晶であり、GaAs系のLEDに使っている結晶と比べると転位密度が4桁近く高いものであった。これでＬＤを作成するとかろうじてレーザー発振を確認できる程度であった。ＬＤの場合は欠陥が多いものほど発振する閾値電流が高くなり、閾値電流が高いものは無駄な発熱が多くなる。実際に使用するためには長時間連続発振させる必要があり、そのためには大幅に閾値電流を下げる必要があった。閾値電流を下げるためには結晶性を良くすることが必須である。LEDの方は結晶性を上げても発光効率は変わらないといる説（Science 14 August 1998 Vol.281 No.5379 pp951-956）が有力になり、取り出し効率を上げることに研究の主体が移っていったが、LDを成立させるためには結晶性を上げることがどうしても必要であり、その方法として選択・横方向成長が注目された。
MOCVDにおけるGaNで成長面を一部分SiO2によりマスクで隠し、選択成長すると<11-20>方向の窓で｛1-101｝面のファセットが現れることをY.Katoらが1994年に報告している（JCG 144(1994)133-140）。
さらに彼らは6つの｛1-101｝面で囲まれた六角形のピラミッドのドットパターンをサファイアの上に成長させた（JJAP 34(1995)L1184-L1186）。これらは結晶性を上げることを目的としたものではないがプロセスは選択・横方向成長であり、GaN系半導体における選択・横方向成長の出発点と位置づけられている。
さらに、A.Usuiらはサファイア/LTGaN バッファー/GaN の一部の表面をSiO2のマスクで塞ぎ、HPVE法で30μｍ以上の厚さのGaNを成長させ、貫通転位密度が6x10+7cm2の結晶を1997年に作った。途中で取り出してSEM観察することにより成長初期にファセットができ、それを埋めていくプロセスを確認している(JJAP 36(1997)L899-L902)。続いて、TEM観察をすることでファセットができた後にそれを埋めていく過程で貫通転位が基板表面に平行な方向に曲げられること、ファセットを埋め終わったところで転位の数が減っていることを確認している(APL 71(1997)2259-2261;APL 73(1998)481-483)。
R.DavisらはSiC基板/AlNバッファ/GaNの上にSiO2でマスクしてストライプ状の窓を作製し横方向成長をさせた。その断面TEMの観察でSiO2の上には数本しか転位がないがSiO2がない部分は数え切れないほど転位があることを1997年に報告している。その場合窓の方向が＜11‐20＞方向と＜1‐100＞方向とで成長過程が全く異なり、＜11−20＞方向では｛1−101｝面ファセットができあがり断面が3角形にみえるが、＜1−100＞方向では(0001)面を上面として｛11−20｝面を側面とするので断面は四角にみえる（APL 71(1997)2638）。また成長時のガス圧が高いほど、マスクの面積比が小さいほど、TEG濃度が高いほど｛1−101｝面のファセットは出やすいとしている（JJAP 36(1997)L532）。同じR.Davis教授のグループがPENDEO法という選択・横方向成長の方法を1999年に提案した（J.NSR 4S1,(1999)G3,No.38；APL 75(1999)196）。｛11−20｝面を主に成長させる方向である。SiC/AlNバッファー/GaNを作った後に、Niを重ねた膜をマスクとして使い窓を開けた場所はSiCまでエッチングで掘り、ついでNiを取り除いてGaNを成長させる。SiCの上にはGaNは成長せず、エッチングで露出されたGaNの｛11−20｝面が主に成長する。断面SEMによるとAlN バッファー/GaNが無かったところは空間が開いている。横方向成長したGaNがぶつかって全面を覆う。その後は(0001)面が成長する。ぶつかるまでは空間を成長するのでぶら下がるという意味のギリシャ語からPENDEOという言葉が使われた。
ほぼ同じような時期にS.Nakamuraらは選択・横方向成長をLDに適用してLDの性能を上げていった（Appl.Phys.Lett.Vol.72(1998)211;Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36(1997)L1568）。サファイア/LT GaN バッファー/2μｍ GaNの上にSiO2を＜1‐100＞方向に窓を開けてマスクをし、｛11−20｝面を成長させている。この方法によると、SiO2の上は転位が少ないが窓を開けた部分は転位が多いので、転位が少ない場所を選んで素子を作るという方法を採った。サファイアとGaNとで劈開面が異なるので欠陥が少なく素子ができる方向が決まっているとレーザー発振させる面を劈開して作るのができない。そこで100μｍまで厚くGaNを積んでサファイアを研磨で削り取ってしまった。すなわちGaNの単結晶基板を選択・横方向成長でつくってその上にLD構造を成長させた（Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37(1998)L309;Appl.Phys.Lett.Vol.72(1998)2014）。その結果、室温では10000時間の連続発振が可能となり、この素子を販売することが1999年に発表された。この成功に触発され紫外・青色LDを作るためには選択・横方向成長が必須ということになった。
III ．選択・横方向成長方法の分類
選択・横方向成長を使う場所と選択成長させる方法で大雑把に分類すると厚膜にしてサファイアを取り除きGaN単結晶基板作成をめざすものと薄膜で下地層の結晶性を上げるものに分けられる。
III ．選択・横方向成長方法の分類
選択・横方向成長を使う場所と選択成長させる方法で大雑把に分類すると厚膜にしてサファイアを取り除きGaN単結晶基板作成をめざすものと薄膜で下地層の結晶性を上げるものに分けられる。
下地層の結晶性を上げる方法として選択・横方向成長を適用しようとした場合まずどの工程で成長場所の選択をするか、つぎに場所選択する方法、さらに横方向成長をさせるときに優先的に成長させる面の種類によって分類することができる。
Ａ どの工程で成長場所の選択をするか。
（イ）サファイア基板自体に場所選択をする。
（ロ）バッファー層に場所選択をする。
（ハ）一度GaNを成長させてからGaN表面に場所選択をする。
Ｂ 場所選択する方法は以下の３種類がある。
(a）マスクで覆う。
(b)単結晶が成長できない面をエッチングなどで出してしまう。
Ｃ 横方向成長をさせるときに優先的に成長させる面に以下の2種類がある。
（i）｛1−101｝面などの基板に対して斜めのファセットを使う。
(ii)｛11−20｝面などの基板に対して垂直な方向のファセット、すなわち基板と平行な方向へ成長させる。
しかし、従来の技術では選択・横方向方向させる基本となる結晶の結晶性があまり良くないので一回の選択・横方向成長では十分高い結晶性が得られず、２回繰り返すとか、LD用には使えるレベルにはならずLEDの高輝度化の技術として応用するとかいう範囲にとどまっている。
Ａ どの工程で成長場所の選択をするか。
（イ）サファイア基板自体に場所選択をする。
（ロ）バッファー層に場所選択をする。
（ハ）一度GaNを成長させてからGaN表面に場所選択をする。
Ｂ 場所選択する方法は以下の３種類がある。
(a）マスクで覆う。
(b)単結晶が成長できない面をエッチングなどで出してしまう。
Ｃ 横方向成長をさせるときに優先的に成長させる面に以下の2種類がある。
（i）｛1−101｝面などの基板に対して斜めのファセットを使う。
(ii)｛11−20｝面などの基板に対して垂直な方向のファセット、すなわち基板と平行な方向へ成長させる。
しかし、従来の技術では選択・横方向方向させる基本となる結晶の結晶性があまり良くないので一回の選択・横方向成長では十分高い結晶性が得られず、２回繰り返すとか、LD用には使えるレベルにはならずLEDの高輝度化の技術として応用するとかいう範囲にとどまっている。
前記のとおり、サファイア基板上にＧａＮ系半導体をヘテロエピタキシャル成長する方法として、(i)の中間的な物理的・化学的性質を持つ単結晶シード層を挟む方法と (ii)の目的の単結晶と同じ組成の多結晶・非晶質を均一微細に一斉に核発生させ、方位がそろったものだけを合体成長させるバッファー層との2通りの考え方があり、（ii）の方法が普及した。サファイア基板の平坦性を維持して薄膜を成膜する方法としてスパッター法が考えられ広く検討された。しかしながら、多結晶もしくは非晶質のバッファー層として有効であったが、平坦な単結晶シード膜として検討されたことはなかった。それはスパッターが単結晶を作る方法としては適さない方法であると一般には考えられているからである。
以上のように、（ｉ）の考え方に沿った単結晶の薄い層を挿入する方法は従来の方法では三次元成長を防ぐのが難しく、サファイア基板の表面粗さがＲａ＝0.8Å程度であっても、その上に形成された薄膜はRaが１０Å以上になってしまう。低温バッファー層を用いると、成膜後にＧａＮ系半導体成膜用に昇温した時点で部分的に柱状結晶ができるので、表面平坦性がやはりＲａで１０Å以上になってしまう。
これに対して、本発明は現在主流の（ｉｉ）の低温バッファー層とは異なり、現在ほとんど検討されていない（ｉ）の考え方に沿ってＧａＮ系結晶を得ようとするものである。従来（ｉ）の考え方に沿った方法がほとんど失敗してきたのはＡｌＮの薄膜を成膜した時点で表面の平坦度がサファイアウエハーの表面と比べて大きく荒れてしまっていたことによる。
上記のように、サファイア結晶の上に直接GaNは成長しないのでAlNかＧａＮのバッファー層を入れることにより結晶の不整合を緩和し, 当時としては飛躍的に優れたGaN結晶の成長に成功し、LEDの発光強度を実用に耐えるレベルに向上させ得た。その結果、GaN系結晶を使ったLEDは携帯電話の液晶デスプレーのバックライトに採用されたのをきっかけとして需要が毎年５０％を超える速度で拡大してきた。そして、近年同じ液晶ディスプレーであってもパソコンのモニター用やTV用のバックライトに対してもLEDバックライトを使う方向で検討が進んでいる。そうすると、従来の結晶性では十分な発光効率と信頼性が得られないことがわかってきており、さらなる高結晶性の要求が強くなってきている。ヘテロエピタキシャル成長をする場合、以下の2つの方法がある。すなわち、第一の方法は中間的な物理的・化学的特性を持つ単結晶シード層を挿入する方法であり、第二の方法は単結晶と同じ組成の物質を多結晶か非晶質で均一微細に一斉に核発生させて、方位が合っている結晶を横方向で合体させるバッファー層を用いる方法である。そのうち低温バッファーを用いる方法がGaN系半導体では現在は主流である。ところが、バッファー層を入れる限り、一度基板の単結晶がもつ規則正しい原子の配置を崩してしまうことになり、また低温バッファー層を成長温度まで昇温させる過程で部分的に結晶化が進むので結晶化のレベルの違う場所が発生し、表面の平坦性が損なわれる。したがって、現在要求されている高度の結晶性を達成することは非常に難しいと考えられる。
本発明者は、先に高度の結晶性を有し、平坦なAｌN結晶膜シード層を得ることにより、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得ることを目的とする発明を完成させた。本発明は、この発明の一環としてAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせると結晶性はさらに向上し、LEDに使えばさらなる輝度向上、LDにも適用可能なレベルまで上げることができること見出し、本発明に到達したものである。
上記の課題を解決するために、本発明は以下の発明を提供する。
（１）C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２）C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を製造するに際し、(Ａ) 該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域を形成する、および／または(Ｂ) 該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域を形成する、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
（３）C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、周期性があるストライプ状または島もしくは海状である上記（２）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（４）C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、C面サファイア基板表面にシード層としてAlN結晶膜を成長させ、ついでAlN結晶膜の一部をエッチングにより除去することにより得られる上記（２）または（３）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（５）C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、サファイア基板表面にC面のシード層が成長する領域と成長できない領域を形成し、ついでシード層が成長する領域にのみシード層であるAlN結晶膜を成長させることにより得られる上記（２）または（３）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（６）シード層が成長できない領域が、下記の（イ）または（ロ）のいずれか一種の方法を用いて形成される上記（５）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（イ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ロ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
（７）下地層のエピ成長できない領域が、下記の（ハ）または（ニ）のいずれか一種の方法を用いて形成される上記（２）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（ハ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ニ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
（８）ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない上記（１）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（９）ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である上記（１）または（８）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１０）ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下である上記（１）、（８）または（９）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１１）サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する上記（１）および（８）〜（１０）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１２）ＡｌＮ結晶膜がスパッター法で堆積された上記（１）および（８）〜（１１）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１３）スパッター法がＲＦスパッター法である上記（１２）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１４）ＡｌＮ結晶膜が、サファイア基板をプラズマ中に置いてスパッター法により堆積される上記（１）および（８）〜（１３）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１５）サファイア基板表面をＮ2プラズマまたはＯ2プラズマ処理した後に、ＡｌＮ結晶膜が該サファイア基板表面に堆積される上記（１）および（８）〜（１４）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１６）ＡｌＮ結晶膜がサファイア基板表面に堆積される際の基板温度が３００〜８００℃である上記（１）および（８）〜（１５）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１７）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が１０〜５０ｎｍである上記（１）および（８）〜（１６）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１８）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が２５〜３５ｎｍである上記（１７）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１９）サファイア基板の直径が１００ｍｍ以上である上記（１）および（８）〜（１８）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２０）最終ｐ型半導体層であるｐ−コンタクト層のロッキングカーブ半値幅が（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ６０arcsec以下および２５０arcsec以下である上記（１）および（８）〜（１９）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２１）下地層がＧａＮまたはＡｌＧａＮ結晶である上記（１）および（８）〜（２０）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２２）上記（１）および（８）〜（２１）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を含む発光素子；
（２３）ｎ型半導体層上に負極を、ｐ型半導体層上に正極をそれぞれ設けた上記（２２）に記載の発光素子；
（２４）ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない上記（２）〜（７）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２５）ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である上記（２）〜（７）および（２４）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２６）ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御してＡｌＮ結晶膜を形成する上記（２）〜（７）、（２４）および（２５）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２７）サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する上記（２）〜（７）および（２４）〜（２６）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２８）ＡｌＮ結晶膜がスパッター法で堆積された上記（２）〜（７）および（２４）〜（２７）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２９）スパッター法がＲＦスパッター法である上記（２８）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３０）ＡｌＮ結晶膜が、サファイア基板をプラズマ中に置いてスパッター法により堆積される上記（２８）または（２９）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３１）プラズマ放電中のガス分析において酸素起因ピークが認められない条件下でＡｌＮ結晶膜を形成することにより、酸素含有量が５原子％以下であるＡｌＮ結晶膜を得る上記（２８）〜（３０）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３２）サファイア基板表面をＮ2プラズマまたはＯ2プラズマ処理した後に、ＡｌＮ単結晶膜が該サファイア基板表面に堆積される上記（２）〜（７）および（２４）〜（３１）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３３）ＡｌＮ結晶膜がサファイア基板表面に堆積される際の基板温度が３００〜８００℃である上記（２）〜（７）および（２４）〜（３２）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３４）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が１０〜５０ｎｍである上記（２）〜（７）および（２４）〜（３３）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３５）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が２５〜３５ｎｍである上記（２）〜（７）および（２４）〜（３４）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３６）サファイア基板の直径が１００ｍｍ以上である上記（２）〜（７）および（２４）〜（３５）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３７）上記（２２）または（２３）に記載の発光素子からなるランプ；
（３８）上記（３７）に記載のランプが組み込まれてなる電子機器；ならびに
（３９）上記（３８）に記載の電子機器が組み込まれてなる機械装置、
である。
（１）C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２）C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を製造するに際し、(Ａ) 該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域を形成する、および／または(Ｂ) 該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域を形成する、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
（３）C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、周期性があるストライプ状または島もしくは海状である上記（２）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（４）C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、C面サファイア基板表面にシード層としてAlN結晶膜を成長させ、ついでAlN結晶膜の一部をエッチングにより除去することにより得られる上記（２）または（３）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（５）C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、サファイア基板表面にC面のシード層が成長する領域と成長できない領域を形成し、ついでシード層が成長する領域にのみシード層であるAlN結晶膜を成長させることにより得られる上記（２）または（３）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（６）シード層が成長できない領域が、下記の（イ）または（ロ）のいずれか一種の方法を用いて形成される上記（５）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（イ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ロ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
（７）下地層のエピ成長できない領域が、下記の（ハ）または（ニ）のいずれか一種の方法を用いて形成される上記（２）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（ハ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ニ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
（８）ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない上記（１）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（９）ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である上記（１）または（８）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１０）ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下である上記（１）、（８）または（９）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１１）サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する上記（１）および（８）〜（１０）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１２）ＡｌＮ結晶膜がスパッター法で堆積された上記（１）および（８）〜（１１）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１３）スパッター法がＲＦスパッター法である上記（１２）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１４）ＡｌＮ結晶膜が、サファイア基板をプラズマ中に置いてスパッター法により堆積される上記（１）および（８）〜（１３）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１５）サファイア基板表面をＮ2プラズマまたはＯ2プラズマ処理した後に、ＡｌＮ結晶膜が該サファイア基板表面に堆積される上記（１）および（８）〜（１４）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１６）ＡｌＮ結晶膜がサファイア基板表面に堆積される際の基板温度が３００〜８００℃である上記（１）および（８）〜（１５）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１７）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が１０〜５０ｎｍである上記（１）および（８）〜（１６）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１８）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が２５〜３５ｎｍである上記（１７）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（１９）サファイア基板の直径が１００ｍｍ以上である上記（１）および（８）〜（１８）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２０）最終ｐ型半導体層であるｐ−コンタクト層のロッキングカーブ半値幅が（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ６０arcsec以下および２５０arcsec以下である上記（１）および（８）〜（１９）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２１）下地層がＧａＮまたはＡｌＧａＮ結晶である上記（１）および（８）〜（２０）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２２）上記（１）および（８）〜（２１）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を含む発光素子；
（２３）ｎ型半導体層上に負極を、ｐ型半導体層上に正極をそれぞれ設けた上記（２２）に記載の発光素子；
（２４）ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない上記（２）〜（７）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２５）ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である上記（２）〜（７）および（２４）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２６）ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御してＡｌＮ結晶膜を形成する上記（２）〜（７）、（２４）および（２５）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２７）サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する上記（２）〜（７）および（２４）〜（２６）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２８）ＡｌＮ結晶膜がスパッター法で堆積された上記（２）〜（７）および（２４）〜（２７）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（２９）スパッター法がＲＦスパッター法である上記（２８）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３０）ＡｌＮ結晶膜が、サファイア基板をプラズマ中に置いてスパッター法により堆積される上記（２８）または（２９）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３１）プラズマ放電中のガス分析において酸素起因ピークが認められない条件下でＡｌＮ結晶膜を形成することにより、酸素含有量が５原子％以下であるＡｌＮ結晶膜を得る上記（２８）〜（３０）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３２）サファイア基板表面をＮ2プラズマまたはＯ2プラズマ処理した後に、ＡｌＮ単結晶膜が該サファイア基板表面に堆積される上記（２）〜（７）および（２４）〜（３１）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３３）ＡｌＮ結晶膜がサファイア基板表面に堆積される際の基板温度が３００〜８００℃である上記（２）〜（７）および（２４）〜（３２）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３４）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が１０〜５０ｎｍである上記（２）〜（７）および（２４）〜（３３）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３５）ＡｌＮ結晶膜の膜厚が２５〜３５ｎｍである上記（２）〜（７）および（２４）〜（３４）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３６）サファイア基板の直径が１００ｍｍ以上である上記（２）〜（７）および（２４）〜（３５）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法；
（３７）上記（２２）または（２３）に記載の発光素子からなるランプ；
（３８）上記（３７）に記載のランプが組み込まれてなる電子機器；ならびに
（３９）上記（３８）に記載の電子機器が組み込まれてなる機械装置、
である。
本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることにより、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。
以下に、本発明の好適な実施態様例について、図１〜４を適宜用いて説明する。本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体（１０）は、サファイア基板（１１）上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層（１４）、発光層（１５）およびｐ型半導体層（１６）を積層してなり、そのサファイア基板（11）表面（１１ａ）にシード層（１２）としてＡｌＮ結晶膜を有し、ＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の、基板に平行な方向の少なくとも２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないことを特徴とする。ここで、縦断面TEMとは基板表面に対して垂直な面を観察したTEM像であり、平面TEMとは基板表面と平行な面を観察したTEM像である。
ＩＩＩ族窒化物半導体としては、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ等のＧａＮ系半導体（以下、単に「GaN」または「GaN系半導体」ということがある。）が好適である。
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、さらにＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の少なくとも２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されないのが好適であり、少なくとも５００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されないのがさらに好適である。
縦断面ＴＥＭ写真または平面ＴＥＭ写真は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で試料を作成し、イオンシニング加工後、高分解能透過電子顕微鏡ＵＨＲ−ＴＥＭ（Ｈ−９０００ＵＨＲ）（日立製作所製）にて加速電圧２００ｋＶで観察して得られる。
X線解析は薄膜全体の広い範囲にわたって平均的な欠陥密度を定量化している。それに対し直接的に結晶欠陥を観察する方法が透過電子顕微鏡（Transparent Electron Microscopy）である。Ｃ面に垂直な方向から観察する方法（平面ＴＥＭ）と平行な方向を観察する方法（（縦）断面ＴＥＭ）がある。断面ＴＥＭでは高分解能仕様で電子線入射方向を＜１１−２０＞方向にすると（０００１）面の格子像を見ることができる。格子像の一つの点は原子列に対応しており、原子が一つだけ抜けている点欠陥をＴＥＭで見ることはできない。格子像にずれがあるところは面が1枚抜けており、それは転位に相当する。もし明確な粒界が存在し、面方位がそこで完全に違う方向に向いていると、格子像はそこで切れるはずである。Hiramatsuらが1991年にAlN低温バッファーで成膜したsapphire/AlN/GaNの断面TEMを詳細に検討した結果、AlN層は柱状結晶の集合体と報告している（J.Crystal Growth 115(1991)628-633）。柱状結晶と柱状結晶の界面は明確な粒界ではなく、格子像が両方とも見えているが、詳細に見るとずれているところがあり、そのずれがC軸方向に並んでいる場所があり、その両側で明視野での像に濃淡がある。本発明において粒界が観察できないというのはHiramatsuらが定義する柱状結晶が観察されないということである。柱状結晶か否かを明確に同定するためには２百万倍程度の倍率が必要であり、一回の視野は50nm程度の範囲が限界である。したがって、200nmの視野を見るためには4回程度場所をずらして観察する必要がある。本発明はヘテロエピタキシャル成長させる場合に基板と成長させたい結晶との中間的な物理特性を持つ結晶を間に挟む方法であり、その層に粒界があるとそこから欠陥が引き継がれてしまうので、粒界を極力なくす必要がある。従来技術のバッファー層の考え方では柱状結晶をできるだけ多く存在させ基板と成長させたい結晶とのミスマッチを吸収させて多数ある結晶の中から面方位が合っている結晶のみを横成長させて目的の結晶を成長させるという方法であるので、AlN層に要求される特性が本発明のAlNシード層と全く異なる。柱状結晶が全く存在しないことが理想であるが、少なくとも200nmの視野のなかで柱状結晶が観察できなければLEDの発光特性は飛躍的な改善が見込まれる。
また、平面TEMの場合は柱状結晶を同定することが比較的容易である。柱状結晶の（０００１）面に垂直に電子線を入射すると面方位がぴったり合っている場所と合っていない場所とで明視野像の濃淡が生じる。柱状結晶の一つに正確に合わせると粒内が濃くなり、境界は微妙に方位がずれているので薄くなる。少なくとも200nm四方の視野で柱状結晶が観察されないこと、好ましくは500nm四方の視野で柱状結晶が観察されないこと、を本発明では粒界が観察できないと表現する。
本発明のＡｌＮ結晶膜は、上記のように高結晶性を有するとともに、高度の平坦度を有し、好適にはＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）（ＪＩＳ Ｂ０６０１）が２Å以下、さらに好適には１．５Å以下である。表面粗さの測定には原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による方法と光学式表面検査解析装置（ＯＳＡ）などの光学的な測定法がある。ＡＦＭによる測定では測定視野によっても値は異なる。ここではＡＦＭで５μｍ2視野の測定値を基準にする。なお、後述するように、本発明において、周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するようにC面サファイア基板表面を加工するシード層が成長できない領域を形成する場合には、シード層が成長する領域に形成されるＡｌＮ結晶膜のＲａは２Åを超えてもよい。
有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によれば、横方向成長を有効に使うことでＣ軸方向の貫通転位などの欠陥を減らすことができるが、スパッターで薄膜を形成した場合は基本的に成長方向に積み上げられる。したがって、基板の表面性が低温バッファー層の場合に比べてきわめて敏感に膜特性に影響してくる。サファイア基板に存在した欠陥や汚れに起因して成長に不均一が生じると粒界を発生してしまうので、粒界のない薄膜を形成するためには基板表面の清浄度を高精度に管理するのが好適である。
そのためにプラズマ処理で表面にある汚れを叩き出す処理を行うことが挙げられるが、この処理が強すぎると却って表面を荒らしてしまうことになる。一方、表面に比較的多く汚れが付いているときに処理が弱すぎると十分きれいな表面を得ることができない。このバランスを常に成立させることが粒界のないＡｌＮ薄膜を生成するために好適である。汚れのレベルに応じてプラズマ処理の条件を変えられればよいが、汚染のレベルを定量的に評価することはきわめて困難であるので、実際には実行不可能である。そこで具体的にはスパッター機に投入する前の状態を十分管理する必要がある。研磨仕上がりの湿式洗浄、乾燥からスパッター投入まで一定の在庫期間があるのは避けられない。この間に表面はいくらか汚染されるので、スパッター投入前に必要に応じて、その汚染を落としておくことが好適である。在庫期間が長い場合には、得られるＡｌＮ結晶膜の酸素濃度が部分的に高くなるおそれがあり、結晶性も部分的に悪くなるおそれがある。在庫期間が短い場合には、上記のプラズマ処理は必ずしも必要ではない。
上記のように従来技術ではサファイア基板上にＧａＮ系結晶を成長させるために低温バッファー法が用いられる。その場合、低温バッファー層へのＧａＮ系半導体の成長では表面が一度凸凹になり、それから横方向成長でそれを埋めていくという特徴的な挙動をする。Ｉｎ Ｓｉｔｕで表面の反射率を測定すると凸凹になったところで大きく低下する。凸凹を埋め終わると再び平坦な面が得られ、反射率は元に戻る（Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30,No.8,August,1991,pp.1620-1627）。
これに対し、本発明の方法では粒界がないＡｌＮ膜の上にＧａＮ結晶がエピタキシャル成長するので表面はサファイア基板の平坦性を維持したまま成長し得る。したがって、表面の反射率をＩｎ Ｓｉｔｕ測定すると反射率の変化はない。本発明のＡｌＮ結晶膜シード層（「シード層」または「ＡｌＮシード層」ということがある。）が低温バッファー層とは成長機構が全く異なることをここでも確認できる。
本発明のＡｌＮ結晶膜は、その酸素含有量が５原子％以下であるのが好適であり、さらに好適には３原子％以下であり、一方、シード層としての効果とコストを考慮して0.1原子％以上が好ましい。
本発明者の知見によれば、ＡｌＮの薄膜に酸素が混入するとそこを基点として粒界が生成しやすい。したがって、粒界の生成を抑えるためには薄膜中に入る酸素混入量を極力下げる必要がある。また、粒界が生じると粒界とそうでない箇所とで成長速度が異なるので次第に表面が荒れてくる。よって、サファイア表面の平坦性を維持して膜が成長することができずに、次第に悪くなることが判明した。
酸素が混入する経路としては次の2点が考えられる。
（１）ベース圧力の真空度が低い。ベース圧力が１０-4Ｐａよりも真空度が高い場合は残っているガスはほとんどがＨ2ＯとＨ2である。Ｈ2Ｏはプラズマ中で分解してＯを供給する。
（２）ベース圧力が十分低下しているときでもシールド表面にＨ2Ｏが付着しており、プラズマを発生させてシールドがプラズマに晒されたとき表面からＨ2Ｏがプラズマ中に放出される。プラズマに曝されるシールド類の脱ガス処理が不十分な場合に起こる。
（１）ベース圧力の真空度が低い。ベース圧力が１０-4Ｐａよりも真空度が高い場合は残っているガスはほとんどがＨ2ＯとＨ2である。Ｈ2Ｏはプラズマ中で分解してＯを供給する。
（２）ベース圧力が十分低下しているときでもシールド表面にＨ2Ｏが付着しており、プラズマを発生させてシールドがプラズマに晒されたとき表面からＨ2Ｏがプラズマ中に放出される。プラズマに曝されるシールド類の脱ガス処理が不十分な場合に起こる。
酸素の混入を防ぐためにはまずベース圧力を極力低下させるのが好適である。しかし、構造上Ｏ−リングを使わないと非常に高価な装置になってしまう。Ｏ−リングを使うと、その耐熱性からチャンバーの壁面は１００℃までしか加熱できない。壁面を２００℃以上にしないとチャンバー内壁からの脱ガスを完全には抑えることができず、５×１０-6Ｐａ程度が限界である。しかしスパッターの場合には（２）の原因による脱ガスがあるのでこれよりもベース圧力を低下させても効果が現われない。（２）の原因による脱ガスは4重極質量分析計によって確認できる（たとえばＩｎｆｉｃｏｎ社製 Transpector XPR3）。検出感度は10ｐｐｍである。本発明において、放電を起こしたときに酸素が検出されるときは成膜したＡｌＮシード層の酸素含有量が５原子%を上回っていることが判明した。
ＡｌＮ薄膜中の酸素はＸ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy：XPSまたはElectron Spectroscopy for Chemical Analysis：ESCA、例えばKRATOS製「AXIS-NOVA」）によって測定することができる。
深さ方向の分解能は光電子が飛び出し得る深さで決まるので１００Å程度である。深さ方向の組成分析をする方法としてはオージェ電子分光分析（Auger Electron Spectroscopy AES）、2次電子放電質量分析（Secondary Ionaization Mass Specroscopy SIMS）がある。オージェ電子分光分析では電子線を照射するのでサファイアの上のAlNのように絶縁体の場合にはチャージアップしてしまうことになり使用できない。SIMSはごく微量の不純物を定量化できる感度がある代わりに、1%近く入っている場合にはチャンバー内を汚染してしまう可能性があるので使用できない。XPSで検出下限（約0.5原子％）以下になっているものについてSIMSで分析して混入量を定量化することができる。
成膜に際しては、チャンバー壁面に成膜しないようにシールドを配置するのが一般的である。またシールドは堆積した膜がすぐ剥がれ落ちないようにブラストして表面を荒らすのが一般的である。シールドはブラストにより表面積が大きくなっているので吸着ガスの量も多い。酸素の混入を極力少なくするためにはシールドに対して以下のような配慮が必要である。このシールドの配置によって放電中の酸素発生量が異なることになる。チャンバー壁面に近すぎると温度が上がらず脱ガスが十分できないのでいつまでもガス放出が続く。また、カソードにあまり近いとプラズマで非常に強く叩かれるのでブラスト時に付いた汚れが叩き出されてしまう。基板加熱用のヒーターがシールドも加熱することになるが、その温度があまり上昇するとシールドがゆがんでしまったり、材質によっては溶けてしまうおそれがある。シールドからの不純物を考慮するとシールドの材質は純Ａｌが最適である。シールドが200℃以上に均一に加熱されるようにシールドを円筒形に配置するのが好ましい。また、ブラストの代わりにAlを溶射することで凹凸を形成して剥離防止をすることもできる。以上のように、シールドの材質、形状、配置を検討することにより放電中に発生する酸素を減らすことができ、その結果としてＡｌＮシード層に含まれる酸素量を５原子％以下に減らすことができる。放電中のガス分析を行い酸素起因のピークが出ないことを確認して成膜することにより、ＡｌＮシード層中に含まれる酸素量を５原子％以下に制御し得る。
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体は、高度の結晶性を有し、好適にはＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）面のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である。
AlNシード層をX線回折で評価する場合に選択・横方向成長を組み合わせた場合は事情が少し異なるので、ここで説明する。結晶性を評価するときには入射するX線の波長が極力揃っている必要がある。しかし揃えると強度は落ちてしまう。基板に加工を加えてシード層が成長する場所としない場所を作成した場合、まずシード層が30nmと非常に薄く、しかも面積が半分になってしまう。そのためにX線の回折強度が弱くなり、精度が低下する。特に（10-10）面のロッキングカーブを得るためにC面と平行に入射する場合には、シード層が成長できないようにC面以外の面を出す加工をしたり、SiO2でサファイア基板の表面を部分的に隠すと、表面に凹凸があるので、そこで入射X線が散乱され、AlNシード層から回折する量が非常に小さくなり、ロッキングカーブの半値幅の精度が悪くなるとともに、C面以外の面からの散乱により半値幅が広くなってしまうことがある。したがって、C面に成長したAlNシード層は全面C面の基板に成長した場合と同様の粒界のない構造をとっているが、X線回折のロッキングカーブの半値幅はノイズのために多少悪い値になることがある。
AlNシード層をX線回折で評価する場合に選択・横方向成長を組み合わせた場合は事情が少し異なるので、ここで説明する。結晶性を評価するときには入射するX線の波長が極力揃っている必要がある。しかし揃えると強度は落ちてしまう。基板に加工を加えてシード層が成長する場所としない場所を作成した場合、まずシード層が30nmと非常に薄く、しかも面積が半分になってしまう。そのためにX線の回折強度が弱くなり、精度が低下する。特に（10-10）面のロッキングカーブを得るためにC面と平行に入射する場合には、シード層が成長できないようにC面以外の面を出す加工をしたり、SiO2でサファイア基板の表面を部分的に隠すと、表面に凹凸があるので、そこで入射X線が散乱され、AlNシード層から回折する量が非常に小さくなり、ロッキングカーブの半値幅の精度が悪くなるとともに、C面以外の面からの散乱により半値幅が広くなってしまうことがある。したがって、C面に成長したAlNシード層は全面C面の基板に成長した場合と同様の粒界のない構造をとっているが、X線回折のロッキングカーブの半値幅はノイズのために多少悪い値になることがある。
ここで、結晶性について説明する。欠陥を大まかに一次元、二次元および三次元のものに分類すると、一次元欠陥の代表例が空孔であり、２次元欠陥の代表例が転位であり、三次元欠陥の代表例が粒界である。エネルギーギャップを発光に有効に使用するためには、まず単結晶になっていなければならない。単結晶には粒界がないが、それをどのように確認するかは結晶性により異なる。まず、Ｘ線回折（ＸＲＤ）で２θ解析を行ったとき、回折ピークが一つの面からだけ生じるか、あるいは電子線回折で反射や透過でスポットが一種類の回折パターンになることが確認されると、明確な粒界はないことになる。つぎに、回折ピークが一種類の面から出ていたとしても、その幅が広い場合には、種々の欠陥が含まれていて面間隔が一定でないことになる。したがって、回折ピークの鋭さが次に問題になる。この幅が入射Ｘ線の幅と同程度になると回折ピークの幅で結晶性の良し悪しを比較できなくなる。そうなると、欠陥密度と連動する物理量を測定して結晶性を評価するようになる。ＧａＮの単結晶の場合には、ドープなしのときの電子密度がＧａＮのＮの格子欠陥密度と対応しているとして測定された。しかし、この値が１０+16/cm2以下になると指標にならなくなった。そこで、Ｃｌ2ガスでドライエッチングにより欠陥を拡大して光学顕微鏡でみる方法がある（Appl.Phys. Lett.Vol.72(1998)211）。さらに、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてカソードルミネセンス（ＣＬ）により欠陥箇所を直接観察できるようになり、ＣＬによる欠陥密度の測定が一般的になった（Jpn.J.Appl.Phys. Vol.37(1998)L398）。さらに容易に欠陥密度を測定する方法として、ＸＲＤのロッキングカーブの半値幅をみることで欠陥密度を予測できることが提案された（J.Appl.Phys.Vol.63(1988)1486）。この方法は、簡便であり、非破壊で全数測定可能であるので、結晶性を定量化する方法として最適である。よって、本発明においては、結晶性を定量化して表示する方法として、この方法を用いることとする。ＬＥＤ構造の最終の層であるｐ−ＧａＮ層をＸ線回折で解析し、ｐ−ＧａＮ結晶の（０００２）面と（１０−１０）面のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）を用いる。
従来のＡｌＮまたはＧａＮのバッファー層を用いた場合には、バッファー層自体の結晶性は（0002）面のＦＷＨＭが数千〜数万arcsecのオーダーで、（１０−１０）は測定不能である。その後、その上への積層とともに結晶性が向上しても、ｐ−ＧａＮ層は（0002）面で100arcsec, (10-10)面で300arcsecにするのが限界とされてきた。（１０−１０）面で３００arcsecの結晶性は、ＣＬ法で測定した転位密度１×１０9/ｃｍ3に相当する。
本発明において、ロッキングカーブの半値幅の測定は、Ｘ線源としてＣｕＫα線を用い、発散角が０．０１度の入射光を使い、スペクトリス社製「PANalytical X ‘pert ProMRD」装置を用いて測定する。
また、（０００２）面のロッキングカーブ測定は、（０００２）面に相当するピークを見つけた後、２θとωを最適化し、その後、ピーク強度が最大になる方向でロッキングカーブ測定を行う。このようにロッキングカーブ測定を行うことにより、基板の装置への取り付け方や基板に対する配向方向が被測定試料によって違うことによる誤差を補正するので、被測定試料間のロッキングカーブの半値幅の比較が可能となる。
（１０−１０）面のロッキングカーブ測定は、Ｘ線が全反射する条件で面内を透過するＸ線を用いて行うことができる。具体的には、水平に置いた被測定試料に対して垂直方向に発散するＸ線源を水平方向から入射すると一部が全反射するので、そのＸ線を利用する。また、検出器を（１０−１０）面相当の２θ位置に固定してφスキャンを行った。そして、六回対称のピークが測定され、最大強度を示すピーク位置に光学系を固定した後、２θおよびωを最適化して、ロッキングカーブ測定を行う。
全反射する条件でＸ線を入射させるのが困難な場合には、（１０−１２）回折結果から（１０−１０）回折データを推定して求めてもよい。
一般的に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体の場合、（０００２）面のＸＲＣスペクトル半値幅は結晶のティルト（成長した結晶面方位の成長方向に対する僅かな傾き）の指標となり、（１０−１０）面のＸＲＣスペクトル半値幅はツイスト（成長面内における結晶方向の僅かな傾き）の指標となる（Jpn.J.Appl.Phys. Vol.38(1999)L611）。
（サファイア基板）
本発明においては、まずサファイア基板（11）表面（１１ａ）を十分きれいに洗浄するのが好適である。洗浄に際しては、研磨剤の残りやサファイアの切りかすを代表例とするパーティクル；取扱時に付く表面傷、潜傷とよばれる非常になだらかな凹凸や微妙な組成変化；空気中に浮遊する有機物が表面についていく有機物の薄膜；ならびに工程で治具が接触することによって発生するパーティクルと環境に存在するゴミ、をできるだけ除去するのが好ましい。
（サファイア基板）
本発明においては、まずサファイア基板（11）表面（１１ａ）を十分きれいに洗浄するのが好適である。洗浄に際しては、研磨剤の残りやサファイアの切りかすを代表例とするパーティクル；取扱時に付く表面傷、潜傷とよばれる非常になだらかな凹凸や微妙な組成変化；空気中に浮遊する有機物が表面についていく有機物の薄膜；ならびに工程で治具が接触することによって発生するパーティクルと環境に存在するゴミ、をできるだけ除去するのが好ましい。
さらに基板表面の平坦度については以下の条件を満足させるのが好適である。なお単結晶の方位としてはＣ面（0001）が用いられる。
ア Ｒａが３Å以下、好ましくは２Å以下、さらに好ましくは１Å以下であること。
イ 適切なオフ角、好ましくは０．１〜０．７度、さらに好ましくは０．３〜０．６度を有すること。
ウ 各面のステップが原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等で観察できるレベルで明瞭についていること。その面密度は高ければ高いほどよい。
エ オフ角をつけることで生成したステップ以外の突起は極力ない方がよい。
なおサファイア単結晶の結晶性については当然欠陥が少なければ少ないほど望ましいが、ヘテロエピタキシャル成長をさせる基板であるので上記の表面性を確保することが重要であり、基板の結晶性の微妙な差はエピタキシャル成長後のＧａＮ系半導体の特性に大きくは効いてこない。よってサファイア単結晶の成長方法はコストが最優先で決められるべき課題である。
本発明はサファイア基板の直径が１００ｍｍ以上である場合に特に効果を発揮する。
サファイア基板を真空中でプラズマを発生させる成膜装置に配置してＡｌＮ結晶シード層を形成する。サファイア基板表面を上記のように十分洗浄してあっても一般に基板を洗浄、乾燥し終わってから成膜装置に投入するまでに一定の時間がかかってしまう。クリーンルーム内で真空パックして、クリーンルーム内で取り出したとしても一般に表面は状況によってかなり広い範囲で変化してしまう。そこで真空装置に入れて成膜する直前にプラズマを用いてサファイア表面を整えるのが好適である。
表面プラズマ処理の条件については電圧の印加方法、ガスの種類、ガス圧、印加パワー、温度が重要なパラメーターとなる。
（電圧の印加方法）
チャンバー内にプラズマを起こす方法は大きく分けると印加する電圧がＤＣかＲＦか、チャンバーをアースした場合電圧を印加する対象が、ターゲットか基板かで4種類に分類される。サファイア基板が絶縁性であること、ならびにターゲットの原子が飛び出すと基板表面についてしまう可能性があるので目的から外れてしまうこと、の２つの理由からサファイア基板の表面を成膜の直前に整える目的のためにはＲＦ電圧を基板側に印加するのが望ましい。
（ガスの種類）
プラズマを発生させるガスの種類は特に制限されない。ただし、目的は表面の有機物を飛ばすことが主であり、サファイア基板表面の原子が叩き出されてしまうと表面のステップは乱れてしまうと考えられるので、反応性の高いガスの使用を避けるのが望ましい。また、不活性ガスであっても重い原子はやはり破壊力が勝ってしまうので望ましくない。Ｈｅ，Ｈ2が考えられるがプラズマ放電が安定しにくいという問題があり、安定するまでＡｒを混ぜるとＡｒの破壊力が問題になる。したがって、Ｏ2かＮ2が望ましい。しかし、Ｏ2はガスが微量でもチャンバー内に残ると次のＡｌＮのスパッターのときに結晶成長を阻害するおそれもあるので、Ｎ2プラズマを使った処理が最も望ましい。もちろんプラズマを安定に保つ目的でＡｒ等の希ガスを混合してもよい。
（印加パワー・ガス圧）
投入パワーは極力低い方がよく、プラズマが安定に保てる最低レベルでよい。本発明に用いるチャンバー・カソードのサイズでは投入パワーは10〜100Ｗ程度が最も適切な範囲である。ガス圧については高いと粒子は互いにぶつかり合って運動エネルギーを失なっていく。よって、ガス圧が低いと運動エネルギーの大きい粒子が基板表面を叩くことになるのでプラズマを安定に保てる範囲で高圧の方がよい。ただし、無理にガス圧を上げるとプラズマを安定に保つために大きいパワーが必要になる。パワーが100Wよりも高くなると表面を整える以上に欠陥を導入してしまうおそれがある。したがって、0.8〜1.5Paが最も適切な範囲である。
（温度）
サファイア基板の表面を整えるという目的のためには温度はあまり重要なパラメーターではない。室温から1000℃までのどの温度でも目的を達することができるが、好ましくは３００〜９５０℃である。ただし、成膜の直前という観点からすると次の成膜と同じ温度が望ましい。800℃を超えるとダメージが大きくなりすぎる可能性もある。また、表面プラズマ処理を別のチャンバーで行うことも可能であり、スループットを上げられる、温度を別に設定できる、という利点を有するが、表面プラズマ処理から次の成膜までの時間を要し表面の汚染が起こる可能性があるという不利がある。
（電圧の印加方法）
チャンバー内にプラズマを起こす方法は大きく分けると印加する電圧がＤＣかＲＦか、チャンバーをアースした場合電圧を印加する対象が、ターゲットか基板かで4種類に分類される。サファイア基板が絶縁性であること、ならびにターゲットの原子が飛び出すと基板表面についてしまう可能性があるので目的から外れてしまうこと、の２つの理由からサファイア基板の表面を成膜の直前に整える目的のためにはＲＦ電圧を基板側に印加するのが望ましい。
（ガスの種類）
プラズマを発生させるガスの種類は特に制限されない。ただし、目的は表面の有機物を飛ばすことが主であり、サファイア基板表面の原子が叩き出されてしまうと表面のステップは乱れてしまうと考えられるので、反応性の高いガスの使用を避けるのが望ましい。また、不活性ガスであっても重い原子はやはり破壊力が勝ってしまうので望ましくない。Ｈｅ，Ｈ2が考えられるがプラズマ放電が安定しにくいという問題があり、安定するまでＡｒを混ぜるとＡｒの破壊力が問題になる。したがって、Ｏ2かＮ2が望ましい。しかし、Ｏ2はガスが微量でもチャンバー内に残ると次のＡｌＮのスパッターのときに結晶成長を阻害するおそれもあるので、Ｎ2プラズマを使った処理が最も望ましい。もちろんプラズマを安定に保つ目的でＡｒ等の希ガスを混合してもよい。
（印加パワー・ガス圧）
投入パワーは極力低い方がよく、プラズマが安定に保てる最低レベルでよい。本発明に用いるチャンバー・カソードのサイズでは投入パワーは10〜100Ｗ程度が最も適切な範囲である。ガス圧については高いと粒子は互いにぶつかり合って運動エネルギーを失なっていく。よって、ガス圧が低いと運動エネルギーの大きい粒子が基板表面を叩くことになるのでプラズマを安定に保てる範囲で高圧の方がよい。ただし、無理にガス圧を上げるとプラズマを安定に保つために大きいパワーが必要になる。パワーが100Wよりも高くなると表面を整える以上に欠陥を導入してしまうおそれがある。したがって、0.8〜1.5Paが最も適切な範囲である。
（温度）
サファイア基板の表面を整えるという目的のためには温度はあまり重要なパラメーターではない。室温から1000℃までのどの温度でも目的を達することができるが、好ましくは３００〜９５０℃である。ただし、成膜の直前という観点からすると次の成膜と同じ温度が望ましい。800℃を超えるとダメージが大きくなりすぎる可能性もある。また、表面プラズマ処理を別のチャンバーで行うことも可能であり、スループットを上げられる、温度を別に設定できる、という利点を有するが、表面プラズマ処理から次の成膜までの時間を要し表面の汚染が起こる可能性があるという不利がある。
続いてＡｌＮシード層（12）を成膜する。単結晶とは結晶粒界がない結晶のことですべての部分で同じ結晶方位を持っている結晶のことである。しかし、完全結晶ではない限り、何らかの欠陥は存在しておりその欠陥の配置によって微妙に結晶方位が結晶の中で変化していく。したがってどの程度欠陥が入ると多結晶でどこからが単結晶かを区切るのは実は難しい。ここではサファイア基板上のAlNシード層でＴＥＭ断面観察で少なくとも２００nm視野で粒界が見えないためには以下の条件を満足する必要がある。
Ｃ面の薄膜を考えた場合、いわゆる結晶性は（0002）面の回折ピークの幅がまず問題である。回折ピークが十分シャープになっているということは抜けのない面が面間隔が一定で並んでいるということである。次にどの場所でも同じ方向を向いているかの尺度がロッキングカーブのシャープさ（ＦＷＭＨ）になる。これが乱れていると勝手な方向に成長してしまう可能性があり、平滑な面を確保できない。したがってシード層としての結晶性では（0002）面と(10-10)面の両方について考慮する必要がある。(0002)面のFWHMは基板表面に対しての角度の分布を示す指標であるので、非常にシャープであることが前提条件となる。次に、（10-１0）面のロッキングカーブの半値幅は基板表面と垂直な方向から見た場合、部分的に回転している場所がどの程度あるかを示す指標になる。これは大きくなるとＣ軸方向に貫通する欠陥ができていくことになるので、リーク電流を極力少なくするためには重要なパラメーターである。しかしシード層としては不連続な境界がなければよいと考えられる。本発明のAlNシード層は（10-10）面のロッキングカーブの半値幅が1．７度以下の試料を平面TEMで200ｎｍ×200ｎｍの観察視野で不連続な粒界がないことを確認し得る。ＡｌＮの（0002）面と（10-10）面のX線回折のロッキングカーブの半値幅(FWHM)が好適にはそれぞれ100arcsecおよび1.7度以下であれば、その上にＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができ、ＬＥＤ構造を成長させた最後の層であるｐ−ＧａＮコンタクト層の結晶性がＸＲＣ ＦＷＨＭが(0002)面、(10-10)面で好適にはそれぞれ60arcsecおよび250arcsecのレベルで得ることができる。
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法においては、上記のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得るために、得られるＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下になるように制御するのが好適である。その制御方法は前記の方法によることができる。
本発明のＡｌＮシード層の製造法におけるその他の重要なパラメーターとしては、ターゲットの種類、電圧・磁場印加方法、ガスの種類、ターゲットと基板の距離、プラズマの形状とプラズマを閉じ込める体積、ガス圧力、印加パワー、成膜温度である。それらについて順次説明する。
（ターゲットの種類・電圧・磁場印加方法）
チャンバー内にプラズマを起こす方法は大きく分けると印加する電圧がＤＣかＲＦか、チャンバーをアースした場合電圧をかける対象がターゲットか基板か、で4種類に分類される。ＡｌＮを成膜するためのターゲットとしては高純度ＡｌＮをターゲットとする場合と高純度ＡｌをターゲットとしてガスにＮ2を入れてプラズマでＮ2を分解してＡｌとＮとを反応させる場合とが考えられる。高純度ＡｌＮ粉末を焼結しようとするとＣｅＯ2などの焼結助剤を入れる必要があり、高純度で緻密なＡｌＮターゲットを得るのが難しいという問題がある。それに対して、高純度Ａｌは６Ｎまで市販されている。本発明の目的のためには少なくとも５Ｎ以上の純度が好適である。ＤＣで放電を起こす場合はターゲットが導電体であることが必須である。したがって、ターゲットに高純度ＡｌＮを選ぶと必然的に電圧の印加はＲＦでなければならない。ターゲットが高純度ＡｌであればＤＣとＲＦの両方の可能性がある。ただし、Ａｌ表面でＡｌＮができて絶縁化されてしまう場合があり、そうなると電荷が溜まって落雷現象が起こり得る。したがって、ＤＣの場合はAlN膜が生成しないようにパルス印加が用いられ得る。ＤＣとＲＦの利点・不利な点は以下の通りである。
ＤＣの利点：電源が安価である。制御が楽である。カソードとアノードが明確であるのでプラズマで叩かれる場所と成膜する場所が決まる。不純物低減の設計がしやすい。
ＤＣの不利な点：放電が安定する範囲が狭い。運動エネルギーの範囲が狭い。
ＲＦの利点：放電が安定する範囲が広い。運動エネルギーの範囲が広い。
ＲＦの不利な点：電源が高価である。マッチングボックスが必要で放電が形成されるまでの時間が遅い。カソードとアノードが明確ではないのでシールドのどこからでもプラズマにより粒子が叩き出される。不純物の低減の設計が困難である。
（ターゲットの種類・電圧・磁場印加方法）
チャンバー内にプラズマを起こす方法は大きく分けると印加する電圧がＤＣかＲＦか、チャンバーをアースした場合電圧をかける対象がターゲットか基板か、で4種類に分類される。ＡｌＮを成膜するためのターゲットとしては高純度ＡｌＮをターゲットとする場合と高純度ＡｌをターゲットとしてガスにＮ2を入れてプラズマでＮ2を分解してＡｌとＮとを反応させる場合とが考えられる。高純度ＡｌＮ粉末を焼結しようとするとＣｅＯ2などの焼結助剤を入れる必要があり、高純度で緻密なＡｌＮターゲットを得るのが難しいという問題がある。それに対して、高純度Ａｌは６Ｎまで市販されている。本発明の目的のためには少なくとも５Ｎ以上の純度が好適である。ＤＣで放電を起こす場合はターゲットが導電体であることが必須である。したがって、ターゲットに高純度ＡｌＮを選ぶと必然的に電圧の印加はＲＦでなければならない。ターゲットが高純度ＡｌであればＤＣとＲＦの両方の可能性がある。ただし、Ａｌ表面でＡｌＮができて絶縁化されてしまう場合があり、そうなると電荷が溜まって落雷現象が起こり得る。したがって、ＤＣの場合はAlN膜が生成しないようにパルス印加が用いられ得る。ＤＣとＲＦの利点・不利な点は以下の通りである。
ＤＣの利点：電源が安価である。制御が楽である。カソードとアノードが明確であるのでプラズマで叩かれる場所と成膜する場所が決まる。不純物低減の設計がしやすい。
ＤＣの不利な点：放電が安定する範囲が狭い。運動エネルギーの範囲が狭い。
ＲＦの利点：放電が安定する範囲が広い。運動エネルギーの範囲が広い。
ＲＦの不利な点：電源が高価である。マッチングボックスが必要で放電が形成されるまでの時間が遅い。カソードとアノードが明確ではないのでシールドのどこからでもプラズマにより粒子が叩き出される。不純物の低減の設計が困難である。
ＤＣ，ＲＦともプラズマを安定にするためには磁場を作る必要がある。磁場のかけ方は永久磁石、電磁石の二種類があり、磁場を均一にするために磁石を動かす場合が多い。ターゲットが円形の場合は永久磁石を回転させるのが一般的であり、ターゲットが四角い場合には永久磁石を往復運動させるのが一般的である。永久磁石を適切に配置できない場合はコイルを外側に置いたＩＣＰ電極と呼ばれる形式がある。プラズマ密度は主に磁場の強さに依存するので膜厚を均一にするためには磁場の強さが均一になっている必要がある。色々な磁場発生法を組み合わせることもよく行われている。
以上を総合してＡｌＮシード層を成膜する場合は高純度Ａｌターゲットを用いたＲＦ放電が最も適している。
（ガスの種類）
プラズマを発生させるガスの種類は、ターゲットがＡｌＮならばＡｒ，Ｘｅ、Ｋｒ等の有効な質量を持つ希ガス（好ましくはＡｒ）のみでも可能である（以下、希ガスとしてＡｒについて説明する）が、ターゲットがＡｌの場合はＡｒとＮ2が必要である。Ｎ2のみであるとＡｌ原子が叩き出される前にＡｌＮとなってしまってほとんど成膜速度が出てこない。Ａｒのみであると金属Ａｌの薄膜が成膜される。Ｎ2の量を増やしていくとＡｌＮが形成されていくが、Ｎ2のガス分圧が低いとＡｌＮのＮ2が不足し膜に色がついてしまう。Ａｌで飛び出した原子を丁度窒素化するためには活性化したＮ2が叩き出されてくるＡｌ原子の数にあっている必要がある。過剰にあるとＡｌＮ結晶膜に欠陥が大量に導入されて着色される。したがって、ArとN2とを適切な比率で混合したガスを用いるのが好適である。適切な比率はガス圧と印加パワーによっても変化する。Ａｌが叩き出される速度は印加パワーには依存するが、ガス圧には依存しない。ところがＮ2の活性化率はガス圧が低い方が高い。したがって、ガス圧が低い場合にはＡｒの比率を下げるのが好適あり、印加パワーが高い場合もＡｒの比率を下げるのが好適である。ここで本発明に用いる窒素原料としては、一般に知られているＮＨ3などの化合物を用いることができる。窒素ガスを窒素原料として用いた場合、装置が簡便で済む代わりに、Ｎ2は非常に安定で活性化しにくいので高い反応速度を得るのが難しい。本発明においてはサファイア基板をプラズマの中に置くことにより、Ｎ2が基板表面近傍で活性化することを利用するので、Ｎ2もアンモニアには劣るが利用可能な程度の成膜速度を得ることができる。
（ターゲットとサファイア基板の距離）
サファイア基板が直径100mmの場合、全面を均一に成膜するためにはターゲットの大
きさは直径200mm程度が必要である。プラズマを安定にするために磁場をかけるのが一般的であるが、磁石を置く場所としてはターゲットの裏側になる。そうするとターゲット表面に磁場が集中するのでプラズマ密度もターゲット表面が高くなる。本発明では高エネルギーを持ったプラズマ粒子同士を基板表面で反応させるのが目的であるので、プラズマ密度ができるだけ高いところに基板を配置するのが好適である。ターゲットと基板の距離を離し過ぎると基板をプラズマ密度の高い所に置くことができなくなるので好ましくない。たとえば、直径200mmのターゲットに対してターゲットとサファイア基板の距離は40〜80ｍｍ程度が好適である。この距離は、本発明においては、サファイア基板をプラズマ中に置くことによりスパッター法によりＡｌＮ結晶膜が堆積されるので好ましい。
（プラズマの形状とプラズマを閉じ込める体積）
プラズマがチャンバーの壁面まで届いてしまうと壁面が汚れて其れを取り除くのは困難であるので、プラズマを閉じ込めるためにシールドを用いるのが一般的である。シールドはチャンバー壁面が汚れるのを防ぐためだけではなく、チャンバーにアースされていれば電極の働きをしており、プラズマの形状を規定する。真空度を上げるためには排気効率を良くする必要があり、そのためにはできるだけ小さいチャンバーの方がよい。しかしプラズマをあまり小さい所に閉じ込めるとシールドがプラズマで叩かれてシールドの成分が成膜される膜まで入ってしまう。特にシールド表面には必ず水分子が付いており、これがプラズマで叩かれて放出されると膜の中までOH,Oが入り込む。したがってターゲットに近接した寸法ではなく、ある程度離してシールドを配置するのが好ましく、少なくとも直径300mm程度以上が好ましい。
（ガス圧力・印加パワー）
ベース圧力が基本的には膜質を決めると考えられる。本発明では１×１０-5Pa以下、好ましくは５×１０-6Pa以下、の高真空が好適である。それより低真空度であると膜中に雰囲気から入る酸素などの不純物が成膜されたＡｌＮ中に入ってしまい、結晶に欠陥が導入されてしまうおそれがある。またベース圧力が十分下がっていてもプラズマを立てた時にシールド表面の水分などの不純物が叩き出されて膜質が低下することがある。
（ガスの種類）
プラズマを発生させるガスの種類は、ターゲットがＡｌＮならばＡｒ，Ｘｅ、Ｋｒ等の有効な質量を持つ希ガス（好ましくはＡｒ）のみでも可能である（以下、希ガスとしてＡｒについて説明する）が、ターゲットがＡｌの場合はＡｒとＮ2が必要である。Ｎ2のみであるとＡｌ原子が叩き出される前にＡｌＮとなってしまってほとんど成膜速度が出てこない。Ａｒのみであると金属Ａｌの薄膜が成膜される。Ｎ2の量を増やしていくとＡｌＮが形成されていくが、Ｎ2のガス分圧が低いとＡｌＮのＮ2が不足し膜に色がついてしまう。Ａｌで飛び出した原子を丁度窒素化するためには活性化したＮ2が叩き出されてくるＡｌ原子の数にあっている必要がある。過剰にあるとＡｌＮ結晶膜に欠陥が大量に導入されて着色される。したがって、ArとN2とを適切な比率で混合したガスを用いるのが好適である。適切な比率はガス圧と印加パワーによっても変化する。Ａｌが叩き出される速度は印加パワーには依存するが、ガス圧には依存しない。ところがＮ2の活性化率はガス圧が低い方が高い。したがって、ガス圧が低い場合にはＡｒの比率を下げるのが好適あり、印加パワーが高い場合もＡｒの比率を下げるのが好適である。ここで本発明に用いる窒素原料としては、一般に知られているＮＨ3などの化合物を用いることができる。窒素ガスを窒素原料として用いた場合、装置が簡便で済む代わりに、Ｎ2は非常に安定で活性化しにくいので高い反応速度を得るのが難しい。本発明においてはサファイア基板をプラズマの中に置くことにより、Ｎ2が基板表面近傍で活性化することを利用するので、Ｎ2もアンモニアには劣るが利用可能な程度の成膜速度を得ることができる。
（ターゲットとサファイア基板の距離）
サファイア基板が直径100mmの場合、全面を均一に成膜するためにはターゲットの大
きさは直径200mm程度が必要である。プラズマを安定にするために磁場をかけるのが一般的であるが、磁石を置く場所としてはターゲットの裏側になる。そうするとターゲット表面に磁場が集中するのでプラズマ密度もターゲット表面が高くなる。本発明では高エネルギーを持ったプラズマ粒子同士を基板表面で反応させるのが目的であるので、プラズマ密度ができるだけ高いところに基板を配置するのが好適である。ターゲットと基板の距離を離し過ぎると基板をプラズマ密度の高い所に置くことができなくなるので好ましくない。たとえば、直径200mmのターゲットに対してターゲットとサファイア基板の距離は40〜80ｍｍ程度が好適である。この距離は、本発明においては、サファイア基板をプラズマ中に置くことによりスパッター法によりＡｌＮ結晶膜が堆積されるので好ましい。
（プラズマの形状とプラズマを閉じ込める体積）
プラズマがチャンバーの壁面まで届いてしまうと壁面が汚れて其れを取り除くのは困難であるので、プラズマを閉じ込めるためにシールドを用いるのが一般的である。シールドはチャンバー壁面が汚れるのを防ぐためだけではなく、チャンバーにアースされていれば電極の働きをしており、プラズマの形状を規定する。真空度を上げるためには排気効率を良くする必要があり、そのためにはできるだけ小さいチャンバーの方がよい。しかしプラズマをあまり小さい所に閉じ込めるとシールドがプラズマで叩かれてシールドの成分が成膜される膜まで入ってしまう。特にシールド表面には必ず水分子が付いており、これがプラズマで叩かれて放出されると膜の中までOH,Oが入り込む。したがってターゲットに近接した寸法ではなく、ある程度離してシールドを配置するのが好ましく、少なくとも直径300mm程度以上が好ましい。
（ガス圧力・印加パワー）
ベース圧力が基本的には膜質を決めると考えられる。本発明では１×１０-5Pa以下、好ましくは５×１０-6Pa以下、の高真空が好適である。それより低真空度であると膜中に雰囲気から入る酸素などの不純物が成膜されたＡｌＮ中に入ってしまい、結晶に欠陥が導入されてしまうおそれがある。またベース圧力が十分下がっていてもプラズマを立てた時にシールド表面の水分などの不純物が叩き出されて膜質が低下することがある。
ガス圧力は高いとプラズマ中で粒子が衝突し合って運動エネルギーを失う。本発明のAlNシード層を成膜するためには、高い運動エネルギーを持ったAlとNとが基板表面で反応することが必要であるからあまり高いガス圧は好ましくない。しかし、あまりガス圧を低くするとN2のプラズマ粒子がAlターゲットに衝突して反応してしまう量も増えてしまうのでやはり好ましくない。したがって、一般的なスパッターガス圧である0.3〜0.8Paが適切である。印加パワーは成膜速度に比例するのであまり小さいと速度が十分得られない。雰囲気にあるO2、H2Oなどの残留ガス成分が不可避的に入り込むが、噛み込む量は時間当たりに一定だと考えられる。したがって、成膜速度が遅いと噛み込む量が相対的に増えるので膜中の純度が落ち好ましくない。できるだけ大きい成膜速度が必要であるので印加パワーは高い方がよい。ただし、あまり大きいパワーを印加するとシールドが直接プラズマで曝されるので、シールドから不純物が発生してしまう。したがって、適切な印加パワーは直径200mm程度のターゲットに対して500〜2500Wである。適切なガス圧が印加パワーによって変化する。印加パワーが大きいと適切な範囲でも比較的高いガス圧の方がよく、印加パワーが低い時は適切な範囲でも相対的に低いガス圧の方がよい。
（成膜温度）
成膜時の基板温度は、３００〜８００℃であることが望ましい。300℃未満の温度では、原子が基板に到達して単結晶を作るために移動する距離が十分ではなくなるので全面を覆うことができず、ピットが生成し始めやすい。基板表面で本発明のシード層を作製するという観点ではＡｌＮが分解し始める温度まで上げた方が有利であり、その温度は1200℃程度であるので、上限はもっと高い温度であるが、基板周りの固定ジグ、シールドも並行して温度が上がるためにそこからの脱ガスが多くなり不純物混入が増えてしまうので、あまり高い温度に設定しても結果は必ずしもよくならない。したがって、実際のプロセスでは800℃よりも上げない方がよい。ただし、より高温にしても高真空度が維持できる構造が達成できればより高い温度で成膜する方が結晶性を上げるのにさらに有利になると考えられる。
（成膜温度）
成膜時の基板温度は、３００〜８００℃であることが望ましい。300℃未満の温度では、原子が基板に到達して単結晶を作るために移動する距離が十分ではなくなるので全面を覆うことができず、ピットが生成し始めやすい。基板表面で本発明のシード層を作製するという観点ではＡｌＮが分解し始める温度まで上げた方が有利であり、その温度は1200℃程度であるので、上限はもっと高い温度であるが、基板周りの固定ジグ、シールドも並行して温度が上がるためにそこからの脱ガスが多くなり不純物混入が増えてしまうので、あまり高い温度に設定しても結果は必ずしもよくならない。したがって、実際のプロセスでは800℃よりも上げない方がよい。ただし、より高温にしても高真空度が維持できる構造が達成できればより高い温度で成膜する方が結晶性を上げるのにさらに有利になると考えられる。
ＡｌＮ結晶膜の膜厚は１０〜５０ｎｍ、好ましくは２５〜３５ｎｍである。１０ｎｍより薄いと上に積むGaN結晶が（0001）面の結晶性を十分上げることが難しい。一方、５０ｎｍより厚いと上に積むGaNは（10-10）面の結晶性が悪化し始める。
本発明においては、ついでＡｌＮ結晶膜のシード層（１２）上に、ｎ型半導体層（１４）、発光層（１５）およびｐ型半導体層（１６）からなるＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）を積層してＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体（１０）を得る。サファイア基板（11）の上にシード層（１２）が形成されるとその上にＧａＮ系単結晶を成長させるのはホモエピタキシャル成長に近いので比較的容易である。広く行われているＭＯＣＶＤ法で欠陥密度の小さいＧａＮ系単結晶構造の成長が実現される。ＭＯＣＶＤ法は一般的な方法でよい。その概略は以下の通りである。
キャリアガスとして水素（Ｈ2）または窒素（Ｎ2）、ＩＩＩ族原料であるＧａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）またはトリエチルインジウム（ＴＥＩ）、Ｖ族原料であるＮ源としてアンモニアが用いられる。
また、ドーパント元素のｎ型不純物には、Ｓｉ原料としてモノシラン（ＳｉＨ4）またはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を利用できる。ドーパント元素のｐ型不純物には、Ｍｇ原料として例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ2Ｍｇ）を用いることができる。
また、その際に流通するキャリアガスは、一般的なものを使用することができ、ＭＯＣＶＤなど気相化学成膜方法で広く用いられる水素や窒素を用いてよい。基板温度は、ＧａＮが分解を始める温度よりも低い必要がある。ＧａＮは950℃を超えると微妙に分解はじめ、1000℃以上では確実に分解する。この分解温度はＧａＮの結晶性にも依存する、欠陥がある場所から分解が始まると考えられるので、欠陥が少ない結晶ほど分解温度が高い。したがって微妙に分解が始まる温度で成長させると、欠陥がある場所は分解し、欠陥がない場所だけが残ることになるので、欠陥を極力少なく成長させるためには温度の設定が極めて重要である。適切な温度で成膜することにより上記の機構により成長に従って欠陥を減らすことができる。
ＡｌＮ結晶膜シード層/ＧａＮ系単結晶界面近傍のＧａＮ系単結晶は相対的に多い欠陥を含んでいる。これを一定の厚さを成長させると徐々に欠陥が抜けて欠陥密度の非常に低い単結晶を得ることができる。欠陥を抜くために必要な厚さは最低でも2μｍは必要であり、十分な結晶性を得るためには４〜8μｍが通常使用する範囲である。これより厚くしても効果が薄くなり、ソリが大きくなる。極端な場合には結晶にクラックが入り始める。ソリがあまり大きいと電極を付ける素子化工程でのフォトリソグラフィが困難になる。
本発明のＡｌＮ結晶膜シード層の上に成長させたＧａＮ系単結晶膜の結晶性は極めてよい。ここで改めて結晶性を定量化するための指標を述べる。GaN結晶の（0002）面と（10-10）面のX線回折におけるロッキングカーブの半値幅FWHM(Full Width at Half-Maximum for(0002) and (10-10) diffraction)を使うことにする。（０００２）面のロッキングカーブ半価幅（ＦＷＨＭ）が１００ａｒｃｓｅｃ以下、好ましくは６０ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下、好ましくは２５０ａｒｃｓｅｃ以下である。(10-10)面のＦＷＨMは貫通転位の量と相関があるとされているので、これは貫通転位の量が極めて少ないことを意味する。発光効率はこの貫通転位の量と相関する。なぜならばｐ-GaN, ｎ-GaＮ間を流れた電流のうちどれだけが光に変換されたかが発光効率であるが、貫通転位を通じて流れてしまう電流があるとその分発光効率は下がることになるからである。
ここでGaN系半導体層の成長に関してはAlNあるいはGaNを使った低温バッファーの上に成長させた場合と基本的には同じである。ただし成長温度は分解を始める近傍の温度を選択するという考え方があるので、上記で説明したように欠陥密度が低いほど高くできる。本発明ではAlN結晶膜シード層から成長するので欠陥密度が比較的低い所から成長させることができるという特徴がある。
ここでもう一度AlN結晶膜シード層の結晶性との関係を述べる。従来のAlN又はGaNのバッファー層を使った場合はバッファー層の結晶性はFWHMで表示すると(0002)面で数千〜数万arcsecのオーダーで、(10-10)面ではFWHMが測定できない。ところがAlN結晶膜シード層の結晶性は（0002）面と（10-10）面のX線回折のロッキングカーブの半値幅(FWHM)がそれぞれ１００arcsecおよび1.７度以下である。（0002）面についてはＧａＮ結晶がその結晶を引き継げばよい。(10-10)面についてはＧａＮを成長させている間に減っていく。MOCVDで成長中に欠陥を減らしていく機構が同一であってもスタート時点で残っている欠陥の密度が全く異なるので、多結晶になったものはどんなに適切な条件で厚く積んでも(10-10)面のＦＷＨMを300arcsec以下にすることは極めて難しい。
本発明においては、ＡｌＮ結晶膜のシード層（１２）上に、ｎ型半導体層（１４）、発光層（１５）およびｐ型半導体層（１６）からなるＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）を積層してＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体（１０）を得る。たとえば、シード層（１２）の上に、ｎ型コンタクト層（１４ｂ）、ｎ型クラッド層（１４ｃ）、障壁層（バリア層）（１５ａ）と井戸層（１５ｂ）とからなる発光層（１５）、ｐ型クラッド層（１６ａ）およびｐ型コンタクト層（１６ｂ）からなるＧａＮ系半導体層（２０）を成膜する。以下に、その好適な実施態様例について説明するが、これらに限定されるものではなく、成膜方法も一般的なＭＯＣＶＤ法でよい。
（ｎ型半導体層）
ｎ型コンタクト層（１４ｂ）およびｎ型クラッド層（１４ｃ）を含むn型半導体層（１４）において、ｎ型コンタクト層（１４ｂ）の下に下地層（１４ａ）を設けることができる。下地層（１４ａ）に用いる材料としては、即ちＧａＮ系化合物半導体が用いられ、特に、ＡｌＧａＮ、又はＧａＮを好適に用いることができる。下地層の膜厚は０．１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上であり、１μｍ以上が最も好ましい。
（ｎ型半導体層）
ｎ型コンタクト層（１４ｂ）およびｎ型クラッド層（１４ｃ）を含むn型半導体層（１４）において、ｎ型コンタクト層（１４ｂ）の下に下地層（１４ａ）を設けることができる。下地層（１４ａ）に用いる材料としては、即ちＧａＮ系化合物半導体が用いられ、特に、ＡｌＧａＮ、又はＧａＮを好適に用いることができる。下地層の膜厚は０．１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上であり、１μｍ以上が最も好ましい。
ｎ型コンタクト層（１４ｂ）は、Ｓｉ、Ｇｅ等のｎ型不純物がドープされていることが好ましく、また下地層及びｎ型コンタクト層を構成するGaN系半導体は同一組成であることが好ましい。これらの合計の膜厚は特に制限されないが、１〜２０μｍとするのが好ましい。
ｎ型コンタクト層（１４ｂ）と発光層（１５）との間には、ｎ型クラッド層（１４ｃ）を設けられる。その膜厚は、特に限定されないが、好ましくは５〜５００ｎｍである。
（ｐ型半導体層）
ｐ型クラッド層（１６ａ）及びｐ型コンタクト層（１６ｂ）はｐ型半導体層（１６）を構成する。ｐ型クラッド層（１６ａ）としては、そのバンドギャップエネルギーが発光層（１５）のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層（１５）へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されない。たとえばＡｌＧａＮが好適に使用される。ｐ型クラッド層（１６ａ）の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１〜４００ｎｍである。
（ｐ型半導体層）
ｐ型クラッド層（１６ａ）及びｐ型コンタクト層（１６ｂ）はｐ型半導体層（１６）を構成する。ｐ型クラッド層（１６ａ）としては、そのバンドギャップエネルギーが発光層（１５）のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層（１５）へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されない。たとえばＡｌＧａＮが好適に使用される。ｐ型クラッド層（１６ａ）の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１〜４００ｎｍである。
ｐ型コンタクト層（１６ｂ）としては、たとえばＧａＮ、ＡｌＧａＮが好適に使用され、その膜厚としては５０〜３００ｎｍが好ましく、さらに好ましくは１ ００〜２００ｎｍである。ｐ型不純物としては、特に限定されないが、好ましくはＭｇが挙げられる。
（発光層）
発光層（１５）も特に制限されないが、障壁層（バリア層）（１５ａ）となるｎ型ＧａＮ層と井戸層（１５ｂ）となるＧａＩｎＮ層を交互に積層させた多重量子井戸構造を有するのが好適である。
（発光層）
発光層（１５）も特に制限されないが、障壁層（バリア層）（１５ａ）となるｎ型ＧａＮ層と井戸層（１５ｂ）となるＧａＩｎＮ層を交互に積層させた多重量子井戸構造を有するのが好適である。
ＧａＩｎＮ層の成長ではＴＭＩを供給するのが好適であり、成長時間を制御しながら、断続的にｌｎを供給する。キャリアガスはN2が好適ある。バリア層（ｎ型ＧａＮ層）と井戸層（ＧａＩｎＮ層）の膜厚は発光出力が最も高くなる条件を選択する。最適膜厚が決定されたうえで、ＩＩＩ族の原料供給量と成長時間を適宜選ぶことができる。成長温度はサセプターの温度で７００℃から１０００℃の間が好ましい。しかし、井戸層の成長においては高い温度ではＩｎが成長膜中に取り込まれにくくなり、所定の波長を発光させるために必要な量のＩnを固溶させることができなくなる。そのため、成長温度はあまり高くならない範囲内で選択される。バリア層の方はできるだけ高い温度の方が結晶性を維持しやすいが、あまり高くすると井戸層のGaInNが分解してしまうからである。発光層（１５）は最後にバリア層（15ａ）を成長させて終了させる（最終バリア層）のが好適である。
ｐ型コンタクト層（１６ｂ）の成長はたとえば次のように行うのが好ましい。ＴＭＧ、ＴＭＡおよびドーパントであるＣｐ2Ｍｇを、キャリアガス（水素または窒素、ないしは両者の混合ガス）およびＮＨ3ガスとともに上記のｐ型クラッド層（１６ａ）上に送りこむ。この時の成長温度はサセプターの温度で９８０〜１ １ ０ ０℃の範囲が望ましい。ウエハーの温度では８３０〜９７０℃である。それより低い温度であると、結晶性の低いエピタキシャル層が形成されてしまい、p-GaNのホール密度が上がらなくなるおそれがある。また高い温度では、下層に位置する発光層のうち、井戸層のＧａＩｎＮが分解してＩｎが析出してしまう可能性がある。
成長圧力については、特に制限はないが、好ましくは５０ｋＰa（５００ｍｂａｒ）以下がよい。ドーパントとして送りこんだＭｇが５０ｋＰa（５００ｍｂａｒ）以下の成長条件であると、ｐ型コンタクト層中の２次元方向（成長基板の面内方向）のＭｇ濃度分布が均一になるからである。
なお、成長速度の決定は、ウエーハー断面のＴＥＭ観察または分光エリプソメトリーによりｐ型コンタクト層の膜厚を計測し、成長時間で割り返して求める。また、ｐ型コンタクト層中のＭｇ濃度は一般的な質量分析装置（ＳＩＭＳ）によって求めることができる。
（透明電極/正極ボンディングパッドおよび負極ボンディングパッドの作成）
このようにして得られた積層半導体層（２０）のｐ型コンタクト層（１６ｂ）の上に、フォトリソグラフィー法を用いて透光性正極（１７）を作製する。後述するように、透光性正極（17）上には正極ボンディングパッド（１８）が形成される。
（透明電極/正極ボンディングパッドおよび負極ボンディングパッドの作成）
このようにして得られた積層半導体層（２０）のｐ型コンタクト層（１６ｂ）の上に、フォトリソグラフィー法を用いて透光性正極（１７）を作製する。後述するように、透光性正極（17）上には正極ボンディングパッド（１８）が形成される。
透明電極を成膜するためのスパッタリングは、従来公知のスパッタリング装置を用いて従来公知の条件を適宜選択して実施することができる。窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した基板をチャンバー内に収容する。チャンバー内は真空度が１０-4〜１０-7Ｐａとなるまで排気する。Arガスをチャンバー内に導入し、０．１〜１０Ｐａにした後に放電を行う。好ましくは０．２〜５Ｐａの範囲に設定する。供給する電力は０．２〜２．０ｋＷの範囲が好ましい。この際、放電時間と供給電力を調節することによって、形成する層の厚さを調節することができる。
次に、フォトリソグラフィとドライエッチングによりｎ型コンタクト層（１４ｂ）上の露出領域（１４ｄ）を露出させる。保護膜を全面に成膜後フォトリソグラフィによりパッド成膜部分を取り除き、真空蒸着により正極ボンディングパッド（１８）および負極ボンディングパッド（１９）を透光性正極（１７）上およびｎ型コンタクト層（１４ｂ）上に同時に形成する。あるいは、上記の保護膜を用いないで、それぞれ正極ボンディングパッド（１８）および負極ボンディングパッド（１９）を作製することもできる。
電極を作製した半導体ウェハーを用いて、常法によりチップに分離して、図２に示す発光素子１が得られる（上記保護膜を用いない場合）。
なお、本発明の発光素子の製造方法は、上述した例に限定されるものではなく、GaN系半導体層の成膜は、スパッタ法、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）等、半導体層を成長させることのできる如何なる方法とを組み合わせて行なってもよい。
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体は、C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている。下地層としてはＧａＮまたはＡｌＧａＮ結晶が挙げられるが、ＧａＮが好適である。
このようなＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体は、C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を製造するに際し、(Ａ) 該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域を形成する、および／または(Ｂ) 該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域を形成することにより得られる。
上記のC面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、周期性があるストライプ状または島もしくは海状であるのが好適である。
このC面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域は、C面サファイア基板表面にシード層としてAlN結晶膜を成長させ、ついでAlN結晶膜の一部を物理的に除去することによって得られる。すなわち、シード層が存在する領域と存在しない領域とを作る方法としては、まずC面サファイア基板表面にAlNシード層であるAlN結晶膜を全面に成膜し、ついでフォトリソグラフィ技術によってレジストでパターンを形成し、エッチングによりAlNシード層を取り除く方法が挙げられる。
図５（ａ）〜（ｄ）は、C面サファイア基板表面にシード層としてAlN結晶膜を成長させた後に、AlN結晶膜シード層の一部を削り取る場合を模式的に示す。図５において、サファイア基板（11）のC面（１１’）表面にAlNシード層(１２)が成膜される（ａ）。有機溶剤に溶解させたレジスト溶液をAlNシード層（１２）に塗布して所定の厚さのレジスト層（21）を形成し、フォトマスクを用いてＵＶ露光処理してAlNシード層上にレジストパターンを焼付ける（ｂ）。次いで現像処理することにより露光部分（21-1）（すなわち非パターン部分）を溶かし出してパターンを形成する。レジスト層で保護されていない部分をエッチング処理した後、不要になったレジスト層をはく離して、AlNシード層（12）の一部が削り取られる（ｃ〜ｄ）。
図５（ａ）〜（ｄ）は、C面サファイア基板表面にシード層としてAlN結晶膜を成長させた後に、AlN結晶膜シード層の一部を削り取る場合を模式的に示す。図５において、サファイア基板（11）のC面（１１’）表面にAlNシード層(１２)が成膜される（ａ）。有機溶剤に溶解させたレジスト溶液をAlNシード層（１２）に塗布して所定の厚さのレジスト層（21）を形成し、フォトマスクを用いてＵＶ露光処理してAlNシード層上にレジストパターンを焼付ける（ｂ）。次いで現像処理することにより露光部分（21-1）（すなわち非パターン部分）を溶かし出してパターンを形成する。レジスト層で保護されていない部分をエッチング処理した後、不要になったレジスト層をはく離して、AlNシード層（12）の一部が削り取られる（ｃ〜ｄ）。
このようなC面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域は、サファイア基板表面にC面のシード層が成長する領域と成長できない領域を形成し、ついでシード層が成長する領域にのみAlN結晶膜を成長させることによっても得られる。シード層が成長できない領域は、下記の（イ）または（ロ）のいずれか一種の方法を用いて形成される。
（イ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ロ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
（イ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ロ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
ストライプの幅、間隔は特に制限されないが、好ましくは幅０．８〜５μｍ、間隔３〜１０μｍ、さらに好ましくは幅２〜４μｍ、間隔５〜８μｍ程度であり、高さもしくは深さは２μｍ程度までから選ばれるのが通常である。一方、島の大きさ、形状、間隔も特に制限されないが、好ましくは直径０．８〜３μｍ、中心間距離２〜６μｍ、さらに好ましくは直径１〜５μｍ、中心間距離２〜６μｍ程度であり、高さもしくは深さは半径程度までから選ばれるのが通常である。形状は円形、多角形が好ましいが、これらに限定されない。
本発明において、AlNは成膜されても、粒界が観察されない結晶膜になっていないとシード層としては働かない。したがって、AlNシード層を成膜する前にサファイア基板に特別な加工を施しておくことによってそのウエハーにAlNを成膜したときにシード層として働く場所と働かない場所とを分けることができる。スパッターで成膜したAlNがシード層として働くためにはサファイア表面がC面でなければならない。そこでサファイア基板表面を加工してC面でない場所を作っておくと、C面でない領域に成膜されたAlN膜はC面結晶で成長することができないのでシード層としては作用しない。C面サファイア基板表面にC面以外の面を出すための加工法は通常のフォトリソグラフィ技術により、周期的なストライプ状または島もしくは海状の領域を選択する。たとえば、Cl2やSiCl4、BCｌ3などの塩素系のガスを用いてドライエッチングする方法と濃リン酸を200℃近くの温度にあげて湿式エッチングする方法が挙げられる。またエッチングで削りだした場所がC面で残った場所が非C面である場合と、削り出した場所が非C面の場合のいずれでもよい。また、単純に段差をつけたような加工をした場合には、非C面はC面に対して３０°以上の角度をなす面であってもよい。フォトリソグラフィ技術により加工する場所としない場所とをレジストで作り出すことができる。通常のレジストの材料としてはノボラック型の樹脂と感光剤の混合物が最も広く使われている。レジストで覆われた場所をエッチング加工から保護するのがレジストの目的であるが、レジスト自身もある程度消耗していく。加工目的の材料に対してレジストが消耗する比率である選択比が十分取れない場合は、加工の途中でレジストが消耗してしまって加工精度が悪くなる。そこで選択比が取れる材料をまず成膜してそれをフォトリソグラフィ技術で領域指定する方法もある。たとえば塩素でAl2O3をエッチングする場合、一般のノボラック型のレジストは塩素に対して選択比が大きくないので、塩素でエッチングされる度合いが小さいSiO2をまず成膜し、SiO2をノボラック型のレジストを使って領域指定し、CF4などのガスでSiO2を加工する。
加工できる場所とできない場所を分けるのがレジストであるが、上記のようにレジストが加工途中で消耗してしまうと、途中まではレジストで守られていたにもかかわらず途中からレジストが無くなって加工される場所に境界領域ができてしまう。精度良く形状を出すことが目的の場合は不適切であるが、本発明のように非C面を出すことが目的であればこの現象を積極的に用いることができる。すなわちストライプ状にレジストを配置した場合、断面形状として理想的には台形になることを想定している。しかし、レジストは角の部分から消耗していくので両端のレジストはなくなってしまい加工範囲が次第に広がる。エッチング終了時にほぼレジストがなくなってしまうように加工条件を調節した場合、レジストで覆われていた領域はいろいろな非C面で覆われた凸形状になっている。この逆に非C面で囲まれた凹部を作るのも可能である。凸部にするか凹部にするかは目的によって異なる。凸部の場合は横方向成長でその領域を埋めていくことで空間ができることはないが、凹部の場合は空間ができる。素子をそのままLEDやLDの発光素子とする場合は空間により光を消耗するので有効ではない。しかし空間を作るとそこで分離しやすくなるのでサファイアを切り離してしまう場合は凹部を作る方が有利である。
図６は、サファイア基板（１１）の一部に凸部を形成することにより非Ｃ面（１１’’）を形成し、次いでＡｌＮ膜をサファイア基板（１１）上に成膜する場合に、Ｃ面（１１’）にはＡｌＮシード層（12）が形成されるが、非Ｃ面（１１’’）には非シード層である多結晶ＡｌＮ膜（２２）が形成されることを模式的に示す。
図７は、サファイア基板（１１）の一部にＳｉＯ２層（２３）を形成し、、次いでＡｌＮ膜をサファイア基板（１１）上に成膜する場合に、Ｃ面（１１’）にはＡｌＮシード層（12）が形成されるが、ＳｉＯ２層（２３）には非シード層である多結晶ＡｌＮ膜（２２）が形成されることを模式的に示す。
図６は、サファイア基板（１１）の一部に凸部を形成することにより非Ｃ面（１１’’）を形成し、次いでＡｌＮ膜をサファイア基板（１１）上に成膜する場合に、Ｃ面（１１’）にはＡｌＮシード層（12）が形成されるが、非Ｃ面（１１’’）には非シード層である多結晶ＡｌＮ膜（２２）が形成されることを模式的に示す。
図７は、サファイア基板（１１）の一部にＳｉＯ２層（２３）を形成し、、次いでＡｌＮ膜をサファイア基板（１１）上に成膜する場合に、Ｃ面（１１’）にはＡｌＮシード層（12）が形成されるが、ＳｉＯ２層（２３）には非シード層である多結晶ＡｌＮ膜（２２）が形成されることを模式的に示す。
フォトリソグラフィ以外の方法を使って成長領域と成長しない領域を作り出すこともできる。Ti、Moなどの高融点金属をC面AlNやC面GaNの表面に成膜した場合は一般に多結晶になる。結晶方位によって各種ガスに対する反応速度が異なるのでこの性質を使って領域指定ができる。またTiなどの窒化物をつくる金属はC面AlNやC面GaNとの反応性が結晶方位によって全く異なる。反応性が高い面ができた下のC面AlNやC面GaNは高温にすると分解を始める。この性質を使うと上記のの凹部を作ることができる。
上記のいずれの場合も横方向成長するのは下地層のGaNもしくはAlGaNである。横方向成長を促進するときはC面以外の面が安定になる成長条件を選ぶ必要がある。（１０-１０）面とか（１１−２０）面のようにC面に垂直な面が優先的に成長する条件と、（１０‐１１）面や（１１−２１）面や（１０−１２）面のようにC面に対して一定の角度を持った面を優先的に成長させる場合がある。C面に対して一定の角度がある面が６回対称の場合はC面から見ると６角形をした６角錐のファセットが現れ、これが埋まっていく形を採る。どの面を優先的に成長させるかは、ストライプの場合には、フォトリソグラフィによって削り出す方位と成長時の成長温度とガス圧力、原料のV/III比によって選択することができる。また、フォトリソグラフィで円形に領域指定した場合は成長時の成長温度とガス圧力、原料のV/III比によって選択することができる。
一方、下地層のエピ成長できない領域は、上記のシード層が成長できない領域の作成と同様に、下記の（ハ）または（ニ）のいずれか一種の方法を用いて形成される。エピ成長はＧａＮまたはＡｌＧａＮのホモ成長が好適である。
（ハ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ニ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
（成長条件）
上記シード層が存在する領域と存在しない領域がある基板の上面に下地層をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる場合、あるいは下地層にエピ成長する領域とエピ成長できない領域があり、さらに下地層をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる場合は、成長圧力および成長温度を以下に示す条件とすることが好ましい。成長圧力を低くし成長温度を高くすると、横方向の結晶成長が促進され、成長圧力を高くし成長温度を低くすると、ファセット成長モード（△形状）になる。したがって成長初期の成長圧力を高くすると、AlN結晶膜シード層の上のみでファセット成長するので、全面がファセットになるまでファセット成長モードを維持するのが好ましい。したがって、凸部の形成された基板の上面に下地層をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる場合、下地層の膜厚が２μｍ程度以上になるまで（前半）と、下地層を２μｍ程度以上積層した後（後半）とで成長圧力を２段階に変化させることが好ましい。
（ハ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ニ）アモルファスSiO2、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。
（成長条件）
上記シード層が存在する領域と存在しない領域がある基板の上面に下地層をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる場合、あるいは下地層にエピ成長する領域とエピ成長できない領域があり、さらに下地層をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる場合は、成長圧力および成長温度を以下に示す条件とすることが好ましい。成長圧力を低くし成長温度を高くすると、横方向の結晶成長が促進され、成長圧力を高くし成長温度を低くすると、ファセット成長モード（△形状）になる。したがって成長初期の成長圧力を高くすると、AlN結晶膜シード層の上のみでファセット成長するので、全面がファセットになるまでファセット成長モードを維持するのが好ましい。したがって、凸部の形成された基板の上面に下地層をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる場合、下地層の膜厚が２μｍ程度以上になるまで（前半）と、下地層を２μｍ程度以上積層した後（後半）とで成長圧力を２段階に変化させることが好ましい。
前半は、成長圧力を４０ｋＰａ以上とすることが好ましく、６０ｋＰａ程度とすることがより好ましい。成長圧力を４０ｋＰａ以上とすると、ファセット成長モード（△形状）になり、転位が横方向に屈曲し、エピ表面に貫通しない。このため、成長圧力を高くすると低転位化され、結晶性が良好となると推定される。
しかし、成長圧力を４０ｋＰａ以上とすると、エピタキシャル成長させた下地層の表面にピットが発生しやすくなり、十分な表面平坦性が得られない場合がある。このため、成長圧力を４０ｋＰａ以上とする場合、成長温度をC面が安定成長する最適温度よりも２０〜５０℃低い温度に設定することがより好ましい。成長温度を適切に制御することで、成長圧力を４０ｋＰａ以上、好ましくは６０ｋＰａ程度とした場合であっても、ピットの発生を十分に抑制できる。
また、後半は、成長圧力を４０ｋＰａ以下とすることが好ましく、２０ｋＰａ程度とすることがより好ましい。後半に成長圧力を４０ｋＰａ以下とすることで、C面が優先的に成長し横方向の結晶成長を促進することができ、表面平坦性に優れた下地層が得られる。
本発明の発光素子は、上述の発光素子の他、レーザ素子や受光素子等の光電気変換素子、又は、ヘテロ接合ハイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）や高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）等の電子デバイスなどに用いことができる。これらの半導体素子は、各種構造のものが多数知られており、本発明に係る発光素子の構造は、これら周知の素子構造を含めて何ら制限されない。
本発明の発光素子は、例えば当業界周知の手段により透明カバーを設けてランプにすることができる。また、従来より、発光素子と蛍光体と組み合わせることによって発光色を変える技術が知られており、このような技術を何ら制限されることなく採用することができる。例えば、蛍光体を適正に選定することにより、発光素子より長波長の発光を得ることも可能となり、また、発光素子自体の発光波長と蛍光体によって変換された波長とを混ぜることにより、白色発光を呈するランプとすることもできる。
また、ランプとしては、一般用途の砲弾型、携帯のバックライト用途のサイドビュー型、表示器に用いられるトップビュー型等、何れの用途にも用いることができる。
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子から作製したランプは発光出力が高く、駆動電圧が低いので、この技術によって作製したランプを組み込んだ携帯電話、ディスプレイ、パネル類などの電子機器や、その電子機器を組み込んだ自動車、コンピュータ、ゲーム機、などの機械装置類は、低電力での駆動が可能となり、商い特性を実現することが可能である。特に、携帯電話、ゲーム機、玩具、自動車部品などの、バッテリ駆動させる機器類において、省電力の効果を発揮する。
実施例１
オフ角0.35度で切り出してあり、表面はRa≦２Åである直径100mm、厚さ0.9mmのC面サファイア基板の表面に直径２μｍの円形レジストを中心−中心間距離４μｍで平面状に等間隔に配置した。BCｌ3ガスとCl2ガスとを１対１で合計１００sccm流し、ガス圧力を0.5Paに調節した。パワーとバイアスを調節しサファイアのエッチング速度が最大になるように調節し約200Å/minのエッチング速度でサファイアの加工を行った。レジストが無くエッチングされた面はC面であったが、レジストに覆われていたところは途中でレジストが消耗して無くなっていき、結果としていろいろな面で囲われた上に凸の突起が得られた。加工を施したウエハーのエッチング残渣を十分洗浄して洗い流した。５Nの高純度Alのターゲットを備えたスパッター機にセットしてAlN膜を成膜した。ターゲット直径は200mmでターゲットと基板の距離は60mmである。表面プラズマ処理の印加方法としては基板とチャンバーの間にRFパワーを印加した。AlN成膜の印加方法はターゲットとチャンバーの間にRFパワーをかけた。成膜条件は次のとおりであった。
（表面プラズマ処理）
ヒーター温度 ６００℃、Ａｒ流量 ０ｓｃｃｍ、Ｎ2流量 ７５ｓｃｃｍ、印加パワー ３０Ｗ，トータルガス圧 １．０Ｐａ、ベース圧力 ４×１０-6Pa、ＴＳ距離 ６０ｍｍ、印加時間１５秒
（ＡｌＮ成膜）
ヒーター温度 ６００℃、Ａｒ流量 ２５ｓｃｃｍ、Ｎ2流量 ７５ｓｃｃｍ、印加パワー １５００Ｗ，トータルガス圧 ０．５Ｐａ、ベース圧力 ４×１０-6Pa、ＴＳ距離 ６０ｍｍ、印加時間１００秒
表面を整えるための表面プラズマ処理と成膜のための処理の2段階になっている。処理終了後装置からウエハーを取り出し。XRD測定を行った。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
オフ角0.35度で切り出してあり、表面はRa≦２Åである直径100mm、厚さ0.9mmのC面サファイア基板の表面に直径２μｍの円形レジストを中心−中心間距離４μｍで平面状に等間隔に配置した。BCｌ3ガスとCl2ガスとを１対１で合計１００sccm流し、ガス圧力を0.5Paに調節した。パワーとバイアスを調節しサファイアのエッチング速度が最大になるように調節し約200Å/minのエッチング速度でサファイアの加工を行った。レジストが無くエッチングされた面はC面であったが、レジストに覆われていたところは途中でレジストが消耗して無くなっていき、結果としていろいろな面で囲われた上に凸の突起が得られた。加工を施したウエハーのエッチング残渣を十分洗浄して洗い流した。５Nの高純度Alのターゲットを備えたスパッター機にセットしてAlN膜を成膜した。ターゲット直径は200mmでターゲットと基板の距離は60mmである。表面プラズマ処理の印加方法としては基板とチャンバーの間にRFパワーを印加した。AlN成膜の印加方法はターゲットとチャンバーの間にRFパワーをかけた。成膜条件は次のとおりであった。
（表面プラズマ処理）
ヒーター温度 ６００℃、Ａｒ流量 ０ｓｃｃｍ、Ｎ2流量 ７５ｓｃｃｍ、印加パワー ３０Ｗ，トータルガス圧 １．０Ｐａ、ベース圧力 ４×１０-6Pa、ＴＳ距離 ６０ｍｍ、印加時間１５秒
（ＡｌＮ成膜）
ヒーター温度 ６００℃、Ａｒ流量 ２５ｓｃｃｍ、Ｎ2流量 ７５ｓｃｃｍ、印加パワー １５００Ｗ，トータルガス圧 ０．５Ｐａ、ベース圧力 ４×１０-6Pa、ＴＳ距離 ６０ｍｍ、印加時間１００秒
表面を整えるための表面プラズマ処理と成膜のための処理の2段階になっている。処理終了後装置からウエハーを取り出し。XRD測定を行った。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
酸素濃度 ２．８原子％、ＦＷＨＭ（０００２）４５arcsec、ＦＷＨＭ（１０−１０）１．９度
得られたAlN膜は、C面が出ているところはシード層となるがC面以外の面が出ている領域は各面に対応したAlN層が成長するのでシード層としては働かない。
得られたAlN膜は、C面が出ているところはシード層となるがC面以外の面が出ている領域は各面に対応したAlN層が成長するのでシード層としては働かない。
この部分的にシード層が付いたウエハーをMOCVD炉に入れて下地層を成長させた。下地層の成長はGaN第１層とGaN第２層とに分け、下地層の上にｎ型半導体GaN層を成長させた。具体的な成長条件は次のとおりであった。
（GaN第１層（アンドープGaN））
トータルガス圧力 ６００mbar；サセプター温度 １０８０℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 ８０sccm；NH3流量 １０slm；SiH4流量 ０sccm
GaN成長速度 ０．８μｍ/hr、GaN厚さ ２μｍ
（GaN第２層（アンドープGaN））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １１００℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 ３００sccm；NH3流量 ７slm；SiH4流量 ０sccm
GaN成長速度 ２μｍ/hr、GaN厚さ ４μｍ
（ｎ−コンタクト層（１４ｂ）（n−GaN））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １１００℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 ３００sccm；NH3流量 ７slm；SiH4流量 １２０sccm
n-GaN厚さ 2μｍ
Ｇａの原料として、有機金属材料であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）。Ｎ源として、アンモニア（ＮＨ3）を用いた。キャリアガスはH2である。さらにドーパントを添加してn-GaN層を成膜した。ｎ型半導体層にはドーパント材料として、Ｓｉを用いる。Ｓｉ原料としてモノシラン（ＳｉＨ4）用いた。ドーパントはキャリアガスとともに供給されるが、その供給濃度はＴＭＧ供給量との比率で制御した。成長後炉から取り出し、XRD測定を行った。
トータルガス圧力 ６００mbar；サセプター温度 １０８０℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 ８０sccm；NH3流量 １０slm；SiH4流量 ０sccm
GaN成長速度 ０．８μｍ/hr、GaN厚さ ２μｍ
（GaN第２層（アンドープGaN））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １１００℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 ３００sccm；NH3流量 ７slm；SiH4流量 ０sccm
GaN成長速度 ２μｍ/hr、GaN厚さ ４μｍ
（ｎ−コンタクト層（１４ｂ）（n−GaN））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １１００℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 ３００sccm；NH3流量 ７slm；SiH4流量 １２０sccm
n-GaN厚さ 2μｍ
Ｇａの原料として、有機金属材料であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）。Ｎ源として、アンモニア（ＮＨ3）を用いた。キャリアガスはH2である。さらにドーパントを添加してn-GaN層を成膜した。ｎ型半導体層にはドーパント材料として、Ｓｉを用いる。Ｓｉ原料としてモノシラン（ＳｉＨ4）用いた。ドーパントはキャリアガスとともに供給されるが、その供給濃度はＴＭＧ供給量との比率で制御した。成長後炉から取り出し、XRD測定を行った。
さらにn-クラッド/MQW/ｐ-クラッド/ｐ-GaNの成長させた。キャリアガスは窒素に切り替えた。その後n型クラッド層/発光層/ｐ型半導体GaN層を成長させた。n型半導体GaN層と発光層の間にｎ型クラッド層、発光層とｐ型半導体GaN層との間にp型クラッド層を挟む。具体的な成長条件は次のとおりであった。
（n−クラッド層（１４ｃ））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 ７６０℃；H2流量 ０slm；N2流量 ５０slm；TMG流量 ０sccm；TEG流量 ２５０sccm；NH3流量 １８slm；TMI流量 ２０sccm；SiH4流量 ５０sccm；Cp2Mg流量 ０sccm
（発光層（１５））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 ７６０/９８０℃；H2流量 ０slm；N2流量 ５０slm；TMG流量 ０sccm；TEG流量 １５０sccm；NH3流量 １８slm；TMI流量 １２０/０sccm；SiH4流量 ０/３０sccm；Cp2Mg流量 ０sccm
（ｐ−クラッド層（１６ａ））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １０４０℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 １８０sccm；TEG流量 ０sccm；TMA流量 ６０sccm；NH3流量 ２１slm；TMI流量 ０sccm；SiH4流量 ０sccm；Cp2Mg流量 １３０sccm
（ｐ−コンタクト層（１６ｂ））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １０４０℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 １８０sccm；TEG流量 ０sccm；NH3流量 ２１slm；TMI流量 ０sccm；SiH4流量 ０sccm；Cp2Mg流量 ２６０sccm
なお、成長速度はいずれも２μｍ/hrであった。
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 ７６０℃；H2流量 ０slm；N2流量 ５０slm；TMG流量 ０sccm；TEG流量 ２５０sccm；NH3流量 １８slm；TMI流量 ２０sccm；SiH4流量 ５０sccm；Cp2Mg流量 ０sccm
（発光層（１５））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 ７６０/９８０℃；H2流量 ０slm；N2流量 ５０slm；TMG流量 ０sccm；TEG流量 １５０sccm；NH3流量 １８slm；TMI流量 １２０/０sccm；SiH4流量 ０/３０sccm；Cp2Mg流量 ０sccm
（ｐ−クラッド層（１６ａ））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １０４０℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 １８０sccm；TEG流量 ０sccm；TMA流量 ６０sccm；NH3流量 ２１slm；TMI流量 ０sccm；SiH4流量 ０sccm；Cp2Mg流量 １３０sccm
（ｐ−コンタクト層（１６ｂ））
トータルガス圧力 ４００mbar；サセプター温度 １０４０℃；H2流量 ３０slm；N2流量 ０slm；TMG流量 １８０sccm；TEG流量 ０sccm；NH3流量 ２１slm；TMI流量 ０sccm；SiH4流量 ０sccm；Cp2Mg流量 ２６０sccm
なお、成長速度はいずれも２μｍ/hrであった。
積層構造体は、サファイアのｃ面（（０００１）結晶面）からなる基板上に、ＡｌＮ結晶膜のシード層25nm, その上にアンドープＧａＮ下地層（膜厚＝６μｍ）、Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層（膜厚＝２μｍ）、Ｓｉドープｎ型In0.01Ga0.99Nクラッド層（膜厚＝50ｎｍ）、６層のＳｉドープＧａＮバリア層（膜厚＝１４．０ｎｍ）と５層のアンドープln0.20Ga0.80Nの井戸層（層厚＝２．５ｎｍ）からなる多重量子構造の発光層、Ｍｇドープｐ型A l 0.07Ga0.93Nクラッド層（層厚＝１０ｎｍ）及びＭｇドープｐ型GaNコンタクト層（層厚＝１５０ｎｍ）を積層して構成した。
ＭｇドープGａＮ層からなるコンタクト層の気相成長を終了させた後、直ちにキャリアガスをH2からN2へと切り替え、ＮＨ3の流量はそのまま維持した。同時に基板を加熱するために利用していた、高周波誘導加熱式ヒータヘの通電を停止して炉内が180℃になるまで放置し、その後ＮＨ3を停止してからチャンバー内を真空に引いてからＮ2を入し、大気圧になったところでチャンバーをあけてウエハーを取り出した。
MOCVD炉からウエハーを取り出し、N2プラズマ処理装置に移した。ベース圧力は7x10-６Paになっている真空装置で、ウエハーをＡｌＮ製のウエハーホルダーに載せ、ロードチャンバーからロボットのあるトランスファーチャンバーに移し、ついでプラズマ処理チャンバーに移した。PBN（熱分解窒化ホウ素）コートのカーボン平面ヒーターにウエハーを密着させる形でチャックした。チャックの材質はMoであり表面をAlN溶射でコートされている。ウエハーの対面60mmのところに表面Alの板の裏に永久磁石を配置し、Al板には配管を通して冷却水を流した。はじめにダミー基板を入れてチャックした後、Al板とチャンバーの間にDC電圧を印加してAｒガスを0.5Paで導入し放電を起こしてAl板の表面をスパッターでたたき出し、表面をエッチングした。その他のシールドはチャンバーから熱的に浮かし、ダミー基板が1000℃になるまで加熱した。その結果、すべてのシールドが200℃以上に加熱された。
ダミー基板を取り出し、GaN系積層構造体ウエハーを投入し、その後N2を導入しウエハーホルダーのチャックとシールドとの間にRF電圧をかけて放電させて、N2プラズマ処理した。放電条件は次のとおりであった。
温度３００℃、N2ガス圧力 ３．０Ｐａ、パワー５０Ｗ，処理時間６０秒
ＭｇドープGａＮ層からなるコンタクト層の気相成長を終了させた後、直ちにキャリアガスをH2からN2へと切り替え、ＮＨ3の流量はそのまま維持した。同時に基板を加熱するために利用していた、高周波誘導加熱式ヒータヘの通電を停止して炉内が180℃になるまで放置し、その後ＮＨ3を停止してからチャンバー内を真空に引いてからＮ2を入し、大気圧になったところでチャンバーをあけてウエハーを取り出した。
MOCVD炉からウエハーを取り出し、N2プラズマ処理装置に移した。ベース圧力は7x10-６Paになっている真空装置で、ウエハーをＡｌＮ製のウエハーホルダーに載せ、ロードチャンバーからロボットのあるトランスファーチャンバーに移し、ついでプラズマ処理チャンバーに移した。PBN（熱分解窒化ホウ素）コートのカーボン平面ヒーターにウエハーを密着させる形でチャックした。チャックの材質はMoであり表面をAlN溶射でコートされている。ウエハーの対面60mmのところに表面Alの板の裏に永久磁石を配置し、Al板には配管を通して冷却水を流した。はじめにダミー基板を入れてチャックした後、Al板とチャンバーの間にDC電圧を印加してAｒガスを0.5Paで導入し放電を起こしてAl板の表面をスパッターでたたき出し、表面をエッチングした。その他のシールドはチャンバーから熱的に浮かし、ダミー基板が1000℃になるまで加熱した。その結果、すべてのシールドが200℃以上に加熱された。
ダミー基板を取り出し、GaN系積層構造体ウエハーを投入し、その後N2を導入しウエハーホルダーのチャックとシールドとの間にRF電圧をかけて放電させて、N2プラズマ処理した。放電条件は次のとおりであった。
温度３００℃、N2ガス圧力 ３．０Ｐａ、パワー５０Ｗ，処理時間６０秒
なお、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ４８arcsecおよび１４０arcsecであった。
上記のｐ型コンタクト層を備えたエピタキシャル積層構造体を用いて図３に示すＬＥＤチップを作製した。先ず、ｐ型コンタクト層上に、スパッタ法によってＩＴＯよりなる正極を形成する。以下の操作により、窒化ガリウム系化合物半導体上に、ＩＴＯよりなる導電性透光性酸化物電極層の形成を行った。
まず、公知のフオトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、ｐ型ＧａＮコンタクト層上に、ＩＴＯからなる導電性透光性酸化物電極層を形成した。導電性透光性酸化物電極層の形成では、まず、窒化ガリウム系化合物半導体を積層した基板をスパッタリング装置内に入れ、ｐ型ＧａＮコンタクト層上に初めにＩＴＯおよそ２ｎｍをＲＦスパッタリングにより成膜し、次にＩＴＯおよそ250ｎｍをＤＣスパッタリングにより積層した。なお、ＲＦ成膜時の圧力はおよそ0.3Ｐａ、供給電力は０．５ｋＷとした。ＤＣ成膜時の圧力はおよそ０．８Ｐａ、供給電力は1．５ｋＷとした。
ＩＴＯ膜を成膜後、酸素を２０％含む空気雰囲気中で500℃において、１分間のアニール処理を施した。
ア二ール処理終了後、負極を形成する領域に一般的なドライエッチングを施し、その領域に限り、Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層の表面を露出（図２参照）させた。チップ表面を保護する目的でＳｉＯ2の保護膜を1000Ａ ＲＦスパッターで成膜した。次に、その保護膜のパッドを成膜する箇所をフォトリソグラフィを使って穴を開け、真空蒸着法により、ＩＴＯ膜層上の一部、および露出されたＳｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層上に、Ｃｒからなる第１の肩（膜圧＝１０ｎｍ）、Ptからなる第２の肩（層厚＝１８０ｎｍ）、Ａｕからなる第３の肩（膜圧＝３００ｎｍ）を順に積層し、それぞれ正極ボンディングパッド層および負極を形成した。
ボンディングパッド層および負極を形成した後、0.9mmのサファイア基板を研削盤で削り落として130μｍ程度まで薄くし、さらにサファイア基板の裏面を、ダイヤモンド微粒の砥粒を使用して研磨し、最終的に鏡面に仕上げた。その後、積層構造体を裁断し、３５０μｍ角の正方形の個別のＬＥＤへと分離した。
次に、チップを外径3.5mm x 2.8mm x 厚さ1.6mmのトップビュー白色樹脂容器付きのリードフレームにエポキシ接着剤でボンディングし、負極および正極を各々、金（Ａｕ）線でリードフレームと結線した。白色樹脂容器のくぼみにシリコーン樹脂で封止して硬化させたのち、リードフレームから各容器を分離して測定した。
このような工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。 その評価結果を次に示す。
なお、If，Vf（１μA），Vf（２０mA），Iｒ（２０Ｖ），Vｒ（１０μA）およびPoの値の持つ物理的意味づけは以下のとおりである。
なお、If，Vf（１μA），Vf（２０mA），Iｒ（２０Ｖ），Vｒ（１０μA）およびPoの値の持つ物理的意味づけは以下のとおりである。
Ifは発光させている電流値である。Vf（１μA）は１μA順方向に電流を流したときの電圧である。発光する前の電流値であるので、リークがあるとその分値が下がってくる。よってできるだけ高い値の方がよい。Vf（２０mA）はいわゆる駆動電圧であり、できるだけ低い方がよい。ｐ型半導体層のキャリア濃度が十分高くないとｐ−コンタクトでオーミックが取れず、この値が跳ね上がる。Iｒ（２０Ｖ）：逆方向に２０Ｖかけたときの漏れ電流である。リーク特性を表す。信頼性との相関があり、キャリア濃度が上がって輝度が上がってもこの値が大きくなってくると不適である。Vｒ（１０μA）は逆方向に１０μA流したときの電圧である。大きいリークがなければ普通は２０Ｖ以上になる。２０Ｖが上限なので問題が無ければ２０Ｖの表示になる。２０Ｖ未満の場合はリークが大きすぎることになる。IｒとVｒは当然ながら相関する。Iｒが大きいものはVRが２０Ｖ以下になる。ただしVｒが２０Ｖの物の中でもリーク特性の差がIｒ値から見ることができる。Poは２０mA流したときの出力である。有効に光で取り出すことができたエネルギーである。ｐ−コンタクト層のキャリア濃度はまずVfに最も敏感に効いてくるが、同じVfであっても、キャリア濃度によって出力が異なる。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.33V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.０9V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．１６μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２１．０mＷ；λｄ（発光波長）４５９ｎｍ
なお、直径100mmのウエーハから外観不良品を除いて約５００００個のＬＥＤが得られた。
実施例２
実施例１と同じサファイ基板の表面に1000AのSiO2をSiO2ターゲットを使ったRFスパッターで成膜した。実施例１と同じフォトリソグラフィ行程で直径２μｍの円形のレジストを中心−中心間隔４μｍで残した。CF4ガスをつかったエッチングでレジストの存在しない領域のSiO2を取り除いた。その後高圧NMPを吹き付けてレジストを剥離した。以後のプロセスは実施例１と同様である。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.33V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.０9V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．１６μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２１．０mＷ；λｄ（発光波長）４５９ｎｍ
なお、直径100mmのウエーハから外観不良品を除いて約５００００個のＬＥＤが得られた。
実施例２
実施例１と同じサファイ基板の表面に1000AのSiO2をSiO2ターゲットを使ったRFスパッターで成膜した。実施例１と同じフォトリソグラフィ行程で直径２μｍの円形のレジストを中心−中心間隔４μｍで残した。CF4ガスをつかったエッチングでレジストの存在しない領域のSiO2を取り除いた。その後高圧NMPを吹き付けてレジストを剥離した。以後のプロセスは実施例１と同様である。
得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
酸素濃度 ３原子％、ＦＷＨＭ（０００２）４７arcsec、ＦＷＨＭ（１０−１０）２．０度
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ５３arcsecおよび１６０arcsecであった。
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ５３arcsecおよび１６０arcsecであった。
実施例１と同様の工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。その評価結果を次に示す。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.34V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.１２V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．１５μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２０．９mＷ；λｄ（発光波長）４６０ｎｍ
実施例１と実施例２においては、AlNシード層のＸ線回折のロッキングカーブ半値幅が悪い。これは基板を加工したり、表面にSiO2のマスクを付けたりしたので、AlNのC面以外の面が数多く出ており、それをひろって半値幅が広がってみえるためである。
実施例３
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後実施例１と同様のフォトリソグラフィ操作であるがレジストのポジとネガを逆さまにすることで直径２μｍの円形で中心−中心間距離４μｍで平面状に等間隔にレジストが抜けているようにした。その後ドライエッチング装置に入れてCl2ガスを100sccm導入し全圧を0.5PaとすることでAlNをエッチング゛で取り除いた。エッチング速度は50Å／minであった。その後高圧ＮＭＰ（N−メチルピロリドン）で残ったレジストを取り除いた。さらにエッチング残渣を十分洗浄した。以後の行程は実施例１と同様である。
実施例１と実施例２においては、AlNシード層のＸ線回折のロッキングカーブ半値幅が悪い。これは基板を加工したり、表面にSiO2のマスクを付けたりしたので、AlNのC面以外の面が数多く出ており、それをひろって半値幅が広がってみえるためである。
実施例３
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後実施例１と同様のフォトリソグラフィ操作であるがレジストのポジとネガを逆さまにすることで直径２μｍの円形で中心−中心間距離４μｍで平面状に等間隔にレジストが抜けているようにした。その後ドライエッチング装置に入れてCl2ガスを100sccm導入し全圧を0.5PaとすることでAlNをエッチング゛で取り除いた。エッチング速度は50Å／minであった。その後高圧ＮＭＰ（N−メチルピロリドン）で残ったレジストを取り除いた。さらにエッチング残渣を十分洗浄した。以後の行程は実施例１と同様である。
得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
酸素濃度 ３．１原子％、ＦＷＨＭ（０００２）４５arcsec、ＦＷＨＭ（１０−１０）１．５度
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ５３arcsecおよび１５０arcsecであった。
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ５３arcsecおよび１５０arcsecであった。
実施例１と同様の工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。 評価結果を次に示す。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.34V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.１２V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．１３μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２０．８mＷ；λｄ（発光波長）４６０ｎｍ
実施例４
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後、実施例１のＧａＮ第2層下地層と同じ条件で３μｍのＧａＮを成長させた。そのＧａＮ下地層表面に実施例１と同様のフォトリソグラフィ処理を行い直径２μｍの円形のレジストを中心−中心間隔４μｍで残した。ドライエッチング装置にウエハーをいれてＣｌ2ガスを導入して実施例３と同様な条件でエッチングを行った。レジストの厚さを変えることでエッチング後に残る凸状の突起の形状を変えることができる。ほぼ半球の形状になるように調節した。すなわちエッチング終了時にはレジストがほとんど飛んでなくなっているように調節する。以後ＧａＮ第２下地層の厚さが３μｍであること以外は実施例１と同様な工程である。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.34V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.１２V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．１３μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２０．８mＷ；λｄ（発光波長）４６０ｎｍ
実施例４
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後、実施例１のＧａＮ第2層下地層と同じ条件で３μｍのＧａＮを成長させた。そのＧａＮ下地層表面に実施例１と同様のフォトリソグラフィ処理を行い直径２μｍの円形のレジストを中心−中心間隔４μｍで残した。ドライエッチング装置にウエハーをいれてＣｌ2ガスを導入して実施例３と同様な条件でエッチングを行った。レジストの厚さを変えることでエッチング後に残る凸状の突起の形状を変えることができる。ほぼ半球の形状になるように調節した。すなわちエッチング終了時にはレジストがほとんど飛んでなくなっているように調節する。以後ＧａＮ第２下地層の厚さが３μｍであること以外は実施例１と同様な工程である。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
酸素濃度 ２．９原子％、ＦＷＨＭ（０００２）４７arcsec、ＦＷＨＭ（１０−１０）１．５度
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ５９arcsecおよび１２０arcsecであった。
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ５９arcsecおよび１２０arcsecであった。
実施例１と同様の工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。 評価結果を次に示す。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.31V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.06V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．１４μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２１．５mＷ；λｄ（発光波長）４６０ｎｍ
実施例５
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後、実施例１のＧａＮ第1層下地層と同じ条件で３μｍのＧａＮを成長させた。その後表面にＳｉＯ2ターゲットを使ったＲＦスパッターで1000ＡのＳｉＯ2を成膜する。実施例２と同様に直径２μｍの円形のＳｉＯ2膜を中心−中心間隔４μｍで残した。以後ＧａＮ第２下地層の厚さが３μｍであること以外は実施例１と同様な工程である。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.31V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.06V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．１４μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２１．５mＷ；λｄ（発光波長）４６０ｎｍ
実施例５
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後、実施例１のＧａＮ第1層下地層と同じ条件で３μｍのＧａＮを成長させた。その後表面にＳｉＯ2ターゲットを使ったＲＦスパッターで1000ＡのＳｉＯ2を成膜する。実施例２と同様に直径２μｍの円形のＳｉＯ2膜を中心−中心間隔４μｍで残した。以後ＧａＮ第２下地層の厚さが３μｍであること以外は実施例１と同様な工程である。
得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
酸素濃度 ２．９原子％、ＦＷＨＭ（０００２）３５arcsec、ＦＷＨＭ（１０−１０）１．５度
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ４５arcsecおよび１３４arcsecであった。
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ４５arcsecおよび１３４arcsecであった。
実施例１と同様の工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。 評価結果を次に示す。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.34V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.０５V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．０８μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２０．８mＷ；λｄ（発光波長）４６０ｎｍ
実施例６
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後、実施例１のＧａＮ第1層下地層と同じ条件で３μｍのＧａＮを成長させた。そのＧａＮ下地層表面にレジストのポジ、ネガを反転させた以外は実施例４と同様のフォトリソグラフィ処理を行い、直径０．５μｍの円形のレジストを中心−中心間隔４μｍで溶かし出した。ドライエッチング装置にウエハーをいれてＣｌ2ガスを導入して実施例４と同様な条件でエッチングを行ない、エッチング後に残る凹状形状を得た。以後ＧａＮ第２下地層の厚さが３μｍであること以外は実施例１と同様な工程である。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.34V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.０５V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．０８μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２０．８mＷ；λｄ（発光波長）４６０ｎｍ
実施例６
実施例１と同じサファイア基板にシード層としてAlN結晶膜を実施例１と同じ条件で全面に成膜した。その後、実施例１のＧａＮ第1層下地層と同じ条件で３μｍのＧａＮを成長させた。そのＧａＮ下地層表面にレジストのポジ、ネガを反転させた以外は実施例４と同様のフォトリソグラフィ処理を行い、直径０．５μｍの円形のレジストを中心−中心間隔４μｍで溶かし出した。ドライエッチング装置にウエハーをいれてＣｌ2ガスを導入して実施例４と同様な条件でエッチングを行ない、エッチング後に残る凹状形状を得た。以後ＧａＮ第２下地層の厚さが３μｍであること以外は実施例１と同様な工程である。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
酸素濃度 ３．４原子％、ＦＷＨＭ（０００２）３６arcsec、ＦＷＨＭ（１０−１０）１．５度
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ４６arcsecおよび１１８arcsecであった。
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ４６arcsecおよび１１８arcsecであった。
実施例１と同様の工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。その評価結果を次に示す。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.34V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.０２V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．０７μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２１．８mＷ；λｄ（発光波長）４５９ｎｍ
比較例１
実施例１において、C面サファイア基板表面に凸形状加工を行なわこと、および 下地層としてGaN第２層（アンドープGaN）のみを成膜（厚さ６μｍ）したこと、以外は同様の方法で、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を作成した。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
比較例１
実施例１において、C面サファイア基板表面に凸形状加工を行なわこと、および 下地層としてGaN第２層（アンドープGaN）のみを成膜（厚さ６μｍ）したこと、以外は同様の方法で、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を作成した。得られたAlN膜の特性は次のとおりであった。
Ｒａ １．２Å、酸素濃度 ２．８原子％、ＦＷＨＭ（０００２）３１arcsec、ＦＷＨＭ（１０−１０）１．４度
図３および図４は、それぞれ得られたＡｌＮ結晶膜のシード層（１２）の縦断面ＴＥＭ写真および平面ＴＥＭ写真を示す。図3において見られる2つの層は、下層がサファイア基板、上層がAlN結晶膜シード層を示す。図3の視野は約６０nmであるが、それをずらしながら4視野観察したが、格子像の濃淡は見られず結晶粒界は観察されなかった。図4においては50nm x 60nmの視野であるが、少しずつずらして２００ｎｍ四方観察した結果、柱状結晶に対応する結晶粒界は観察できなかった。
図３および図４は、それぞれ得られたＡｌＮ結晶膜のシード層（１２）の縦断面ＴＥＭ写真および平面ＴＥＭ写真を示す。図3において見られる2つの層は、下層がサファイア基板、上層がAlN結晶膜シード層を示す。図3の視野は約６０nmであるが、それをずらしながら4視野観察したが、格子像の濃淡は見られず結晶粒界は観察されなかった。図4においては50nm x 60nmの視野であるが、少しずつずらして２００ｎｍ四方観察した結果、柱状結晶に対応する結晶粒界は観察できなかった。
また、ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ４５arcsecおよび２１５arcsecであった。
実施例１と同様の工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。その評価結果を次に示す。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）2.34V；Vf（20mA）（駆動電圧）3.０３V；Ir（２０V）（直流逆電流）０．０６μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２０．５mＷ；λｄ（発光波長）４５９ｎｍ
比較例２
実施例１において、AlNを成膜しない以外は同様の方法で、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を作成した。
比較例２
実施例１において、AlNを成膜しない以外は同様の方法で、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を作成した。
ｐ−GaNコンタクト層のロッキングカーブ半値幅は、（０００２）面で５８９arcsecであったが、（１０−１０）は測定できなかった。
実施例１と同様の工程で作製したＬＥＤチップマウントの、負極および正極間に順方向電流を流して電気的特性及び発光特性を評価した。その評価結果を次に示す。
If（直流順電流） 20mＡ；Vf（1μA）（直流順電圧）１．８９V；Vf（20mA）（駆動電圧）４．３８V；Ir（２０V）（直流逆電流）８．２４μA；Vr（１０μA）（直流逆電圧）２０V；Po（積分球で測定された発光出力）２．７mＷ；λｄ（発光波長）４７３ｎｍ
本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることにより、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。
１ 発光素子
１０ ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体
１１ サファイア基板
１２ シード層
１４ ｎ型半導体層
１５ 発光層
１６ ｐ型半導体層
１７ 透光性正極
１８ 正極ボンディングパッド
１９ 負極ボンディングパッド
２０ ＩＩＩ族窒化物半導体層
２１ レジスト層
２２ 多結晶ＡｌＮ層
２３ ＳｉＯ２層
１０ ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体
１１ サファイア基板
１２ シード層
１４ ｎ型半導体層
１５ 発光層
１６ ｐ型半導体層
１７ 透光性正極
１８ 正極ボンディングパッド
１９ 負極ボンディングパッド
２０ ＩＩＩ族窒化物半導体層
２１ レジスト層
２２ 多結晶ＡｌＮ層
２３ ＳｉＯ２層
Claims (39)
- C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、
該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、
ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 - C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を製造するに際し、(Ａ) 該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域を形成する、および／または(Ｂ) 該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域を形成する、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、周期性があるストライプ状または島もしくは海状である請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、C面サファイア基板表面にシード層としてAlN結晶膜を成長させ、ついでAlN結晶膜の一部をエッチングにより除去することにより得られる請求項２または３に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- C面サファイア基板表面のシード層の存在しない領域が、サファイア基板表面にC面のシード層が成長する領域と成長できない領域を形成し、ついでシード層が成長する領域にのみシード層であるAlN結晶膜を成長させることにより得られる請求項２または３に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- シード層が成長できない領域が、下記の（イ）または（ロ）のいずれか一種の方法を用いて形成される請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
（イ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ロ）アモルファスSiO２、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。 - 下地層のエピ成長できない領域が、下記の（ハ）または（ニ）のいずれか一種の方法を用いて形成される請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
（ハ）周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を設けてC面以外の面を形成するように該C面サファイア基板表面を加工する。
（ニ）アモルファスSiO２、アモルファス窒化珪素、または高融点金属により周期性があるストライプ状または島もしくは海状の領域を覆う。 - ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である請求項１または８に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下である請求項１、８または９に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する請求項１および８〜１０のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- ＡｌＮ結晶膜がスパッター法で堆積された請求項１および８〜１１のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- スパッター法がＲＦスパッター法である請求項１２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- ＡｌＮ結晶膜が、サファイア基板をプラズマ中に置いてスパッター法により堆積される請求項１および８〜１３のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- サファイア基板表面をＮ２プラズマまたはＯ２プラズマ処理した後に、ＡｌＮ結晶膜が該サファイア基板表面に堆積される請求項１および８〜１４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- ＡｌＮ結晶膜がサファイア基板表面に堆積される際の基板温度が３００〜８００℃である請求項１および８〜１５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- ＡｌＮ結晶膜の膜厚が１０〜５０ｎｍである請求項１および８〜１６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- ＡｌＮ結晶膜の膜厚が２５〜３５ｎｍである請求項１７に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- サファイア基板の直径が１００ｍｍ以上である請求項１および８〜１８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- 最終ｐ型半導体層であるｐ−コンタクト層のロッキングカーブ半値幅が（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ６０arcsec以下および２５０arcsec以下である請求項１および８〜１９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- 下地層がＧａＮまたはＡｌＧａＮ結晶である請求項１および８〜２０のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
- 請求項１および８〜２１のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を含む発光素子。
- ｎ型半導体層上に負極を、ｐ型半導体層上に正極をそれぞれ設けた請求項２２に記載の発光素子。
- ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない請求項２〜７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である請求項２〜７および２４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が５原子％以下となるように制御してＡｌＮ結晶膜を形成する請求項２〜７、２４および２５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する請求項２〜７および２４〜２６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- ＡｌＮ結晶膜がスパッター法で堆積された請求項２〜７および２４〜２７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- スパッター法がＲＦスパッター法である請求項２８に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- ＡｌＮ結晶膜が、サファイア基板をプラズマ中に置いてスパッター法により堆積される請求項２８または２９に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- プラズマ放電中のガス分析において酸素起因ピークが認められない条件下でＡｌＮ結晶膜を形成することにより、酸素含有量が５原子％以下であるＡｌＮ結晶膜を得る請求項２８〜３０のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- サファイア基板表面をＮ２プラズマまたはＯ２プラズマ処理した後に、ＡｌＮ単結晶膜が該サファイア基板表面に堆積される請求項２〜７および２４〜３１のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- ＡｌＮ結晶膜がサファイア基板表面に堆積される際の基板温度が３００〜８００℃である請求項２〜７および２４〜３２のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- ＡｌＮ結晶膜の膜厚が１０〜５０ｎｍである請求項２〜７および２４〜３３のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- ＡｌＮ結晶膜の膜厚が２５〜３５ｎｍである請求項２〜７および２４〜３４に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- サファイア基板の直径が１００ｍｍ以上である請求項２〜７および２４〜３５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。
- 請求項２２または２３に記載の発光素子からなるランプ。
- 請求項３７に記載のランプが組み込まれてなる電子機器。
- 請求項３８に記載の電子機器が組み込まれてなる機械装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008203429A JP2010040867A (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 |
| PCT/JP2009/063902 WO2010016532A1 (ja) | 2008-08-06 | 2009-07-30 | Ｉｉｉ族 窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 |
| US13/057,696 US8211727B2 (en) | 2008-08-06 | 2009-07-30 | Group III nitride semiconductor multilayer structure and production method thereof |
| US13/493,972 US8471266B2 (en) | 2008-08-06 | 2012-06-11 | Group III nitride semiconductor multilayer structure and production method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008203429A JP2010040867A (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010040867A true JP2010040867A (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=41663749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008203429A Pending JP2010040867A (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8211727B2 (ja) |
| JP (1) | JP2010040867A (ja) |
| WO (1) | WO2010016532A1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011108422A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体発光素子および発光装置 |
| JP2012079720A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2012104564A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、ランプ |
| WO2014021259A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子構造体とその製造方法 |
| US8765509B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-07-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device |
| JP2016072388A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| US9515219B2 (en) | 2014-11-18 | 2016-12-06 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device and method for producing the same |
| WO2020039904A1 (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9064706B2 (en) * | 2006-11-17 | 2015-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite of III-nitride crystal on laterally stacked substrates |
| JP5272390B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2013-08-28 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP5641173B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-12-17 | 独立行政法人理化学研究所 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| JP2012033708A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US9145605B2 (en) * | 2010-09-29 | 2015-09-29 | Ulvac, Inc. | Thin-film forming method and thin-film forming apparatus |
| JP5781292B2 (ja) | 2010-11-16 | 2015-09-16 | ローム株式会社 | 窒化物半導体素子および窒化物半導体パッケージ |
| JP5361925B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| EP2747220B1 (en) * | 2011-08-09 | 2016-11-30 | Soko Kagaku Co., Ltd | Nitride semiconductor ultraviolet light emitting element |
| JP5994420B2 (ja) * | 2012-06-21 | 2016-09-21 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| TWI499080B (zh) | 2012-11-19 | 2015-09-01 | Genesis Photonics Inc | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
| TWI524551B (zh) * | 2012-11-19 | 2016-03-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
| TWI535055B (zh) | 2012-11-19 | 2016-05-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
| JP6357654B2 (ja) * | 2013-04-17 | 2018-07-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 化合物半導体装置および樹脂封止型半導体装置 |
| JP5957771B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2016-07-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 窒化物半導体積層構造、半導体発光素子および窒化物半導体積層構造を製造する方法 |
| CN105023841B (zh) * | 2014-04-23 | 2017-12-26 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种晶圆表面撕金去胶方法 |
| JP6465785B2 (ja) * | 2015-10-14 | 2019-02-06 | クアーズテック株式会社 | 化合物半導体基板 |
| FR3061603B1 (fr) * | 2016-12-29 | 2021-01-29 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
| KR102667614B1 (ko) * | 2017-09-22 | 2024-05-22 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | Ⅲ족 질화물 단결정 기판 |
| JP6727186B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-07-22 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| TW201933625A (zh) * | 2018-01-19 | 2019-08-16 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
| CN111886368B (zh) * | 2018-03-29 | 2022-07-26 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物层、自立基板、功能元件以及13族元素氮化物层的制造方法 |
| JP7244745B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、及び、光学装置 |
| JP7614602B2 (ja) | 2019-10-31 | 2025-01-16 | 東ソー株式会社 | 積層膜構造体及びその製造方法 |
| KR20220092518A (ko) * | 2019-10-31 | 2022-07-01 | 도소 가부시키가이샤 | 적층막 구조체 및 그 제조 방법 |
| CN111029447A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-17 | 晶能光电（江西）有限公司 | 用于Micro-Led的蓝宝石平面外延片及其生长方法 |
| KR20210086805A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
| CN117637442B (zh) * | 2023-12-08 | 2024-09-13 | 松山湖材料实验室 | 超薄氮化铝单晶复合衬底及其制备方法和紫外发光器件 |
| CN118471822A (zh) * | 2024-07-11 | 2024-08-09 | 西安电子科技大学杭州研究院 | 一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021789A (ja) * | 1997-08-29 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
| JP2000323417A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP2001156403A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード |
| JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
| JP2002305356A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| JP2003252700A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体 |
| WO2008081717A1 (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Showa Denko K.K. | Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6015979A (en) | 1997-08-29 | 2000-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same |
-
2008
- 2008-08-06 JP JP2008203429A patent/JP2010040867A/ja active Pending
-
2009
- 2009-07-30 WO PCT/JP2009/063902 patent/WO2010016532A1/ja active Application Filing
- 2009-07-30 US US13/057,696 patent/US8211727B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-11 US US13/493,972 patent/US8471266B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021789A (ja) * | 1997-08-29 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
| JP2000323417A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP2001156403A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード |
| JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
| JP2002305356A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| JP2003252700A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体 |
| WO2008081717A1 (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Showa Denko K.K. | Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5399552B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-01-29 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体発光素子および発光装置 |
| US8647904B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing nitride semiconductor device, nitride semiconductor light-emitting device, and light-emitting apparatus |
| TWI502770B (zh) * | 2010-03-01 | 2015-10-01 | Sharp Kk | A method for manufacturing a nitride semiconductor device, a nitride semiconductor light emitting device, and a light emitting device |
| WO2011108422A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体発光素子および発光装置 |
| JP2012079720A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| US8765509B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-07-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device |
| JP2012104564A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、ランプ |
| JPWO2014021259A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-07-21 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子構造体とその製造方法 |
| WO2014021259A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子構造体とその製造方法 |
| JP2016072388A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| US9515219B2 (en) | 2014-11-18 | 2016-12-06 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device and method for producing the same |
| US9865774B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-01-09 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device and method for producing the same |
| US10164151B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-12-25 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device and method for producing the same |
| US10510927B2 (en) | 2014-11-18 | 2019-12-17 | Nichia Corporation | Method for producing nitride semiconductor device |
| WO2020039904A1 (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子 |
| JPWO2020039904A1 (ja) * | 2018-08-24 | 2021-08-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子 |
| JP7355740B2 (ja) | 2018-08-24 | 2023-10-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010016532A1 (ja) | 2010-02-11 |
| US20120248457A1 (en) | 2012-10-04 |
| US8471266B2 (en) | 2013-06-25 |
| US20110147763A1 (en) | 2011-06-23 |
| US8211727B2 (en) | 2012-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8211727B2 (en) | Group III nitride semiconductor multilayer structure and production method thereof | |
| JP2009283785A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 | |
| US8309982B2 (en) | Group-III nitride semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and lamp | |
| JP5812166B2 (ja) | 窒化物半導体の結晶成長方法 | |
| JP5453780B2 (ja) | 窒化物半導体 | |
| KR101074178B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법, 및 ⅲ족 질화물 화합물 반도체 발광 소자, 및 램프 | |
| WO2009066464A9 (ja) | 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法 | |
| EP2071053B1 (en) | Filming method for iii-group nitride semiconductor laminated structure | |
| KR20080098550A (ko) | Ⅲ족 질화물 화합물 반도체 적층 구조체 | |
| JP2010073760A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 | |
| JP2007103774A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 | |
| JP2011103472A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体 | |
| JP4974635B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法 | |
| JP2009283895A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体 | |
| JP2010021439A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 | |
| JP2008115463A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体の積層構造及びその製造方法と半導体発光素子とランプ | |
| US20070034144A1 (en) | Oxide crystal growth apparatus and fabrication method using the same | |
| JP2009161434A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体結晶 | |
| JP4612403B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板の製造方法 | |
| JP2008098245A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法 | |
| JP2020061510A (ja) | 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子および半導体素子製造方法 | |
| JP5682716B2 (ja) | 窒化物半導体 | |
| JP2013193918A (ja) | 窒化ガリウム結晶自立基板及びその製造方法 | |
| JP2980379B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JP2008177523A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110511 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130409 |