JP2010020168A - 現像装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】現像ローラ106は、ゴム状弾性体からなる基層と、SiOx薄膜からなる表層とにより構成され、電源Vbは、規制ブレード105にAC電圧を印加するものであって、現像ローラ106の表面粗さをRa、規制ブレード105に印加される電圧のうち、トナー101の帯電極性側の最大の電圧をVb_H、最小の電圧をVb_Lとし、現像ローラ106の回転速度をv[m/sec]、Vb_Lの印加時間をTl[sec]とした場合、
0.05≦Ra≦0.2、
|Vdev−Vb_L|≦|Vdev−Vb_H|、
100V≦|Vb_H−Vb_L|≦|Vb_H−Vb_dev|≦500V、
30×10−6/v≦Tl≦120×10−6/v
を満たす。
【選択図】図1
Description
現像剤と、
前記現像剤を担持する現像剤担持体と、
導電性材料により構成され、前記現像剤担持体上の前記現像剤を規制する現像剤規制部材と、
前記現像剤規制部材にバイアスを印加する規制バイアス印加手段と、
前記現像剤担持体にバイアスVdevを印加する現像バイアス印加手段と、
を有する非磁性一成分現像方式の現像装置において、
前記現像剤担持体は、ゴム状弾性体からなる基層と、SiOx薄膜からなる表層とにより構成され、
前記規制バイアス印加手段は、前記現像剤規制部材にAC電圧を印加するものであって、
前記現像剤担持体の表面粗さをRaとし、
前記規制バイアス印加手段により前記現像剤規制部材に印加される電圧のうち、前記現像剤の帯電極性側の最大の電圧をVb_H、最小の電圧をVb_Lとし、
前記現像剤担持体の回転速度をv[m/sec]、前記規制バイアス印加手段により前記現像剤規制部材に印加される前記最小の電圧Vb_Lの印加時間をTl[sec]とした場合に、
0.05≦Ra≦0.2、
|Vdev−Vb_L|≦|Vdev−Vb_H|、
100V≦|Vb_H−Vb_L|≦|Vb_H−Vb_dev|≦500V、
かつ、
30×10−6/v≦Tl≦120×10−6/v
を満たすことを特徴とする。
図2は、本発明の実施形態の画像形成装置1の概略断面図である。本実施形態では、画像形成装置の一例として電子写真技術を用いたプリンタについて説明する。
図2に示すプロセスカートリッジ2は、現像装置100、感光ドラム4、帯電ローラ3、クリーニングブレード9で構成されている。
図1は、本実施形態における、非磁性一成分現像方式の現像装置の概略断面図である。
規制部材としての規制ブレード105と、現像剤担持体としての現像ローラ106とがある。
以下に、本実施形態に適用可能なトナー101について説明する。
(1)熱可塑性樹脂(結着剤)・・・スチレンアクリル重合体、ポリスチレン、ポリエステル、ポリビニルブラチール、ポリアミド樹脂、ポリエチレン、エポキシ樹脂など。あるいは、上記の混合物。
(2)顔料(着色剤)・・・黒はカーボンブラックなど、イエローならベンジン誘導体など、マゼンタならローダミンBレーキなど、シアンなら銅フタロシアニン、スルホンアミド誘導体など。
(3)荷電制御剤・・・ネガ性トナーの場合は、電子受容性の有機錯体、塩素化パラフィン、塩素化ポリエステル、塩基過剰のポリエステル、塩素化銅フタロシアニンなど。また、ポジ性トナーの場合は、ニグロシン系の電子供与性染料、アルコキシル化アミン、アルキルアミド、キレート、顔料、4級アンモニウム塩など。
(4)充填剤・・・炭酸カルシウム、クレー、タルク、顔料など。
外添剤・・・シリカ(疎水性、コロイダルなど)、金属酸化物(酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫)、金属錯体、荷電制御剤、など。
メータである。まず、株式会社日立製作所製FE−SEM(S−800)を用い、倍率500倍に拡大したトナー像を100個無作為抽出する。そして、その画像情報をインターフェースを介してニコレ社製画像解析装置(Luzex3)に導入して解析を行い、次式より算出して得られた値によって係数SF−1及びSF−2が定義される。
SF−1={(MXLNG)2/AREA}×(π/4)×100
SF−2={(PERI)2/AREA}×(1/4π)×100
AREA:トナー投影面積
MXLNG:絶対最大長
PERI:周長
以下に、本実施形態に適用可能な規制ブレード105について説明する。
以下に、本実施形態に適用可能な供給ローラ104について説明する。
以下に、本実施形態の現像ローラ106について説明する。
接触現像方式の場合は、感光ドラムとの当接具合に応じて硬度を調節する必要がある。
以下に、本実施形態の作用について、図3を用いて説明する。
ップ)の拡大概略図であって、ニップ部における変動バイアスがトナーに作用している様子を示す概略断面図である。図3(a)が通常の規制ブレード105によるトナーコーティングであるのに対し、図3(b)では瞬間的に規制ブレードバイアスを変動させたためにトナー101がニップ部入り口で詰まり、現像ローラ表面と規制ブレード表面が直接擦れている様子を表している。尚、図3(a),(b)に示す矢印は、現像ローラ106の回転方向を表している。
以下に、後述の実施例と比較例との差異を検証するための実験例について説明する。
(試験荷重)/(試験荷重下での圧子の表面積)[N/mm2]
として求められる。
と、次のような問題が確認できたためである。すなわち、現像装置にセッティングした時点でゴム弾性体の柔軟な変形に追従できずにひび割れやはがれが生じてしまうことが確認できたためである。また、一方、0.05μm以下だと、均一なコートが難しくなるため、基層からのオイル成分の染み出しなどの問題も発生しやすくなるためである。ここで、SiOx膜においては、組成比(O/Si)が1.00以上、1.95以下で、且つ、組成比(C/Si)が0.05以上、1.00以下であり、膜厚が、0.05μm以上5μm以下であることが好ましい。
|Vb_H−Vb_dev|≦500V
の関係を満たすことで、放電跡の発生を防止することができる。
0.05≦Ra≦0.2
と設定することで、大きな問題の発生を防止することができる。
|Vb_H−Vb_L|≦|Vb_H−Vb_dev|
の関係を満たすことで、ガサツキの発生を防止することができる。
|Vdev−Vb_L|≦|Vdev−Vb_H|、
及び、
100V≦|Vb_H−Vb_L|
の関係が成立していることがわかる。
0.05≦Ra≦0.2
100V≦|Vb_H−Vb_L|≦|Vb_H−Vb_dev|≦500V
|Vb_H−Vb_L|≦|Vb_H−Vb_dev|
の関係を満たす場合に、問題の発生を防止できることがわかる。
表4は、実施例及び比較例の現像ローラ構成、規制ブレード105のバイアス、周波数などを表したものである。実施例及び比較例においても、実験例と同様の画像評価を行い、その結果概要を画像評価の欄に表している。規制ブレード105に印加しているバイアスも実験例と同様に、DUTY50%のACバイアスである。規制ブレードバイアスの最小電位Vb_Lの印加時間を周波数より換算したものも表中に示してある。
0.00025≦Tl[sec]≦0.001
であると考えられる。これは、印加時間Tlの間に現像ローラ表面がブレードに対して進む長さに換算すると、
30×10−6≦(Tl×v(=120×10−3))[m]≦120×10−6
と表現できる。
30×10−6≦(Tl×v)[m]≦120×10−6
が満たされていれば良い。
30×10−6/v≦Tl[sec]≦120×10−6/v
の式によって決めることができる。
実施例1〜5においては、現像ローラの表面粗さ、バイアスの電位設定、バイアスの周波数が適正なため、画像評価において良好な結果となった。これは、バイアスの変動によってできた現像ローラ表面のトナーコーティングの空白領域において、硬質で適度な粗さを持ったSiOx薄膜の現像ローラ表面が規制ブレード表面と擦れたため、規制ブレード表面の付着物を押し流すことができたからと考えられる。
100V≦|Vb_H−Vb_L|≦|Vb_H−Vb_dev|≦500V、
30×10−6/v≦Tl[sec]≦120×10−6/v
の関係を満足するように設定することで、良好な画像が得られることがわかる。
100 現像装置
101 トナー
104 供給ローラ
105 規制ブレード
106 現像ローラ
Claims (3)
- 現像剤と、
前記現像剤を担持する現像剤担持体と、
導電性材料により構成され、前記現像剤担持体上の前記現像剤を規制する現像剤規制部材と、
前記現像剤規制部材にバイアスを印加する規制バイアス印加手段と、
前記現像剤担持体にバイアスVdevを印加する現像バイアス印加手段と、
を有する非磁性一成分現像方式の現像装置において、
前記現像剤担持体は、ゴム状弾性体からなる基層と、SiOx薄膜からなる表層とにより構成され、
前記規制バイアス印加手段は、前記現像剤規制部材にAC電圧を印加するものであって、
前記現像剤担持体の表面粗さをRaとし、
前記規制バイアス印加手段により前記現像剤規制部材に印加される電圧のうち、前記現像剤の帯電極性側の最大の電圧をVb_H、最小の電圧をVb_Lとし、
前記現像剤担持体の回転速度をv[m/sec]、前記規制バイアス印加手段により前記現像剤規制部材に印加される前記最小の電圧Vb_Lの印加時間をTl[sec]とした場合に、
0.05≦Ra≦0.2、
|Vdev−Vb_L|≦|Vdev−Vb_H|、
100V≦|Vb_H−Vb_L|≦|Vb_H−Vb_dev|≦500V、
かつ、
30×10−6/v≦Tl≦120×10−6/v
を満たすことを特徴とする現像装置。 - 請求項1に記載の現像装置を備え、画像形成装置に着脱可能に設けられることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 像担持体と、
前記像担持体に現像作用を行う請求項1に記載の現像装置と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
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