JP2009528277A - フッ素化されたリレンテトラカルボン酸誘導体及びそれらの使用 - Google Patents

Abstract

本発明は、フッ素化されたリレンテトラカルボン酸誘導体、その製造方法並びに前記誘導体を、特にｎ型の半導体として用いる使用に関する。

Description

本発明は、フッ素化されたリレンテトラカルボン酸誘導体、その製造方法並びに前記誘導体を、特にｎ型の有機半導体として用いる使用に関する。

将来、電子工学産業の多くの範囲において、古典的な無機半導体の他に、低分子もしくは高分子の材料を基礎とする有機半導体もその使用が増すことが期待される。前記の有機半導体は、古典的な無機半導体に対して、例えばより良好な基板適合性及びそれを基礎とする半導体素子のより良好な加工性という多くの利点を有する。該材料は、フレキシブルな基板上への加工を可能にし、かつその限界軌道エネルギーを、分子モデリングの方法によってそれぞれの使用分野に厳密に適合させることを可能にする。係る素子の明らかに削減された費用は、有機エレクトロニクスの研究分野に復活をもたらした。"有機エレクトロニクス"は、有機半導体層を基礎とする電子素子を製造するための新規材料と作製方法の開発に重点的に取り組んでいる。これには、とりわけ有機電界効果トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ、ＯＦＥＴ）並びに有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｓ、ＯＬＥＤ；例えばディスプレイでの使用のため）及び光電池が該当する。有機電界効果トランジスタは、例えば記憶素子及び集積型光電子装置において、大きな開発の将来性があると見なされる。従って、有機半導体、特にｎ型の半導体として適した、特に有機電界効果トランジスタで使用するのに適した有機化合物に高い要求がある。

ＤＥ−Ａ−３２３５５２６号は、ペリレン骨格がアルコキシ基もしくはアルキルチオ基並びに塩素もしくは臭素で置換されているペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸ジイミド、その製造方法並びにそれらの集光プラスチックにおける使用に関する。前記文献の非発明実施例１１ではフッ素化されたＮ，Ｎ−ビスイソオクチルペリルイミドは確かに実験式Ｃ₄₀Ｈ₃₇Ｎ₂Ｏ₄ＣｌＦ₄で指示されて説明されているが、係る化合物を有機半導体として使用することは開示されていない。

ＤＥ−Ａ−１９５４７２０９号は、１，７−ジアリールオキシ置換もしくは１，７−ジアリールチオ置換されたペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸並びにそれらの二無水物及びジイミドに関する。その製造のために、１，７−ジブロモペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸ジイミドが中間生成物として使用される。フッ素で置換されたペリレンテトラカルボン酸誘導体は、前記文献には記載されていない。

ＵＳ５，９８６，０９９号（ＷＯ９６／２２３３２号）は、置換されたクアテリレンテトラカルボン酸ジイミドを記載しており、そこでは、芳香族基本骨格は１２個までの置換基を有してよく、その際、とりわけハロゲン置換基であってよい。フッ素化されたクアテリレンテトラカルボン酸ジイミドは、記載されていない。

ＵＳ２００５／０２２２４１６号Ａ１（ＷＯ０３／１０４２３２号）は、１，６，９，１４−四置換されたテリレンテトラカルボン酸ジイミドを記載している。芳香族基本骨格でフッ素化された化合物は、また前記文献には記載されていない。

ＤＥ−Ａ−１０１４８１７２号は、芳香族核上に電子供与性置換基を有する蛍光性のナフタリン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ビスイミドを記載している。

ＵＳ２００３／０１８１７２１号Ａ１は、１位、６位、７位及び／又は１２位で置換されていてよい、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸ジイミドを記載している。フッ素化された化合物は、前記文献には記載されていない。

Ｍ．Ｊ．Ａｈｒｅｎｓ、Ｍ．Ｊ．Ｆｕｅｌｌｅｒ及びＭ．Ｒ．Ｗａｓｉｅｌｅｗｓｋｉは、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００３，１５，第２６８４〜２６８６において、シアノ置換されたペリレン−３，４−ジカルボキシイミド及びペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）を記載している。

Ｂ．Ａ．Ｊｏｎｅｓ他は、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．２００４，１１６，６５２３〜６５２６頁において、ジシアノペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）をｎ型半導体として用いる使用を記載している。

ＵＳ２００５／０１７６９７０号Ａ１は、シアノ置換されたペリレン−３，４−ジカルボキシイミド及びペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）を基礎とするｎ型半導体を記載している。

未公表のドイツ国特許出願１０２００５０６１９９７．５号は、Ｂｒ、Ｆ及び／又はＣＮで置換されたナフタレンテトラカルボン酸誘導体及び前記誘導体を、例えば有機電界効果トランジスタにおいて用いる使用を記載している。

本発明の課題は、半導体として適した、例えば有機電界効果トランジスタで使用するために適した新規化合物を提供することである。好ましくは、空気安定性の化合物であることが望ましい。

前記課題は、一般式Ｉ

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
場合により、他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、無関係にＣｌ及びＢｒから選択される置換基を表し、かつ他の基は、水素を表し、
Ｙ¹は、ＯもしくはＮＲ^aを表し、その際、Ｒ^aは、水素もしくはオルガニル基を表し、
Ｙ²は、ＯもしくはＮＲ^bを表し、その際、Ｒ^bは、水素もしくはオルガニル基を表し、
Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、Ｏを表し、
その際、Ｙ¹がＮＲ^aを表す場合については、基Ｚ¹及びＺ²の１つはＮＲ^cを表してもよく、その際、基Ｒ^a及びＲ^cは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表し、かつ
その際、Ｙ²がＮＲ^bを表す場合については、基Ｚ³及びＺ⁴の１つはＮＲ^dを表してもよく、その際、基Ｒ^b及びＲ^dは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］で示される化合物を、半導体として、特にｎ型半導体として、有機エレクトロニクスにおいて、特に有機電界効果トランジスタ、太陽電池及び有機発光ダイオードのために用いる使用によって解決される。

本発明の更なる対象は、一般式Ｉの化合物を、光学ラベルのために、製品の不可視標識のために、蛍光色素として、生体分子用の蛍光ラベルとして、及び顔料として用いる使用である。

本発明の更なる対象は、式Ｉで示される化合物であって、その式中、ｎが２を表し、Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つがフッ素を表し、かつ他の少なくとも１つが塩素を表すものを除く化合物である。本発明による化合物は、特に、クロロ−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビスイソオクチルペリルイミドではない。

式Ｉの化合物において、ｎは、本発明によるリレン化合物の基本骨格を成すペリ位で結合されたナフタレン単位の数を指す。個々の基Ｒⁿ¹〜Ｒⁿ⁴において、ｎは、それらの基が結合されているリレン骨格のそれぞれのナフタレン基を指している。異なるナフタレン基に結合されている基Ｒⁿ¹〜Ｒⁿ⁴は、それぞれ同一もしくは異なる意味を有してよい。従って、一般式Ｉの化合物は、以下の式で示されるペリレン、テリレンもしくはクアテリレンであってよい：

より高級の同族体（ｎ＝５，６）も同様に形成される。

本発明の範囲内で、表現"アルキル"は、直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキルを含む。好ましくは、直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₃₀−アルキル、特にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、殊に好ましくはＣ₁〜Ｃ₁₂−アルキルである。アルキル基のための例は、特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシルである。

アルキルという表現は、アルキル基であって、その炭素鎖が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^e−、−ＣＯ−、−ＳＯ−及び／又は−ＳＯ₂−から選択される１つ以上の隣接していない基によって中断されていてよい基も含む。Ｒ^eは、好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す。アルキルという表現は、また置換されたアルキル基も含む。置換されたアルキル基は、アルキル鎖の長さに応じて、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい。前記置換基は、好ましくは互いに無関係に、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、チオール、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ¹Ｅ²、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ¹及びＥ²は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールを表す。ハロゲン置換基は、好ましくは、フッ素、塩素もしくは臭素である。

カルボキシレート及びスルホネートは、カルボン酸官能もしくはスルホン酸官能の誘導体、特に金属カルボキシレートもしくは金属スルホネート、カルボン酸エステル官能もしくはスルホン酸エステル官能又はカルボン酸アミド官能もしくはスルホン酸アミド官能を表す。アルキル基のシクロアルキル置換基、ヘテロシクロアルキル置換基、アリール置換基及びヘタリール置換基は、それ自体が非置換もしくは置換されていてよい；好適な置換基は、これらの基について以下に挙げるものである。

上述のアルキルについての態様は、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル中のアルキル部についても当てはまる。

アリールによって置換されたアルキル基（"アリールアルキル"）は、少なくとも１つの、以下に定義されるような、非置換もしくは置換されたアリール基を有する。その際、"アリールアルキル"中のアルキル基は、少なくとも１つの他の置換基を有してよく、かつ／又は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^e−、−ＣＯ−及び／又は−ＳＯ₂−から選択される１つ以上の隣接していない基によって中断されていてよい。アリールアルキルは、好ましくは、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、特に好ましくはフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル、例えばベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−フェンプロピ−１−イル、２−フェンプロピ−１−イル、３−フェンプロピ−１−イル、１−フェンブチ−１−イル、２−フェンブチ−１−イル、３−フェンブチ−１−イル、４−フェンブチ−１−イル、１−フェンブチ−２−イル、２−フェンブチ−２−イル、３−フェンブチ−２−イル、４−フェンブチ−２−イル、１−（フェンメタ）−エチ−１−イル、１−（フェンメチル）−１−（メチル）−エチ−１−イル又は−（フェンメチル）−１−（メチル）−プロピ−１−イルを表す；好ましくはベンジル及び２−フェネチルを表す。

表現"アルケニル"は、本発明の範囲においては、直鎖状及び分枝鎖状のアルケニル基であって、鎖長に応じて、１つ以上の二重結合（例えば１、２、３、４もしくは４より多く）を有してよい基を含む。好ましくは、Ｃ₂〜Ｃ₁₈−アルケニル基であり、特に好ましくはＣ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル基である。表現"アルケニル"は、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい、置換されたアルケニル基をも含む。好適な置換基は、例えばシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、チオール、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ³Ｅ⁴、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ³及びＥ⁴は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールを表す。

アルケニルは、その際、例えば、エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、ペンタ−１，３−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，４−ジエン−６−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−１−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−３−イル、ヘキサ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−６−イル、ヘプタ−１，４−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，５−ジエン−７−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−１−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−３−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−４−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−５−イル、ヘプタ−１，６−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−１−イル、オクタ−１，４−ジエン−２−イル、オクタ−１，４−ジエン−３−イル、オクタ−１，４−ジエン−６−イル、オクタ−１，４−ジエン−７−イル、オクタ−１，５−ジエン−１−イル、オクタ−１，５−ジエン−３−イル、オクタ−１，５−ジエン−４−イル、オクタ−１，５−ジエン−７−イル、オクタ−１，６−ジエン−１−イル、オクタ−１，６−ジエン−３−イル、オクタ−１，６−ジエン−４−イル、オクタ−１，６−ジエン−５−イル、オクタ−１，６−ジエン−２−イル、デカ−１，４−ジエニル、デカ−１，５−ジエニル、デカ−１，６−ジエニル、デカ−１，７−ジエニル、デカ−１，８−ジエニル、デカ−２，５−ジエニル、デカ−２，６−ジエニル、デカ−２，７−ジエニル、デカ−２，８−ジエニルなどを表す。前記のアルケニルについての態様は、アルケニルオキシ、アルケニルチオなど中のアルケニル基についても当てはまる。

表現"アルキニル"は、非置換もしくは置換されたアルキニル基であって、１つ以上の隣接していない三重結合を有する基、例えばエチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、３−ヘキシニル、４−ヘキシニル、５−ヘキシニルなどを含む。前記のアルキニルについての態様は、アルキニルオキシ、アルキニルチオなど中のアルキニル基についても当てはまる。置換されたアルキニルは、好ましくは、アルキルについて上述した置換基１つ以上（例えば、１、２、３、４、５もしくは５より多く）を有する。

表現"シクロアルキル"は、本発明の範囲においては、非置換のシクロアルキル基も、置換されたシクロアルキル基も含み、好ましくは、Ｃ₃〜Ｃ₈−シクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルもしくはシクロオクチル、特にＣ₅〜Ｃ₈−シクロアルキルを含む。置換されたシクロアルキル基は、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい。これらは、好ましくは互いに無関係に、アルキル並びにアルキル基について上述した置換基から選択される。前記シクロアルキル基は、置換されている場合には、好ましくは、１つ以上の、例えば、１、２、３、４もしくは５つのＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基を有する。

好ましいシクロアルキル基のための例は、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル、３−、４−及び５−プロピルシクロオクチルである。

シクロアルケニルという表現は、非置換もしくは置換された一不飽和の、３〜８個の炭素環員、有利には５〜６個の炭素環員を有する炭化水素基、例えばシクロペンテン−１−イル、シクロペンテン−３−イル、シクロヘキセン−１−イル、シクロヘキセン−３−イル、シクロヘキセン−４−イルなどを含む。好適な置換基は、シクロアルキルについて上述したものである。

ビシクロアルキルという表現は、好ましくは、５〜１０個の炭素原子を有する二環式の炭化水素基、例えばビシクロ［２．２．１］へプチ−１−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−２−イル、ビシクロ［２．２．１］へプチ−７−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクチ−２−イル、ビシクロ［３．３．０］オクチル、ビシクロ［４．４．０］デシルなどを含む。

表現"アリール"は、本発明の範囲においては、単核もしくは多核の芳香族炭化水素基であって、非置換もしくは置換されていてよい基を含む。アリールは、好ましくは、非置換もしくは置換されたフェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニルなど、特に好ましくはフェニルもしくはナフチルを表す。置換されたアリールは、その環系の数と寸法に応じて、１つ以上の（例えば１、２、３、４、５もしくは５より多くの）置換基を有してよい。前記置換基は、好ましくは互いに無関係に、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、ハロゲン、ヒドロキシ、チオール、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ⁵Ｅ⁶、ニトロ及びシアノから選択され、その際、Ｅ⁵及びＥ⁶は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘタリールを表す。ハロゲン置換基は、好ましくは、フッ素、塩素もしくは臭素である。特に好ましくは、アリールは、フェニルを表し、フェニルは置換されている場合には、一般に１、２、３、４もしくは５個の、好ましくは１、２もしくは３個の置換基を有してよい。

１つ以上の基を有するアリールは、例えば、２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル、２−、３−及び４−ｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニルを表す。

表現"ヘテロシクロアルキル"は、本発明の範囲においては、一般に５〜８個の環原子、有利には５もしくは６個の環原子を有する、非芳香族の、不飽和もしくは完全に飽和の、脂環式の基であって、その環炭素原子の１、２もしくは３つが、酸素、窒素、硫黄及び基−ＮＲ^eから選択されるヘテロ原子によって交換されており、かつ非置換であるか、もしくは１つ以上の、例えば１、２、３、４、５もしくは６個のＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基で置換されていてよい基を含む。係る複素脂環式の基のための例としては、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリジニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエン−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラニル、１，２−オキサゾリン−５−イル、１，３−オキサゾリン−２−イル及びジオキサニルが挙げられる。

表現"ヘテロアリール"は、本発明の範囲においては、非置換又は置換の、複素芳香族の、単核もしくは多核の基、有利にはピリジル、キノリニル、アクリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、インドリル、プリニル、インダゾリル、ベンゾトリアゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，３，４−トリアゾリル及びカルバゾリルを含み、その際、前記の複素環式芳香族基は、置換されている場合には、一般に１、２もしくは３個の置換基を有してよい。前記の置換基は、好ましくはＣ₁〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルコキシ、ヒドロキシ、カルボキシ、ハロゲン及びシアノから選択される。

窒素含有の５員ないし７員のヘテロシクロアルキル基もしくはヘテロアリール基であって、場合により酸素及び窒素から選択される他のヘテロ原子を有する基は、例えばピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、トリアゾリル、ピロリジニル、ピラゾリニル、ピラゾリジニル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、インドリル、キノリニル、イソキノリニル又はキナルジニルを含む。

ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素を表す。

以下の式において挙げられる基Ｒ^a及びＲ^bのための具体的な例は、詳細には以下のとおりである：
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル及びｎ−エイコシル、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−ブトキシエチル、３−メトキシプロピル、３−エトキシプロピル、３−プロポキシプロピル、３−ブトキシプロピル、４−メトキシブチル、４−エトキシブチル、４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；
２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、３−メチルチオプロピル、３−エチルチオプロピル、３−プロピルチオプロピル、３−ブチルチオプロピル、４−メチルチオブチル、４−エチルチオブチル、４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジチアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，９−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；
２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチルアミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジアザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；
（１−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（１−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（１−エチルエチリデン）アミノドデシレン；
プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；
２−メチルスルフィニルエチル、２−エチルスルフィニルエチル、２−プロピルスルフィニルエチル、２−イソプロピルスルフィニルエチル、２−ブチルスルフィニルエチル、２−及び３−メチルスルフィニルプロピル、２−及び３−エチルスルフィニルプロピル、２−及び３−プロピルスルフィニルプロピル、２−及び３−ブチルスルフィニルプロピル、２−及び４−メチルスルフィニルブチル、２−及び４−エチルスルフィニルブチル、２−及び４−プロピルスルフィニルブチル及び４−ブチルスルフィニルブチル；
２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル及び４−ブチルスルホニルブチル；
カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル及び１４−カルボキシテトラデシル；
スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル及び１４−スルホテトラデシル；
２−ヒドロキシエチル、２−及び３−ヒドロキシプロピル、３−及び４−ヒドロキシブチル及び８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；
２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−及び４−シアノブチル；
２−クロロエチル、２−及び３−クロロプロピル、２−、３−及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−及び３−ブロモプロピル及び２−、３−及び４−ブロモブチル；
２−ニトロエチル、２−及び３−ニトロプロピル及び２−、３−及び４−ニトロブチル；
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ及びヘキソキシ；
メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ及びヘキシルチオ；
エチニル、１−及び２−プロピニル、１−、２−及び３−ブチニル、１−、２−、３−及び４−ペンチニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デシニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデシニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデシニル；
エテニル、１−及び２−プロペニル、１−、２−及び３−ブテニル、１−、２−、３−及び４−ペンテニル、１−、２−、３−、４−及び５−ヘキセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−及び９−デセニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−及び１１−ドデセニル及び１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−、９−、１０−、１１−、１２−、１３−、１４−、１５−、１６−及び１７−オクタデセニル；
メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ及びジベンジルアミノ；
ホルミルアミノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ及びベンゾイルアミノ；
カルバモイル、メチルアミノカルボニル、エチルアミノカルボニル、プロピルアミノカルボニル、ブチルアミノカルボニル、ペンチルアミノカルボニル、ヘキシルアミノカルボニル、ヘプチルアミノカルボニル、オクチルアミノカルボニル、ノニルアミノカルボニル、デシルアミノカルボニル及びフェニルアミノカルボニル；
アミノスルホニル、Ｎ−ドデシルアミノスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスルホニル及びＮ，Ｎ−ビス（４−クロロフェニル）アミノスルホニル；
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、（４−ｔ−ブチルフェノキシ）カルボニル及び（４−クロロフェノキシ）カルボニル；
メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、プロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、ヘキソキシスルホニル、ドデシルオキシスルホニル、オクタデシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、１−及び２−ナフチルオキシスルホニル、（４−ｔ−ブチルフェノキシ）スルホニル及び（４−クロロフェノキシ）スルホニル；
ジフェニルホスフィノ、ジ（ｏ−トリル）ホスフィノ及びジフェニルホスフィンオキシド；
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素；
フェニルアゾ、２−ナフチルアゾ、２−ピリジルアゾ及び２−ピリミジルアゾ；
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、シクロヘキシル、２−、３−及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−及び４−エチルシクロヘキシル、３−及び４−プロピルシクロヘキシル、３−及び４−イソプロピルシクロヘキシル、３−及び４−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘキシル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、２−、３−及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−及び４−エチルシクロヘプチル、３−及び４−プロピルシクロヘプチル、３−及び４−イソプロピルシクロヘプチル、３−及び４−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｓ−ブチルシクロヘプチル、３−及び４−ｔ−ブチルシクロヘプチル、シクロオクチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−及び５−エチルシクロオクチル及び３−、４−及び５−プロピルシクロオクチル；３−及び４−ヒドロキシシクロヘキシル、３−及び４−ニトロシクロヘキシル及び３−及び４−クロロシクロヘキシル；
１−、２−及び３−シクロペンテニル、１−、２−、３−及び４−シクロヘキセニル、１−、２−及び３−シクロヘプテニル及び１−、２−、３−及び４−シクロオクテニル；
２−ジオキサニル、１−モルホリニル、１−チオモルホリニル、２−及び３−テトラヒドロフリル、１−、２−及び３−ピロリジニル、１−ピペラジル、１−ジケトピペラジル及び１−、２−、３−及び４−ピペリジル；
フェニル、２−ナフチル、２−及び３−ピリル、２−、３−及び４−ピリジル、２−、４−及び５−ピリミジル、３−、４−及び５−ピラゾリル、２−、４−及び５−イミダゾリル、２−、４−及び５−チアゾリル、３−（１，２，４−トリアジル）、２−（１，３，５−トリアジル）、６−キナルジル、３−、５−、６−及び８−キノリニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−ベンゾチアゾリル、５−ベンゾチアジアゾリル、２−及び５−ベンゾイミダゾリル及び１−及び５−イソキノリル；
１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−インドリル、１−、２−、３−、４−、５−、６−及び７−イソインドリル、５−（４−メチルイソインドリル）、５−（４−フェニルイソインドリル）、１−、２−、４−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、３−（５−フェニル）−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、５−（３−ドデシル−（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル）、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−（１，２，３，４−テトラヒドロキノリニル）及び２−、３−、４−、５−、６−、７−及び８−クロマニル、２−、４−及び７−キノリニル、２−（４−フェニルキノリニル）及び２−（５−エチルキノリニル）；
２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−及び４−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−及び４−イソブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−及び４−ｓ−ブチルフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジ−ｓ−ブチルフェニル及び２，４，６−トリ−ｓ−ブチルフェニル；２−、３−及び４−メトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−及び４−エトキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−及び４−プロポキシフェニル、２，４−、３，５−及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−及び２，６−ジイソプロポキシフェニル及び２−、３−及び４−ブトキシフェニル；２−、３−及び４−クロロフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジクロロフェニル；２−、３−及び４−ヒドロキシフェニル及び２，４−、３，５−及び２，６−ジヒドロフェニル；２−、３−及び４−シアノフェニル；３−及び４−カルボキシフェニル；３−及び４−カルボキサミドフェニル、３−及び４−Ｎ−メチルカルボキサミドフェニル及び３−及び４−Ｎ−エチルカルボキサミドフェニル；３−及び４−アセチルアミノフェニル、３−及び４−プロピオニルアミノフェニル及び３−及び４−ブチリルアミノフェニル；３−及び４−Ｎ−フェニルアミノフェニル、３−及び４−Ｎ−（ｏ−トリル）アミノフェニル、３−及び４−（ｍ−トリル）アミノフェニル及び３−及び４−（ｐ−トリル）アミノフェニル；３−及び４−（２−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（３−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（４−ピリジル）アミノフェニル、３−及び４−（２−ピリミジル）アミノフェニル及び４−（４−ピリミジル）アミノフェニル；
４−フェニルアゾフェニル、４−（１−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ナフチルアゾ）フェニル、４−（４−ナフチルアゾ）フェニル、４−（２−ピリイルアゾ）フェニル、４−（３−ピリジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリジルアゾ）フェニル、４−（２−ピリミジルアゾ）フェニル、４−（４−ピリミジルアゾ）フェニル及び４−（５−ピリミジルアゾ）フェニル；
フェノキシ、フェニルチオ、２−ナフトキシ、２−ナフチルチオ、２−、３−及び４−ピリジルオキシ、２−、３−及び４−ピリジルチオ、２−、４−及び５−ピリミジルオキシ及び２−、４−及び５−ピリミジルチオ。

好ましいフッ素含有基Ｒ^a及びＲ^bは、以下のとおりである：
２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、４，４−ジフルオロブチル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチルアミノ、１−ベンジル−２，２，２−トリフルオロエチル、２−ブロモ−２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロ−１−ピリジン−２−イルエチル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−（４−メトキシフェニル）エチルアミノ、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニルエチル、２，２−ジフルオロ−１−フェニルエチル、１−（４−ブロモ−フェニル）−２，２，２−トリフルオロエチル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピルアミン、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシル、３−（ペルフルオロオクチル）プロピル、ペンタフルオロフェニル、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、４−シアノ−（２，３，５，６）−テトラフルオロフェニル、４−カルボキシ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，５−ジフルオロフェニル、２−フルオロ−５−ニトロフェニル、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルフェニル、２−フルオロ−５−メチルフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、４−カルボキサミド−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヨードフェニル、４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、２，３，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−４，５，６−トリフルオロフェニル、４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェニル、２，３，４，５−テトラフルオロフェニル、２，４−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、２−フルオロ−４−ニトロフェニル、２−クロロ−６−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−メチルフェニル、３−クロロ−２，６−ジフルオロフェニル、２，４−ジブロモ−６−フルオロフェニル、３，５−ジクロロ−２，４−ジフルオロフェニル、４−シアノ−１−フルオロフェニル、１−クロロ−４−フルオロフェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−トリフルオロメチル−６−フルオロフェニル、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル、３−クロロ−２−フルオロフェニル、５−クロロ−２−フルオロフェニル、２−ブロモ−４−クロロ−６−フルオロフェニル、２，３−ジシアノ−４，５，６−トリフルオロフェニル、２，４，５−トリフルオロ−３−カルボキシフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−カルボキシフェニル、２，３，５−トリフルオロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、１−フルオロ−５−カルボキシフェニル、２−クロロ−４，６−ジフルオロフェニル、６−ブロモ−３−クロロ−２，４−ジフルオロフェニル、２，３，４−トリフルオロ−６−ニトロフェニル、２，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−６−ニトロフェニル、４−トリフルオロメチル−２，３−ジフルオロフェニル、２−ブロモ−４，６−ジフルオロフェニル、４−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−ニトロテトラフルオロフェニル、２，２′，３，３′，４′，５，５′，６，６′−ノナフルオロビフェニル、２−ニトロ−３，５，６−トリフルオロフェニル、２−ブロモ−６−フルオロフェニル、４−クロロ−２−フルオロ−６−ヨードフェニル、２−フルオロ−６−カルボキシフェニル、２，４−ジフルオロ−３−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−４−カルボキシフェニル、４−ブロモ−２，５−ジフルオロフェニル、２，５−ジブロモ−３，４，６−トリフルオロフェニル、２−フルオロ−５−メチルスルホニルフェニル、５−ブロモ−２−フルオロフェニル、２−フルオロ−４−ヒドロキシメチルフェニル、３−フルオロ−４−ブロモメチルフェニル、２−ニトロ−４−トリフルオロメチルフェニル、４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−６−クロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロフェニル、２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−トリフルオロメチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，３−ジフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、３−クロロ−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ブロモ−４，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、５−クロロ−２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル、２−ヨード−４−トリフルオロメチルフェニル、２−ニトロ−４，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２−メチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、３，５−ジクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，３，６−トリクロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、４−（トリフルオロメチル）ベンジル、２−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、３−クロロ−４−（トリフルオロメチル）ベンジル、４−フルオロフェネチル、３−（トリフルオロメチル）フェネチル、２−クロロ−６−フルオロフェネチル、２，６−ジクロロフェネチル、３−フルオロフェネチル、２−フルオロフェネチル、（２−トリフルオロメチル）フェネチル、４−フルオロフェネチル、３−フルオロフェネチル、４−トリフルオロメチルフェネチル、２，３−ジフルオロフェネチル、３，４−ジフルオロフェネチル、２，４−ジフルオロフェネチル、２，５−ジフルオロフェネチル、３，５−ジフルオロフェネチル、２，６−ジフルオロフェネチル、４−（４−フルオロフェニル）フェネチル、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、ペンタフルオロフェネチル、２，４−ジ（トリフルオロメチル）フェネチル、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（３−フルオロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−２−トリフルオロメチル）フェネチル、（４−フルオロ−３−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−６−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，３，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，４，６−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，４−トリフルオロ）フェネチル、（３，４，５−トリフルオロ）フェネチル、（２，３，５−トリフルオロ）フェネチル、（２−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（３−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ−５−トリフルオロメチル）フェネチル、（２−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（４−フルオロ−３−クロロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−クロロ）フェネチル、（２，３−ジフルオロ−４−メチル）フェネチル、２，６−ジフルオロ−３−クロロフェネチル、（２，６−ジフルオロ−３−メチル）フェネチル、（２−トリフルオロメチル−５−クロロ）フェネチル、（６−クロロ−２−フルオロ−５−メチル）フェネチル、（２，４−ジクロロ−５−フルオロ）フェネチル、５−クロロ−２−フルオロフェネチル、（２，５−ジフルオロ−６−クロロ）フェネチル、（２，３，４，５−テトラフルオロ）フェネチル、（２−フルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２，３−（ジフルオロ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、（２，５−ジ（トリフルオロメチル））フェネチル、２−フルオロ−３，５−ジブロモフェネチル、（３−フルオロ−４−ニトロ）フェネチル、（２−ブロモ−４−トリフルオロメチル）フェネチル、２−（ブロモ−５−フルオロ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−ブロモ）フェネチル、（２，６−ジフルオロ−４−クロロ）フェネチル、（３−クロロ−５−フルオロ）フェネチル、（２−ブロモ−５−トリフルオロメチル）フェネチルなど。

式Ｉで示され、その式中、ｎが２を表し、かつ基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１、２、３、４、５もしくは６つがフッ素を表す化合物が好ましい。

更に、式Ｉで示され、その式中、ｎが３を表し、かつ基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１、２、３もしくは４つがフッ素を表す化合物が好ましい。

式Ｉで示され、その式中、ｎが４を表し、かつ基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１、２、３、４、５もしくは６つがフッ素を表す化合物が好ましい。

リレンテトラカルボン酸二無水物を、以下に化合物Ｉ．Ａとして呼称する。リレンテトラカルボン酸ジイミドを、以下に化合物Ｉ．Ｂと呼称し、その際、化合物Ｉ．Ｂａは、付加的な架橋基Ｘを有さず、化合物Ｉ．Ｂｂは、係る付加的な架橋基Ｘを有する。

好ましいのは、式Ｉ．Ａ及びＩ．Ｂａ

［式中、
基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の１、２、３、４、５もしくは６つがフッ素を表し、場合により基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の少なくとも１つがフッ素を表さずに、無関係にＣｌ及びＢｒから選択される置換基を表し、その他の基が水素を表し、Ｒ^a及びＲ^bが互いに無関係に、上述の意味の１つを有する］の化合物である。

好ましくは、上述の式において、基Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、フッ素を表さずに、水素を表す。

特に好ましいのは、式Ｉ．Ａ及びＩ．Ｂａ

［式中、
Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素を表し、又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］の化合物である。

上述の化合物中の置換基Ｒ^a及びＲ^bの意味に関しては、冒頭で行った説明を参照されたい。

特に好ましくは、基Ｒ^a及びＲ^bの少なくとも１つは、求電子的に置換された基を表す。

特定の一実施態様においては、基Ｒ^a及びＲ^bの少なくとも１つは、フッ素で一置換もしくは多置換された基を表す。特に好ましくは、Ｒ^aもＲ^bも、フッ素で一置換もしくは多置換された基を表す。好適なフッ素化された基に関しては、同様に冒頭で行った説明を参照されたい。

更なる特定の一実施態様においては、基Ｒ^a及びＲ^bは同一である。

更なる好ましい一実施態様は、一般式Ｉ．Ｂｂ

［式中、
ｎ及びＲⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は上述の意味を有し、かつ
Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］の化合物である。

好ましくは、前記の架橋基Ｘは、該基が結合されているＮ−Ｃ＝Ｎ基と一緒になって、５員ないし８員の複素環であって、場合によりシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及び／又はヘテロアリールと一縮合、二縮合もしくは三縮合されている複素環を表し、その際、それらの縮合された基が互いに無関係にアルキル、アルコキシ、シクロアルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシ、チオール、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ¹Ｅ²、アルキレン−ＮＥ¹Ｅ³、ニトロ及びシアノから選択される１、２、３もしくは４つずつの置換基を有してよく、その際、Ｅ¹及びＥ²は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表し、かつ／又はＸは、置換されていてよいアルキル、置換されていてよいシクロアルキル及び置換されていてよいアリールから選択される１、２もしくは３個の置換基を有してよく、かつ／又はＸは、１、２もしくは３個の置換されていてよいヘテロ原子によって中断されていてよい。

好ましくは、架橋基Ｘは、式（ＩＩＩ．ａ）〜（ＩＩＩ．ｄ）

［式中、Ｒ^IV、Ｒ^V、Ｒ^VI、Ｒ^VII、Ｒ^VIII及びＲ^IXは、互いに無関係に、水素、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアリールオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、チオール、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、ＮＥ¹Ｅ²、アルキレン−ＮＥ¹Ｅ³、ニトロ、アルコキシカルボニル、アシルもしくはシアノを表し、その際、Ｅ¹及びＥ²は、互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］の群から選択される。

特定の一実施態様においては、群（ＩＩＩ．ａ）〜（ＩＩＩ．ｄ）において、基Ｒ^IV、Ｒ^V、Ｒ^VI、Ｒ^VII、Ｒ^VIII及びＲ^IXは水素を表す。

以下に、幾つかの特に好ましい本発明による化合物を示す：

一般式Ｉの本発明による化合物の製造は、同じリレン基本骨格を有するが、フッ素原子の代わりに他のハロゲン原子、例えばＢｒ及びＣｌ、特にＢｒを有する公知の化合物から出発して実施可能である。その際、特に、反応条件の選択に応じて、少なくとも１つの臭素原子を芳香族骨格上の置換基として有するリレン化合物が、ハロゲン原子のフッ素原子による完全な置換に、又はハロゲン原子のフッ素原子による部分的な置換と同時の部分的な水素の置換に供することができると判明した。

従って、本発明の更なる対象は、式Ｉ

［式中、ｎ、Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴、Ｙ¹、Ｙ²、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、上記定義の通りである］で示される化合物を、実質的に無水の条件下でアルカリフッ化物との反応に供することによって製造する方法である。

"実質的に無水の条件"とは、本発明の範囲では、反応に関与する全ての成分（出発物質、溶剤、錯形成剤など）に対して、多くとも２質量％、好ましくは多くとも１質量％、特に多くとも０．１質量％の全含水率を表す。無水の反応条件を達成するために、反応に関与する成分は、慣用の当業者に公知の方法に従って乾燥に供することができる。

規定の混合型でハロゲン化された化合物を達成するために、フッ素化の後に得られる化合物を、元素のＣｌ₂及び／又はＢｒ₂でのハロゲン化に供することが好ましいことがある。

臭素原子もしくは塩素原子のフッ素原子による芳香族求核置換（ハロゲン−脱ハロゲン化）のために適した方法条件は、原則的に公知である。ハロゲン−脱ハロゲン化のために適した条件は、例えばＪ．Ｍａｒｃｈ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４版、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ出版（１９９２），６５９頁並びにＤＥ−Ａ−３２３５５２６号に記載されている。

第一の実施態様においては、該反応は、臭素原子とフッ素原子との交換であり、場合により部分的な脱ハロゲン化を伴う。フッ素基の挿入のために、好ましくは、アルカリフッ化物、特にＫＦ、ＮａＦもしくはＣｓＦが使用される。好ましくは、１当量のリレン化合物あたりに、１〜３０当量のフッ化カリウムを使用する。

ハロゲン交換のために好ましい溶剤は、非プトロン性極性溶剤、例えばジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、（ＣＨ₃）₂ＳＯ、ジメチルスルホン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリジノン又はスルホランである。特に好ましくは、スルホランが溶剤として使用される。好ましくは、溶剤は、その使用前に、当業者に公知の慣用の方法に従って水の除去のために乾燥に供される。

ハロゲン交換のためには、更に錯形成剤、例えばクラウンエーテルを使用することができる。それには、例えば［１２］クラウン−４、［１５］クラウン−５、［１８］クラウン−６、［２１］クラウン−７、［２４］クラウン−８などが該当する。錯形成剤の選択は、ハロゲン交換のために使用されるアルカリハロゲン化物のアルカリ金属の錯化能力に応じて行われる。フッ素基の挿入のためにＫＦを使用する場合に、錯形成剤は、好ましくは［１８］クラウン−６が使用される。好ましくは、１当量のリレン化合物あたりに、０．１〜１０当量のクラウンエーテルを使用する。

更なる好適な相転移触媒は、例えば２−アザアレニウム化合物、カルボホスファゼニウム化合物、アミノホスホニウム化合物及びジホスファゼニウム化合物から選択される。Ａ．Ｐｌｅｓｃｈｋｅ、Ａ．Ｍａｒｈｏｌｄ、Ｍ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ、Ａ．Ｋｏｌｏｍｅｉｔｓｅｖ及びＧ．Ｖ．Ｒｏｅｓｃｈｅｎｔｈａｌｅｒは、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｙ １２５，２００４，１０３１−１０３８において、更なる好適な相転移触媒についての概要を示している。前記文献の開示を参照されたい。好ましい一実施態様においては、２−アザアレニウム化合物、例えば（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジウムクロリドが使用される。上述の相転移触媒の使用量は、好ましくは、使用されるリレン化合物の質量に対して、０．１〜２０質量％、有利には１〜１０質量％である。

同様に、少なくとも１つのクラウンエーテルを、少なくとも１つのそれとは異なる相転移触媒と組み合わせて使用することが可能である。

反応温度は、有利には１００〜２００℃、特に好ましくは１２０〜１６０℃である。反応時間は、好ましくは０．５〜４８時間である。

無水の非プロトン性極性溶剤中でのアルカリフッ化物との反応に際して、ハロゲン交換の他に、一般にある程度まで脱ハロゲン化が生ずることがある。その際に得られる混合物は、引き続き分離に供することができ、無水物及び有機溶剤中に難溶性のイミドの場合には、Ｈ₂ＳＯ₄からの分別結晶化による分離に供することができる。有機溶剤中により良好に可溶性の化合物は、再結晶化もしくはカラムクロマトグラフィーによって分離することができる。

アルカリフッ化物との実質的に無水の条件下での反応に際して、デヒドロフッ素化を行うことができる、すなわちその塩素原子もしくは臭素原子に加えて、芳香族水素原子もフッ素原子によって置換されることが判明した。

本発明による方法の例示される一実施態様においては、ジブロモペリレンビスイミドもしくはジブロモペリレンビスイミドからなる混合物は、以下のスキームによるハロゲン交換に供され、その際、相応のジフルオロペリレンビスイミド（Ｉ．Ｂａ）が得られる。

その際、Ｒ^a及びＲ^bは、上述の意味を有する。好ましくは、Ｒ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、例えば両者ともＣ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシルもしくはｎ−ドデシル、シクロアルキル、例えばシクロペンチルもしくはシクロヘキシル、又はアリール、例えばフェニル、２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニルなどを表す。

前記の実施態様に従ってフッ素基を導入するために、好ましくはアルカリフッ化物、特にＫＦが使用される。

好ましくは、前記の実施態様によるハロゲン交換のために、クラウンエーテルが使用され、ＫＦを使用する場合に、特に［１８］クラウン−６もしくは別の相転移触媒が使用され、好ましくは２−アザアレニウム化合物、特に（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジウムクロリド（ＣＮＣ⁺）が使用される。特に好ましくは、スルホランが溶剤として使用される。

本発明による方法の更なる例示される一実施態様においては、テトラクロロペリレンビスイミドは、以下のスキームによるハロゲン交換に供され、その際、相応のテトラフルオロペリレンビスイミド（Ｉ．Ｂａ）が得られる。

その際、Ｒ^a及びＲ^bは、上述の意味を有する。好ましくは、Ｒ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、例えば両者ともＣ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシルもしくはｎ−ドデシル、又はアリール、例えばフェニル、２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニルなどを表す。

前記の実施態様に従ってフッ素基を導入するために、好ましくはアルカリフッ化物、特にＫＦが使用される。

前記の実施態様によるハロゲン交換のために、クラウンエーテルを使用でき、ＫＦが使用される場合には、特に［１８］クラウン−６を使用できる。好ましくは、２−アザアレニウム化合物、特に（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジウムクロリド（ＣＮＣ⁺）が使用される。特に好ましくは、スルホランが溶剤として使用される。

該生成物を半導体として使用するためには、該生成物を更なる精製に供することが好ましいことがある。それには、例えばカラムクロマトグラフィー法が該当し、その際、生成物は、例えばハロゲン化された炭化水素、例えば塩化メチレン又はトルエン／もしくは石油エーテル／酢酸エステル混合物中に溶解され、そしてシリカゲル上での分離もしくは濾過に供される。更に、昇華もしくは結晶化による精製も可能である。

本発明の更なる対象は、式（Ｉ．Ｂａ）

［式中、ｎ、Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、前記の定義の通りであり、かつ
Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］で示される化合物の製造方法において、
ａ１）式ＩＩ

［式中、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴、Ｒ¹の少なくとも１つは、ＣｌもしくはＢｒを表し、ｎは、２、３もしくは４を表す］で示されるリレン二無水物を、実質的に無水の条件下で、前記のようにアルカリフッ化物との反応に供し、
ｂ１）工程ａ１）で得られた化合物を、式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンとの反応と、場合によりそれとは異なる式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する
方法である。

本発明の更なる対象は、式Ｉ．Ｂｂ

［式中、ｎ、Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、前記の定義の通りである］で示される化合物の製造方法において、
ａ２）式ＩＩ

［式中、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、ＣｌもしくはＢｒを表し、ｎは、２、３もしくは４を表す］で示されるリレン二無水物を、実質的に無水の条件下で、前記のようにアルカリフッ化物との反応に供し、
ｂ２）工程ａ）で得られた化合物を、式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する
方法である。

工程ａ１）及びａ２）
臭素原子もしくは塩素原子のフッ素原子による（並びに同様に水素原子による部分的な）芳香族求核置換のための好適な方法条件は、前記のとおりであり、ここではそれを参照されたい。

工程ｂ１）及びｂ２）
工程ｂ１）におけるイミド化のために、工程ａ１）で得られる化合物を式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンとの反応と、場合により式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する場合に、一般式（Ｉ．Ｂａ）

［式中、Ｒ^bは、Ｒ^aと同じ意味を有してもよい（イミド化のために式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンのみを使用する場合に）］で示される少なくとも１つの化合物が得られる。

工程ｂ２）におけるイミド化のために、工程ａ２）で得られる化合物を、式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂［式中、Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］のアミンとの反応に供する場合に、一般式（Ｉ．Ｂｂ）の少なくとも１つの化合物が得られる。

反応工程ｂ１）及びｂ２）におけるカルボン酸無水物基のイミド化は、原則的に公知であり、例えばＤＥ１０２００４００７３８２号Ａ１に記載されている。好ましくは、二無水物と第１級アミンとの反応は、芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレン、メシチレン、フェノールもしくは極性非プロトン性溶剤の存在下で行われる。好適な極性非プロトン性溶剤は、窒素複素環、例えばピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、キナルジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリドン及びＮ−メチルピロリドンである。式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂の芳香族ジアミンとの反応のためには、好ましくは溶剤として窒素複素環もしくはフェノールが使用される。好適な触媒は、以下に挙げられる。溶剤としてフェノールを使用する場合に、触媒として好ましくはピペラジンが使用される。

該反応は、イミド化触媒の存在下で行うことができる。イミド化触媒としては、有機酸及び無機酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸及びリン酸が適している。好適なイミド化触媒は、更に、遷移金属、例えば亜鉛、鉄、銅及びマグネシウムの有機塩及び無機塩である。それには、例えば酢酸亜鉛、プロピオン酸亜鉛、酸化亜鉛、酢酸鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、酸化銅（ＩＩ）及び酢酸マグネシウムが該当する。イミド化触媒の使用は、好ましくは芳香族アミンの反応において行われ、一般に脂環式アミンの反応のためにも好ましい。脂肪族アミン、特に短鎖脂肪族アミンの反応に際して、一般に、イミド化触媒の使用は省くことができる。イミド化触媒の使用量は、アミド化されるべき化合物の全質量に対して、好ましくは５〜８０質量％、特に有利には１０〜７５質量％である。

好ましくは、アミンと二無水物とのモル量比は、約２：１〜１０：１、特に有利には２：１〜４：１、例えば２．２：１〜３：１である。

イミド化触媒として上述した有機酸は、溶剤としても適している。

反応温度は、工程ｂ１）もしくはｂ２）においては、一般に周囲温度から２００℃までであり、有利には４０〜１６０℃である。脂肪族アミン及び脂環式アミンの反応は、有利には約６０〜１００℃の温度範囲で行われる。芳香族アミンの反応は、有利には約１２０〜１６０℃の温度範囲で行われる。

好ましくは、反応工程ｂ１）もしくはｂ２）における反応は、保護ガス雰囲気下で、例えば窒素雰囲気下で行われる。

反応工程ｂ１）もしくはｂ２）は、常圧で、又は所望であれば高められた圧力下で行うことができる。好適な圧力範囲は、約０．８〜１０バールの範囲にある。好ましくは、揮発性アミン（沸点約≦１８０℃）を使用する場合には、高められた圧力下での使用が適している。

工程ｂ１）もしくはｂ２）における反応で生ずる水は、蒸留によって当業者に公知の方法により分離することができる。

一般に、反応工程ｂ１）もしくはｂ２）において得られるジイミドは、更なる精製なくして使用することができる。しかしながら、該生成物を半導体として使用するためには、該生成物を更なる精製に供することが好ましいことがある。それには、例えばカラムクロマトグラフィー法が該当し、その際、生成物は、有利にはハロゲン化された炭化水素、例えば塩化メチル中に溶解され、そしてシリカゲル上での分離もしくは濾過に供される。

驚くべきことに、式（Ｉ．Ｂａ）

［式中、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１つ以上（例えば２、３もしくは４）は、フッ素を表し、その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、水素を表す］で示されるフッ素化されたジイミドを、イミド基の反応（加水分解）に供して、相応の二無水物（Ｉ．Ａ）を形成させられることが判明した。驚くべきことに、フッ素基は、その際、塩基性加水分解条件に対しても安定である。従って、フッ素化された二無水物を製造できるが、それらは、さもなくば困難にのみ得られるに過ぎない。これらのフッ素化された二無水物は、その一方で、さもなくば得られないもしくは困難にのみ得られるに過ぎないジイミドの製造のための出発物質として用いることができる。

従って、本発明の更なる対象は、式（Ｉ．Ａ）

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、水素を表す］で示される二無水物の製造方法において、
式（Ｉ．Ｂａ）

［式中、Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］で示されるジイミドを、二段階加水分解に供し、その際、第一段階を塩基の存在下で行い、第二段階を酸の存在下で行う
方法である。

式（Ｉ．Ｂａ）の化合物においては、Ｒ^a及びＲ^bは、好ましくは、同じ意味を有し、例えば両者ともＣ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシルもしくはｎ−ドデシル、又はアリール、例えばフェニル、２−、３−及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−及び２，６−ジプロピルフェニルなどを表す。

特定の制限のない一実施態様においては、化合物（Ｉ．Ｂａ）は、

から選択される。

加水分解の第一段階のために適した塩基は、例えばアルカリ金属−及びアルカリ土類金属の水酸化物、例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）₂である。塩基の使用量は、好ましくは、加水分解されるべき化合物に対して、１０〜５００モル当量、特に好ましくは３０〜３５０モル当量である。

加水分解は、水及び／又は少なくとも１つのアルコールの存在下で実施することができる。好適なアルコールは、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルカノール、好ましくはＣ₃〜Ｃ₁₀−アルカノール、特にＣ₄〜Ｃ₆−アルカノール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノールもしくはｎ−ヘキサノールである。アルコールの使用量は、加水分解されるべき化合物１グラムあたりに、好ましくは１０〜５００ｍｌ、特に３０〜２５０ｍｌである。

所望であれば、加水分解は、付加的に、出発ジイミドを可溶化する溶剤の存在下で実施することができる。適しているのは、芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレン、メシチレン、フェノールもしくは極性非プロトン性溶剤、例えばピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、キナルジン及びＮ−メチルピペリジンである。

加水分解の第一段階のためには、反応温度は、一般に、周囲温度ないし２００℃、好ましくは４０〜１８０℃、特に好ましくは６０〜１５０℃の範囲である。

一般に、第一の加水分解段階の生成物は、単離することなく、第二の加水分解段階のために使用することができる。そのためには、一般に、十分な量の酸が反応混合物に対して添加される。好適な酸は、鉱酸、例えばＨＣｌ、Ｈ₂ＳＯ₄、Ｈ₃ＰＯ₄及び有機酸、例えばＣ₁〜Ｃ₆−カルボン酸、例えば酢酸、プロピオン酸などである。

加水分解の第二段階のためには、反応温度は、一般に、周囲温度ないし２００℃、好ましくは５０〜１８０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃の範囲である。

得られた二無水物（Ｉ．Ａ）の単離と、場合により精製は、通常の当業者に公知の方法に従って行われる。そのためには、例えば沈殿剤、例えば十分な量の水での沈殿、濾過及び乾燥が該当する。

式（Ｉ．Ａ）

［式中、ｎは、２、３もしくは４を表し、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、フッ素を表し、その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表す］で示されるフッ素化された二無水物は、好ましくは、さもなくば得られないもしくは困難にのみ得られるにすぎないジイミドの製造のための出発物質として適している。

従って、本発明の対象は、式（Ｉ．Ｂａ）

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表し、かつ
Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］で示される化合物の製造方法において、
式（Ｉ．Ａ）

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表す］で示される二無水物を、式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンとの反応と、場合によりそれとは異なる式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する方法である。

式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンとの反応と、場合により式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応のために適しておりかつ好ましい方法条件に関しては、イミド化工程ｂ１）についての上記の実施態様を、あるいはイミド化工程ｂ１）及びｂ２）についての実施態様を、全範囲で参照されたい。

本発明の更なる対象は、式Ｉ．Ｂｂ

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表し、かつ
Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］で示される化合物の製造方法において、
式（Ｉ．Ａ）

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表す］で示される二無水物を、式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂のアミンとの反応に供する方法である。

式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂のアミンとの反応のために適しておりかつ好ましい方法条件に関しては、イミド化工程ｂ２）についての上記の実施態様を、あるいはイミド化工程ｂ１）及びｂ２）についての実施態様を、全範囲において参照されたい。

驚くべきことに、式（Ｉ．Ｂａ２）

［式中、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１つ以上（例えば２、３もしくは４）がフッ素を表し、その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表し、Ｒ^c1及びＲ^c2は互いに無関係に、アリールを表し、かつＲ^d1及びＲ^d2は、互いに無関係にアルキルを表す］で示されるフッ素化されたジイミドは、容易に反応に供されて、ジイミドであってイミド窒素が水素原子を有するもの（Ｉ．ＢａＨ）が得られることが判明した。

従って、本発明の更なる対象は、式（Ｉ．ＢａＨ）

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、かつ
その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表す］で示される化合物の製造方法において、
式（Ｉ．Ｂａ２）

［式中、
ｎは、２、３もしくは４を表し、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表し、
Ｒ^c1及びＲ^c2は互いに無関係に、アリールを表し、かつ
Ｒ^d1及びＲ^d2は、互いに無関係にアルキルを表す］で示されるジイミドを、強ルイス酸及びプロトン供与体との反応に供する方法である。

上述の式（Ｉ．Ｂａ２）の化合物において、Ｒ^c1及びＲ^c2は、好ましくは同じ意味を有し、かつ例えば両者ともフェニルを表す。

上述の式（Ｉ．Ｂａ２）の化合物において、Ｒ^d1及びＲ^d2は、好ましくは同じ意味を有し、例えば両者とも、Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、特に好ましくはＣ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチルを表す。特に、Ｒ^d1及びＲ^d2は、両者ともメチルを表す。

ルイス酸として、共有結合の金属ハロゲン化物及び電子対ギャップを有する半金属ハロゲン化物がこれに該当する。係る化合物は、当業者に公知であり、例えばＪ．Ｐ．Ｋｅｎｎｅｄｙ、Ｂ．Ｉｖａｎ著の"Ｄｅｓｉｇｎｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｂｙ Ｃａｒｂｏｃａｔｉｏｎｉｃ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ"，Ｏｘｆｏｒｄ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９１から公知である。これらは一般的にはチタン、スズ、アルミニウム、バナジウム又は鉄のハロゲン化合物並びに特にホウ素のハロゲン化物の中から選択される。好ましいルイス酸は、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、四塩化チタン、四塩化スズ、三塩化アルミニウム、五塩化バナジウム、三塩化鉄、二塩化アルキルアルミニウム及び塩化ジアルキルアルミニウムである。特に好ましいルイス酸は、四塩化チタンである。

ルイス酸は、式Ｉ．Ｂａ２の化合物の両方のイミド基が反応するのに十分な量で使用される。ルイス酸と式Ｉ．Ｂａ２の化合物とのモル比は、好ましくは２：１〜１０：１、特に好ましくは２．１：１〜５：１である。

前記反応は、通常、溶剤中で実施される。溶剤としては、ルイス酸に対して安定なものが該当する。好ましい溶剤は、ハロゲン化炭化水素、例えばハロゲン化脂肪族炭化水素、とりわけハロゲンアルカン、例えばクロロメタン、ジクロロメタン、トリクロロメタン、クロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１−クロロプロパン、２−クロロプロパン、１−クロロブタン及び２−クロロブタン、及びハロゲン化芳香族炭化水素、例えばクロロベンゼン及びフルオロベンゼンである。また、好適なものは、上述の溶剤の混合物である。特に好ましい溶剤は、上述のハロゲンアルカン、とりわけジクロロメタンである。

該反応は、まず十分に非プロトン性の、特に無水の反応条件下で行われることは自明のことである。溶剤の予備洗浄もしくは予備乾燥は、通常は、固形乾燥剤、例えばモレキュラーシーブ又は予備乾燥された酸化物、例えば酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化カルシウムもしくは酸化バリウムでの処理によって行われる。

一般に、本発明による方法は、６０〜−１４０℃の範囲、好ましくは４０〜−８０℃の範囲、特に好ましくは１０〜−４０℃の範囲の温度で行われる。

化合物（Ｉ．ＢａＨ）の遊離のために、プロトン性化合物（プロトン供与体）が反応混合物に添加される。プロトン供与体は、好ましくは、水、アルコール、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｓ−ブタノールもしくはｔ−ブタノール又はそれらと水との混合物から選択される。

得られたジイミド（Ｉ．ＢａＨ）の単離と、場合により精製は、通常の当業者に公知の方法に従って行われる。それには、例えば反応に使用された溶剤の、例えば蒸発による除去が該当する。蒸発は、高められた温度及び／又は低減された圧力下で行うことができる。好適な一実施態様においては、ルイス酸との反応に使用された溶剤は、プロトン供与体の添加前に既に部分的にもしくは完全に除去される。ジイミド（Ｉ．ＢａＨ）の単離は、好適な沈殿剤での沈殿を含むことができる。好ましくは、ジイミド（Ｉ．ＢａＨ）の遊離のために、化合物（Ｉ．ＢａＨ）が不溶性もしくは僅かにのみ可溶性であるプロトン供与体が使用される。係るプロトン供与体は、水及び十分な含水率を有する水／アルコール混合物である。ジイミド（Ｉ．ＢａＨ）の単離は、更に濾過工程及び／又は乾燥工程を含むことができる。

上述の化合物は、更なる精製に供することができる。それには、例えばカラムクロマトグラフィー法、昇華、結晶化もしくは前記の複数の方法の組み合わせが該当する。該生成物を半導体として使用するためには、該生成物を更なる精製に供することが好ましいことがある。カラムクロマトグラフィー並びに結晶化は、それぞれ好適な溶剤を使用しつつ行われる。それには、ハロゲン化された炭化水素、例えば塩化メチレンもしくはクロロホルム又は芳香族溶剤が該当する。結晶化のためには、また、非プロトン性のカルボン酸アミドが使用され、溶解度を下げるために場合により水及び／又はアルコールと組み合わせて使用することもできる。有機溶剤中に難溶性の化合物、例えばＲ^a及びＲ^bがＣ₁〜Ｃ₄−アルキルを表すジイミド並びに二無水物は、硫酸からの分別によっても精製することができる。昇華による精製は、温度勾配を用いて行うことができ、例えば以下に詳細に記載されるような３領域昇華装置において行うことができる。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、特に好ましくは、有機半導体として適している。これらの化合物は、その際一般にｎ型半導体として機能する。本発明により使用される式（Ｉ）の化合物を別の半導体と組み合わせて、そのエネルギー準位の状況から、該別の半導体がｎ型半導体として機能する結果となる場合に、化合物（Ｉ）は、例外的にｐ型半導体として機能しうる。それは、例えばシアノ置換されたペリレンテトラカルボキシイミドと組み合わせた場合である。式（Ｉ）の化合物は、その空気安定性の点で優れている。更に、前記化合物は、高い電荷輸送移動度を有し、かつ高いオン／オフ挙動を有する。前記化合物は、特に好ましくは、有機電界効果トランジスタに適している。本発明による化合物は、好ましくは、集積回路（ＩＣ類）の製造のために、今まで慣用であったｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ））のために適している。その際、それは、ＣＭＯＳ類似の半導体素子、例えばマイクロプロセッサ用の、マイクロコントローラ用の、スタティックＲＡＭ用の、及び別のディジタル論理回路用の半導体素子である。半導体材料の製造のためには、本発明による方法を、以下の方法：印刷（オフセット、フレキソ、グラビア、スクリーン、インクジェット、電子写真）、蒸着、レーザー転写、フォトリソグラフィー、ドロップキャスティングの１つに従って再加工することができる。それらは、特にディスプレイ（特に大画面ディスプレイ及び／又はフレキシブルディスプレイ）及びＲＦＩＤタグでの使用のために適している。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に、特に好ましくは、ダイオードにおいて、特にＯＬＥＤにおいて、光電池において、ＵＶ吸収剤として、蛍光増白剤として、不可視ラベルとして、そして生体分子用、例えばタンパク質、ＤＮＡ、糖及びそれらの組み合わせ用の蛍光ラベルとして適している。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に特に好ましくは、蛍光変換を基礎とするディスプレイにおける蛍光色素として、場合により太陽電池と組み合わされている集光性プラスチック部品において、起電表示における顔料色素として、化学発光を基礎とする用途における蛍光色素として（例えばグロースティックにおいて）適している。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に特に好ましくは、蛍光変換を基礎とするディスプレイにおける蛍光色素として適している。係るディスプレイは、一般に、透明基板と、該基板上に存在する蛍光色素と、照射源とを含む。通常の照射源は、青色光（カラー・バイ・ブルー）もしくは紫外光（カラー・バイ・ＵＶ）を発する。該色素は、青色光か紫外光のいずれかを吸収し、緑色発光体として使用される。前記のディスプレイにおいては、例えば赤色光は、赤色発光体を青色光吸収性もしくは紫外光吸収性の緑色発光体によって励起することでもたらされる。好適なカラー・バイ・ブルー型ディスプレイは、例えばＷＯ９８／２８９４６号に記載されている。好適なカラー・バイ・ＵＶ型のディスプレイは、例えばＷ．Ａ．Ｃｒｏｓｓｌａｎｄ，Ｉ．Ｄ．Ｓｐｒｉｎｇｌｅ及びＡ．Ｂ．Ｄａｖｅｙによって、Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ＬＣＤｓ（ＰＬ−ＬＣＤ） ｕｓｉｎｇ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ａｎｄ Ｓｃｒｅｅｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ．，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ＵＫにおいて記載されている。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に特に、ＯＬＥＤにおける蛍光発光体として適しており、そこでは、該化合物は、電子発光によって又は相応の燐光発光体によってフォルスターのエネルギー移動（ＦＲＥＴ）を介して励起される。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に特に、荷電顔料色素を介した電気泳動効果に基づき色をオンオフするディスプレイにおいて適している。係る電気泳動的ディスプレイは、例えばＵＳ２００４／０１３０７７６号に記載されている。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に特に、大面積で光を吸収し、かつその縁部で複数回の屈折の後に発光する集光性のプラスチック部品（いわゆるＬＩＳＡ）における使用のために適している。係るＬＩＳＡは、縁部に太陽電池、例えば集光を電気エネルギーに変換するシリコン太陽電池もしくは有機太陽電池を有してよい。集光性プラスチックと太陽電池との組み合わせは、例えばＵＳ４，１１０，１２３号に記載されている。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に特に、化学発光用途において適している。そのためには、いわゆる"グロースティック"が該当する。その製造のためには、少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を、例えばフタル酸アルキル中に溶解させてよい。化学発光の励起は、シュウ酸エステルと過酸化水素との混合によって、例えば両者が当初は別個であったそれらの成分をガラスの破壊によって混合することで行うことができる。生ずる反応エネルギーは、色素の励起と発光をもたらす。係るグロースティックは、緊急用ライトとして、例えば魚釣りに際して、海難救助用ベストにおいて、又は他の安全用途において使用することができる。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られる化合物は、更に特に、レーザ溶接のために又は熱管理のために適している。

更に、本発明の対象は、少なくとも１つのゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板及びｎ型半導体としての前記の式Ｉの少なくとも１つの化合物を含む、有機電界効果トランジスタである。更に、本発明の対象は、多くの有機電界効果トランジスタを有する基板であって、その電界効果トランジスタの少なくとも一部が、ｎ型半導体としての前記定義の式Ｉで示される少なくとも１つの化合物を含有する基板である。本発明の対象は、少なくとも１つの係る基板を含む半導体素子でもある。

特定の一実施態様は、有機電界効果トランジスタのパターン（トポグラフィー）を有する基板であって、各トランジスタが、基板上に存在する有機半導体；導電チャネルの導電性の制御のためのゲート構造；及び前記チャネルの両端にある導電性のソース電極とドレイン電極とを有し、前記有機半導体が、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物からなるか又は式（Ｉ）の化合物を含む基板である。更に、有機電界効果トランジスタは、一般に誘電体を含む。

更なる特定の一実施態様は、有機電界効果トランジスタのパターンを有する基板であって、各トランジスタが集積回路を形成するか又は集積回路の一部であり、かつトランジスタの少なくとも一部が少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物を含む基板である。

基板としては、原則的にそのために知られた材料が適している。好適な基板は、例えば金属（好ましくは周期律表の第８族、第９族、第１０族もしくは第１１族の金属、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物材料（例えばガラス、石英、セラミック、ＳｉＯ₂）、半導体（例えばドープトＳｉ、ドープトＧｅ）、金属合金（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを基礎とする）、半導体合金、ポリマー（例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン並びにそれらの混合物及び複合物）、無機固体（例えば塩化アンモニウム）、紙並びにそれらの組み合わせを含む。基板は、所望の用途に応じて、フレキシブルであっても又はフレキシブルでなく固いものであってもよく、湾曲もしくは平坦な形状であってよい。

半導体素子用の典型的な基板は、マトリックス（例えば石英マトリックスもしくはポリマーマトリックス）と、場合により誘電性被覆層とを含む。

好適な誘電体は、ＳｉＯ₂、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリオレフィン（例えばポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイソブテン）、ポリビニルカルバゾール、フッ素化ポリマー（例えばＣｙｔｏｐ、ＣＹＭＭ）、シアノプラン、ポリビニルフェノール、ポリ−ｐ−キシレン、ポリ塩化ビニルもしくは熱架橋性もしくは空気湿分により架橋可能なポリマーである。特定の誘電体は、"自己組織化ナノ誘電体"、すなわちＳｉＣｌ官能性を含むモノマー、例えばＣｌ₃ＳｉＯＳｉＣｌ₃、Ｃｌ₃Ｓｉ−（ＣＨ₂）₆−ＳｉＣｌ₃、Ｃｌ₃Ｓｉ−（ＣＨ₂）₁₂−ＳｉＣｌ₃から得られる及び／又は空気湿分によりもしくは溶剤での希釈における水の添加によって架橋されるポリマーである（例えばＦａｃｃｉｅｔｔｉ Ａｄｖ．Ｍａｔ．２００５，１７，１７０５−１７２５を参照のこと）。水の代わりに、ヒドロキシル基含有ポリマー、例えばポリビニルフェノールもしくはポリビニルアルコール又はビニルフェノールとスチレンとからのコポリマーも、架橋性分として用いることができる。また、少なくとも１つの他のポリマー、例えばポリスチレンを、架橋過程の間で添加して、次いで一緒に架橋させることもできる（Ｆａｃｉｅｔｔｉ，米国特許出願第２００６／０２０２１９５号）。

基板は、付加的に電極、例えばＯＦＥＴのゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有してよく、それらは通常は基板上に位置している（例えば誘電体上の非導電層上に堆積もしくは該層中に埋設）。基板は、付加的にＯＦＥＴの導電性ゲート電極を有してよく、それらは通常は、誘電性の被覆層（すなわちゲート誘電体）の下方に配置されている。

特定の一実施態様によれば、絶縁層（ゲート絶縁層）が、基板表面の少なくとも一部上に存在する。絶縁層は、好ましくは無機絶縁体、例えばＳｉＯ₂、ＳｉＮなど、強誘電性絶縁体、例えばＡｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｌａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃など、有機絶縁体、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリビニルアルコール、ポリアクリレートなど並びにそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの絶縁体を含む。

ソース電極及びドレイン電極のために適した材料は、原則的に導電性の材料である。そのためには、金属、好ましくは、周期律表の第８族、第９族、第１０族もしくは第１１族の金属、例えばＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒなどが該当する。適しているのは、更に、導電性ポリマー、例えばＰＥＤＯＴ（＝ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））；ＰＳＳ（＝ポリ（スチレンスルホネート））、ポリアニリン、表面変性された金などである。好ましい導電性材料は、１０^-3Ω×メートル未満の、有利には１０^-4Ω×メートル未満の、特に１０^-6Ω×メートル未満もしくは１０^-7Ω×メートル未満の比抵抗を有する。

特定の一実施態様によれば、ドレイン電極とソース電極は、少なくとも部分的に有機半導体材料上に存在する。もちろん、基板は、更に半導体材料もしくはＩＣ類で通常使用される部品、例えばアイソレータ、抵抗、コンデンサ、導体路などを含んでよい。

電極は、通常の方法に従って、例えば蒸着、リソグラフィー法又は別のパターン形成法に従って施与することができる。

半導体材料は、好適な助剤（ポリマー、界面活性剤）を用いて分散相において印刷によって加工することができる。

第一の好ましい一実施態様においては、一般式Ｉの少なくとも１つの化合物（と、場合により他の半導体材料）の堆積は、気相堆積法（物理蒸着ＰＶＤ）によって行われる。ＰＶＤ法は、高真空条件下で行われ、以下の工程：蒸発、輸送、堆積を含む。驚くべきことに、一般式Ｉの化合物は、実質的に分解されず、かつ／又は不所望な副生成物を形成しないため、特に好ましくはＰＶＤ法で使用するために適していることが判明した。堆積された材料は、高純度で得られる。特定の一実施態様においては、堆積された材料は、結晶の形で得られ、高い結晶分を含有する。一般に、ＰＶＤのために、一般式Ｉの少なくとも１つの化合物は、その蒸発温度より高い温度にまで加熱され、そして結晶温度より低い温度に冷却することによって基板上に堆積させる。堆積される場合の基板の温度は、有利には約２０〜２５０℃、特に有利には５０〜２００℃の範囲である。驚くべきことに、式Ｉの化合物の堆積に際しての高められた基板温度は、達成される半導体エレメントの特性に好ましい影響を及ぼしうることが判明した。

得られた半導体層は、一般に、ソース電極とドレイン電極との間のオーム接触に十分な厚さを有する。堆積は、不活性雰囲気下で、例えば窒素、アルゴン又はヘリウム下で行うことができる。

堆積は、通常は、周囲圧力で、又は減圧下で行われる。好適な圧力範囲は、約１０^-7〜１．５バールである。

好ましくは、式Ｉの化合物は、基板上に、１０〜１０００ｎｍの厚さで、特に好ましくは１５〜２５０ｎｍの厚さで堆積される。特定の一実施態様においては、式Ｉの化合物は、まず部分的に結晶形で堆積される。このためには、特に、前記のＰＶＤ法が適している。更に、事前に製造した有機半導体結晶を使用することも可能である。係る結晶を得るための好適な方法は、Ｒ．Ａ．Ｌａｕｄｉｓｅ他によって、"Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｍｉ−Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８７（１９９８）、第４４９〜４５４頁及び"Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ−ｓｉｚｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｏｆ α−Ｈｅｘａｔｈｉｏｐｈｅｎｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １９８２（１９９７）、第４１６〜４２７頁に記載されており、その内容は参照をもって開示されたものとする。

第二の好ましい一実施態様においては、一般式Ｉの少なくとも１つの化合物（と、場合により他の半導体材料）の堆積は、回転被覆（スピンコーティング）によって行われる。驚くべきことに、本発明により使用される一般式Ｉの化合物は、従って、湿式法（ウェットプロセス）においても半導体基板の製造のために使用できる。従って、式（Ｉ）の化合物は、印刷法による、半導体エレメント、特にＯＦＥＴもしくはＯＦＥＴベースの半導体エレメントの製造のために適していることが望ましい。そのために慣用の印刷法（インクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア、凹版印刷、ナノプリント）を使用することができる。印刷法における式（Ｉ）の化合物の使用のために好ましい溶剤は、芳香族溶剤、例えばトルエン、キシレンなどである。この"半導体インク"に、増粘作用を有する物質、例えばポリマー、例えばポリスチレンなどを添加してもよい。その際、誘電体として、上述の化合物が使用される。

好ましい一実施態様においては、本発明による電界効果トランジスタは、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）である。通常の構造によれば、薄膜トランジスタは、基板上に存在するゲート電極と、該電極と基板上に存在するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に存在する半導体層と、該半導体層上のオーム接触層とを有し、該オーム接触層上にソース電極とドレイン電極を有する。

好ましい一実施態様においては、基板表面は、一般式Ｉの少なくとも１つの化合物（と、場合により少なくとも１つの他の半導体材料）の堆積前に変性されている。前記の変性は、半導体材料を結合する領域及び／又は半導体材料を堆積できない領域の形成に役立つ。好ましくは、基板表面は、少なくとも１つの化合物（Ｃ１）によって変性され、該化合物は、基板表面並びに式（Ｉ）の化合物に結合するために適している。好適な一実施態様においては、少なくとも１つの一般式Ｉの化合物（と、場合により他の半導体化合物）の改善された堆積を可能にするために、基板表面の一部又は全表面は、少なくとも１つの化合物（Ｃ１）で被覆される。他の一実施態様は、一般式（Ｃ１）の化合物のパターンを相応の製造方法に従って基板上に堆積させることを含む。それには、公知のマスキング法並びにいわゆる"パターニング"法、例えばＵＳ１１／３５３９３４号に記載される方法が該当し、その全内容は、参照をもって本願に開示されたものとする。

式（Ｃ１）の好適な化合物は、基板との結合性相互作用も、一般式Ｉの少なくとも１つの半導体化合物との結合性相互作用も可能にする。用語"結合性相互作用"は、化学結合（共有結合）、イオン結合、配位的相互作用、ファンデルワールス相互作用、例えば双極子−双極子相互作用などの結合及びそれらの組み合わせを含む。好適な一般式（Ｃ１）の化合物は、
− シラン、ホスホン酸、カルボン酸、ヒドロキサム酸、例えばアルキルトリクロロシラン、例えばｎ−（オクタデシル）トリクロロシラン；トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えばアルキルトリアルコキシシラン、例えばｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（ｎ−プロピル）オキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（イソプロピル）オキシシラン；トリアルコキシアミノアルキルシラン、例えばトリエトキシアミノプロピルシラン及びＮ［（３−トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン；トリアルコキシアルキル−３−グリシジルエーテルシラン、例えばトリエトキシプロピル−３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えばアリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクリルオキシアルカン及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば１−トリエトキシシリル−３−アクリルオキシプロパン
− アミン、ホスフィン及び硫黄含有化合物、特にチオール
である。

好ましくは、化合物（Ｃ１）は、アルキルトリアルコキシシラン、特にｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン；ヘキサアルキルジシラザン及び特にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）；Ｃ₈〜Ｃ₃₀−アルキルチオール、特にヘキサデカンチオール；メルカプトカルボン酸及びメルカプトスルホン酸、特にメルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及びそれらのアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選択される。

本発明による半導体を有する種々の半導体アーキテクチャ、例えばトップコンタクト、トップゲート、ボトムコンタクト、ボトムゲート、又は垂直構造、例えばＶＯＦＥＴ（垂直有機電界効果トランジスタ）も考慮でき、それらは例えばＵＳ２００４／００４６１８２号に記載されている。

層厚は、半導体では、例えば１０ｎｍ〜５μｍ、誘電体では、５０ｎｍ〜１０μｍであり、電極は、例えば２０ｎｍ〜１μｍ厚であってよい。ＯＦＥＴは、他の素子、例えばリング発信器もしくはインバータと組み合わせてもよい。

本発明の更なる一態様は、複数のｎ型及び／又はｐ型の半導体であってよい半導体部品を含む電子素子を提供することである。係る素子の例は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、バイポーラ平面トランジスタ（バイポーラ接合型トランジスタ、ＢＪＴ）、トンネルダイオード、インバータ、発光素子、生物学的及び化学的なデテクタもしくはセンサ、温度依存性デテクタ、ホトデテクタ、例えば偏光感知型ホトデテクタ、ゲート、ＡＮＤゲート、ＮＡＮＤゲート、ＮＯＴゲート、ＯＲゲート、ＴＯＲゲート及びＮＯＲゲート、レジスタ、スイッチ、タイマーモジュール、スタティックメモリもしくはダイナミックメモリ及び別の動的もしくは順序論理素子又はプログラム可能な回路を含む別のディジタル素子である。

特定の半導体エレメントはインバータである。ディジタル論理において、インバータは、入力信号を反転させるゲートである。インバータは、またＮＯＴゲートとも呼称される。実インバータ回路は、入力電流とは反対の出力電流を示す。通常の値は、例えばＴＴＬ回路に関しては（０，＋５Ｖ）である。ディジタルインバータの性能は、電圧遷移特性曲線（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｃｕｒｖｅ ＶＴＣ）、すなわち入力電流の出力電流に対するプロットが示す。より理想的には、ステップ関数が問題となり、実測曲線が係るステップと接近すればするほど、より良好なインバータである。本発明の特定の一実施態様においては、式（Ｉ）の化合物は、有機ｎ型半導体としてインバータ中で使用される。

本発明による化合物並びに本発明による方法に従って得られた式（Ｉ）の化合物は、更に特に好ましくは、有機光電池（ＯＰＶ）での使用に適している。原則的に、前記化合物は、色素増感型太陽電池における使用にも適している。その際、特に無水物官能を有する式（Ｉ）の化合物が使用される。しかしながら、励起状態の拡散により特徴付けられる太陽電池でのその使用が好ましい。その際、使用される１つの半導体材料もしくは両方の半導体材料は、励起状態の拡散の点で優れている。また、励起状態の拡散により特徴付けられる少なくとも１つの半導体材料と、ポリマー鎖に沿った励起状態の伝達を可能にするポリマーとの組み合わせも適している。係る太陽電池は、本発明の範囲においては、励起子太陽電池と呼称される。太陽電池中で太陽エネルギーを電気エネルギーに直接的に変換することは、半導体材料の内部光効果に基づく。すなわち、光子の吸収による電子−正孔対の生成と、ｐｎ接合もしくはショットキ接合での負電荷担体と正電荷担体の分離とに基づく。励起子は、例えば光子が半導体中に侵入し、電子が価電子帯から導電体へと遷移して励起した場合に生じうる。電流が生ずるためには、吸収された光子によってもたらされた励起状態は、正孔と電子を生じ、次いでそれがアノードとカソードに流れるために、ｐｎ接合に至らねばならない。こうして生じた光電位は、外部回路において光電流をもたらし、それによって太陽電池はその出力を出す。その際、半導体から、そのバンドギャップより大きいエネルギーを有する光子のみが吸収できる。半導体バンドギャップの大きさは、従って、電気エネルギーに変換できる太陽光の割合を決める。太陽電池は、通常は、太陽エネルギーをできる限り効率的に利用するために、異なる禁制帯を有する２種の吸収性材料からなる。殆どの有機半導体は、１０ｎｍまでの励起子拡散長を有する。ここでは、更に、励起状態をできる限り大きな距離にわたって伝達できる有機半導体に要求がある。ここで驚くべきことに、前記の一般式Ｉの化合物は、特に好ましくは、励起子太陽電池での使用のために適していることが判明した。

好適な有機太陽電池は、一般に、層状に構成されており、一般には少なくとも以下の層：アノード、光活性層及びカソードを含む。これらの層は、一般にそのために慣用の基板上に存在する。有機太陽電池の構造は、例えばＵＳ２００５／００９８７２６号Ａ１及びＵＳ２００５／０２２４９０５号Ａ１に記載され、その全内容は、本願で参照をもって開示されたものとする。

好適な基板は、例えば酸化物材料（例えばガラス、石英、セラミック、ＳｉＯ₂など）、ポリマー（例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン並びにそれらの混合物及び複合物）並びにそれらの組み合わせである。

電極（カソード、アノード）としては、原則的には、金属（好ましくは、周期律表の第８族、第９族、第１０族もしくは第１１族の金属、例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ）、半導体（例えばドープトシリコン、ドープトゲルマニウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）など）、金属合金（例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを基礎とする合金、特にＭｇ／Ａｇ合金）、半導体合金などが適している。好ましくは、アノードとしては、入射光に対して実質的に透過性の材料が使用される。それには、例えばＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔが該当する。好ましくは、カソードとしては、入射光に対して実質的に反射性の材料が使用される。それには、例えば金属フィルム、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｇ／Ａｌ、Ｃａなどからなる金属フィルムが該当する。

光活性層それ自体は、有機半導体材料として、前記定義の式Ｉ及びＩＩの化合物から選択される少なくとも１つの化合物を含有する少なくとも１つの層を含むか又は該少なくとも１つの層からなる。一実施態様においては、光活性層は、少なくとも１つの有機アクセプター材料を含む。光活性層に加えて、１つ以上の他の層、例えば電子伝導特性を有する層（ＥＴＬ、電子輸送層）及び正孔伝導性材料を含有する層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（これらの層は吸収を示す必要はない）、励起子と正孔を遮断する層（例えば励起子遮断層、ＥＢＬ）（これらの層は吸収を示すべきでない）、倍増層（ｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を設けてもよい。好適な励起子と正孔を遮断する層は、例えばＵＳ６，４５１，４１５号に記載されている。

好適な励起子遮断層は、例えばバソクプロイン（ＢＣＰ）、４，４′，４′′−トリス（Ｎ，−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）もしくはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）であり、それらは例えばＵＳ７，０２６，０４１号に記載されている。

本発明による励起子太陽電池は、光活性なドナーアクセプターヘテロ接合を基礎としている。少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物をＨＴＭとして使用する場合には、相応のＥＴＭは、該化合物の励起後にＥＴＭへと迅速な電子遷移が行われるように選択せねばならない。好適なＥＴＭは、例えばＣ６０及び別のフラーレン、ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）ＰＴＣＤＩなどである。少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物をＥＴＭとして使用する場合には、相補のＨＴＭは、該化合物の励起後にＨＴＭへと迅速な正孔遷移が行われるように選択せねばならない。ヘテロ接合は、平坦で実施することができる（二層有機光電池、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ著のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，４８（２），１８３−１８５（１９８６）もしくはＮ．Ｋａｒｌ、Ａ．Ｂａｕｅｒ、Ｊ．Ｈｏｌｚａｅｐｆｅｌ、Ｊ．Ｍａｒｋｔａｎｎｅｒ、Ｍ．Ｍｏｅｂｕｓ、Ｆ．Ｓｔｏｅｌｚｌｅ著のＭｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，２５２，２４３−２５８（１９９４）を参照）か、又はバルクヘテロ接合（バルクヘテロ接合もしくは相互侵入ドナーアクセプター網目、例えばＣ．Ｊ．Ｂｒａｂｅｃ、Ｎ．Ｓ．Ｓａｒｉｃｉｆｔｃｉ、Ｊ．Ｃ．Ｈｕｍｍｅｌｅｎ著のＡｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．，１１（１），１５（２００１）を参照）として実現できる。少なくとも１つの式（Ｉ）の化合物とＨＴＬもしくはＥＴＬとの間のヘテロ接合を基礎とする光活性層は、ＭｉＭ構造、ｐｉｎ構造、ｐｎ構造、Ｍｉｐ構造もしくはＭｉｎ構造を有する太陽電池で使用することができる（Ｍ＝金属、ｐ＝ｐ型ドープされた有機もしくは無機の半導体、ｎ＝ｎ型ドープされた有機もしくは無機の半導体、ｉ＝有機層の固有伝導系、例えばＪ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ他著のＯｒｇ．Ｅｌｅｔｒｏｎ．，５（４），１７５（２００４）又はＭａｅｎｎｉｇ他著のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ７９，１−１４（２００４）を参照）。それらは、Ｐ．Ｐｅｕｍｎａｓ、Ａ．Ｙａｋｉｍｏｖ、Ｓ．Ｒ．ＦｏｒｒｅｓｔによってＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，９３（７），３６９３−３７２３（２００３）（特許ＵＳ０４４６１９２２号、ＵＳ０６１９８０９１号及びＵＳ０６１９８０９２号を参照）に記載されるように、タンデムセルにおいて使用することもできる。それらは、また、２つ以上の上下に積層されたＭｉＭダイオード、ｐｉｎダイオード、ＭｉｐダイオードもしくはＭｉｎダイオード（特許出願ＤＥ１０３１３２３２．５号を参照）からなるタンデムセルにおいても使用することができる（Ｊ．Ｄｒｅｃｈｓｅｌ他著のＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，４５１４５２，５１５−５１７（２００４））。

前記化合物の薄膜及びあらゆる別の層は、真空もしくは不活性ガス雰囲気中での蒸着によって、レーザアブレーションによって又は溶液もしくは分散液で処理可能な方法、例えばスピンコート、ブレード塗布、キャスト法、吹き付け、浸漬被覆もしくは印刷（例えばインクジェット、フレキソ、オフセット、グラビア、凹版印刷、ナノインプリント）によって製造することができる。Ｍ層、ｎ層、ｉ層及びｐ層の層厚は、一般には、１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜４００ｎｍである。

基板としては、例えばガラス、金属シートもしくはポリマーシートが使用され、それらは一般に透明な導電層（例えばＳｎＯ₂：Ｆ、ＳｎＯ₂：Ｉｎ、ＺｎＯ：Ａｌ、カーボンナノチューブ、金属薄膜）によって被覆されている。

一般式（Ｉ）の化合物の他に、有機光電池での使用のためには、以下の半導体材料が適している：
アセン、例えばアントラセン、テトラセン、ペンタセン及び置換アセン。置換アセンは、電子押出性置換基（例えばアルキル、アルコキシ、エステル、カルボキシレートもしくはチオアルコキシ）、電子吸引性置換基（例えばハロゲン、ニトロもしくはシアノ）及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの置換基を含む。それには、２，９−ジアルキルペンタセン及び２，１０−ジアルキルペンタセン、２，１０−ジアルコキシペンタセン、１，４，８，１１−テトラアルコキシペンタセン及びルブレン（５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン）が該当する。好適な置換ペンタセンは、ＵＳ２００３／０１００７７９号及びＵＳ６，８６４，３９６号に記載されている。好ましいアセンは、ルブレン（５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン）である。

フタロシアニン、例えばヘキサデカクロロフタロシアニン及びヘキサデカフルオロフタロシアニン、金属不含の及び二価の金属含有のフタロシアニン、特にチタニルオキシ、バナジルオキシ、鉄、銅、亜鉛のフタロシアニン、特に銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン及び金属不含のフタロシアニン、ヘキサデカクロロ銅フタロシアニン、ヘキサデカクロロ亜鉛フタロシアニン、金属不含のヘキサクロロフタロシアニン、ヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン、ヘキサデカフルオロフタロシアニン又は金属不含のヘキサデカフルオロフタロシアニン。

ポルフィリン、例えば５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリン（ＴｐｙＰ）。

液晶（ＬＣ）材料、例えばヘキサベンゾコロネン（ＨＢＣ−ＰｈＣ１２）又は別のコロン、コロネンジイミドもしくはトリフェニレン、例えば２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヘキシルチオトリフェニレン（ＨＴＴ６）又は２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（４−ｎ−ノニルフェニル）トリフェニレン（ＰＴＰ９）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（ウンデシルオキシ）トリフェニレン（ＨＡＴ１１）。特に、ディスコチックな液晶が好ましい。

チオフェン、オリゴチオフェン及びそれらの置換誘導体。好適なオリゴチオフェンは、クアテルチオフェン、キンケチオフェン、セキシチオフェン、α，ω−ジ（Ｃ₁〜Ｃ₈）−アルキルオリゴチオフェン、例えばα，ω−ジヘキシルクアテルチオフェン、α，ω−ジヘキシルキンケチオフェン及びα，ω−ジヘキシルセキシチオフェン、ポリ（アルキルチオフェン）、例えばポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ビス（ジチエノチオフェン）、アントラジチオフェン及びジアルキルアントラジチオフェン、例えばジヘキシルアントラジチオフェン、フェニレン−チオフェン−（Ｐ−Ｔ−）オリゴマー及びそれらの誘導体、特にα，ω−アルキル置換されたフェニレン−チオフェン−オリゴマーである。

好ましいチオフェン、オリゴチオフェン及びそれらの置換誘導体は、ポリ−３−ヘキシルチオフェンもしくはα，α′−ビス（２，２−ジシアノビニル）キンケチオフェン（ＤＣＶ５Ｔ）、Ｐ３ＨＴ、（３−（４−オクチルフェニル）−２，２′−ビチオフェン）（ＰＴＯＰＴ）、（ＰＥＯＰＴ）、（ポリ（３−（２′−メトキシ−５′−オクチルフェニル）チオフェン））（ＰＯＭｅＯＰＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）（Ｐ３ＯＴ）、ＥＨＨ−ＰｐｙＰｚ、コポリマーＰＴＰＴＢ、ＢＢＬ、Ｆ８ＢＴ、ＰＦＭＯ（Ｂｒａｂｅｃ Ｃ著のＡｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２９９６，１８，２８８４を参照）の種類の化合物である。（ＰＣＰＤＴＢＴ）ポリ［２，６−（４，４−ビス（２−エチルヘキシル）−４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ；３，４−ｂ′］−ジチオフェン）−４，７−（２，１，３−ベンゾチアジアゾール）。

パラフェニレンビニレン及びパラフェニレンビニレン含有のオリゴマーもしくはポリマー、例えばポリパラフェニレンビニレン、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（２′−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、ＭＤＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（３′，７′−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレン−ビニレン））、ＰＰＶ、ＣＮ−ＰＰＶ（種々のアルコキシ誘導体を有する）。

ＰＰＥ−ＰＰＶ−ハイブリッドポリマー。

ポリフルオレン及び交互ポリフルオレンコポリマー、例えば（４，７−ジチエン−２′−イル−２，１，３−ベンゾチアジアゾール）、またＦ₈ＢＴ、ＰＦＢ。

ポリカルバゾール、すなわちカルバゾール含有のオリゴマー及びポリマー、例えば（２，７）及び（３，６）。

ポリアニリン、すなわちアニリン含有のオリゴマー及びポリマー、例えば（２，７）及び（３，６）。

トリアリールアミン、ポリトリアリールアミン、ポリシクロペンタジエン、ポリピロール、ポリフラン、ポリシロール、ポリホスホール、ＴＰＤ、ＣＢＰ、スピロ−ＭｅＯＴＡＤ。

フラーレン、特にＣ６０及びその誘導体、例えばＰＣＢＭ（＝［６，６］−フェニル−Ｃ₆₁−酪酸メチルエステル）。係るセルにおいては、フラーレン誘導体は正孔伝導体である。

ヨウ化銅（Ｉ）、チオシアン酸銅（Ｉ）。

ｐ−ｎ混合型材料、すなわち材料、ポリマー、ブロックポリマー中のドナー及びアクセプター、Ｃ６０を有するポリマー、Ｃ６０アゾ色素、ＫｅｌｌｙによってＳ．Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００６，１８，１７５４に記載される三元のカロテノイド−ポルフィリン−キノーデ（ｑｕｉｎｏｄｅ）ＬＣドナー／アクセプターシステム。

全ての上述の半導体材料は、ドープされていてもよい。ドーピング剤の例：Ｂｒ₂、Ｆ₄−ＴＣＮＱなど。

本発明を、以下の制限されない実施例により詳細に説明する。

実施例
トランジスタ特性データの調査のための一般的方法
Ｉ． 物理蒸着（ＰＶＤ）による半導体基板の製造
基板として、誘電体として熱的堆積された酸化物層（静電容量Ｃ_i＝１０ｎＦ／ｃｍ²）を有するｎ型ドープされたシリコンウェハ（２．５×２．５ｃｍ、導電性＜０．００４Ω^-1ｃｍ）を使用した。基板の表面をアセトンで洗浄し、引き続きイソプロパノールで洗浄することによって浄化した。引き続き、基板表面をｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＳ，Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃）での処理によって変性させた。そのために、真空乾燥器中で数滴のＯＴＳ（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍ．Ｃｏ．社より購入）を、場合により加熱された基板表面（約１００℃）上に与えた。前記乾燥器を、その直後に減圧（２５ｍｍＨｇ）させ、そして基板を真空下で５時間そのままにした。引き続き、基板を１１０℃で１５分間ベークし、イソプロパノールですすぎ、気流内で乾燥させた。式Ｉの化合物を、約４０ｎｍの層厚を有する薄膜として真空堆積によって基板表面に施与した。その施与速度は、１０^-5トルで１．０Å／ｓであった。トップコンタクト型の素子の製造のために、シャドウマスクを用いて有機半導体膜上にソース電極とドレイン電極を金から堆積させた。チャネル長は２０００μｍであり、チャネル幅は２００μｍであった。ＯＦＥＴの電気的特性を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ４２００−ＳＣＳ型の半導体パラメータアナライザによって測定した。

ＩＩ． 回転被覆（スピンコート）による半導体基板の製造
基板として、誘電体として熱的堆積（３００ｎｍ）された酸化物層（静電容量Ｃ_i＝１０ｎＦ／ｃｍ²）を有するｎ型ドープされたシリコンウェハ（２．５×２．５ｃｍ、導電性＜０．００４Ω^-1ｃｍ）を使用した。基板の表面をアセトンで洗浄し、引き続きイソプロパノールで洗浄することによって浄化した。引き続き、基板表面を、ＰＶＤ法についてで記載したように、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＳ，Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃）での処理によって変性した。式Ｉの化合物を、薄膜として、回転被覆（８００ｒｐｍ，３０秒）によってウェハ上に施与した。溶剤として、ジクロロメタンもしくはテトラヒドロフランを使用した。

実施例１
１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと１，６−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドとの混合物

７５ｍｌの無水スルホラン、４．３４ｇ（５ミリモル）の１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４−９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（製造法によっては、なおも約２５％の１，６−ジブロモ異性体を含有する）と、０．２６ｇ（１ミリモル）の１８−クラウン−６とからなる混合物を、１６０℃に加熱する。前記温度で、そこに１．７４ｇ（３０ミリモル）の無水フッ化カリウムを添加し、該反応混合物をこの温度で９０分間保持する。引き続き、室温にまで冷却し、５００ｍｌの水に注ぎ、そして濾過する。沈殿物を繰り返し水で洗浄し、そして真空中で乾燥させる。残留物を、クロマトグラフィー（トルエン／酢酸エステル ５０：１）によって精製する。２．３４（６３％）の橙色の固体が得られる。

Ｒ_f（トルエン／酢酸エステル １０：１）＝０．５６

図１は、メチルイソブチレート中での吸収スペクトルと蛍光スペクトルを示している。

λｍａｘ（ＣＨ₂Ｃｌ₂）＝５１１ｎｍ／１３０ｌ・ｇ^-1ｃｍ^-1、４７７ｎｍ／７５ｌ・ｇ^-1ｃｍ^-1、４４８ｎｍ／２６ｌ・ｇ^-1ｃｍ^-1

１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドのトルエン溶媒和物のＸ線回折法データを、Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ ＣＣＤデテクタによって単色化したＣｕＫα線を使用して測定した。非対称単位は、２つの結晶学的に独立した半分のイミドと２分子のトルエンを含む。結晶データ：２Ｃ₄₀Ｈ₃₈Ｆ₄Ｎ₂Ｏ₄・４Ｃ₇Ｈ₈、赤色プリズム晶、０．３０×０．１０×０．０７ｍｍ、単斜結晶、空間群Ｐ２₁／ｃ、ａ＝１７．０４０（２）、ｂ＝１１．３２０（１）、ｃ＝２５．１３７（２）Å、β＝９７．１３５（６）、Ｖ＝４８１１．３（Ｘ）ų、Ｚ＝４、ρ_calc＝１．３８８ｇ／ｃｍ³、μ＝０．１０５ｍｍ^-1、Ｆ−（０００）＝１９６８、Ｔ＝１００（２）Ｋ、Ｒ₁＝０．０５２、４８２８の独立した反射及び６５３のパラメータ。

実施例２
１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビスシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと１，６−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビスシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドとの混合物

４０ｍｌの無水スルホラン中に、３７ｍｇ（０．１４ミリモル）の１８−クラウン−６と、１．０ｇ（１７．２ミリモル）のＫＦと、０．５ｇ（０．７ミリモル）の１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ビスシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（製造条件によりなおも約２５％の１，６−異性体を含有する）とを添加する。該混合物を、１６０℃に加熱し、そしてこの温度で１時間撹拌する。引き続き、室温に冷却し、該反応混合物を塩化ナトリウム溶液に注ぐ。沈殿した沈殿物を濾過し、水で複数回洗浄し、そして真空中で乾燥させる。生成物を、ジクロロメタンによる分取薄層クロマトグラフィーによって精製する。

Ｒ_f（トルエン／酢酸エステル １０：１）＝０．６４

実施例３
１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド

８０ｍｌのスルホランと、４．２４ｇ（５ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと、０．５２ｇ（２ミリモル）の１８−クラウン−６と、３．４８ｇ（６０ミリモル）のＫＦとの混合物を、１５０℃に１６時間加熱する。該反応混合物を冷却し、１００ｍｌのエタノールの添加によって沈殿させ、濾過し、そして残留物を水で洗浄し、そして乾燥させる。生成物を、分取薄層クロマトグラフィー（石油エーテル／酢酸エステル ８：１）によって精製する。

図２は、生成物のジクロロメタン中でのＵＶスペクトルを示している。

λｍａｘ（吸収）（ＣＨ₂Ｃｌ₂）＝４４０ｎｍ、４６７ｎｍ、５０２ｎｍ
λｍａｘ（発光）（ＣＨ₂Ｃｌ₂）＝５１４ｎｍ、５５４ｎｍ、６０１ｎｍ

１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドのシクロボルタモグラムを、図４に示す。偏光顕微鏡写真を、図５に示し、そしてＤＳＣ曲線を、図６に示す。

実施例４
１，７−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と１，６−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物との混合物

５０ｍｌのスルホランと、１．９ｇ（７．２ミリモル）の１８−クラウン−６と、２．０９ｇ（３６ミリモル）のフッ化カリウムとの混合物を、１６０℃に加熱し、そして１．０ｇ（１．８ミリモル）の１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（製造条件によりなおも約２５％の１，６−異性体を含有する）を７５ｍｌのスルホラン中に入れた懸濁液を３０分以内で滴加する。青色の反応混合物を１６０℃で１時間保持する。該反応混合物の冷却後に、それを塩化ナトリウム溶液に注ぎ、濾過し、そして水で複数回洗浄する。質量分析的な調査（ＭＡＬＤＩ）によれば、該生成物は、十分にジフルオロペリレンテトラカルボン酸二無水物からなっている。該化合物は、３領域昇華装置中で３回の昇華によって精製した。

ＯＦＥＴは、ＰＶＤ法についての一般的方法に従って製造する。その結果を、以下に示す。

実施例５
１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと１，６−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドとの混合物

１００ｍｇ（０．１４ミリモル）の１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド（約２５％の１，６異性体を含有する）と、８４ｍｇ（１．４ミリモル）のＫＦと、１ｍｇの（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジニウムクロリドとの混合物を、３ｍｌの無水スルホラン中で１８０℃に６．５時間にわたり加熱する。該反応混合物を、室温に冷却し、そして１０ｍｌの水の添加によって生成物を沈殿させる。その沈殿物を濾過し、水で複数回洗浄し、そして真空中で乾燥させる。ジクロロメタン／ｎ−ペンタン（４：１）及び（３：２）でのクロマトグラフィーの後に、３８ｍｇ（４６％）の橙色の固体が得られる。

１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビスシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドのシクロボルタモグラムを、図３に示す。

実施例６
１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと１，６−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドとの混合物
ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物混合物のイミド化による

４０ｍｇ（９３マイクロモル）の１，７−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（実施例４による、約２５％の１，６−ジフルオロ異性体を含有する）を、８６．７ｍｇ（８７４マイクロモル）のシクロヘキシルアミン及び２０．０ｍｇの酢酸亜鉛及び５ｍｌのキノリンと一緒に１８０℃に２時間加熱する。該反応混合物を室温に冷却し、希塩酸中に注ぎ、沈殿物を濾別し、水で洗浄し、そして真空中で乾燥させる。残留物を、実施例５に記載されるようにクロマトグラフィーによって精製した。

実施例７
１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジ−（ｎ−オクチル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと１，６−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジ−（ｎ−オクチル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドとの混合物

９７ｍｇ（０．１３ミリモル）の１，７−ジブロモ−Ｎ，Ｎ′−ジ−（ｎ−オクチル）−ペリレン（約２５％の１，６異性体を含有する）と、８５ｍｇ（１．４６ミリモル）のＫＦと、６ｍｇの（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジニウムクロリド（ＣＮＣ⁺）との混合物を、２．９ｇのスルホラン中で１７０℃に１６時間にわたり加熱する。該反応混合物を、実施例５と同様に後処理する。クロロホルム／ペンタン（７：３）及び（３：２）でのクロマトグラフィーと、引き続いてのトルエンからの結晶化の後に、２２．８ｍｇ（２８％）の赤色固体が得られる。

実施例８
１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジ−（ｎ−オクチル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと１，６−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジ−（ｎ−オクチル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドとの混合物
ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物混合物のイミド化による

４４．０ｍｇの１，７−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（実施例４による、約２５％の１，６−ジフルオロ異性体を含有する）を、７８．１ｍｇ（０．６ミリモル）のｎ−オクチルアミンと、２０ｍｇの酢酸亜鉛（ＩＩ）及び５ｍｌのキノリンと一緒に１８０℃に２時間加熱する。該反応混合物を、実施例６と同様に後処理する。クロロホルム／ｎ−ヘキサン（４：１）及び（７：３）でのカラムクロマトグラフィーの後に、生成物が得られる。

実施例９
１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｎ−オクチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミド

実施例５に従って、１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｎ−オクチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの反応を実施する。目的化合物は、カラムクロマトグラフィー（ＣＨ₂Ｃｌ₂：ｎ−ペンタン）（３：２）及び（７：３）後に橙色の固体として得られる。

１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｎ−オクチル）ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドのＸ線回折法データを、Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ ＣＣＤデテクタによって単色化したＭｏＫα線を使用して測定した。結晶データ：Ｃ₄₀Ｈ₃₈Ｆ₄Ｎ₂Ｏ₄、橙色針状晶、０．３０×０．１０×０．０７ｍｍ、単斜結晶、空間群Ｐ−１、ａ＝７．８０９７（４）、ｂ＝１２．１７１７（７）、ｃ＝１８．２５１７（１１）Å、α＝７５．６０５０（１０）、β＝８０．７９１０（１０）、γ＝８０．２０５０（１０）゜、Ｖ＝１６４３．３４（１６）ų、Ｚ＝２、ρ_calc＝１．３８８ｇ／ｃｍ³、μ＝０．１０５ｍｍ^-1、Ｆ−（０００）＝７２０、Ｔ＝１９３（２）Ｋ、Ｒ₁＝０．１２９５、ｗＲ₂＝０．２１１２、６４９０の独立した反射［２θ≦５２．１６゜］及び４７０のパラメータ。

実施例１０
Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

１０．１ Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
４６０ｍｇ（０．８３６ミリモル）の１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物（Ｆ．Ｗｕｅｒｔｈｅｒ，Ｖ．Ｓｔｅｐａｎｅｎｋｏ，Ｚ．Ｃｈｅｎ，Ｃ．Ｒ．Ｓａｈａ−Ｍｏｅｌｌｅｒ．Ｎ．Ｋｏｃｈｅｒ，Ｄ．Ｓｔａｌｋｅ著のＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｈｈｅｍ．２００４，６９，７９３３−７９３９）に記載されるように製造した）を、１０ｍｌの無水Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）中で３０分間超音波浴において処理する。次いで、０．５３２ｇ（２．６８ミリモル）の２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチルアミンを７ｍｌのＮ−メチルピロリドン及び０．３４ｇの酢酸中に添加する。該反応混合物を９０℃に５時間加熱する。室温に冷却した後に、２ＮのＨＣｌに注ぎ、沈殿した固体を濾別する。真空中で乾燥させた後に、カラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）により精製し、その際、６９０ｍｇ（９４％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝５．０４（ｔ，４Ｈ，³Ｊ（Ｈ，Ｆ）＝１５．３Ｈｚ），８．７８（ｄ、２Ｈ，³Ｊ＝８．１Ｈｚ），９．００（ｓ，２Ｈ），９．５４（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝８．２Ｈｚ）

１０．２ Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
４０．０ｍｇ（０．０４３ミリモル）のＮ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド、３０ｍｇのＫＦ及び１０ｍｇの１８−クラウン−６を１．５ｍｌのスルホラン中に入れて、１６０℃に４５分間加熱する。冷却した混合物を水に注ぎ、そして沈殿した固体を濾別する。乾燥された固体を、ジクロロメタン中に溶解させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製し、その際、１１ｍｇ（３２％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝５．０４（ｔ，４Ｈ，³Ｊ＝１５．８Ｈｚ），８．６２（ｄ、２Ｈ，³Ｊ＝１３．５Ｈｚ），８．８１（ｓ，２Ｈ，³Ｊ＝７．６Ｈｚ），９．２３（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝５．３Ｈｚ）
ＨＲ−ＭＳ（ＥＳＩ（ネガティブモード，クロロホルム，アセトニトリル））：７９０．０３９０３（Ｍ）、計算値７９０．０３９０６（Ｃ₃₂Ｈ₁₀Ｆ₁₆Ｎ₂Ｏ₄）
シクロボルタモグラム（ＣＨ₂Ｃｌ₂，０．１Ｍのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＢＡＨＦＰ）、フェロセンに対して）：
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ／ＰＢＩ^-）＝−０．９２Ｖ
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ^-／ＰＢＩ^2-）＝−１．１４Ｖ
ＰＢＩ＝ビスペリレンイミド

ＯＦＥＴは、スピンコート法についての一般的方法に従って製造する。溶剤：ジクロロメタン；移動度：３．８×１０^-4ｃｍ²／Ｖｓ。

ＯＦＥＴは、ＰＶＤ法についての一般的方法に従って製造する。基板温度：１２５℃、移動度：０．２２３ｃｍ²／Ｖｓ。

出発物質として、なおも約１５％の１，６−異性体を含有する１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物を使用した場合に、Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとＮ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとの異性体混合物が得られる。前記混合物を用いて太陽電池を製造した。

実施例１１
Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

１１．１ Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
４２０ｍｇ（０．７６ミリモル）の１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物、１．２０ｇ（６．５６ミリモル）のペンタフルオロアニリン及び２００ｍｇの酢酸亜鉛（ＩＩ）を、１４０℃に５時間加熱する。室温に冷却した後に、固体混合物をジクロロメタン中に溶解させ、そして２ＮのＨＣｌに注ぐ。ジクロロメタンで複数回抽出し、有機相を合し、乾燥させ、濃縮する。カラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製し、その際、９０ｍｇ（１３％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝８．１２（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝８．１Ｈｚ），９．０３（ｓ，２Ｈ），９．５８（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝８．１Ｈｚ）；
ＨＲ−ＭＳ（ＥＳＩ（ネガティブモード，クロロホルム，アセトニトリル））：８７７．８５４１９（Ｍ）、計算値８７７．８５４０１（Ｃ₃₆Ｈ₆Ｂｒ₂Ｆ₁₀Ｎ₂Ｏ₄）

１１．２ Ｎ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
１２８ｍｇ（０．１４５ミリモル）のＮ，Ｎ′−ビス（ペンタフルオロフェニル）−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド、１００ｍｇのＫＦ及び５０ｍｇの１８−クラウン−６を２．５ｍｌのスルホラン中で１６０℃に４５分間加熱する。冷却した混合物を水に注ぎ、そして沈殿した固体を濾別する。乾燥された固体を、ジクロロメタン中に溶解させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製し、その際、５０ｍｇ（４５％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝８．６６（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝１３．３Ｈｚ），８．８５（ｓ，２Ｈ，³Ｊ＝７．５Ｈｚ），９．２９（ｍ，２Ｈ）；
ＨＲ−ＭＳ（ＥＳＩ（ネガティブモード，クロロホルム））：７９２．９８２９０（Ｍ＋Ｃｌ^-）、計算値７９２．９８３００（Ｃ₃₆Ｈ₆Ｆ₁₂Ｎ₂Ｏ₄Ｃｌ）
シクロボルタモグラム（ＣＨ₂Ｃｌ₂，０．１ＭのＴＢＡＨＦＰ、フェロセンに対して）：
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ／ＰＢＩ^-）＝−０．８６Ｖ
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ^-／ＰＢＩ^2-）＝−１．０８Ｖ

実施例１２
Ｎ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

１２．１ Ｎ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
２．００ｇ（３．６３ミリモル）の１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物を、８ｍｌの蒸留したキノリン中で０．５ｍｌのメチルベンジルアミン及び１０ｍｇの酢酸亜鉛（ＩＩ）と一緒に１３０℃に加熱する。３時間後に、室温に冷却し、そして２００ｍｌの２ＮのＨＣｌに添加する。沈殿した固体を濾別し、乾燥させ、そしてカラムクロマトグラフィーによって精製（ジクロロメタン）し、その際、１．３１ｇ（１．７４ミリモル、４８％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝２．０２（ｄ，６Ｈ，³Ｊ＝７．２Ｈｚ），６．５４（ｑ，２Ｈ，³Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．２−７．３（ｍ，２Ｈ），７．３４（ｍ，４Ｈ），７．５１（ｍ，４Ｈ），８．６７（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝８．１Ｈｚ），８．９０（ｓ，２Ｈ），９．４６（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝８．２Ｈｚ）；
ＨＲ−ＭＳ（ａｐｃｉ（ポジティブモード））：７５５．０１７８（Ｍ＋Ｈ）⁺、計算値７５５．０１７６（Ｃ₄₀Ｈ₂₄Ｂｒ₂Ｎ₂Ｏ₄）

１２．２ Ｎ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
６５１ｍｇ（１．３６ミリモル）のＮ，Ｎ′−１−フェニルエチル−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド、６５０ｍｇのＫＦ及び２００ｍｇの１８−クラウン−６を１３ｍｌのスルホラン中に入れて、１６０℃に１時間加熱する。冷却した混合物を２００ｍｌの水に入れ、そして沈殿した固体を濾別し、そして引き続き水で洗浄する。乾燥させた固体を、ジクロロメタン中に溶解させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製する。３３０ｍｇ（０．５２ミリモル、６０％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝２．０４（ｄ，６Ｈ，³Ｊ＝７．２Ｈｚ），６．５４（ｑ，２Ｈ，³Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．２−７．３（ｍ，２Ｈ），７．３４（ｍ，４Ｈ），７．５１（ｍ，４Ｈ），８．４６（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝１３．７Ｈｚ），８．６３（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝７．８Ｈｚ），９．０４（ｍ，２Ｈ）；
ＨＲ−ＭＳ（ａｐｃｉ（ポジティブモード））：６３５．１７７６（Ｍ＋Ｈ）⁺、計算値６３５．１７７７（Ｃ₄₀Ｈ₂₅Ｆ₂Ｎ₂Ｏ₄）

実施例１３
Ｎ，Ｎ′−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

１３．１ Ｎ，Ｎ′−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
２．００ｇ（３．６３ミリモル）の１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物、４ｍｌの２−エチルヘキシルアミン及び２５ｍｌのプロピオン酸を、１４２℃に３．５時間加熱し、次いでそれを１５０ｍｌの水に入れる。沈殿した固体を濾別し、乾燥させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製し、その際、１．３８ｇ（５０％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：
δ＝０．８８−１．００（ｍ，１２Ｈ），１．２５−１．４３（ｍ，１６Ｈ），１．９５（ｍ，２Ｈ），４．１６（ｍ，４Ｈ），８．７０（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝８．２Ｈｚ），８．９４（ｓ，２Ｈ），９．５０（ｄ，２Ｈ，³Ｊ＝８．１Ｈｚ）

１３．２ Ｎ，Ｎ′−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
表題化合物は、実施例１２．２に記載した方法と同様にして、Ｎ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドの代わりに、Ｎ，Ｎ′−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジブロモ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドを使用するが、１６０℃に２時間加熱して製造する。表題化合物が５０％の収率で得られる。

実施例１４
１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物

実施例１９に記載される方法に従って、実施例１３からのＮ，Ｎ′−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドの反応を実施する。収率：９０％。

実施例１５
Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

１５．１ Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
１．００ｇ（１．８９ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物を、２０ｍｌの無水Ｎ−メチルピロリドン中で３０分間にわたり超音波浴中に置く。次いで、１．０６ｇ（５．３５ミリモル）の２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチルアミンを１５ｍｌのＮ−メチルピロリドン及び０．６８ｇの酢酸中に添加する。該反応混合物を９０℃に５時間加熱する。室温に冷却した後に、２ＮのＨＣｌに注ぎ、そして沈殿した固体を濾別する。真空中で乾燥させた後に、カラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）により精製し、その際、１．３０ｇ（７７％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝５．０４（ｔ，４Ｈ，³Ｊ（Ｈ，Ｆ）＝１５．７Ｈｚ），８．７５（ｓ，４Ｈ）；
ＨＲ−ＭＳ（ＥＳＩ（ネガティブモード，クロロホルム，アセトニトリル））：９２４．８６９６８（Ｍ＋Ｃｌ^-）、計算値９２４．８７０８６（Ｃ₃₂Ｈ₈Ｃｌ₅Ｆ₁₄Ｎ₂Ｏ₄）；
シクロボルタモグラム（ＣＨ₂Ｃｌ₂，０．１ＭのＴＢＡＨＦＰ，フェロセンに対する）：
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ／ＰＢＩ^-）＝−０．７４Ｖ
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ^-／ＰＢＩ^2-）＝−０．９５Ｖ

１５．２ Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
７００ｍｇ（０．９５６ミリモル）のＮ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド、１．０９ｇのＫＦ及び１２０ｍｇの（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）−テトラメチルグアニジウムクロリドを５０ｍｌのスルホラン中に入れて、１６０℃に２時間加熱する。冷却した混合物を７００ｍｌの水に入れ、そして沈殿した固体を濾別し、そして引き続き水で洗浄する。乾燥させた固体を、ジクロロメタン中に溶解させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ペンタン／ジクロロメタン：１／４）によって精製する。収量：６３ｍｇ（８．６％）。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝５．０４（ｔ，４Ｈ，³Ｊ（Ｈ，Ｆ）＝１５．３Ｈｚ），８．５６（ｔ，４Ｈ，³Ｊ＝５．２Ｈｚ）；
ＨＲ−ＭＳ（ＥＳＩ（ネガティブモード，クロロホルム，アセトニトリル））：８６０．９８８６（Ｍ＋Ｃｌ^-）、計算値８６０．９８９１（Ｃ₃₂Ｈ₈Ｆ₁₈Ｎ₂Ｏ₄Ｃｌ）；
シクロボルタモグラム（ＣＨ₂Ｃｌ₂，０．１ＭのＴＢＡＨＦＰ、フェロセンに対して）：
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ／ＰＢＩ^-）＝−０．８７Ｖ
Ｅ^red _1/2（ＰＢＩ^-／ＰＢＩ^2-）＝−１．１２Ｖ

ＯＦＥＴは、スピンコート法についての一般的方法に従って製造する。溶剤：ジクロロメタン；移動度：４．０×１０^-4ｃｍ²／Ｖｓ。

ＯＦＥＴは、ＰＶＤ法についての一般的方法に従って製造する。基板温度：１２５℃、移動度：０．０３２ｃｍ²／Ｖｓ。

実施例１６
Ｎ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

１６．１ Ｎ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
３．００ｇ（５．６６ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物、６５ｍｌの蒸留されたキノリン、７．５ｍｌ（６５．２ミリモル）のメチルベンジルアミン及び１．００ｇの酢酸亜鉛を１８０℃に加熱する。４時間後に、室温に冷却し、そして３００ｍｌの２ＮのＨＣｌに添加する。沈殿した固体を濾別し、乾燥させる。カラムクロマトグラフィーによる精製（ジクロロメタン）の後に、３．７０ｇ（８８％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝２．０１（ｄ，６Ｈ，³Ｊ＝７．２Ｈｚ），６．５４（ｑ，２Ｈ，³Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．２−７．３（ｍ，２Ｈ），７．３４（ｍ，４Ｈ），７．５１（ｍ，４Ｈ），８．６４（ｓ，４Ｈ）；
ＨＲ−ＭＳ（ａｐｃｉ（ポジティブモード））：７３５．０４１４（Ｍ^-），計算値７３５．０４０６（Ｃ₄₀Ｈ₂₃Ｃｌ₄Ｎ₂Ｏ₄）

１６．２ Ｎ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
１．００ｇ（１．３６ミリモル）のＮ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチル−１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド、１．２５ｇのＫＦ及び１００ｍｇの（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）−テトラメチルグアニジウムクロリドを８ｍｌのスルホラン中に入れて、１６０℃に５時間加熱する。冷却した混合物を２００ｍｌの水に入れ、そして沈殿した固体を濾別し、そして引き続き水で洗浄する。乾燥させた固体を、ジクロロメタン中に溶解させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ペンタン／ジクロロメタン：１／２）によって精製する。収量：８０ｍｇ（８．８％）。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝２．０１（ｄ，６Ｈ，³Ｊ＝７．０Ｈｚ），６．５４（ｑ，２Ｈ，³Ｊ＝７．３Ｈｚ），７．２６（ｍ，２Ｈ），７．３４（ｍ，４Ｈ），７．５１（ｍ，４Ｈ），８．４４（ｔ，４Ｈ，³Ｊ＝５．３Ｈｚ）；
ＨＲ−ＭＳ（ａｐｃｉ（ネガティブモード））：６７０．１５３２（Ｍ^-），計算値６７０．１５２１（Ｃ₄₀Ｈ₂₂Ｆ₄Ｎ₂Ｏ₄）

実施例１７
１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

実施例１６からの７０．０ｍｇ（１０４マイクロモル）のＮ，Ｎ′−ジ−１−フェニルエチルアミン−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドを１５ｍｌのジクロロメタン中に溶かした溶液を、０℃に冷却する。次いで、２００μｌのＢＢｒ₃をゆっくりと滴加し、その溶液を室温で３時間撹拌する。ジクロロメタンを真空中で除去し、そして残留物をメタノール／水の混合物を用いて超音波浴中で懸濁する。沈殿した固体を濾別し、そして水で、次にジクロロメタンで洗浄する。収量：４５ｍｇ（９３％）。

ＨＲ−ＭＳ（ＥＩ（ポジティブモード））：４６２．０２５５（Ｍ⁺），計算値４６２．０２６０（Ｃ₂₄Ｈ₆Ｆ₄Ｎ₂Ｏ₄）

ＯＦＥＴは、ＰＶＤ法についての一般的方法に従って製造する。基板温度：１２５℃、移動度：１．４×１０^-4ｃｍ²／Ｖｓ。

ＯＦＥＴは、スピンコート法についての一般的方法に従って製造する。溶剤：テトラヒドロフラン；移動度：１．１１×１０^-6ｃｍ²／Ｖｓ。

実施例１８
Ｎ，Ｎ′−２−エチルヘキシル−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド

１７．１ Ｎ，Ｎ′−２−エチルヘキシル−１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
３．００ｇ（５．６６ミリモル）の１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物、１６ｍｌの２−エチルヘキシルアミン及び３５ｍｌのプロピオン酸を、１４２℃に１．５時間加熱し、次いでそれを１５０ｍｌの水に入れる。沈殿した固体を濾別し、乾燥させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製し、その際、３．３０ｇ（７７％）の表題化合物が得られる。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝０．８８−０．９５（ｍ，１２Ｈ），１．２５−１．４３（ｍ，１６Ｈ），１．９５（ｍ，２Ｈ），４．１６（ｍ，４Ｈ）、８．６８（ｓ，４Ｈ）

１８．２ Ｎ，Ｎ′−２−エチルヘキシル−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド
３００ｍｇ（０．４００ミリモル）のＮ，Ｎ′−２−エチルヘキシル−１，６，７，１２−テトラクロロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド、２５０ｍｇのＫＦ及び１００ｍｇの（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）−テトラメチルグアニジウムクロリドを２ｍｌのスルホラン中に入れて、１６０℃に２時間加熱する。冷却した混合物を１００ｍｌの水に入れ、そして沈殿した固体を濾別し、そして水で洗浄する。乾燥させた固体を、ジクロロメタン中に溶解させ、そしてカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／ジクロロメタン：３／７）によって精製する。収量：３０ｍｇ（８．８％）。

¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ＝０．８８−０．９７（ｍ，１２Ｈ），１．２５−１．４３（ｍ，１６Ｈ），１．９５（ｍ，２Ｈ），４．１６（ｍ，４Ｈ），８．４９（ｔ，４Ｈ，³Ｊ＝５．２Ｈｚ）；
ＨＲ−ＭＳ（ａｐｃｉ（ネガティブモード））：６８６．２７８３（Ｍ^-），計算値６８６．２７７３（Ｃ₄₀Ｈ₃₈Ｆ₄Ｎ₂Ｏ₄）

実施例１９
１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物

実施例１８からの５５ｍｇ（０．０８ミリモル）のＮ，Ｎ′−エチルヘキシル−１，６，７，１２−テトラフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミド、３００ｍｇのＫＯＨ、２００μｌの水及び１０ｍｌのブタノールを、７５℃に２時間加熱する。次いで、該混合物を２００ｍｌの酢酸に入れ、そして約１００℃で５時間撹拌する。次いで、水で希釈し、そして沈殿した生成物を濾別し、乾燥させる。質量スペクトルは、表題化合物の他に、ヒドロキシで一置換され、かつフッ素で三置換された無水物を有する少量の不純物を示している。収量：３５ｍｇ（９４％）。

ＨＲ−ＭＳ（ＥＩ（ポジティブモード））：４６４．１（Ｍ⁺），計算値４６４．０（Ｃ₂₄Ｈ₄Ｆ₄Ｏ₆）

実施例２０

１５ｇのフェノール、１．０１ｇ（９．３ミリモル）の１，２−フェニレンジアミン、０．３７ｇ（４．７ミリモル）のピラジンの混合物を、１２０℃に加熱する。次いで、前記の温度で、実施例４からの１．０ｇ（２．３ミリモル）の１，７−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物を添加し、そして該混合物を１７０℃に加熱する。２時間撹拌した後に、該反応混合物を室温に冷却し、そして５０ｍｌの完全脱塩水及び１０ｍｌのメタノールで希釈する。該固体を濾別し、エタノールで洗浄し、そして真空中で乾燥させる。１．２１ｇ（９１％）の黒色の固体が得られる。

Ｒ_f（トリクロロ酢酸／トルエン ５：１）＝０．１２、０．３６、０．４８。

該化合物は、３領域昇華装置中で３回の昇華によって精製した。

ＯＦＥＴは、ＰＶＤ法についての一般的方法に従って製造する。それらの結果を、以下に示す。

実施例２１

実施例２０に従って、実施例４からの１，７−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物の反応を実施するが、１，２−フェニレンジアミンの代わりに１，８−ジアミノナフタレンを使用する。黒色の粉末が９２％の収率で得られる。

Ｒ_f（トリクロロ酢酸：トルエン ５：１）＝０．２９、０．４７。

実施例２２
１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドと１，６−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ジメチル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドとの混合物

水５０ｍｌ、実施例４からの１，７−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物と１，６−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸二無水物との混合物５．０ｇ（０．０１２モル）及び４１％のメチルアミン溶液（０．０４８モルのメチルアミン）２．８ｍｌの混合物を、室温で２２時間撹拌する。

沈殿物を濾別し、水で洗浄し、そして真空中で乾燥させる。４．８２ｇ（８９％）の黒褐色の固体が得られる。

ＵＶ−ＶＩＳ（Ｈ₂ＳＯ₄）λｍａｘ＝５７６ｎｍ（８９．５ｌ／ｃｍ・ｇ），５４４ｎｍ（７１．３ｌ／ｃｍ・ｇ）

実施例２３
フッ素化されたテリレンジイミドの混合物

２５０ｍｌのスルホラン、５．８ｇ（５ミリモル）の１，６，９，１４−テトラブロモテリレン−３，４−１１，１２−テトラカルボン酸ジイミド、０．２６ｇ（１ミリモル）の１８−クラウン−６及び２．３２ｇ（４０ミリモル）のフッ化カリウムの混合物を、１２０℃に加熱し、そして更に２００ｍｌのスルホランで希釈する。１２０℃で３時間撹拌した後に、１６０℃に加熱し、そして次いで室温に冷却する。更に１．１６ｇ（２０ミリモル）のフッ化カリウムを添加し、そして該混合物を更に２２時間にわたり１６０℃に加熱する。室温に冷却した後に、３００ｍｌの水を添加し、そして反応混合物を更に１６時間撹拌する。沈殿物を濾別し、水で複数回洗浄し、そして真空中で乾燥させる。黒青色の生成物が定量的な収率で得られる。質量分析的な調査（ＭＡＬＤＩ）によれば、該生成物は表題化合物の混合物を含有している。

実施例２４
２４．１

Ｓａｄｒａｉ著のＡｃｔａ．Ｃｒｙｓｔ．１９９０，４６，６３７−６４０に従って、２０．９ｇ（０．０５モル）のＮ，Ｎ′−ジメチルペリルイミドを１１５ｍｌのクロロスルホン酸中に入れたものを、６０℃で１．０ｇのヨウ素を添加しつつ３時間以内で５３．０ｇの塩素で処理する。該反応混合物を氷水に慎重に沈殿させ、濾別し、そして水で洗浄する。２９．２ｇの橙色の固体が得られ、それは、質量分析的な調査（ＭＡＬＤＩ）によれば、十分にヘキサクロロ化合物からなっている。クロロ含有率：３４．７％。

２４．２ 以下のものの混合物

２５ｍｌのＮ−メチルピロリドン、２．３ｇのフッ化カリウム（４０ミリモル）、０．３ｇ（１１ミリモル）の１８−クラウン−６及び１．２ｇ（２ミリモル）の２４．１の混合物からなる混合物を、１２０℃に２時間加熱する。該反応混合物を冷却し、水に沈殿させ、濾過し、洗浄する。１．０６ｇの橙色の固体が得られ、それをカラムクロマトグラフィーによって分離する。部分塩素化され部分フッ素化された最大６つのハロゲン原子を有する化合物と６フッ素化された化合物との混合物が得られる。

適用例：
適用例１： 励起子太陽電池
仕事電極として、インジウムドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）で被覆された寸法２５ｍｍ×１５ｍｍ×１ｍｍを有するガラス板を使用した（インジウムスズ酸化物被覆されたスライドガラス、３０〜６０Ωの抵抗、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）。これらを、順次にガラス清浄剤のアセトンとイソプロパノールによって超音波浴中で清浄化し、窒素流中で乾燥させた。引き続き、前記のＩＴＯガラスを、スピンコートによって約１００ｎｍ厚のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層で覆った。その際、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、水溶液で使用し（Ｂａｙｔｒｏｎ（登録商標）Ｐ ＶＰ Ａｌ ４０８３）、スピンコート周期数は４０００ｒｐｍとし、遠心運動時間は３０秒とした。次いで、サンプルを乾燥棚において１００℃で１５分間乾燥させた。

金属背面電極と仕事電極との電気的絶縁（Ａｂｉｓｏｌａｔｉｏｎ）のために、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層上のその長辺縁部にそれぞれ１つのポリイミドストリップ（Ｐｙｒｏｌｉｎ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｃｏａｔｉｎｇ，Ｓｕｐｅｉｃｏ）を施与し、乾燥棚内で２００℃で１５分間硬化させた。

活性有機層を、以下の順序で蒸着させた。まず、ドナーとして銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ，勾配昇華による）を、次いでアクセプターとして実施例１０からのＮ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとＮ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとの混合物を、そして最後に緩衝層としてバソクプロイン（ＢＣＰ，Ｓｅｎｓｉｅｎｔ）を、真空中での熱的蒸着でＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ポリイミド層上に施与した。それを８*１０^-7ミリバールの圧力で作業した。ＣｕＰｃの蒸着は、３８０℃の温度及び蒸着速度０．２〜１．０ｎｍ／ｓで行い、Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとＮ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとの混合物を、２９０℃で速度０．２〜０．８ｎｍ／ｓで蒸着させ、そしてＢＣＰを１８０℃で１．０ｎｍ／ｓで蒸着させた。生じた層厚は、ＣｕＰｃについては５０ｎｍであり、Ｎ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，７−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとＮ，Ｎ′−ビス（ヘプタフルオロブチル）−１，６−ジフルオロ−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ビスイミドとの混合物については５０ｎｍであり、かつＢＣＰ層については２０ｎｍであった。

金属背面電極は、真空中での熱的金属蒸着によって施与した。そのために、サンプルにマスクを取り付けて、活性領域上に直径１ｍｍを有する８つの互いに分離された丸型の背面電極を蒸着した。前記電極は、それぞれ約３ｍｍ×２ｍｍ大の接触面でポリイミド層を介して接続されている。金属としては、Ａｇが使用され、該金属は、層厚１００ｎｍが生ずるように速度０．２〜１．０ｎｍ／ｓで約５*１０^-5ミリバールの圧力で蒸着した。

効率ηの測定のために、それぞれの電流／電圧−特性直線をＳｏｕｒｃｅ Ｍｅｔｅｒ Ｍｏｄｅｌ ２４００（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．）を用いて、擬似太陽としてハロゲンランプ場（Ｘｅｎｏｐｈｏｔ（登録商標）；Ｏｓｒａｍ）での照射をしつつ測定した。

照明強度１００ｍＷ／ｃｍ²での電流／電圧−特性直線を、図７に示す。短絡電流は１．３７ｍＡ／ｃｍ²であり、開放端子電圧は１１４ｍＶであり、曲線因子は２９％であった。それにより０．０４％の効率がもたらされ、該物質の光起電性の活性が裏付けられる。

図１は、メチルイソブチレート中での吸収スペクトルと蛍光スペクトルを示している。 図２は、生成物のジクロロメタン中でのＵＶスペクトルを示している。 図３は、１，７−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビスシクロヘキシル−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドのシクロボルタモグラムを示している。 図４は、１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドのシクロボルタモグラムを示している。 図５は、１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドの偏光顕微鏡写真を示す。 図６は、１，６，７，１２−テトラフルオロ−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−ペリレン−３，４：９，１０−テトラカルボン酸ジイミドのＤＳＣ曲線を示している。 図７は、照明強度１００ｍＷ／ｃｍ²での電流／電圧−特性直線を示している。

Claims (26)

1. 一般式Ｉ
   

   

   ［式中、
   ｎは、２、３もしくは４を表し、
   基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
   場合により、他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、Ｃｌ及びＢｒから選択される置換基を表し、かつ他の基は、水素を表し、
   Ｙ¹は、ＯもしくはＮＲ^aを表し、その際、Ｒ^aは、水素もしくはオルガニル基を表し、
   Ｙ²は、ＯもしくはＮＲ^bを表し、その際、Ｒ^bは、水素もしくはオルガニル基を表し、
   Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、Ｏを表し、
   その際、Ｙ¹がＮＲ^aを表す場合については、基Ｚ¹及びＺ²の１つはＮＲ^cを表してもよく、その際、基Ｒ^a及びＲ^cは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表し、かつ
   その際、Ｙ²がＮＲ^bを表す場合については、基Ｚ³及びＺ⁴の１つはＮＲ^dを表してもよく、その際、基Ｒ^b及びＲ^dは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］で示される化合物を、半導体として、特にｎ型半導体として用いる使用。
2. 請求項１に記載の使用であって、ｎが、２を表し、かつ基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１、２、３、４、５もしくは６つがフッ素を表すことを特徴とする使用。
3. 請求項１に記載の使用であって、ｎが、３を表し、かつ基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１、２、３もしくは４つがフッ素を表すことを特徴とする使用。
4. 請求項１に記載の使用であって、ｎが、４を表し、かつ基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の１、２、３、４、５もしくは６つがフッ素を表すことを特徴とする使用。
5. 式Ｉ．Ａ
   

   

   の化合物又は式Ｉ．Ｂａ
   

   

   ［式中、
   Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素を表し、又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］の化合物の、請求項１に記載の使用。
6. 式Ｉ．Ｂｂ
   

   

   ［式中、
   ｎ及びＲⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は上述の意味を有し、かつ
   Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］の化合物の、請求項１に記載の使用。
7. 有機エレクトロニクス、特に有機電界効果トランジスタ、有機発光ダイオードもしくは太陽電池における、請求項１から６までのいずれか１項に記載の使用。
8. 有機光電池、特に励起子太陽電池における、請求項１から６までのいずれか１項に記載の使用。
9. 請求項１から６までのいずれか１項に定義される一般式Ｉの化合物を、光学ラベルのために、製品の不可視標識のために、蛍光色素として、生体分子用の蛍光ラベルとして、及び顔料として用いる使用。
10. 請求項１から６までのいずれか１項に定義される一般式Ｉの化合物を、蛍光変換を基礎とするディスプレイにおける蛍光色素として、場合により太陽電池と組み合わされている集光性プラスチック部品において、起電表示における顔料色素として、化学発光を基礎とする用途における蛍光色素として用いる使用。
11. 式Ｉ
    

    

    ［式中、ｎ、Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴、Ｙ¹、Ｙ²、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、請求項１から６までのいずれか１項に定義される通りである］で示される化合物の製造方法において、式Ｉで示され、その式中、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴の少なくとも１つがＣｌもしくはＢｒを表す化合物を、実質的に無水の条件下でアルカリフッ化物との反応に供することを特徴とする製造方法。
12. アルカリフッ化物としてＫＦを使用する、請求項１０に記載の方法。
13. 請求項１０又は１１に記載の方法において、溶剤として、有利にはジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、（ＣＨ₃）₂ＳＯ、ジメチルスルホン、スルホラン及びそれらの混合物から選択される、少なくとも１つの非プロトン性極性溶剤を使用することを特徴とする方法。
14. 請求項１０から１２までのいずれか１項に記載の方法において、アルカリフッ化物との反応のために、付加的に、錯形成剤、有利にはクラウンエーテルを使用することを特徴とする方法。
15. 請求項１０から１２までのいずれか１項に記載の方法において、アルカリフッ化物との反応のために、付加的に、２−アザアレニウム化合物、カルボホスファゼニウム化合物、アミノホスホニウム化合物及びジホスファゼニウム化合物から選択される相転移触媒を使用することを特徴とする方法。
16. 請求項１４に記載の方法において、相転移触媒として（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノ）テトラメチルグアニジニウムクロリドを使用することを特徴とする方法。
17. 式（Ｉ．Ｂａ）
    

    

    ［式中、ｎ、Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、請求項１から６までのいずれか１項に定義される通りであり、かつ
    Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］で示される化合物の製造方法において、
    ａ１）式ＩＩ
    

    

    ［式中、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、ＣｌもしくはＢｒを表し、ｎは、２、３もしくは４を表す］で示されるリレン二無水物を、実質的に無水の条件下で、アルカリフッ化物との反応に供し、
    ｂ１）工程ａ１）で得られた化合物を、式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンとの反応と、場合によりそれとは異なる式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応に供することを特徴とする製造方法。
18. 式Ｉ．Ｂｂ
    

    

    ［式中、ｎ、Ｘ、Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、請求項１から６までのいずれか１項に定義される通りである］で示される化合物の製造方法において、
    ａ２）式ＩＩ
    

    

    ［式中、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、ＣｌもしくはＢｒを表し、ｎは、２、３もしくは４を表す］で示されるリレン二無水物を、実質的に無水の条件下で、アルカリフッ化物との反応に供し、
    ｂ２）工程ａ２）で得られた化合物を、式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂のアミンとの反応に供することを特徴とする製造方法。
19. 式（Ｉ．Ａ）
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３もしくは４を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
    その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、水素を表す］で示される二無水物の製造方法において、
    式（Ｉ．Ｂａ）
    

    

    ［式中、Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］で示されるジイミドを、二段階加水分解に供し、その際、第一段階を塩基の存在下で行い、第二段階を酸の存在下で行うことを特徴とする製造方法。
20. 式（Ｉ．Ｂａ）
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３もしくは４を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
    その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表し、かつ
    Ｒ^a及びＲ^bは、互いに無関係に、水素又は非置換もしくは置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリールを表す］で示される化合物の製造方法において、
    式（Ｉ．Ａ）
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３もしくは４を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
    その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表す］で示される二無水物を、式Ｒ^a−ＮＨ₂のアミンとの反応と、場合によりそれとは異なる式Ｒ^b−ＮＨ₂のアミンとの反応に供することを特徴とする製造方法。
21. 式Ｉ．Ｂｂ
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３もしくは４を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
    残りの基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、水素を表し、かつ
    Ｘは、二価の架橋基であって、その両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］で示される少なくとも１つの化合物の製造方法において、式（Ｉ．Ａ）
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３もしくは４を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
    残りの基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は、水素を表す］で示される二無水物を、式Ｈ₂Ｎ−Ｘ−ＮＨ₂のアミンとの反応に供することを特徴とする方法。
22. 式（Ｉ．ＢａＨ）
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３もしくは４を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、かつ
    その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表す］で示される化合物の製造方法において、
    式（Ｉ．Ｂａ２）
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３もしくは４を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
    その他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴は水素を表し、
    Ｒ^c1及びＲ^c2は互いに無関係に、アリールを表し、かつ
    Ｒ^d1及びＲ^d2は、互いに無関係にアルキルを表す］で示されるジイミドを、強ルイス酸及びプロトン供与体との反応に供することを特徴とする製造方法。
23. 一般式Ｉ
    

    

    ［式中、
    ｎは、２、３、４、５もしくは６を表し、
    基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、フッ素を表し、
    場合により、他の基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つは、Ｃｌ及びＢｒから選択される置換基を表し、かつ他の基は、水素を表し、
    Ｙ¹は、ＯもしくはＮＲ^aを表し、その際、Ｒ^aは、水素もしくはオルガニル基を表し、
    Ｙ²は、ＯもしくはＮＲ^bを表し、その際、Ｒ^bは、水素もしくはオルガニル基を表し、
    Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は、Ｏを表し、
    その際、Ｙ¹がＮＲ^aを表す場合については、基Ｚ¹及びＺ²の１つはＮＲ^cを表してもよく、その際、基Ｒ^a及びＲ^cは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表し、かつ
    その際、Ｙ²がＮＲ^bを表す場合については、基Ｚ³及びＺ⁴の１つはＮＲ^dを表してもよく、その際、基Ｒ^b及びＲ^dは、一緒になって、架橋基であってその両端の結合の間に２〜５個の原子を有する基を表す］で示される化合物（式Ｉで示され、その式中、ｎが２を表し、基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³及びＲⁿ⁴の少なくとも１つがフッ素を表し、かつ他の少なくとも１つが塩素を表す化合物を除く）。
24. 少なくとも１つのゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板及びｎ型半導体としての請求項１から６までのいずれか１項に定義される式Ｉの少なくとも１つの化合物を含む、有機電界効果トランジスタ。
25. 多くの有機電界効果トランジスタを有する基板であって、その電界効果トランジスタの少なくとも一部が、ｎ型半導体としての請求項１から６までのいずれか１項に定義される式Ｉで示される少なくとも１つの化合物を含有することを特徴とする基板。
26. 請求項２４に記載の少なくとも１つの基板を含む半導体素子。

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