JP2009159000A - 逆メサ型圧電振動片、逆メサ型圧電デバイスおよび逆メサ型圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄肉になっている平坦領域を広げつつ強度を確保することにより小型化した逆メサ型圧電振動片、逆メサ型圧電デバイスおよび逆メサ型圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】逆メサ型圧電振動片は、圧電素板12と電極パターンを有している。この圧電素板12の一方の主面14には、その周縁部に厚肉部20を設けることにより、厚肉部20によって囲まれる凹陥部18を形成している。また圧電素板12の他方の主面16には、エッチング残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に沿い、且つ、凹陥部18の底面18aに対向した溝部24を設けている。そして凹陥部18の底面18aと溝部24との対向部分が薄肉部28(平坦領域)となっている。
【選択図】図1
【解決手段】逆メサ型圧電振動片は、圧電素板12と電極パターンを有している。この圧電素板12の一方の主面14には、その周縁部に厚肉部20を設けることにより、厚肉部20によって囲まれる凹陥部18を形成している。また圧電素板12の他方の主面16には、エッチング残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に沿い、且つ、凹陥部18の底面18aに対向した溝部24を設けている。そして凹陥部18の底面18aと溝部24との対向部分が薄肉部28(平坦領域)となっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、逆メサ型圧電振動片、逆メサ型圧電デバイスおよび逆メサ型圧電デバイスの製造方法に関するものである。
逆メサ型圧電振動片は、圧電素板を備えている。この圧電素板は、振動領域になる薄肉部と、この薄肉部よりも厚く形成するとともに薄肉部の周囲に設けた厚肉部とを備えている。そして圧電素板には、これの片方の主面に凹陥部を設けて、この凹陥部の底面を薄肉部としたものがある(特許文献1を参照)。また圧電素板には、これの両方の主面における対向する位置に凹陥部を設けて、各凹陥部の底面に挟まれる部分を薄肉部としたものがある(特許文献2を参照)。
特開2004−165743号公報
特開2002−374146号公報
図5はATカット水晶素板を逆メサ型にしたものの説明図である。そして図5(A)は逆メサ型の水晶素板の平面図、図5(B)は片側に凹陥部を設けた水晶素板の断面図、図5(C)は両側に凹陥部を設けた水晶素板の断面図である。前述した圧電素板には、ATカット水晶素板が用いられることがある。そして水晶素板は、結晶の方向によってエッチングレートが異なっている。このためATカット水晶素板を逆メサ形状にウエットエッチングすると、図5に示すように、結晶軸のZ軸をX軸回りに回転させたZ’軸方向には、広いエッチング残渣1(最も緩やかな傾斜面)が残ってしまう。これは圧電素板の片面に凹陥部を形成して額縁加工した場合でも、圧電素板の両面を額縁加工した場合でも、同様になっている。
そして圧電素板の片面を額縁加工する場合と、両面を額縁加工する場合において、同じ厚さの圧電素板から同じ厚さの薄肉部を形成するときは、片面を額縁加工するときに生じる広いエッチング残渣1が両面を額縁加工するときに比べて半分になる。ところが両面に額縁加工する場合は、図5(C)に示すように、表面と裏面に設けた凹陥部のそれぞれに広いエッチング残渣1が発生し、この広いエッチング残渣1の出る向きは表裏で異なっている。このため片面のみに凹陥部を設けたときの広いエッチング残渣1の面積と、両面に凹陥部を設けてそれぞれの広いエッチング残渣1の面積を足した合計面積とは変わらなくなる。すなわち凹陥部の底面に生じる平坦な部分(平坦領域)は、片面のみに凹陥部を設けたものの平坦領域の面積と、両面に凹陥部を設けたものの平坦領域の面積とが同じになる。
さらにエッチング残渣の幅は圧電素板の厚さ(エッチング時間)で決まるため、圧電素板を薄くすることで平坦領域を広げることもできる。しかしながら、この場合には、厚肉部の全体が薄くなるので強度が落ちてしまう。
以上のことから、逆メサ型圧電振動片の平面サイズの小型化には限界がある。
以上のことから、逆メサ型圧電振動片の平面サイズの小型化には限界がある。
本発明は、薄肉になっている平坦領域を広げつつ強度を確保することにより小型化した逆メサ型圧電振動片、逆メサ型圧電デバイスおよび逆メサ型圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]圧電素板における一方の主面の周縁部に第1厚肉部を設けて、前記第1厚肉部によって囲まれる凹陥部を設け、前記圧電素板の他方の主面には、残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に沿い、前記第1厚肉部に対向した第2厚肉部を少なくとも1つ設け、前記第2厚肉部が側壁となることによって形成される溝部は、前記凹陥部に対向し、且つ、前記残渣が最も大きくなる辺を切り欠いて前記圧電素板の側面に露出した、ことを特徴とする逆メサ型圧電振動片。
これにより1つの第2厚肉部によって形成される溝部または2つの第2厚肉部によって形成される溝部が他方の主面に形成される。この溝部の一部は、凹陥部に対向することになるので、この凹陥部は浅くなる。このため凹陥部の側面の一部を構成する最も緩やかな傾斜面は小さくなる。また溝部は、圧電素板の側面に露出しているので、他方の主面には、凹陥部のように最も緩やかな傾斜面ができない。よって凹陥部の底面と溝部とが対向した平坦領域を広げることができる。
さらに逆メサ型圧電振動片は、凹陥部の側壁を形成する第1厚肉部と、溝部の側壁を形成する第2厚肉部を備えているので、強度が弱くなることを防止できる。これにより逆メサ型圧電振動片の平面サイズを小型化できる。
これにより1つの第2厚肉部によって形成される溝部または2つの第2厚肉部によって形成される溝部が他方の主面に形成される。この溝部の一部は、凹陥部に対向することになるので、この凹陥部は浅くなる。このため凹陥部の側面の一部を構成する最も緩やかな傾斜面は小さくなる。また溝部は、圧電素板の側面に露出しているので、他方の主面には、凹陥部のように最も緩やかな傾斜面ができない。よって凹陥部の底面と溝部とが対向した平坦領域を広げることができる。
さらに逆メサ型圧電振動片は、凹陥部の側壁を形成する第1厚肉部と、溝部の側壁を形成する第2厚肉部を備えているので、強度が弱くなることを防止できる。これにより逆メサ型圧電振動片の平面サイズを小型化できる。
[適用例2]前記圧電素板における前記第2厚肉部を設けた縁部を支持部としたことを特徴とする適用例1に記載の逆メサ型圧電振動片。
これにより第2厚肉部が1つ設けられている場合には、その第2厚肉部またはこの第2厚肉部に対向した第1厚肉部が支持部となる。また第2厚肉部が2つ設けられている場合には、少なくともいずれか一方の第2厚肉部またはこの第2厚肉部に対向した第1厚肉部が支持部となる。したがって逆メサ型圧電振動片は、第1厚肉部および第2厚肉部のいずれか一方が支持部となり、片持ち状に支持される。
これにより第2厚肉部が1つ設けられている場合には、その第2厚肉部またはこの第2厚肉部に対向した第1厚肉部が支持部となる。また第2厚肉部が2つ設けられている場合には、少なくともいずれか一方の第2厚肉部またはこの第2厚肉部に対向した第1厚肉部が支持部となる。したがって逆メサ型圧電振動片は、第1厚肉部および第2厚肉部のいずれか一方が支持部となり、片持ち状に支持される。
[適用例3]前記圧電素板は、水晶結晶軸のX軸と、Z軸をX軸回りに回転させたZ’軸とで形成されるXZ’平面内のATカット水晶素板であり、前記第1厚肉部はX軸とZ’軸に沿い、前記第2厚肉部はZ’軸に沿う、ことを特徴とする適用例1または2に記載の逆メサ型圧電振動片。
これにより逆メサ型圧電振動片は、圧電素板としてATカット水晶素板を用いている場合でも、平坦領域を広げることができ、また平面サイズを小型化できる。
これにより逆メサ型圧電振動片は、圧電素板としてATカット水晶素板を用いている場合でも、平坦領域を広げることができ、また平面サイズを小型化できる。
[適用例4]適用例1ないし3のいずれかに記載の圧電振動片をパッケージに搭載したことを特徴とする逆メサ型圧電デバイス。
これにより逆メサ型の圧電振動片を電子機器に容易に搭載できる。
また第2厚肉部が2つ設けられている場合、圧電デバイスに衝撃が加わって逆メサ型圧電振動片を支持する部分とは反対側(先端側)が振れたとしても、溝部の側壁を形成する部分(第2厚肉部)がパッケージに接触して逆メサ型圧電振動片を支えるようになる。これにより逆メサ型圧電振動片が振れてパッケージに衝突してしまい、破損等が生じるのを防止できる。
これにより逆メサ型の圧電振動片を電子機器に容易に搭載できる。
また第2厚肉部が2つ設けられている場合、圧電デバイスに衝撃が加わって逆メサ型圧電振動片を支持する部分とは反対側(先端側)が振れたとしても、溝部の側壁を形成する部分(第2厚肉部)がパッケージに接触して逆メサ型圧電振動片を支えるようになる。これにより逆メサ型圧電振動片が振れてパッケージに衝突してしまい、破損等が生じるのを防止できる。
[適用例5]圧電ウエハをウエットエッチングして圧電振動片を形成する領域毎の一方の主面に凹陥部を形成するとともに、他方の主面には、前記凹陥部の側壁を構成する第1厚肉部に対向し、且つ、ウエットエッチングによって前記圧電ウエハに形成される残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に第2厚肉部を少なくとも1つ形成して、前記第2厚肉部が側壁となる溝部を前記凹陥部に対向して配置したウエハ状になっている圧電振動片を得て、その後、前記圧電ウエハを前記圧電振動片毎に個片化して、前記溝部を圧電振動片
の側面に露出する、ことを特徴とする逆メサ型圧電デバイスの製造方法。
圧電素板の両主面をウエットエッチングしているので、片面のみからエッチングして凹陥部を形成するときに比べて、凹陥部の底面と溝部とを形成するときのエッチング量を減らすことができる。また溝部の端部が圧電振動片の側面に露出するので、この溝部に最も傾斜が緩くなる面が形成されない。このため凹陥部の側面に形成される最も緩やかな傾斜面を小さくでき、凹陥部の底面と溝部とで挟まれた平坦領域の面積を広げることができる。
さらに逆メサ型圧電振動片は、第1厚肉部と第2厚肉部を備えているので、強度が弱くなることを防止できる。このため逆メサ型圧電振動片の平面サイズを小型化できる。
の側面に露出する、ことを特徴とする逆メサ型圧電デバイスの製造方法。
圧電素板の両主面をウエットエッチングしているので、片面のみからエッチングして凹陥部を形成するときに比べて、凹陥部の底面と溝部とを形成するときのエッチング量を減らすことができる。また溝部の端部が圧電振動片の側面に露出するので、この溝部に最も傾斜が緩くなる面が形成されない。このため凹陥部の側面に形成される最も緩やかな傾斜面を小さくでき、凹陥部の底面と溝部とで挟まれた平坦領域の面積を広げることができる。
さらに逆メサ型圧電振動片は、第1厚肉部と第2厚肉部を備えているので、強度が弱くなることを防止できる。このため逆メサ型圧電振動片の平面サイズを小型化できる。
以下に、本発明に係る逆メサ型圧電振動片、逆メサ型圧電デバイスおよび逆メサ型圧電デバイスの製造方法の最良の実施形態について説明する。図1は逆メサ型の圧電素板の説明図である。ここで図1(A)は圧電素板の斜視図、図1(B)は側面図、図1(C)は断面図である。
逆メサ型圧電振動片10は圧電素板12を有しており、図2に示すような電極パターン30(励振電極30aやマウント電極30b)を圧電素板12に設けている。この圧電素板12は、図1に示すように、一方の主面14に凹陥部18を備えている。また圧電素板12における一方の主面14の周縁部(薄肉部28の周囲)には、凹陥部18の側壁を形成する第1厚肉部20を設けている。
この凹陥部18は、圧電素板12をウエットエッチングすることにより形成している。このため圧電素板12が結晶方位により異なるエッチング速度を有しているならば、凹陥部18の側面には傾斜した面(エッチング残渣)が形成される。そして圧電素板12がATカット水晶素板であれば、凹陥部18のうちX軸に沿う側面は、図1(C)に示すように、最も緩やかな斜面を持つ面18b(図1(C)の右側に示す斜面)と、略垂直な面18c(図1(C)の左側に示す斜面)を有することになる。なおATカット水晶素板は、水晶の結晶軸のうちX軸と、このX軸回りにZ軸を約35°回転させたZ’軸とで形成されるXZ’平面内の素板である。また凹陥部18のうちZ’軸に沿う側面18dは、図1(B)に示すように、斜面となっている。さらに第1厚肉部20の形状は、四角形に限定されることはない。
また圧電素板12は、他方の主面16に溝部24を備えている。溝部24は、エッチング残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に沿っており、圧電素板12の一方の側面から対向する側面まで切りかかれている。したがって圧電素板12がATカット水晶素板であり、且つ、面内回転させていないものであれば、溝部24はZ’軸に沿うことになり、凹陥部18の側面に形成されるような最も傾斜が緩やかな面が溝部24に形成されることがない。
そして溝部24の側面を構成する第2厚肉部26は第1厚肉部20に対向しているので、溝部24の一部は凹陥部18に対向することになる。この凹陥部18と溝部24が対向している領域は薄肉になっており、またエッチング残渣の傾斜面が形成されていない薄肉部28(平坦領域)になっている。また第1厚肉部20の幅と第2厚肉部26の幅との関係は、任意の関係であればよい。したがって第2厚肉部26は、第1厚肉部20と幅が同じであってもよく、第1厚肉部20よりも幅が狭くてもよい。さらに凹陥部18の側面のように最も傾斜が緩やかな面が形成されないように溝部24が形成されていれば、第2厚肉部26の形状は、直線状に限定されることはない。
逆メサ型圧電振動片10は、前述した圧電素板12に電極パターン30を設けている。
図2は逆メサ型圧電振動片の平面図である。電極パターン30は、励振電極30aと、この励振電極30aに導通したマウント電極30bとを備えている。励振電極30aは、凹陥部18と溝部24に設けてあり、それぞれが対向するようになっている。またマウント電極30bは、逆メサ型圧電振動片10がパッケージ52(図4参照)と接合する箇所に設けてあり、圧電素板12の周縁部のうち第2厚肉部26を設けた部分(縁部)に設けてあればよい。すなわち2つの第2厚肉部26のうち少なくともいずれか一方が支持部となり、または第2厚肉部26に対向している部分の第1厚肉部20が支持部となっていればよい。そして図2に示す場合、マウント電極30bは第2厚肉部26に設けてある。このマウント電極30bを設けた部分が逆メサ型圧電振動片10の支持部となる。
図2は逆メサ型圧電振動片の平面図である。電極パターン30は、励振電極30aと、この励振電極30aに導通したマウント電極30bとを備えている。励振電極30aは、凹陥部18と溝部24に設けてあり、それぞれが対向するようになっている。またマウント電極30bは、逆メサ型圧電振動片10がパッケージ52(図4参照)と接合する箇所に設けてあり、圧電素板12の周縁部のうち第2厚肉部26を設けた部分(縁部)に設けてあればよい。すなわち2つの第2厚肉部26のうち少なくともいずれか一方が支持部となり、または第2厚肉部26に対向している部分の第1厚肉部20が支持部となっていればよい。そして図2に示す場合、マウント電極30bは第2厚肉部26に設けてある。このマウント電極30bを設けた部分が逆メサ型圧電振動片10の支持部となる。
そして図2(A)に示す場合のマウント電極30bは、図の下側に並べて配設してある。このとき圧電素板12がATカット水晶素板であれば、溝部24はZ’軸に沿って設けてあるので、マウント電極30bは、2つある第2厚肉部26のうちのいずれか一方に配設されることになる。また図2(B)に示す場合のマウント電極30bは、図の左側に並べて配設してある。このとき圧電素板12がATカット水晶素板であれば、マウント電極30bは、2つある第2厚肉部26のそれぞれに配設されることになる。なお図2に示す場合、凹陥部18の底面18aに形成された励振電極30aは、凹陥部18の側面や第1厚肉部20、圧電素板12の側面を介して、第2厚肉部26に形成されたマウント電極30bに導通している。
さらに逆メサ型圧電振動片10は、図2に示す場合、片持ち状に支持されるようになっているので、第2厚肉部26において、マウント電極30bが配設される箇所とは反対側を「まくら」としている。すなわち図2(A)に示す場合では、マウント電極30bが配設されている一方の第2厚肉部26とは反対側の他方の第2厚肉部が「まくら」となる。また図2(B)に示す場合では、各第2厚肉部26において、マウント電極30bが配設されている箇所(図の左側)とは反対側(図の右側)が「まくら」となる。これにより逆メサ型圧電振動片10を片持ち状に支持した場合、この逆メサ型圧電振動片10に衝撃等が加わると振れることになるが、圧電素板12の先端側の第2厚肉部26(「まくら」)がパッケージ等に接触して支えられることになり、前記先端側が振れるのを防止している。
次に、逆メサ型圧電振動片10の製造方法について説明する。図3はウエハ状になっている圧電素板の説明図である。そして図3(A)は上方からの斜視図、図3(B)は下方からの斜視図である。最初に圧電素板12の製造工程について説明する。圧電素板12は、ウエハ状態で形成している。まず平板の圧電ウエハ40の表面に、エッチング液から圧電ウエハ40を保護する金属膜を形成する。この金属膜は、例えば圧電ウエハ40が水晶ウエハの場合、クロムと金を積層させたものであればよい。この後、金属膜の上にレジストを塗布し、一方の主面14側に逆メサの凹陥部18、他方の主面16側に溝部24を形成するためのレジストのパターンをフォトリソグラフィ技術にて形成する。そしてレジストのパターンから露出している金属膜をエッチングして、圧電ウエハ40を露出させる。
この後、圧電ウエハ40をウエットエッチングして凹陥部18と溝部24を形成する。このとき凹陥部18は圧電ウエハ40の一方の主面14側からエッチングし、溝部24は他方の主面16側からエッチングして形成している。そして凹陥部18を形成するときは、従来技術のように凹陥部のみで薄肉部を形成する場合に比べてエッチング量が少ないので、エッチング残渣が少なくなる。また溝部24は、最も緩やかな傾斜面ができないようにしている。このためエッチング残渣によって薄肉部28(平坦領域)の面積が狭くなることがない。
最後に、金属膜とレジストのパターンを剥離すると、ウエハ状になっている逆メサ型の圧電素板12を得る。
最後に、金属膜とレジストのパターンを剥離すると、ウエハ状になっている逆メサ型の圧電素板12を得る。
次に、図2に示すような電極パターン30を圧電素板12毎に形成する。この電極パターン30は、蒸着やスパッタ等の成膜法を用いて電極材料となる金属を圧電素板12の表面に成膜して形成すればよい。
次に、圧電ウエハ40を圧電素板12毎に劈開または切断することにより、図2に示すような、個片化された逆メサ型圧電振動片10を得る。なお圧電ウエハ40を劈開または切断することにより、溝部24が圧電素板12の側面に露出することになる。
このような逆メサ型圧電振動片10によれば、凹陥部18の底面18aと溝部24とを対向させて薄肉部28(平坦領域)を形成しており、且つ、他方の主面16には緩やかな傾斜面ができないので、平坦領域を広げることができる。また圧電素板12は、第2厚肉部26を備えているので、強度が弱くなることを防止できる。したがって従来と同じ厚さの圧電素板12を用いた場合であっても、強度を確保する額縁(第1厚肉部20および第2厚肉部26)の厚さを変えず、平坦領域を広げることができる。また従来に比べて薄い圧電素板12を用いた場合は、平坦領域をより広くすることができる。
また額縁の一部に薄くなる部分が生じるが、全体的な額縁構造が残ることと、溝部24を形成する方向(ATカット水晶素板で面内回転させていないものであればZ’軸方向)に長いチップにすれば、額縁の薄い部分の割合を減らすことができる。よって強度等が弱くなるのを防止でき、逆メサ型圧電振動片10の平面サイズを小型化できる。
さらに逆メサ型圧電振動片10の製造工程は従来と同じ工程でよく、フォトリソグラフィ工程におけるフォトマスクの変更のみで対応できる。
さらに逆メサ型圧電振動片10の製造工程は従来と同じ工程でよく、フォトリソグラフィ工程におけるフォトマスクの変更のみで対応できる。
なお前述した逆メサ型圧電振動片10は、第2厚肉部26を2つ設け、その間に溝部24を形成した構成である。しかし本発明の逆メサ型圧電振動片は、第2厚肉部26を1つ設け、この第2厚肉部26が側壁となるような溝部24を形成した構成であってもよい。このような逆メサ型圧電振動片であっても、第1厚肉部20と第2厚肉部26とが対向し、凹陥部18と溝部24の一部とが対向する。すなわち第2厚肉部26は、ウエットエッチング時に残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に沿って設けてある。そして他方の主面16において、前記残渣が最も大きくなる辺は溝部24によって切り欠かれ、溝部24が圧電素板12の側面に露出することになる。そして、この場合、第2厚肉部26またはこの第2厚肉部26に対向している部分の第1厚肉部20が支持部となればよい。
次に、前述した逆メサ型圧電振動片10を搭載した圧電デバイスについて説明する。図4は圧電デバイスの断面図である。なお図4では励振電極30aやマウント電極30bの記載を省略している。圧電デバイス50は、パッケージ52を備えている。このパッケージ52は、パッケージベース54および蓋体62を有している。パッケージベース54は、上方に向けて開口した凹部56を備えており、この凹部56の底面56aに一対のパッケージ側マウント電極58が形成してある。またパッケージベース54の裏面には外部端子64が形成してあり、パッケージ側マウント電極58と1対1に導通している。そしてパッケージ側マウント電極58の上には導電性接着剤60を塗布した後、この導電性接着剤60の上に逆メサ型圧電振動片10を配置して、パッケージベース54と逆メサ型圧電振動片10を接合する。このときパッケージ側マウント電極58と逆メサ型圧電振動片10の前記マウント電極30bとが、導電性接着剤60を介して導通するようになっている。なお図4に示す場合では、逆メサ型圧電振動片10の凹陥部18がパッケージベース54の上方(凹部56の開口側)に向いている。この後、パッケージベース54の上面に蓋体62を接合して、凹部56を気密封止する。
このような圧電デバイス50に衝撃が加わって逆メサ型圧電振動片10の支持部とは反
対側(先端側)が振れたとしても、第2厚肉部26が凹部56の底面56aに接触して逆メサ型圧電振動片10を支えるようになる。すなわち第2厚肉部26の先端側は、逆メサ型圧電振動片10を支える「まくら」にすることができる。したがって逆メサ型圧電振動片10に第2厚肉部26を設けることにより、逆メサ型圧電振動片10が振れてしまい、破損等が生じるのを防止できる。
また圧電デバイス50は、逆メサ型圧電振動片10を電子機器に容易に搭載することができる。
対側(先端側)が振れたとしても、第2厚肉部26が凹部56の底面56aに接触して逆メサ型圧電振動片10を支えるようになる。すなわち第2厚肉部26の先端側は、逆メサ型圧電振動片10を支える「まくら」にすることができる。したがって逆メサ型圧電振動片10に第2厚肉部26を設けることにより、逆メサ型圧電振動片10が振れてしまい、破損等が生じるのを防止できる。
また圧電デバイス50は、逆メサ型圧電振動片10を電子機器に容易に搭載することができる。
なお圧電デバイス50は、図4に示すような圧電振動子の形態ばかりでなく、逆メサ型圧電振動片10とともに発振回路をパッケージ52内に収容した圧電発振器の形態にすることもできる。また圧電デバイス50は、前記発振回路の他に電圧制御回路をパッケージ52に搭載することにより、外部から入力される制御電圧に応じて出力周波数を可変する電圧制御型圧電発振器の構成にすることもできる。さらに圧電デバイス50は、前記発振回路の他に温度補償回路をパッケージ52に搭載することにより、周囲温度の変化による出力周波数の変化が少なくなるようにした温度補償型圧電発振器の構成にすることもできる。
10………逆メサ型圧電振動片、12………圧電素板、14………一方の主面、16………他方の主面、18………凹陥部、20………第1厚肉部、24………溝部、26………第2厚肉部、28………薄肉部、40………圧電ウエハ、50………圧電デバイス。
Claims (5)
- 圧電素板における一方の主面の周縁部に第1厚肉部を設けて、前記第1厚肉部によって囲まれる凹陥部を設け、
前記圧電素板の他方の主面には、残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に沿い、前記第1厚肉部に対向した第2厚肉部を少なくとも1つ設け、
前記第2厚肉部が側壁となることによって形成される溝部は、前記凹陥部に対向し、且つ、前記残渣が最も大きくなる辺を切り欠いて前記圧電素板の側面に露出した、
ことを特徴とする逆メサ型圧電振動片。 - 前記圧電素板における前記第2厚肉部を設けた縁部を支持部としたことを特徴とする請求項1に記載の逆メサ型圧電振動片。
- 前記圧電素板は、水晶結晶軸のX軸と、Z軸をX軸回りに回転させたZ’軸とで形成されるXZ’平面内のATカット水晶素板であり、
前記第1厚肉部はX軸とZ’軸に沿い、前記第2厚肉部はZ’軸に沿う、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の逆メサ型圧電振動片。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の圧電振動片をパッケージに搭載したことを特徴とする逆メサ型圧電デバイス。
- 圧電ウエハをウエットエッチングして圧電振動片を形成する領域毎の一方の主面に凹陥部を形成するとともに、他方の主面には、前記凹陥部の側壁を構成する第1厚肉部に対向し、且つ、ウエットエッチングによって前記圧電ウエハに形成される残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に第2厚肉部を少なくとも1つ形成して、前記第2厚肉部が側壁となる溝部を前記凹陥部に対向して配置したウエハ状になっている圧電振動片を得て、
その後、前記圧電ウエハを前記圧電振動片毎に個片化して、前記溝部を圧電振動片の側面に露出する、
ことを特徴とする逆メサ型圧電デバイスの製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012105074A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Seiko Epson Corp | 圧電基板およびその製造方法、並びに圧電振動片の製造方法 |
JP2013258452A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器、移動体、および振動素子の製造方法 |
US8791766B2 (en) | 2011-08-18 | 2014-07-29 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, electronic device, electronic apparatus, moving vehicle, and method of manufacturing resonating element |
US8970316B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-03-03 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and mobile object |
US9048810B2 (en) | 2011-06-03 | 2015-06-02 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric resonator, electronic device, and electronic apparatus |
RU196148U1 (ru) * | 2019-11-20 | 2020-02-18 | Общество с ограниченной ответственностью НПП «МЕТЕОР-КУРС» | Высокочастотный пьезоэлемент в виде обратной мезаструктуры |
JP2021048438A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 京セラ株式会社 | 水晶素子、水晶デバイス及び電子機器 |
-
2007
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012105074A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Seiko Epson Corp | 圧電基板およびその製造方法、並びに圧電振動片の製造方法 |
US9048810B2 (en) | 2011-06-03 | 2015-06-02 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric resonator, electronic device, and electronic apparatus |
US9923544B2 (en) | 2011-06-03 | 2018-03-20 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric resonator, electronic device, and electronic apparatus |
US8791766B2 (en) | 2011-08-18 | 2014-07-29 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, electronic device, electronic apparatus, moving vehicle, and method of manufacturing resonating element |
US8970316B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-03-03 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and mobile object |
US9225314B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-12-29 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and mobile object |
JP2013258452A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器、移動体、および振動素子の製造方法 |
JP2021048438A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 京セラ株式会社 | 水晶素子、水晶デバイス及び電子機器 |
JP7274386B2 (ja) | 2019-09-17 | 2023-05-16 | 京セラ株式会社 | 水晶素子、水晶デバイス及び電子機器 |
RU196148U1 (ru) * | 2019-11-20 | 2020-02-18 | Общество с ограниченной ответственностью НПП «МЕТЕОР-КУРС» | Высокочастотный пьезоэлемент в виде обратной мезаструктуры |
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