JP2009059974A - 半導体基板、半導体発光素子および半導体基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】結晶性に優れ、良好な緑領域の光を発生することが可能なＩｎＮを比較的大きな割合で含むIII族窒化物半導体層を有する半導体基板を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、

のいずれかの結晶成長面を表面とし、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有するとともに、少なくとも一部に溝部を有する下地層と、前記下地層上にＩｎＮモル分率が０．０３以上であるIII族窒化物半導体層とを具えるようにして半導体基板を構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光情報処理分野などへの応用が期待されているIII族窒化物半導体基板に関するものである。

ＧａＮ系III族窒化物半導体は、超高輝度青色・緑色・白色発光ダイオードや、紫色半導体レーザが実用かされており、研究室レベルでは青色半導体レーザまで実現されている。このＧａＮ系III族窒化物半導体によって、光の３原色である赤・緑・青色が固体発光素子である発光ダイオードによって実現され、携帯電話の液晶のバックライト、競技場の超大型ディスプレイに代表される様々な分野への応用が広がっている。また、紫色半導体レーザは、Blu-ray DiscやHD-DVDに代表される次世代光ディスクシステムなどに応用されている。

これらのデバイスは、低温堆積緩衝層技術(1986年 H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett.,48 (1986) 353)、p型伝導性制御 (1989年 H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112) 、n型伝導性制御(1991年 H. Amano and I. Akasaki: Mat. Res. Soc. Ext, Abst., EA-21 (1991) 165)、および高効率発光層の作製法 (1991年 N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki and A. Katsui, Appl. Phys. Lett., 59(1991)2251) など基幹技術の積み重ねにより、本材料を用いた高輝度の青色・緑色および白色発光ダイオードが既に実用化されている。

また、近年ではこれらのデバイスの高性能化を目指し、ＧａＮ結晶の高品質化（例えば、A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. Atsushi Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997) L899-L902）、デバイス構造の最適化(I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997) 5393-5408)、 発光ダイオードにおいては、半導体層と空気の屈折率差に起因する、光取り出しの問題を改善(例えばM. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1431. など)などの研究・開発が行われている。これらの成果によって、青色発光ダイオードでは６０％を越える外部量子効率が実現されており、数百mWを超える青紫色半導体レーザが実現されているなど、この分野の研究開発は日進月歩の勢いである。

しかしながら、これらのデバイスはIII族窒化物半導体が有する物性的なポテンシャルの一部分を発揮させているに過ぎない。特に、III族窒化物半導体の発光素子のなかで期待されているのは、緑領域の発光ダイオードの高効率化ならびに青〜緑領域の半導体レーザの実現である。これまでの緑色領域の発光素子の開発は、低温緩衝層技術等を用いて作製した高品質ｃ面ＧａＮ上にＧａＩｎＮ発光層をヘテロ接合によって作製するのが一般的な方法である(S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai1: Jpn. J. Appl. Phys. 34(1995) L1332-L1335)。

また、緑領域の発光素子を作製する場合、ＧａＮ上にＧａＩｎＮの発光層を作製すると、大きな格子不整合が存在するため、その中間に若干組成の低いＧａＩｎＮを挿入することなどが報告されている（S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai1:Jpn. J. Appl. Phys. 34(1995) L797-L799）。また最近ではＧａＮ上にＧａＩｎＮを成長する場合、非常に大きな歪が発生し、その影響で数MV/cmと言う非常に大きな圧電電界が発生し大きな問題となることが議論されており、その問題を解決するため、ｃ面以外の無極性面、反極性面等の応用が検討されている(岩谷素顕:応用物理、第76巻、第5号、p.0513-0516 (2007)) 。

しかしながら現状は、緑領域の発光ダイオードは、外部量子効率で20％以下と不十分であることや、緑領域の半導体レーザが実現されていないという問題が残っている。上述したように、現状のIII族窒化物半導体発光デバイスはＧａＮ上に作製するのが最も一般的である。この方法の場合、ＧａＩｎＮとＧａＮとの間に存在する大きな格子不整合が存在する。

例えば、一般に緑領域の発光層を実現するためには、ＩｎＮモル分率０．２以上のＧａＩｎＮを用いる必要があるが、ＩｎＮモル分率０．２のＧａＩｎＮとＧａＮとの間には約２％程度の格子不整合が存在する。現在主流の技術は、ＧａＮ上にＧａＩｎＮを成長する場合、量子井戸構造と呼ばれる数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度のＧａＩｎＮのヘテロ接合が実施されており、膜厚を薄くすることによって前記格子不整合を抑制するようにしている。しかしながら、ＩｎＮモル分率を高くする、もしくは膜厚を厚くすることによって、多数のミスフィット転位が導入されることが、多数の研究グループから報告されている(例えば、R. Liu, J. Mei, S. Srinivasan, F. A. Ponce, H. Omiya, Y. Narukawa, and T. Mukai: Appl. Phys. Lett. 89, 201911 (2006))。

したがって、この問題点を解決するためには、この大きな格子不整合を低減することが必要であると考えられる。すなわち完全に緩和した高品質厚膜のＩｎＮを含むIII族窒化物半導体(ＧａＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ)が必要である。

ＩｎＮを含むIII族窒化物半導体の厚膜成長に関しては、サファイア上に低温緩衝層を介して成長したｃ面ＧａＮ上、およびサファイア上に低温ＡｌＮ緩衝層を介して成長させた報告が既になされている(M. Shimizu, Y. Kawaguchi, K. Hiramatsu and N. Sawaki: Jpn. J. Appl. Phys.36(1997) 3381-3384、S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 830)。しかしながら、このような方法では、表面平坦性の大幅な劣化ならびに多数のミスフィット転位が導入されることが報告されている(R. Liu, J. Mei, S. Srinivasan, F. A. Ponce, H. Omiya, Y. Narukawa, and T. Mukai: Appl. Phys. Lett. 89, 201911 (2006))。

したがって、現状では、結晶性に優れ、良好な緑領域の光を発生することが可能なＩｎＮを比較的大きな割合で含むIII族窒化物半導体層を形成できないのが現状である。
(1986年 H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett.,48 (1986) 353) (1989年 H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112) (1991年 H. Amano and I. Akasaki: Mat. Res. Soc. Ext, Abst., EA-21 (1991) 165) (1991年 N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki and A. Katsui, Appl. Phys. Lett., 59(1991)2251) A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. Atsushi Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997) L899-L902） (I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997) 5393-5408) M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1431 (S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai1: Jpn. J. Appl. Phys. 34(1995) L1332-L1335) （S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai1:Jpn. J. Appl. Phys. 34(1995) L797-L799） (岩谷素顕:応用物理、第76巻、第5号、p.0513-0516 (2007) M. Shimizu, Y. Kawaguchi, K. Hiramatsu and N. Sawaki: Jpn. J. Appl. Phys.36(1997) 3381-3384 S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 830 R. Liu, J. Mei, S. Srinivasan, F. A. Ponce, H. Omiya, Y. Narukawa, and T. Mukai: Appl. Phys. Lett. 89, 201911 (2006)

本発明は、結晶性に優れ、良好な緑領域の光を発生することが可能なＩｎＮを比較的大きな割合で含むIII族窒化物半導体層を有する半導体基板を提供することを目的とする。

上記目的を達成すべく、本発明は、
基板と、
前記基板上に形成された、

のいずれかの結晶成長面を表面とし、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有するとともに、少なくとも一部に溝部を有する下地層と、
前記下地層上にＩｎＮモル分率が０．０３以上であるIII族窒化物半導体層と、
を具えることを特徴とする、半導体基板に関する。

また、本発明は、
基板上において、

のいずれかの結晶成長面を表面とし、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有する下地層を形成する工程と、
前記下地層の少なくとも一部に溝部を形成する工程と、
前記下地層上において、前記溝部を覆うようにしてＩｎＮモル分率が０．０３以上であるIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、半導体基板の製造方法に関する。

本発明によれば、少なくとも一部に溝部を有する下地層上に、前記溝部を覆うようにしてIII族窒化物半導体層を形成するようにしている。したがって、前記III族窒化物半導体層が、ＩｎＮを比較的高い割合で、具体的には０．０３以上のモル分率で含有する場合に、例えば５００ｎｍ以上と比較的厚く形成した場合においても、前記層中には下地層との格子不整合に起因したミスフィット転位等が低減され、その結晶性が向上するようになる。

また、前記下地層は、

のいずれかの結晶成長面を表面とし、さらにＡｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有している。したがって、前記下地層の表面上に形成した前記III族窒化物半導体層には、前記表面の結晶方位を反映して、

のいずれかの安定したファセットが形成されるようになる。この結果、前記III族窒化物半導体層の表面平坦性が向上するようになる。

以上より、最終的に得た半導体基板は、その最上部に転位などの欠陥を含むことなく良好な結晶性を有し、表面平坦性に優れたＩｎＮを高い割合で含むIII族窒化物半導体層を有する。したがって、前記基板上に種々の層を積層して半導体発光素子を形成した場合において、緑領域の光を高強度に生成することができる。

なお、上述したように、上記半導体基板によれば、上記要件を満足する下地層上にIII族窒化物半導体層を形成することによって、ＩｎＮを０．０３以上の高モル分率で含有する場合においても、高結晶性及び高表面平坦性を維持したまま、５００ｎｍ以上の厚さとすることができる。

また、本発明の一態様においては、前記下地層及び前記III族窒化物半導体層間に、III族窒化物半導体層よりもＩｎＮモル分率の低いIII族窒化物半導体からなる中間層を形成することができる。これによって、前記III族窒化物半導体層が、下地層の表面に発生した欠陥等の影響を受けづらくなるので、前記III族窒化物半導体層の結晶性をより向上させることができる。

さらに、本発明の一態様においては、前記下地層、前記III族窒化物半導体層、及び／又は前記中間層中に、電気的なキャリアを生ぜしめる不純物を含ませることができる。これによって、前記半導体基板を導電性基板とすることができる。

以上説明したように、本発明によれば、結晶性に優れ、良好な緑領域の光を発生することが可能なＩｎＮを比較的大きな割合で含むIII族窒化物半導体層を有する半導体基板を提供することができる。

以下、本発明のその他の特徴並びに利点について、発明の実施形態に基づいて説明する。

（半導体基板）
図１は、本発明の半導体基板の一例を示す構成図である。図１に示すように、半導体基板１１０は、ベース基板１０１上において、順次、バッファ層１０２及び下地層１０３が形成されている。また、下地層１０３には、紙面垂直方向にストライプ状の溝部１０４が形成されており、この溝部１０４を覆うようにして下地層１０３上にIII族窒化物半導体層１０５が形成されている。

III族窒化物半導体層１０５は、半導体基板１１０の最上部に位置し、その上方に種々の層構成を作製することによって、緑領域の光を生成すべくＩｎＮのモル分率が０．０３以上のIII族窒化物半導体から構成される。

一方、上述のようにIII族窒化物半導体層１０５が高い割合でＩｎＮを含むと、その格子定数が増大するために下層に位置する層との格子不整合が大きくなり、III族窒化物半導体層１０５中にはミスフィット転位等の欠陥が多量に形成される傾向にある。しかしながら、本実施形態では、下地層１０３には、ストライプ状の溝部１０４が形成され、この溝部１０４を覆うようにして下地層１０３上にIII族窒化物半導体層１０５を形成するようにしているので、III族窒化物半導体層１０５中には、前記格子不整合に起因したミスフィット等が低減され、低転位、低欠陥の領域が形成されるようになる。

例えば、III族窒化物半導体層１０５の厚さを５００ｎｍ以上と厚く形成しても、内部に生成する転位等の欠陥量を十分低く保持することができる。

なお、下地層１０３に形成された溝部１０４は、下地層１０３において段差を形成できるものであれば特に限定されるものではなく、また、必ずしもストライプ状でなく、任意の形状とすることができる。図１では、バッファ層１０２及びベース基板１０１にまで達するような深さとしているが、下地層１０３内においてのみ形成することもできる。溝部１０４の幅は、例えば数μｍのオーダとすることができる。

また、下地層１０３は、

のいずれかの結晶成長面を表面とし、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有している。したがって、下地層１０３の前記表面上に形成されたIII族窒化物半導体層１０５は、前記表面の結晶方位を反映して、

のいずれかの安定したファセットが形成されるようになる。この結果、前記III族窒化物半導体層の表面平坦性が向上するようになる。

下地層１０３は、例えば１００ｎｍ以上の厚さとすることができる。これによって、III族窒化物半導体層１０５に対する下地層１０３としての作用効果をより効果的に奏することができるようになる

バッファ層１０２は、ベース基板１０１と下地層１０３との格子定数差を緩和して、下地層１０３の結晶成長を促進させるためのものである。したがって、その組成は、特に下地層１０３と類似の組成を有するように構成する。例えば、Ａｌ_ａＧａ_{１−ａ―ｂ}In_ｂＮ(0≦ａ≦1,0≦ｂ≦1)なる組成を有するように形成することができる。なお、厚さは、数十ｎｍ〜数百ｎｍとすることができる。

ベース基板１０１は、上述した要件を満足する下地層１０３及びIII族窒化物半導体層１０５を形成できるものであれば特に限定されるものではないが、特にはIII族窒化物半導体基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板、スピネル基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＬｉＧａＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板及びＺｒＢ_２基板からなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。

なお、図１においては示していないが、下地層１０３及びIII族窒化物半導体層１０５間において、ＩｎＮモル分率がIII族窒化物半導体層１０５のＩｎＮモル分率よりも小さいIII族窒化物半導体からなる中間層を形成することもできる。この中間層によって、III族窒化物半導体層１０５が、下地層１０３の表面に発生した欠陥等の影響を受けづらくなるので、前記III族窒化物半導体層の結晶性をより向上させることができる。

また、本実施形態では、下地層１０３、III族窒化物半導体層１０５、及び／又は前記中間層中に、電気的なキャリアを生ぜしめる不純物を含ませることができる。これによって、前記半導体基板を導電性基板とすることができる。前記不純物としては、Ｓｉ，Ｇｅなどのドナー不純物や、Ｍｇなどのアクセプタ不純物などを挙げることができる。

（半導体基板の製造方法）
図２及び図３は、本発明の半導体基板の製造方法の一例を示す工程図である。最初に、ベース基板１０１を所定の成膜装置内に配置した後、図２に示すように、ベース基板１０１上に、順次バッファ層１０２及び下地層１０３を、ＭＯＣＶＤ法などによって所定の厚さに形成する。バッファ層１０２は例えば約１１００℃の温度で形成することができる。下地層１０３は例えば約１０００℃の温度で形成することができる。

次いで、図２に示すような積層体を構成した後、前記積層体を前記成膜装置から取り出し、例えばＣｌ_２ガスを用いて反応性エッチングを行い、溝部１０４を形成する。その後、前記積層体を再度成膜装置内に入れ、溝部１０４を覆うようにして下地層１０３上にIII族窒化物半導体層１０５を形成し、図１に示すような半導体基板１１０を得る。

なお、上述した中間層を形成する場合は、図２に示す工程において、予め下地層１０３上に前記中間層を形成しておくこともできるし、図３に示す工程において、下地層１０３に溝部１０４を形成した後に前記中間層を形成することもできる。前記中間層は、例えば３００℃〜７００℃の温度範囲において形成することができる。

また、下地層１０３、III族窒化物半導体層１０５、及び／又は前記中間層中に、電気的なキャリアを生ぜしめる不純物を含ませる場合は、ＭＯＣＶＤ法において前記各層を形成する際に、好ましくはドナーとなる元素やアクセプタとなる元素を含む原料ガスを使用する。

（半導体発光素子）
図４は、図１に示す半導体基板１１０を用いて作製した発光ダイオードの一例を示す構成図である。図４に示すように、本実施形態における発光ダイオード２１０は、半導体基板１１０上に、例えばＧａＩｎＮ発光層２０１、ｐ−ＡｌＧａＮ層２０２、ｐ−ＧａＮ層２０３及びｐ電極２０４が、半導体基板１１０の最上部に位置するIII族窒化物半導体層１０５の表面の一部を露出するようにして順次に積層されるとともに、III族窒化物半導体層１０５の露出した表面上にｎ電極２０５が形成されている。

図４に示す構成の発光ダイオード２１０によれば、ＧａＩｎＮ発光層２０１から緑領域の光が発生できることが確認できた。

図５は、図１に示す半導体基板１１０を用いて作製した半導体レーザの一例を示す構成図である。図５に示すように、本実施形態における発光ダイオード３１０は、半導体基板１１０上に、例えばｎ−ＡｌＧａＮクラッド層３０１、ｎ−ＧａＩｎＮガイド３０２、ＧａＩｎＮ量子井戸活性層３０３、ｎ−ＧａＩｎＮガイド層３０４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層３０５、ｐ−ＧａＮコンタクト層３０６及びｐ電極２０７が、半導体基板１１０の最上部に位置するIII族窒化物半導体層１０５の表面の一部を露出するようにして順次に積層されるとともに、III族窒化物半導体層１０５の露出した表面上にｎ電極３０８が形成されている。

図５に示す構成の半導体レーザ３１０によれば、ＧａＩｎＮ量子井戸活性層３０３から緑領域の光が発生できることが確認できた。

本発明の半導体基板の一例を示す構成図である。 本発明の半導体基板の製造方法の一例を示す工程図である。 同じく、本発明の半導体基板の製造方法の一例を示す工程図である。 図１に示す半導体基板を用いて作製した発光ダイオードの一例を示す構成図である。 図１に示す半導体基板を用いて作製した半導体レーザの一例を示す構成図である。

符号の説明

１０１ ベース基板
１０２ バッファ層
１０３ 下地層
１０４ 溝部
１０５ III族窒化物半導体層
１１０ 半導体基板

Claims (19)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された、
   

   

   のいずれかの結晶成長面を表面とし、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有する下地層と、少なくとも一部に溝部を有する下地層と、
   前記下地層上にＩｎＮモル分率が０．０３以上であるIII族窒化物半導体層と、
   を具えることを特徴とする、半導体基板。
2. 前記III族窒化物半導体層の厚さが、５００ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体基板。
3. 前記下地層及び前記III族窒化物半導体層間に形成された、前記III族窒化物半導体層よりもＩｎＮモル分率の低いIII族窒化物半導体からなる中間層を具えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体基板。
4. 前記下地層及び前記III族窒化物半導体層は、電気的なキャリアを生ぜしめる不純物を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体基板。
5. 前記中間層は、電気的なキャリアを生ぜしめる不純物を含むことを特徴とする、請求項３又は４に記載の半導体基板。
6. 前記下地層における前記溝部は、反応性イオンエッチングにより形成したことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の半導体基板。
7. 前記中間層は、３００℃〜７００℃の温度範囲において形成したことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載の半導体基板。
8. 前記基板は、III族窒化物半導体基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板、スピネル基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＬｉＧａＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板及びＺｒＢ_２基板からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一に記載の半導体基板。
9. 請求項１〜８のいずれか一に記載の半導体基板を含むことを特徴とする、半導体発光素子。
10. 前記半導体発光素子は、発光ダイオードであることを特徴とする、請求項９に記載の半導体発光素子。
11. 前記半導体発光素子は、半導体レーザであることを特徴とする、請求項９に記載の半導体発光素子。
12. 基板上において、
    

    

    のいずれかの結晶成長面を表面とし、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有する下地層を形成する工程と、前記下地層の少なくとも一部に溝部を形成する工程と、
    前記下地層上において、前記溝部を覆うようにしてＩｎＮモル分率が０．０３以上であるIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
    を具えることを特徴とする、半導体基板の製造方法。
13. 前記III族窒化物半導体層の厚さを、５００ｎｍ以上とすることを特徴とする、請求項１２に記載の半導体基板の製造方法。
14. 前記下地層及び前記III族窒化物半導体層間において、III族窒化物半導体層よりもＩｎＮモル分率の低いIII族窒化物半導体からなる中間層を形成する工程を具えることを特徴とする、請求項１２又は１３に記載の半導体基板の製造方法。
15. 前記下地層及び前記III族窒化物半導体層中に、電気的なキャリアを生ぜしめる不純物を含有させる工程を含むことを特徴とする、請求項１２〜１４のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法。
16. 前記中間層中に、電気的なキャリアを生ぜしめる不純物を含むことを特徴とする、請求項１４又は１５に記載の半導体基板の製造方法。
17. 前記下地層における前記溝部は、反応性イオンエッチングにより形成することを特徴とする、請求項１２〜１６のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法。
18. 前記中間層は、３００℃〜７００℃の温度範囲において形成することを特徴とする、請求項１２〜１７のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法。
19. 前記基板は、III族窒化物半導体基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板、スピネル基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＬｉＧａＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板及びＺｒＢ_２基板からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする、請求項１２〜１８のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法。

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