JP2009027201A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 活性層が、ｎ導電側の窒化物半導体層とｐ導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、
   前記ｎ導電側の窒化物半導体層において、
   前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにｎ型不純物濃度が異なり、ＧａＮ及びＩｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）の第１と第２の窒化物半導体層とが積層されてなるｎ側歪み超格子層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
   
2. 前記ｎ側歪み超格子層において、前記第１の窒化物半導体層は、前記第２の窒化物半導体層より大きいバンドギャップエネルギーと前記第２の窒化物半導体層より大きいｎ型不純物濃度とを有する請求項１記載の窒化物半導体素子。
3. 前記第１の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度が１×１０^１７／cm^３〜１×１０^２０／cm^３ の範囲にあり、第２の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度が１×１０^１９／cm^３以下である請求項２記載の窒化物半導体素子。
4. 前記ｎ側歪み超格子層において、前記第１の窒化物半導体層は、前記第２の窒化物半導体層より大きいバンドギャップエネルギーと前記第２の窒化物半導体層より小さいｎ型不純物濃度とを有する請求項１記載の窒化物半導体素子。
5. 前記第１の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度が１×１０^１９／cm^３以下であり、前記第２の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度が１×１０^１７／cm^３〜１×１０^２０／cm^３の範囲である請求項４記載の窒化物半導体素子。
6. 前記第１の窒化物半導体層又は前記第２の窒化物半導体層のいずれか一方には、ｎ型不純物がドープされていない請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
7. 前記活性層がＩｎＧａＮ層の量子井戸層を有する量子井戸構造である請求項１〜６のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
8. 前記ｎ側歪み超格子層は、前記ｎ導電側の窒化物半導体層に設けられたｎ側コンタクト層と、前記活性層との間に設けられる請求項１〜７のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
9. 前記ｎ側歪み超格子層は前記活性層に接して設けられる請求項９記載の窒化物半導体素子。
10. 前記窒化物半導体素子は、ｎ側クラッド層を有するＬＥＤ素子であり、
    前記ｎ側歪み超格子層が該ｎ側クラッド層である請求項８又は９記載の窒化物半導体素子。
11. 前記窒化物半導体素子は、前記活性層がｐ側クラッド層とｎ側クラッド層の間に位置するレーザ発振素子であって、
    前記ｎ側クラッド層が、前記ｎ側歪み超格子層である請求項１〜９のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。