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JP2003332688A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ - Google Patents

Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ

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Publication number
JP2003332688A
JP2003332688A JP2003040462A JP2003040462A JP2003332688A JP 2003332688 A JP2003332688 A JP 2003332688A JP 2003040462 A JP2003040462 A JP 2003040462A JP 2003040462 A JP2003040462 A JP 2003040462A JP 2003332688 A JP2003332688 A JP 2003332688A
Authority
JP
Japan
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layer
semiconductor laser
compound semiconductor
iii nitride
group iii
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003040462A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hatano
貴司 破田野
Akira Iwayama
章 岩山
Masayoshi Koike
正好 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2003040462A priority Critical patent/JP2003332688A/ja
Priority to EP03005054A priority patent/EP1343231A3/en
Priority to KR1020030014386A priority patent/KR100589537B1/ko
Priority to US10/383,229 priority patent/US6801559B2/en
Publication of JP2003332688A publication Critical patent/JP2003332688A/ja
Priority to US10/924,999 priority patent/US7186579B2/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】III族窒化物系化合物半導体レーザにおいて、
ガイド層を損傷することなくキャリア注入リッジ部を形
成する。 【解決手段】サファイア基板１、AlNバッファ層２、Si
ドープGaNのｎ層３、SiドープAl0.1Ga0.9Nのｎクラッド
層４、SiドープGaNのｎガイド層５、膜厚約35ÅのGaNの
バリア層６２と膜厚約35ÅのGa0.95In0.05Nの井戸層６
１のMQW構造の活性層６、MgドープGaNのｐガイド層７、
MgドープAl0.25Ga0.75Nのｐ層８、MgドープAl0.1Ga0.9N
のｐクラッド層９、MgドープGaNのｐコンタクト層１
０、Ni電極１１、及びAl電極１２から構成される半導体
レーザ１００の、共振リッジ部Ａに接する正孔注入リッ
ジ部ＢをNi電極１０の幅(w)に合わせ、略同一の幅に形
成する。このエッチングの際、ｐ層８はアルミニウム組
成が大きいのでエッチレートが小さく、ｐガイド層７が
損傷することを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、III族窒化物系化
合物半導体レーザに関する。特に、共振器部分がリッジ
型のIII族窒化物系化合物半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、クラッド層、活性層等をIII族窒
化物系化合物半導体(AlxGayIn1-x-yN，0≦x≦1，0≦y≦
1，0≦x+y≦1)とした半導体レーザが知られている。そ
の半導体レーザは、サファイア基板上にIII族窒化物系
化合物半導体を順次積層成長させ、多重層の半導体素子
としたものである。例えば出願人による先行出願である
特開２０００−２６１１０５号公報記載の半導体レーザ
を図３に示す。
【０００３】図３の半導体レーザ９００は、サファイア
基板９１上に、順次バッファ層９２、ｎ層９３、ｎクラ
ッド層９４、ｎガイド層９５、量子多重井戸（ＭＱＷ）
層から成る活性層９６、ｐガイド層９７、ｐクラッド層
９８、ｐコンタクト層９９を積層し、例えばフォトレジ
ストを使用して図３のように共振器部分（共振リッジ
部）Ａを形成し、正電極９０１をｐコンタクト層９９上
面に、負電極９０２をｎ層９２のエッチング面に形成し
ていた。
【０００４】量子多重井戸（ＭＱＷ）層から成る活性層
９６はレーザ発振の主体となる半導体層であり、正電極
９０１、負電極９０２からそれぞれ注入されたキャリア
（正孔及び電子）がここで結合することにより発振が生
じる。ｎガイド層９５並びにｐガイド層９７は、活性層
９６にキャリアを閉じ込める機能を有する。また、ｎク
ラッド層９４並びにｐクラッド層９８は、その内側にレ
ーザ光を閉じ込める機能を有する。また、ｎ層９３並び
にｐコンタクト層９９は、それぞれ負電極９０２並びに
正電極９０１からのキャリアの素子層への注入が円滑に
行われるよう、設けられている半導体層である。
【０００５】このIII族窒化物系化合物半導体から成る
半導体素子を効率良くレーザ発振させるため、例えば電
流狭窄の目的で電極の接触面積を小さくする（正電極９
０１の幅ｗを小さくする）などの手段のみならず、上記
公報では深い正孔注入リッジ部Ｂを形成することを提案
している。即ち、共振リッジ部Ａと正孔注入リッジ部Ｂ
との境界をｐガイド層９７とｐクラッド層９８との境界
にするものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのように正
孔注入リッジ部Ｂを形成する際、１枚のウエハ上の全て
の半導体レーザについて、共振リッジ部Ａと正孔注入リ
ッジ部Ｂとの境界をｐガイド層とｐクラッド層９８との
境界にすることは容易ではない。１枚のウエハに形成さ
れるIII族窒化物系化合物半導体層は、そのウエハの場
所毎に微妙に膜厚が異なるからである。そこで出願人は
上記公報で開示しているように、ｐガイド層９７を一部
エッチングしてでもｐクラッド層９８を完全にエッチン
グすることを提案している。
【０００７】しかし、ｐガイド層９７の厚さは、例えば
100nm程度と薄く、例えば200nmのｐコンタクト層９９と
500nm程度のｐクラッド層９８を完全にエッチングする
よう条件設定してしまうとｐガイド層９７が少なからず
損傷を受け、半導体レーザとしての素子特性を劣化させ
かねない。
【０００８】よって本発明は、リッジ型のIII族窒化物
系化合物半導体レーザにおいて、特にその製造に際し、
キャリア注入リッジ部を形成しつつ、ガイド層を損傷さ
せにくい構造を提供することを目的とする。加えて、光
共振リッジ部にクラッド層の一部を設けた上でその厚さ
を制御容易として、放出されるレーザビーム形状を真円
に近づけることをも目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、基板上にIII族窒化物系
化合物半導体から成る複数の層を形成したIII族窒化物
系化合物半導体レーザにおいて、レーザ発振の主体たる
活性層に対して、実質的にキャリアを閉じ込めるガイド
層として働く第１の層と、レーザ発振の主体たる活性層
と第１の層に対し、主として光閉じ込めとして働き、第
１の層の上方に設けられた第１の層よりも屈折率の小さ
い第２の層と、第１の層と第２の層との間、又は第２の
層の中に設けられた、第２の層よりもIII族元素のうち
アルミニウム(Al)組成が大きい第３の層を有することを
特徴とする。ここで第２の層の中に第３の層を設けると
は、第２の層が上下２つの層から構成され、その間の層
として第３の層を設けることを言う。第２の層を構成す
る上下２つの層の組成は一致しても良く、また一致しな
くても良い。第３の層のアルミニウム(Al)組成は、当該
第２の層を構成する上下２つの層の、いずれのアルミニ
ウム(Al)組成よりも大きければ本願発明に包含される。
また、請求項２に記載の発明は、第２の層は第１の層よ
りもIII族元素のうちアルミニウム(Al)組成の大きいこ
とを特徴とする。また、請求項３に記載の発明は、第２
の層はクラッド層として働くことを特徴とする。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、共振器部
分を残してその周辺部を除去し、共振器を形成されたも
のであり、第２の層よりも上方に設けられる電極の幅を
残して少なくとも第３の層の上の層の略全部を除去する
ことにより共振器部分に接してキャリア注入部が形成さ
れたことを特徴とする。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、電極が、
正電極であることを特徴とする。また、請求項６に記載
の発明は、第３の層は、第２の層よりもIII族元素のう
ちアルミニウム(Al)組成が10%以上多いことを特徴とす
る。ここで10%以上多いとは、第３の層と第２の層にお
ける、アルミニウムの全III族に対する元素比をx3とx2
（0≦x3, x2≦1）としたとき、x3≧x2 + 0.1であること
を意味する。更に請求項７に記載の発明は、第３の層
は、第１の層よりも膜厚の薄い層であることを特徴とす
る。
【００１２】
【作用及び発明の効果】レーザ発振の主体たる活性層に
対して実質的にキャリアを閉じ込めるガイド層として働
く第１の層と、主として光閉じ込めとして働く第２の層
との間に、第２の層よりもIII族元素のうちアルミニウ
ム(Al)組成が大きい第３の層を設けたので、第３の層が
エッチングの際の第１の層を守ることができる。これ
は、III族窒化物系化合物半導体のエッチングレート
は、アルミニウム(Al)組成が大きい程遅いので、第３の
層がエッチングされるまでには時間を要するからであ
る。即ち、キャリア注入リッジ部を形成する際、製造上
のばらつきがあっても、ガイド層を損傷させることがな
くなる。或いは、主として光閉じ込めとして働く第２の
層の中に、第２の層よりもIII族元素のうちアルミニウ
ム(Al)組成が大きい第３の層を設けたので、共振器部分
の構成にクラッド層を一部設けることで、共振器部分に
設けられたクラッド層の厚さを制御容易として、放出さ
れるレーザビーム形状を真円に近づけることができる
（請求項１乃至請求項４）。また、正電極側、即ち第２
の層がｐ型の場合は製造が容易である（請求項５）。
【００１３】第２の層と第３の層のアルミニウム(Al)組
成の差が10%以上であると第３の層のエッチングレート
が遅く効果が十分となる（請求項６）。また、第３の層
が第１の層よりも膜厚の薄い層であることで、レーザダ
イオードの特性を落とさずにガイド層を損傷させないよ
うにできる。或いは共振器部分に設けられたクラッド層
の厚さを制御容易とできる（請求項７）。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。尚、本発明は下記実施例に限定され
るものではない。
【００１５】図１の（ａ）は、本発明の具体的な第１の
実施例に係る半導体レーザ１００の構成を示した模式的
断面図である。図１の（ｂ）は、半導体レーザ１００の
模式的斜視図である。
【００１６】半導体レーザ１００は、サファイア基板１
を有しており、そのサファイア基板１上に50nmのAlNバ
ッファ層２が形成されている。尚、バッファ層としては
GaN、GaInN、或いはAlGaNでも良い。そのバッファ層２
の上には、順に、膜厚約4.0μm、電子密度1×1018c
m-3、シリコン(Si)ドープGaNから成るｎ層３、膜厚500n
m、電子密度1×1018cm-3、シリコン(Si)ドープAl0.1Ga
0.9Nから成るｎクラッド層４、膜厚100nm、電子密度1×
1018cm-3のシリコン(Si)ドープGaNからなるｎガイド層
５、膜厚約35ÅのGaNから成るバリア層６２と膜厚約35
ÅのGa0.95In0.05Nから成る井戸層６１とが交互に積層
された多重量子井戸構造(MQW)の活性層６が形成されて
いる。そして、その活性層６の上に、膜厚100nm、ホー
ル密度5×1017cm-3のマグネシウム(Mg)ドープGaNから成
るｐガイド層７、膜厚50nm、ホール密度5×1017cm-3、
マグネシウム(Mg)ドープAl0.25Ga0.75Nから成るｐ層
８、膜厚500nm、ホール密度5×1017cm-3、マグネシウム
(Mg)ドープAl0.1Ga0.9Nから成るｐクラッド層９、膜厚2
00nm、ホール密度5×1017cm-3、マグネシウム(Mg)ドー
プGaNから成るｐコンタクト層１０が形成されている。
尚、コンタクト層としてはAlGaN或いはGaInNでも良い。
そして、ｐコンタクト層９上に幅5μmのニッケル(Ni)電
極１１が形成されている。又、ｎ層３上にはアルミニウ
ム(Al)から成る電極１２が形成されている。
【００１７】半導体レーザ１００の共振リッジ部Ａに接
する正孔注入リッジ部ＢはNi電極１０の幅（ｗ）5μmに
合わせ、略同一の幅5μmに形成されている。半導体レー
ザ１０１では、正孔注入リッジ部ＢはNi電極１１、ｐコ
ンタクト層１０及びｐクラッド層９から成り、共振リッ
ジ部Ａにはｐクラッド層９が無い。
【００１８】次に、この構造の半導体レーザ１００の製
造方法について説明する。上記半導体レーザ１００は、
有機金属化合物気相成長法（以下「MOVPE」と示す）に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3とキャリアガスH2又はN2とトリメチルガリウム(Ga(C
H3)3，以下「TMG」と記す）とトリメチルアルミニウム
(Al(CH3)3，以下「TMA」と記す）とトリメチルインジウ
ム(In(CH3)3，以下「TMI」と記す）とシラン(SiH4)とシ
クロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2，以下「CP
2Mg」と記す）である。
【００１９】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ａ面を主面とし、単結晶のサファイア基板１をMOVPE装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH 2を流速2L/minで約30分反応室に流しながら温度11
00℃でサファイア基板１をベーキングした。
【００２０】次に、温度を400℃まで低下させて、H2を2
0L/min、NH3を10L/min、TMAを18μmol/minで約90秒間供
給してAlNのバッファ層２を約50nmの厚さに形成した。
次に、サファイア基板１の温度を1150℃に保持し、H2を
20L/min、NH3を10L/min、TMGを170μmol/min、H2ガスに
て0.86ppmに希釈されたシラン(SiH4)を2nmol/minで導入
し、膜厚約4.0μm、電子密度1×1018cm-3、シリコン(S
i)ドープGaNからなるｎ層３を形成した。
【００２１】上記のｎ層３を形成した後、続いて温度を
1100℃に保持し、H2を20L/min、NH3を10L/min、TMAを5
μmol/min、TMGを50μmol/min、H2ガスにて0.86pppmに
希釈されたシラン(SiH4)を8nmol/minで導入し、膜厚500
nm、電子密度1×1018cm-3、シリコン(Si)ドープAl0.1Ga
0.9Nからなるｎクラッド層４を形成した。
【００２２】次に、温度を1100℃に保持し、H2を20L/mi
n、TMGを50μmol/min、H2ガスにて0.86ppmに希釈された
シラン(SiH4)を8nmol/minで導入し、膜厚100nm、電子密
度1×1018cm-3のシリコン(Si)ドープGaNからなるｎガイ
ド層５を形成した。
【００２３】次に、N2又はH2、NH3、TMG及びTMIを供給
して膜厚約35ÅのGa0.95In0.05Nから成る井戸層６１
と、N2又はH2、NH3及びTMGを供給して膜厚約35ÅのGaN
からなるバリア層６２とを4周期形成し、MQW構造の活性
層６を形成した。
【００２４】続いて、温度を1100℃に保持し、N2又はH2
を20L/min、NH3を10L/min、TMGを50μmol/min、Cp2Mgを
0.2μmol/minで導入して、膜厚約100nmのマグネシウム
(Mg)ドープGaNからなるｐガイド層７を形成した。
【００２５】次に、温度を1100℃に保持し、N2又はH2を
20L/min、NH3を10L/min、TMAを15μmol/min、TMGを50μ
mol/min、及び、Cp2Mgを0.2μmol/minで導入して、膜厚
約50nmのマグネシウム(Mg)ドープのAl0.25Ga0.75Nから
なるｐ層８を形成した。
【００２６】次に、温度を1100℃に保持し、N2又はH2を
20L/min、NH3を10L/min、TMAを5μmol/min、TMGを50μm
ol/min、及び、Cp2Mgを0.2μmol/minで導入して、膜厚
約500nmのマグネシウム(Mg)ドープのAl0.1Ga0.9Nからな
るｐクラッド層９を形成した。
【００２７】次に、温度を1100℃に保持し、N2又はH2を
20L/min、NH3を10L/min、TMGを50μmol/min、Cp2Mgを0.
2μmol/minで導入して、膜厚約200nmのマグネシウム(M
g)ドープのGaNからなるｐコンタクト層１０を形成し
た。
【００２８】次に、電子線照射装置を用いて、ｐコンタ
クト層１０、ｐクラッド層９、ｐ層８及びｐガイド層７
に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件は、加速
電圧約10kV、試料電流1μA、ビームの移動速度0.2mm/
s、ビーム径60μmφ、真空度50μTorrである。この電子
線の照射により、ｐコンタクト層１０、ｐクラッド層
９、ｐ層８及びｐガイド層７はそれぞれ、ホール密度5
×1017cm-3、5×1017cm-3、5×1017cm-3となった。この
ようにして多層構造のウエハを形成することができた。
【００２９】次に、ｐコンタクト層９の上に、スパッタ
リングによりSiO2層を200nmの厚さに形成し、そのSiO2
層上にフォトレジストを塗布した。そして、フォトリソ
グラフにより、正孔注入リッジ部Ｂの外部（図１のＸ領
域）にあたる部位のフォトレジストを除去し、フォトレ
ジストによって覆われていないSiO2層をフッ化水素酸系
エッチング液で除去した。
【００３０】次に、フォトレジスト及びSiO2層によって
覆われていない部位のｐコンタクト層９、ｐクラッド層
８を真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2、BCl3ガス
を10mL/minの割合で供給しドライエッチングした。この
工程で、図１に示す、正孔注入リッジ部Ｂが形成され
た。その後、SiO2層を除去した。
【００３１】次に、ｎ層３に対する電極１１を形成する
ための領域Ｃを形成するため、スパッタリングによりSi
O2層を200nmの厚さに形成し、そのSiO2層上にフォトレ
ジストを塗布した。そして、フォトリソグラフにより、
領域Ｃにあたる部位のフォトレジストを除去し、フォト
レジストによって覆われていないSiO2層をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。
【００３２】次に、フォトレジスト及びSiO2層によって
覆われていない部位のｐガイド層７、活性層６、ｎガイ
ド層５、ｎクラッド層４及びｎ層３の一部を真空度0.04
Torr、高周波電力0.44W/cm2、BCl3ガスを10mL/minの割
合で供給しドライエッチングし、その後Arでドライエッ
チングした。この工程で、図１に示す、領域Ｃが形成さ
れるとともに共振リッジ部Ａが形成された。その後、Si
O2層を除去した。
【００３３】次に、一様にニッケル(Ni)を蒸着し、フォ
トレジストの塗布、フォトリソグラフィー工程、エッチ
ング工程を経て、ｐコンタクト層１０の上に幅5μmの電
極１１を形成した。一方、ｎ層３に対しては、アルミニ
ウム(Al)を蒸着して電極１２を形成した。
【００３４】このようにして、図１に示すような半導体
レーザ１００を得た。図１に示す半導体レーザ１００
は、正孔注入リッジ部Ｂ以外の半導体層を、ｐコンタク
ト層１０及びｐクラッド層９を全部エッチングし、正孔
注入リッジ部Ｂを形成したものである。また、素子間で
ばらつきがあるものの、ｐ層８の付近で、共振リッジ部
Ａと正孔注入リッジ部Ｂの境界が形成された。
【００３５】また、比較のため、図３に示す半導体レー
ザ９００を、全く同様に形成した。図３に示す半導体レ
ーザ９００は、図１の半導体レーザ１００のｐ層８を除
いたものである。図３に示す半導体レーザ９００は、１
ウエハの中で、ガイド層９７が大きく損傷したもの、及
びクラッド層９８のエッチングが十分でない為に電流狭
窄が十分でないものなど、特性の劣る半導体レーザが１
０％程製造された。一方、図１の半導体レーザ１００に
おいては、１ウエハの中で、ガイド層７が大きく損傷し
たものは無く、電流狭窄についてもほぼ問題の無い、図
３に示す半導体レーザ９００の合格品と特性のほぼ等し
い半導体レーザが製造できた。
【００３６】図２にアルミニウム組成とエッチングレー
トの実験例を示す。10%のアルミニウム組成比の差は、
エッチングレートで5%の差を生じていることがわかる。
【００３７】図４は本発明の具体的な第２の実施例に係
る半導体レーザ２００の構成を示した模式的断面図であ
る。図４の半導体レーザ２００の構成の、図１の半導体
レーザ１００の構成との相違は、ｐガイド層７とｐコン
タクト層１０との間の層が、下側から、膜厚20nm、ホー
ル密度5×1017cm-3、マグネシウム(Mg)ドープAl0.1Ga
0.9Nから成る下側ｐクラッド層９１０、膜厚50nm、ホー
ル密度5×1017cm-3、マグネシウム(Mg)ドープAl0.25Ga
0.75Nから成るｐ層８、膜厚480nm、ホール密度5×1017c
m-3、マグネシウム(Mg)ドープAl0.1Ga0.9Nから成る上側
ｐクラッド層９２０となっており、共振リッジ部Ａに下
側ｐクラッド層９１０が存在することである。図４の半
導体レーザ２００の製造においては、当該層構成に応じ
て原料供給を行い、エピタキシャル成長をしたことと、
エッチングにおいて下側ｐクラッド層９１０と上側ｐク
ラッド層９２０の間のｐ層８でエッチングが停止するよ
うエッチング時間を調整したことの２点を除いては上述
の図１の半導体レーザ１００の製造方法と同様であっ
た。
【００３８】図４の半導体レーザ２００をレーザ発振さ
せたところ、放出されるビーム形状は真円に近いもので
あった。一方図１の半導体レーザを発振させた際放出さ
れるビーム形状は、真円の左右上方に凹みのあるビーム
形状であった。ここから、共振リッジ部Ａに下側ｐクラ
ッド層９１０が存在することで、レーザ発振時に放出さ
れるビーム形状は真円に近いものとすることができ、そ
のように下側ｐクラッド層９１０の膜厚をAl組成の多い
ｐ層８の存在で容易に制御することができる。
【００３９】上記第１実施例では、第１の層として単層
のｐガイド層７、第２の層として単層のｐクラッド層
９、その間に第３の層として単層のｐ層８を形成したも
のを示し、上記第２実施例では、第２の層として２層の
下側ｐクラッド層９１０と上側ｐクラッド層９２０、そ
の間に第３の層として単層のｐ層８を形成したものを示
したが、本願発明はこれに限定されない。特に、いずれ
の層も多重層としてよく、また、いずれの層との間に
も、他の機能を付加させるための層を設けていても良
い。多重層の場合、第２の層のアルミニウム組成は、実
質的に光閉じ込めを決定しているアルミニウムの多い構
成層のアルミニウム組成を、第３の層のアルミニウム組
成は、実質的にエッチレートを決定しているアルミニウ
ムの多い構成層のアルミニウム組成を比較するものとす
る。
【００４０】第３の層のアルミニウム組成は、上述の通
り第２の層のアルミニウム組成より大きければ良く、例
えばAlNでも良い。第３の層が十分薄ければトンネル効
果により電流を流すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の具体的な第１の実施例に係
る半導体レーザの構成を示した模式的断面図、（ｂ）は
模式的斜視図。
【図２】AlxGa1-xNにおけるAl組成比x（0≦x≦1）とエ
ッチングレートの関係を示すグラフ図。
【図３】従来の半導体レーザの構成を示した模式的断
面。
【図４】本発明の具体的な第２の実施例に係る半導体レ
ーザの構成を示した模式的断面図。
【符号の説明】
１００…半導体レーザ １…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…ｎ層 ４…ｎクラッド層 ５…ｎガイド層 ６…活性層 ７…ｐガイド層 ８…ｐ層 ９…ｐクラッド層 １０…ｐコンタクト層 １１…正電極 １２…負電極 ６１…井戸層 ６２…バリア層 ９１０…下側ｐクラッド層 ９２０…上側ｐクラッド層 Ａ…共振リッジ部 Ｂ…正孔注入部 Ｃ…負電極形成領域 ｗ…正電極の幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小池 正好 愛知県一宮市大和町妙興寺字地蔵恵86 ア ムール美絵Ｂ103号 Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AA45 AA55 AA61 AA74 AA89 CA07 CB05 CB07 CB10 CB22 DA05 DA24 EA20 EA29

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にIII族窒化物系化合物半導体か
    ら成る複数の層を形成したIII族窒化物系化合物半導体
    レーザであって、 レーザ発振の主体たる活性層に対して、実質的にガイド
    層として働く第１の層と、 レーザ発振の主体たる活性層と前記第１の層に対し、前
    記第１の層の上方に設けられた前記第１の層よりも屈折
    率の小さい第２の層と、 前記第１の層と前記第２の層との間、又は第２の層の中
    に設けられた、前記第２の層よりもIII族元素のうちア
    ルミニウム(Al)組成が大きい第３の層を有することを特
    徴とするIII族窒化物系化合物半導体レーザ。
  2. 【請求項２】 前記第２の層は前記第１の層よりもIII
    族元素のうちアルミニウム(Al)組成の大きいことを特徴
    とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体レ
    ーザ。
  3. 【請求項３】 前記第２の層はクラッド層として働くこ
    とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒
    化物系化合物半導体レーザ。
  4. 【請求項４】 共振器部分を残してその周辺部を除去
    し、共振器を形成されたものであり、前記第２の層より
    も上方に設けられる電極の幅を残して少なくとも前記第
    ３の層の上の層の略全部を除去することにより前記共振
    器部分に接してキャリア注入部が形成されたことを特徴
    とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のII
    I族窒化物系化合物半導体レーザ。
  5. 【請求項５】 前記電極が、正電極であることを特徴と
    する請求項４に記載のIII族窒化物系化合物半導体レー
    ザ。
  6. 【請求項６】 前記第３の層は、前記第２の層よりもII
    I族元素のうちアルミニウム(Al)組成が10%以上多いこと
    を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記
    載のIII族窒化物系化合物半導体レーザ。
  7. 【請求項７】 前記第３の層は、前記第１の層よりも膜
    厚の薄い層であることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ６のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体
    レーザ。
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