JP2009006295A - パターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コストアップを招くことなく良質で細密化されたパターンを形成可能とする。
【解決手段】機能液に対する親液部及び撥液部を有する基板に機能液を塗布してパターンを形成する。親液部Ｐａを有する基板Ｐに対して、撥液材料を含む液滴を選択的に塗布して第１撥液部を形成する第１工程と、親液部に機能液を塗布して第１パターンＷ１を形成する第２工程と、少なくとも第１撥液部にエネルギーを付与して、第１撥液部の撥液性を低下させる第３工程と、親液部及び第１撥液部を有する基板に対して、第２機能液に撥液性を有する第２撥液材料を含む液滴を選択的に塗布して第２撥液部Ｈ２を形成する第４工程と、第２撥液部の非形成領域に第２機能液を塗布して、第１パターンと略同一層で第２パターンＷ２を形成する第５工程とを有する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、パターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法に関するものである。

液滴吐出法（インクジェット方式）を用いてパターンを形成する場合、液状体の液滴（インク）を吐出し、基板上の所定位置に着弾させることによってパターンを形成している。このように、液滴を吐出して基板に着弾させた場合、基板表面の特性によっては着弾した液滴が濡れ拡がり過ぎたり、分離したりする虞がある。この場合、所望の配線パターンを得ることができないという問題が生じる。

そこで、特許文献１には、基板のパターン形成面となる面を撥液加工し、この撥液加工面に光触媒を通過した紫外光レーザビームを照射しながら親液パターン形成を行う技術が開示されている。
また、特許文献２には、パターンを形成する基板上に光触媒を含有した撥水性の下地を塗布した後に、マスクを介して露光することにより、露光部分のみを親水化する技術が開示されている。
特開２００４−２００２４４号公報 特開平１１−３４４８０４号公報

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上記特許文献に記載された技術は、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源を用いるため、コストアップを招くという問題を招いてしまう。また、本来、非パターン面のみに必要な撥液材料を基板全面に塗布するため、省材料という観点からも望ましいものとはいえない。
また、近年の電子デバイスの小型化に伴い、上述した液滴吐出方式を用いて形成するパターンの細密化も急務となっている。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、コストアップを招くことなく良質で細密化されたパターンが形成可能なパターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のパターン形成方法は、機能液に対する親液部及び撥液部を有する基板に前記機能液を塗布してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記親液部を有する基板に対して、撥液材料を含む液滴を選択的に塗布して第１撥液部を形成する第１工程と、前記親液部に前記機能液を塗布して第１パターンを形成する第２工程と、少なくとも前記第１撥液部にエネルギーを付与して、該第１撥液部の撥液性を低下させる第３工程と、前記親液部及び前記第１撥液部を有する前記基板に対して、第２機能液に撥液性を有する第２撥液材料を含む液滴を選択的に塗布して第２撥液部を形成する第４工程と、前記第２撥液部の非形成領域に前記第２機能液を塗布して、前記第１パターンと略同一層で第２パターンを形成する第５工程と、を有することを特徴とするものである。
従って、本発明のパターン形成方法では、親液部に機能液を塗布することにより、第１撥液部にはじかれた機能液により、親液部（第１撥液部）の配置に応じた第１パターンを基板上の所定位置に高精度に形成することができる。そして、この第１撥液部にエネルギーを付与して撥液性を低下させることにより、前記親液部及び前記第１撥液部を有する前記基板に対して、第２撥液材料を含む液滴を選択的に塗布して所望の形状で第２撥液部を形成することができる。この第２撥液部の非形成領域に前記第２機能液を塗布することにより、第２撥液部ではじかれた第２機能液によって、第２撥液部の配置に応じた第２パターンを形成することができる。ここで、第１撥液部で第１、第２パターンの双方を形成する場合には、塗布した撥液材料を含む液滴が濡れ拡がることから、例えば微細ピッチでのライン・アンド・スペース等のパターンを形成することが極めて困難になるが、本発明では、第１パターンを形成した後に、当該第１パターンの配置に制限されることなく、第１パターンの間の隙間に、略同一層で第２パターンを形成することも可能になり、微細ピッチのライン・アンド・スペース等、パターンの細密化を実現することができる。
また、本発明では、第１工程及び第４工程において撥液材料、第２撥液材料を含む液滴を塗布することにより撥液部、第２撥液部をパターニング形成するため、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いる必要がなくなり、コストアップを防止することが可能である。

また、本発明では、前記第２撥液部の少なくとも一部を前記第１パターン上に形成する構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、塗布した第２機能液が第２撥液部ではじかれることにより、第２パターンを第１パターンと互いに離間して形成することが可能になり、パターンの細密化を実現することができる。

また、本発明では、前記第３工程における前記エネルギーの付与処理を、エネルギー光の照射処理、加熱処理及び酸素プラズマ処理の少なくとも一つとする構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、少なくとも第１撥液部の撥液性を一括して低下させることが可能になり、部分的に第１撥液部の撥液性を低下させる場合と比較して、生産性を向上させることができる。

また、本発明では、前記機能液と前記第２機能液とが同一材料であり、前記第１撥液材料と前記第２撥液材料とが同一材料である構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、機能液及び第２機能液、記第１撥液材料及び第２撥液材料をそれぞれ個別に用意する必要がなくなり、第１パターンと第２パターンとを生産効率よく形成することが可能になる。

また、本発明では、前記撥液材料を含む液滴及び第２撥液材料を含む液滴が、隣り合う前記液滴同士で重なり合うように塗布する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、一回の走査で撥液材料、第２撥液材料を含む液滴をそれぞれ塗布して撥液部、第２撥液部を形成することが可能になり、生産性の向上に寄与できる。

前記撥液材料及び前記第２撥液材料としては、シラン化合物及びフルオロアルキル基を有する化合物の少なくとも一方を含む構成を採用できる。この場合、前記シラン化合物としては、自己組織化膜である構成を採用できる。
また、前記第１撥液部としては、前記基板の表面に前記フルオロアルキル基を有する化合物からなる自己組織化膜によって形成される構成も採用できる。

一方、前記第１撥液部としては、前記基板の表面にアルキル基、水素を有する自己組織化膜によって形成される構成も採用できる。
さらに、前記撥液材料と前記第２撥液材料との少なくとも一方としては、フッ素化合物を含む構成も採用できる。

また、本発明では、前記機能液と前記第２機能液との少なくとも一方を、液滴として塗布する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、機能液、第２機能液の塗布と、撥液材料、第２撥液材料の塗布とをいずれも液滴吐出方式で行うことが可能になり、両工程で設備の共用化を図ることができ、生産コストを低減させることができる。

また、本発明では、前記機能液と前記第２機能液との少なくとも一方が、導電性材料を含む構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、コストアップを招くことなく良質な導電性パターンを形成することができる。

そして、本発明では、前記機能液と前記第２機能液との少なくとも一方が、めっき触媒材料を含む構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、コストアップを招くことなく形成されためっき触媒に対してめっき処理を施すことにより、緻密で良質なパターンを形成することが可能になる。

また、本発明の電気光学装置製造方法は、先に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とするものである。
また、本発明の電子機器製造方法は、先に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電気光学装置製造方法及び電子機器製造方法では、コストアップを招くことなく良質で細密化されたパターンを有する電気光学装置及び電子機器を製造することが可能になる。

また、前記電気光学装置としては、導電線によりメッシュ状に形成されたメッシュ部と、前記導電線により前記メッシュ部の周囲に形成された額縁部とを有する電磁波シールドであり、前記メッシュ部及び前記額縁部を、前記パターン形成方法により形成する構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、コストアップを招くことなく良質なパターンを有する電磁波シールドを製造することが可能になる。また、本発明では、微細ピッチでシールド特性に優れたメッシュ部を有する電磁波シールドを製造することが可能になる。

以下、本発明のパターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法の実施の形態を、図１乃至図１９を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

（液滴吐出装置）
まず、本実施形態に係るパターン形成方法に用いる液滴吐出装置について説明する。
図１は、液滴吐出装置の概略的な構成図である。
液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪは、液滴吐出ヘッドから基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。

液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。

Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ方向に移動する。

制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ方向を非走査方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を走査方向とする。
したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。

図２は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。
液滴吐出ヘッド３０１には、液体材料（配線用インク等）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形し、ノズル３２５から液体材料が吐出される。
この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。

なお、液滴吐出法の吐出技術としては、上記の電気機械変換式の他に、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。

続いて、上記の液滴吐出装置ＩＪを用いてパターンを形成する方法について、図３乃至図１０を参照して説明する。
ここでは、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、少なくとも表面Ｐａが親液部として親液性を有する基板Ｐ上に、互いに間隔をあけて筋状に複数（ここでは７箇所）の導電性の配線パターン（パターン）Ｗを形成する場合について説明する。なお、ここでは、これら配線パターンＷを、一本おきに配列される配線パターン（第１パターン）Ｗ１と配線パターン（第２パターン）Ｗ２に群分けし、各群毎に異なる工程で形成するものとする。

また、以下で記載する撥液部とは、導電性材料を含む液滴（以下、パターン用液滴と称する）に対する接触角が所定値以上となる領域を示し、親液部とは導電性材料を含む液滴に対する接触角が所定値以下となる領域を示している。

基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。

本実施形態に係るパターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板Ｐ上に塗布することにより配線用のパターンＷを形成するものであり、表面処理工程、第１の撥液部形成工程、第１の材料配置工程、撥液性除去・低下工程、第２の撥液部形成工程、第２の材料配置工程及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。

（表面処理工程）
表面処理工程では、基板Ｐの表面Ｐａに対して洗浄処理を行うことにより、親液性を高める処理を実施する。
例えば、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料（インク）に対して親液性を有しているが、この表面処理によりさらに親液性を高める。

具体的には、表面処理工程では、洗浄処理として、ＵＶエキシマ洗浄、低圧水銀灯洗浄、Ｏ_２プラズマ洗浄、ＨＦや硫酸等を用いた酸洗浄、アルカリ洗浄、超音波洗浄、メガソニック洗浄、コロナ処理、グロー洗浄、スクラブ洗浄、オゾン洗浄、水素水洗浄、マイクロバブル洗浄、フッ素系洗浄等を実施する。

ここで、表面（親液部）Ｐａのパターン用液滴に対する接触角が２５度を超えるとバルジ（液滴溜まり）が発生しやすくなり、また２０度以下であればバルジは生じない。そこで、本実施形態では、洗浄処理条件を調整することにより、基板表面Ｐａのパターン用液滴に対する接触角を２０度以下とする。
具体的には、洗浄処理が、例えばＵＶエキシマ洗浄の場合にはＵＶ光（紫外光）の照射時間、強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することができ、また、洗浄処理が例えばＯ_２プラズマ洗浄の場合には、プラズマ処理時間を調整することにより、親液性（接触角）を調整することができる。この洗浄処理により、表面Ｐａに有機物等の異物が付着していた場合でも、表面Ｐａから除去することが可能になり、清浄度及び親液性を維持することができる。

（第１の撥液部形成工程）
続いて、洗浄処理（親液化処理）が行われた基板Ｐの表面Ｐａの所定領域（パターンＷ１の形成する領域の周囲）に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように撥液部（第１撥液部）Ｈを形成する。
具体的には、上述した液滴吐出装置ＩＪを用い液滴吐出ヘッド３０１からパターン用液滴に対して撥液性を有する材料（撥液材料）を含む液状体の液滴（以下、撥液性液滴と称する）を吐出して、基板Ｐ上の所定領域に塗布する。

撥液性を有する材料としては、シラン化合物、フルオロアルキル基を有する化合物、フッ素樹脂（フッ素を含む樹脂）、及びこれらの混合物を用いることができる。
シラン化合物としては、（Ａ）一般式（１）
Ｒ^１Ｓｉ Ｘ^１ _ｍＸ^２ _{（３−ｍ）} …（１）
（式中、Ｒ１ は有機基を表し、Ｘ^１ およびＸ^２は−ＯＲ^２ 、−Ｒ^２、−Ｃｌを表し、Ｒ^２ は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｍは１から３の整数である。）で表される１種又は２種以上のシラン化合物（成分Ａ）を用いることができる。

一般式（１）で表されるシラン化合物は、シラン原子に有機基が置換し、残りの結合手にアルコキシ基またはアルキル基または塩素基が置換したものである。有機基Ｒ^１の例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタデシル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
Ｘ^１のアルコキシ基や塩素基、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ^２の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１〜４の範囲であることが好ましい。

一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、１−プロペニルメチルジクロロシラン、プロピルジメチルクロロシラン、プロピルメチルジクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、３−チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、ｐ−トリルジメチルクロロシラン、ｐ−トリルメチルジクロロシラン、ｐ−トリルトリクロロシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブチロキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｔ−ブチロキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ）、オクタデシルジメチルクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、７−オクテニルジメチルクロロシラン、７−オクテニルトリクロロシラン、７−オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルジメチルクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、１０−ウンデセニルジメチルクロロシラン、ウンデシルトリクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルドデシルジエトキシシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルオクタデシルジエトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジエトキシシラン、トリアコンチルジメチルクロロシラン、トリアコンチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルイソプロポキシシラン、メチル−ｎ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルイソプロポキシシラン、エチル−ｎ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、２−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、４−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、１，３−（トリクロロシリルメチル）ヘプタコサン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメトキシシラン、ベンジルジエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、６−（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、アミルトリエトキシシラン、ベンゾオキサシレピンジメチルエステル、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、２−クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルメチルジエトキシシラン、クロロメチルメチルジイソプロポキシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、２−（４−クロロスルフォニルフェニル）エチルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、シアノメチルフェネチルトリエトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリメトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリエトキシシラン、３−シクロヘキセニルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルジメチルクロロシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルメチルジクロロシシラン、シクロヘキシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジクロロシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、（シクロヘキシルメチル）トリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロオクチルトリクロロシラン、（４−シクロオクテニル）トリクロロシラン、シクロペンチルトリクロロシラン、シクロペンチルトリメトキシシラン、１,１−ジエトキシ−１−シラシクロペンタ−３−エン、３−（２，４−ジニトロフェニルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、（ジメチルクロロシリル）メチル−７,７−ジメチルノルピナン、（シクロヘキシルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、（フルフリルオキシメチル）トリエトキシシラン、２−ヒドロキシ−４−（３−トリエトキシプロポキシ）ジフェニルケトン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルメチルジクロロシラン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）メチルジクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）トリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）ジメチルクロロシラン、３−モルフォリノプロピルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−メチルジエトキシシリル−２−ノルボルネン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、３−ヨードプロピルトリメトキシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、（メルカプトメチル）メチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチル｛２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ｝−３−プロピオネート、７−オクテニルトリメトキシシラン、Ｒ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、Ｓ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルジメチルメトキシシラン、フェネチルジメトキシシラン、フェネチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルジメチルエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、（３−フェニルプロピル）ジメチルクロロシラン、（３−フェニルプロピル）メチルジクロロシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）ダンシルアミド、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）−４，５−ジヒドロイミダゾール、２−（トリエトキシシリルエチル）−５−（クロロアセトキシ）ビシクロヘプタン、（Ｓ）−Ｎ−トリエトキシシリルプロピル―Ｏ―メントカルバメート、３−（トリエトキシシリルプロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、３−（トリエトキシシリル）プロピルサクシニック無水物、Ｎ−〔５−（トリメトキシシリル）−２−アザ−１−オキソ−ペンチル〕カプロラクタム、２−（トリメトキシシリルエチル）ピリジン、Ｎ−（トリメトキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、フェニルビニルジエトキシシラン、３−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン、（トリデカフロオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、Ｎ−｛３−（トリエトキシシリル）プロピル｝フタルアミド酸、（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルジメトキシシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシシラン、１−トリメトキシシリル−２−（クロロメチル）フェニルエタン、２−（トリメトキシシリル）エチルフェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムクロライド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、ビニルメチルジエトキシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルフェニルジクロロシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジメチルシラン、ビニルフェニルメチルクロロシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、アダマンチルエチルトリクロロシラン、アリルフェニルトリクロロシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、３−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ベンジルメチルジクロロシラン、フェネチルジイソプロピルクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルジメチルクロロシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、２−（ビシクロヘプチル）ジメチルクロロシラン、２−（ビシクロヘプチル）トリクロロシラン、１,４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−フェノキシプロピルジメチルクロロシラン、３−フェノキシプロピルトリクロロシラン、
ｔ−ブチルフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルフェニルメトキシシラン、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルジメチルクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルトリクロロシラン、１,３−（クロロジメチルシリルメチル）ヘプタコサン、（（クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、２−シアノエチルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルジメチルエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、等が挙げられる。

フッ素を含有するシラン化合物（撥液性シラン化合物）としては、含フッ素アルキルシラン化合物が挙げられる。すなわち、Ｓｉと結合したパ−フルオロアルキル構造Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１で表される構造を有するものであり、下記一般式（２）で表される化合物を例示することができる。式（２）中、ｎは１から１８の整数を、ｍは２から６までの整数をそれぞれ表している。Ｘ^１及びＸ^２は−ＯＲ^２、−Ｒ^２、−Ｃｌを示し、Ｘ^１及びＸ^２に含まれるＲ^２は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａは１〜３の整数である。

Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１（ＣＨ_２）_ｍＳｉＸ^１ _ａＸ^２ _{（３−ａ）} …（２）
Ｘ^１のアルコキシ基や塩素基、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ^２の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１〜４の範囲であることが好ましい。
含フッ素アルキルシラン化合物を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向して自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性を付与することができる。

より具体的には、ＣＦ_３−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_７−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_１１−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_７−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_８−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣ_２Ｈ_５）_２、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_８−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＯＣ_２Ｈ_５）_２等が挙げられる。

また、撥液部Ｈの形成にフッ素樹脂を用いる場合には、所定量のフッ素樹脂を所定溶媒に溶解させたものが用いられる。具体的には、住友スリーエム株式会社製「EGC1720」（ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）溶媒にフッ素樹脂を０．１ｗｔ％溶解させたもの）を用いることができる。この場合、ＨＦＥにアルコール系、炭化水素系、ケトン系、エーテル系、エステル系の溶剤を適宜混合することにより、液滴吐出ヘッド３０１から安定して吐出可能に調整可能である。この他に、フッ素樹脂としては、旭硝子株式会社製「ルミフロン」（各種溶媒に溶解可能）、ダイキン工業株式会社製「オプツール」（溶媒；ＰＦＣ、ＨＦＥ等）、大日本インキ化学工業株式会社製「ディックガード」（溶媒；トルエン、水・エチレングリコール）等を用いることができる。
さらに、フッ素を含む樹脂としては、側鎖にＦ基、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＦ_２）ｎＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦＣｌ−が含まれるものを用いることが可能である。

そして、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、上記の撥液性材料を含む撥液性液滴Ｌを液滴吐出ヘッド３０１から各撥液部Ｈに対して連続的に吐出する（第１工程）。
このとき、各撥液部Ｈにおいては、基板Ｐの表面Ｐａに着弾した撥液性液滴Ｌが、隣り合う液滴同士で重なり合う位置に吐出・塗布される。これにより、各撥液部Ｈは、液滴吐出ヘッド３０１と基板との一回の走査で塗布形成されることになる。

ここで、図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、配線パターンＷ１（及びＷ２）の幅ＷＡは、撥液部Ｈの配列ピッチＨＰと撥液部Ｈの幅ＨＡとの差で設定される。この配列ピッチＨＰは、配線パターンＷの仕様として決定されるため、配線パターンＷ１の幅ＷＡは撥液部Ｈの幅ＨＡに依存することになる。この撥液部Ｈの幅ＨＡは、本実施形態では滴吐出ヘッド３０１から吐出する撥液性液滴Ｌの吐出量及び図４（ａ）に示す吐出ピッチＬＰにより管理する。

具体的には、例えば液滴Ｌの吐出量を二通り（Ｌａ、Ｌｂとする、例えばＬａ＝２．５ｐｌ、Ｌｂ＝４．５ｐｌ）とし、各吐出量Ｌａ、Ｌｂ毎に吐出ピッチＬＰを１０、２０、３０μｍでそれぞれ吐出・塗布したときに、基板Ｐ上に形成される撥液部Ｈの幅ＨＡを、吐出量及び吐出ピッチＬＰに対応させたテーブルとして保持しておき、所望の幅ＨＡで撥液部Ｈを形成する際には、テーブルから当該幅ＨＡに対応する吐出量及び吐出ピッチＬＰを呼び出し、撥液性液滴の吐出工程では、この呼び出した吐出量及び吐出ピッチＬＰで液滴Ｌを吐出する。

そして、基板Ｐ上に吐出した撥液性液滴Ｌを予備乾燥することにより、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に直線状の撥液部Ｈが互いに間隔をあけて数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さで形成される。
この撥液部Ｈは、上述した撥液性材料を用いることにより、パターン用液滴に対する接触角を５０度以上とする。従って、親液部（表面）Ｐａと撥液部Ｈとのコントラスト（接触角の差）は３０度以上となる。

（第１の材料配置工程）
次に、基板Ｐの表面Ｐａの撥液部Ｈ間に機能液としてパターン用液滴を吐出して、配線パターンＷ１を形成する。
配線パターン形成材料としては、一般に、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる。本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びＩＴＯのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。

そして、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、上記の配線パターン形成材料を含むパターン用液滴ＷＬを機能液の液滴として液滴吐出ヘッド３０１から撥液部Ｈ間の隙間に対して連続的に吐出して塗布する（第２工程）。具体的には、撥液部Ｈ（親液部Ｐａ）の長さ方向（配線パターンの形成方向）に沿って、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐとを相対移動させつつ、所定のピッチでパターン用液滴ＷＬを複数吐出する。
そして、基板Ｐ上に吐出したパターン用液滴ＷＬを予備乾燥することにより、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に直線状の撥液部Ｈの間に配線パターンＷ１が形成される。

ここで、基板Ｐの表面Ｐａは、パターン用液滴ＷＬに対して接触角が２０度以下となっているため、塗布されたパターン用液滴ＷＬは、分断されたりバルジを生じさせることなく撥液部Ｈの間を濡れ拡がる。また、撥液部Ｈと表面Ｐａとのパターン用液滴ＷＬに対する接触角の差（コントラスト）が３０度以上あるため、パターン用液滴ＷＬは、この濡れ性の差に基づいて撥液部Ｈからはじかれて撥液部Ｈの間の表面Ｐａに導入されて溜まる。このコントラストとしては、３０度以上で十分であるが、後述する実施例を考慮した場合、３５度以上であることがより好ましい。

なお、上記の撥液部Ｈは、厚さが数ｎｍ〜数十ｎｍと微少量であるため、塗布されたパターン用液滴ＷＬの位置を規定する隔壁としての機能を有しておらず、パターン用液滴ＷＬは上述した接触角（濡れ性）の差に起因して親液部Ｐａに配置されることになる。

（実施例）
溶媒−金属をグリコール系−ＩＴＯ、エーテル系−ＩＴＯ、グリコール系−Ｎｉ、水系−Ａｇ、炭化水素系−Ａｇとし、撥液部Ｈの幅ＨＡ＝１００μｍ、配線パターンＷの幅ＷＡ＝４０μｍとしたときに、撥液部Ｈ、親液部Ｐａの接触角、コントラスト、描画結果の関係を図８に示す。
この図に示すように、親液部の接触角が２０°以下であればバルジが生じず、また撥液部の接触角が５０°以上で、コントラストが３０°以上（好ましくは３５°以上）であれば、良好に均一な配線パターンを成膜することができた。

（撥液性除去・低下工程）
続いて、配線パターンＷ１及び撥液部Ｈを含む基板Ｐ上にエネルギーを付与して、撥液部Ｈの撥液性を除去・低下させる（第３工程）。
具体的には、基板Ｐの表面側からエネルギー光として、紫外光（ＵＶ光）を照射する。 これにより、撥液部Ｈが分解・除去、または撥液性が低下する。なお、フッ素樹脂を用いて撥液部を形成した場合、紫外光の照射時間に応じて撥液性が低下するため、撥液性が十分に低下する時間で紫外光を照射する（例えば、接触角が２０°以下となる６０秒）ことが望ましい。

（第２の撥液部形成工程）
続いて、撥液性が除去または低下した撥液部Ｈを有する基板Ｐ上に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用い液滴吐出ヘッド３０１から、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、上記撥液部Ｈを形成する際に用いた撥液性液滴Ｌ２を第２撥液材料を含む液滴として塗布し、撥液部（第２撥液部）Ｈ２を形成する（第４工程）。
なお、前工程の撥液性除去・低下工程で撥液部Ｈの撥液性が除去・低下しているため、図９以降では、撥液部Ｈを図示していない。

この撥液性液滴Ｌ２は、図３に示した配線パターンＷ２の周囲を囲む位置に連続的、且つ選択的に塗布される。従って、撥液部Ｈ２の一部は、配線パターンＷ１上に形成される。このとき、各撥液部Ｈ２においては、基板Ｐの表面Ｐａに着弾した撥液性液滴Ｌが、隣り合う液滴同士で重なり合う位置に吐出・塗布される。これにより、各撥液部Ｈ２は、液滴吐出ヘッド３０１と基板との一回の走査で塗布形成されることになる。
なお、撥液部Ｈ２についても、配線パターンＷ２の幅は、撥液部Ｈ２の配列ピッチと撥液部Ｈ２の幅との差で設定され、撥液部Ｈ２の幅は、滴吐出ヘッド３０１から吐出する撥液性液滴Ｌ２の吐出量及び吐出ピッチにより管理する。

そして、基板Ｐ上に吐出した撥液性液滴Ｌ２を予備乾燥することにより、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に直線状の撥液部Ｈ２が互いに間隔をあけて数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さで形成される。

（第２の材料配置工程）
次に、撥液部Ｈ２間に第２機能液としてパターン用液滴ＷＬ２を吐出して、配線パターンＷ２を形成する（第５工程）。このパターン用液滴ＷＬ２としては、上記配線パターンＷ１を形成する際に用いた材料と同一のものを使用する。
そして、上記の配線パターン形成材料を含むパターン用液滴ＷＬ２を液滴吐出ヘッド３０１から撥液部Ｈ２間の隙間に対して連続的に吐出して塗布する。

（熱処理／光処理工程）
次に、熱処理／光処理工程では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。

熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。

例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。ここでは、２５０℃、６０分で焼成した。
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。

上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。以上説明した一連の工程により、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に微少量の隙間をもって線状の配線パターンＷ１、Ｗ２が形成される。なお、撥液部Ｈ２についても、極薄膜であり、また、上記熱処理により撥液性が除去・低下するため、実質的に、基板Ｐ上の同一層に配線パターンＷ１、Ｗ２が形成されることになる。

以上のように、本実施の形態では、親液部の表面Ｐａを有する基板Ｐに対して撥液性液滴Ｌを塗布することにより撥液部Ｈをパターニングして配線パターンＷ１を形成するため、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いる必要がなくなり、コストアップを防止することが可能になる。また、本実施形態では、撥液性液滴Ｌの吐出量及び吐出ピッチを調整することにより、撥液部Ｈの幅ＨＡ、すなわち配線パターンＷの幅を容易に調整することができる。特に、本実施形態では、上記吐出量及び吐出ピッチと撥液部Ｈの幅ＨＡとの相関関係を示すテーブルを用いているため、形成すべき配線パターンＷの幅ＷＡに応じて設定する撥液性液滴Ｌの吐出量及び吐出ピッチを容易、且つ迅速に選定することが可能になり、生産性の向上に寄与することができる。

また、本実施形態では、一旦形成した撥液部Ｈの撥液性を除去・低下させた後に、再度撥液部Ｈ２を配線パターンＷ１を覆って形成するため、撥液部Ｈにより配線パターンＷ１、Ｗ２の双方を形成する場合に、塗布した撥液材料が濡れ拡がり、配線パターン形成領域が埋まってしまうことを回避できる。結果として、配線パターンＷ１の配置に制限されることなく、配線パターンＷ２を形成することができる。そのため、本実施形態では、微細ピッチで配列される配線パターンＷ１、Ｗ２であっても、一本おきに配線パターンを形成すればよくなり、容易に細密化された配線パターンＷ１、Ｗ２を形成することが可能になる。また、本実施形態では、この撥液部Ｈ２も撥液部Ｈと同様に、液滴吐出方式で形成するため、生産性の向上に寄与できるとともに、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いる必要がなくなり、コストアップを一層防止することが可能になる。

さらに、本実施形態では、撥液部Ｈに対する撥液性の除去・低下処理を紫外光の照射で行っているため、一括した処理が可能になり、部分的に撥液部Ｈの撥液性を低下させる場合と比較して、大幅に生産性を向上させることができる。加えて、本実施形態では、撥液部Ｈ、Ｈ２の形成材料、及びパターン用液滴ＷＬ、ＷＬ２の形成材料をそれぞれ同一材料としているため、各材料をそれぞれ個別に用意する必要がなくなり、配線パターンＷ１、Ｗ２を生産効率よく形成することが可能になる。
また、本実施形態では、基板Ｐ上に着弾した撥液性液滴Ｌが、隣り合う液滴Ｌ同士で重なり合うように塗布されるため、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐとの走査において、一回の走査で各撥液部Ｈを形成することが可能になり、一層の生産性の向上に寄与できる。

（電気光学装置）
次に、上記パターン形成方法を用いて製造される電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について、図１１を参照して説明する。
図１１は本実施形態のプラズマ型表示装置（電気光学装置）５００の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。

ガラス基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１とガラス基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。 また、隔壁５１５によって区画されるストライプ状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部および側面には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部および側面には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部および側面には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。

一方、ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の透明導電膜からなる表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、抵抗の高い表示電極５１２を補うために表示電極５１２上にバス電極５１２ａが形成されている。またこれらを覆って誘電体層５１３が形成され、更にＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
ガラス基板５０１とガラス基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になった部分と、一対の表示電極に囲まれた領域が１画素を構成するように配置されている。
前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。

本実施形態では、表示電極５１２、バス電極５１２ａ、およびアドレス電極５１１が先に示したパターン形成方法を用いて形成されている。
従って、本実施形態でも、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いることなく、表示電極５１２、バス電極５１２ａ、およびアドレス電極５１１等のパターンを形成することができ、コストアップを防止することができるとともに、細密化されたパターンを形成することが可能になる。

なお、表示電極５１２を形成する透明導電膜形成材料としては、上述したＩＴＯの他に、透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属（インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛）の少なくとも１種の金属の微粒子や、この成分金属から選ばれた２種以上の金属からなる少なくとも１種の合金の微粒子や、これらの金属微粒子と合金微粒子との混合微粒子を用いることができる。

（電磁波シールド）
次に、上記パターン形成方法を用いて製造される電気光学装置の一例である電磁波シールドについて、図１２を参照して説明する。
図１２（ａ）は、電磁波シールドの平面図であり、図１２（ｂ）は側面図である。
この図に示す電磁波シールド（電気光学装置）ＳＬは、透明樹脂やガラス基板等の透明基板Ｐ上に導電線によりパターンＰＴが形成された構成となっている。

このパターンＰＴは、複数の直線配線が互いに間隔をあけて交差するメッシュ状に形成されたメッシュ部ＭＳと、このメッシュ部ＭＳの周囲に形成された額縁部ＧＢとから構成されている。これらメッシュ部ＭＳ及び額縁部ＧＢは、いずれも上述した金属（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、パラジウム、ニッケル、ＩＴＯ等）により形成されている。メッシュ部ＭＳを構成する配線は、幅が大きい程シールド性能が向上するが、開口率が小さくなるため、電磁波シールドＳＬとして要求される仕様に応じて適宜設定される。本実施形態では、配線幅が３０μｍ以下、配線ピッチを２５０〜４００μｍとする。

上記の電磁波シールドＳＬを形成する際には、上述した配線パターンＷと同様に、ガラス基板Ｐに対する表面処理工程、第１の撥液部形成工程、第１の材料配置工程、撥液性除去・低下工程、第２の撥液部形成工程、第２の材料配置工程及び熱処理／光処理工程で形成される。この撥液部形成工程においては、上述したＯＤＳを芳香族炭化水素の混合物に混合した撥液性液滴を、形成するメッシュ部ＭＳの線幅（すなわち、形成する親液部の幅）に応じて選択した、例えば吐出量２．５ｐｌ、吐出ピッチ５０μｍで、メッシュ部ＭＳの開口部となる領域に吐出・塗布することにより、撥液部５１３Ｈを形成する。そして、撥液部５１３Ｈの間の隙間に露出する親液部（ガラス基板Ｐの表面）及び基板端縁部に、上記金属微粒子を含む液滴を、例えば吐出量２．２ｐｌ、吐出ピッチ３０μｍで吐出・塗布し、３００℃、１時間の条件で焼成することにより、メッシュ部ＭＳ及び額縁部ＧＢを有する電磁波シールドＳＬを形成することができる。
このような電磁波シールドＳＬを用いることにより、人体の健康障害の影響だけでなく、電子機器から発生する高周波電磁波ノイズ影響を軽減し、画面の乱れやスピーカーのノイズ等も軽減可能になる。

このように、本実施形態でも、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いることなく、メッシュ部ＭＳ及び額縁部ＧＢからなるパターンＰＴを細密化して形成することができ、コストアップを防止することが可能になるとともに、メッシュの目が細かい高品質の電磁波シールドを製造することができる。

（液晶表示装置）
続いて、上記パターン形成方法を用いて製造される電気光学装置の一例である液晶表示装置について、図１３乃至図１７を参照して説明する。
図１３は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１４は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１５は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１６は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図１３及び図１４において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。

シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。

なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１５に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１４に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。

図１６は、ボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐ上には、上記実施形態のパターン形成方法によりゲート配線６１が形成されている。
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ+型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。

さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。

なお、図１７に示すように、ゲート絶縁膜６２に凹部を設けて、この凹部内にゲート絶縁膜６２の表面と略面一に半導体層６３を形成し、その上に接合層６４ａ、６４ｂ、画素電極１９、エッチストップ膜６５を形成することもできる。この場合、バンク６６間の溝底部を図１６に比較して略フラットにすることで、これら各層及びソース線、ドレイン線の屈曲部が減り、平坦性が向上した高特性のＴＦＴとすることができる。
このように、本実施形態では、高品質で薄型、高集積化が可能な液晶表示装置１００を得ることができる。

上記構成のＴＦＴでは、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、撥液性液滴を塗布して撥液部及び親液部をパターニングした後に、例えば銀化合物の液滴を親液部に吐出することで、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いることなく、ゲート線、ソース線、ドレイン線等を形成することができるため、コストアップを防止することが可能になるとともに、配線パターンが細密化して形成された高品質の液晶表示装置を製造することが可能になる。

なお、上記実施の形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。
本発明における電気光学装置の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものであり、所望の特性が実現され、高密度でパターンが形成された高品質の有機ＥＬデバイスを得ることができる。

（非接触型カード媒体）
続いて、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図１８に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。

本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係るパターン形成方法によって形成されている。
本実施形態の非接触型カード媒体製造方法によれば、コストアップを防止し、また細密化されたパターンを有する高品質の非接触型カード媒体を提供できる。
なお、本発明に係る電気光学装置としては、上記の他に、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。

（電子機器）
続いて、本発明に係る電子機器の具体例について説明する。
図１９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１９（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１９（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１９（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１９（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、コストアップを防止し、また細密化されたパターンを有する高品質の電子機器を製造することが可能になる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態では、エネルギーを付与して撥液部Ｈの撥液性を除去・低下させる方法として、エネルギー光（紫外光）の照射処理を例示したが、これに限定されるものではなく、加熱処理や酸素プラズマ処理を適宜選択、または複合して実施してもよい。
また、上記実施形態では、第１パターン、第２パターンを双方とも線状の配線パターンとして例示したが、これに限定されるものではなく、例えばドット状のパターン同士や、ドット状パターンと線状パターンとが微小隙間をあけて配列されたパターンであっても適用可能である。

また、上記実施形態では、機能液と第２機能液とが同一材料であり、撥液材料と第２撥液材料とが同一材料である場合を例示したが、それぞれ互いに異なる材料を用いてもよい。機能液については、要求される機能特性に応じた材料をそれぞれ適宜選択すればよく、また撥液材料については、用いる機能液（第２機能液）に応じて撥液性を示す材料をそれぞれ適宜選択すればよい。なお、機能液と第２機能液とが異なる材料であっても、所定の撥液性を示すならば、撥液材料と第２撥液材料とは生産効率の観点から同一材料であることが好ましい。

また、上記実施形態では、機能液として導電材料を含む液状体として説明したが、機能液とは、金属や半導体、セラミックス、有機材料、顔料、光学材料を機能性液体として用い、基板上の所望の位置に配置して焼成工程を経て、薄膜を得る材料である。機能とは、導電性、絶縁性、半導体特性、集光性、光選択吸収性、蛍光あるいはリン光等のルネッセンス性、液晶分子の配向性制御などが挙げられる。

また、上記実施形態では、機能液により配線本体を形成するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えばパラジウム等のめっき触媒材料を含む液滴を塗布してめっき触媒膜を形成してもよい。この場合、後工程でめっき処理を行う際に、めっき処理を行うことにより、緻密性の高い配線（Ｃｕ等）を容易、且つ安価に成膜することが可能になる。

また、上記実施形態では、基板Ｐに対して親液性を高めるために、表面処理工程として洗浄処理を実施するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば機能液（パターン用液滴）に対して親液性を示すシランカップリング剤やチタンカップリング剤を表面Ｐａに塗布しておく構成や、酸化チタン微粒子を塗布しておく構成を採ってもよい。

液滴吐出装置の概略的な構成図である。 液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。 基板上に形成された撥液部、配線パターンを示す図である。 パターン形成工程を示す図である。 パターン形成工程を示す図である。 パターン形成工程を示す図である。 パターン形成工程を示す図である。 撥液部、親液部の接触角、コントラスト、描画結果の関係を示す図である。 パターン形成工程を示す図である。 パターン形成工程を示す図である。 プラズマ型表示装置の分解斜視図である。 電磁波シールドを示す図である。 液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。 図１３のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。 液晶表示装置の等価回路図である。 同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。 別形態の液晶表示装置の部分拡大断面図である。 非接触型カード媒体の分解斜視図である。 電子機器の具体例を示す図である。

符号の説明

ＧＢ…額縁部、 Ｈ…撥液部（第１撥液部）、 Ｈ２…撥液部（第２撥液部）、 Ｌ、Ｌ２…液滴、 ＭＳ…メッシュ部、 Ｐ…基板、 Ｐａ…表面（親液部）、 ＳＬ…電磁波シールド（電気光学装置）、 Ｗ…配線パターン（パターン）、 Ｗ１…配線パターン（第１パターン）、 Ｗ２…配線パターン（第２パターン）、 １００…液晶表示装置（電気光学装置）、 ４００…非接触型カード媒体（電子機器）、 ５００…プラズマ型表示装置（電気光学装置）、 ６００…携帯電話本体（電子機器）、 ７００…情報処理装置（電子機器）、 ８００…時計本体（電子機器）

Claims (17)

1. 機能液に対する親液部及び撥液部を有する基板に前記機能液を塗布してパターンを形成するパターン形成方法であって、
   前記親液部を有する基板に対して、撥液材料を含む液滴を選択的に塗布して第１撥液部を形成する第１工程と、
   前記親液部に前記機能液を塗布して第１パターンを形成する第２工程と、
   少なくとも前記第１撥液部にエネルギーを付与して、該第１撥液部の撥液性を低下させる第３工程と、
   前記親液部及び前記第１撥液部を有する前記基板に対して、第２機能液に撥液性を有する第２撥液材料を含む液滴を選択的に塗布して第２撥液部を形成する第４工程と、
   前記第２撥液部の非形成領域に前記第２機能液を塗布して、前記第１パターンと略同一層で第２パターンを形成する第５工程と、
   を有することを特徴とするパターン形成方法。
2. 請求項１記載のパターン形成方法において、
   前記第２撥液部の少なくとも一部を前記第１パターン上に形成することを特徴とするパターン形成方法。
3. 請求項２記載のパターン形成方法において、
   前記第１パターンと前記第２パターンとを互いに離間させて形成することを特徴とするパターン形成方法。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
   前記第３工程における前記エネルギーの付与処理は、エネルギー光の照射処理、加熱処理及び酸素プラズマ処理の少なくとも一つであることを特徴とするパターン形成方法。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
   前記機能液と前記第２機能液とが同一材料であり、
   前記第１撥液材料と前記第２撥液材料とが同一材料であることを特徴とするパターン形成方法。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
   前記撥液材料を含む液滴及び第２撥液材料を含む液滴が、それぞれ隣り合う前記液滴同士で重なり合うように塗布することを特徴とするパターン形成方法。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
   前記撥液材料及び前記第２撥液材料は、シラン化合物及びフルオロアルキル基を有する化合物の少なくとも一方を含むことを特徴とするパターン形成方法。
8. 請求項７記載のパターン形成方法において、
   前記シラン化合物は、自己組織化膜であることを特徴とするパターン形成方法。
9. 請求項７または８記載のパターン形成方法において、
   前記第１撥液部は、前記基板の表面に前記フルオロアルキル基を有する化合物からなる自己組織化膜によって形成されることを特徴とするパターン形成方法。
10. 請求項７または８記載のパターン形成方法において、
    前記第１撥液部は、前記基板の表面にアルキル基、水素を有する自己組織化膜によって形成されることを特徴とするパターン形成方法。
11. 請求項１から１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
    前記撥液材料と前記第２撥液材料との少なくとも一方は、フッ素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法。
12. 請求項１から１１のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
    前記機能液と前記第２機能液との少なくとも一方を、液滴として塗布することを特徴とするパターン形成方法。
13. 請求項１から１２のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
    前記機能液と前記第２機能液との少なくとも一方は、導電性材料を含むことを特徴とするパターン形成方法。
14. 請求項１から１３のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
    前記機能液と前記第２機能液との少なくとも一方は、めっき触媒材料を含むことを特徴とするパターン形成方法。
15. 請求項１から１４のいずれか一項に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置製造方法。
16. 請求項１５記載の電気光学装置製造方法において、
    前記電気光学装置は、導電線によりメッシュ状に形成されたメッシュ部と、前記導電線により前記メッシュ部の周囲に形成された額縁部とを有する電磁波シールドであり、
    前記メッシュ部及び前記額縁部を、前記パターン形成方法により形成することを特徴とする電気光学装置製造方法。
17. 請求項１から１４のいずれか一項に記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を有することを特徴とする電子機器製造方法。

Images