JP2008150655A - 金属の電析方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、溶融塩を用いた金属の電析方法に関する。
溶融塩(塩が溶融した液体)を用いた金属の電析方法は、これまでにも種々の方法が提案されていることは周知の通りであり、例えば、特許文献1には、テトラアルキルアンモニウムカチオンなどの有機四級アンモニウムカチオンと[CF3(CH2)nSO2]2N−(nは0以上の整数)などのフッ素系アニオンからなる常温溶融塩を用い、ここに金属塩を溶解させた後、0℃〜100℃の温度条件下で電着処理することによる方法が記載されている。しかしながら、工業的な用途が豊富なTi,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wなどの1500℃以上の融点を持つ高融点金属や、Nd,Smなどの希土類金属は、室温の溶融塩中においてはイオンの電気化学的安定性が高い。従って、特許文献1に記載の方法のように、常温溶融塩を用いて100℃以下でこれらの金属の電析を行おうとしても、陰極における電析対象の金属の析出よりも溶融塩の分解が優先的に起こることが多く、さらに、陽極において陽極として用いた電析対象の金属が効率よくイオンとして溶解しないことが多い。その結果、電析を継続して行おうとすると、溶融塩が変質してしまうという問題がある。とりわけ特許文献1に記載の方法の場合、上記の高融点金属や希土類金属は陽極においてイオンとして溶解し難いため、陽極反応として溶融塩を構成する有機カチオンの電解酸化が起こる。この有機カチオンの電解酸化はフッ素系アニオンが有機カチオンに比較して電解酸化されにくいことに起因する。有機カチオンが電解酸化されて分解すると系内に有機カチオンに由来する分解物が蓄積するので、もはやその溶融塩は利用できないことになる。
高融点金属や希土類金属のイオンの電気化学的安定性は温度上昇とともに低くなる性質があるので、電析温度を高めればこれらの金属を析出させることが容易になる。従って、例えば、ZnBr2−NaBr系溶融塩やZnCl2−NaCl系溶融塩などの無機溶融塩を用いて350℃以上の高温でこれらの金属の電析を行う方法も知られているが(非特許文献1および非特許文献2)、このような方法では、装置構成材料や電極材料などが高温に耐えうる金属やセラミックスに限定されてしまうといった制約が発生する。そこで本発明者らは、非特許文献3において、ZnCl2−NaCl−KCl系溶融塩を用いたタングステンの電析方法を提案したが、この無機溶融塩の融点は203℃であるので、電析温度は自ずとこの温度以上にしなければならない。従って、この方法は上記のような無機溶融塩を用いた方法に比較すれば低温で行えることから優れたものではあるものの、装置構成材料や電極材料などとして多種多様な材料を長期に亘って用いることができるより低温で行える方法の開発が必要である。
特開2002−371397号公報
Denki Kagaku oyobi Kogyo Butsuri Kagaku, 56, 40 (1988)
J. Electrochem. Soc., 138, 767 (1991)
Electrochemical and Solid-State Letters, 8(7) C91 (2005)
そこで本発明は、高融点金属や希土類金属をはじめとする種々の金属の電析が容易に可能な、溶融塩を用いた金属の電析方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、ある種の四級アンモニウムハライド溶融塩とピロリジニウムハライド溶融塩を100℃〜200℃の電析温度で用いることで、高融点金属や希土類金属をはじめとする種々の金属の電析が容易に可能となることを見出した。
上記の知見に基づいてなされた本発明の溶融塩を用いた金属の電析方法は、請求項1記載の通り、下記の一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩(式中、R1,R2,R3,R4は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−は四級アンモニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)、および/または、下記の一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩(式中、R5,R6は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−はピロリジニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)を100℃〜200℃の電析温度で用いて行うことを特徴とする。
また、請求項2記載の方法は、請求項1記載の方法において、ハライドアニオンが塩化物イオンであることを特徴とする。
また、請求項3記載の方法は、請求項1記載の方法において、溶融塩に金属ハライド化合物が溶解されていることを特徴とする。
また、請求項4記載の方法は、請求項3記載の方法において、金属ハライド化合物が塩化亜鉛、塩化錫、塩化鉄からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする。
また、請求項5記載の方法は、請求項3記載の方法において、金属ハライド化合物が溶融塩1molに対して0.5mol〜2mol溶解されていることを特徴とする。
また、請求項6記載の方法は、請求項1記載の方法において、溶融塩にアルカリ金属塩化物および/またはアルカリ金属フッ化物が添加されていることを特徴とする。
また、請求項7記載の方法は、請求項1記載の方法において、電析温度が130℃〜180℃であることを特徴とする。
また、請求項8記載の方法は、請求項1記載の方法において、電析対象の金属が1500℃以上の融点を持つ高融点金属、希土類金属、これらの金属の少なくとも1種を含む合金からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする。
また、本発明のピロリジニウムハライド溶融塩は、請求項9記載の通り、下記の一般式(II)で表されてなることを特徴とする(式中、R5,R6は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−はピロリジニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)。
また、請求項3記載の方法は、請求項1記載の方法において、溶融塩に金属ハライド化合物が溶解されていることを特徴とする。
また、請求項4記載の方法は、請求項3記載の方法において、金属ハライド化合物が塩化亜鉛、塩化錫、塩化鉄からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする。
また、請求項5記載の方法は、請求項3記載の方法において、金属ハライド化合物が溶融塩1molに対して0.5mol〜2mol溶解されていることを特徴とする。
また、請求項6記載の方法は、請求項1記載の方法において、溶融塩にアルカリ金属塩化物および/またはアルカリ金属フッ化物が添加されていることを特徴とする。
また、請求項7記載の方法は、請求項1記載の方法において、電析温度が130℃〜180℃であることを特徴とする。
また、請求項8記載の方法は、請求項1記載の方法において、電析対象の金属が1500℃以上の融点を持つ高融点金属、希土類金属、これらの金属の少なくとも1種を含む合金からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする。
また、本発明のピロリジニウムハライド溶融塩は、請求項9記載の通り、下記の一般式(II)で表されてなることを特徴とする(式中、R5,R6は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−はピロリジニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)。
本発明によれば、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wなどの1500℃以上の融点を持つ高融点金属や、Nd,Smなどの希土類金属をはじめとする種々の金属の電析が容易に可能な、溶融塩を用いた金属の電析方法を提供することができる。本発明によって200℃以下でこれらの高融点金属の電析が可能になることで、この方法をLIGA(Lithographie,Galvanoformung,Abformung)プロセスにおけるGalvanoformung(電鋳)に適用することにより次世代微細成型技術に応用することができる。また、希土類金属の電析が可能になることで、磁性材料や半導体材料や水素吸蔵材料などの機能性材料の新規な製造方法となりうる。
本発明の溶融塩を用いた金属の電析方法は、下記の一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩(式中、R1,R2,R3,R4は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−は四級アンモニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)、および/または、下記の一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩(式中、R5,R6は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−はピロリジニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)を100℃〜200℃の電析温度で用いて行うことを特徴とするものである。
一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩および一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩において、置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基におけるアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基が例示される。これらのアルキル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲンなどが挙げられる。また、置換基を有していてもよい炭素数5〜7のシクロアルキル基のおけるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基が例示される。これらのシクロアルキル基が有していてもよい置換基は、上記のアルキル基が有していてもよい置換基と同様のものの他、炭素数1〜6のアルキル基などが挙げられる。
有機カチオン(四級アンモニウムカチオンおよびピロリジニウムカチオン)に対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンなどが挙げられる。ハライドアニオンとしてこれらのアニオンを採用することで、陰極で電解を行った場合、溶融塩の分解が起こっても、陽極においては有機カチオンの電解酸化よりもこれらのアニオンの電解酸化が優先的に起こることから、生成する分解物をハロゲン気体として系内から放出させることができる。従って、系内にハライドアニオンに対応する金属ハライド化合物を追加投入することで長期に亘って電析を行うことができる。なお、ハライドアニオンは、溶融塩のイオン伝導度が高く、ハロゲン気体として系内から放出させやすいといった特徴を持つ塩化物イオンが望ましい。
なお、一般式(I)で表される四級アンモニウムハライドおよび一般式(II)で表されるピロリジニウムハライドは、自体公知の方法で合成することができる。
溶融塩には金属ハライド化合物を溶解させてもよい。金属ハライド化合物としては、ハライドアニオンが塩化物イオンの場合、塩化亜鉛、塩化錫、塩化鉄などが挙げられるが、中でも、還元側の電位窓が広く、高融点金属を良好に析出させることができるといった特徴を持つ塩化亜鉛が望ましい。金属ハライド化合物は、溶融塩に溶解させることで有機カチオンに対するカウンターイオンとしてのハライド金属錯アニオンを構成し(ZnCl3 −,SnCl3 −,FeCl4 −など)、通常、溶融塩に対して融点を引き下げるとともに、分解温度を引き上げる効果を示す。金属ハライド化合物は溶融塩1molに対して0.5mol〜2mol溶解させることが望ましい。溶解量が少なすぎると溶解させることの効果が得られない恐れがある。一方、溶解量が多すぎると金属ハライド化合物自身の特性が強く現れるため、融点の上昇を招いたり析出対象の金属が析出されにくくなったりする恐れがある。なお、金属ハライド化合物は無水物の形態で用いることが望ましい。水和物の形態で用いた場合、水和物に由来する水の電気分解が起こることで、電流効率が低下したり、電析対象の金属が析出しなかったり、析出物に水素が含まれることで品質の低下が起こったりする恐れがあるからである。
本発明の金属の電析方法は、例えば、自体公知の三電極方式を採用した装置を用いて行うことができる(必要であれば特許文献1や非特許文献3を参照のこと)。具体的には、電析対象の金属の原料物質(金属ハライド化合物、金属オキサイド化合物、金属オキシハライド化合物、これらとアルカリ金属ハライド化合物やアルカリ金属オキサイド化合物とを反応させることで得られる錯塩などが例示される)を溶融塩に溶解させ、100℃〜200℃にて通電を行う。これにより、常温溶融塩を用いて100℃以下で電析を行う場合に比較して、電析対象の金属の溶融塩中におけるイオン溶解度やイオン伝導度が増大するとともに、溶融塩の粘性が低下することで、大きな電流密度を得ることができ、その結果、電析効率を向上させることが可能となる。また、電析により析出する金属は結晶子サイズが小さいほど強度などの特性が優れるが、電析による結晶成長速度は温度が高くなるにつれて速くなるので、非特許文献1〜非特許文献3に記載の方法では電析温度が高いために結晶子サイズの小さい金属を析出させることは困難である。しかしながら、電析温度を100℃〜200℃にすることで、優れた特性を有する結晶子サイズの小さい金属を析出させることが容易になる。なお、電析温度は用いる溶融塩の融点を考慮してその融点以上とすることは言うまでもない。操作上の取り扱いの容易性などに鑑みれば、通常、130℃〜180℃とすることが望ましい。電析対象の金属の原料物質は溶融塩1molに対して0.005mol〜2mol溶解させることが望ましい。電析は定電位電解によって行ってもよいし、定電流電解によって行ってもよい。定電位電解を行う場合の電位は0〜+1.0V vs.Mn+/M(ここでMn+/Mは溶融塩中における陰極限界で析出する金属とその金属イオンとの酸化還元対を表す)とすることが望ましい。定電流電解を行う場合の電流は電流密度として0.1mA/cm2〜100mA/cm2とすることが望ましい。工業スケールで電析を行う場合は、より簡単な装置構成で実施できる定電流電解によって行うことが望ましい。
なお、溶融塩には、LiCl,NaCl,KClなどのアルカリ金属塩化物や、LiF,NaF,KFなどのアルカリ金属フッ化物を添加してもよい。これらの化合物を溶融塩に添加することで、電析対象の金属のイオン溶解度の向上、電析物の良質化、溶融塩の導電率の向上などが可能となり、高融点金属や希土類金属、これらの金属の少なくとも1種を含む合金などの電析がしやすくなるとともに、不純物の取込が少なくLIGAプロセスにおける電鋳や被処理物のコーティングなどに適した膜状物として目的とする金属を析出させることができる。アルカリ金属塩化物やアルカリ金属フッ化物の溶融塩への添加量は、これらの化合物の溶融塩に対する飽和溶解量の1/2倍〜2倍とすることが望ましい。
以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、本発明は以下の記載に何ら限定して解釈されるものではない。
実施例1:
(1)一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩の合成
代表的な例として、トリメチルペンチルアンモニウムクロリド(TriMePeAmCl)の合成法を以下に示す。まずトリメチルアミン(東京化成;28% in water)および1−クロロペンタン(東京化成;99%)をアセトニトリル中で混合し、80℃で24時間以上攪拌した。その後蒸留し、80℃で24時間以上真空乾燥を行い、目的物を白色粉末として得た。同様の手法により種々のトリメチルアルキルアンモニウムクロリド(TriMeAlkAmCl)とテトラアルキルアンモニウムクロリド(TetAlkAmCl)を合成した(但しTetBuAmClの真空乾燥温度は60℃)。合成した溶融塩をその融点と分解温度とともに表1に示す。なお、融点は昇温に伴う熱的挙動を示差走査熱量分析(DSC)を用いて検討した結果と融点測定装置を用いた測定結果から決定し、分解温度は昇温に伴う熱的挙動を示差熱・熱重量同時分析(DTA−TG)を用いて検討した結果から決定した(以下同じ)。表1から明らかなように、TriMeHepAmCl,TetEtAmCl,TetPrAmClは、例えば、150℃〜200℃において、TetBuAmClは、例えば、100℃〜150℃において安定に用いることができることがわかった。
(1)一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩の合成
代表的な例として、トリメチルペンチルアンモニウムクロリド(TriMePeAmCl)の合成法を以下に示す。まずトリメチルアミン(東京化成;28% in water)および1−クロロペンタン(東京化成;99%)をアセトニトリル中で混合し、80℃で24時間以上攪拌した。その後蒸留し、80℃で24時間以上真空乾燥を行い、目的物を白色粉末として得た。同様の手法により種々のトリメチルアルキルアンモニウムクロリド(TriMeAlkAmCl)とテトラアルキルアンモニウムクロリド(TetAlkAmCl)を合成した(但しTetBuAmClの真空乾燥温度は60℃)。合成した溶融塩をその融点と分解温度とともに表1に示す。なお、融点は昇温に伴う熱的挙動を示差走査熱量分析(DSC)を用いて検討した結果と融点測定装置を用いた測定結果から決定し、分解温度は昇温に伴う熱的挙動を示差熱・熱重量同時分析(DTA−TG)を用いて検討した結果から決定した(以下同じ)。表1から明らかなように、TriMeHepAmCl,TetEtAmCl,TetPrAmClは、例えば、150℃〜200℃において、TetBuAmClは、例えば、100℃〜150℃において安定に用いることができることがわかった。
(2)一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩の合成
N−エチル−N−メチルピロリジニウムクロリド(EtMePyrCl)の合成法を以下に示す。まずN−メチルピロリジン(アルドリッチ)とアセトニトリルを耐圧びんに入れ、液体窒素により冷却した。そこにクロロエタン(和光純薬)を吹き付け、徐々に昇温しながら混合し、80℃で24時間以上攪拌した。その後蒸留し、80℃で24時間以上真空乾燥を行い、目的物を白色粉末として得た。EtMePyrClの融点と分解温度を表1に示す。表1から明らかなように、EtMePyrClは、例えば、150℃〜200℃において安定に用いることができることがわかった。
N−エチル−N−メチルピロリジニウムクロリド(EtMePyrCl)の合成法を以下に示す。まずN−メチルピロリジン(アルドリッチ)とアセトニトリルを耐圧びんに入れ、液体窒素により冷却した。そこにクロロエタン(和光純薬)を吹き付け、徐々に昇温しながら混合し、80℃で24時間以上攪拌した。その後蒸留し、80℃で24時間以上真空乾燥を行い、目的物を白色粉末として得た。EtMePyrClの融点と分解温度を表1に示す。表1から明らかなように、EtMePyrClは、例えば、150℃〜200℃において安定に用いることができることがわかった。
(3)塩化亜鉛との混合溶融塩の合成
上記の方法で得られた一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩および一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩のそれぞれに、無水の塩化亜鉛(ZnCl2)(和光純薬工業;99.9%)を、両者が所定のモル比(50:50または40:60)となるように溶解させて合成した。得られた混合溶融塩の融点と分解温度を表2に示す。また、代表的な例として、TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)のDSC曲線を図1に、EtMePyrCl−ZnCl2(モル比50:50)のDSC曲線を図2に示す。表2から明らかなように、TetEtAmCl,TetPrAmCl,TetBuAmClを除いては、溶融塩に塩化亜鉛を溶解させることで大幅に融点が引き下げられるとともに分解温度が引き上げられ、得られた混合溶融塩は、TetMeAmCl−ZnCl2を除いては、130℃〜200℃において安定に用いることができることがわかった。
上記の方法で得られた一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩および一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩のそれぞれに、無水の塩化亜鉛(ZnCl2)(和光純薬工業;99.9%)を、両者が所定のモル比(50:50または40:60)となるように溶解させて合成した。得られた混合溶融塩の融点と分解温度を表2に示す。また、代表的な例として、TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)のDSC曲線を図1に、EtMePyrCl−ZnCl2(モル比50:50)のDSC曲線を図2に示す。表2から明らかなように、TetEtAmCl,TetPrAmCl,TetBuAmClを除いては、溶融塩に塩化亜鉛を溶解させることで大幅に融点が引き下げられるとともに分解温度が引き上げられ、得られた混合溶融塩は、TetMeAmCl−ZnCl2を除いては、130℃〜200℃において安定に用いることができることがわかった。
(4)一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩と塩化亜鉛との混合溶融塩の電気化学測定
代表的な例として、TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)について行った。パイレックス(登録商標)ビーカーに溶融塩を30ml程度入れ、ホットスターラーにより浴温が150℃となるように加熱した。測定には三電極方式を用いた。作用極(陰極)にはモリブデン線(ニラコ;99.95%,直径1mm×長さ5mm)またはグラッシーカーボン(東海カーボン;直径5mm×長さ10mm)を用いた。対極(陽極)にはニッケル板(ニラコ;99.7%,縦10mm×横5mm×厚さ0.2mm)またはグラッシーカーボンを用いた。参照極には亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ5mm)を用いた。電位はすべて亜鉛の酸化還元電位(Zn2+/Zn)を基準にした。なお、溶融塩の取り扱いと電気化学測定はアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で行った。図3は、作用極にモリブデン線を、対極にグラッシーカーボンを用いて、陰極側へ電位走査した際に得られたサイクリックボルタモグラムである。約0V(vs.Zn2+/Zn)から陰極電流が観測され、それに対応する陽極電流も観測された。ここで観測された陰極電流は亜鉛の電析に対応すると考えられたため、定電流電解(電流密度10mA/cm2)を3時間行って作用極上の塊状の電解析出物サンプルを得た。これをX線光電子分光法(XPS)により分析した結果、金属亜鉛であることが確認できた(原子組成:亜鉛99.3原子%,酸素0.3原子%,その他0.4原子%)。図4は、作用極にグラッシーカーボンを、対極にニッケル板を用いて、陽極側へ電位走査した際に得られたサイクリックボルタモグラムである。約2.0V(vs.Zn2+/Zn)から陽極電流の立ち上がりが観測されたが、逆反応に対応する電流は見られなかった。この陽極電流は、塩素ガスの発生に対応すると考えられた。以上の結果から、TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)の電位窓は150℃で約2.0Vであること、この方法によれば金属亜鉛の電析を行えることがわかった。
代表的な例として、TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)について行った。パイレックス(登録商標)ビーカーに溶融塩を30ml程度入れ、ホットスターラーにより浴温が150℃となるように加熱した。測定には三電極方式を用いた。作用極(陰極)にはモリブデン線(ニラコ;99.95%,直径1mm×長さ5mm)またはグラッシーカーボン(東海カーボン;直径5mm×長さ10mm)を用いた。対極(陽極)にはニッケル板(ニラコ;99.7%,縦10mm×横5mm×厚さ0.2mm)またはグラッシーカーボンを用いた。参照極には亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ5mm)を用いた。電位はすべて亜鉛の酸化還元電位(Zn2+/Zn)を基準にした。なお、溶融塩の取り扱いと電気化学測定はアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で行った。図3は、作用極にモリブデン線を、対極にグラッシーカーボンを用いて、陰極側へ電位走査した際に得られたサイクリックボルタモグラムである。約0V(vs.Zn2+/Zn)から陰極電流が観測され、それに対応する陽極電流も観測された。ここで観測された陰極電流は亜鉛の電析に対応すると考えられたため、定電流電解(電流密度10mA/cm2)を3時間行って作用極上の塊状の電解析出物サンプルを得た。これをX線光電子分光法(XPS)により分析した結果、金属亜鉛であることが確認できた(原子組成:亜鉛99.3原子%,酸素0.3原子%,その他0.4原子%)。図4は、作用極にグラッシーカーボンを、対極にニッケル板を用いて、陽極側へ電位走査した際に得られたサイクリックボルタモグラムである。約2.0V(vs.Zn2+/Zn)から陽極電流の立ち上がりが観測されたが、逆反応に対応する電流は見られなかった。この陽極電流は、塩素ガスの発生に対応すると考えられた。以上の結果から、TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)の電位窓は150℃で約2.0Vであること、この方法によれば金属亜鉛の電析を行えることがわかった。
(5)一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩と塩化亜鉛との混合溶融塩を用いた定電流電解による金属亜鉛の電析
上記と同様の方法でEtMePyrCl−ZnCl2(モル比50:50)を用いて定電流電解を行うことで、塊状の金属亜鉛が析出した(原子組成:亜鉛99.2原子%,酸素0.4原子%,その他0.4原子%)。
上記と同様の方法でEtMePyrCl−ZnCl2(モル比50:50)を用いて定電流電解を行うことで、塊状の金属亜鉛が析出した(原子組成:亜鉛99.2原子%,酸素0.4原子%,その他0.4原子%)。
実施例2:
TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)に四塩化タングステン(WCl4)をTriMePeAmCl1molに対して0.1mol溶解させ、実施例1と同様の方法で定電流電解を行うことで(但し電流密度は0.5mA/cm2)、塊状の金属タングステンが析出した(原子組成:タングステン97.2原子%,酸素1.5原子%,その他1.3原子%)。
TriMePeAmCl−ZnCl2(モル比50:50)に四塩化タングステン(WCl4)をTriMePeAmCl1molに対して0.1mol溶解させ、実施例1と同様の方法で定電流電解を行うことで(但し電流密度は0.5mA/cm2)、塊状の金属タングステンが析出した(原子組成:タングステン97.2原子%,酸素1.5原子%,その他1.3原子%)。
実施例3:
EtMePyrCl−ZnCl2(モル比50:50)にWCl4をEtMePyrCl1molに対して0.1mol溶解させ、実施例1と同様の方法で定電流電解を行うことで(但し電流密度は0.5mA/cm2)、塊状の金属タングステンが析出した(原子組成:タングステン97.0原子%,酸素1.6原子%,その他1.4原子%)。
EtMePyrCl−ZnCl2(モル比50:50)にWCl4をEtMePyrCl1molに対して0.1mol溶解させ、実施例1と同様の方法で定電流電解を行うことで(但し電流密度は0.5mA/cm2)、塊状の金属タングステンが析出した(原子組成:タングステン97.0原子%,酸素1.6原子%,その他1.4原子%)。
実施例4:定電位電解による電析
実験A:
TriMePeAmClを120℃で24時間真空乾燥させた。また、ZnCl2とKFを200℃で24時間真空乾燥させた。アルゴン雰囲気のグローブボックス内でTriMePeAmClとZnCl2とがモル比で50:50となるように秤量し、アルミナ坩堝中に収容した。また、TriMePeAmClとZnCl2との混合物100molに対してKFが2mol(溶融塩に対する飽和溶解量にほぼ相当)、WCl4が0.5molとなるように秤量し、これらを上記のTriMePeAmClとZnCl2を収容したアルミナ坩堝中に収容した。次に、上記のグローブボックス内で、上記の原料粉末が収容されたアルミナ坩堝を150℃に加熱して溶融させることによって、溶融塩浴を50g作製した。続いて、上記のグローブボックス内で、作用極(陰極)としてニッケル板(ニラコ;99.7%,縦10mm×横5mm×厚さ0.2mm)を、対極としてコイル状の亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ50mm)を、参照極として亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ5mm)を溶融塩浴中に浸漬させた。次いで、この溶融塩浴の温度を150℃に保持した状態で、作用極の電位を100mV(vs.Zn2+/Zn)として3時間の定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物を走査電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
実験A:
TriMePeAmClを120℃で24時間真空乾燥させた。また、ZnCl2とKFを200℃で24時間真空乾燥させた。アルゴン雰囲気のグローブボックス内でTriMePeAmClとZnCl2とがモル比で50:50となるように秤量し、アルミナ坩堝中に収容した。また、TriMePeAmClとZnCl2との混合物100molに対してKFが2mol(溶融塩に対する飽和溶解量にほぼ相当)、WCl4が0.5molとなるように秤量し、これらを上記のTriMePeAmClとZnCl2を収容したアルミナ坩堝中に収容した。次に、上記のグローブボックス内で、上記の原料粉末が収容されたアルミナ坩堝を150℃に加熱して溶融させることによって、溶融塩浴を50g作製した。続いて、上記のグローブボックス内で、作用極(陰極)としてニッケル板(ニラコ;99.7%,縦10mm×横5mm×厚さ0.2mm)を、対極としてコイル状の亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ50mm)を、参照極として亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ5mm)を溶融塩浴中に浸漬させた。次いで、この溶融塩浴の温度を150℃に保持した状態で、作用極の電位を100mV(vs.Zn2+/Zn)として3時間の定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物を走査電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
実験B:
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの三酸化タングステン(WO3)を用いたこと以外は実験Aと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの三酸化タングステン(WO3)を用いたこと以外は実験Aと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
実験C:
TriMePeAmClとZnCl2のモル比を40:60とし、0.5molのWCl4の代わりに1molの五塩化タンタル(TaCl5)を用いたこと以外は実験Aと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タンタルであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タンタルを析出させることができることがわかった。
TriMePeAmClとZnCl2のモル比を40:60とし、0.5molのWCl4の代わりに1molの五塩化タンタル(TaCl5)を用いたこと以外は実験Aと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タンタルであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タンタルを析出させることができることがわかった。
実験D:
TriMePeAmClとZnCl2のモル比を60:40とし、0.5molのWCl4の代わりに1molのフッ化タンタルカリウム(K2TaF7)を用いたこと以外は実験Aと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タンタルであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タンタルを析出させることができることがわかった。
TriMePeAmClとZnCl2のモル比を60:40とし、0.5molのWCl4の代わりに1molのフッ化タンタルカリウム(K2TaF7)を用いたこと以外は実験Aと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タンタルであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タンタルを析出させることができることがわかった。
実験E:
EtMePyrClを120℃で24時間真空乾燥させた。また、ZnCl2とKFを200℃で24時間真空乾燥させた。アルゴン雰囲気のグローブボックス内でEtMePyrClとZnCl2とがモル比で50:50となるように秤量し、アルミナ坩堝中に収容した。また、EtMePyrClとZnCl2との混合物100molに対してKFが2mol(溶融塩に対する飽和溶解量にほぼ相当)、WCl4が0.5molとなるように秤量し、これらを上記のEtMePyrClとZnCl2を収容したアルミナ坩堝中に収容した。次に、上記のグローブボックス内で、上記の原料粉末が収容されたアルミナ坩堝を150℃に加熱して溶融させることによって、溶融塩浴を50g作製した。続いて、上記のグローブボックス内で、作用極(陰極)としてニッケル板(ニラコ;99.7%,縦10mm×横5mm×厚さ0.2mm)を、対極としてコイル状の亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ50mm)を、参照極として亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ5mm)を溶融塩浴中に浸漬させた。次いで、この溶融塩浴の温度を150℃に保持した状態で、作用極の電位を100mV(vs.Zn2+/Zn)として3時間の定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
EtMePyrClを120℃で24時間真空乾燥させた。また、ZnCl2とKFを200℃で24時間真空乾燥させた。アルゴン雰囲気のグローブボックス内でEtMePyrClとZnCl2とがモル比で50:50となるように秤量し、アルミナ坩堝中に収容した。また、EtMePyrClとZnCl2との混合物100molに対してKFが2mol(溶融塩に対する飽和溶解量にほぼ相当)、WCl4が0.5molとなるように秤量し、これらを上記のEtMePyrClとZnCl2を収容したアルミナ坩堝中に収容した。次に、上記のグローブボックス内で、上記の原料粉末が収容されたアルミナ坩堝を150℃に加熱して溶融させることによって、溶融塩浴を50g作製した。続いて、上記のグローブボックス内で、作用極(陰極)としてニッケル板(ニラコ;99.7%,縦10mm×横5mm×厚さ0.2mm)を、対極としてコイル状の亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ50mm)を、参照極として亜鉛線(ニラコ;99.99%,直径1mm×長さ5mm)を溶融塩浴中に浸漬させた。次いで、この溶融塩浴の温度を150℃に保持した状態で、作用極の電位を100mV(vs.Zn2+/Zn)として3時間の定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
実験F:
0.5molのWCl4の代わりに0.5molのWO3を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに0.5molのWO3を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属タングステンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属タングステンを析出させることができることがわかった。
実験G:
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの三塩化モリブデン(MoCl3)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの三塩化モリブデン(MoCl3)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
実験H:
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの五塩化モリブデン(MoCl5)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの五塩化モリブデン(MoCl5)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
実験I:
EtMePyrClとZnCl2のモル比を40:60とし、0.5molのWCl4の代わりに0.5molのMoCl3を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
EtMePyrClとZnCl2のモル比を40:60とし、0.5molのWCl4の代わりに0.5molのMoCl3を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
実験J:
EtMePyrClとZnCl2のモル比を40:60とし、0.5molのWCl4の代わりに0.5molのMoCl5を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
EtMePyrClとZnCl2のモル比を40:60とし、0.5molのWCl4の代わりに0.5molのMoCl5を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属モリブデンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属モリブデンを析出させることができることがわかった。
実験K:
0.5molのWCl4の代わりに1molの四塩化チタン(TiCl4)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属チタンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属チタンを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに1molの四塩化チタン(TiCl4)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属チタンであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属チタンを析出させることができることがわかった。
実験L:
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの五塩化ニオブ(NbCl5)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属ニオブであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属ニオブを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの五塩化ニオブ(NbCl5)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属ニオブであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属ニオブを析出させることができることがわかった。
実験M:
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの二塩化バナジウム(VCl2)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属バナジウムであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属バナジウムを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの二塩化バナジウム(VCl2)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属バナジウムであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属バナジウムを析出させることができることがわかった。
実験N:
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの二塩化ジルコニウム(ZrCl2)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属ジルコニウムであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属ジルコニウムを析出させることができることがわかった。
0.5molのWCl4の代わりに0.5molの二塩化ジルコニウム(ZrCl2)を用いたこと以外は実験Eと同様にして定電位電解を行った。作用極であるニッケル板の表面上の析出物をSEMにより観察したところ、析出物はニッケル板との密着性が良好な膜状物であることが確認できた。また、XPSを用いて析出物を分析した結果、金属ジルコニウムであることが確認できた(実験条件と実験結果の詳細を表3に示す)。表3から明らかなように、この溶融塩浴を用いれば、膜状で純度の高い金属ジルコニウムを析出させることができることがわかった。
本発明は、高融点金属や希土類金属をはじめとする種々の金属の電析が容易に可能な、溶融塩を用いた金属の電析方法を提供することができる点において産業上の利用可能性を有する。
Claims (9)
- 溶融塩を用いた金属の電析方法であって、下記の一般式(I)で表される四級アンモニウムハライド溶融塩(式中、R1,R2,R3,R4は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−は四級アンモニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)、および/または、下記の一般式(II)で表されるピロリジニウムハライド溶融塩(式中、R5,R6は同一または異なって置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数5〜7のシクロアルキル基を示し、X−はピロリジニウムカチオンに対するカウンターイオンとしてのハライドアニオンを示す)を100℃〜200℃の電析温度で用いて行うことを特徴とする方法。
- ハライドアニオンが塩化物イオンであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 溶融塩に金属ハライド化合物が溶解されていることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 金属ハライド化合物が塩化亜鉛、塩化錫、塩化鉄からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項3記載の方法。
- 金属ハライド化合物が溶融塩1molに対して0.5mol〜2mol溶解されていることを特徴とする請求項3記載の方法。
- 溶融塩にアルカリ金属塩化物および/またはアルカリ金属フッ化物が添加されていることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 電析温度が130℃〜180℃であることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 電析対象の金属が1500℃以上の融点を持つ高融点金属、希土類金属、これらの金属の少なくとも1種を含む合金からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1記載の方法。
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-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006338931A patent/JP2008150655A/ja not_active Withdrawn
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