JP2008085033A5 - - Google Patents
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- 屈折率周期構造を有するフォトニック結晶と，該フォトニック結晶中に該屈折率周期構造を乱す孤立した欠陥部により形成された共振器と，共振器にＩｎを含む窒化物半導体で形成された活性部を有する発光素子において，
該活性部が有するバンドギャップエネルギーで規定される波長は，該フォトニック結晶のフォトニックバンドギャップ帯域に含まれており，共振器がフォトニックバンドギャップ帯域内で有する共振モードの最も短波長側のピーク波長より短波長に設定されていることを特徴とする発光素子。 - 前記バンドギャップエネルギーで規定される波長と，共振モードのピーク波長の差は５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
- 前記活性部はＩｎＧａＮを含み，ＩｎＧａＮの組成がＩｎｘＧａ１−ｘＮと表されるとき，
０．２５ ≦ ｘ ＜ １
なる条件を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。 - 前記フォトニック結晶が３次元フォトニック結晶であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記３次元フォトニック結晶は、
複数の柱状構造が予め定められた間隔を空けて配列された第１の層と、該第１の層の該柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、予め定められた間隔を空けて配列された第２の層と、該第１の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、予め定められた間隔を空けて配列された第３の層と、該第２の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、予め定められた間隔を空けて配列された第４の層を有し、
該第１の層と該第３の層に含まれる柱状構造は、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記予め定められた間隔の半分ずれて配列されており、該第２の層と該第４の層に含まれる柱状構造は、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記予め定められた間隔の半分ずれて配列されており、
該第１の層から該第４の層が順次積層されていることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。 - 前記３次元フォトニック結晶は、
複数の柱状構造が予め定められた間隔を空けて配列された第１の層と、該第１の層の該柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、予め定められた間隔を空けて配列された第２の層と、該第１の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、予め定められた間隔を空けて配列された第３の層と、該第２の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、予め定められた間隔を空けて配列された第４の層と、前記４つの層の各層に平行な平面内において離散的に配置された離散構造を含む層を１層以上含む付加層を有し、
該第１の層と該第３の層に含まれる柱状構造は、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記予め定められた間隔の半分ずれて配列されており、
該第２の層と該第４の層に含まれる柱状構造は、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記予め定められた間隔の半分ずれて配列されており、該第１の層から該第４の層が各層の間にそれぞれ前記付加層を介して順次積層され、該付加層に含まれる離散構造は該柱状構造の交点に相当する位置に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
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