JP2008078791A - 表面実装用の水晶発振器 - Google Patents

Abstract

【課題】容器本体の底面側に設けられたプローブ接触端子（水晶検査端子や書込端子）へのプローブの当接を容易にした表面実装発振器を提供する。
【解決手段】平板層５と枠壁層６とを有して一主面に凹部を有する凹状の容器本体１と、前記容器本体１内に密閉封入されたＩＣチップ２及び水晶片３と、前記容器本体１の外表面に形成されたプローブ接触端子８とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記平板層５は外底面に表面実装端子６を有する第１平板層５ａと前記ＩＣチップ２の固着される第２平板層５ｂとを積層してなり、前記第１平板層５ａには外周が開放した切欠部１２を有し、前記切欠部１２によって露出した前記第２平板層５ｂの露出面には前記プローブ接触端子８が設けられた構成とする。また、これらをＨ状とした容器本体あるいは水晶振動子の底面に実装基板を設けた接合型に適用する。
【選択図】図１

Description

本発明は表面実装用の水晶発振器（以下、表面実装発振器とする）を技術分野とし、特に水晶検査端子や書込端子等のプローブ接触端子を有する表面実装発振器に関する。

（発明の背景）
表面実装発振器は小型・軽量であることから、特に携帯電話を主とした携帯型の電子機器に周波数や時間の基準源として広く用いられている。このようなものの一つに、水晶振動子の振動特性を検査する水晶検査端子や、温度補償データを書き込む書込端子等のプローブ接触端子を容器本体の底面や側面の外表面に設けたものがある（特許文献１）。

（従来技術の一例）
第７図は一従来例（特許文献１）を説明する図で、同図（ａ）は表面実装発振器の断面図で、同図（ｂ）は同底面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。

表面実装発振器は凹状とした容器本体１にＩＣチップ２と水晶片３とを収容し、金属カバー４を接合して密閉封入してなる。容器本体１は平板層（底壁層）１ａと枠壁層６とから一主面に凹部を形成する積層セラミックからなる。

平板層５は少なくとも第１平板層５ａと第２平板層５ｂからなり、第１平板層５ａの外底面には電源・アース・出力等の表面実装端子６を４角部に有する。表面実装端子は、一般には各４角部の外周から離間して形成され、積層・焼成後におけるシートセラミックからの個々の容器本体１への分割を容器本体にするためである。

第１平板層５ａの中央領域には複数の貫通孔７を有し、第２平板層５ｂの積層面を露出する。第２平板層５ｂの露出面には例えば４つのプローブ接触端子８を有する。特許文献１ではプローブ接触端子８は温度補償データの書込端子とする。ここでは、プローブ接触端子８のたとえば４個中の２個を水晶検査端子８ａとして、残りの２個を書込端子８ｂとする。

ＩＣチップ２は発振回路及び温度補償機構部を集積化し、容器本体１の内底面に例えば図示しないバンプ用いた超音波熱圧着によるフリップチップボンディングによって、回路機能面（一主面）が固着される。そして、容器本体１の外底面の４角部に設けられた表面実装端子６に積層面及び側面のスルーホール（不図示）を経て電気的に接続する。温度補償機構部はプローブ接触端子８としての書込端子８ｂに接続する。

水晶片３は両主面に励振電極９を有し、引出電極１０の延出した一端部両側が容器本体１の内壁段部に導電性接着剤１１によって固着される。そして、図示しない導電路によって、ＩＣチップ２及び水晶検査端子８ａに電気的に接続する。

金属カバー４例えば母体をコバールとしてＮiメッキとする。そして、容器本体１の開口端面上に設けられた金属リング１２にシーム溶接する。シーム溶接は図示しない一対の金属ローラを金属カバー４の対向辺に当接して回転・進行とともに通電する。これにより、ジュール熱によってニッケルメッキを溶融して接合する。

このようなものでは、ＩＣチップ２と水晶片３を容器本体１に収容して金属カバー４を接合した後、水晶検査端子８ａによって水晶振動子（水晶片３）の振動特性を検査し、不良品を排除する。なお、水晶片３の固着後及び封止後では環境が変化して振動特性が変化するため、特に発振条件の一つであるクリスタルインピーダンス（ＣＩ）が測定される。

次に、予め測定した発振周波数の温度に対する周波数変化に基く温度補償データを書込端子８ｂから、ＩＣチップ２の温度補償機構部に書き込む。これにより、温度に対する周波数偏差Δｆ／ｆ（但しｆは公称周波数、Δｆはｆからの変化分）を規格内例えば±１ｐｐｍ以内にする。

なお、特許文献１には記載はないものの、通常では、弾性機構を有するプローブの設けられた測定治具内に表面実装発振器を収容する。そして、プローブ接触端子８にプローブを当接して、水晶振動子の特性検査や温度補償データの書き込みが行われる。

この場合、例えばスルーホールによって容器本体１の対向する外側面にプローブ接触端子を設けた場合は、第８図に模式的に示したようにプローブ１３は三次元的（曲線的）な軌跡を要する弾性機構となる。これに対し、上記例では同一面（底面）にプローブ接触端子８を有するので、プローブは同一方向からの二次元的（直線的）な軌跡とする弾性機構となる。したがって、測定治具内の弾性機構を容易にしてプローブの当接を確実にする。
特許第３４２６０５３号公報 特開２００２−７６７７５号公報 特願２００６−１０００２５号公報 特開２００５−１５９５７５号公報

（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の表面実装発振器では、小型化の進行例えば平面外形が3.2×2.5ｍｍ以下とともに、プローブ接触端子８の設けられる第１底壁層の貫通孔７は小さくなる。したがって、表面実装発振器の収容される図示しない測定冶具に内に設けられたプローブを貫通孔７内に挿入してプローブ接触端子８に当接することが困難になる問題があった。

（発明の目的）
本発明は表面実装端子を有する底面側に設けられたプローブ接触端子へのプローブの当接を容易にした表面実装発振器を提供することを目的とする。

（発明の関連技術及び適用、経過）
本発明に関連する技術として、本出願人による特許文献２及び３がある。特許文献２（段落００２３等）では、発振回路に付随してＩＣ化が困難な大容量のコンデンサ等のチップを素子やサーミスタを配置するため、表面実装端子の形成された底面層に外周を開放して切欠部を設けたものである。

本発明では、特許文献２での切欠部を適用してここにプローブ接触端子を設け、プローブの当接を容易にしたものである。また、本出願人による特許文献３（請求項３及び４等）では、本発明と同様の技術を開示するものの、特許文献３では他の構造の表面実装発振器への適用は言及していないので、本発明に至ったものである。

なお、特許文献２では、コンデンサ等のチップ素子を切欠部を設けるので、切欠部の深さはチップ素子の高さよりも大きくなる。この場合、チップ素子は高さを概ね600μｍであり、ＩＣチップの高さ150μｍに比較して格段に大きい。したがって、表面実装発振器の高さを大きくして、小型化を阻害する。

（解決手段、単一凹部とした一部屋型）
本発明の特許請求の範囲における請求項１に示したように、平板層と枠壁層とを有して積層セラミックからなる一主面に凹部を有する凹状の容器本体と、前記容器本体内に収容されて密閉封入されたＩＣチップ及び水晶片と、前記容器本体の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記平板層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記平板層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる上位層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部による前記上位層の露出面には前記プローブ接触端子が設けられた構成とする。

（同、両主面に凹部を有するＨ構造型）
同請求項５では、平板層と上下枠壁層とを有して積層セラミックからなる両主面に凹部を有するＨ状の容器本体と、前記容器本体内の一方の凹部に収容されて密閉封入された水晶片及び前記他方の凹部に収容されたＩＣチップと、前記容器本体の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記下枠壁層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記下枠壁層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる前記枠壁層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部の露出面には前記プローブ接触端子が設けられた構成とする。

（同、水晶振動子に対するＩＣチップ収容凹状実装基板の開口面側接合型）
同請求項９では、容器本体に水晶片が収容されて密閉封入された水晶振動子と、前記水晶振動子の底面に開口端面が接合された平板層と枠壁層からなる凹部を有する凹状の実装基板と、前記実装基板の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記平板層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記平板層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる上位層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部による前記上位層の露出面には前記プローブ接触端子が設けられた構成とする。

（同、水晶振動子に対するＩＣチップ収容凹状実装基板の閉塞面側接合型）
請求項１３では、容器本体に水晶片が収容されて密閉封入された水晶振動子と、前記水晶振動子の底面に閉塞面が接合された平板層と枠壁層からなる凹部を有する凹状の実装基板と、前記実装基板の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記枠壁層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記枠壁層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる前記枠壁層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部による露出面には前記プローブ接触端子が設けられた構成とする。

（一部屋型）
このような請求項１の構成であれば、プローブ接触端子は底面側となる平板層の外周を開放して設けられた切欠部に形成される。したがって、従来例（特許文献１）のように、内周すべてに壁を有する貫通孔の場合に比較し、平板層の外周を開放して例えばコ字状とするので、切欠部の開放側ではプローブの移動を制限されずに自由になる。これにより、プローブ接触端子に対するプローブの自由度も高まって、プローブの当接を容易にした一部屋型の表面実装発振器を提供できる。

なお、切欠部にはプローブ接触端子を設けるのみなので、特許文献２に比較して高さ寸法を小さく維持できる。この点は、以下の請求項５、９及び１３でも同様なので、再述しない。

（Ｈ構造型）
また、請求項５の構成であれば、プローブ接触端子は底面側となる下枠壁層の外周を開放して設けられた切欠部に形成される。したがって、この場合においても、切欠部の開放側ではプローブの移動を制限されずに自由になる。これにより、プローブ接触端子に対するプローブの当接を容易にしたＨ構造型の表面実装発振器を提供できる。

（実装基板の開口面側接合型）
また、請求項９の構成であれば、プローブ接触端子は実装基板における底面側となる平板層の外周を開放して設けられた切欠部に形成される。したがって、請求項１と同様に、切欠部の開放側ではプローブの移動を制限されずに自由になる。これにより、プローブ接触端子に対するプローブの当接を容易にした開口面側接合型の表面実装発振器を提供できる。

（実装基板の閉塞面接合型）
また、請求項１３の構成であれば、プローブ接触端子は実装基板における底面側となる枠壁層の外周を開放して設けられた切欠部に形成される。したがって、請求項２と同様に、切欠部の開放側ではプローブの移動を制限されずに自由になる。これにより、プローブ接触端子に対するプローブの当接を容易にした閉塞面側接合型の表面実装発振器を提供できる。

（実施態様項）
なお、請求項１、５、９及び１３の実施態様項（従属項）は基本的に同一なので、ここでは請求項１の従属項についてのみ説明する。

本発明の請求項２では、請求項１において、前記上位層は前記枠壁層であって、前記プローブ接触端子は前記枠壁層の露出面に形成される。これにより、切欠部による露出面が明確なるとともに、例えば積層・焼成・分割前のシートセラミック（グリーンシート）に貫通孔を設けて積層・焼成後に分割すればよいので、スルーホール加工によって外側面に電極貫通孔を形成する場合よりも、製造を容易にする。

同請求項３では、請求項１において、前記平板層は外底面に表面実装端子を有する第１平板層と前記ＩＣチップの固着される第２平板層とを積層してなり、前記上位層は前記第２平板層であって、前記切欠部は前記第１平板層に設けられ、前記プローブ接触端子は前記切欠部によって露出した前記第２平板層の露出面に設けられる。

これによれば、平板層を第１及び第２平板層から形成して、第２平板層の露出面にプローブ接触端子を設ける。したがって、請求項２での枠壁層にプローブ接触端子を形成する場合に比較し、底面からの切欠部の深さを小さくできる。これにより、プローブの挿入距離も短くなるので、プローブ接触端子への当接をさらに容易にする。

同請求項４では、請求項２又は３において、前記プローブ接触端子は前記露出面の全面に設けられる。これにより、プローブの当接漏れを防止する。例えば請求項２の場合は、切欠部の露出面よりも大きなプローブ接触端子が枠壁層に形成されて、その外周が平板層によって覆われる。また、請求項３の場合は、切欠部の露出面よりも大きなプローブ接触端子が第２平板層に形成されて、その外周が第１平板層によって覆われる。

同請求項１６では、請求項１（乃至１５）において、前記プローブ接触端子は前記水晶片の振動特性を検査する特性検査端子とし、同請求項１７では、前記プローブ接触端子は前記ＩＣチップに温度補償データを書き込む書込端子とする。これらにより、プローブ接触端子を具体的にする。なお、複数のプローブ接触端子を形成して、２個は水晶検査端子として、残りを書込端子とすることも勿論である。

（第１実施形態、一部屋型、請求項１、２、４、１７、１８に相当）
第１図は本発明の第１実施形態を説明する表面実装発振器の図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は底面図、同図（ｃ）は他の適用例の断面図である。なお、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。

表面実装発振器は、前述したように、平板層（底壁層）５及び枠壁層６を有する積層セラミックからなる凹状とした容器本体１にＩＣチップ２と水晶片３とを収容し、シーム溶接によって金属カバー４を接合して密閉封入する。容器本体の平面外形は3.2×2.5ｍｍとして、枠壁層６の枠幅は0.35ｍｍとする。

この実施形態では、平板層５における外底面の４角部に設けた各表面実装端子６の間となる各辺の中央領域には切欠部１２を有する。切欠部１２は例えばコ字状として各外周が開放して内周が閉塞する。する。そして、切欠部１２のコ字状の連結部が平板層５の直上となる枠壁幅内とし、切欠部１２の内周は直上となる上位層ここでは枠壁層５ｂの面内に位置する。そして、平板層５の各切欠部１２に対面した枠壁層６の下面が露出する。

枠壁層６の露出面にはプローブ接触端子８が形成される。露出面は枠壁層６の枠幅方向に300μｍとして長さ方向に600μｍとする。ここでは、枠壁層６の下面に切欠部１２よりも大きい金属膜を形成し、平板層５が外周を覆うことによって、枠壁層６の露出面の全面にプローブ接触端子が形成される。これらは、個々の容器本体１に分割する以前で焼成前のシートセラミックの状態で形成される。

プローブ接触端子８は、例えば対向する一組の対向辺（長辺）をＩＣチップ２の温度補償機構部と接続した温度補償データの書込端子８ａとする。また、対向する他組の対向辺（短辺）を水晶片３と接続した水晶検査端子８ｂとする。

このような構成であれば、平板層５の切欠部１２は外周がそれぞれ開放する。したがって、内周がすべて閉塞された従来例の貫通孔７の場合に比較し、切欠部１２の開放側ではプローブの移動は制限されずに自由なので、測定用冶具内でのプローブ接触端子８への当接を容易にする。

そして、この例では、切欠部１２による枠壁層６の露出面の全面にプローブ接触端子８を設けるので、プローブの当接漏れを防止する。特に、切欠部１２の開放側となる外周端にまで設けてあるので、例えばプローブのＶ字状とした先端が開放端から外側にずれたとしても、Ｖ字状の傾斜面が外周端（エッジ）に当接して電気的接続を確保する。

また、プローブは容器本体１の一主面（底面）側からの当接でよいので、プローブ接触端子を対向する外側面に設けた場合に比較しても、測定用治具におけるプローブの軌跡は直線的となるので、弾性機構を容易にする。そして、切欠部１２は枠壁層６の枠壁幅内なので、容器本体１の強度を維持する。

さらに、ここでは、ＩＣチップと水晶片とを容器本体１に収容し、切欠部１２にはプローブ接触端子８のみを形成して、特許文献２のようにチップ素子は配置しない。したがって、平板層５の厚みをチップ素子の高さ600μｍ以上にすることなく、例えば通常の300μｍ程度として、表面実装発振器の高さ寸法を小さく例えば1.0ｍｍ以下に維持できる。

ちなみに、近年の小型化に際しては、電子部品も含めて各部材は10μｍ単位での寸法が検討されており、平板層５の厚みが前述のように600μｍと300μｍとでは、製造メーカにとっては想定外の技術事項である。これらの作用及び効果は、以降の実施形態でも同様なので、その説明は省略又は簡略する。

なお、この実施形態では平板層５を単層として図示したが、例えば第１図（ｃ）に示したようにしてもよい。すなわち、平板層５は、第１平板層５ａと第２平板層とを積層する。第１平板層５ａの外底面の４角部に表面実装端子６を４角部に有し、第２平板層５ｂは容器本体１の内底面となってＩＣチップ２が固着される。

そして、第１平板層５ａと第２平板層との積層面にはシールド電極１４を形成する。シールド電極１４は金属カバー４及びアース用の実装端子８と電気的に接続する。これにより、両主面側からの電界を遮蔽してシールドケースとする。この場合でも、第１平板層５ａと第２平板層５ｂからなる平板層５には、枠壁層６の下面が露出した切欠部１２を有する。

（第２実施形態、一部屋型、請求項１、３、４、１７、１８に相当）
第２図は本発明の第２実施形態を説明する図で、同図（ａｂ）ともに表面実装発振器の断面図である。なお、これ以降の実施形態では前実施形態と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。

この実施形態「第２図（ａ）」では、容器本体１の平板層５は、表面実装端子６を４角部に有する第１平板層５ａとＩＣチップ２の固着される第２平板層５ｂとを積層する。今場合、第２平板層５ｂは第１平板層５ａの直上であって、第１平板層５ａに対する上位層となる。

第１平板層５ａは第２平板層５ｂよりも厚みを小さくする。そして、第１平板層５ａの４角部に設けた各表面実装端子６の間となる各辺の中央領域には切欠部１２を有する。切欠部１２は例えばコ字上として各外周が開放し、内周が閉塞する。切欠部１２は例えば第２平板層５ｂの直上となる枠壁層６の面内とする。

そして、第１平板層５ａの各切欠部１２によって第２平板層５ｂが露出する。第２平板層５ｂの露出面の全面には前述同様にしてプローブ接触端子８が形成される。プローブ接触端子８は、ここでも、対向する一組の長辺を温度補償データの書込端子８ａとし、他組の短辺を水晶検査端子８ｂとする。この点は、これ以降の実施形態でも同様であり、その説明は省略する。

このような構成であれば、第１平板層５ａの切欠部１２は外周がそれぞれ開放する。したがって、切欠部１２によって露出した第２平板層５ｂに設けたプローブ接触端子８へのプローブの当接を容易にする。そして、プローブは容器本体１の一主面（底面）側からの当接となるので、測定用治具におけるプローブの弾性機構を容易にする。

ここでは、平板層５は第１及び第２平板層５（ａｂ）を積層し、第１平板層５ａに切欠部１２を設ける。この場合、第１実施形態のように、平板層５の厚み全体に切欠部１２を設けた場合に比較し、切欠部１２の深さを小さくできる。したがって、第１平板層５の厚みを小さくするほど、第２平板層５ｂの露出面（プローブ接触端子８）は第１平板層の底面に接近する。これにより、プローブ接触端子８の挿入深さも小さくなって、プローブの当接をさらに容易にできる。

さらに、この例では、切欠部１２は平板層６の直上となる枠壁幅内とするので、切欠部１２を設けたことによる強度低下を防止する。例えば従来例（特許文献１）のように、中央領域に貫通孔７を設けた場合には、例えばシーム溶接時やセット基板との膨張係数差による応力が貫通孔７によって厚みの小さい第２平板層５ｂに集中してクラックを発生しやすくなる。

なお、この実施形態でも、第２図（ｂ）に示したように、第１平板層５ａと第２平板層５ｂとの積層面に、金属カバー４及びアース用の実装端子６との間にシールド電極を設けて、両主面側からの電界を遮蔽したシールドケースとすることもできる。

（第３実施形態、Ｈ構造型、請求項５、６、８、１７、１８に相当）
第３図は本発明の第３実施形態を説明する表面実装発振器の図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は底面図である。

第３実施形態では、容器本体１は平板層５と上下枠壁層６（ａｂ）からなり、両主面に凹部を有するＨ状とする。そして、上枠層６ａを有する一方の凹部には水晶片３の一端部両側を固着してシーム溶接によって金属カバー４を接合し、水晶片３を密閉封入する。一方の凹部の開口端面にはシーム溶接用の金属リング１２が設けられる。

下枠壁層６ｂを有する他方の凹部にはフリップチップボンディングによってＩＣチップ２を固着する。そして、ＩＣチップ２を保護する樹脂１５を充填する。下枠壁層６ｂにおける外底面の４角部には、ＩＣチップ２に電気的に接続した電源、アース及び出力等の表面実装端子６を有する。

そして、ここでは、下枠壁層５ｂにおける各表面実装端子６の間となる各辺の中央領域には切欠部１２を有する。切欠部１２は例えばコ字上として、各外周が開放して内周が閉塞する。そして、下枠壁層６ｂの各切欠部１２によって平板層５が露出する。第２平板層５ｂの露出面にはプローブ接触端子８が形成される。

このような構成であれば、平板層５の切欠部１２は外周がそれぞれ開放する。したがって、前述同様に、測定用冶具内でのプローブの接触を容易にする。そして、ここでは、各切欠部１２は内周が閉塞するので、樹脂１５を充填する際、切欠部１２内に流入することがない。したがって、プローブ接触端子８の表面を覆うことがないので、プローブの電気的接触を確実にする。

この場合でも、切欠部１２にはプローブ接触端子８を設けるのみなので、特許文献２のチップ素子（厚みが約600μｍ）を配設する場合に比較し、切欠部１２の深さはＩＣチップ（同約150μｍ）と同程度の深さでよいので、高さ寸法を小さく維持できる。

（第４実施形態、Ｈ構造型、請求項５、７、８、１７、１８に相当）
第４図は本発明の第４実施形態を説明する表面実装発振器の断面図である。第４実施形態形態では両主面に凹部を有する第３実施形態での下枠壁層５ｂを、第１下枠壁層５ｂ1と第２下枠層５b2とから形成する。第１下枠壁層５b1は第２下枠壁層５b2よりも厚みを小さくする。

第１下枠層５b1における外底面の４角部には図示しない表面実装端子を有する。そして、表面実装端子の間となる第１下枠壁層５b1の各辺の中央領域には、外周が開放して内周が閉塞した切欠部１２を設ける。この場合でも、平板層５の直上となる上枠壁層５ａの枠幅内とする。そして、切欠部１２によって露出した第２枠壁層５b1の露出面の全面にはプローブ接触端子８を設ける。

このような構成であれば、切欠部１２の外周を開放するので、プローブ接触端子８に対するプローブの当接を容易にする。そして、第１枠壁層１ｂの厚みを小さくすることによって、さらにプローブの当接を容易にする。

（第５実施形態、実装基板の開口面側接合型、請求項９〜１２、１７、１８）
第５図は本発明の第５実施形態を説明する図で、同図（ａｂ）のいずれも表面実装発振器の断面図である。

第５実施形態では、水晶振動子１６と、ＩＣチップ２を収容する凹状の実装基板１７とを別個とする。そして、水晶振動子１６の底面に設けられたアース端子を含む図示しない４角部の水晶端子に、実装基板１７の開口端面に設けられた接合端子を半田等１８によって接続する。実装基板の閉塞面となる外底面の４角部には図示しない表面実装端子６を有する。

そして、ここでは、実装基板１７の平板層５に、第１実施形態（第１図）で示したと同様に、外周を開放して内周を閉塞したコ字状の切欠部１２を、上位層となる枠壁層６の面内に設ける。切欠部１２は４角部の各表面実装端子間となる各辺の中央領域とし、枠壁層６の露出面の全面にはプローブ接触端子８を形成する「第５図（ａ）」。

あるいは、第２実施形態で示したと同様に、平板層５を第１平板層５ａと、第１平板層５ａに対する上位層となる第２平板層５（ａｂ）から形成する。そして、第２実施形態（第２図）で示したと同様に、外周を開放して内周を閉塞したコ字状の切欠部１２を設ける。切欠部１２は４角部の各表面実装端子間となる各辺の中央領域とし、第２平板層５ｂの露出面の全面にはプローブ接触端子８を形成する「第５図（ｂ）」。

このような構成であっても、枠壁層６あるいは第２平板層５の切欠部１２は外周がそれぞれ開放するので、プローブ接触端子８に対するプローブの当接を容易にする。そして、第１平板層に５ａに切欠部１２を設けて第２平板層５ｂを露出する場合は、第１平板層５ａの厚みを小さくすることによって当接をさらに容易にする。

（第６実施形態、実装基板の閉塞面側接合型、請求項１３〜１８）
第６図は第６実施形態を説明する図で、同図（ａｂ）のいずれも表面実装発振器の断面図である。第４実施形態は、第３実施形態形態でのＩＣチップを収容する凹状とした実装基板１７の閉塞面側を水晶振動子１６の底面に接合した例である。

すなわち、第４実施形態では、ＩＣチップ２を収容した実装基板１７の閉塞面に図示しない接合端子を有し、開口端面の４角部に表面実装端子６を有する。そして、実装基板１７における枠壁層６の４角部の各表面実装端子間となる各辺の中央領域には、第３実施形態（第３図）で示したと同様に、各外周が開放して内周が閉塞したコ字状の切欠部１２を形成し、平板層５の露出面にプローブ接触端子８を形成する「第６図（ａ）」。

あるいは、実装基板１７の枠壁層６を第１及び第２枠壁層６（ａｂ）から形成し、第４実施形態（第４図）で示したと同様に、第１枠壁層６ａの中央領域に外周が開放して内周が閉塞したコ字状の切欠部１２を形成し、第２枠壁層６ｂの露出面にプローブ接触端子８を形成する「第６図（ｂ）」

このような構成であっても、枠壁層６あるいは第１枠壁層６ａの切欠部１２は外周がそれぞれ開放するので、プローブ接触端子８に対するプローブの当接を容易にする。そして、第１枠壁層に６ａに切欠部１２を設けて第枠壁層６ｂを露出する場合は、第１枠壁層６ａの厚みを小さくすることによって当接をさらに容易にする。

（他の事項）
上記第１乃至第４実施形態では水晶検査端子８ａ及び書込端子８ｂを形成したが、温度補償型でない場合は、書込端子８ｂは不要なので、水晶検査端子８ａのみとしても、逆に、水晶検査端子が不要な場合は書込端子８ｂのみとしてもよい。また、書込端子はＩＣチップによっては４個の場合もあり、必要に応じて選択できる。

切欠部１２に余裕がある場合は、例えば長辺方向の一つの切欠部１２に複数のプローブ接触端子８を形成することもできる。これにより、例えば４個の書込端子８ｂと２個の水晶検査端子８ｂを配置することもできる。

また、プローブ接触端子８は切欠部１２による露出面の全面に形成するとしたが、シートセラミックからの分割を容器本体にするため、実装端子８が外周から離間する程度に離間してあってもよい。但し、切欠部１２によって厚みが小さくなっているので、全面に形成したとしても分割に障害はない。

また、コ字状とした切欠部１２の露出面は枠壁層の下面あるいは第２平板層６ｂの下面としたが、これらに対する垂直面に形成することもできる。そして、切欠部１２はコ字状としたが、円弧状であってもよいことは勿論である。

本発明の第１実施形態を説明する表面実装発振器の図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は底面図、同図（ｃ）は他の適用例の断面図である。 本発明の第２実施形態を説明する図で、同図（ａｂ）ともに表面実装発振器の断面図である。 本発明の第３実施形態を説明する表面実装発振器の図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は底面図である。 本発明の第４実施形態を説明する表面実装発振器の断面図である。 本発明の第５実施形態を説明する図で、同図（ａｂ）ともに表面実装発振器の断面図である。 本発明の第６実施形態を説明する図で、同図（ａｂ）ともに表面実装発振器の断面図である。 従来例を説明する図で、同図（ａ）は表面実装発振器の断面図で、同図（ｂ）は同底面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。 従来例を説明するプローブ接触端子へのプローブの移動を示す模式的な側面図である。

符号の説明

１ 容器本体、２ ＩＣチップ、３ 水晶片、４ 金属カバー、５ 平板層、６ 枠壁層、７ 貫通孔、８ プローブ接触端子、９ 励振電極、１０ 引出電極、１１ 導電性接着剤、１２ 金属リング、１３ プローブ、１４ シールド電極、１５ 樹脂、１６
水晶振動子、１７ 実装基板。

Claims (18)

1. 平板層と枠壁層とを有して積層セラミックからなる一主面に凹部を有する凹状の容器本体と、前記容器本体内に収容されて密閉封入されたＩＣチップ及び水晶片と、前記容器本体の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記平板層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記平板層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる上位層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部による前記上位層の露出面には前記プローブ接触端子が設けられた表面実装用の水晶発振器。
2. 請求項１において、前記上位層は前記枠壁層であって、前記プローブ接触端子は前記枠壁層の露出面に形成された表面実装用の水晶発振器。
3. 請求項１において、前記平板層は外底面に表面実装端子を有する第１平板層と前記ＩＣチップの固着される第２平板層とを積層してなり、前記上位層は前記第２平板層であって、前記切欠部は前記第１平板層に設けられ、前記プローブ接触端子は前記切欠部によって露出した前記第２平板層の露出面に設けられた表面実装用の水晶発振器。
4. 請求項２又は３において、前記プローブ接触端子は前記露出面の全面に設けられた表面実装用の水晶発振器。
5. 平板層と上下枠壁層とを有して積層セラミックからなる両主面に凹部を有するＨ状の容器本体と、前記容器本体内の一方の凹部に収容されて密閉封入された水晶片及び前記他方の凹部に収容されたＩＣチップと、前記容器本体の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記下枠壁層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記下枠壁層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる前記枠壁層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部による露出面には前記プローブ接触端子が設けられた表面実装用の水晶発振器。
6. 請求項５において、前記プローブ接触端子は、前記切欠部によって露出した前記平板層の露出面に形成された表面実装用の水晶発振器。
7. 請求項５において、前記下枠壁層は外底面に表面実装端子を有する第１下枠壁層と前記ＩＣチップの固着される第２下枠壁層とを積層してなり、前記第１下枠壁層には外周が開放した前記切欠部を有し、前記プローブ接触端子は前記切欠部によって露出した前記第２下枠壁層の露出面には設けられた表面実装用の水晶発振器。
8. 請求項６又は７において、前記プローブ接触端子は前記露出面の全面に設けられた表面実装用の水晶発振器。
9. 容器本体に水晶片が収容されて密閉封入された水晶振動子と、前記水晶振動子の底面に開口端面が接合された平板層と枠壁層からなる凹部を有する凹状の実装基板と、前記実装基板の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記平板層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記平板層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる上位層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部による前記上位層の露出面には前記プローブ接触端子が設けられた表面実装用の水晶発振器。
10. 請求項９において、前記上位層は前記枠壁層であって、前記プローブ接触端子は前記枠壁層の露出面に形成された表面実装用の水晶発振器。
11. 請求項９において、前記平板層は外底面に表面実装端子を有する第１平板層と前記ＩＣチップの固着される第２平板層とを積層してなり、前記上位層は前記第２平板層であって、前記切欠部は前記第１平板層に設けられ、前記プローブ接触端子は前記切欠部によって露出した前記第２平板層の露出面に設けられた表面実装用の水晶発振器。
12. 請求項１０又は１１において、前記プローブ接触端子は前記露出面の全面に設けられた表面実装用の水晶発振器。
13. 容器本体に水晶片が収容されて密閉封入された水晶振動子と、前記水晶振動子の底面に閉塞面が接合された平板層と枠壁層からなる凹部を有する凹状の実装基板と、前記実装基板の外表面に形成されて前記ＩＣチップ又は水晶片に電気的に接続したプローブ接触端子と、前記枠壁層の外底面に設けられた表面実装端子とを有する表面実装用の水晶発振器において、前記枠壁層には外周が開放して内周が前記平板層の直上となる前記枠壁層の面内に位置する切欠部を有し、前記切欠部の露出面には前記プローブ接触端子が設けられた表面実装用の水晶発振器。
14. 請求項１３において、前記プローブ接触端子は、前記切欠部によって露出した前記平板層の露出面に形成された表面実装用の水晶発振器。
15. 請求項１３において、前記下枠壁層は外底面に表面実装端子を有する第１下枠壁層と前記ＩＣチップの固着される第下枠壁層とを積層してなり、前記第１下枠壁層には外周が開放した前記切欠部を有し、前記プローブ接触端子は前記切欠部によって露出した前記第２下枠壁層の露出面には設けられた表面実装用の水晶発振器。
16. 請求項１４又は１５において、前記プローブ接触端子は前記露出面の全面に設けられた表面実装用の水晶発振器。
17. 請求項１乃至１６において、前記プローブ接触端子は前記水晶片の振動特性を検査する特性検査端子である表面実装用の水晶発振器。
18. 請求項１乃至１６において、前記プローブ接触端子は前記ＩＣチップに温度補償データを書き込む書込端子である表面実装用の水晶発振器。