JP2008041811A - 配線基板および多数個取り配線基板ならびにその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品や発光素子などの素子を強固で確実に搭載できる導体部を有する配線基板および多数個取り配線基板ならびに前記配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ３からなり、表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６に形成され、表層に厚みが２μｍ超のＡｕ−Ｓｎ合金層１４を有する導体部１０と、を備え、かかる導体部１０は、一部に素子搭載部ａを含んでいる、配線基板１ａ。
【選択図】 図２

Description

本発明は、基板本体の表面またはキャビティの底面に電子部品や発光素子などの素子を搭載するための導体部を有する配線基板および多数個取り配線基板ならびに上記配線基板の製造方法に関する。

セラミックからなる基体の上面の中央に半田を介して発光素子を搭載する搭載部を形成し、上記基体の上面の外周部に前記搭載部を囲み且つ内周面が上側に向かって広がるように傾斜した枠体を設け、上記ハンダは、Ａｕ−Ｓｎ合金からなり、その外周端を搭載する発光素子の側面の下端よりも外側に全周にわたって延出させた発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記発光素子収納用パッケージによれば、上記ハンダによる発光素子の光に対する反射率が４０％以上であるため、かかる発光素子の側面の下端に影（暗部）を発生させず、高輝度の発光装置を作成することが可能となる。

特開２００４−３１９５９８号公報（第１〜６頁、図１）

ところで、発光素子を搭載するためのＡｕ−Ｓｎ合金からなる前記ハンダは、Ｗなどからなるメタライズ層の表面上に載置すべく、予めプリフォームされたシートからなるため、搭載時の工数が増え且つ煩雑になる、という問題があった。
一方、発光素子の底面に予め装着されたプリフォームシートのハンダの厚みは、これまで２μｍ以下であった。このように、ハンダの厚みが２μｍ以下であると、セラミックからなる前記基体の反り、もしくは、メタライズ層の表面またはＡｇメッキ層の表面が粗いことに起因する凹凸形状を吸収しにくくなる。このため、かかるハンダと共に発光素子を搭載して加熱（リフロー）した際に、当該発光素子の底面に装着されていた上記Ａｕ−Ｓｎ合金からなるハンダとＡｇメッキ層の表面との間や、上記ハンダの内部に気泡や気孔が生じる。その結果、かかる発光素子と搭載部との密着強度が低下すると共に、かかる発光素子と搭載部との間における伝熱性が低下し、導通も不安定になり易くなる、という問題があった。

本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、電子部品や発光素子などの素子を強固で確実に搭載できる導体部を有する配線基板および多数個取り配線基板ならびに上記配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、素子を搭載部に密着させるためのＡｇ−Ｓｎ合金層の厚みを適正化することによって得られたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に形成され、表層に厚みが２μｍ超のＡｕ−Ｓｎ合金層を有する導体部と、を備え、前記導体部は、素子搭載部であるか、かかる素子搭載部を一部に含む、ことを特徴とする。
上記Ａｕ−Ｓｎ合金層の厚みの上限値は、１５μｍである。

これによれば、基板本体の表面に、表層に厚みが２μｍ超のＡｕ−Ｓｎ合金層（ハンダ）を有する導体部が形成されているため、かかるＡｕ−Ｓｎ層上の素子搭載部に発光素子や電子部品などの素子を搭載して加熱（リフロー）しても、かかる素子などの底面と上記Ａｕ−Ｓｎ合金層との間やかかるＡｕ−Ｓｎ合金層の内部に気泡や気孔が生じにくくなる。従って、別途にプリフォームされたハンダを用意することなく、素子を導体部の搭載部上に搭載でき、かかる素子と搭載部との密着強度が向上し、且つ素子から導体部への熱伝達性が向上すると共に、かかる素子と導通部との導通も安定させることが可能となる。

尚、前記絶縁材には、アルミナなどの高温焼成セラミック、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミック、あるいは、エポキシ系などの樹脂が含まれる。
また、基板本体の表面は、かかる表面に開口するキャビティの底面も含む。
更に、前記Ａｕ−Ｓｎ合金層の望ましい厚みは、５〜１０μｍの範囲である。
また、前記Ａｕ−Ｓｎ合金層は、かかる合金のメッキ層からなる。
更に、前記導体部は、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕからなるメタライズ層、その表面に形成したＮｉメッキ層、その表面に形成したＡｕメッキ層、およびその表面に形成した前記Ａｕ−Ｓｎ合金層からなるものである。
また、前記導体部が素子搭載部を一部に含む形態とは、例えば、平面視で、発光素子を一部に搭載する素子搭載部と、かかる搭載部を除いた導体部の表面が発光素子からの光を反射する反射面とからなる。

また、本発明には、前記基板本体の表面は、かかる表面に開口するキャビティの底面であると共に、前記導体部は、上記キャビティの底面に形成され、一部に素子搭載部を含む、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、キャビティの底面に、表層に厚みが２μｍ超のＡｕ−Ｓｎ合金層を有する導体部が形成されているため、かかるＡｕ−Ｓｎ合金層上の素子搭載部に発光素子や電子部品などを搭載して加熱（リフロー）しても、かかる素子の底面と上記Ａｕ−Ｓｎ合金層との間やかかるＡｕ−Ｓｎ合金層の内部に気泡や気孔が生じにくくなる。従って、別途にハンダを用意する必要がなく、搭載する素子と搭載部との密着強度が向上し、且つかかる素子から導体部への熱伝達性が向上すると共に、素子と導体部との導通も安定させることが可能となる。
尚、上記キャビティには、平面視が円形の底面で且つほぼ円錐形状の側面、平面視が長円形の底面で且つ側面がほぼ長円錐形の側面、あるいは、平面視が楕円形の底面で且つほぼ楕円錐形状の側面からなる形態などが含まれる。

更に、本発明には、前記配線基板を縦横に複数個配列した製品領域と、かかる製品領域の周囲に位置し、前記絶縁材からなる耳部と、を備えている、多数個取り配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、素子搭載部を含む前記導体部を表面またはキャビティの底面に設けた複数の配線基板を、縦横の平面方向に沿って併有した多数個取り配線基板であるため、隣接する配線基板の間および配線基板と耳部との間を区画する切断予定面に沿って切断加工することで、多数の配線基板を効率良く提供可能となる。尚、前記耳部は、製品領域の周囲の一辺または二辺にのみ隣接する形態も含まれる。

一方、本発明による配線基板の製造方法（請求項４）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体を形成する工程と、かかる基板本体の表面に、メタライズ層を形成する工程と、かかるメタライズ層に電解メッキを施して、厚みが２μｍ超のＡｕ−Ｓｎ合金層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、搭載する素子との密着性が高い素子搭載部を含む前記導体部を表面またはキャビティの底面に設けた前記配線基板を、確実に製造することが可能となる。尚、上記各工程により前記多数個取り基板を作成した後、個々の配線基板に分割する製造方法としても良い。

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による発光素子を搭載するための配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３は、図２中の一点鎖線部分Ｙの部分拡大図である。
配線基板１ａは、図１，図２に示すように、平面視がほぼ正方形で表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し、平面視が円形の底面６およびかかる底面６から表面３に向かってほぼ円錐形状に広がる側面７を有するキャビティ５と、かかるキャビティ５の底面６に形成されたパッド１５と、当該パッド１５付近を除くキャビティ５の底面６に形成された平面視がほぼ半円形の導体部１０ａと、を備えている。尚、キャビティ５の側面７の仰角は、例えば、約３０度から７０度の範囲である。

基板本体２は、図２に示すように、例えばアルミナ（セラミック：絶縁材）または低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックからなるセラミック層ｓ１〜ｓ３を一体に積層した絶縁材からなり、例えば、約５×５×１ｍｍのサイズである。
また、導体部１０ａは、図３に示すように、メタライズ層１１の表面に、上記同様の厚みのＮｉメッキ層１２およびＡｕメッキ層１３を介して、表層に厚みが２超〜１５μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層（ハンダ）１４を電解メッキで形成したものである。上記メタライズ層１１は、厚みが数１０μｍのＷ、Ｍｏ、またはＣｕからなり、Ｎｉメッキ層１２の厚みは約２〜１５μｍ、Ａｕメッキ層１３の厚みは約０．５〜４μｍである。尚、上記Ａｕ−Ｓｎ合金は、例えば、８０ｗｔ％Ａｕ−２０ｗｔ％Ｓｎの組成である。

上記導体部１０ａにおけるキャビティ５の底面６の中央付近には、図１，図２中の一点鎖線で示す発光ダイオード（発光素子：以下、単にＬＥＤという）９を、搭載する平面視が矩形の素子搭載部ａが位置している。かかるＬＥＤ９の素子搭載部ａを除いた導体部１０ａのうち、上記Ａｕ−Ｓｎ合金層１４が露出する部分は、当該ＬＥＤ９が発光する光を反射して、外部に放射する光反射面を形成している。
一方、パッド１５は、図３に示すように、キャビティ５の底面６に形成された前記同様の厚みのメタライズ層１６の表面に、前記同様の厚みのＮｉメッキ層１７を介して表層に前記同様のＡｕメッキ層１８を形成したものである。
更に、キャビティ５の側面７には、前記同様の厚みのメタライズ層、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層、およびＡｇメッキ層からなる光反射層８が形成されている。

図２に示すように、セラミック層ｓ２，ｓ３間には、Ｗなどからなり所定パターンを有する複数の配線層２０が形成され、基板本体２の裏面４には、Ｗなどからなる複数の接続端子１９が形成されている。前記導体部１０ａおよびパッド１５は、セラミック層ｓ２，ｓ３を貫通するビア導体ｖを介して、それぞれ何れかの配線層２０および接続端子１９と導通可能とされている。尚、接続端子１９は、本配線基板１ａを実装する図示しないマザーボードとの導通に用いられる。
導体部１０ａの上に前記Ａｕ−Ｓｎ合金層１４を介し且つ導通可能に搭載されるＬＥＤ９は、図２中の破線で示すワイヤｗを介して、パッド１５とボンディングされる。即ち、導体部１０ａおよびパッド１５は、ＬＥＤ９が本配線基板１ａと導通するための電極でもある。
尚、ＬＥＤ９は、上記ボンディング用のワイヤｗを介して、導体部１０ａの表面にも接続する形態としても良い。上記ＬＥＤ９が搭載され且つワイヤｗがボンディング（接続）された後で、キャビティ５内には、固化前の封止樹脂（図示せず）が充填され、基板本体２の表面３とほぼ同じレベルにして固化される。

図４は、異なる形態の配線基板１ｂを示す前記図１と同様な平面図である。
配線基板１ｂは、図４に示すように、前記配線基板１ａと同様の基板本体２、キャビティ５、および光反射層８などを有している。
かかる配線基板１ｂが前記配線基板１ａと相違する点は、キャビティ５の底面に左右一対のパッド１５ａ，１５ｂが形成され、これらの間に平面視がほぼ長円形である導体部１０ｂが底面６の中心部を通過するように形成されている。かかる導体部１０ｂも、前記導体部１０ａと同様なメタライズ層１１、Ｎｉメッキ層１２、Ａｕメッキ層１３、および厚みが２μｍ超〜１５μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層１４を有している。
上記導体部１０ｂの中央付近の素子搭載部ａに搭載されるＬＥＤ９とパッド１５ａ，１５ｂとの間は、個別に前記ワイヤｗによりボンディングされる。このため、導体部１０ｂは、ＬＥＤ９とは直に導通されていない。

図５は、前記配線基板１ａの応用形態である配線基板１ｃを示す平面図である。かかる配線基板１ｃも、図５に示すように、基板本体２、キャビティ５、および導体部１０ａなどとを備えている。かかる配線基板１ｃが前記配線基板１ａと相違する点は、キャビティ５の側面７に前記光反射層８がなく、アルミナ系の白色を呈する側面７自体が光反射面となって露出している。
また、図６は、前記配線基板１ｂの応用形態である配線基板１ｄを示す平面図である。かかる配線基板１ｄも、図６に示すように、基板本体２、キャビティ５、および導体部１０ｂなどとを備えている。かかる配線基板１ｄが前記配線基板１ｂと相違する点も、キャビティ５の側面７に前記光反射層８がなく、アルミナ系の白色を呈する側面７自体が光反射面となって露出している。
以上のような配線基板１ｂ，１ｃ，１ｄによれば、厚みが２μｍ超〜１５μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層１４を有する導体部１０ａ，１０ｂが形成されているため、かかるハンダ層１４上の素子搭載部ａにＬＥＤ９を搭載して加熱しても、当該ＬＥＤ９の底面と上記ハンダ１４との間やハンダ１４中に気泡や気孔が生じにくくなる。従って、別途にハンダを用意する必要がなく、ＬＥＤ９と素子搭載部ａとの密着強度を向上させ、導体部１０ａ，１０ｂへの抜熱も容易にすることができる。

前記配線基板１ａ，１ｂは、以下のようにして製造した。
予め、アルミナを主成分とする平面視がほぼ長方形である３層の大版用グリーンシートを用意した。そのうちの１層の大版用グリーンシートに対し、所定のクリアランスを有するパンチとダイの受入孔とによる打ち抜き加工を、複数の箇所に対して行うことで、当該グリーンシートの表面と裏面との厚み方向に沿って、全体がほぼ円錐形の貫通孔を縦横方向に沿って複数個形成した。
また、残り２層の大版用グリーンシートに対し、クリアランスが最少のパンチとダイの受入孔とによる打ち抜き加工を、複数の箇所に対して行うことで、複数のビアホールを形成し、且つ各ビアボールごとにＷまたはＭｏ粉末粒子を含む導電性ペーストを充填して、ビア導体ｖを各箇所ごとに形成した。

更に、前記１層の大版用グリーンシートに形成したほぼ円錐形を呈する複数の貫通孔と、上記２層の大版用グリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方における複数の箇所に対し、所定パターンに倣って、ＷまたはＭｏ粉末粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷して、前記メタライズ層１１，１６，配線層２０，接続端子１９を複数組ずつ形成した。この際、メタライズ層１１，１６，配線層２０，および接続端子１９は、それぞれビア導体ｖを介して接続された。
次に、前記ほぼ円錐形の貫通孔を複数個形成した大版用グリーンシートと、前記メタライズ層１１，１６や配線層２０などが複数組形成された２層の大版用グリーンシートと、を積層・圧着して大版のグリーンシート積層体を形成し、かかる積層体を所定の温度帯に加熱して焼成した。
その結果、前記セラミック層ｓ１〜ｓ３なり、表面３に開口するキャビティ５と、その底面６にメタライズ層１１，１６とが形成された基板本体２が、縦横方向に沿って複数個配列して得られた。各キャビティ５の側面７には、前記メタライズに覆われていた。

更に、各組ごとのメタライズ層１１，１６およびに対し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキをそれぞれ施し、更にメタライズ層１１には、Ａｕ−Ｓｎ合金の電解メッキを施した。加えて、キャビティ５の側面７における前記メタライズに対し、電解Ｎｉメッキ、電解Ａｕメッキ、および電解Ａｇメッキを施した。
その結果、図７の平面図で示すように、配線基板１ａを縦横に複数個配列した製品領域Ａと、その周囲に位置し、前記セラミック層ｓ１〜ｓ３からなる耳部ｍと、を備えた多数個取り配線基板Ｋ１が得られた。
また、前記と同様な各工程を経ることで、図８の平面図で示すように、配線基板１ｂを縦横に複数個配列した製品領域Ａと、その周囲に位置し、前記セラミック層ｓ１〜ｓ３からなる耳部ｍと、を備えた多数個取り配線基板Ｋ２が得られた。
尚、図７，図８中の破線は、配線基板１ａ，１ａ間または配線基板１ｂ，１ｂ間や、配線基板１ａ，１ｂと耳部ｍとを区画する仮想の切断予定面ｃを示す。

図７，図８に示すように、個々の配線基板１ａ，１ｂにおけるキャビティ５の底面６には、メタライズ層１１の表面にＮｉメッキ層１２、Ａｕメッキ層１３、および厚みが５〜１５μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層１４を被覆した導体部１０ａ，１０ｂと、メタライズ層１６の表面にＮｉメッキ層１７およびＡｕメッキ層１８を被覆したパッド１５，１５ａ，１５ｂと、が形成されると共に、キャビティ５の側面７には、光反射層８が形成されていた。
そして、多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２を前記切断予定面ｃに沿ってカッタ（図示せず）などにより、厚み方向に切断加工することで、前記図１〜３，図４で示したように、複数個の配線基板１ａ，１ｂを得ることができた。
尚、配線基板１ａ，１ｂにおける導体部１０ａ，１０ｂの素子搭載部ａ上にＬＥＤ９を搭載し、かかるＬＥＤ９とパッド１５，１５ａ，１５ｂとをボンディングワイヤｗで接続した後で、キャビティ５内には、固化前の封止樹脂が基板本体２の表面３とほぼ同じレベルまで、充填され且つ固化される。

以上のような配線基板１ａ，１ｂによれば、基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６に、表層に厚みが２μｍ超〜１５μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層１４を有する導体部１０ａ，１０ｂが形成されている。このため、かかるＡｕ−Ｓｎ合金層１４上の素子搭載部ａにＬＥＤ９を搭載して加熱（リフロー）しても、かかるＬＥＤ９の底面と上記ハンダ層１４との間やハンダ層１４中に気泡や気孔が生じにくくなる。従って、別途にハンダを用意することなく、搭載すべきＬＥＤ９と素子搭載部ａとの密着強度が向上し、ＬＥＤ９から導体部１０ａ，１０ｂへの伝熱性が向上すると共に、かかるＬＥＤ９と導体部１０との間における導通を安定させることも可能となる。
尚、前記多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２において、配線基板１ａ，１ｂごとのキャビティ５の側面７に光反射層８を形成せず、かかる側面７を露出させることで、前記配線基板１ｃ，１ｄを縦横に複数個配列した多数個取り配線基板を形成できると共に、これらを分割することで複数個の配線基板１ｃ，１ｄが得られた。

ここで、本発明の具体的な実施例について、比較例と併せて説明する。
アルミナからなり同じ厚みの複数のグリーンシートを用意し、その表面にＷ粉末粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷して、同じパターンのメタライズ層を形成した。かかる複数のグリーンシートを所定の温度帯に加熱・焼成して、セラミック層とした。
焼成後の上記メタライズ層１１の表面に対し、同じ条件で電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキをそれぞれ施して、同じ厚みのＮｉメッキ層１２およびＡｕメッキ層１３を形成した。かかるＡｕメッキ層１３の表面粗さ（Ｒａ）は、０．４μｍとして統一した。

次に、各セラミック層ごとの上記Ａｕメッキ層１３の表面に対し、表１に示す厚みが２．０〜２０．０μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層１４を電解メッキによって、各厚みごとにそれぞれ１０個ずつに形成した。
更に、上記Ａｕ−Ｓｎ合金層１４が形成された複数のセラミック層において、かかるＡｕ−Ｓｎ合金層１４の上に同じＬＥＤ９を載置し、当該Ａｕ−Ｓｎ合金の融点直上の温度帯に同じ時間で加熱（リフロー）した。
加熱後における各セラミック層をＬＥＤ９の直下で切断し、目視によりＡｕ−Ｓｎ合金層１４の内部またはＡｕ−Ｓｎ合金層１４とＬＥＤ９との間に気または気孔の有無を調べ、１個でも見つかった組には「有」、１０個全てにおいて見つからなかった組には「なし」として、表１中において示した。

表１によれば、Ａｕ−Ｓｎ合金層１４の厚みが３．０〜１５．０μｍの実施例と２０．０μｍの比較例では、気泡や気孔が生じていなかった。一方、Ａｕ−Ｓｎ合金層１４の厚みが２．０μｍの比較例では、気泡や気孔が生じていた。これは、Ａｕ−Ｓｎ合金層１４の厚みが厚くなるに従い、その表面が平滑になり、セラミック層の反りなどの影響を吸収し易くなるため、Ａｕ−Ｓｎ合金層１４の内部やＬＥＤ９と当該Ａｕ−Ｓｎ合金層１４との間で気泡や気孔が生じなかった、ものと推定される。
更に、表１中の下段に示すように、Ａｕ−Ｓｎ合金層１４の厚みが２０．０μｍであると、メッキコストが高くなった（×印）のに対し、１５．０μｍ以下であれば、通常のメッキコストと大差がない（○印）ことも分かった。更に、Ａｕ−Ｓｎ合金層１４の厚みが１５．０μｍ以下とすることで、隣接するパッド１５との短絡を防ぎ易くなり、ファインピッチ性にも対応し易くなることが判明した。

かかる結果から、前記導体部１０ａ，１０ｂの表層に形成するＡｕ−Ｓｎ合金層１４の厚みは、３．０（２μｍ超）〜１５．０μｍとすることで、気泡などの発生を防ぎ、且つ隣接するパッド１５との短絡を容易に防止できると共に、コスト的にも支障が少ないことが判明した。
以上の実施例の結果から、本発明の効果が裏付けられた。

図９は、異なる形態の配線基板２１を示す平面図、図１０は、図９中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。
配線基板２１は、図９，図１０に示すように、平面視が長方形で表面２３および裏面２４を有する前記同様の複数のセラミック層ｓ４〜ｓ６からなる基板本体２２と、かかる基板本体２２の表面２３に開口し、平面視がほぼ長円形の底面２６および上記表面２３に向かってほぼ長円錐形状に広がる側面２７を有するキャビティ２５と、を備えている。かかるキャビティ２５の底面２６における短軸方向に沿って、３つの導体部３０ａ，３０ｂ，３０ｃが帯状に形成されている。
このうち、中央の導体部３０ｂは、底面２６の一方の長辺から離れ、他の導体部３０ａ，３０ｃよりもやや短い。かかる導体部３０ａ，３０ｂ，３０ｃも、前記同様のメタライズ層、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層、およびＡｕ−Ｓｎ合金からなり厚みが２μｍ超〜１５μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層から形成されている。

また、図９，図１０に示すように、キャビティ２５の底面２６における長軸方向の両端付近と中央付近とには、３個のパッド３１〜３３が形成され、これらは、前記同様のメタライズ層の表面に、前記同様のＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を形成したもので、セラミック層ｓ５内のビア導体ｖと個別に接続されている。
導体部３０ａ，３０ｂ，３０ｃには、ＬＥＤ（素子）２９を搭載するための素子搭載部ａを一部に含み、表層の前記ハンダ層を加熱（リフロー）することで、ＬＥＤ２９を搭載できる。導体部３０ａ，３０ｂ，３０ｃごとに搭載されたＬＥＤ２９とパッド３１〜３３との間は、個別に図１０中の二点差線で示すワイヤｗによりボンディングされる。尚、素子搭載部ａを除いた導体部３０ａ〜３０ｃのＡｕ−Ｓｎ合金層からなる表面は、ＬＥＤ２９の光を反射する光反射面を形成している。

更に、図１０に示すように、セラミック層ｓ５，ｓ６間には、Ｗなどからなり所定パターンを有する複数の配線層３４が形成され、基板本体２２の裏面２４には、Ｗなどからなる複数の接続端子３６，３８が形成されている。
前記導体部３０ａ〜３０ｃおよびパッド３１〜３３は、セラミック層ｓ５，ｓ６を貫通するビア導体ｖを介して、それぞれ何れかの配線層３４および接続端子３６，３８と導通可能とされている。尚、接続端子３６，３８は、本配線基板２１を実装する図示しないマザーボードとの導通に用いられる。

以上のような配線基板２２によれば、別途にハンダを用意することなく、導体部３０ａ〜３０ｃごとの素子搭載部ａにＬＥＤ２９を高い実装強度で搭載でき、且つ伝熱性も高められる。しかも、かかる３個のＬＥＤ２９に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を発光するものを用いることで、フルカラーの光を発光させ、かかる光を導体体部３０ａ〜３０ｃの光反射面およびキャビティ２５の側面２７に反射させ、外部に効率良く放射することも可能となる。
尚、上記配線基板２２におけるキャビティ２５の側面２７全体に前記同様の光反射層を形成することで、更に広い面積により、フルカラーの光を反射させ且つ外部に一層効率良く放射することが可能となる。また、配線基板２２は、前記同様の製造工程を経ることで得られる多数個取り配線基板を、切断・分割することで、効率良く確実に製造することが可能である。

本発明は、前記各形態に限定されるものではない。
例えば、基板本体は、ガラス−セラミックのような低温焼成セラミックからなる形態や、エポキシ系などの樹脂層を複数積層して接着した形態としても良い。
また、前記基板本体は、キャビティがなく、平坦な表面を有すると共に、かかる表面に前記導体部およびパッドを形成した形態としても良い。
更に、前記導体部は、平面視で素子搭載部のみからなる（重複する）形態や、平面視で素子搭載部の周囲に僅かに延出するほぼ相似形の形態としても良い。
また、キャビティの側面は、基板本体の厚み方向に沿った垂直な面としても良く、アルミナのような白色系のセラミックが露出する形態では、そのままで光を反射させたり、前記光反射層を形成した形態としても良い。
更に、キャビティの側面における基板本体の表面側には、前記封止樹脂の浮き上がりを防ぐ突起または突条を、キャビティの中心部に向って単数または複数で突設するようにしても良い。
また、前記導体部の素子搭載部に搭載する素子には、ＩＣチップなどのような電子部品も含まれる。
加えて、前記多数個取り配線基板は、そのままの形態または数個に分割した形態で、複数の配線基板ごとにおける各導体部の素子搭載部にＬＥＤを搭載することで、比較的大型の発光装置として、活用することも可能である。

本発明の配線基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。 図２中の一点鎖線部分Ｙの部分拡大図。 異なる形態の配線基板を示す平面図。 図１〜３の配線基板の応用形態を示す垂直断面図。 図４の配線基板の応用形態を示す垂直断面図 図１〜３の配線基板を得るための多数個取り配線基板を示す平面図。 図４の配線基板を得るための多数個取り配線基板を示す平面図。 更に異なる形態の配線基板を示す平面図。 図９中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。

符号の説明

１ａ〜１ｄ，２１…………………………………配線基板
２，２２……………………………………………基板本体
３，２３……………………………………………表面
４，２４……………………………………………裏面
５，２５……………………………………………キャビティ
６，２６……………………………………………底面
７，２７……………………………………………側面
９，２９……………………………………………発光ダイオード（素子）
１０ａ，１０ｂ，３０ａ〜３０ｃ………………導体部
１１…………………………………………………メタライズ層
１４…………………………………………………Ａｕ−Ｓｎ合金層
ｓ１〜ｓ６…………………………………………セラミック層（絶縁材）
ａ……………………………………………………素子搭載部
Ｋ１，Ｋ２…………………………………………多数個取り配線基板
Ａ……………………………………………………製品領域
ｍ……………………………………………………耳部

Claims (4)

1. 絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
   上記基板本体の表面に形成され、表層に厚みが２μｍ超のＡｕ−Ｓｎ合金層を有する導体部と、を備え、
   上記導体部は、素子搭載部であるか、かかる素子搭載部を一部に含む、
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記基板本体の表面は、かかる表面に開口するキャビティの底面であると共に、
   前記導体部は、上記キャビティの底面に形成され、一部に素子搭載部を含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 請求項１または２に記載の前記配線基板を縦横に複数個配列した製品領域と、
   上記製品領域の周囲に位置し、前記絶縁材からなる耳部と、を備えている、
   ことを特徴とする多数個取り配線基板。
4. 絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体を形成する工程と、
   上記基板本体の表面に、メタライズ層を形成する工程と、
   上記メタライズ層に電解メッキを施して、厚みが２μｍ超のＡｕ−Ｓｎ合金層を形成する工程と、を含む、
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。
   

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