JP2008010454A - 金属配線形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】下地層と導電層との密着性を向上させた金属配線形成方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｓ上に形成されたマンガン層２５上に、金属微粒子を分散させた配線形成用インクＸ２を塗布する第２液滴吐出工程と、配線形成用インクＸ２を加熱して前記金属微粒子を粒成長させて銀層２６を形成する第２焼成工程とを有し、前記第２焼成工程で、焼成温度までの平均昇温速度が、２０℃／分以上２００℃／分以下である。
【選択図】図４

Description

本発明は、金属配線形成方法に関するものである。

ノート型パーソナルコンピュータや携帯電話機などの携帯機器の普及に伴い、薄くて軽量な液晶表示装置などが幅広く用いられている。このような液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層を挟持させた構造となっている。

図１１に示すように、この一対の基板のうちの一方であるアクティブマトリックス基板１５０は、ガラス基板１５１と、ガラス基板１５１上に互いに交差するように形成されたデータ線１５２及び走査線１５３と、同じくガラス基板１５１上に形成されたドレイン電極１５４と、ドレイン電極１５４に接続された画素電極（ＩＴＯ）１５５と、データ線１５２と走査線１５３との間に形成された絶縁層１５６と、薄膜半導体からなるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１５７とを備えている。

そして、これらデータ線１５２、走査線１５３及びドレイン電極１５４は、例えばドライプロセスとフォトリソエッチングとを組み合わせた工程を複数回繰り返すことによって形成されている（例えば、特許文献１参照）。ところが、このような形成方法では、ドライプロセスとフォトリソエッチングとを複数回繰り返しているために材料費や管理費などのコストが高くなると共に、歩留まりが上がりにくいという問題がある。

ところで、近年、電子装置の製造工程に用いられる塗布技術として、液滴吐出方式の利用が拡大する傾向にある。この液滴吐出方式による塗布技術は、一般に基板と液滴吐出ヘッドとを相対的に移動させながら液滴吐出ヘッドに設けられた複数のノズルから機能液を液滴として吐出し、この液滴を基板上に繰り返し付着させて塗布膜を形成するものであり、機能液の消費に無駄が少なく、任意の形状のパターンをフォトリソグラフィなどの手段を用いずに直接塗布することができるという利点を有している。

例えば、パターン形成用材料を含む機能液を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することで、パターン形成面に材料を塗布（配置）して半導体集積回路などの微細な金属配線を形成する金属配線形成方法が提案されている（例えば、特許文献２、３参照）。
特許第３２６１６９９号公報 特開平１１−２７４６７１号公報 特開２０００−２１６３３０号公報

しかしながら、上記従来の金属配線形成方法においても、以下の課題が残されている。すなわち、例えばガラス基板上に液滴吐出法によって銀の微粒子を含有する機能液を塗布して銀の導電層を形成する場合、銀のガラスへの密着性が低いことから、ガラス基板上に酸化マンガンなどの下地層を形成し、この下地層上に導電層を形成することがある。ここで、下地層と下地層上に形成される導電層との密着性をより高くすることが望まれている。

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、下地層と導電層との密着性を向上させた金属配線形成方法を提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる金属配線形成方法は、基板上に形成された下地層上に、金属微粒子を分散させた機能液を塗布する塗布工程と、前記機能液を加熱して前記金属微粒子を粒成長させ、導電層を形成する焼成工程とを有する金属配線形成方法であって、前記焼成工程で、焼成温度までの平均昇温速度が、２０℃／分以上２００℃／分以下であることを特徴とする。

この発明では、導電層を形成するための焼成工程における焼成温度までの平均昇温速度を２０℃／分以上２００℃／分以下とすることで、下地層と下地層上に形成された導電層との良好な密着性が得られる。

すなわち、平均昇温速度を２０℃／分以上とすることで、金属微粒子同士が凝集して粒成長する前に金属微粒子を下地層に入り込ませることができる。これにより、金属微粒子の粒成長によって形成される導電層が下地層にアンカー効果によって密着するので、導電層と下地層との密着性が向上する。

また、平均昇温速度を２００℃／分以下とすることで、機能液の加熱時に機能液の溶媒が急加熱されることを防止できる。これにより、形成された導電層中にピンホールが発生することを防止し、導電層と下地層との密着性が向上すると共に、導電層の平坦性が向上する。

また、本発明の金属配線形成方法は、前記金属微粒子が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ｐｄ、ＢｉまたはＭｎのいずれかあるいはこれらの混合物であることとしてもよい。

この発明では、金属微粒子をＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｂｉ（ビスマス）またはＭｎ（マンガン）のいずれかあるいはこれらの混合物で構成することで、下地層との良好なアンカー効果を得ることができる。

また、本発明の金属配線形成方法は前記下地層が、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＩｎまたはＣｒのいずれかの酸化物によって構成されていることとしてもよい。

この発明では、下地層をＭｎ、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ（インジウム）またはＣｒ（クロム）のいずれかの酸化物を用いて構成することで、基板及び導電層との良好な密着性を得ることができる。

また、本発明の金属配線形成方法は、液滴吐出法を用いて前記機能液を塗布することが好ましい。

この発明では、液滴吐出法によって機能液を選択的に形成するので、機能液の無駄を抑制でき、低コスト化が図れる。

以下、本発明による金属配線形成方法の一実施形態を、図面に基づいて説明する。

なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。

本実施形態では、液滴吐出法を用いて液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線形成用インク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に金属配線に応じて形成されたバンクの間に複数の導電膜からなる金属配線を形成する例について説明する。
〔配線形成用インク〕
この配線形成用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や、有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を分散媒に分散させた分散液によって構成されている。

ここで、導電性微粒子としては、例えば金属微粒子やこの酸化物、導電性ポリマー、超伝導体の微粒子などが挙げられる。そして、これらの導電性微粒子の表面には、分散液中における分散性を向上させるために有機物などで構成された分散安定剤で被覆してもよい。

また、導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対する後述する分散安定剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

また、分散媒としては、導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノールやエタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またはエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物が挙げられる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物が挙げられる。

また、導電性微粒子が接触して凝集を起こすことを防ぐために、導電性微粒子の表面を分散安定剤で被覆してもよい。分散安定剤としては、例えば、アルキルアミンなどのアミン化合物が用いられる。この分散安定剤は、導電性微粒子の表面から離脱した後、最終的には、分散溶と共に、蒸散することが可能であることが必要であり、少なくとも、沸点が３００℃を超えない範囲、通常、２５０℃以下の範囲となるものが好ましい。例えば、アルキルアミンとして、そのアルキル基は、Ｃ８〜Ｃ１８の範囲に選択され、アルキル鎖の末端にアミノ基を有するものが用いられる。例えば、前記Ｃ８〜Ｃ１８の範囲のアルキルアミンは、熱的な安定性もあり、また、室温付近での蒸気圧もさほど高くなく、室温などで保管する際、含有率を所望の範囲に維持、制御することが容易であるなど、ハンドリング性の面から好適に用いられる。

そして、機能液の表面張力は、例えば０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対するヌレ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板へのヌレ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトンなどの有機化合物を含んでもよい。

また、機能液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。

また、金属配線が形成される基板としては、ガラスや石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
〔液滴吐出装置〕
次に、金属配線を形成するために用いられる液滴吐出装置（インクジェット装置）について、図１を参照しながら説明する。ここで、図１は、液滴吐出装置の概略斜視図である。

液滴吐出装置ＩＪは、図１に示すように、液滴吐出ヘッドから基板Ｓに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド１と、第１及び第２駆動モータ２、３と、駆動軸４と、ガイド軸５と、ステージ６と、クリーニング機構７と、基台８と、ヒータ９と、これらを制御する外部コントローラＣＯＮＴとを備えている。ここで、図１に示すＸ方向を走査方向、Ｙ方向を非走査方向とする。

液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えるマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであって、長手方向をＹ軸方向と一致させている。そして、液滴吐出ヘッド１は、吐出ノズルからステージ６に支持固定されている基板Ｓに対して機能液を吐出する構成となっている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面に一定の間隔で非走査方向であるＹ軸方向に並んで設けられている。

第１駆動モータ２は、例えばステッピングモータによって構成されており、駆動軸４に接続されている。そして、第１駆動モータ２は、外部コントローラＣＯＮＴから供給されたＸ軸方向の駆動信号により駆動軸４を回転させ、液滴吐出ヘッド１をＸ軸方向に移動させる。

第２駆動モータ３は、第１駆動モータ２と同様に、例えばステッピングモータによって構成されており、ガイド軸５に接続されている。そして、第２駆動モータ３は、外部コントローラＣＯＮＴから供給されたＸ軸方向の駆動信号によりガイド軸５を回転させ、ステージ６をＸ軸方向に移動させる。また、ガイド軸５は、基台８に対して固定されている。

ステージ６は、液滴吐出ヘッド１から機能液が吐出される基板Ｓを支持し、基板Ｓを基準位置に固定する固定機構（図示略）を備えている。

クリーニング機構７は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであって、駆動モータ（図示略）の駆動によりガイド軸５に沿ってＹ軸方向に移動する。

ヒータ９は、例えばランプアニールにより基板Ｓを熱処理するものであって、基板Ｓに塗布された機能液に含まれる分散媒の蒸発及び乾燥を行う。

外部コントローラＣＯＮＴは、第１及び第２駆動モータ２、３に対して駆動信号をそれぞれ供給すると共に、液滴吐出ヘッド１による液滴の吐出制御用の電圧を供給する。

したがって、液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｓを支持するステージ６とを相対的に走査しつつ基板Ｓに対して液滴を吐出する。

ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式や加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散するのでノズルから吐出されない。そして、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。さらに、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。また、静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出す方式である。この他、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式など、さまざまな技術を適用することができる。この液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法によって吐出される機能液の一滴の量は、例えば１ｎｇ以上３００ｎｇ以下となっている。
〔金属配線形成方法〕
次に、本発明にかかる金属配線形成方法について、図を参照しながら説明する。ここで、図２から図４は、本実施形態における金属配線形成方法の形成工程を示す断面図である。

本実施形態における金属配線形成方法は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）膜形成工程と、バンク形成工程と、ＨＭＤＳ膜パターニング工程、残渣処理工程（親液化処理工程）、撥液化工程、第１液滴吐出工程（塗布工程）、乾燥工程、第１焼成工程、第２液滴吐出工程（塗布工程）及び第２焼成工程から構成されている。
（ＨＭＤＳ膜形成工程）
まず、図２（ａ）に示すように、基板Ｓ上にＨＭＤＳ膜２１を形成する。このＨＭＤＳ膜２１は、基板Ｓと後述するバンク２３との密着性を向上させるものである。ここでは、例えばＨＭＤＳを蒸気状にして基板Ｓ上に付着させること（ＨＭＤＳ処理）によってＨＭＤＳ膜２１を形成する。
（バンク形成工程）
次に、基板Ｓ上にバンク２３（図２（ｃ）参照）を形成する。このバンク２３は、仕切部材として機能するものである。ここでは、リソグラフィ法を用いてバンク２３を形成する。まず、図２（ｂ）に示すように、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコートなどの方法で、基板Ｓ上にバンクの高さに合わせて有機系感光性材料２２を塗布し、その上にレジスト層（図示略）を塗布する。そして、バンク形状（金属配線の形成領域）に合わせてマスクを施し、上記レジスト層を露光、現像することによりほぼ矩形状に合わせたレジスト層を残す。その後、エッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。これにより、図２（ｃ）に示すように、金属配線を形成する領域（例えば１０μｍ幅）の周辺を囲むようにバンク２３及びバンク間２４が形成される。

ここで、上層が有機物で撥液性を示す材料で構成された２層以上でバンク（凸部）を形成してもよい。また、バンク２３の形成は、リソグラフィ法に限らず、印刷法など、他の方法で行うことができる。
（ＨＭＤＳ膜パターニング工程）
続いて、バンク２３をマスクとしてＨＭＤＳ膜２１を除去する。ここでは、図２（ｄ）に示すように、バンク２３が形成された基板Ｓに対してバンク２３をマスクとし、例えば２．５％フッ酸水溶液を用いたエッチングを施すことにより、バンク２３で被覆されていないバンク間２４におけるＨＭＤＳ膜２１を除去する。これにより、基板Ｓがバンク２３間の底部に露出する。
（残渣処理工程（親液化処理工程））
次に、バンク形成工程においてバンク間２４に残渣として残存しているレジスト層（有機物）を除去する。ここでは、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ_２プラズマ処理によってレジスト層の残渣を除去する。すなわち、基板Ｓに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。ここで、Ｏ_２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｓの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板Ｓの温度が７０〜９０℃となっている。

なお、残渣処理としては、Ｏ_２プラズマ処理に限らず、紫外線照射処理など、他の処理を用いることができる。また、基板Ｓがガラス基板の場合、その表面は配線形成用インクに対して親液性を有しているが、残渣処理のためにＯ_２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンク間２４の底部に露出した基板Ｓの親液性を高めることができる。
（撥液化処理工程）
続いて、バンク２３に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。ここでは、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ_４プラズマ処理法）が用いられる。ここで、ＣＦ_４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。

なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。

このような撥液化処理を行うことにより、バンク２３にはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、基板Ｓに対して高い撥液性が付与される。

なお、上述した親液化処理としてのＯ_２プラズマ処理は、バンク２３の形成前に行っても良いが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などは、Ｏ_２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンク２３を形成した後にＯ_２プラズマ処理することが好ましい。

ここで、バンク２３に対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板Ｓ表面に対し多少は影響があるが、特に基板Ｓがガラスなどからなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｓの親液性、すなわちヌレ性が実質上損なわれることはない。

また、バンク２３については、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしても良い。
（第１液滴吐出工程（塗布工程））
次に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線形成用インクＸ１をバンク間２４に露出した基板Ｓ上に吐出して配置させる。ここでは、図３（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線形成用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴をバンク間２４に露出した基板Ｓ上に配置する。ここで、導電性微粒子として有機マンガン（マンガン錯化合物）を用いた配線形成用インクＸ１を吐出している。

このとき、バンク間２４で露出した基板Ｓはバンク２３に囲まれているので、配線形成用インクＸ１がバンク間２４の形成位置以外に広がることを阻止できる。また、バンク２３の表面に撥液性が付与されているため、吐出された配線形成用インクＸ１の一部がバンク２３上に吐出されてもバンク２３からはじかれ、バンク間２４に流れ落ちるようになる。さらに、バンク間２４で露出した基板Ｓには親液性を付与しているため、バンク間２４に吐出された配線形成用インクＸ１が基板Ｓ上において広がりやすくなる。これにより、図３（ｂ）に示すように、配線形成用インクＸ１をバンク間２４の延在方向に沿って均一に配置することができる。

ここで、液滴吐出の条件は、例えば、インク重量が４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）が５〜７ｍ／ｓｅｃとなっており、液滴を吐出する雰囲気が温度６０℃以下、湿度８０％以下となっている。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
（乾燥工程）
続いて、吐出した配線形成用インクＸ１中の分散媒の一部を除去して配線形成用インクＸ１の膜厚の均一化を図るため、必要に応じて乾燥処理を施す。ここでは、例えば通常のホットプレートを用いて基板Ｓを加熱し、配線形成用インクＸ１中の分散媒を除去する。なお、乾燥処理は、ホットプレートに限らず、電気炉やランプアニールによって行うこともできる。ここで、ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。一般に、これらの光源は、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
（第１焼成工程）
さらに、乾燥処理を施した配線形成用インクＸ１に対して、焼成処理を施してマンガン層２５を形成する（図３（ｃ））。ここでは、配線形成用インクＸ１を１８０℃以上２２０℃以下の温度、より好ましくは２００℃の温度で３０分以上加熱する。これにより、分散媒が除去され、未硬化状態（半硬化状態）の配線形成用インクＸ１であるマンガン層２５が０．０１〜０．５μｍ程度の厚さで成膜される。

なお、配線形成用インクＸ１の分散媒を除去しなくとも配線形成用インクＸ１と他の種類の配線形成用インクと混じり合わない場合には、中間乾燥工程を省略しても良い。
（第２液滴吐出工程）
続いて、マンガン層２５上に銀層（導電層）２６を形成する（図４（ｃ）参照）。ここでは、上述した配線形成用インクＸ１と同様に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線形成用インク（機能液）Ｘ２を配置させる。ここで、導電性微粒子として銀からなる金属微粒子を用いた配線形成用インクＸ２を配置している。また、金属微粒子の表面は、アミノ化合物などで構成された分散安定剤で被覆されている。
（第２焼成工程）
次に、配線形成用インクＸ２に対して、焼成処理を施して銀層２６を形成する（図４（ｃ））。ここでは、例えば雰囲気焼成炉（コンベンショナルオーブンなど）を用いて大気雰囲気下で２２０℃、３０〜９０分（好ましくは６０分）加熱することで、配線形成用インクＸ２中の分散媒及び分散安定剤を除去すると共に、金属微粒子を焼成する。なお、焼成処理は、雰囲気焼成炉に限らず、ホットプレートや赤外線照射炉（ＩＲ炉）など、他の焼成手段を用いてもよい。

金属微粒子を焼成すると、金属微粒子を被覆している分散安定剤が金属微粒子から離脱し、金属微粒子同士が凝集して粒成長が始まる。そして、離脱した分散安定剤は、分散媒に溶解して分散媒と共に加熱されることで蒸発する。その後、粒成長した金属微粒子により、マンガン層２５上に銀層２６が形成される。

このとき、金属微粒子が粒成長し始める前に下地層として形成されているマンガン層２５と接触していると、接触している金属微粒子がこのマンガン層２５内に入り込むことでアンカー効果により密着性が得られる。しかし、金属微粒子から離脱した分散安定剤が分散媒中に多く残留している状態で粒成長が開始すると、残留した分散安定剤が蒸発したときには金属微粒子の粒径が大きくなっているため、マンガン層２５内に入り込むことができなくなる。また、配線形成用インクＸ２のマンガン層２５に対する表面張力が高いために、マンガン層２５と配線形成用インクＸ２との接触角が大きくなっている。このため、マンガン層２５と配線形成用インクＸ２との間にボイド（空隙）が発生しやすくなる。

一方、分散安定剤及び分散媒の蒸発が急激に行われると、これら分散安定剤及び分散媒が突沸することで配線形成用インクＸ２中にピンホールが発生する。

そこで、焼成温度（２２０℃）までの平均昇温速度を２０℃／分以上２００℃／分以下としている。

このように、平均昇温速度を２０℃／分以上とすることで、金属微粒子同士が凝集して粒成長する前に、金属微粒子がマンガン層２５に入り込む。これにより、金属微粒子の粒成長によって形成される銀層２６がマンガン層２５に対してアンカー効果によって密着する。したがって、銀層２６とマンガン層２５との良好な密着性が得られる。ここで、焼成温度までの平均昇温速度を１０℃／分とすることで、銀層２６にボイドが発生していることが確認された。また、焼成温度までの平均昇温速度を２０℃／分以上とすることで、マンガン層２５との良好な密着性を有する銀層２６が形成されることを確認した。

一方、平均昇温速度を２００℃／分以下とすることで、配線形成用インクＸ２の加熱時に配線形成用インクＸ２中の分散媒が急加熱されることが防止される。これにより、形成された銀層２６中にピンホールが発生することを防止し、銀層２６とマンガン層２５との良好な密着性が保持されると共に、銀層２６の平坦性が維持される。ここで、焼成温度までの平均昇温速度を２００℃／分以下とすることで、ピンホールのない平坦性の維持された銀層２６が形成されることを確認した。

さらに、第２焼成工程の後、銀層２６の抵抗改善や銀層２６の収縮によるクラックやしわなどの発生を防止するため、窒素雰囲気下で３００℃、３０分間焼成を行う。

以上のようにして、マンガン層２５及び銀層２６からなる金属配線を形成する。

なお、銀層２６上にニッケルからなるニッケル層を、保護層として形成してもよい。これにより、銀層２６に対してプラズマ処理によってプラズマが照射されることによる銀層２６の劣化を抑制することができる。
〔電気光学装置〕
以上のように説明した金属配線形成方法によって形成された金属配線は、例えば図５から図８に示すような電気光学装置である液晶表示装置の金属配線として用いられる。ここで、図５は液晶表示装置の平面図、図６は図５のＡ−Ａ矢視断面図、図７は図５の部分拡大断面図、図８は図５の等価回路図である。

液晶表示装置５０は、ＴＦＴを画素スイッチング素子として用いたＴＦＴ方式アクティブマトリックス型の液晶表示装置である。そして、液晶表示装置５０は、図５及び図６に示すように、液晶パネル５１と、液晶パネル５１の外面にそれぞれ配置された偏光板（図示略）とを備えている。

液晶パネル５１は、図５及び図６に示すように、ＴＦＴ基板５２と、ＴＦＴ基板５２と対向配置された対向基板５３と、ＴＦＴ基板５２及び対向基板５３を貼着するシール材５４と、ＴＦＴ基板５２及び対向基板５３によって形成されたセルギャップ内に封入された液晶層５５とを備えている。そして、液晶パネル５１は、図５及び図６に示すように、ＴＦＴ基板５２と対向基板５３とが重なると共にシール材５４の内側に形成された周辺遮光膜５６を有しており、この周辺遮光膜５６によってシール領域の内側が画像表示領域５７となっている。なお、図５では、対向基板５３の図示を省略している。

ＴＦＴ基板５２は、図５から図７に示すように、平面視矩形状を有しており、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料によって構成されている。そして、ＴＦＴ基板５２のうち画像表示領域５７と重なる領域には、図５から図７に示すように、画素電極６１やＴＦＴ素子６２、複数のデータ線６３及び走査線６４が形成されている。また、ＴＦＴ基板５２の内側表面には、配向膜６５が形成されている。

画素電極６１は、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料によって構成されており、平面状に複数配置された画素領域のそれぞれに設けられている。そして、画素電極６１は、図５及び図６に示すように、対向基板５３に設けられた後述する対向電極９２と液晶層５５を介して対向配置されており、対向電極９２との間で液晶層５５を挟持する。

ＴＦＴ素子６２は、例えばｎ型トランジスタによって構成されており、データ線６３と走査線６４との交点にそれぞれ設けられている。また、ＴＦＴ基板５２の上面に非晶質ポリシリコン膜または非晶質ポリシリコン膜を結晶化させたポリシリコン膜を部分的に形成し、これに対して部分的な不純物の導入や活性化を行うことで形成されている。そして、ＴＦＴ素子６２は、ソース電極がデータ線６３に接続され、ゲート電極が走査線６４に接続され、ドレイン電極が画素電極６１に接続されている。また、画素電極６１に書き込まれた画像信号のリークを防止するため、画素電極６１と容量線６６との間に保持容量６７が接続されている。

ここで、ボトムゲート型のＴＦＴ素子６２の部分拡大断面図を図８に示す。ＴＦＴ基板５２上には、図８に示すように、上述した金属配線形成方法によって形成された複数の異なる材料が積層して構成されたゲート配線７１が形成されている。このゲート配線７１は、マンガン層２５と銀層２６とを積層して構成されている。なお、ゲート配線７１を形成する際、後述するアモルファスシリコン層を形成する工程において約３５０℃まで加熱するために無機材料で構成されたバンク材を用いている。

また、ゲート配線７１上には、ＳｉＮ_ｘ（窒化シリコン）で構成されたゲート絶縁層７２が形成されており、ゲート絶縁層７２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された半導体層７３が積層されている。

半導体層７３上には、オーミック接合を得るために、例えばｎ^＋型α−Ｓｉ層からなる接合層７４、７５が積層されている。そして、チャネル領域の中央部における半導体層７３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮ_ｘで構成された絶縁性のエッチストップ層７６が形成されている。

なお、これらゲート絶縁層７２、半導体層７３及びエッチストップ層７６は、例えばＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition：化学蒸着法）後でレジスト塗布、露光現像、フォトエッチングの各処理が施されることによってパターニングされている。

さらに、接合層７４、７５及び画素電極６１も、同様に成膜すると共にフォトエッチング処理を施すことによってパターニングされている。

そして、画素電極６１、ゲート絶縁層７２及びエッチストップ層７６上にそれぞれバンク７７を形成し、これらバンク７７間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いてソース配線、ドレイン配線を形成することができる。なお、これらソース配線及びドレイン配線も、本実施形態における金属配線形成方法を用いて形成することが可能である。

データ線６３は、図８に示すように、上述したゲート配線７１と導通するように形成された配線であって、図８に示すＹ方向に延在するように形成されている。また、走査線６４は、上述したソース配線と導通するように形成された配線であって、データ線６３と同様に、図８に示すＸ方向に延在するように形成されている。そして、これらデータ線６３及び走査線６４によって、画素が区画される。

また、ＴＦＴ基板５２には、図５に示すように、一辺端部（図１に示す下辺）において対向基板５３より外側に張り出す張出領域が形成されている。

また、ＴＦＴ基板５２上には、上記一辺に沿ってデータ線駆動回路８１が設けられており、上記一辺と隣接する二辺に沿って走査線駆動回路８２、８３が設けられている。そして、ＴＦＴ基板５２の上記張出領域には、データ線駆動回路８１及び走査線駆動回路８２、８３の端子群である端子部８４が設けられている。これらデータ線駆動回路８１、走査線駆動回路８２、８３及び端子部８４は、配線８５により適宜接続されている。

データ線駆動回路８１は、供給された信号に基づき、複数のデータ線６３に、図８に示すような画像信号Ｓ１、Ｓ２、…を供給する構成となっている。ここで、データ線駆動回路８１によりデータ線６３に書き込まれる画像信号は、線順次に供給しても、互いに隣接する複数のデータ線６３同士に対してグループごとに供給してもよい。

また、走査線駆動回路８２、８３は、供給された信号に基づき、複数の走査線６４に、図８に示すような走査信号Ｇ１、Ｇ２、…を所定のタイミングでパルス的に供給する構成となっている。ここで、走査線駆動回路８２、８３により走査線６４に送られる走査信号は、線順次に供給される。

対向基板５３は、図２に示すように、ＴＦＴ基板５２と同様に平面視矩形状を有しており、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料によって構成されている。そして、対向基板５３のうち液晶層５５側の表面には、遮光膜９１と対向電極９２とが形成されている。また、対向基板５３の表面には、配向膜（図示略）が形成されている。

対向電極９２は、画素電極６１と同様にＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。

ＴＦＴ基板５２に形成された配向膜は、画素電極６１の表面に設けられており、例えばポリイミド膜などの透光性の有機材料で構成された膜にラビング処理などの所定の配向処理を施すことで形成されている。

また、対向基板５３に形成された配向膜は、ＴＦＴ基板５２に形成された配向膜と同様に、例えばポリイミド膜などの透光性の有機膜にラビング処理などの所定の配向処理を施すことで形成されている。ここで、この配向膜のラビング方向は、ＴＦＴ基板５２に形成された配向膜のラビング方向とほぼ同方向となっている。そして、対向基板５３の角部には、ＴＦＴ基板５２と対向基板５３との間の電気的な導通を確保するための基板間導通材９３が設けられている。

液晶層５５は、図５及び図６に示すように、ＴＦＴ基板５２と対向基板５３との双方にそれぞれ形成された配向膜の間で所定の配向状態となっている。この液晶層５５の液晶モードとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モードのほか、ＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード、ＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードなどを採用することができる。

以上より、本実施形態における金属配線形成方法によれば、平均昇温速度を２０℃／分以上とすることで、金属微粒子同士が凝集して粒成長する前に、金属微粒子をマンガン層２５に入り込ませることができる。これにより、金属微粒子の粒成長によって形成される銀層２６がマンガン層２５に対してアンカー効果によって密着し、銀層２６とマンガン層２５との良好な密着性が得られる。

一方、平均昇温速度を２００℃／分以下とすることで、配線形成用インクＸ２の加熱時に配線形成用インクＸ２中の分散媒が急加熱されることが防止できる。これにより、形成された銀層２６中にピンホールが発生することを防止し、銀層２６とマンガン層２５との良好な密着性が保持できると共に、銀層２６の平坦性を維持できる。

ここで、銀層２６を構成する配線形成用インクＸ２にＡｇからなる金属微粒子を用いることで、マンガン層２５との良好なアンカー効果を得ることができる。そして、マンガン層２５が酸化マンガンで構成されることで、基板Ｓ及び銀層２６に対してそれぞれ良好な密着性を得ることができる。

また、液滴吐出装置ＩＪを用いた液滴吐出法によってマンガン層２５及び銀層２６をそれぞれ構成する配線形成用インクＸ１、Ｘ２を塗布しており、各配線形成用インクＸ１、Ｘ２をそれぞれ選択的に塗布することができるので、材料の無駄を抑制すると共に低コスト化が図れる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

例えば、上記実施形態では開口を有するバンク内に配線形成用インクを吐出することで金属配線を形成しているが、以下のような金属配線形成方法であってもよい。

この金属配線形成方法は、表面処理工程、第１液滴吐出工程、乾燥工程、第１焼成工程、第２液滴吐出工程（塗布工程）及び第２焼成工程から構成されている。

まず、基板Ｓの表面に親液部Ｈ１と撥液部Ｈ２とを形成する（図９（ｂ）参照）。ここでは、金属配線を形成する基板Ｓの表面を、配線形成用インクＸ１、Ｘ２に対して撥液性を示すように撥液化処理を行う。すなわち、配線形成用インクＸ１、Ｘ２に対する所定の接触角と、後述する親液部Ｈ１における接触角との差が好ましくは５０°以上となるように基板Ｓの表面に対して表面処理を施す。

基板Ｓの表面を撥液化する方法としては、例えば基板Ｓの表面に自己組織化膜を形成する方法やプラズマ処理を施す方法などがある。

自己組織化膜を形成する方法では、金属配線を形成する領域に、有機分子膜などで構成される自己組織化膜を形成する。

ここで、自己組織化膜に用いる有機分子膜は、基板Ｓに結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えている。また、この有機分子膜は、基板Ｓに結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。

ここで、自己組織化膜とは、基板の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜のことを示している。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができる上、分子レベルで均一な膜となる。したがって、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。

このような高い配向性を有する化合物としては、例えばフルオロアルキルシランが挙げられる。このフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。

自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシランなどのフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）が挙げられる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板Ｓとの密着性と良好な撥液性とを得ることができる。

ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ_{（４−ｎ）}で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ_３）（ＣＦ_２）_ｘ（ＣＨ_２）_ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲまたはＸがＳｉに結合している場合には、ＲまたはＸがそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板Ｓ（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板Ｓと結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ_２）などのフルオロ基を有するため、基板Ｓの下地表面をヌレ性のない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。

有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板Ｓとを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板Ｓ上に形成される。
また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板Ｓ上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板Ｓを浸積し、洗浄、乾燥することで基板Ｓ上に自己組織化膜が形成される。

なお、自己組織化膜を形成する前に、基板Ｓの表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板Ｓの表面の前処理を施すことが望ましい。

一方、プラズマ処理法では、常圧または真空中で基板Ｓに対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、金属配線を形成すべき基板Ｓの表面材質などを考慮して選択できる。処理ガスとしては、例えば４フッ化メタンやパーフルオロヘキサン、パーフルオロデカンなどが挙げられる。

なお、基板Ｓの表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルムなどを基板Ｓの表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板Ｓとして用いてもよい。

このように、自己組織膜形成法やプラズマ処理法を実施することにより、図９（ａ）に示されるように、基板Ｓの表面に撥液性膜１０１が形成される。

次に、配線形成用インクを塗布して金属配線を形成すべき領域の撥液性を緩和して親液性を付与する親液化処理を施すことにより、図９（ｂ）に示すように、親液部Ｈ１を形成する。

ここでは、波長１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法が挙げられる。このとき、金属配線の形状に応じたマスクを用いて紫外光を照射することで、いったん形成した撥液性膜１０１のうち金属配線を形成する領域のみを部分的に変質させて撥液性を緩和して親液化することができる。これにより、基板Ｓには、金属配線が形成される領域に親液性が付与された親液部Ｈ１が形成され、親液部Ｈ１を囲むように撥液性膜１０１によって撥液部Ｈ２が形成される。

なお、撥液性の緩和の程度は紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度や波長、熱処理（加熱）との組み合わせなどによって調整することもできる。

親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理が挙げられる。ここでは、基板Ｓに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。このとき、Ｏ_２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｓの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。

また、例えば基板Ｓの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くするなど、プラズマ処理条件を調整することにより、導電性微粒子を含有した配線形成用インクＸ１、Ｘ２に対する親液部Ｈ１の接触角を好ましくは１０°以下に設定する。さらに、別の親液化処理としては、基板をオゾン雰囲気に曝す処理も採用できる。

次に、上述した実施形態と同様に、液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線形成用インクＸ１を親液部Ｈ１上に吐出して配置させる。ここでは、図９（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線形成用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴を親液部Ｈ１上に配置させる。このとき、撥液部Ｈ２に撥液性を付与することで、吐出された配線形成用インクＸ１の一部が撥液部Ｈ２に乗っても撥液部Ｈ２からはじかれ、図１０（ａ）に示すように、撥液部Ｈ２の間に形成されている親液部Ｈ１上に溜まるようになる。さらに、親液部Ｈ１に親液性を付与することで、吐出された配線形成用インクＸ１が親液部Ｈ１にてより拡がり易くなり、これによって配線形成用インクＸ１が、分断されることなく所定位置内でより均一に親液部Ｈ１を埋め込むようにすることができる。

この後、上述した実施形態と同様に、乾燥工程及び第１焼成工程を行うことにより、図１０（ｂ）に示すように、親液部Ｈ１上にマンガン層２５を形成する。

さらに、上述した実施形態と同様に、第２液滴吐出工程（図１０（ｃ）参照）及び第２焼成工程を行うことにより、図１０（ｄ）に示すように、マンガン層２５上に銀層２６を形成する。

また、導電層をＡｇからなる金属微粒子を用いて形成しているが、Ａｇに限らず、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ｐｄ、ＢｉまたはＭｎのいずれかあるいはこれらにＡｇを加えた中から複数を選択した混合物からなる金属微粒子を用いてもよい。

また、下地層がＭｎの酸化物によって形成されているが、Ｍｎの酸化物に限らず、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＩｎまたはＣｒのいずれかの酸化物によって形成してもよい。

さらに、インクジェット装置を用いた液滴吐出法によってマンガン層（下地層）及び銀層（導電層）を構成する各配線形成用インクを塗布しているが、液滴吐出法に限らず、スピンコート法など、他の湿式法を用いて塗布してもよい。ここで、少なくとも銀層（導電層）を構成する配線形成用インクが液滴吐出法などの湿式法を用いて塗布されていればよく、マンガン層（下地層）が湿式法以外の他の方法によって形成されてもよい。

また、ＴＦＴ素子を液晶表示装置の駆動のためのスイッチング素子として用いているが、液晶表示装置以外にも、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に用いてもよい。この有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の向きまたは有機化合物を含む薄膜を陰極と陽極とで挟持した構成となっており、この薄膜に電子及び正孔（ホール）を注入して励起させることで励起子（エキシトロン）を生成させ、このエキシトロンが再結合する際の光の放出（蛍光、燐光）を利用して発光させるものである。そして、上述したＴＦＴ素子を有する基板上に、有機ＥＬ表示装置に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑及び青色の各発光色を有する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。

本発明の金属配線形成方法に用いる液滴吐出装置を示す概略構成図である。 本発明の一実施形態における金属配線形成方法を示す工程図である。 同じく、金属配線形成方法を示す工程図である。 同じく、金属配線形成方法を示す工程図である。 液晶表示装置を示す平面図である。 図５のＡ−Ａ矢視断面図である。 図５の部分拡大断面図である。 図５の等価回路図である。 本発明を適用可能な他の金属配線形成方法を示す工程図である。 同じく、他の金属配線形成方法を示す工程図である。 従来のアクティブマトリクス基板を示す概略斜視図である。

符号の説明

２５ マンガン層（下地層）、２６ 銀層（導電層）、Ｓ 基板、Ｘ２ 配線形成用インク（機能液）

Claims (4)

1. 基板上に形成された下地層上に、金属微粒子を分散させた機能液を塗布する塗布工程と、
   前記機能液を加熱して前記金属微粒子を粒成長させ、導電層を形成する焼成工程とを有する金属配線形成方法であって、
   前記焼成工程で、焼成温度までの平均昇温速度が、２０℃／分以上２００℃／分以下であることを特徴とする金属配線形成方法。
2. 前記金属微粒子が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ｐｄ、ＢｉまたはＭｎのいずれかあるいはこれらの混合物であることを特徴とする請求項１に記載の金属配線形成方法。
3. 前記下地層が、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＩｎまたはＣｒのいずれかの酸化物によって構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の金属配線形成方法。
4. 液滴吐出法を用いて前記機能液を塗布することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の金属配線形成方法。
   

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