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JP2007537590A - Ｒｇｂ発光ダイオードと蛍光体を組み合わせた発光装置 - Google Patents

Ｒｇｂ発光ダイオードと蛍光体を組み合わせた発光装置 Download PDF

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JP2007537590A JP2007513058A JP2007513058A JP2007537590A JP 2007537590 A JP2007537590 A JP 2007537590A JP 2007513058 A JP2007513058 A JP 2007513058A JP 2007513058 A JP2007513058 A JP 2007513058A JP 2007537590 A JP2007537590 A JP 2007537590A
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ジョン−フン イ，
グンドゥルラ ロス，
ワルタ チュス，
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Abstract

【課題】ＲＧＢ発光素子と蛍光体を組み合わせた発光装置を提供すること。
【解決手段】青色、緑色、または赤色の波長領域の１次光をそれぞれ生じさせる異なる発光波長を有する少なくとも３個の発光素子と、１次光を可視光線波長領域の２次光に波長変換する手段とを備えてなることを特徴とする発光装置。これによれば、２０００Ｋ〜８，０００Ｋ又は１００００Ｋ範囲内の色温度を有し、且つ、演色指数も９０以上と高く、広い発光帯域のイエロー−グリーンまたはオレンジ色を具現することのできる発光装置が得られる。この発光装置は、色温度及び演色性に優れていてユーザーが要求する色座標値の発光を容易に具現できることから、携帯電話やノート型パソコン、そして、各種の電子製品のキーボード用やバックライト用に様々に採用でき、特に、自動車及び屋内外の照明用にさまざまに応用可能である。
【選択図】 図１

Description

本発明は発光装置に関し、さらに詳しくは、ＲＧＢ発光ダイオードを主体として波長変換手段を組み合わせて高い色温度及び演色指数を得ることができ、これにより、家電製品、オーディオ、及び通信製品などの応用機器だけではなく、屋内外の各種のディスプレイ、そして、自動車及び照明に応用することのできる発光装置に関する。
近年、白色光を放射する発光装置（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ、以下、ＬＥＤと称する。）は、略４６０ｎｍのブルー（青）色を放射するＧａ（Ｉｎ）Ｎ発光ダイオードと、イエロー（黄）色を放射するＹＡＧ：Ｃｅ３＋蛍光体とを組み合わせることにより、最近生産されている（ＢＹ発光方式、例えば、特許文献１、２参照）。しかしながら、この種の白色発光装置は、特定のカラー成分（主として、レッド成分）の不在により招かれる低い色温度（Ｃｏｌｏｒ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ、約６，０００〜８，０００）と低い演色指数（Ｃｏｌｏｒ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ Ｉｎｄｅｘ；ＣＲＩ）約６０〜７０が原因で、通常の発光装置としての使用が制約的である。
その代案として提案されているのが、３色（赤色、緑色、青色）を混合して白色を具現する方法であり（ＲＧＢ発光法）、例えば、特許文献３にその詳細が示されている。
しかしながら、各ＲＧＢ発光ダイオードはその材質や特性の差により光度が異なり、これにより、ＲＧＢ発光方式によっても可視光線スペクトル領域内の全てのカラーを具現することが困難であるという問題がある。
すなわち、レッド（赤色）、グリーン（緑色）、及びブルー（青色）は順次にその波長が短くなるが、波長が短い発光ダイオードは、その光度も小さくなる。このため、レッドとグリーンの発光ダイオードは、ブルーの発光ダイオードに比べて、相対的に光度が大きく、さらに、最近では、製造技術上の理由から、発光ダイオードの相対的な光度差がより一層大きくなっている。結果として、異なる波長を有するＲＧＢの３個の発光ダイオードを組み合わせたＲＧＢ発光方式においても、ユーザーが希望する、例えば、照明または自動車用白色の発光を具現することが困難であるという問題がある。
米国特許第５９９８９２５号明細書 欧州特許第８６２７９４号明細書 国際公開第ＷＯ９８／３９８０５号パンフレット
そこで、本発明は上記従来の発光装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、色温度が２０００〜８０００Ｋまたは１００００Ｋ範囲内と高く、且つ、演色指数が９０以上と優れていることから、家電製品、オーディオ、及び通信製品などの応用機器だけではなく、屋内外のディスプレイ、そして、自動車及び照明灯の種々の製品に簡単に応用することのできる波長変換の手段を有する発光装置を提供するところにある。
また、本発明の他の目的は、狭い発光波長帯域の発光ダイオードと蛍光体を組み合わせることで、相対的に広い発光波長帯域のイエロー−グリーンまたはオレンジ色の発光を具現して、可視光線波長領域の様々なカラー及び高い演色性が得られることのできる発光装置を提供するところにある。
上記目的を達成するためになされた本発明による発光装置は、青色、緑色、または赤色の波長領域の１次光をそれぞれ発光させるお互い異なる発光ピーク波長を有する少なくとも３個の発光ダイオードと、前記１次光を可視光線波長領域内の２次光に波長変換する手段とを備えてなることを特徴とする。
ここで、青色又は青色−緑色の少なくともいずれか一つの波長領域において発光する少なくとも１つの追加の発光ダイオードをさらに備えることが好ましい。
ここで、少なくとも３個の初期発光ダイオードは、発光ピーク波長が４４０〜５００ｎｍである第１の発光ダイオードと、発光ピーク波長が５００〜５７０ｎｍである第２の発光ダイオードと、発光ピーク波長が５７０〜６７０ｎｍである第３の発光ダイオードとを含むことが好ましい。
そして、追加された発光ダイオードの発光ピーク波長は、４１０〜４６０ｎｍであることが好ましい。
このとき、前記波長変換する手段は、単一の蛍光体または複数の蛍光体の組み合わせにより構成されることが好ましく、例えば、発光ピーク波長が４５０〜５２０ｎｍである蛍光体と、発光ピーク波長が５００〜５７０ｎｍである蛍光体と、発光ピーク波長が５７０〜６８０ｎｍである蛍光体と、前記これらの蛍光体の組合体の内の少なくとも１つより構成されることが好ましい。
そして、各々の蛍光体は、該当波長領域内の蛍光体要素の少なくとも１つ以上より構成されることが好ましい。
前記発光装置において、前記発光ダイオードと前記波長変換する手段が単一のパッケージ内に搭載されることが好ましい。
このとき、前記波長変換する手段は、前記発光ダイオードの上面、下面、及び側面の少なくともいずれか一側に配置されるか、または、導電性接着剤を用いて混成されるか、またはモールド部に分布されることが好ましい。
前記発光装置において、前記単一のパッケージは、基板と、該基板上に実装された少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、該発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段とを備えるチップパッケージとして形成されることが好ましい。
前記発光装置において、前記単一のパッケージは、リフレクターが形成された基板と、該基板上に実装された少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、該発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段を備えるトップパッケージとして形成されることが好ましい。
前記発光装置において、前記基板は、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードから発せられる熱を放出する金属性材質のもので形成されることが好ましい。ここで、前記金属性材質のもので形成された基板に取り付けられる放熱板をさらに備えると、その放熱効果はなお一層増大する。
前記発光装置において、前記基板上に前記発光ダイオード及び前記波長変換する手段を封止するモールド部をさらに備えることが好ましく、前記モールド部に前記波長変換する手段が均一に分布されていることが好ましい。
前記発光装置において、前記単一のパッケージは、一対の電極リードと、該一対の電極リードのうち片側に実装された前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段と、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードと前記波長変換する手段を封止するモールド部とを備えるランプパッケージとして形成されることが好ましい。
前記発光装置において、前記単一のパッケージは、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段と、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードから発せられる熱を放出するヒートシンクとを備える高出力パッケージとして形成されることが好ましい。
このとき、前記ヒートシンクからの熱を放出可能に取り付けられる放熱板をさらに備えることが好ましい。
なお、本発明において、前記各発光ダイオードは、シリコンカーバイドまたはサファイアで形成された基板上に窒化物エピタキシャル層を形成してなる構造を備えることが好ましい。
本発明に係る発光装置によれば、異なる発光ピーク波長を有する蛍光体の配合比を適切に調節したり、異なる発光ピーク波長の発光ダイオードを選択することにより、２０００Ｋ〜８，０００Ｋ又は１００００Ｋと相対的に高温の色温度を有すると共に、演色指数も９０以上と高い発光装置が得られるという効果がある。
そして、狭い発光波長帯域の発光ダイオードと蛍光体を組み合わせて相対的に広い発光波長帯域のイエロー−グリーンまたはオレンジ色を具現できることから、可視光線波長領域の種々のカラー及び高い演色性が得られるという効果がある。
次に、本発明に係る発光装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による発光装置の概略的な縦断面図であって、３個の発光ダイオード及び波長変換手段が組み合わせられたチップ型のパッケージが示す。
図１を参照すると、基板１の両側端部にそれぞれ電極パターン５が形成されており、一側の電極パターン５上に互いに異なる波長の光を１次的に生じさせる３個の発光ダイオード６、７、８が実装されている。各発光ダイオード６、７、８は、導電性接着剤９を介して電極パターン５に実装され、各発光ダイオード６、７、８の電極と他側の電極パターン（図示せず）は導電性のワイヤー２により接続されている。
３個の発光ダイオード６、７、８の上面及び側面には、波長変換手段３が配置されている。波長変換手段３は発光ダイオードから発せられる光を可視光線波長領域内の２次光に波長変換する。このような波長変換手段３は、硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂に混合されるようにして各発光ダイオード６、７、８に点在可能である。
波長変換手段３はまた、導電性接着剤９に混合されるようにして各発光ダイオード６、７、８の下面に配置することもできる。
３個の発光ダイオード６、７、８が実装された基板１の上部は、硬化性樹脂によるモールド部１０が形成されている。本実施形態の発光装置１１においては、波長変換手段３が発光ダイオード６、７、８の上面及び側面に一定の厚さにて点在されているが、硬化性樹脂によるモールド部１０に全体的に均一に分布されるように製作可能であることはもちろんである。このような製造方法の詳細は、本発明者によって既に出願されている米国特許第６４８２６６４号明細書を参照されたい。
なお、３個の発光ダイオード６、７、８のうち第１の発光ダイオード６は、その発光ピーク波長が４４０ｎｍ〜５００ｎｍであり、第２の発光ダイオード７の発光ピーク波長は５００ｎｍ〜５７０ｎｍであり、第３の発光ダイオード８の発光ピーク波長は５７０ｎｍ〜６７０ｎｍである。ここで、第１の発光ダイオード６はパープルブルーからブルーの波長範囲内の光を生じさせることが可能であり、第２の発光ダイオード７はグリーンからイエローグリーンの波長範囲内の光を生じさせることが可能であり、そして第３の発光ダイオード８はグリーン系のイエローからレッドの波長範囲内の光を生じさせることが可能である。これらの第１、第２及び第３の発光ダイオード６、７、８としては、例えば、シリコンカーバイドまたはサファイアからなる基板上に窒化物エピタキシャル層を形成してなる発光ダイオードが使用可能である。
波長変換手段３は、単一の蛍光体または複数の蛍光体が選択的に混合されてなる。すなわち、波長変換手段３は、その発光ピーク波長が４５０ｎｍ〜５２０ｎｍである第１の蛍光体、５００ｎｍ〜５７０ｎｍである第２の蛍光体、及び５７０ｎｍ〜６８０ｎｍである第３の蛍光体のうちから選択された少なくとも１つの蛍光体を含む。ここで、第１の蛍光体はブルー（青）色の光が発生可能であり、第２の蛍光体はグリーン（緑）からイエロー（黄）色の光が発生可能であり、そして第３の蛍光体はイエロー（黄）ないしレッド（赤）色の光が発生可能である。そして、各蛍光体は、いうまでもなく、該当波長領域内の異なる発光ピーク波長を有する蛍光体を混合してなることがある。
波長変換手段３は、例えば、化学式が「（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ｘＳｉＯ４：Ｅｕ及び／又はＭｎ」のシリケート系の蛍光体が使用可能である。この場合、例えば、Ｂａ、Ｓｒ、及びＣａの配合比、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ｘＳｉＯ４：Ｅｕと（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ｘＳｉＯ４：Ｍｎの配合比、及び／またはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｎ、及びＥｕの配合比などを適切に調節することで、４５０ｎｍ〜５２０ｎｍ、５００ｎｍ〜５７０ｎｍ、または５７０ｎｍ〜６８０ｎｍの発光ピーク波長を有する蛍光体が得られる。こうして蛍光体の配合比を異なるように調節することで、波長変換手段３を得ることができる。
このような構成の発光装置１１においては、第１の発光ダイオード６、第２の発光ダイオード７、及び第３の発光ダイオード８に電極パターン５を介して外部電源が供給される。これにより、第１の発光ダイオード６から発光ピーク波長が４５０ｎｍ〜５２０ｎｍである光が、第２の発光ダイオード７から発光ピーク波長が５００ｎｍ〜５７０ｎｍである光が、そして第３の発光ダイオード８から発光ピーク波長が５７０ｎｍ〜６８０ｎｍである光がそれぞれ１次的に発せられる。このとき、蛍光体は各発光ダイオード６、７、８からの光により励起されながら、それぞれ発光ピーク波長が４５０ｎｍ〜５２０ｎｍ、５００ｎｍ〜５７０ｎｍ、及び／または５７０ｎｍ〜６８０ｎｍである２次光を生じさせる。
その結果、発光装置１１においては、第１、第２、及び第３の発光ダイオード６、７、８から発せられる１次光と、各蛍光体により波長変換された２次光とが混色されて、該当可視光線波長領域の色が具現される。ここで、蛍光体の混合比を適切に調節することで、ユーザーが希望する色を具現することができる。
例えば、発光ピーク波長が４５０ｎｍ〜５２０ｎｍである蛍光体と、５００ｎｍ〜５７０ｎｍである蛍光体のみを備える場合、５７０ｎｍ〜６８０ｎｍの２次光は発生しない。この場合、２個の発光ダイオードから発せられる１次光と、蛍光体により波長変換された２次光だけが混色されて、可視光線波長領域内の異なる色が具現されるのである。ここで、蛍光体の混合比だけではなく、該当ピーク波長範囲内にある発光ダイオードを適切に選択することで、所望の色座標の発光を具現することができる。
なお、本実施形態の、３個の異なる波長の（ＲＧＢ）発光ダイオード６、７、８にオレンジ色の波長変換手段を組み合わせると、図２に示すような発光スペクトルを有する発光装置が得られる。本実施形態による発光装置１１によれば、２５００Ｋ〜３０００Ｋ範囲内の色温度及び約９８程度の演色指数が得られる。ここで、発光ダイオード及び蛍光体を適切に選択することで、ユーザーが要求する色座標値の発光を容易に具現することができる。
例えば、レッド（Ｒ）及びブルー（Ｂ）色の発光ダイオードを選択し、ここに、発光ピーク波長の異なる３種類の蛍光体、すなわち、オレンジ色、第１グリーン色、及び第２グリーン色を選択すると、図３に示すような発光スペクトルを得ることができる。この場合、約３０００Ｋ程度の色温度及び約９６程度の演色演色指数が得られる。
これらに加えて、発光ダイオードと波長変換手段を構成する蛍光体を適切に選択することができる。
例えば、図４は、本発明の第２の実施形態による発光装置の概略的な縦断面図であって、４個の発光ダイオード及び波長変換手段が組み合わせられたチップ型のパッケージが示す。
第２の実施形態による発光装置２０は、上述の図１〜図３の第１の実施形態と同じ構造を有し、単に１個の発光ダイオードがさらに追加されている点で異なる。追加された第４の発光ダイオードは、発光ピーク波長が４１０ｎｍ〜４６０ｎｍでパープル系のブルー色光を生じさせる。
このような構成においても、外部電源が電極パターン５を介して各発光ダイオードに供給されると、第１、第２、第３、及び第４の発光ダイオード６、７、８、２１は該当発光ピーク波長の光をそれぞれ１次的に生じさせる。これにより、蛍光体により励起されながら、１次光の一部が４５０ｎｍ〜５２０ｎｍ、５００ｎｍ〜５７０ｎｍ、及び５７０ｎｍ〜６８０ｎｍの発光ピーク波長を有する２次光に波長変換される。このとき、各発光ダイオード６、７、８、２１から発せられた１次光と蛍光体により波長変換された２次光が混色されて、可視光線波長領域内の発光が行われる。
ここで、各蛍光体は、該当波長範囲内においてそれぞれ異なる発光ピーク波長を有する蛍光体を混合してなる。そして、各蛍光体の混合比を適切に調節することで、ユーザーが希望する色座標に発光をシフトさせることができるということはもちろんである。
以上、本実施形態による発光装置２０によれば、図１及び図２と結び付けて説明したのと同様な目的及び効果を得ることができる。このような第１及び第２の実施形態１１、２０の発光装置は、色温度が高くて演色性に優れていることから、家電製品、オーディオ、及び通信製品などの電子機器だけではなく、屋内外の各種のディスプレイ、特に、自動車及び照明に容易に応用することができる。
なお、図１〜図４と結び付けて上述した本発明の技術的な特徴は単にチップ型のパッケージにのみ限定されるものではなく、種々の形態のＬＥＤパッケージにそのまま適用しても、同じ目的及び効果が得られる。
以下、各種のＬＥＤパッケージにこの技術を適用した実施形態を図面を参照して説明する。ここで、上述の図１〜図４と同じ要素及び構成に対しては同じ参照番号を付し、各発光ダイオード及び波長変換手段と関連する技術的な原理も同様に適用される。
図５は、本発明の第３の実施形態によるトップ型パッケージの発光装置の縦断面図である。
図５から明らかなように、トップ型パッケージの発光装置３０は、ディスプレイのバックライトなどに適用される発光装置であって、上述の第１及び第２の実施形態とほとんど同じ構造を有し、単に基板上にリフレクター３１が取り付けられている点で異なる。リフレクター３１は、発光ダイオード６から発せられる光を所望の方向に反射する役割を果たす。
このようなトップ型パッケージの発光装置３０にも、異なる発光ピーク波長を有する３個の発光ダイオード（６、７、８）または４個の発光ダイオード（６、７、８、２１）を実装することができる。そして、異なる発光ピーク波長を有する複数の蛍光体を選択的に、あるいはその配合比を異ならせて混合してなる波長変換手段を得ることが可能である。このような波長変換手段は、リフレクター３１内において各発光ダイオード６上に点在されるか、あるいは、硬化性樹脂からなるモールド部１０に均一に分布される。
図６は、本発明の第４の実施形態によるサイド型パッケージの発光装置の斜視図である。
図６から明らかなように、サイド型パッケージの発光装置４０は、図５のトップ型パッケージの発光装置とほとんど同じ構造を有し、単に極めて薄い直方形の外観をなす点で異なる。その具体的な説明は、図５と結び付けて行われている。
なお、図１〜図６に示す実施形態においては、熱伝導性に優れた金属性材料の基板１を用いることができる。このような構造は、各発光ダイオード６、７、８、２１の作動時に生じる熱を容易に放出することができ、高出力の発光装置が得られる。ここに、別途の放熱板（図示せず）をさらに取り付けると、発光ダイオード６、７、８、２１からの熱をなお一層効率よく放出可能である。
図７は、本発明の第５の実施形態によるランプ型のパッケージの発光装置の縦断面図である。
本実施形態によるランプ型のパッケージの発光装置５０は、一対のリード電極５１、５２を備え、一側のリード電極５１の上端部にダイオードホルダー５３が形成されている。ダイオードホルダー５３はカップ状を有し、その内部に３個の発光ダイオード（６、７、８）または４個の発光ダイオード（６、７、８、２１）が実装される。各発光ダイオード（６、７、８、２１）は、上述の実施形態と同様に、互いに異なる発光ピーク波長を有する。実装された各発光ダイオード（６、７、８、２１）の電極は、他側の電極リード５２と導電性ワイヤー２により接続されている。
カップ状のダイオードホルダー５３の内部には、一定量の波長変換手段３が混合されてなるエポキシ樹脂５４によって覆われている。波長変換手段３もまた、上述の実施形態と同様に、互いに異なる発光ピーク波長を有する蛍光体を選択的に混合してなる。
各蛍光体もまた、該当波長の領域内において特定の発光ピーク波長を有する蛍光体を混合してなることはもちろんである。
そして、発光ダイオード（６、７、８）または発光ダイオード（６、７、８、２１）と波長変換手段３が組み合わせられてなるダイオードホルダー５３の外部は、硬化性樹脂、例えば、エポキシまたはシリコンなどによりモールドされ、モールド部１０が形成されている。
図８は、本発明の第６の実施形態による高出力用のパッケージの発光装置の概略的な縦断面図である。
図８から明らかなように、高出力用のパッケージの発光装置６０は、複数の個別のヒートシンク６１、６２にそれぞれ発光ダイオード（６、７、８）、または発光ダイオード（６、７、８、２１）が実装されており、発光ダイオード（６、７、８）の上面及び側面に波長変換手段３が配置された筐体６３を備える。外部電源が供給される複数のリードフレーム６４が筐体６３の外部に突出されている。
図９は、本発明の第７の実施形態による高出力用のパッケージの発光装置の概略的な縦断面図である。
本実施形態の発光装置７０においては、筐体７３内に単一のヒートシンク７１が収納されて部分的に外部に露出され、一対のリードフレーム７４が外部に突出されている。ヒートシンク７１の上面に発光ダイオード（６、７、８）または発光ダイオード（６、７、８、２１）が実装され、各リードフレーム７４と導電性ワイヤー（図示せず）を介して接続されている。波長変換手段３が発光ダイオード６の上面及び側面に配置されていることはもちろんである。
高出力用のパッケージである第６の実施形態の発光装置６０及び第７の実施形態の発光装置７０においても、ヒートシンク６１、６２、７１と各発光ダイオード（６、７、８、２１）との間の接着部分に波長変換手段３を介在させうることはもちろんである。そして、筐体６３、７３の上部にレンズを設けることもできる。ここで、第７の実施形態の発光装置７０のパッケージは、第６の実施形態の発光装置６０と比較して、その高さを最小化できるという長所がある。
このような高出力用パッケージの発光装置６０、７０において３個の発光ダイオード（６、７、８）を用いる場合、発光ピーク波長が４４０ｎｍ〜５００ｎｍである第１の発光ダイオードと、発光ピーク波長が５００ｎｍ〜５７０ｎｍである第２の発光ダイオード、そして、発光ピーク波長が５７０ｎｍ〜６７０ｎｍである第３の発光ダイオードが選択可能である。
一方、４個の発光ダイオード（６、７、８、２１）を用いる場合、発光ピーク波長が４４０ｎｍ〜５００ｎｍである第１の発光ダイオード、発光ピーク波長が５００ｎｍ〜５７０ｎｍである第２の発光ダイオード、及び発光ピーク波長が５７０ｎｍ〜６７０ｎｍである第３の発光ダイオードの他に、発光ピーク波長が４１０ｎｍ〜４６０ｎｍである第４の発光ダイオードが選択可能である。
これらの場合、すなわち、３個または４個の発光ダイオードを選択した場合、波長変換手段は、発光ピーク波長が４５０ｎｍ〜５２０ｎｍ、５００ｎｍ〜５７０ｎｍ、及び５７０ｎｍ〜６８０ｎｍである蛍光体を選択的に混合して構成可能である。
一方、このような構成の高出力用パッケージの発光装置６０、７０においては、ヒートシンク６１、６２、７１とは別体に、あるいは一体に形成された放熱板（図示せず）を取り付けることが好ましい。これにより、高い入力電源による各発光ダイオードの作動時に、各発光ダイオードから発せられる熱を効率よく放出することができる。放熱板は、空気対流方式あるいはファンなどを用いた強制循環方式により冷却可能であることはもちろんである。
上述の本実施形態の発光装置６０、７０による構成においては、外部から電源が供給されると、各発光ダイオードが該当発光ピーク波長を有する光を１次的に生じさせる。これにより、蛍光体が１次光により励起されながら、それぞれ該当発光ピーク波長の２次光を生じさせる。このとき、各発光ダイオードから発せられる１次光と、各蛍光体により波長変換された２次光が混色されて、該当可視光線波長領域の色が具現される。ここで、蛍光体の配合比を適切に調節することで、ユーザーの希望する色座標の色を容易に具現することができる。
なお、上述の記載及び図示の実施形態においては、３または４個の発光ダイオードが実装されている例についてのみ説明しているが、請求範囲において請求するように、少なくとも１つ以上の発光ダイオードを各実施形態のものに実装させて本発明の目的及び効果を達成できるということはもちろんである。
このような本発明の発光装置は、色温度及び演色性に優れており、ユーザーが要求する色座標値の発光を容易に行えることから、携帯電話やノート型パソコン、そして、各種電子製品のキーボード用やバックライト用に種々に採用でき、特に、自動車及び屋内外の照明用に種々に応用することができる。
本発明の第１の実施形態による発光装置の概略的な縦断面図であって、３個の発光ダイオード及び波長変換手段を備えるチップ型のパッケージの発光装置を示す図である。 本発明の第１の実施形態によるＲＧＢ発光ダイオードとオレンジ色の蛍光体が組み合わせられてなる発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。 本発明の第１の実施形態によるＲＢ発光ダイオードと互いに異なる発光ピーク波長を有する２個の蛍光体及びオレンジ色の蛍光体が組み合わせられてなる発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。 本発明の第２の実施形態による発光装置の概略的な縦断面図であって、４個の発光ダイオード及び波長変換手段を備えるチップ型のパッケージの発光装置を示す図である。 本発明の第３の実施形態によるトップ型パッケージの発光装置の概略的な縦断面図である。 本発明の第４の実施形態によるサイド型パッケージの発光装置の斜視図である。 本発明の第５の実施形態によるランプ型のパッケージの発光装置の概略的な縦断面図である。 本発明の第６の実施形態による高出力用のパッケージの発光装置の概略的な縦断面図である。 本発明の第７の実施形態による高出力用のパッケージの発光装置の概略的な縦断面図である。
符号の説明
１ 基板
２ 導電性ワイヤー
３ 波長変換手段
５ 電極パターン
６、７、８、２１ 発光ダイオード
９ 導電性接着剤
１０ モールド部
１１、２０、３０、４０、５０、６０、７０ 発光装置
３１ リフレクター
５１、５２ リード電極
６１、６２、７１ ヒートシンク

Claims (19)

  1. 青色、緑色、または赤色の波長領域の１次光をそれぞれ発光させるお互い異なる発光ピーク波長を有する少なくとも３個の発光ダイオードと、
    前記１次光を可視光線波長領域内の２次光に波長変換する手段とを備えてなることを特徴とする発光装置。
  2. 前記少なくとも３個の発光ダイオードは、発光ピーク波長が４４０〜５００ｎｍである第１の発光ダイオードと、
    発光ピーク波長が５００〜５７０ｎｍである第２の発光ダイオードと、
    発光ピーク波長が５７０〜６７０ｎｍである第３の発光ダイオードとを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 青色又は青色−緑色の少なくともいずれか一つの波長領域において発光する少なくとも１つの追加の発光ダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 前記追加された発光ダイオードの発光ピーク波長は、４１０〜４６０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記発光ダイオードと前記波長変換する手段が単一のパッケージ内に搭載されることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
  6. 前記波長変換する手段は、単一の蛍光体または複数の蛍光体の組み合わせにより構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
  7. 前記波長変換する手段は、前記発光ダイオードの上面、下面、及び側面の少なくともいずれか一側に配置されるか、または、導電性接着剤を用いて混成されるか、またはモールド部に分布されることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
  8. 前記波長変換する手段は、発光ピーク波長が４５０〜５２０ｎｍである蛍光体と、
    発光ピーク波長が５００〜５７０ｎｍである蛍光体と、
    発光ピーク波長が５７０〜６８０ｎｍである蛍光体と、
    前記これらの蛍光体の組合体の内の少なくとも１つより構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
  9. 前記各々の蛍光体は、該当波長領域内の蛍光体要素の少なくとも１つ以上より構成されることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記単一のパッケージは、基板と、該基板上に実装された少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、該発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段とを備えるチップパッケージとして形成されることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
  11. 前記単一のパッケージは、リフレクターが形成された基板と、該基板上に実装された少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、該発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段を備えるトップパッケージとして形成されることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
  12. 前記基板は、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードから発せられる熱を放出する金属性材質のもので形成されることを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
  13. 前記金属性材質のもので形成された基板に取り付けられる放熱板をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
  14. 前記基板上に前記発光ダイオード及び前記波長変換する手段を封止するモールド部をさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
  15. 前記モールド部に前記波長変換する手段が均一に分布されていることを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。
  16. 前記単一のパッケージは、一対の電極リードと、該一対の電極リードのうち片側に実装された前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段と、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードと前記波長変換する手段を封止するモールド部とを備えるランプパッケージとして形成されることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
  17. 前記単一のパッケージは、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードと、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードの周縁部に配置される波長変換する手段と、前記少なくとも１つ以上の発光ダイオードから発せられる熱を放出するヒートシンクとを備える高出力パッケージとして形成されることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
  18. 前記ヒートシンクからの熱を放出可能に取り付けられる放熱板をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の発光装置。
  19. 前記各発光ダイオードは、シリコンカーバイドまたはサファイアで形成された基板上に窒化物エピタキシャル層を形成してなる構造を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009116743A3 (ko) * 2008-03-21 2009-11-12 (주)루멘스 발광다이오드 패키지
KR20170116211A (ko) * 2009-02-09 2017-10-18 에피스타 코포레이션 발광소자

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050113200A (ko) 2003-02-26 2005-12-01 크리, 인코포레이티드 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
EP2264798B1 (en) 2003-04-30 2020-10-14 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) * 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
DE102004047763A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mehrfachleuchtdiodenanordnung
TWI285442B (en) * 2005-08-29 2007-08-11 Gigno Technology Co Ltd Package structure of light emitting diode
KR100643583B1 (ko) * 2005-11-10 2006-11-10 루미마이크로 주식회사 메탈 ｐｃｂ를 이용한 다색 발광소자 모듈 및 그 제조방법
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
KR100771811B1 (ko) 2005-12-27 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
CN101361411A (zh) * 2006-01-20 2009-02-04 富士通株式会社 芯片部件的安装构造、安装方法以及电子装置
CN101379341B (zh) * 2006-01-31 2012-03-21 皇家飞利浦电子股份有限公司 白光源
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
US7731377B2 (en) * 2006-03-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Backlight device and display device
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
CN102800786B (zh) * 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
EP1850383A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-31 ILED Photoelectronics Inc. Three wavelength light emitting diode
TWI309480B (en) 2006-07-24 2009-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Led packaging structure
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
EP1923922A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-21 Lemnis Lighting IP GmbH Improved led lighting assembly
US7902560B2 (en) 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
DE102006061941A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung und Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung
KR101134996B1 (ko) 2007-07-26 2012-04-09 파나소닉 주식회사 Ｌｅｄ 조명 디바이스
JP2009065137A (ja) * 2007-08-09 2009-03-26 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
US8143777B2 (en) * 2007-08-23 2012-03-27 Stanley Electric Co., Ltd. LED lighting unit with LEDs and phosphor materials
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
KR100935469B1 (ko) * 2007-09-28 2010-01-06 주식회사 와이즈파워 오징어 집어등
KR100891810B1 (ko) * 2007-11-06 2009-04-07 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
KR101429911B1 (ko) * 2007-12-07 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 광원과 이를 이용한 백라이트 유닛
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
JP2009206246A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR100910942B1 (ko) * 2008-03-04 2009-08-05 주식회사 큐레이 세포매개 면역기능이 강화되도록 한 엘이디 광원을 설치하여서 된 광 조사 장치
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
DE102008022888A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Lok-F Gmbh Leuchtvorrichtung
TW201007091A (en) 2008-05-08 2010-02-16 Lok F Gmbh Lamp device
CA2742496A1 (en) * 2008-10-31 2010-06-05 Qray Inc. Light irradiation apparatus equipped with an led light source for reinforcing cell-mediated immune function
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
CN102347431A (zh) * 2010-08-05 2012-02-08 展晶科技(深圳)有限公司 半导体发光二极管组件
TW201310710A (zh) * 2011-08-18 2013-03-01 Alder Optomechanical Corp 發光裝置
EP2637224B1 (en) * 2012-03-09 2019-04-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device, illumination apparatus and system using same
JP6363061B2 (ja) 2012-04-06 2018-07-25 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 白色発光モジュール
EP2650918A1 (en) * 2012-04-10 2013-10-16 Koninklijke Philips N.V. Light emitting module
EP2907169A2 (en) * 2012-10-10 2015-08-19 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
KR102049852B1 (ko) * 2012-11-05 2020-01-08 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 조명 장치 및 그 발광 다이오드 패키지
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
DE102013214235A1 (de) 2013-07-19 2015-01-22 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit Halbleiterlichtquellen und umlaufendem Damm
JP6148395B2 (ja) * 2013-10-02 2017-06-14 ジーエルビーテック カンパニー リミテッド 高演色性白色発光素子
CN103996788A (zh) * 2014-05-21 2014-08-20 广东威创视讯科技股份有限公司 一种显示屏用led器件及其制作方法
KR102162910B1 (ko) * 2014-06-17 2020-10-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN113437054B (zh) * 2014-06-18 2025-01-28 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
TW201616682A (zh) 2014-10-24 2016-05-01 Edison Opto Corp 光線發射裝置
DE102015206972A1 (de) * 2015-04-17 2016-10-20 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul zur Abgabe von Weißlicht
US9853017B2 (en) * 2015-06-05 2017-12-26 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and light emitting device package module
KR101836253B1 (ko) 2015-12-15 2018-03-08 현대자동차 주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 차량용 헤드 램프
EP3417203B1 (en) * 2016-02-23 2020-12-16 MLS Automotive, Inc. Vehicle lighting assembly and method for achieving yellow colored turn signals
US10236425B2 (en) * 2016-03-08 2019-03-19 Glbtech Co., Ltd. White light emitting device having high color rendering
US10017396B1 (en) 2017-04-28 2018-07-10 Eie Materials, Inc. Phosphors with narrow green emission
US10056530B1 (en) * 2017-07-31 2018-08-21 Eie Materials, Inc. Phosphor-converted white light emitting diodes having narrow-band green phosphors
US10177287B1 (en) 2017-09-19 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Gamut broadened displays with narrow band green phosphors
CN108183099B (zh) * 2017-12-21 2021-06-15 厦门市三安光电科技有限公司 一种白光led封装结构以及白光源系统
US20190225151A1 (en) * 2018-01-21 2019-07-25 Oliver Archibald Warlock Vehicle rear lights operational indicator
US10236422B1 (en) 2018-05-17 2019-03-19 Eie Materials, Inc. Phosphors with narrow green emission
US10174242B1 (en) 2018-05-17 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Coated thioaluminate phosphor particles
EP4150681A4 (en) * 2020-05-15 2024-07-31 Lumileds LLC MULTI-COLOR LIGHT SOURCE AND MANUFACTURING PROCESSES
US11409161B2 (en) * 2020-09-25 2022-08-09 Dell Products L.P. Systems and methods for implementing a dual green-blue light-emitting diode with different wavelengths
EP4105986A1 (de) * 2021-06-16 2022-12-21 Siteco GmbH Leuchtmittel zur erzeugung weissen lichts

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050795A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Kansai Tlo Kk ＩｎＧａＮ系発光ダイオード
JP2003515655A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 黄色から赤色を放射する蛍光体を用いる光源
JP2003515956A (ja) * 1999-12-02 2003-05-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｌｅｄ及び蛍光ｌｅｄを含み、白色光を生成するハイブリッド照明システム
WO2003080763A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
JP2003529889A (ja) * 1998-09-28 2003-10-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
JP2004505470A (ja) * 2000-07-28 2004-02-19 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト　フユール　エレクトリツシエ　グリユーラムペン　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器

Family Cites Families (158)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2110162A (en) * 1938-03-08 Luminescent material
US2402760A (en) * 1942-06-27 1946-06-25 Rca Corp Luminescent material
US2617773A (en) 1948-09-10 1952-11-11 Westinghouse Electric Corp Lead activated calcium tungstate phosphor
US2570136A (en) * 1949-12-22 1951-10-02 Du Pont Infrared phosphors
US2719128A (en) 1950-06-21 1955-09-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Luminescent material
US2780600A (en) 1955-01-24 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Lead-and manganese-activated cadmium-sodium fluorophosphate phosphor
US3143510A (en) 1959-06-12 1964-08-04 Philips Corp Copper and tin activated orthophosphate phosphors
US3598752A (en) * 1967-04-14 1971-08-10 Itt Ultraviolet emitting cathodoluminescent material
JPS476258Y1 (ja) 1968-05-17 1972-03-04
BE754982A (fr) 1969-08-21 1971-02-01 Westinghouse Electric Corp Silicogermanate de zinc-magnesium ameliore
NL7013516A (ja) 1970-09-12 1972-03-14
US3644212A (en) 1971-02-18 1972-02-22 Westinghouse Electric Corp Zinc-magnesium silico-germanate phosphor composition and method of preparing same
JPS476258U (ja) 1971-02-18 1972-09-21
JPS4938994A (ja) 1972-08-19 1974-04-11
US3893939A (en) 1973-01-04 1975-07-08 Us Energy Activated phosphors having matrices of yttrium-transition metal compound
US3905911A (en) 1974-09-25 1975-09-16 Gte Sylvania Inc Copper activated hafnium phosphate phosphors and method of making
NL7807274A (nl) 1978-03-10 1979-09-12 Philips Nv Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS55135190A (en) 1979-04-06 1980-10-21 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent substance and its manufacture
NL8201943A (nl) 1982-05-12 1983-12-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPS61258892A (ja) 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPS62197487A (ja) 1986-02-25 1987-09-01 Hitachi Ltd 蛍光体の製造方法
JPS62218476A (ja) 1986-03-18 1987-09-25 Murata Mfg Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
JPH07110941B2 (ja) 1987-10-19 1995-11-29 化成オプトニクス株式会社 発光組成物
US4972086A (en) 1989-02-03 1990-11-20 Eastman Kodak Company X-ray intensifying screen including a titanium activated hafnium dioxide phosphor containing erbium to reduce afterglow
DE69002470T2 (de) 1989-02-07 1994-03-03 Agfa Gevaert Nv Reproduktion von Röntgenbildern mit photostimulierbarem Leuchtstoff.
JPH0578659A (ja) 1991-09-18 1993-03-30 Toshiba Corp 蛍光体および蛍光ランプ
US5518808A (en) 1992-12-18 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
KR940019586A (ko) * 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
TW353678B (en) 1994-08-17 1999-03-01 Mitsubishi Chem Corp Aluminate phosphor
US5472636A (en) 1994-09-14 1995-12-05 Osram Sylvania Inc. Method of preparing manganese and lead coactivated calcium silicate phosphor
KR100426034B1 (ko) 1995-04-14 2004-07-05 가부시키가이샤 도쿄 가가쿠 겐큐쇼 잔광특성을가지는형광체
JPH0940946A (ja) 1995-07-28 1997-02-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho:Kk 残光特性を有する蛍光成形体
DE19539315A1 (de) 1995-10-23 1997-04-24 Hoechst Ag UV-aktive Regeneratcellulosefasern
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5965192A (en) 1996-09-03 1999-10-12 Advanced Vision Technologies, Inc. Processes for oxide based phosphors
DE69627334T2 (de) 1996-10-10 2003-12-11 Agfa-Gevaert, Mortsel Neuer Photostimulierbarer Leuchtstoff
US5853614A (en) * 1996-12-17 1998-12-29 Beijing Hongye Coating Materials Company Long decay luminescent material
JP2000509912A (ja) 1997-03-03 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光発光ダイオード
ES2230623T3 (es) 1997-03-26 2005-05-01 Zhiguo Xiao Material luminiscente de silicato con postluminiscencia de larga duracion y procedimiento de fabricacion del mismo.
JP2992254B2 (ja) 1997-08-11 1999-12-20 北京市豊台区宏業塗装輔料廠 高速励起・高輝度低減衰性発光材料の製造方法
CN1085719C (zh) 1997-11-21 2002-05-29 中国科学院长春应用化学研究所 镝、铅共掺高压汞灯用荧光粉的制备方法
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
JPH11177143A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオードを用いた照明用光源および照明装置
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP2907286B1 (ja) 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
EP1107321A4 (en) * 1999-06-23 2006-08-30 Citizen Electronics LIGHT EMITTING DIODE
KR100355456B1 (ko) 1999-07-30 2002-10-11 한국전자통신연구원 형광 디스플레이용 적색 형광체와 그것의 제조방법
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6565771B1 (en) 1999-10-06 2003-05-20 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for producing aluminate-based phosphor
JP2001115157A (ja) 1999-10-15 2001-04-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 蛍光体およびその製造方法
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
JP3809760B2 (ja) 2000-02-18 2006-08-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
GB0012377D0 (en) 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
JP2002057376A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
TW574343B (en) 2000-06-27 2004-02-01 Sumitomo Chemical Co Method of producing aluminate fluorescent substance, a fluorescent substance and a device containing a fluorescent substance
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
TW459403B (en) 2000-07-28 2001-10-11 Lee Jeong Hoon White light-emitting diode
JP4396016B2 (ja) 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 アルミン酸塩蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置
US7205256B2 (en) * 2000-10-17 2007-04-17 Sharp Kabushiki Kaisha Oxide material, method for preparing oxide thin film and element using said material
KR100392363B1 (ko) 2000-12-26 2003-07-22 한국전자통신연구원 형광체 및 그 제조방법
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
CN1187428C (zh) 2001-02-12 2005-02-02 湖南师范大学 单基双能转光剂及其制造方法和应用方法
JP2002254273A (ja) 2001-02-23 2002-09-10 Mori Seiki Co Ltd 切削工機の制御装置、切削工機及びその切削方法
JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP3891115B2 (ja) 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP4055373B2 (ja) 2001-05-31 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2002368277A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US20030030063A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
DE10137042A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-20 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Planare Lichtquelle auf LED-Basis
US6737681B2 (en) 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP4032682B2 (ja) 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US7189340B2 (en) * 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
EP2017901A1 (en) * 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
US6770398B1 (en) 2001-09-11 2004-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Potassium stabilized manganese dioxide for lithium rechargeable batteries
WO2003030274A1 (en) 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Light-emitting device and its manufacturing method
WO2003034508A1 (fr) 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Dispositif d'emission de lumiere et procede de fabrication de celui-ci
JP2003133595A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプ、これに用いられる赤色蛍光体及びこれに用いられるフィルタ
CN1152114C (zh) 2001-10-26 2004-06-02 中国科学院长春应用化学研究所 蓝紫色、绿色硅铝锌体系长余辉发光材料的制备方法
JP2003152229A (ja) 2001-11-16 2003-05-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
CN1266776C (zh) 2002-01-21 2006-07-26 诠兴开发科技股份有限公司 白色发光二极管的制造方法
TWI243339B (en) * 2002-03-19 2005-11-11 Casio Computer Co Ltd Image reading apparatus and drive control method
JP2003321675A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4280038B2 (ja) 2002-08-05 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
JP2003306674A (ja) 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色ｌｅｄ用蛍光体とそれを用いた白色ｌｅｄ
TW546854B (en) 2002-05-21 2003-08-11 Harvatek Corp White light emitting device
DE10233050B4 (de) 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
JP3978102B2 (ja) 2002-08-29 2007-09-19 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
ATE329479T1 (de) 2002-10-14 2006-06-15 Koninkl Philips Electronics Nv Lichtemittierendes bauelement mit einem eu(ii)- aktivierten leuchtstoff
JP2004134699A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
JP3929885B2 (ja) 2002-12-06 2007-06-13 シーケーディ株式会社 Ｌｅｄ照明装置、ｌｅｄ照明装置の製造装置、及び、ｌｅｄ照明装置の製造方法
DE10259946A1 (de) 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
KR100499079B1 (ko) 2003-02-10 2005-07-01 엘지전자 주식회사 녹색 산화물 형광체
JPWO2004081140A1 (ja) * 2003-03-13 2006-06-15 日亜化学工業株式会社 発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法
US7320531B2 (en) * 2003-03-28 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-colored LED array with improved brightness profile and color uniformity
US7045826B2 (en) 2003-03-28 2006-05-16 Korea Research Institute Of Chemical Technology Strontium silicate-based phosphor, fabrication method thereof, and LED using the phosphor
US20040206970A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
TW200501456A (en) 2003-04-23 2005-01-01 Hoya Corp Light-emitting diode
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US6982045B2 (en) 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
TWI307945B (en) 2003-07-15 2009-03-21 Macroblock Inc A light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diodes and current-driving integrated circuits
US6987353B2 (en) 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP4761734B2 (ja) 2003-08-15 2011-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2005101458A (ja) 2003-09-26 2005-04-14 Sharp Corp 半導体発光装置
TWI263356B (en) 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
KR100586944B1 (ko) 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
KR20050070349A (ko) 2003-12-30 2005-07-07 서울옵토디바이스주식회사 다색 발광 다이오드의 제조 방법
WO2005068584A1 (ja) 2004-01-16 2005-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置ならびに画像表示装置
KR100605211B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) * 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
JP2006012770A (ja) * 2004-05-27 2006-01-12 Hitachi Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた画像表示装置
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR20060004056A (ko) 2004-07-08 2006-01-12 주식회사 지이원 폐모나 폐면, 폐솜을 이용한 섬유볼의 제조방법 및 그제조장치
US7601276B2 (en) 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
JP5081370B2 (ja) 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20070048809A (ko) * 2004-09-07 2007-05-09 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자
KR20040088418A (ko) 2004-09-15 2004-10-16 박재익 삼파장 백색 발광다이오드
JP4836429B2 (ja) 2004-10-18 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP2006173433A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
BRPI0517584B1 (pt) 2004-12-22 2017-12-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd Lighting device
US7138770B2 (en) * 2004-12-27 2006-11-21 Top Union Globaltek Inc. LED driving circuit
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
JP4868499B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-01 独立行政法人産業技術総合研究所 応力発光体とその製造方法およびそれを含む複合材料、並びに応力発光体の母体構造
KR100697822B1 (ko) 2005-06-23 2007-03-20 한국화학연구원 Ｕｖ ｌｅｄ용 스트론튬마그네슘실리케이트계 청색 형광체 및 이의 제조방법
KR100927154B1 (ko) 2005-08-03 2009-11-18 인터매틱스 코포레이션 실리케이트계 오렌지 형광체
WO2007032205A1 (ja) 2005-09-12 2007-03-22 Nitto Denko Corporation 透明導電性フィルム、タッチパネル用電極板およびタッチパネル
KR100666211B1 (ko) 2005-09-22 2007-01-09 한국화학연구원 자외선 및 장파장 여기용 규산염계 형광체
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100626272B1 (ko) 2006-01-20 2006-09-20 씨엠에스테크놀로지(주) 바륨실리케이트계 형광체, 그의 제조 방법, 및 이를 이용한백색 발광소자 및 발광필름
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR20080046789A (ko) 2006-11-23 2008-05-28 인터매틱스 코포레이션 2상 실리케이트계 옐로우 형광체
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
KR101055769B1 (ko) * 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003529889A (ja) * 1998-09-28 2003-10-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
JP2003515655A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 黄色から赤色を放射する蛍光体を用いる光源
JP2003515956A (ja) * 1999-12-02 2003-05-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｌｅｄ及び蛍光ｌｅｄを含み、白色光を生成するハイブリッド照明システム
JP2004505470A (ja) * 2000-07-28 2004-02-19 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト　フユール　エレクトリツシエ　グリユーラムペン　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット
JP2002050795A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Kansai Tlo Kk ＩｎＧａＮ系発光ダイオード
WO2003080763A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009116743A3 (ko) * 2008-03-21 2009-11-12 (주)루멘스 발광다이오드 패키지
KR20170116211A (ko) * 2009-02-09 2017-10-18 에피스타 코포레이션 발광소자
KR102116359B1 (ko) * 2009-02-09 2020-05-29 에피스타 코포레이션 발광소자

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