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JP2007524837A - プローブカードを電気機械テストおよび検証するための装置ならびにその方法 - Google Patents

プローブカードを電気機械テストおよび検証するための装置ならびにその方法 Download PDF

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JP2007524837A JP2006517822A JP2006517822A JP2007524837A JP 2007524837 A JP2007524837 A JP 2007524837A JP 2006517822 A JP2006517822 A JP 2006517822A JP 2006517822 A JP2006517822 A JP 2006517822A JP 2007524837 A JP2007524837 A JP 2007524837A
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Abstract

プローブカード(156)をテストする方法は、プローバ(152)内のプローブカード(156)を、ステージ(159)上に置かれた検証ウエーハ(501)上に配置するステップを包含する。プローブカード(156)は、検証ウエーハ(501)上の接触領域(503)と接触される。検証ウエーハ(501)は、接触領域(503)を囲むショーティングプレーン(502)を含む。テスト信号は、検証ウエーハ(501)を介してプローブカード(156)へ送信される。プローブカード(156)からの応答信号は受信され、分析される。

Description

本発明は、半導体の製造において用いられる装置のテストに関し、さらに詳細には、半導体ウエーハのプローブに用いられるプローブカードのテストに関する。
半導体ダイは、ダイ上の集積回路の信頼性や性能特性を保証するために、製造ステップ中にテストされなければならない。したがって、半導体製造者らによって様々なテスト手順が開発されてきた。全体の機能性に対する標準的なテストは、一般的にウエーハレベルにおいてダイをプローブテストすることによって行われる。ウエーハレベルにおけるプローブテストは、ダイの速度のグレードを求めるのにも用いられ得る。
多数の集積回路チップを並行してウエーハレベルにおいてテストすることは、テストの時間やコストが実質的に低減されるため、大きな利点を提供する。現在、一度に1つのチップをテストするのにさえ、メインフレームコンピュータを含む大規模なテスターが必要であり、チップのアレイを並行してテストする機能を加えるとこれらの機械の複雑さが増してしまう。しかし、時間を節約する並行テストは、同時に導入された多数のチップをプローブしデータを収集することができる、高度なピンカウントテスターを提供し、同時にテストされ得るチップの数が徐々に増えている。
テスト装置の重要な要素は、プローブカードであり、プローブカードは、テストプロセスの間、テストされているウエーハに交互に接続するプローブの数を含む。したがって、プローブカード自体が正確に機能するということはテストプロセスの重要な部分である。
本発明は、当技術の問題および欠点のうちの1つ以上を実質的に解決するウエーハテストプローブカードをテストする方法に関連する。
ステージ上に配置された検証ウエーハ上に、プローバ内のプローブカードを配置するステップを包含する、ウエーハテストプローブカードをテストする方法が提供される。プローブカードは検証ウエーハ上の接触領域と接触される。検証ウエーハは、接触領域を囲むショーティングプレーン(shorting plane)を含む。テスト信号は、検証ウエーハカードからプローブカードへ送信される。プローブカードからの応答信号が受信され、分析される。
別の局面において、ステージ上に配置された未使用(blank)ウエーハ上にプローブ内のプローブカードを配置するステップを包含する、プローブカードをテストする方法が提供される。プローブカードは未使用ウエーハと接触される。プローブカードのプローブは、ステージを用いて未使用ウエーハをX、Y平面内で移動することによって、未使用ウエーハ上にスクラブマークを形成する。未使用ウエーハ上のスクラブマークは、プローブカード上のプローブの位置を決定するために試験される。
本発明のさらなる特徴および利点を、以下の説明において述べる。ただし、さらなる特徴および利点が、以下に述べる説明に基づいたものであり、すなわち、本発明の実行によって理解され得るということは、当業者にとっては自明であろう。本発明の利点は、本発明の、記載の説明、請求項、添付の図面において特に指摘する構造によって理解され、達成されよう。
以上の一般的な説明および以下の詳細な説明は、いずれも例示的かつ説明的なものであり、記載の本発明をさらに説明しようとするものであるという点を理解されたい。
本発明のさらなる理解を与えるために含まれ、本明細書に援用され本明細書の一部を成す添付の図面は、本発明の実施形態を図示し、説明とともに、本発明の原理を説明するため機能する。
ここで、本発明の実施形態を詳細に参照する。本発明の実施形態の例については添付の図面に示す。
本発明は、ウエーハ上の半導体ダイをテストするために半導体ウエーハをプローブすることに適用可能である。
図1および図2は、半導体プローブシステムを示す。正面図を示す図1ならびに側面図を示す図2において示すように、半導体プローブシステムは、2つの通信ケーブル154および155によってプローバ152に接続されたテスター151を含む。ウエーハボート161は、プローバ152内に取り付けられており、複数のウエーハ160を保持している。1つのウエーハ160(一般的に、「テスト中ウエーハ」またはWUTと呼ばれる)は、ロボットアーム158によってステージ159上へ置かれる。プローバ152は通信ケーブル155によってテスター151へ接続される。テストヘッド153は、通信ケーブル154によってテスター151へ接続される。テストヘッド153は、複数のプローブ164への複数の電気接続157を有するプローブカード156を含む。上方へ向くカメラ162と、下方へ向くカメラ163とは、WUT160をステージ159上で位置合わせするために用いられる。また、WUT160がプローブカード156に対して配置される際にテストパッドと共にプローブ164をWUT160上で位置合わせするためにも用いられる。
一般的に、ステージ159は、WUT160上のテストパッドをプローブ164に接触させる際に、WUT160を垂直に(すなわちZ方向に)移動する。テスター151は、テストプロセスを制御する。テスターは、テストデータを生成し、テストデータは、通信ケーブル154を介してテストヘッド153へ送信され、また、ケーブル155を介してプローバ152へ送信される。テスター151は一般的にはコンピュータである。
テストヘッダ153はテスター151からテストデータを受信し、プローブカード156を介してそのテストデータをウエーハ160へ渡す。テストヘッド153は、ウエーハ160によって生成された応答データを受信し、その応答データをテスター151へ送信する。
ステージ159は、テストされるウエーハ160を支持し、垂直および水平に移動する。また、ステージ159は傾斜および回転させることもできる。ステージ159は、テストされるウエーハ160をプローブ164に対して移動する。ウエーハ160をプローブカード156に対して適切に配置するために、プローバ152内の1つ以上のカメラ162および163は、ウエーハ160上とプローブカード156上とにある位置合わせの印を識別する。
ロボットアーム158は、ステージ159とウエーハボート161との間でウエーハ160を移動する。
図3は簡略化したプローブカード162の立面図を示し、図4はその側面図を示す。一般的に、図1および図2に示す、テストヘッド153とプローブカード156との間の電気接続は、プローブカード156上にポゴピンパッド301を接触させるポゴピン157によって成される。図4において、16のポゴピンパッド301が2つずつ対になってプローブカード156の周縁に沿って配置されている。図3にも示すように、16個のビア302はプローブカード156の中央に、二次元の四角形のアレイに配置されており、トレース303を有するパッド301と接続されている。明確にするために、7つのトレース303のみが示されている。この例において、16個のポゴピンパッド301は16個のトレース303を介して16個のビア302へ電気接続される。ビア302は、プローブカード156を介しプローブ164への電気経路を提供する。図3および図4に示すように、トレース303はポゴピンパッド301をビア302へ接続する。図3および図4において、プローブカード156は実際には簡略化された形で示されている。たとえば、代表的なプローブカードは、通常、ポゴピンパッド301と、ビア302と、プローブ164とを数百個有する。さらに、プローブカード156は、一般的に、図4に示す1つ以上の基板401を含む。たとえば、3つの基板を有するプローブカードアセンブリ(PCB、インターポーザ、およびスペーストランスフォーマ)が、米国特許番号第5,974,662号の図5に示されている。これをここに援用する。また、このようなプローブカードアセンブリが、プローブカードアセンブリの基本構造の一般例である。
プローバ152は製造直後のプローブカード156をテストするために用いられ得る。また、プローブカード156が半導体ウエーハをテストするのに用いられる限りは、プローバ152は周期的にプローブカード156をテストするのに用いられ得る。
テストが必要なプローブカード156は、プローバ152上に置かれる。しかし、プローブカード156をテストヘッド153へ接続する、図1および図2に示した電気接続は成されない。(プローバ152はテスター153へ接続される必要はない。)図5および図6に示すような検証ウエーハ501がステージ159上に置かれる。図5および図6に示すように、検証ウエーハ501は、基板601の中央に接触部503を有するショーティングプレーン502を有する。接触部503は、絶縁部504によってショーティングプレーン502から絶縁されている。
図7に示すように、接触部503は、ケーブル506によって1つ以上のテストドライバ505と接続されているが、ケーブルは、たとえばフレックスケーブルまたは同軸ケーブルであり得る。図示していないが、ショーティングプレーン502は接地している。図示したように、検証ウエーハ501は次いでプローブ164と接触するように移動される。プローブ164のうちの1つが検証ウエーハ501の「接触部」503に接触し、その他のプローブ164はショーティングプレーン502に接触する。
図5および図6の基板601は、任意の基板(たとえば、プリント回路基板材料、セラミック材等)であり得る。テストドライバ505への電気相互接続506は、任意の形の電気接続(たとえば同軸ケーブル、フレックスストリップ等)であり得る。
図5および図6の基板601は、また、半導体ウエーハでもあり得る。その場合、基板601の側面の外側へ延びる「経路」を作成するのは困難であり得る。基板601の底部の外側へ延びる「経路」を作成するのはより容易であろう。このような検証ウエーハ501が用いられる場合、ステージ159はその表面に接続手段(たとえば同軸ケーブル)を受けるための穴と、接続手段がステージ159を出てテストドライバ505へ接続するための経路とを含むよう修正され得る(図7のとおり)。
多数のテストが、プローブカード156上で実行され得る。
連続テストは、ポゴピン157とプローブ164との間の経路内にショートまたは開放が存在するか否かを決定する。連続テストは、タイムドメインリフレクトメトリー(「TDR」)をテストドライバとして用いることによって図7のプローブカード156上で実行され得る。TDRドライバはパルスを生成する。ポゴピン157がテストヘッド153に接続されていないため、パルスはテストされるプローブ164(すなわち検証ウエーハ501上の「接触部」503に接触しているプローブ164)から、プローブカード156を介してポゴピン157へ移動し、プローブカード156を介してTDRドライバへ反射する。こにょうな反射が検出される場合、または反射が期待したレベル以下の電圧レベルを有する場合、プローブカード156内のプローブ164とポゴピン157との間にショートが存在する。反射が、パルスが移動しポゴピン157から戻るのに要する時間よりも早く検出される場合、プローブカード156内のプローブ164とポゴピン157との間に開放が存在する。
図8は、このようなテストの間のTDRドライバにおける電圧の例を示す。図示したように、初めに電圧はライン上で操作されているパルスと一致している。パルスがポゴピンパッド301へ移動し、ポゴピンパッド301から移動してくるのに十分な時間の遅延の後に上昇する場合(「A」のとおり)、プローブ164とポゴピンパッド301との間の経路にはショートや開部が存在しない。電圧があまりにも早く上昇する場合(「B」のとおり)、経路内に開部が存在する。電圧が急激に降下する場合(「C」または「D」のとおり)、経路内にショートが存在する。
プローブ164とポゴピン157との間の経路のインピーダンスは、TDRドライバを用いて評価され得る。経路のインピーダンスは、初めのパルスの電圧および反射パルスの電圧から評価され得る。
インピーダンスをよりうまく決定することは、周波数ドメインリフレクトメトリー(FDR)テストドライバを用いることによって得られる。FDRテストにおいて、ラインは特定の周波数を有する周期的な電圧の波形において操作される。ライン上の方向性結合器によって初期の波形がラインを通過することができるが、センサへ反射した波形をそらす。ラインのインピーダンスは、初期の波形と比較した、反射した波形の位相シフトから決定され得る。
一例において、反射パルスの上昇時間(TDRを用いる)は、ラインのバンド幅に関連する(たとえば図8の「A」の勾配)。
電流漏れのテストは、テストドライバに、検証ウエーハ501の「接触部」503に接触するプローブに対して電圧を加えさせることによって実行され得る。テストドライバから得られた電流がプローブ164の漏れ電流である。
電源プローブと接地プローブと(すなわち、電力と、WUT160へのグラウンド接続とを提供するプローブ164)の間の漏れは図7に示す検証ウエーハ501を用いることによって実行され得ず、オフラインで(手動で)実行されなければならない点に留意されたい。これは、これらのテスト中にプローブ164は電源や接地に接続されていないためである。さらに、通常は複数の接地プローブおよび複数の電源プローブが存在し、全ての接地プローブは全ての電源プローブと同じく相互接続されている。したがって、1つの電源プローブが検証ウエーハ501の「接触部」503に接続される場合、他の電源プローブはショーティングプレーン502と接触しており、常に著しい漏れが検出される。
また、平坦性検証テストは検証ウエーハ501上の接触部503がプローブ164と接触する度に、接触が起こった時点におけるステージ159の位置を記録することによって実行され得る。プローブ164との接触との接触は、周期的にパルスをラインに加えるよう設定されたTDRドライバを用いて検出され得る。プローブ164との接触が成されるとすぐに、反射パルスを検出する時間の長さが延長する(たとえば、反射パルスは図8の「B」位置から「A」位置へ移動する)。代替的に、プローブ164との接触は、プローバ内のカメラ162、163を用いる等のその他の方法で検出され得る。各プローブ164との最初の接触におけるステージ159の位置が記録される(手動で、またはプローバ152内のテストおよび動作を制御するソフトウェアによって)。このように、各プローブ164のティップの高さ(すなわち「Z」位置)が決定され得る。
プローブ位置の検証ウエーハテストも実行され得る。プローバ152内のカメラ162、163は、各プローブ164の位置(すなわち「X,Y」位置)を決定し各位置が仕様の範囲内であることを検証するために用いられ得る。
代替的に、検証ウエーハ501の代わりに未使用ウエーハがステージ159上に置かれ得る。ステージ159上の未使用ウエーハは、次いで、プローブ164と接触される。未使用ウエーハは、次いで取り除かれ、(1)「X,Y」位置(すなわちプローブ164が未使用ウエーハとの最初の接触を成した点)が適切な範囲内であるか、また、(2)プローブ164が十分に長いスクラブマークを形成しているか、を決定するために、プローブ164によって形成されたスクラブマークが試験される。
プローバ152は、プローバ152内で温度を制御するための温度制御装置を含み得る。温度制御装置が用いられる場合、上記のテストはプローブカード156の期待の操作温度範囲内における様々な温度において実行され得る。さらに、プローブカード156は「バーンイン(burn in)」であり得る。すなわち、上昇した温度が存在する場合、反復的に、プローブカード156を、潜在する機械的欠点によってプローブ164の欠陥を促進する可能性のある検証ウエーハ501と接触させたり外したりすることができる。
複数のテストドライバが用いられ得るということは自明であろう。使用するテストドライバを選択するために、スイッチ等の多様な手段が用いられ得る。代替的に、それぞれ1つのテストドライバ505に接続された複数の「接触部」503が検証ウエーハ501上に形成され得る。
上記のように、製造直後のプローブカード156をテストするのに加え、本発明は半導体ウエーハをテストするためにプローブカード156を用いる間のプローブカード156の継続的な良い動作を検証するためにも用いられ得る。たとえば、100個毎に半導体ウエーハをテストした後、検証ウエーハ501はプローブカード156の継続的な統合を検証するために用いられ得る。別の例として、半導体ウエーハ上の同位置にあるダイスが欠陥である場合(ウエーハ160でなくプローブカード156の問題を指す)検証ウエーハ501はプローブカード156を再テストするために用いられ得る。
本発明は、さらに、プローブカード156を較正するために用いられ得る。図9は、プローブカード156の較正の一例を示す。テストドライバ505の3つのチャネル901(1)、901(2)、901(3)が図示されている。テスターチャネル901は、テストデータ902をプローバ152へ送信および/または受信する。通常、プローブカード156上の各プローブ164に対し1つのチャネル901が存在する。図9において、特定のパターンを有するテストデータ信号902がテスターチャネル901上に生成され、較正電子部品906にフィードバックされる。較正電子部品906は、フィードバック信号を、テストデータ902と同じパターンを有する較正信号904と比較する。較正電子部品906は、テスターチャネル901(1)〜901(N)において設定可能な遅延903(1)〜903(N)を、フィードバック信号が信号生成装置905によって生成された較正信号904と一致するまで調整する。このプロセスは、次いで、各テスターチャネル901に対し反復される。その後、1つのテスターチャネル901において生成されたテストデータ902が、別のテスターチャネル901において生成されたテストデータ902と同時にプローブ164へ達するように、調整可能な遅延は各テスターチャネル901において調節される。この較正方法は、同時係属で共有にかかる2000年12月29日出願の、米国特許出願第09/752,839号にも述べられており、ここに援用する。
以下に述べるように、また、図10〜19に示すように、相互システム(図10にラベルされず)を介して時間遅延を説明するために、ドライブを正確に調整し、プローブ164のティップにおいて、テスター151のチャネル901の較正遅延を比較することが必要であり得る。ドライブ較正遅延が最初に調整され、次いで比較較正遅延が調整される。
図10は、各チャネル901のドライブ較正遅延を調整するための装置1050をブロック図形式で示す。ドライブ較正装置1050は、テスター151のテストヘッド153の内外に存在する較正ユニット1052と、後にテストされるウエーハ160の代わりに、プロセスの間プローバ152上に存在する較正インサート1004とを含む。ドライブ較正データを特定のテスターチャネル901に対して調整する方法を決定するために、ホストコンピュータ1030は、較正インサート1004の上面上の接触部1056がプローブカード156の下面上の特定のプローブ164に接触するように較正インサート1004を配置するように、プローバ152に信号を出す。
また、ホストコンピュータ1030は、反復的なTEST(テスト)信号パターンをシステムのCLOCK(クロック)信号に応じて生成するように、チャネルの制御とタイミングユニット1046とをプログラムする。TEST信号は、連続するパルス間に一様な周期を有するが、TEST信号パターンの各反復において、連続するTEST信号パルスのエッジ間の時間の間隔は一様でないか、擬似乱数的であり得る。図11は、適切な擬似乱数テスト信号パターンを示す。このTEST信号パターンは、P ns(ナノ秒)周期で反復されるが、各サイクル内のパルスは一様でない、擬似乱数的な幅および間隔を有する。
ホストコンピュータ1030はまた、TEST信号のパターンと類似するパターンを有する基準信号REFを生成するために、基準信号生成装置905(適切には、スペアテスターチャンネル)をプログラムする。図11において示されるように、較正インサートは、TEST信号およびREF信号を比較し、出力MATCH信号を生成する、比較回路1060を含む。比較回路1060のMATCH出力は、TEST信号の振幅が、REF信号のそれとどの程度合致するかを指示する。両方の信号がハイ、もしくはローの場合、MATCH信号はハイである。TEST信号およびREF信号が反対の状態である場合、MATCH信号はローである。比較回路1060は、例えば、XORゲートによって実施され得るが、しかし、TEST信号振幅がREF信号振幅といかに合致するかに依存する、継続的な値の範囲内の任意の位置に、MATCH信号振幅があり得るように、例えば、アナログのマルチプレクサを介して、アナログ回路として、比較回路1060を実施するのが好ましい。
チャンネル901および基準信号生成装置905が、同じCLOCK信号に応じて、類似するパターンを有する、TEST信号およびREF信号を生成するようにプログラムされる一方で、TEST信号およびREF信号は、互いに同一の位相において、比較回路1060に必然的に到達するわけではない。二つの信号の間の位相の差異は、信号パスの長さにおける差異、ならびに、チャンネル901および基準信号生成装置905がCLOCK信号に応じるときの、本来の遅延における差異から生じる。制御およびタイミング回路1046のプログラム可能なドライブ較正遅延903もまた、TEST信号とREF信号との間の位相の差異に影響を与える。較正ユニット1052は、TEST信号とREF信号との間の位相の差異を計測する相互相関データ(CDATA)を提供するために、MTACH信号を処理する。ホストコンピュータ1030は、TEST信号がREF信号と同一の位相であることをCDATAが指示するまで、制御およびタイミング回路1046に較正データ入力を繰り返し調整することによって、テスターチャンネル901のドライブ遅延903を較正する。
図11から図13は、TEST信号とREF信号との間の三つの異なる位相の関係におけるMATCH信号の性質を図示する、簡易タイミング図である。実際、TEST信号、REF信号、およびMATCH信号は、ノイズが多く、敏感であり得、図11から図13において図示される不意のエッジをほとんど有さない。図11、図12、および図13は、TEST信号が個々に3P/16、P/64およびほぼ0ナノ秒、REF信号を遅らせる場合に生成されたMATCH信号を図示する。テスト信号がREF信号の位相に近づくほど、MATCH信号は頻繁にハイであることに注意したい。図13において示されるように、TEST信号が実質的にREF信号と同一の位相にある場合、MATCH信号は、ほとんどの時間、ハイであり、信号の過渡時の短い間のみ、ローである。TEST信号がREF信号と同一の位相に限りなく近づく場合でさえ、TEST信号およびREF信号のノイズや敏感さは、それらに、僅かな異なる時間またはレートにて推移させる。このように、MATCH信号は、TEST信号およびREF信号の推移の間、一部の悪影響を及ぼすスパイク(spike)を有する。
再び図1を参照し、較正ユニット1052は、A/D変換器1064のへ入力を生成するために、MATCH信号を積分する積分回路1062を含む。A/D変換器1064は、積分器1062のアナログ出力を、カウンタ1068によってクロックされるレジスタ1066へのデジタルデータ入力へと変換する。同一のパターンを有するTEST信号およびREF信号を生成するために、制御およびタイミング回路1046、および基準信号生成装置905をプログラムした後、ホストコンピュータは、カウンタ1068および統合器1062をリセットする。次いで、積分器1062は、MATCH信号を統合することを開始し、および、そのアナログ出力である「相互相関」信号CCは、MATCH信号がハイである、TEST信号のそれぞれの期間Pの間に、時間量と釣り合う平均レートでの値において、増加し始める。このように、TEST信号がREF信号と、位相が近ければ近いほど、アナログCC信号の大きさは、さらに迅速に増加するのである。
カウンタ1068が、TEST信号期間の大多数を測る多数のCLOCK信号のサイクルをカウントする場合、それはREADY信号をレジスタ1066に送信し、それを、相互相関信号CCの現在の大きさと釣り合う値である、A/D変換器1064のデジタル出力をロードすることを知らせる。ホストコンピュータ1030はまた、レジスタ1066において最後に格納される相互相関データ(CDATA)の値を読み出すことによって、READY信号に応答する。
図14は、ホストコンピュータ1030が読み出すCDATAの値と、REF信号の位相PHREFと関連するTEST信号PHTESTの位相との関係を図示する。PHTESTがPHREFに接近すると、CDATAは、迅速に最大値まで増加することに注意したい。
図15は、CDATAの値とDDCの値との間の関係を図示し、プログラム可能のドライブ較正データホストコンピュータ1030は、テスターチャンネル901の制御およびタイミング回路1046に、書き込む。ホストコンピュータ1030は、ドライブ較正データを繰り返し調整し、較正ユニット1052をリセットし、および、CDATAが最大値に達する、特定のドライブ較正遅延DDCを決定するために、連続して、数回、較正ユニット1052のCDATA出力を獲得する。ホストコンピュータ1030は、次いで、ドライブ較正遅延903を、そのレベルにセットする。
ホストコンピュータ1030は、次いで、テスターのチャンネル901の第2のものからのTEST信号を搬送するプローブ164のもとで、較正インサート1004のコンタクト1056を位置させることを、プローブ152に合図し、ならびに、REF信号と同一の位相に、第2のテスターチャンネルのTEST信号入力をもたらす特定の遅延を決定するために、全体の反復較正プロセスを繰り返す。それは、テストの間、第1および第2のチャンネルのプログラムデータが、一部のCLOCK信号エッジに同時に関連するTEST信号エッジを生成することを、それに対応するチャンネルに知らせる場合、二つのTEST信号エッジは、それらの個々のプローブ164のティップに到達する。全てのテスターチャンネルにドライブ遅延較正プロセスを繰り返すことによって、ホストコンピュータ1030は、全てのチャンネル901が、それらのTEST信号エッジのタイミングに関して、互いに、ほぼ同期化されることを保証し得る。
較正プロセスの間、TEST信号およびREF信号におけるノイズおよび敏感さが、個々のTEST信号エッジおよびREF信号エッジに関連する位相におけるランダム変化を、たとえ生じさせたとしても、上記の較正方法は、チャンネルのTEST信号エッジのタイミングと、協働する。較正ユニット1052のCDATA出力が多くのTEST信号サイクルを介して、TEST信号とREF信号との間の平均的な位相関係を表すゆえに、ノイズや敏感さのために生じる、位相における小さな変化は、自動的になくなる。
上記されたように、較正プロセスの間に生成されるTEST信号およびREF信号のパルスは、擬似ランダムの間隔や幅である必要はなく、それらは、統一したパルス間隔および幅を有する、単純な周期的な波形であり得る。しかしながら、テストの間に生成され得たTEST信号は、幅広い周波数範囲を有し得、テスト用のICへTEST信号を搬送する単一のパスの継続的な遅延は周波数依存であり得る。ITは、それゆえ、擬似ランダム間隔を使用するのが好ましい。なぜならば、擬似ランダムパルスのシーケンスの周波数スペクトルは、単純な周期的な波形のそれよりも、はるかに平らであり、そのドライブ較正の結果は、ほとんど周波数に依存しないというものである。
TEST信号のタイミングと協働するように、ホストコンピュータ1030が、全てのチャンネル901のドライブ較正データを調整した後で、ホストコンピュータの次なるステップは、全てのチャンネル901の比較較正データを適切に調整することである。プログラムデータは、制御およびタイミング回路1046に、テストサイクルの開始に続く特定の遅延を有するTEST信号の状態を変化させることを知らせる場合、TEST信号状態変化は、同時に生じると考えられる。それゆえ、制御およびタイミング回路1046は、テストサイクルの間、正しい時間にて、ウエーハ160(図には示されていない)上にあるテストに到達するため、TEST信号波フロントのために必要な時間猶予を可能にするために、TEST信号の状態を少し早めに変化させることを、ドライバ1040に、合図する。上記のように、ホストコンピュータ1030が全てのチャンネル901のためのドライブ較正データを調整する場合、次いで、チャンネル901の全ては、それらがそのようにプログラムされた場合、同時に、それらの個々のテストパッドへ、TEST信号エッジを搬送する。
ホストコンピュータ1030は、ここで、チャンネルがTEST信号状態変化のために使用するのと同じように、FAIL信号サンプリングのための、同じ関連するタイミングをしようする、それぞれのチャンネル901のための比較較正データを適切に調整する。テストタイミングは、テストパッドにて生じるTEST信号およびRESPONSE信号のイベントに参照される。このように、テストプログラムデータは、チャンネル901が、テストサイクルの開始後のTナノ秒後に、RESPONSE信号がEXPECT信号と合致するかどうかを決定することを指示する場合、そのチャンネルの取得システム44は、実際に、RESPONSE信号がテストパッドから比較器42へ進行するのに必要である時間を可能にするために、少し後で、FAIL信号をサンプルする。これはまた、比較器42、比較器43、および取得システム44が、FAIL信号を生成およびサンプルするために必要とされる時間を可能とする。
全てのチャンネルのテスト信号のタイミングが適切に計算されると、ホストコンピュータ1030は、それぞれのチャンネルの比較較正データを調整する。図16において示されるように、較正インサート1054は、伝導体1603によってリンクされるパッド1601およびパッド1602の追加の対を含む。較正インサート1054が、そのプローブ164がパッド1601およびパッド1602に接触するように、位置される場合に、伝導体1603は、チャンネル901(1)およびチャンネル901(2)などのような二つのチャンネルをリンクする。このように、チャンネル901(1)のTEST信号出力は、チャンネル901(2)へ入力されるRESPONSE信号になる。ホストコンピュータ1030は、テストサイクルの開始後のTナノ秒後に、TEST信号におけるエッジを生成するために、テスターチャンネル901(1)をプログラムし、および、同じテストサイクルの開始後、Tナノ秒後に、次期RESPONSE信号をサンプルするために、テスターチャンネル901(2)をプログラムする。次いで、テスターチャンネル901(2)の比較較正遅延903(2)(図10を参照)が適切に調整された場合、サンプルFAIL信号は、チャンネルのタイミング分解能能力によって許可されるRESPONSE信号エッジに限りなく接近するRESPONSE信号上の位置の状態を表す。
図17から図19は、比較較正プロセスの間の、CLOCK信号、TEST信号、FAIL(欠陥)信号、および、COMPARE(比較)信号らの間のタイミング関係を図示する。T2−T1=Tナノ秒である場合に、T2の時間において、TEST信号エッジをパッド70へ送ることによって、T1の時間において到達するそれぞれのCLOCK信号エッジに応じるように、ホストコンピュータ1030がテスターチャンネル901(1)をプログラムする場合、FAIL信号は、CLOCK信号エッジに続いて、T3(図17)の時間における状態を変化させる。遅延T2−T1および遅延T3−T1は固定され、比較較正プロセスの間、変化しない。ホストコンピュータ1030はまた、プログラム可能なCOMPARE信号遅延である、NのDCDを有するように、チャンネル901(2)をプログラムする場合、COMPARE信号の全体の遅延T4−T1はDCDの合計であり、および、制御およびタイミング回路1046の継続的な較正遅延である。チャンネル901(2)の受信によって生成される、サンプルされたFAILデータが、図17において示されるように、COMPARE信号エッジがFAILエッジの次に来ることを指示する場合は、ホストコンピュータ1030は、COMPARE信号エッジを進めるために、チャンネル901(2)の比較較正遅延DCDを減少させる。逆に、チャンネル901(2)の受信によって生成される、サンプルされたFAILデータが、図18において示されるように、COMPARE信号エッジがFAILエッジを先行することを指示する場合は、ホストコンピュータ1030は、COMPARE信号エッジを遅らせるために、受信チャンネル901(2)の比較較正遅延DCDを増加させる。限りなく近づいたCOMPARE信号エッジが、図19において図示されるように、T3の時間において、FAIL信号エッジと一致する場合、受信チャンネル901の比較較正プロセスは終了する。
較正インサート1004は、ホストコンピュータ1030が、比較較正データを適切に調整するために同様の手順を使用することができるように、他のテスターチャンネル901(1)、901(3)から901(N)のそれぞれが他のチャンネルのTEST信号出力を受信させるために配置された接触部1601および接触部1602に類似した、他の相互接続された接触部を適切に含む。
形式および詳細における様々な変化は、添付された請求項において規定されたように、本発明の趣旨および範囲から逸れることなく、そこにおいてなされ得ることは当業者にとって明らかであろう。このように、本発明の広がりおよび範囲は、上記の例示的な実施形態の任意によって限定されないが、続く請求項およびそれらの均等物に従ってのみ、限定され得る。
半導体プローブシステムの正面図を示す。 図1の半導体プローブシステムの側面図を示す。 本発明の一実施形態のプローブカードの立面図を示す。 本発明の一実施形態のプローブカードの側面図を示す。 本発明の一実施形態の検証ウエーハの立面図を示す。 本発明の一実施形態の検証ウエーハの側面図を示す。 検証ウエーハとテスターとの間の接続を示す。 タイムドメインリフレクトメトリープロットの一例を示す。 本発明の一実施形態の、プローバとテスターとの間の接続を示す。 図1のテスターのタイミングを較正する装置のブロック図である。 図10の様々な信号のタイミングの関係を示す、タイミング図である。 図10の様々な信号のタイミングの関係を示す、タイミング図である。 図10の様々な信号のタイミングの関係を示す、タイミング図である。 図10の装置によって生成され、図10のテスト信号と基準信号との間の位相相関関係の量に関連するデータ値のプロットである。 図10の装置によって生成され、図10のテスターのチャネルに与えられた較正データに関連するデータ値のプロットである。 図10のテスターのチャネルのタイミングを較正する装置の一部を示すブロック図である。 反復的な較正プロセスにおける、図10の様々な信号間のタイミングの関係を示す、さらなるタイミング図である。 反復的な較正プロセスにおける、図10の様々な信号間のタイミングの関係を示す、さらなるタイミング図である。 反復的な較正プロセスにおける、図10の様々な信号間のタイミングの関係を示す、さらなるタイミング図である。

Claims (28)

  1. プローブカードをテストする方法であって、該方法は、
    該プローブ内のプローブカードを検証ウエーハ上に配置するステップと、
    該プローブカードを該検証ウエーハ上の接触領域と接触させるステップであって、該検証ウエーハが該接触領域を囲むショーティングプレーンを含む、ステップと、
    テスト信号を、該接触領域を介して該プローブカードへ送信するステップと、
    該検証ウエーハを介して該プローブカードからの応答信号を受信するステップと
    を包含する、方法。
  2. 前記検証ウエーハに取り付けられたケーブルを介して前記応答信号を受信するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  3. 前記プローブカード上のプローブの高さを測定するために前記検証ウエーハを該プローブカードと接触させるときに、該検証ウエーハを介して連続的にテスト信号を送信するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  4. テスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路上で連続テストを実行するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  5. 前記連続テストを実行するためにタイムドメインリフレクトメトリー(TDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項4に記載の方法。
  6. 前記連続テストを実行するために周波数ドメインリフレクトメトリー(FDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項4に記載の方法。
  7. 前記テスト信号を送信するテスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路のインピーダンスを決定するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  8. 前記プローブカード内の漏れ電流をテストするステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  9. 前記プローブカードと前記検証ウエーハとを、該プローブカードのプローブが該検証ウエーハと接触するまで接近させることによって該プローブカードの平坦さを測定するステップと、
    該検証ウエーハの、該検証ウエーハと垂直方向に沿った位置を測定するステップと
    をさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  10. 前記プローブカードのプローブ位置を検証するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  11. 前記プローブカードを複数の接触領域に接触させる前記ステップの間、該プローブカードを前記検証ウエーハ上の該複数の接触領域と接触させるステップと、
    該検証ウエーハ上の該接触領域を介し、該プローブカードへテスト信号を送信するステップと、
    該プローブカードから応答信号を受信するステップと
    をさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  12. プローブカードをテストする方法であって、該方法は、
    プローバ内にプローブを有する該プローブカードを未使用ウエーハ上に配置するステップと、
    該プローブカードを該未使用ウエーハと接触させるステップと、
    該未使用ウエーハをX、Y平面内で移動することによって、該プローブを用いて該未使用ウエーハ上にスクラブマークを形成するステップと、
    該プローブの位置を決定するために該未使用ウエーハ上の該スクラブマークを試験するステップと
    を包含する、方法。
  13. プローブカードをテストする方法であって、該方法は、
    検証ウエーハをプローバ内に置くステップであって、該検証ウエーハが、接触領域と、該接触領域を囲むショーティングプレーンと、テスターとの電気接触とを有する、ステップと、
    該プローブ内の該プローブカードを該検証ウエーハ上に配置するステップと、
    該プローブカードを該接触領域と接触させるステップと、
    該テスター内でテスト信号を生成するステップと、
    該接触領域を介して該テスト信号を該プローブカードへ送信するステップと、
    該電気接続を介して該プローブカードからの応答信号を受信するステップと
    を包含する、方法。
  14. 前記電気接続が、前記検証ウエーハに取り付けられたケーブルを含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記プローブカード上のプローブの高さを測定するために前記検証ウエーハを該プローブカードと接触させるときに、該検証ウエーハを介して連続的にテスト信号を送信するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
  16. テスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路上で連続テストを実行するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
  17. 前記連続テストを実行するためにタイムドメインリフレクトメトリー(TDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項16に記載の方法。
  18. 前記連続テストを実行するために周波数ドメインリフレクトメトリー(FDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項16に記載の方法。
  19. テスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路のインピーダンスを決定するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
  20. 前記プローブカード内の漏れ電流をテストするステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
  21. 前記プローブカードと前記検証ウエーハとを、該プローブカードのプローブが該検証ウエーハと接触するまで接近させることによって該プローブカードの平坦さを測定するステップと、
    該検証ウエーハの、該検証ウエーハと垂直方向に沿った位置を測定するステップと
    をさらに包含する、請求項13に記載の方法。
  22. 前記プローブカードのプローブ位置を検証するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
  23. 前記プローブカードを複数の接触領域に接触させる前記ステップの間、該プローブカードを前記検証ウエーハ上の該複数の接触領域と接触させるステップと、
    該検証ウエーハ上の該接触領域を介し、該プローブカードへテスト信号を送信するステップと、
    該プローブカードから応答信号を受信するステップと
    をさらに包含する、請求項13に記載の方法。
  24. プローブカードをテストするシステムであって、該システムは、
    検証ウエーハを少なくとも垂直方向に移動する手段を有する、プローバと、
    移動手段上に配置され、ショーティングプレーンによって囲まれた接触領域を有する、検証ウエーハと、
    該接触領域からテスト信号生成装置への電気接続と
    を備え、該テスト信号生成装置によって生成された信号が、テスト中のプローブカード上プローブへ送信される、システム。
  25. 前記検証ウエーハが、テスト中の前記プローブカード上の複数のプローブをテストするために、前記ショーティングプレーンによって囲まれた複数の接触領域を含む、請求項24に記載のシステム。
  26. 前記電気接触が、同軸ケーブルおよびフレックスケーブルのうちのいずれかである、請求項24に記載のシステム。
  27. 前記テスト信号生成装置が、タイムドメインリフレクトメトリー装置を含む、請求項24に記載のシステム。
  28. 前記テスト信号生成装置が、周波数ドメインリフレクトメトリー装置を含む、請求項24に記載のシステム。
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WO (1) WO2005005996A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8941403B2 (en) 2011-06-22 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of testing the same

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6232789B1 (en) 1997-05-28 2001-05-15 Cascade Microtech, Inc. Probe holder for low current measurements
US5729150A (en) 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6034533A (en) 1997-06-10 2000-03-07 Tervo; Paul A. Low-current pogo probe card
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6578264B1 (en) 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US6838890B2 (en) 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
DE10143173A1 (de) 2000-12-04 2002-06-06 Cascade Microtech Inc Wafersonde
AU2002327490A1 (en) 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
AU2003233659A1 (en) 2002-05-23 2003-12-12 Cascade Microtech, Inc. Probe for testing a device under test
US6724205B1 (en) 2002-11-13 2004-04-20 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals
US8466703B2 (en) * 2003-03-14 2013-06-18 Rudolph Technologies, Inc. Probe card analysis system and method
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
DE10330043B4 (de) * 2003-06-30 2007-09-27 Infineon Technologies Ag System und Kalibrierverfahren
DE10333101B4 (de) * 2003-07-21 2008-05-21 Qimonda Ag Kalibrierungseinrichtung für die Kalibrierung eines Testerkanals einer Testereinrichtung, Testersystem und Verfahren zum Kalibrieren eines Testerkanals
US7427868B2 (en) 2003-12-24 2008-09-23 Cascade Microtech, Inc. Active wafer probe
US7368927B2 (en) 2004-07-07 2008-05-06 Cascade Microtech, Inc. Probe head having a membrane suspended probe
US7595629B2 (en) * 2004-07-09 2009-09-29 Formfactor, Inc. Method and apparatus for calibrating and/or deskewing communications channels
DE202005021435U1 (de) 2004-09-13 2008-02-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Doppelseitige Prüfaufbauten
US7525302B2 (en) * 2005-01-31 2009-04-28 Formfactor, Inc. Method of estimating channel bandwidth from a time domain reflectometer (TDR) measurement using rise time and maximum slope
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7449899B2 (en) 2005-06-08 2008-11-11 Cascade Microtech, Inc. Probe for high frequency signals
EP1932003A2 (en) 2005-06-13 2008-06-18 Cascade Microtech, Inc. Wideband active-passive differential signal probe
US7362116B1 (en) 2005-11-09 2008-04-22 Electroglas, Inc. Method for probing impact sensitive and thin layered substrate
KR100805833B1 (ko) * 2006-01-24 2008-02-21 삼성전자주식회사 반도체 테스트 장비의 고장을 검출하기 위한 테스트 장치및 방법
US7355423B2 (en) 2006-05-24 2008-04-08 Micron Technology, Inc. Method for optimizing probe card design
WO2007146285A2 (en) 2006-06-09 2007-12-21 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probe with integral balun
US7443186B2 (en) 2006-06-12 2008-10-28 Cascade Microtech, Inc. On-wafer test structures for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
KR100736680B1 (ko) * 2006-08-10 2007-07-06 주식회사 유니테스트 반도체 소자 테스트 장치의 캘리브레이션 방법
US20080088330A1 (en) * 2006-09-11 2008-04-17 Zhiming Mei Nonconductive substrate with imbedded conductive pin(s) for contacting probe(s)
WO2008044670A1 (fr) * 2006-10-10 2008-04-17 Advantest Corporation Appareil d'étalonnage, procédé de détermination de contact et appareil de test de semi-conducteurs
US20080100323A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Silicon Test Systems, Inc. Low cost, high pin count, wafer sort automated test equipment (ate) device under test (dut) interface for testing electronic devices in high parallelism
US7956628B2 (en) * 2006-11-03 2011-06-07 International Business Machines Corporation Chip-based prober for high frequency measurements and methods of measuring
KR101516828B1 (ko) * 2006-12-19 2015-05-07 루돌프 테크놀로지스 인코퍼레이티드 프로브 카드 분석 시스템 및 방법
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
DE202008013982U1 (de) * 2008-10-20 2009-01-08 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Messsystem zum Bestimmen von Streuparametern
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8564308B2 (en) * 2009-09-30 2013-10-22 Tektronix, Inc. Signal acquisition system having reduced probe loading of a device under test
JP5579547B2 (ja) * 2010-09-07 2014-08-27 株式会社ヨコオ コネクタ接続用検査治具
CN102062847B (zh) * 2010-11-08 2016-04-27 上海集成电路研发中心有限公司 半导体参数测量系统的检测方法
CN102156271B (zh) * 2011-03-15 2015-11-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体参数测量系统的检测方法
US8525168B2 (en) * 2011-07-11 2013-09-03 International Business Machines Corporation Integrated circuit (IC) test probe
US8952711B2 (en) * 2011-10-20 2015-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for probing semiconductor wafers
US20140084956A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Dennis Glenn L. Surell Probe head test fixture and method of using the same
KR102066155B1 (ko) * 2013-03-08 2020-01-14 삼성전자주식회사 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치
CN103197245B (zh) * 2013-03-29 2015-07-15 苏州汇川技术有限公司 伺服电机定子检测装置及工艺
US9417308B2 (en) 2013-07-03 2016-08-16 Stichting Continuiteit Beijert Engineering Apparatus and method for inspecting pins on a probe card
CN104280651B (zh) * 2013-07-10 2018-08-17 晶豪科技股份有限公司 测试系统以及半导体元件
CN104297609B (zh) * 2013-07-19 2017-05-24 瑞昱半导体股份有限公司 判断第一接脚与第二接脚连接状态的检测电路与检测方法
US10451652B2 (en) * 2014-07-16 2019-10-22 Teradyne, Inc. Coaxial structure for transmission of signals in test equipment
CN104101855A (zh) * 2014-07-24 2014-10-15 上海华力微电子有限公司 监控探针卡漏电的方法及探针卡漏电监控系统
KR101650729B1 (ko) * 2014-10-15 2016-08-24 주식회사 에스에이치엘 프로브 카드 검사용 테스트 헤드
KR101665332B1 (ko) * 2014-10-24 2016-10-12 주식회사 에스에이치엘 프로브 카드 검사용 테스트 헤드
US9952254B1 (en) 2014-11-13 2018-04-24 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Grips for testing of electrical characteristics of a specimen under a mechanical load
US9577770B2 (en) * 2015-05-08 2017-02-21 APS Soutions GmbH Method for analyzing the RF performance of a probe card, detector assembly and system for analyzing the RF performance of a probe card
US10768206B2 (en) * 2015-06-24 2020-09-08 Integrated Technology Corporation Loop-back probe test and verification method
TWI661206B (zh) * 2018-01-19 2019-06-01 新加坡商美亞國際電子有限公司 測試用電路板
US10816631B2 (en) * 2018-03-29 2020-10-27 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Probe correction system and method
CN108872917A (zh) * 2018-06-28 2018-11-23 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种用于探针接触类测试设备的测试装置
CN110634840B (zh) 2019-09-24 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法
TWI732326B (zh) * 2019-10-29 2021-07-01 華邦電子股份有限公司 短路探針卡、晶圓測試系統以及晶圓測試系統的故障原因檢測方法
TWI741856B (zh) * 2020-10-27 2021-10-01 鴻勁精密股份有限公司 作業裝置及其應用之作業設備
EP4314847A4 (en) * 2021-03-23 2025-03-05 Nielson Scient Llc Cryogenic probe card
CN113617701A (zh) * 2021-07-31 2021-11-09 东莞市川冈自动化设备有限公司 一种弹簧针阻抗检测机及其工作方法
CN114814527B (zh) * 2022-03-29 2024-11-12 全讯射频科技(无锡)有限公司 一种射频滤波器高精度测试装置和测试补偿方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01318245A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Nec Corp プローブカード検査用治具
JPH02224259A (ja) * 1988-10-05 1990-09-06 Applied Precision Inc 集積回路用プローブカードを検査する方法及び装置
JPH0541421A (ja) * 1990-08-06 1993-02-19 Tokyo Electron Ltd 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置
JPH0541419A (ja) * 1991-08-05 1993-02-19 Matsushita Electron Corp 検査装置の評価方法
JPH06181246A (ja) * 1992-12-14 1994-06-28 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
JPH08288342A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Cascade Microtech Inc プローブ測定ネットワーク評価用システム
JP2001068516A (ja) * 1999-07-22 2001-03-16 Samsung Electronics Co Ltd ウェーハプロービング装置及びこれを用いたウェーハ検査用ニードル校正方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19817763C2 (de) * 1998-04-21 2001-02-15 Texas Instruments Deutschland Verfahren zum Kalibrieren einer Meßvorrichtung
US6239590B1 (en) * 1998-05-26 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems
US6414477B1 (en) * 1999-06-07 2002-07-02 Applied Precision, Inc. Method for optimizing probe card analysis and scrub mark analysis data
US6622103B1 (en) * 2000-06-20 2003-09-16 Formfactor, Inc. System for calibrating timing of an integrated circuit wafer tester
DE10141025B4 (de) * 2001-08-22 2007-05-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von Wafern unter Verwendung eines Kalibrierwafers und zugehöriger Kalibriewafer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01318245A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Nec Corp プローブカード検査用治具
JPH02224259A (ja) * 1988-10-05 1990-09-06 Applied Precision Inc 集積回路用プローブカードを検査する方法及び装置
JPH0541421A (ja) * 1990-08-06 1993-02-19 Tokyo Electron Ltd 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置
JPH0541419A (ja) * 1991-08-05 1993-02-19 Matsushita Electron Corp 検査装置の評価方法
JPH06181246A (ja) * 1992-12-14 1994-06-28 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
JPH08288342A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Cascade Microtech Inc プローブ測定ネットワーク評価用システム
JP2001068516A (ja) * 1999-07-22 2001-03-16 Samsung Electronics Co Ltd ウェーハプロービング装置及びこれを用いたウェーハ検査用ニードル校正方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8941403B2 (en) 2011-06-22 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of testing the same

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