JP2007524837A - プローブカードを電気機械テストおよび検証するための装置ならびにその方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (28)
- プローブカードをテストする方法であって、該方法は、
該プローブ内のプローブカードを検証ウエーハ上に配置するステップと、
該プローブカードを該検証ウエーハ上の接触領域と接触させるステップであって、該検証ウエーハが該接触領域を囲むショーティングプレーンを含む、ステップと、
テスト信号を、該接触領域を介して該プローブカードへ送信するステップと、
該検証ウエーハを介して該プローブカードからの応答信号を受信するステップと
を包含する、方法。 - 前記検証ウエーハに取り付けられたケーブルを介して前記応答信号を受信するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記プローブカード上のプローブの高さを測定するために前記検証ウエーハを該プローブカードと接触させるときに、該検証ウエーハを介して連続的にテスト信号を送信するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- テスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路上で連続テストを実行するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記連続テストを実行するためにタイムドメインリフレクトメトリー(TDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項4に記載の方法。
- 前記連続テストを実行するために周波数ドメインリフレクトメトリー(FDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項4に記載の方法。
- 前記テスト信号を送信するテスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路のインピーダンスを決定するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記プローブカード内の漏れ電流をテストするステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記プローブカードと前記検証ウエーハとを、該プローブカードのプローブが該検証ウエーハと接触するまで接近させることによって該プローブカードの平坦さを測定するステップと、
該検証ウエーハの、該検証ウエーハと垂直方向に沿った位置を測定するステップと
をさらに包含する、請求項1に記載の方法。 - 前記プローブカードのプローブ位置を検証するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記プローブカードを複数の接触領域に接触させる前記ステップの間、該プローブカードを前記検証ウエーハ上の該複数の接触領域と接触させるステップと、
該検証ウエーハ上の該接触領域を介し、該プローブカードへテスト信号を送信するステップと、
該プローブカードから応答信号を受信するステップと
をさらに包含する、請求項1に記載の方法。 - プローブカードをテストする方法であって、該方法は、
プローバ内にプローブを有する該プローブカードを未使用ウエーハ上に配置するステップと、
該プローブカードを該未使用ウエーハと接触させるステップと、
該未使用ウエーハをX、Y平面内で移動することによって、該プローブを用いて該未使用ウエーハ上にスクラブマークを形成するステップと、
該プローブの位置を決定するために該未使用ウエーハ上の該スクラブマークを試験するステップと
を包含する、方法。 - プローブカードをテストする方法であって、該方法は、
検証ウエーハをプローバ内に置くステップであって、該検証ウエーハが、接触領域と、該接触領域を囲むショーティングプレーンと、テスターとの電気接触とを有する、ステップと、
該プローブ内の該プローブカードを該検証ウエーハ上に配置するステップと、
該プローブカードを該接触領域と接触させるステップと、
該テスター内でテスト信号を生成するステップと、
該接触領域を介して該テスト信号を該プローブカードへ送信するステップと、
該電気接続を介して該プローブカードからの応答信号を受信するステップと
を包含する、方法。 - 前記電気接続が、前記検証ウエーハに取り付けられたケーブルを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記プローブカード上のプローブの高さを測定するために前記検証ウエーハを該プローブカードと接触させるときに、該検証ウエーハを介して連続的にテスト信号を送信するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
- テスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路上で連続テストを実行するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
- 前記連続テストを実行するためにタイムドメインリフレクトメトリー(TDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項16に記載の方法。
- 前記連続テストを実行するために周波数ドメインリフレクトメトリー(FDR)を用いるステップをさらに包含する、請求項16に記載の方法。
- テスト信号生成装置と前記プローブカードとの間の信号経路のインピーダンスを決定するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
- 前記プローブカード内の漏れ電流をテストするステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
- 前記プローブカードと前記検証ウエーハとを、該プローブカードのプローブが該検証ウエーハと接触するまで接近させることによって該プローブカードの平坦さを測定するステップと、
該検証ウエーハの、該検証ウエーハと垂直方向に沿った位置を測定するステップと
をさらに包含する、請求項13に記載の方法。 - 前記プローブカードのプローブ位置を検証するステップをさらに包含する、請求項13に記載の方法。
- 前記プローブカードを複数の接触領域に接触させる前記ステップの間、該プローブカードを前記検証ウエーハ上の該複数の接触領域と接触させるステップと、
該検証ウエーハ上の該接触領域を介し、該プローブカードへテスト信号を送信するステップと、
該プローブカードから応答信号を受信するステップと
をさらに包含する、請求項13に記載の方法。 - プローブカードをテストするシステムであって、該システムは、
検証ウエーハを少なくとも垂直方向に移動する手段を有する、プローバと、
移動手段上に配置され、ショーティングプレーンによって囲まれた接触領域を有する、検証ウエーハと、
該接触領域からテスト信号生成装置への電気接続と
を備え、該テスト信号生成装置によって生成された信号が、テスト中のプローブカード上プローブへ送信される、システム。 - 前記検証ウエーハが、テスト中の前記プローブカード上の複数のプローブをテストするために、前記ショーティングプレーンによって囲まれた複数の接触領域を含む、請求項24に記載のシステム。
- 前記電気接触が、同軸ケーブルおよびフレックスケーブルのうちのいずれかである、請求項24に記載のシステム。
- 前記テスト信号生成装置が、タイムドメインリフレクトメトリー装置を含む、請求項24に記載のシステム。
- 前記テスト信号生成装置が、周波数ドメインリフレクトメトリー装置を含む、請求項24に記載のシステム。
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US10/612,235 US6911814B2 (en) | 2003-07-01 | 2003-07-01 | Apparatus and method for electromechanical testing and validation of probe cards |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8941403B2 (en) | 2011-06-22 | 2015-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of testing the same |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6232789B1 (en) | 1997-05-28 | 2001-05-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probe holder for low current measurements |
US5729150A (en) | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
US6034533A (en) | 1997-06-10 | 2000-03-07 | Tervo; Paul A. | Low-current pogo probe card |
US6256882B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6578264B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-06-17 | Cascade Microtech, Inc. | Method for constructing a membrane probe using a depression |
US6838890B2 (en) | 2000-02-25 | 2005-01-04 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
DE10143173A1 (de) | 2000-12-04 | 2002-06-06 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
AU2002327490A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-30 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
AU2003233659A1 (en) | 2002-05-23 | 2003-12-12 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for testing a device under test |
US6724205B1 (en) | 2002-11-13 | 2004-04-20 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for combined signals |
US8466703B2 (en) * | 2003-03-14 | 2013-06-18 | Rudolph Technologies, Inc. | Probe card analysis system and method |
US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
DE10330043B4 (de) * | 2003-06-30 | 2007-09-27 | Infineon Technologies Ag | System und Kalibrierverfahren |
DE10333101B4 (de) * | 2003-07-21 | 2008-05-21 | Qimonda Ag | Kalibrierungseinrichtung für die Kalibrierung eines Testerkanals einer Testereinrichtung, Testersystem und Verfahren zum Kalibrieren eines Testerkanals |
US7427868B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-09-23 | Cascade Microtech, Inc. | Active wafer probe |
US7368927B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-05-06 | Cascade Microtech, Inc. | Probe head having a membrane suspended probe |
US7595629B2 (en) * | 2004-07-09 | 2009-09-29 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for calibrating and/or deskewing communications channels |
DE202005021435U1 (de) | 2004-09-13 | 2008-02-28 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Doppelseitige Prüfaufbauten |
US7525302B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-04-28 | Formfactor, Inc. | Method of estimating channel bandwidth from a time domain reflectometer (TDR) measurement using rise time and maximum slope |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US7449899B2 (en) | 2005-06-08 | 2008-11-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for high frequency signals |
EP1932003A2 (en) | 2005-06-13 | 2008-06-18 | Cascade Microtech, Inc. | Wideband active-passive differential signal probe |
US7362116B1 (en) | 2005-11-09 | 2008-04-22 | Electroglas, Inc. | Method for probing impact sensitive and thin layered substrate |
KR100805833B1 (ko) * | 2006-01-24 | 2008-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 테스트 장비의 고장을 검출하기 위한 테스트 장치및 방법 |
US7355423B2 (en) | 2006-05-24 | 2008-04-08 | Micron Technology, Inc. | Method for optimizing probe card design |
WO2007146285A2 (en) | 2006-06-09 | 2007-12-21 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probe with integral balun |
US7443186B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-10-28 | Cascade Microtech, Inc. | On-wafer test structures for differential signals |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
KR100736680B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2007-07-06 | 주식회사 유니테스트 | 반도체 소자 테스트 장치의 캘리브레이션 방법 |
US20080088330A1 (en) * | 2006-09-11 | 2008-04-17 | Zhiming Mei | Nonconductive substrate with imbedded conductive pin(s) for contacting probe(s) |
WO2008044670A1 (fr) * | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Advantest Corporation | Appareil d'étalonnage, procédé de détermination de contact et appareil de test de semi-conducteurs |
US20080100323A1 (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-01 | Silicon Test Systems, Inc. | Low cost, high pin count, wafer sort automated test equipment (ate) device under test (dut) interface for testing electronic devices in high parallelism |
US7956628B2 (en) * | 2006-11-03 | 2011-06-07 | International Business Machines Corporation | Chip-based prober for high frequency measurements and methods of measuring |
KR101516828B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2015-05-07 | 루돌프 테크놀로지스 인코퍼레이티드 | 프로브 카드 분석 시스템 및 방법 |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
DE202008013982U1 (de) * | 2008-10-20 | 2009-01-08 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Messsystem zum Bestimmen von Streuparametern |
US8410806B2 (en) | 2008-11-21 | 2013-04-02 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
US8564308B2 (en) * | 2009-09-30 | 2013-10-22 | Tektronix, Inc. | Signal acquisition system having reduced probe loading of a device under test |
JP5579547B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2014-08-27 | 株式会社ヨコオ | コネクタ接続用検査治具 |
CN102062847B (zh) * | 2010-11-08 | 2016-04-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体参数测量系统的检测方法 |
CN102156271B (zh) * | 2011-03-15 | 2015-11-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体参数测量系统的检测方法 |
US8525168B2 (en) * | 2011-07-11 | 2013-09-03 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit (IC) test probe |
US8952711B2 (en) * | 2011-10-20 | 2015-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for probing semiconductor wafers |
US20140084956A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Dennis Glenn L. Surell | Probe head test fixture and method of using the same |
KR102066155B1 (ko) * | 2013-03-08 | 2020-01-14 | 삼성전자주식회사 | 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치 |
CN103197245B (zh) * | 2013-03-29 | 2015-07-15 | 苏州汇川技术有限公司 | 伺服电机定子检测装置及工艺 |
US9417308B2 (en) | 2013-07-03 | 2016-08-16 | Stichting Continuiteit Beijert Engineering | Apparatus and method for inspecting pins on a probe card |
CN104280651B (zh) * | 2013-07-10 | 2018-08-17 | 晶豪科技股份有限公司 | 测试系统以及半导体元件 |
CN104297609B (zh) * | 2013-07-19 | 2017-05-24 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 判断第一接脚与第二接脚连接状态的检测电路与检测方法 |
US10451652B2 (en) * | 2014-07-16 | 2019-10-22 | Teradyne, Inc. | Coaxial structure for transmission of signals in test equipment |
CN104101855A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-15 | 上海华力微电子有限公司 | 监控探针卡漏电的方法及探针卡漏电监控系统 |
KR101650729B1 (ko) * | 2014-10-15 | 2016-08-24 | 주식회사 에스에이치엘 | 프로브 카드 검사용 테스트 헤드 |
KR101665332B1 (ko) * | 2014-10-24 | 2016-10-12 | 주식회사 에스에이치엘 | 프로브 카드 검사용 테스트 헤드 |
US9952254B1 (en) | 2014-11-13 | 2018-04-24 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Grips for testing of electrical characteristics of a specimen under a mechanical load |
US9577770B2 (en) * | 2015-05-08 | 2017-02-21 | APS Soutions GmbH | Method for analyzing the RF performance of a probe card, detector assembly and system for analyzing the RF performance of a probe card |
US10768206B2 (en) * | 2015-06-24 | 2020-09-08 | Integrated Technology Corporation | Loop-back probe test and verification method |
TWI661206B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-06-01 | 新加坡商美亞國際電子有限公司 | 測試用電路板 |
US10816631B2 (en) * | 2018-03-29 | 2020-10-27 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Probe correction system and method |
CN108872917A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-23 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种用于探针接触类测试设备的测试装置 |
CN110634840B (zh) | 2019-09-24 | 2021-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法 |
TWI732326B (zh) * | 2019-10-29 | 2021-07-01 | 華邦電子股份有限公司 | 短路探針卡、晶圓測試系統以及晶圓測試系統的故障原因檢測方法 |
TWI741856B (zh) * | 2020-10-27 | 2021-10-01 | 鴻勁精密股份有限公司 | 作業裝置及其應用之作業設備 |
EP4314847A4 (en) * | 2021-03-23 | 2025-03-05 | Nielson Scient Llc | Cryogenic probe card |
CN113617701A (zh) * | 2021-07-31 | 2021-11-09 | 东莞市川冈自动化设备有限公司 | 一种弹簧针阻抗检测机及其工作方法 |
CN114814527B (zh) * | 2022-03-29 | 2024-11-12 | 全讯射频科技(无锡)有限公司 | 一种射频滤波器高精度测试装置和测试补偿方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01318245A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-22 | Nec Corp | プローブカード検査用治具 |
JPH02224259A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-09-06 | Applied Precision Inc | 集積回路用プローブカードを検査する方法及び装置 |
JPH0541421A (ja) * | 1990-08-06 | 1993-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置 |
JPH0541419A (ja) * | 1991-08-05 | 1993-02-19 | Matsushita Electron Corp | 検査装置の評価方法 |
JPH06181246A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
JPH08288342A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Cascade Microtech Inc | プローブ測定ネットワーク評価用システム |
JP2001068516A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-03-16 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハプロービング装置及びこれを用いたウェーハ検査用ニードル校正方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19817763C2 (de) * | 1998-04-21 | 2001-02-15 | Texas Instruments Deutschland | Verfahren zum Kalibrieren einer Meßvorrichtung |
US6239590B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems |
US6414477B1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-07-02 | Applied Precision, Inc. | Method for optimizing probe card analysis and scrub mark analysis data |
US6622103B1 (en) * | 2000-06-20 | 2003-09-16 | Formfactor, Inc. | System for calibrating timing of an integrated circuit wafer tester |
DE10141025B4 (de) * | 2001-08-22 | 2007-05-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen von Wafern unter Verwendung eines Kalibrierwafers und zugehöriger Kalibriewafer |
-
2003
- 2003-07-01 US US10/612,235 patent/US6911814B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
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- 2004-07-01 TW TW093119918A patent/TWI332577B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-04-08 KR KR1020097007243A patent/KR100919882B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01318245A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-22 | Nec Corp | プローブカード検査用治具 |
JPH02224259A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-09-06 | Applied Precision Inc | 集積回路用プローブカードを検査する方法及び装置 |
JPH0541421A (ja) * | 1990-08-06 | 1993-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置 |
JPH0541419A (ja) * | 1991-08-05 | 1993-02-19 | Matsushita Electron Corp | 検査装置の評価方法 |
JPH06181246A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
JPH08288342A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Cascade Microtech Inc | プローブ測定ネットワーク評価用システム |
JP2001068516A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-03-16 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハプロービング装置及びこれを用いたウェーハ検査用ニードル校正方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8941403B2 (en) | 2011-06-22 | 2015-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of testing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1816751A (zh) | 2006-08-09 |
US6911814B2 (en) | 2005-06-28 |
KR100919882B1 (ko) | 2009-09-30 |
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EP1642145A2 (en) | 2006-04-05 |
EP1642145A4 (en) | 2006-08-09 |
EP1642145B1 (en) | 2008-10-08 |
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