[go: up one dir, main page]

KR102066155B1 - 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치 - Google Patents

프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102066155B1
KR102066155B1 KR1020130024747A KR20130024747A KR102066155B1 KR 102066155 B1 KR102066155 B1 KR 102066155B1 KR 1020130024747 A KR1020130024747 A KR 1020130024747A KR 20130024747 A KR20130024747 A KR 20130024747A KR 102066155 B1 KR102066155 B1 KR 102066155B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
substrate
test
probe card
needle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020130024747A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140110440A (ko
Inventor
강상부
임기섭
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020130024747A priority Critical patent/KR102066155B1/ko
Priority to US14/085,945 priority patent/US9599663B2/en
Publication of KR20140110440A publication Critical patent/KR20140110440A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102066155B1 publication Critical patent/KR102066155B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

프로빙 방법에 따르면, 테스트 온도를 갖는 실제 기판의 패드와 프로브 카드의 니들 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위를 설정한다. 상기 프로브 카드에 상기 허용 온도 범위를 부여한다. 상기 니들을 상기 패드에 접촉시킨다. 상기 니들을 통해서 상기 패드로 테스트 전류를 제공하여, 상기 실제 기판을 테스트한다. 따라서, 다층 기판을 테스트 온도까지 가열하거나 냉각시키지 않고, 프로브 카드의 니들과 기판의 패드 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위까지만 다층 기판을 가열하거나 냉각시키므로, 프로브 카드에 테스트 온도 환경을 부여하는 시간을 대폭 단축시킬 수가 있다.

Description

프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치{PROBING METHOD, PROBE CARD FOR PERFORMING THE METHOD, AND PROBING APPARATUS INCLUDING THE PROBE CARD}
본 발명은 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 니들을 이용해서 반도체 기판의 전기적 특성을 검사하는 프로빙 방법, 이러한 프로빙 방법을 수행하기 위한 프로브 카드, 및 이러한 프로브 카드를 이용해서 반도체 기판을 검사하는 프로빙 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판을 검사하는데 프로브 카드가 사용된다. 프로브 카드는 테스트 패턴이 내장된 다층 기판, 및 다층 기판에 설치되어 반도체 기판과 접촉하는 복수개의 니들을 포함한다. 테스터에서 발생된 테스트 전류가 테스트 패턴과 니들들을 통해서 반도체 기판으로 제공되어, 반도체 기판의 전기적 특성을 검사하게 된다. 한편, 반도체 기판은 고온과 저온에서 테스트된다. 따라서, 반도체 기판이 배치된 테스트 챔버에 고온 또는 저온이 선택적으로 부여된다.
반도체 기판과 다층 기판은 서로 다른 열적 변형율들을 갖고 있기 때문에, 니들이 반도체 기판의 패드에 정확하게 접촉하지 않을 수가 있게 된다. 이를 방지하기 위해서, 다층 기판에 테스트 온도를 부여하기 위한 공정이 요구된다.
관련 기술에 따르면, 다층 기판에 테스트 온도를 부여하는 작업을 시간적으로 제어한다. 즉, 다층 기판의 온도가 테스트 온도에 도달할 때까지 소요되는 시간을 미리 산출하여, 상기 소요 시간동안 다층 기판을 가열 또는 냉각시킨다.
그러나, 상기 소요 시간이 너무 길어서, 반도체 기판을 테스트하는 공정에 너무 많은 시간이 소요되는 문제가 있다.
본 발명은 다층 기판에 테스트 온도 환경을 부여하는 시간을 대폭 단축시킬 수 있는 프로빙 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기된 프로빙 방법을 수행하기 위한 프로브 카드를 제공한다.
아울러, 본 발명은 상기된 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치도 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 프로빙 방법에 따르면, 테스트 온도를 갖는 실제 기판의 패드와 프로브 카드의 니들 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위를 설정한다. 상기 프로브 카드에 상기 허용 온도 범위를 부여한다. 상기 니들을 상기 패드에 접촉시킨다. 상기 니들을 통해서 상기 패드로 테스트 전류를 제공하여, 상기 실제 기판을 테스트한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 프로브 카드에 상기 허용 온도 범위를 부여하는 단계는 상기 니들을 더미 기판에 접촉시키는 단계, 및 상기 더미 기판을 통해서 상기 니들로 상기 허용 온도 범위를 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 테스트 온도는 고온이고, 상기 허용 온도 범위는 상기 고온의 테스트 온도보다 낮은 하한 온도를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 테스트 온도는 저온이고, 상기 허용 온도 범위는 상기 저온의 테스트 온도보다 높은 상한 온도를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 프로브 카드는 다층 기판, 복수개의 니들 및 온도 제어 유닛을 포함한다. 다층 기판은 테스트 전류가 흐르는 테스트 패턴을 갖는다. 니들들은 상기 다층 기판에 설치되어 상기 테스트 패턴과 실제 기판 사이를 전기적으로 연결시켜서, 상기 테스트 전류를 상기 실제 기판으로 제공한다. 온도 제어 유닛은 상기 다층 기판에 구비되어, 테스트 온도를 갖는 상기 실제 기판의 패드와 상기 니들 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위를 상기 다층 기판에 부여한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 온도 제어 유닛은 상기 다층 기판에 부착되어 상기 다층 기판의 온도를 감지하는 센서, 및 상기 다층 기판에 설치되어 상기 센서에서 감지된 상기 다층 기판의 온도에 관한 데이터를 처리하는 센서 회로 기판을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 센서는 상기 다층 기판의 중심을 기준으로 동심원 상에 배열된 복수개로 이루어질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 센서들은 균일한 간격을 두고 배열될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 센서는 상기 다층 기판의 상부면과 하부면에 부착될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 프로브 카드는 상기 다층 기판을 지지하는 스티프너(stiffner), 및 상기 스티프너와 상기 다층 기판 사이에 개재된 인쇄회로기판을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 프로빙 장치는 프로브 카드, 테스터 및 테스트 헤드를 포함한다. 프로브 카드는 테스트 전류가 흐르는 테스트 패턴이 내장된 다층 기판, 상기 다층 기판에 설치되어 상기 테스트 패턴과 실제 기판 사이를 전기적으로 연결시켜서 상기 테스트 전류를 상기 실제 기판으로 제공하는 복수개의 니들, 및 상기 다층 기판에 구비되어 테스트 온도를 갖는 상기 실제 기판의 패드와 상기 니들 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위를 상기 다층 기판에 부여하는 온도 제어 유닛을 포함한다. 테스터는 상기 실제 기판을 테스트하기 위한 상기 테스트 전류를 발생시키고, 상기 허용 온도 범위가 설정된다. 테스트 헤드는 상기 테스터와 상기 피검체를 전기적으로 연결시킨다.
예시적인 실시예들에 있어서, 프로빙 장치는 상기 실제 기판을 지지하는 척, 및 상기 척에 내장되어, 상기 실제 기판에 상기 테스트 온도를 부여하고, 상기 다층 기판에 상기 허용 온도 범위를 부여하도록 상기 온도 제어 유닛에 의해 제어되는 온도 조절 부재를 더 포함할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 다층 기판을 테스트 온도까지 가열하거나 냉각시키지 않고, 프로브 카드의 니들과 기판의 패드 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위까지만 다층 기판을 가열하거나 냉각시키므로, 프로브 카드에 테스트 온도 환경을 부여하는 시간을 대폭 단축시킬 수가 있다. 따라서, 반도체 기판을 테스트하는 시간도 크게 단축시킬 수가 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 프로빙 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 프로빙 장치의 온도 센서가 배치된 프로브 카드를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1의 프로빙 장치에서 프로브 카드에 허용 온도 범위를 부여하는 동작을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1의 프로빙 장치를 이용해서 기판을 고온 하에서 프로빙하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 5는 도 1의 프로빙 장치를 이용해서 기판을 저온 하에서 프로빙하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
프로빙 장치
도 1은 본 발명에 따른 프로빙 장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 프로빙 장치의 온도 센서가 배치된 프로브 카드를 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 1의 프로빙 장치에서 프로브 카드에 허용 온도 범위를 부여하는 동작을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 프로빙 장치(100)는 프로브 카드(110), 온도 제어 유닛(120), 테스터(130), 테스트 헤드(140), 척(150) 및 온도 조절 부재(160)를 포함한다.
프로브 카드(110)는 다층 기판(112), 복수개의 니들(114), 스티프너(116) 및 인쇄회로기판(118)을 포함한다. 프로브 카드(110)는 실제 기판(AS)과 전기적으로 접촉하여, 실제 기판(AS)의 전기적 특성을 테스트한다.
다층 기판(112)은 적층된 복수개의 절연 기판들을 포함한다. 본 실시예에서, 절연 기판들은 세라믹 기판을 포함할 수 있다. 테스트 패턴(미도시)들이 다층 기판(112)에 내장된다. 실제 기판(AS)을 테스트하기 위한 테스트 전류가 테스트 패턴을 통해 흐른다. 본 실시예에서, 실제 기판(AS)은 반도체 기판을 포함할 수 있다.
니들(114)들은 다층 기판(112)의 하부면에 배치된다. 니들(114)들은 테스트 패턴에 전기적으로 연결된다. 니들(114)들은 실제 기판(AS)의 패드들과 전기적으로 접촉한다. 따라서, 테스트 전류는 테스트 패턴과 니들(114)들을 통해서 실제 기판(AS)으로 제공된다.
스티프너(116)는 다층 기판(112)의 상부에 배치된다. 스티프너(116)는 다층 기판(112)을 지지한다.
인쇄회로기판(118)은 스티프너(116)와 다층 기판(112) 사이에 개재된다. 인쇄회로기판(118)은 테스트 전류가 흐르는 테스트 회로(미도시)를 갖는다. 따라서, 테스트 회로는 테스트 패턴과 전기적으로 연결된다.
온도 제어 유닛(120)은 프로브 카드(110)의 온도를 제어한다. 본 실시예에서, 온도 제어 유닛(120)은 허용 온도 범위를 프로브 카드(110)에 부여한다. 여기서, 허용 온도 범위는 프로브 카드(110)의 니들(114)과 실제 기판(AS)의 패드 간의 접촉을 보장하는 온도 범위이다. 따라서, 프로브 카드(110)는 허용 온도 범위 이내에 속하는 프로브 온도를 가질 수 있다.
예를 들어서, 실제 기판(AS)을 고온에서 테스트할 경우, 실제 기판(AS)은 온도 조절 부재(160)에 의해 고온으로 가열된다. 반면에, 니들(114)이 실제 기판(AS)의 패드에 접촉하기만 하면 고온 테스트가 수행될 수 있으므로, 프로브 카드(110)는 반드시 상기 고온으로 가열되지 않아도 된다. 따라서, 상기 고온보다는 낮지만 니들(114)과 패드 간의 접촉을 보장하는 하한 온도를 프로브 카드(110)에 부여하기만 하면 된다. 그러므로, 고온 테스트 경우에는, 허용 온도 범위는 하한 온도부터 고온까지이다.
반면에, 실제 기판(AS)을 저온에서 테스트할 경우, 실제 기판(AS)은 온도 조절 부재(160)에 의해 저온으로 냉각된다. 반면에, 니들(114)이 실제 기판(AS)의 패드에 접촉하기만 하면 저온 테스트가 수행될 수 있으므로, 프로브 카드(110)는 반드시 상기 저온으로 냉각되지 않아도 된다. 따라서, 상기 저온보다는 높지만 니들(114)과 패드 간의 접촉을 보장하는 상한 온도를 프로브 카드(110)에 부여하기만 하면 된다. 그러므로, 저온 테스트 경우에는, 허용 온도 범위는 저온부터 상한 온도까지이다.
본 실시예에서, 온도 제어 유닛(120)은 센서(122) 및 센서 회로 기판(124)을 포함한다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 센서(122)는 다층 기판(112)의 상부면과 하부면에 배치된다. 센서(122)는 다층 기판(112)의 중심을 기준으로 동심원 상에 배열된다. 또한, 센서(122)는 균일한 간격을 두고 배열될 수 있다. 이와 같은 배열을 갖는 센서(122)는 다층 기판(112)의 전체 영역들의 온도들을 측정한다.
센서 회로 기판(124)은 다층 기판(112)의 상부면에 배치된다. 센서 회로 기판(124)은 센서(122)에서 감지된 다층 기판(112)의 온도들에 관한 데이터를 처리한다. 본 실시예에서, 센서 회로 기판(124)은 입출력 채널(126)과 센싱 채널(128)을 통해서 테스터(130)에 연결된다. 입출력 채널(126)과 센싱 채널(128)은 다층 기판(112) 내에 형성된다.
테스터(130)는 실제 기판(AS)을 테스트하기 위한 테스트 전류를 발생시킨다. 또한, 테스터(130)는 입출력 채널(126)과 센싱 채널(128)을 통해서 센서 회로 기판(124)에 연결된다. 허용 온도 범위가 테스터(130)에 설정된다.
테스트 헤드(140)는 프로브 카드(110)의 상부에 배치된다. 테스트 헤드(140)는 테스터(130)와 프로브 카드(110)를 전기적으로 연결하여, 테스트 전류를 프로브 카드(110)로 전달한다.
척(140)은 프로브 카드(110)의 하부에 배치된다. 온도 조절 부재(150)는 척(140)의 내부에 배치된다. 실제 기판(AS)은 척(140)의 상부면에 안치되어, 온도 조절 부재(150)에 의해 가열 또는 냉각된다.
본 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 테스트 온도 환경을 실제 기판(AS)과 프로브 카드(110)에 부여하기 위해서, 더미 기판(DS)을 이용한다. 더미 기판(DS)을 척(150) 상에 안치시킨다. 더미 기판(DS)과 니들(114)을 접촉시킨다. 이러한 상태에서, 온도 조절 부재(160)를 이용해서 더미 기판(DS)을 가열하거나 또는 냉각시킨다. 더미 기판(DS)과 접촉된 니들(114)을 통해서 다층 기판(112)도 가열 또는 냉각되어, 프로브 카드(110)에 허용 온도 범위가 부여될 수 있다.
프로빙 방법
도 4는 도 1의 프로빙 장치를 이용해서 기판을 고온 하에서 프로빙하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 단계 ST200에서, 더미 기판(DS)을 척(150) 상에 안치시킨다.
단계 ST202에서, 척(150)을 상승시켜서, 더미 기판(DS)을 프로브 카드(110)의 니들(114)에 접촉시킨다.
단계 ST204에서, 온도 조절 부재(160)가 척(150)을 가열한다. 따라서, 척(150) 상에 안치된 더미 기판(DS)도 가열되어, 더미 기판(DS)에 고온이 부여된다.
또한, 더미 기판(DS)의 열은 더미 기판(DS)과 접촉하고 있는 니들(114)을 통해서 다층 기판(112)으로 전달되어, 다층 기판(112)도 가열된다. 이에 따라, 프로브 카드(110)에 프로브 온도가 부여될 수 있다.
단계 ST206에서, 센서(122)가 다층 기판(112)의 온도를 감지한다. 센서(122)에서 감지된 다층 기판(112)의 온도는 센서 회로 기판(124)을 통해서 테스터(130)로 전송된다.
테스터(130)가 다층 기판(112)의 온도가 테스터(130)에 설정된 허용 온도 범위의 하한 온도 이상인 것을 감지하면, 테스터(130)는 온도 조절 부재(160)를 정지시킨다. 이와 같이, 온도 조절 부재(160)는 다층 기판(112)을 고온까지가 아닌 허용 온도 범위 이내까지만 가열하게 되므로, 고온의 테스트 환경을 부여하는데 소요되는 시간이 대폭 단축될 수 있다.
단계 ST208에서, 고온의 테스트 환경이 조성되면서 프로브 카드(110)의 온도도 허용 온도 범위 이내가 되었으므로, 더미 기판(DS)을 반출시킨다.
단계 ST210에서, 실제 기판(AS)을 척(150) 상에 안치시킨다.
단계 ST212에서, 척(150)을 상승시켜서, 프로브 카드(110)의 니들(114)을 실제 기판(AS)의 패드와 접촉시킨다. 본 실시예에서, 전술한 바와 같이, 허용 온도 범위는 프로브 카드(110)의 니들(114)과 실제 기판(AS)의 패드 간의 접촉을 보장하는 온도 범위이다. 따라서, 비록 프로브 카드(110)의 온도가 고온보다는 낮지만, 프로브 카드(110)의 니들(114)은 실제 기판(AS)의 패드에 정확하게 접촉할 수가 있게 된다.
단계 ST214에서, 테스터(130)로부터 발생된 테스트 전류를 테스트 헤드(140)를 통해서 프로브 카드(110)로 전달한다. 테스트 전류는 니들(114)을 통해서 실제 기판(AS)의 패드로 전달되어, 고온 하에서 실제 기판(AS)의 전기적 특성이 테스트된다.
도 5는 도 1의 프로빙 장치를 이용해서 기판을 저온 하에서 프로빙하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 1 내지 도 3 및 도 5를 참조하면, 단계 ST300에서, 더미 기판(DS)을 척(150) 상에 안치시킨다.
단계 ST302에서, 척(150)을 상승시켜서, 더미 기판(DS)을 프로브 카드(110)의 니들(114)에 접촉시킨다.
단계 ST304에서, 온도 조절 부재(160)가 척(150)을 냉각시킨한다. 따라서, 척(150) 상에 안치된 더미 기판(DS)도 냉각되어, 더미 기판(DS)에 저온이 부여된다.
또한, 더미 기판(DS)의 냉기는 더미 기판(DS)과 접촉하고 있는 니들(114)을 통해서 다층 기판(112)으로 전달되어, 다층 기판(112)도 냉각된다. 이에 따라, 프로브 카드(110)에 프로브 온도가 부여될 수 있다.
단계 ST306에서, 센서(122)가 다층 기판(112)의 온도를 감지한다. 센서(122)에서 감지된 다층 기판(112)의 온도는 센서 회로 기판(124)을 통해서 테스터(130)로 전송된다.
테스터(130)가 다층 기판(112)의 온도가 테스터(130)에 설정된 허용 온도 범위의 상한 온도 이하인 것을 감지하면, 테스터(130)는 온도 조절 부재(160)를 정지시킨다. 이와 같이, 온도 조절 부재(160)는 다층 기판(112)을 저온까지가 아닌 허용 온도 범위 이내까지만 냉각시키게 되므로, 저온의 테스트 환경을 부여하는데 소요되는 시간이 대폭 단축될 수 있다.
단계 ST308에서, 저온의 테스트 환경이 조성되면서 프로브 카드(110)의 온도도 허용 온도 범위 이내가 되었으므로, 더미 기판(DS)을 반출시킨다.
단계 ST310에서, 실제 기판(AS)을 척(150) 상에 안치시킨다.
단계 ST312에서, 척(150)을 상승시켜서, 프로브 카드(110)의 니들(114)을 실제 기판(AS)의 패드와 접촉시킨다. 본 실시예에서, 전술한 바와 같이, 허용 온도 범위는 프로브 카드(110)의 니들(114)과 실제 기판(AS)의 패드 간의 접촉을 보장하는 온도 범위이다. 따라서, 비록 프로브 카드(110)의 온도가 저온보다는 높지만, 프로브 카드(110)의 니들(114)은 실제 기판(AS)의 패드에 정확하게 접촉할 수가 있게 된다.
단계 ST314에서, 테스터(130)로부터 발생된 테스트 전류를 테스트 헤드(140)를 통해서 프로브 카드(110)로 전달한다. 테스트 전류는 니들(114)을 통해서 실제 기판(AS)의 패드로 전달되어, 저온 하에서 실제 기판(AS)의 전기적 특성이 테스트된다.
상술한 바와 같이 본 실시예들에 따르면, 다층 기판을 테스트 온도까지 가열하거나 냉각시키지 않고, 프로브 카드의 니들과 기판의 패드 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위까지만 다층 기판을 가열하거나 냉각시키므로, 프로브 카드에 테스트 온도 환경을 부여하는 시간을 대폭 단축시킬 수가 있다. 따라서, 반도체 기판을 테스트하는 시간도 크게 단축시킬 수가 있게 된다.
삭제
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 ; 프로브 카드 112 ; 다층 기판
114 ; 니들 116 ; 스티프너
118 ; 인쇄회로기판 120 ; 온도 제어 유닛
122 ; 센서 124 ; 센서 회로 기판
130 ; 테스터 140 ; 테스트 헤드
150 ; 척 160 ; 온도 조절 부재

Claims (10)

  1. 테스트 온도를 갖는 실제 기판의 패드와 프로브 카드의 니들 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위를 설정하는 단계;
    상기 실제 기판이 상기 테스트 온도에 도달하기 전에 상기 프로브 카드에 상기 허용 온도 범위에 속하는 프로브 온도를 부여하는 단계;
    상기 프로브 카드가 상기 프로브 온도에 도달한 이후, 상기 니들을 상기 패드에 접촉시키는 단계; 및
    상기 니들을 통해서 상기 패드로 테스트 전류를 제공하여, 상기 실제 기판을 테스트하는 단계를 포함하는 프로빙 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 프로브 카드에 상기 허용 온도 범위를 부여하는 단계는
    상기 니들을 더미 기판에 접촉시키는 단계; 및
    상기 더미 기판을 통해서 상기 니들로 상기 허용 온도 범위를 제공하는 단계를 포함하는 프로빙 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 테스트 온도는 고온이고, 상기 허용 온도 범위는 상기 고온의 테스트 온도보다 낮은 하한 온도를 갖는 프로빙 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 테스트 온도는 저온이고, 상기 허용 온도 범위는 상기 저온의 테스트 온도보다 높은 상한 온도를 갖는 프로빙 방법.
  5. 테스트 전류가 흐르는 테스트 패턴이 내장된 다층 기판;
    상기 다층 기판에 설치되어 상기 테스트 패턴과 실제 기판 사이를 전기적으로 연결시켜서, 상기 테스트 전류를 상기 실제 기판으로 제공하는 복수개의 니들; 및
    상기 다층 기판에 구비되어, 상기 다층 기판이 테스트 온도에 도달하기 전에 상기 테스트 온도를 갖는 상기 실제 기판의 패드와 상기 니들 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위를 상기 다층 기판에 부여하는 온도 제어 유닛을 포함하는 프로브 카드.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 온도 제어 유닛은
    상기 다층 기판에 부착되어, 상기 다층 기판의 온도를 감지하는 센서; 및
    상기 다층 기판에 설치되어, 상기 센서에서 감지된 상기 다층 기판의 온도에 관한 데이터를 처리하는 센서 회로 기판을 포함하는 프로브 카드.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 센서는 상기 다층 기판의 중심을 기준으로 동심원 상에 균일한 간격을 두고 배열된 프로브 카드.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 센서는 상기 다층 기판의 상부면과 하부면에 부착된 프로브 카드.
  9. 테스트 전류가 흐르는 테스트 패턴이 내장된 다층 기판, 상기 다층 기판에 설치되어 상기 테스트 패턴과 실제 기판 사이를 전기적으로 연결시켜서 상기 테스트 전류를 상기 실제 기판으로 제공하는 복수개의 니들, 및 상기 다층 기판에 구비되어 상기 다층 기판이 테스트 온도에 도달하기 전에 상기 테스트 온도를 갖는 상기 실제 기판의 패드와 상기 니들 간의 접촉을 보장하는 허용 온도 범위를 상기 다층 기판에 부여하는 온도 제어 유닛을 포함하는 프로브 카드;
    상기 실제 기판을 테스트하기 위한 상기 테스트 전류를 발생시키고, 상기 허용 온도 범위가 설정된 테스터; 및
    상기 테스터와 상기 실제 기판을 전기적으로 연결시키는 테스트 헤드를 포함하는 프로빙 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 실제 기판을 지지하는 척; 및
    상기 척에 내장되어, 상기 실제 기판에 상기 테스트 온도를 부여하고, 상기 다층 기판에 상기 허용 온도 범위를 부여하도록 상기 온도 제어 유닛에 의해 제어되는 온도 조절 부재를 더 포함하는 프로빙 장치.
KR1020130024747A 2013-03-08 2013-03-08 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치 Active KR102066155B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130024747A KR102066155B1 (ko) 2013-03-08 2013-03-08 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치
US14/085,945 US9599663B2 (en) 2013-03-08 2013-11-21 Probing method, probe card for performing the method, and probing apparatus including the probe card

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130024747A KR102066155B1 (ko) 2013-03-08 2013-03-08 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140110440A KR20140110440A (ko) 2014-09-17
KR102066155B1 true KR102066155B1 (ko) 2020-01-14

Family

ID=51487085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130024747A Active KR102066155B1 (ko) 2013-03-08 2013-03-08 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9599663B2 (ko)
KR (1) KR102066155B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105531593B (zh) * 2013-05-06 2019-05-03 佛姆法克特股份有限公司 用于测试电子器件的探针卡组件
KR102252595B1 (ko) * 2017-04-18 2021-05-17 삼성전자주식회사 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002071718A (ja) 2000-08-25 2002-03-12 Hitachi Ltd 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
US20080186040A1 (en) 2005-12-21 2008-08-07 Formfactor, Inc. Apparatus for testing devices

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6041140U (ja) 1983-08-31 1985-03-23 農業機械化研究所 コンバイン
JPH0641140U (ja) 1992-10-27 1994-05-31 東邦電子株式会社 温度センサーを備えたプローブカード
US7071714B2 (en) 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
JP4659328B2 (ja) 2002-10-21 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 被検査体を温度制御するプローブ装置
US6911814B2 (en) * 2003-07-01 2005-06-28 Formfactor, Inc. Apparatus and method for electromechanical testing and validation of probe cards
JP4589710B2 (ja) 2004-12-13 2010-12-01 株式会社日本マイクロニクス プローバ
JP2006186130A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体検査装置
KR100678480B1 (ko) 2005-07-25 2007-02-02 삼성전자주식회사 프로브 카드, 이 프로브 카드를 갖는 테스트 장치 및, 이테스트 장치를 이용한 테스트 방법
JP5008877B2 (ja) 2006-02-21 2012-08-22 株式会社リコー Ｉｃテスト方法
DE102006022475A1 (de) * 2006-05-13 2007-11-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Ausgleichen einer durch eine Temperaturänderung hervorgerufenen Positionsänderung einer Nadelkarte
JP4936788B2 (ja) 2006-05-16 2012-05-23 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ接触方法
KR20080024002A (ko) 2006-09-12 2008-03-17 삼성전자주식회사 웨이퍼 테스트 장치 및 그의 처리 방법
KR20080053768A (ko) 2006-12-11 2008-06-16 삼성전자주식회사 웨이퍼 척, 이를 구비하는 웨이퍼의 전기적 특성을테스트하는 장치 및 테스트하는 방법
JP4925920B2 (ja) 2007-05-18 2012-05-09 新日本無線株式会社 プローブカード
KR101007939B1 (ko) 2008-07-29 2011-01-14 세크론 주식회사 프로브 카드 가열 방법 및 반도체 웨이퍼 검사 방법
KR101474951B1 (ko) 2009-02-17 2014-12-24 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 장치
JP5889581B2 (ja) 2010-09-13 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002071718A (ja) 2000-08-25 2002-03-12 Hitachi Ltd 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
US20080186040A1 (en) 2005-12-21 2008-08-07 Formfactor, Inc. Apparatus for testing devices

Also Published As

Publication number Publication date
US9599663B2 (en) 2017-03-21
KR20140110440A (ko) 2014-09-17
US20140253154A1 (en) 2014-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6209376B2 (ja) 電気的接続装置
KR100858153B1 (ko) 프로버 및 탐침 접촉 방법
US5124639A (en) Probe card apparatus having a heating element and process for using the same
JP2008128838A (ja) プローブ装置
CN104280573B (zh) 电连接装置
JP2003344498A (ja) 半導体試験装置
JP6418118B2 (ja) 半導体装置の評価装置及び評価方法
TWI822852B (zh) 檢查裝置及檢查方法
TW202226397A (zh) 載置台、檢查裝置及檢查方法
TWI752928B (zh) 檢查輔助具、檢查輔助具套組、及基板檢查裝置
JP2005079253A (ja) 検査方法及び検査装置
JP2008103528A (ja) 半導体装置の検査方法およびプローブカード
KR102066155B1 (ko) 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치
TW201307816A (zh) 在條式測試器之測試下的主動裝置之溫度測量
JP4981525B2 (ja) 半導体検査装置
JP5978992B2 (ja) 電子デバイス用試験装置及び試験方法
JP5008877B2 (ja) Ｉｃテスト方法
JP4999775B2 (ja) プローバ
JP2004266206A (ja) プローバ装置、プローブカードのプリヒート方法およびそのプログラム
JP2009070874A (ja) 検査装置
JP6157270B2 (ja) プローブ装置及びプローブ方法
KR102077062B1 (ko) 프로브 카드 및 이를 포함하는 프로빙 장치
KR100831990B1 (ko) 프로브 카드의 탐침 예열 장치 및 방법
JPH04326540A (ja) プローバ
TW202331870A (zh) 基板載置機構、檢查裝置、及檢查方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130308

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20180131

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20130308

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190521

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20191031

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20200108

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20200109

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221221

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231226

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241226

Start annual number: 6

End annual number: 6