JP2007227882A - 発光ダイオードパッケージとその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードパッケージとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007227882A JP2007227882A JP2006303246A JP2006303246A JP2007227882A JP 2007227882 A JP2007227882 A JP 2007227882A JP 2006303246 A JP2006303246 A JP 2006303246A JP 2006303246 A JP2006303246 A JP 2006303246A JP 2007227882 A JP2007227882 A JP 2007227882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- led
- chip
- package
- esd protection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004512 die casting Methods 0.000 claims description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】ＥＳＤ保護部がＬＥＤパッケージの発光強度および光形状に影響を与えないようにしたＬＥＤパッケージを提供すること。
【解決手段】キャリア、パッケージハウジング、ＬＥＤチップ、および静電気放電保護部（ＥＳＤ保護部）を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージが提供される。パッケージハウジングはキャリアの一部を被覆し、キャリア上にチップ収容空間を提供する。キャリア上に配置し、チップ収容空間内に位置決めしたＬＥＤチップはキャリアに電気的に接続する。キャリア上に配置し、パッケージハウジングで被覆したＥＳＤ保護部はキャリアに電気的に接続する。ＬＥＤチップから出射される光はパッケージハウジングで被覆したＥＳＤ保護部によって吸収されないので、ＬＥＤパッケージは優れた発光強度を有する。さらに、ＬＥＤパッケージの製造方法も提供される。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】キャリア、パッケージハウジング、ＬＥＤチップ、および静電気放電保護部（ＥＳＤ保護部）を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージが提供される。パッケージハウジングはキャリアの一部を被覆し、キャリア上にチップ収容空間を提供する。キャリア上に配置し、チップ収容空間内に位置決めしたＬＥＤチップはキャリアに電気的に接続する。キャリア上に配置し、パッケージハウジングで被覆したＥＳＤ保護部はキャリアに電気的に接続する。ＬＥＤチップから出射される光はパッケージハウジングで被覆したＥＳＤ保護部によって吸収されないので、ＬＥＤパッケージは優れた発光強度を有する。さらに、ＬＥＤパッケージの製造方法も提供される。
【選択図】図２Ａ
Description
この発明は、パッケージ構造とその製造方法に関する。より詳細には、この発明は、ＥＳＤ保護部を隠した発光ダイオードパッケージ（ＬＥＤパッケージ）とその製造方法に関する。
ＬＥＤは長い耐用年数、小さな体積、高い耐衝撃性、低い発熱、低い消費電力などの利点を有するので、電化製品や様々な機器の指示部または光源として広く用いられている。近年、ＬＥＤはマルチカラーおよび高輝度に向けて開発されており、従って、その適用範囲は大型の屋外表示ボードや、交通信号灯などまで拡大されている。将来的には、タングステンのフィラメントランプや水銀灯の代わりに、省電力と環境保護機能の両方を備えた照明光源となることさえ可能である。
図１Ａは、既存のＬＥＤパッケージの概略平面図を示している。図１Ｂは、図１ＡのＬＥＤパッケージのラインＡ−Ａにおける概略断面図を示している。図１Ａと１Ｂを同時に参照すると、既存のＬＥＤパッケージ１００は、リードフレーム１１０、パッケージハウジング１２０、ＬＥＤチップ１３０、ＥＳＤ保護部１４０、複数の接合配線１５０、および被覆材１６０を有する。パッケージハウジング１２０はリードフレーム１１０の一部を被覆し、リードフレーム１１０上にチップ収容空間Ｓを形成する。ＬＥＤチップ１３０とＥＳＤ保護部１４０はリードフレーム１１０上に配置し、チップ収容空間Ｓ内に位置決めする。ＬＥＤチップ１３０とＥＳＤ保護部１４０は各々接合配線１５０を介して、リードフレーム１１０に電気的に接続する。ＥＳＤ保護部はＬＥＤパッケージ内で用いて、ＬＥＤの別の組み立て工程の間、発光ダイオードがＥＳＤ損傷を受けないようにする。さらに、被覆材１６０は、ＬＥＤチップ１３０、ＥＳＤ保護部１４０、および接合配線１５０を被覆する。
既存ＬＥＤパッケージ１００のＬＥＤチップ１３０を電流駆動し光を出射する際、ＬＥＤチップ１３０から出射される光の一部は白色パッケージハウジング１２０によって反射され、透明被覆材１６０からリードフレーム１１０の逆側に出射される。既存のＬＥＤパッケージ１００のＥＳＤ保護部１４０は不透明部材であるので、ＬＥＤチップ１３０を電流駆動し光を出射する際、不透明ＥＳＤ保護部１４０はＬＥＤチップ１３０から出射される光の一部を吸収する。従って、既存のＬＥＤパッケージ１００の発光強度は、不透明ＥＳＤ保護部１４０によって低下する。また、既存のＬＥＤから出射される光の形状は、ダイオードの中心方向の位置によって変形される。
この発明の目的は、ＬＥＤパッケージを提供することである。ＥＳＤ保護部はパッケージハウジング内に埋め込まれ、ＬＥＤパッケージの発光強度および光形状に影響を与えないようにする。
この発明の別の目的はＬＥＤパッケージの製造方法を提供し、パッケージハウジング内にＥＳＤ保護部を埋め込み、ＬＥＤパッケージの発光強度を改善することである。
上記の目的および他の目的を実現するために、この発明は、キャリア、パッケージハウジング、ＬＥＤチップ、およびＥＳＤ保護部を含むＬＥＤパッケージを提供する。パッケージハウジングはキャリアの一部を被覆し、キャリア上にチップ収容空間を形成する。キャリア上に配置し、チップ収容空間内に位置決めしたＬＥＤチップはキャリアに電気的に接続する。キャリア上に配置し、パッケージハウジングで被覆したＥＳＤ保護部はキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部とＬＥＤチップは、例えばキャリアの同一表面上に配置する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部とＬＥＤチップは、例えばキャリアの二つの反対側の面に各々配置する。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤパッケージはさらに少なくとも一本の接合配線を有し、前記接合配線を介してＥＳＤ保護部をキャリアに電気的に接続し、パッケージハウジングは接合配線を被覆する。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤパッケージはさらに複数のバンプを有し、前記バンプを介してＥＳＤ保護部をキャリアに電気的に接続し、パッケージハウジングはバンプを被覆する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部は、ツェナーダイオードチップ、赤色光ＬＥＤチップ、ＳＭＤ型ツェナーダイオードパッケージ、ＳＭＤ型赤色光ＬＥＤパッケージ、コンデンサ、バリスタ、またはサージ吸収器である。
この発明の一実施例では、上記のキャリアは、例えばリードフレームである。
この発明の一実施例では、上記のキャリアは、例えばリードフレームである。さらに、パッケージハウジングは、キャリアの二つの反対側の面の領域の一部を被覆できる。
この発明の一実施例では、上記のキャリアは、例えばパッケージ基板である。
この発明の一実施例では、上記のキャリアは、例えばパッケージ基板である。さらに、パッケージハウジングは、キャリアの片面の領域の少なくとも一部を被覆できる。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤはさらに少なくとも一本の接合配線を有し、前記接合配線を介してＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤはさらに複数のバンプを有し、前記バンプを介してＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤはさらに被覆材を有し、前記被覆材はチップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆できる。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤはさらに蛍光体添加被覆材を有し、前記被覆材はチップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆できる。
この発明の一実施例では、上記のパッケージハウジングの材料は、例えば、プラスチック、金属、または金属酸化物である。
上記の目的および他の目的を実現するために、この発明は、次のステップを含むＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。まず、キャリアを提供し、それからキャリア上にＥＳＤ保護部を配置する。次に、ＥＳＤ保護部をキャリアに電気的に接続し、キャリアに接合したパッケージハウジングを形成し、前記パッケージハウジングはＥＳＤ保護部とキャリアの一部を被覆し、キャリア上にチップ収容空間を形成する。その後、チップ収容空間によって露出させたキャリア上にＬＥＤチップを配置する。それから、ＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部とＬＥＤチップは、例えばキャリアの同一面上に配置する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部とＬＥＤチップは、例えばキャリアの二つの反対側の面上に各々配置する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部は例えばキャリア上に配置し、ＳＭＤ型技術によってキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部は例えばキャリア上に配置し、フリップチップ接合技術によってキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＥＳＤ保護部は、例えば配線接合技術によってキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤチップは例えばキャリア上に配置し、フリップチップ接合技術によってキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤチップは、例えば配線接合技術によってキャリアに電気的に接続する。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤパッケージの製造方法はさらに、ＬＥＤチップとキャリアを電気的に接続するステップの後、被覆材を形成し、チップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆することを含んでいる。
この発明の一実施例では、上記のＬＥＤパッケージの製造方法はさらに、ＬＥＤチップとキャリアを電気的に接続するステップの後、蛍光体添加被覆材を形成し、チップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆することを含んでいる。
以上の観点において、この発明のＬＥＤパッケージとその製造方法はパッケージハウジングを用いて、ＥＳＤ保護部を被覆できる。従って、ＬＥＤチップが光を出射する際、不透明なＥＳＤ保護部はＬＥＤパッケージの発光強度を低下させない。
この発明の上記のおよび他の目的、特徴、および利点を理解可能にするために、図面と共に好ましい実施例を以降で詳しく説明する。
図２Ａは、この発明の第一実施例によるＬＥＤパッケージの概略平面図を示している。図２Ｂは、図２ＡのＬＥＤパッケージのラインＢ−Ｂにおける概略断面図を示している。図２Ａと２Ｂを同時に参照すると、第一実施例のＬＥＤパッケージ２００は、キャリア２１０（例えばリードフレーム）、パッケージハウジング２２０（その材料はプラスチック、金属、または金属酸化物であってもよい）、ＬＥＤチップ２３０、およびＥＳＤ保護部２４０を有する。パッケージハウジング２２０はキャリア２１０の一部を被覆し、キャリア２１０上にチップ収容空間Ｓを形成する。キャリア２１０上に配置し、チップ収容空間Ｓ内に位置決めしたＬＥＤチップ２３０はキャリア２１０に電気的に接続する。さらに、キャリア２１０上に配置し、パッケージハウジング２２０で被覆したＥＳＤ保護部２４０はキャリア２１０に電気的に接続する。
この発明の一実施例では、ＥＳＤ保護部２４０は一方向ＥＳＤ保護部であってもよい。この場合、ＥＳＤ保護部２４０とＬＥＤチップ２３０は、逆向きに並列に接続する。ＬＥＤチップ２３０の両端（陽極と陰極）の間の電圧がＬＥＤチップ２３０の動作電圧を超えない場合、電流はＬＥＤチップ２３０を順方向に流れ光を出射する。この場合、ＬＥＤチップ２３０に逆向きに並列に接続したＥＳＤ保護部２４０は機能しない。これに対して、ＥＳＤ現象が発生すると、ＬＥＤチップ２３０の両端（陽極および陰極）の間の電圧はＬＥＤチップ２３０の破壊電圧を超える。この場合、ＥＳＤ保護部２４０は高電圧静電気を素早く逃がし、ＬＥＤチップ２３０が高電圧静電気による損傷を受けないようにする。
以上の観点では、この発明で用いられるＥＳＤ保護部２４０は、ＬＥＤチップ２３０が順方向および逆方向の静電気によって損傷されないように、通常ＬＥＤチップ２３０に並列に接続した双方向ＥＳＤ保護部であってもよい。
ＬＥＤパッケージ２００のＬＥＤチップ２３０を電流駆動し光を出射する際、ＬＥＤチップ２３０から出射される光の一部は通常白色または光を反射可能な他のパッケージハウジング２２０によって反射され、キャリア２１０の逆側に出射される。しかし、この発明の不透明ＥＳＤ保護部２４０はパッケージハウジング２２０で被覆されるので（つまり、ＥＳＤ保護部２４０はＬＥＤパッケージ２００の外側からは見えないので）、ＬＥＤチップ２３０を電流駆動し光を出射する際、不透明ＥＳＤ保護部２４０はＬＥＤチップ２３０から出射される光を吸収せず、ＬＥＤパッケージ２００の発光強度は影響されない。
特に、この実施例のＥＳＤ保護部２４０とＬＥＤチップ２３０は、キャリア２１０の同一面上に配置できる。図２Ａと２Ｂからわかるように、この実施例のＬＥＤパッケージ２００はさらに、少なくとも一本の接合配線２５０を有する（図２Ａと２Ｂでは三本の接合配線が示されている）。ＥＳＤ保護部２４０とＬＥＤチップ２３０は、接合配線２５０を介して各々キャリア２１０と電気的に接続できる。言い換えると、ＥＳＤ保護部２４０とＬＥＤチップ２３０は配線接合技術によって各々キャリア２１０に電気的に接続される。さらに、この実施例のパッケージハウジング２２０は、ＥＳＤ保護部２４０とキャリア２１０の間を電気的に接続する接合配線２５０を被覆するだけでなく、キャリアの二つの反対側の面２１２と２１４上の領域の一部も被覆する。
ＥＳＤ保護部２４０は、ツェナーダイオードチップ、赤色光ＬＥＤチップ、ＳＭＤ型ツェナーダイオードパッケージ、ＳＭＤ型赤色光ＬＥＤパッケージ、コンデンサ、バリスタ、またはサージ吸収器であってもよい。ＥＳＤ保護部２４０がツェナーダイオードチップまたは赤色光ＬＥＤチップである場合、ＥＳＤ保護部２４０は配線接合またはフリップチップ接合技術によってキャリア２１０に電気的に接続できる。ＥＳＤ保護部２４０がＳＭＤ型ツェナーダイオードチップまたはＳＭＤ型赤色光ＬＥＤチップである場合、ＥＳＤ保護部２４０はハンダペーストを介して、キャリア２１０に直接電気的に接続できる。ＥＳＤ保護部２４０がバリスタである場合、ＥＳＤ保護部２４０の機能は高抵抗保護またはバリスタ保護を提供することである（後者では、バリスタは所定の電圧で伝導性を有する）。便宜上、この発明の以降の部分では、チップ型のＥＳＤ保護部２４０（つまり、ツェナーダイオードチップまたは赤色光ＬＥＤチップ）を一例として説明する。
当然のことながら、第一実施例では、ＬＥＤチップ２３０の接合パッド２３２の位置はＥＳＤ保護部２４０の接合パッド２４２の位置とは異なる。しかし、ＬＥＤチップ２３０とＥＳＤ保護部２４０の形式は、設計要件に従って変更できる。例えばＬＥＤチップ２３０はＥＳＤ保護部２４０の形式を用いることができ、ＥＳＤ保護部２４０はＬＥＤチップ２３０の形式（図示せず）を用いることができる。その上、この実施例では、ＬＥＤパッケージ２００はさらに、チップ収容空間Ｓによって露出させたＬＥＤチップ２３０とキャリア２１０を被覆し、さらにＬＥＤチップ２３０とキャリア２１０の間を電気的に接続する接合配線２５０を被覆する被覆材２６０を有することができる。被覆材２６０は、被覆した素子が外部温度、湿度、および雑音に影響されないようにする。さらに、被覆材２６０に蛍光体を添加でき、ＬＥＤパッケージ２００のＬＥＤチップ２３０が光を出射する際、蛍光体はＬＥＤチップ２３０によって活性化され、別の色の可視光を出射する。従って、ＬＥＤパッケージ２００は、ＬＥＤチップ２３０と蛍光体から出射される光を混合することによって、光混合効果（例えば白色光）を生成できる。
図３を参照すると、この発明の第一実施例によるＬＥＤパッケージの別の種類の概略断面図が示されている。図３のＬＥＤパッケージ２００’は図２のＬＥＤパッケージ２００と同様である。ただし、主な違いは、ＬＥＤパッケージ２００’のキャリア２１０’がパッケージ基板であり、パッケージハウジング２２０’だけがキャリア２１０’の表面２１２’上の領域の一部を被覆することである。便宜上、この実施例の以降の部分ではリードフレームを一例として説明する。
ＬＥＤパッケージ２００の製造方法は、次のように説明される。図４Ａ〜４Ｅは第一実施例によるＬＥＤパッケージの製造方法の概略図を示しており、図４Ａ〜４Ｅは各々概略平面図とラインＢ−Ｂにおける概略断面図を示している。この実施例によるＬＥＤパッケージ２００の製造方法は、次のステップを含んでいる。まず、図４Ａを参照すると、キャリア２１０（リードフレーム）が提供される。リードフレームは、打ち抜き工程またはエッチング工程によって形成できる。リードフレームは通常、ＬＥＤチップ２３０を保持するために用いられる二つのピンを備えている。それから、キャリア２１０上にＥＳＤ保護部２４０を配置する。ＥＳＤ保護部２４０は通常、接合パッド２４２を備え、伝導性被覆材（銀ペースト等）（図示せず）を介してキャリア２１０上に配置できる。次に、ＥＳＤ保護部２４０は、例えば配線接合技術によって、キャリア２１０に電気的に接続できる。従って、ＥＳＤ保護部２４０の両端は、接合配線２５０と伝導性被覆材を介して、キャリア２１０に各々電気的に接続される。
さらに、図４Ｂを参照すると、キャリア２１０に接合したパッケージハウジング２２０を形成し、パッケージハウジング２２０はＥＳＤ保護部２４０とキャリア２１０の一部を被覆し、キャリア２１０上にチップ収容空間Ｓを形成する。第一実施例では、パッケージハウジング２２０は、プラスチック射出成型工程またはダイカスト成型工程による金型（図示せず）によって形成できる。金型の内部キャビティの形状はパッケージハウジング２２０の形状に影響を与えることができ、この実施例のパッケージハウジング２２０の形状は一例として用いられ、この発明を限定するものではない。上記の工程の後、パッケージハウジング２２０はさらに、ＥＳＤ保護部２４０とキャリア２１０の間を電気的に接続する接合配線２５０を被覆できる。
その後、図４Ｃを参照すると、ＬＥＤチップ２３０は、例えばチップ収容空間Ｓによって露出させたキャリア２１０上に、伝導性被覆材（図示せず）を介して配置する。ここで、伝導性被覆材はＬＥＤチップ２３０用の媒体として機能し、キャリア２１０に熱を伝導する。それから、ＬＥＤチップ２３０は、例えば配線接合技術によってキャリア２１０に電気的に接続する。つまり、ＬＥＤチップ２３０は別の二本の接合配線２５０を介して、キャリア２１０に電気的に接続する。第一実施例では、ＥＳＤ保護部２４０とＬＥＤチップ２３０は、例えばキャリア２１０の同一面２１２上に配置する。
キャリア２１０にＬＥＤチップ２３０を電気的に接続する以上のステップの後、図４Ｄを参照すると、第一実施例によるＬＥＤパッケージ２００の製造方法はさらに、例えば塗布法で被覆材２６０を形成することを含んでいる（被覆材２６０には蛍光体を添加できる）。被覆材２６０はチップ収容空間Ｓによって露出させたＬＥＤチップ２３０とキャリア２１０を被覆でき、さらにＬＥＤチップ２３０とキャリア２１０の間を電気的に接続する接合配線２５０を被覆できる。それから、図４Ｅを参照すると、第一実施例によるＬＥＤパッケージ２００の製造方法はさらに、除去および形成のステップを有する。除去の目的は、キャリア２１０上の複数の被覆した最終製品を分離することである。形成の目的は、パッケージハウジング２２０と被覆材２６０から露出したキャリア２１０の一部を所定の形状に形成し、次のレベルの電子機器（図示せず）に電気的に接続可能にすることである。以上のステップによって、ＬＥＤパッケージ２００が形成される。
当然のことながら、図４Ｂに示したように、キャリア２１０に接合したパッケージハウジング２２０を形成するステップは、図４Ａに示した三つのステップの後だけ行うことができる。言い換えると、例えばこの発明の別の実施例による製造方法において、図４Ｃに示したステップは図４Ｂに示したステップの前に行うことができる。つまり、ＬＥＤチップ２３０は、まずチップ収容空間Ｓによって露出させた所定のキャリア２１０上に配置し、それからキャリア２１０に電気的に接続する。その後、キャリア２１０に接合したパッケージハウジング２２０を形成し、パッケージハウジング２２０はＥＳＤ保護部２４０とキャリア２１０の一部を被覆し、キャリア２１０上にチップ収容空間Ｓを形成する。
図５Ａは、この発明の第二実施例によるＬＥＤパッケージの概略平面図を示している。図５Ｂは、図５ＡのＬＥＤパッケージのラインＣ−Ｃにおける概略断面図を示している。図２Ａ、２Ｂ、５Ａ、および５Ｂを同時に参照すると、第二実施例のＬＥＤパッケージ３００と第一実施例のＬＥＤパッケージ２００の主要な違いは、ＬＥＤパッケージ３００がさらに複数のバンプ３７０を有することである。ＥＳＤ保護部３４０はバンプ３７０を介してキャリア３１０に電気的に接続でき、パッケージハウジング３２０はバンプ３７０を被覆する。言い換えると、ＥＳＤ保護部３４０はキャリア３１０上に配置し、フリップチップ接合技術によってキャリア３１０に電気的に接続する。
当然のことながら、第二実施例では、ＬＥＤパッケージ３００のＬＥＤチップ３３０とＥＳＤ保護部３４０は異なる方法でキャリア３１０に電気的に接続されるが、二つの電気的接続方法は設計要件に従って変更できる。例えばＬＥＤチップ３３０はＥＳＤ保護部３４０で用いた電気接続法を用いることもでき、ＥＳＤ保護部３４０はＬＥＤチップ３３０で用いた電気的接続法を用いることもできる（図示せず）。
図６は、この発明の第三実施例によるＬＥＤパッケージの概略断面図を示している。図２Ａ、２Ｂ、および６を参照すると、第三実施例のＬＥＤパッケージ４００と第一実施例のＬＥＤパッケージ２００の間の違いは、ＬＥＤチップ４３０とＥＳＤ保護部４４０が、例えばキャリア４１０の二つの反対側の面４１２と４１４に配置されることである。
以上の観点において、この発明によるＬＥＤパッケージとその製造方法は少なくとも次の利点を有する。
この発明によるＬＥＤパッケージとその製造方法の場合、ＥＳＤ保護部はパッケージハウジングで被覆でき、ＬＥＤチップを電流駆動し光を出射する際、不透明なＥＳＤ保護部がＬＥＤチップから出射される光を吸収せず、ＬＥＤパッケージの発光強度は影響されない。
ＥＳＤ保護部の体積は小さいので、この発明によるＬＥＤパッケージの製造工程において、ＥＳＤ保護部をパッケージハウジングで被覆する際、パッケージハウジングのサイズを調整する必要はない。従って、この発明によるＬＥＤパッケージの製造方法は、製造コストを増大させることなく既存の工程と一体化できる。
この発明は好ましい実施例と共にこれまで開示してきたが、これらはこの発明を限定するものではない。当業者は、この発明の精神および範囲から逸脱することなく、いくつかの修正および変更を行うことができる。従って、この発明の保護範囲は、添付の請求項内にあるものとする。
１００ パッケージ
１１０ リードフレーム
１２０ パッケージハウジング
１３０ チップ
１４０ ＥＳＤ保護部
１５０ 接合配線
１６０ 被覆材
２００ パッケージ
２１０ キャリア
２１２ 表面
２２０ パッケージハウジング
２３０ チップ
２３２ 接合パッド
２４０ ＥＳＤ保護部
２４２ 接合パッド
２５０ 接合配線
２６０ 被覆材
３００ パッケージ
３１０ キャリア
３２０ パッケージハウジング
３３０ ＬＥＤチップ
３４０ ＥＳＤ保護部
３７０ バンプ
４００ パッケージ
４１０ キャリア
４１２ 面
４３０ ＬＥＤチップ
４４０ ＥＳＤ保護部
Ｓ チップ収容空間
１１０ リードフレーム
１２０ パッケージハウジング
１３０ チップ
１４０ ＥＳＤ保護部
１５０ 接合配線
１６０ 被覆材
２００ パッケージ
２１０ キャリア
２１２ 表面
２２０ パッケージハウジング
２３０ チップ
２３２ 接合パッド
２４０ ＥＳＤ保護部
２４２ 接合パッド
２５０ 接合配線
２６０ 被覆材
３００ パッケージ
３１０ キャリア
３２０ パッケージハウジング
３３０ ＬＥＤチップ
３４０ ＥＳＤ保護部
３７０ バンプ
４００ パッケージ
４１０ キャリア
４１２ 面
４３０ ＬＥＤチップ
４４０ ＥＳＤ保護部
Ｓ チップ収容空間
Claims (26)
- キャリアと、
キャリアの一部を被覆し、キャリア上にチップ収容空間を形成するパッケージハウジングと、
キャリア上に配置し、チップ収容空間に位置決めし、キャリアに電気的に接続した発光ダイオード（ＬＥＤ）チップと、
キャリア上に配置し、パッケージハウジングで被覆し、キャリアに電気的に接続した静電気放電保護部（ＥＳＤ保護部）を有するＬＥＤパッケージ。 - キャリアの同一面上に、ＥＳＤ保護部とＬＥＤチップを配置した請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- キャリアの二つの反対側の面に各々、ＥＳＤ保護部とＬＥＤチップを配置した請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- さらに、少なくとも一本の接合配線を有し、前記接合配線を介してＥＳＤ保護部をキャリアに電気的に接続し、パッケージハウジングが接合配線を被覆する請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- さらに、複数のバンプを有し、前記バンプを介してＥＳＤ保護部をキャリアに電気的に接続し、パッケージハウジングがバンプを被覆する請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- ＥＳＤ保護部が、ツェナーダイオードチップ、赤色光ＬＥＤチップ、ＳＭＤ型ツェナーダイオードパッケージ、ＳＭＤ型赤色光ＬＥＤパッケージ、コンデンサ、バリスタ、またはサージ吸収器である請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- キャリアが、リードフレームである請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- パッケージハウジングが、キャリアの二つの反対側の面の領域の一部を被覆する請求項７記載のＬＥＤパッケージ。
- キャリアが、パッケージ基板である請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- パッケージハウジングが、キャリアの片面の領域の少なくとも一部を被覆する請求項９記載のＬＥＤパッケージ。
- さらに、少なくとも一本の接合配線を有し、前記接合配線を介してＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続した請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- さらに、複数のバンプを有し、前記バンプを介してＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続した請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- さらに、被覆材を有し、前記被覆材がチップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆する請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- さらに、蛍光体添加被覆材を有し、チップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆する請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- パッケージハウジングの材料が、プラスチック、金属、または金属酸化物を有する請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
- キャリアを提供し、
キャリア上にＥＳＤ保護部を配置し、
ＥＳＤ保護部をキャリアに電気的に接続し、
キャリアに接合したパッケージハウジングを形成し、前記パッケージハウジングがＥＳＤ保護部とキャリアの一部を被覆し、キャリア上にチップ収容空間を形成し、
チップ収容空間によって露出させたキャリア上にＬＥＤチップを配置し、
ＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続することを含むＬＥＤパッケージの製造方法。 - キャリアの同一面上に、ＥＳＤ保護部とＬＥＤチップを配置する請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- キャリアの二つの反対側の面に、ＥＳＤ保護部とＬＥＤチップを各々配置する請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- ＥＳＤ保護部をキャリア上に配置し、ＳＭＤ型技術によってキャリアに電気的に接続した請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- ＥＳＤ保護部をキャリア上に配置し、フリップチップ接合技術によってキャリアに電気的に接続した請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- 配線接合技術によって、ＥＳＤ保護部をキャリアに電気的に接続した請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- ＬＥＤチップをキャリア上に配置し、フリップチップ接合技術によってキャリアに電気的に接続した請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- 配線接合技術によって、ＬＥＤパッケージをキャリアに電気的に接続した請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- さらに、被覆材を形成することを含み、ＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続した後、チップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆する請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- さらに、蛍光体添加被覆材を形成することを含み、ＬＥＤチップをキャリアに電気的に接続した後、チップ収容空間によって露出させたＬＥＤチップとキャリアを被覆する請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
- プラスチック射出成型工程またはダイカスト成型工程によって、キャリアに接合したパッケージハウジングを形成した請求項１６記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW095106043A TWI284433B (en) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | Light emitting diode package and fabricating method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007227882A true JP2007227882A (ja) | 2007-09-06 |
Family
ID=38427346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006303246A Pending JP2007227882A (ja) | 2006-02-23 | 2006-11-08 | 発光ダイオードパッケージとその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070194422A1 (ja) |
| JP (1) | JP2007227882A (ja) |
| KR (1) | KR100863864B1 (ja) |
| TW (1) | TWI284433B (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009182307A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| JP2011014695A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Sharp Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2011507238A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも１つの光電子半導体素子を備えた装置 |
| JP2011525702A (ja) * | 2008-06-24 | 2011-09-22 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
| KR101191358B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2012-10-18 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 패키지 |
| JP2014057060A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びこれを備えた照明システム |
| US8723195B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device with plurality of LED chips and/or electrode wiring pattern |
| JP2014099661A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-05-29 | Sharp Corp | 発光装置 |
| US9024343B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9024334B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
| US9054279B2 (en) | 2007-01-11 | 2015-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing |
| US9245873B2 (en) | 2010-04-16 | 2016-01-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| KR20160098893A (ko) * | 2015-02-11 | 2016-08-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| JP2018056576A (ja) * | 2008-09-09 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US10164163B2 (en) | 2008-09-09 | 2018-12-25 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device with bottom surface including electrically conductive members and light-blocking base member therebetween, and method for manufacturing the same |
| US10431572B2 (en) | 2017-05-12 | 2019-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
| JP2020102646A (ja) * | 2020-03-18 | 2020-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10756246B2 (en) | 2017-10-12 | 2020-08-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100786095B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2007-12-21 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자의 구동 시스템 및 그 구동 방법 |
| US20090050912A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Light emitting diode and outdoor illumination device having the same |
| KR101017393B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2011-02-28 | 서울반도체 주식회사 | 발광영역이 확장된 사이드뷰 타입 ｌｅｄ 패키지 |
| US7772080B2 (en) * | 2008-07-02 | 2010-08-10 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of providing electrostatic discharge protection for integrated passive devices |
| TWI466267B (zh) * | 2009-04-30 | 2014-12-21 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體裝置 |
| KR101121151B1 (ko) | 2010-03-19 | 2012-03-20 | 주식회사 대원이노스트 | Ｌｅｄ 모듈 및 그 제조 방법 |
| KR101693852B1 (ko) * | 2010-03-30 | 2017-01-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
| US20110309393A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Micron Technology, Inc. | Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods |
| KR101719641B1 (ko) * | 2010-08-17 | 2017-03-24 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| CN102456826A (zh) * | 2010-11-01 | 2012-05-16 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 发光二极管导线架 |
| KR101823506B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2018-01-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
| TWI540771B (zh) * | 2014-01-20 | 2016-07-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體元件及應用其之發光二極體燈具 |
| KR102042547B1 (ko) * | 2019-07-04 | 2019-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124703A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Rohm Co Ltd | チップ型発光装置 |
| JP2005244220A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Lumileds Lighting Us Llc | 基体にｅｓｄ保護を組み入れた発光ダイオード用基体 |
| JP2006093697A (ja) * | 2004-09-20 | 2006-04-06 | Tco Co Ltd | 静電放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード |
| JP2006339640A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード |
| JP2007150229A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124506A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2000164933A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Nippon Denyo | 光源装置 |
| JP2000188425A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JP2001044358A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6409938B1 (en) * | 2000-03-27 | 2002-06-25 | The General Electric Company | Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG |
| JP4067802B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2008-03-26 | 松下電器産業株式会社 | 照明装置 |
| DE10221857A1 (de) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6921927B2 (en) * | 2003-08-28 | 2005-07-26 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for enhanced LED thermal conductivity |
| TWI223889B (en) * | 2004-01-20 | 2004-11-11 | Opto Tech Corp | Light-emitting device capable of preventing electrostatic damage |
-
2006
- 2006-02-23 TW TW095106043A patent/TWI284433B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-09-28 US US11/535,991 patent/US20070194422A1/en not_active Abandoned
- 2006-11-08 JP JP2006303246A patent/JP2007227882A/ja active Pending
- 2006-11-24 KR KR1020060116953A patent/KR100863864B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124703A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Rohm Co Ltd | チップ型発光装置 |
| JP2005244220A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Lumileds Lighting Us Llc | 基体にｅｓｄ保護を組み入れた発光ダイオード用基体 |
| JP2006093697A (ja) * | 2004-09-20 | 2006-04-06 | Tco Co Ltd | 静電放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード |
| JP2006339640A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード |
| JP2007150229A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置 |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9054279B2 (en) | 2007-01-11 | 2015-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing |
| KR101529745B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2015-06-17 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 적어도 하나의 광전 반도체 소자를 포함한 장치 |
| US8994047B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Arrangement comprising at least one optoelectronics semiconductor component |
| JP2011507238A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも１つの光電子半導体素子を備えた装置 |
| US9024343B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US10559721B2 (en) | 2007-12-28 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9806234B2 (en) | 2007-12-28 | 2017-10-31 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2009182307A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| JP2011525702A (ja) * | 2008-06-24 | 2011-09-22 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
| KR102205837B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2021-01-21 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
| KR20200062150A (ko) * | 2008-09-09 | 2020-06-03 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
| KR102117909B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2020-06-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
| US11271144B2 (en) | 2008-09-09 | 2022-03-08 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device including a wavelength converting member and method for manufacturing the same |
| KR20190038777A (ko) * | 2008-09-09 | 2019-04-09 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
| US10164163B2 (en) | 2008-09-09 | 2018-12-25 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device with bottom surface including electrically conductive members and light-blocking base member therebetween, and method for manufacturing the same |
| JP2018056576A (ja) * | 2008-09-09 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011014695A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Sharp Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| US9024334B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
| US9231023B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-01-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
| US9607970B2 (en) | 2009-11-13 | 2017-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas |
| KR101191358B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2012-10-18 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 패키지 |
| US9093357B2 (en) | 2010-01-22 | 2015-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9425236B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9312304B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | LED illuminating device comprising light emitting device including LED chips on single substrate |
| US9966367B2 (en) | 2010-01-22 | 2018-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9679942B2 (en) | 2010-01-22 | 2017-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US8723195B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device with plurality of LED chips and/or electrode wiring pattern |
| US9786637B2 (en) | 2010-04-16 | 2017-10-10 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US10707188B2 (en) | 2010-04-16 | 2020-07-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9245873B2 (en) | 2010-04-16 | 2016-01-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2014057060A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びこれを備えた照明システム |
| JP2014099661A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-05-29 | Sharp Corp | 発光装置 |
| KR20160098893A (ko) * | 2015-02-11 | 2016-08-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR102316037B1 (ko) * | 2015-02-11 | 2021-10-22 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
| US10431572B2 (en) | 2017-05-12 | 2019-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
| US11315913B2 (en) | 2017-05-12 | 2022-04-26 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
| US10756246B2 (en) | 2017-10-12 | 2020-08-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US11367821B2 (en) | 2017-10-12 | 2022-06-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2020102646A (ja) * | 2020-03-18 | 2020-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7011196B2 (ja) | 2020-03-18 | 2022-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100863864B1 (ko) | 2008-10-15 |
| KR20070087485A (ko) | 2007-08-28 |
| US20070194422A1 (en) | 2007-08-23 |
| TWI284433B (en) | 2007-07-21 |
| TW200733420A (en) | 2007-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007227882A (ja) | 発光ダイオードパッケージとその製造方法 | |
| JP5197874B2 (ja) | 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法 | |
| US8242531B2 (en) | Light emitting diode package | |
| JP6018187B2 (ja) | ダイオード照明構成 | |
| JP2011146353A (ja) | 照明装置 | |
| JP2009177112A (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
| KR20090080609A (ko) | 양면 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
| US8716943B2 (en) | Light-emitting device and lighting apparatus provided with the same | |
| US20100044727A1 (en) | Led package structure | |
| TW201429005A (zh) | 具有齊納（ｚｅｎｅｒ）二極體上之整合式反射遮罩的發光二極體封裝 | |
| JP5516956B2 (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
| JP2015048030A (ja) | 照明装置 | |
| KR20140042187A (ko) | 발광 장치 | |
| KR100839122B1 (ko) | 측면 발광형 ｌｅｄ 램프 및 그 제조방법과, 그 ｌｅｄ램프를 포함하는 발광장치 | |
| TWI570352B (zh) | 發光二極體裝置與應用其之發光裝置 | |
| JP6213913B2 (ja) | 照明用光源及び照明装置 | |
| CN222600979U (zh) | Led封装结构、led模组及led发光器件 | |
| KR101467923B1 (ko) | 전자 소자 조립체와 그 제조 방법 | |
| CN101819968A (zh) | 发光二极管封装 | |
| JP2023169581A (ja) | 車両用照明装置、および車両用灯具 | |
| JP6372257B2 (ja) | 車両用発光モジュール、車両用照明装置、および車両用灯具 | |
| JP2023167085A (ja) | 車両用照明装置、および車両用灯具 | |
| CN1964086A (zh) | 表面黏着型发光二极管封装结构 | |
| JP2016072070A (ja) | 照明装置 | |
| KR20090046308A (ko) | 발광다이오드 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091112 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100407 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100409 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100913 |