JP2007190704A - 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 - Google Patents
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 353
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 353
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 184
- 239000012467 final product Substances 0.000 claims description 7
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 36
- 230000006837 decompression Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 241000255777 Lepidoptera Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Abstract
【解決手段】 樹脂モールド金型10、40は、前記樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルム70により被覆する機構30、38と、端面形状が前記樹脂が充填されるキャビティの平面形状に合わせて形成され、前記被成形品50をクランプする向きに付勢して型開閉方向に可動に支持されたフロートキャビティブロック12と、樹脂モールド領域の周囲を囲む配置にクランプ面に周設されたシール体47とを備え、該樹脂モールド金型に接続して、前記シール体に金型のクランプ面が当接して前記キャビティを含む樹脂モールド空間が外部から閉鎖された状態で樹脂モールド空間を減圧する減圧機構49が設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
すなわち、樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルムにより被覆し、モールド用の樹脂とともに被成形品を圧縮成形して樹脂モールドする樹脂モールド方法において、端面形状が前記樹脂が充填されるキャビティの平面形状に合わせて形成され、前記被成形品をクランプする向きに付勢して型開閉方向に可動にフロートキャビティブロックが設けられた樹脂モールド金型を使用し、前記キャビティを含む樹脂モールド空間を外部から閉鎖して減圧した後、前記樹脂モールド金型を型閉め位置まで型閉めすることにより被成形品を樹脂モールドすることを特徴とする。
また、前記被成形品として、最終製品形状である個片に形成された製品を使用することにより、基板や基板に搭載された半導体チップを無駄にすることなく樹脂モールドすることができる。
また、前記被成形品として、最終製品形状である個片に形成された製品を使用することを特徴とする。
また、前記樹脂モールド金型の下型に前記被成形品をセットする際に、下型のクランプ面から前記被成形品を離間して支持し、型閉め時に上型と下型のクランプ面により被成形品をクランプして樹脂モールドすることにより、被成形品を下型にセットした際に被成形品に供給された樹脂が硬化することを抑制し、高品質の樹脂モールドが可能になる。
また、前記樹脂モールド金型のクランプ面には、被成形品を支持して樹脂モールド金型内に搬入されるキャリアを、樹脂モールド操作の際に樹脂モールド金型と干渉させずに収納して支持するセット凹部が設けられていることを特徴とする。
また、前記樹脂モールド金型は、樹脂モールド領域の周囲を囲む配置にクランプ面に周設されたシール体とを備え、該樹脂モールド金型に接合して、前記シール体に金型のクランプ面が当接して前記キャビティを含む樹脂モールド空間が外部から閉鎖された状態で樹脂モールド空間を減圧する減圧機構が設けられていることを特徴とする。
また、前記樹脂モールド金型の前記被成形品をセットする下型に、型開き時に被成形品をクランプ面から離間して支持するとともに、クランプ力により型開閉方向に可動に被成形品を支持する支持機構が設けられていることにより、下型に被成形品をセットした後にモールド用の樹脂の硬化が進むことを抑えることができ、的確な樹脂モールドが可能になる。
(第1の実施の形態)
図1、2は、本発明に係る樹脂モールド装置の主要部を構成する樹脂モールド金型の第1の実施の形態の構成と、被成形品を樹脂モールドする方法を示す。
図示例の樹脂モールド金型は、短冊状に形成された基板52の一方の面(図では上面)に半導体チップ54が搭載された被成形品50を、半導体チップ54ごとに一つの樹脂モールド領域(キャビティ)を設定して、圧縮成形により樹脂モールドするように構成されている。
被成形品50は基板52にワイヤボンディングにより1枚ずつ半導体チップ54を搭載した製品であるが、フリップチップ接続によって搭載した製品、また、半導体モジュールのようなキャビティごとに複数個の半導体チップ54を搭載した製品を被成形品50とすることができる。また、半導体チップ54を複数列に配置して複数列に樹脂モールド領域を設定することもできる。
図3に、キャリア60を構成するセットプレート62と押さえプレート64を示す。図3(a)がセットプレート62の平面図、図3(b)が側面図、図3(c)が押さえプレート64の平面図である。セットプレート62は外形が長方形の枠体状に形成され、枠体の内周縁部に被成形品50の厚さ分の段差部62aが形成されている。図3(a)では、セットプレート62に被成形品50をセットした状態と半導体チップ54を樹脂モールドする領域Aを破線によって示している。
上型ブロック18には、シール材24によって囲まれた領域内で一端が開口する流路28が設けられている。流路28の他端には樹脂モールド金型の外部に配置された真空吸引装置30が接続する。
図1に示すように、型開きした状態で、真空吸引装置38を作動させエア吸着孔36aによりリリースフィルム70をクランプ面にエア吸着した後、真空吸引装置30を作動させ、流路28からエア吸引することにより、フロートキャビティブロック12の端面にリリースフィルム70をエア吸着する。これによって、キャビティ凹部32、セット凹部34の内面にならってリリースフィルム70がエア吸着される。リリースフィルム70は所定の耐熱性および樹脂との剥離性、柔軟性を備えたフィルムからなる。
型開きしている状態でキャリア60とともに被成形品50を樹脂モールド金型内に搬入し、下型40にセットする。下型40に設けられたセット凹部42にキャリア60の枠体部分をセットすることにより、キャリア60および被成形品50が下型40に位置決めしてセットされる。被成形品50は真空吸引装置46により下型40のセット面40aに吸着して支持される。
各々のキャビティ32aに設けられているフロートキャビティブロック12は被成形品50に供給された樹脂80の樹脂量のばらつきをスプリング17の撓みによって吸収することができる。
樹脂80が熱硬化した後、型開きし、キャリア60とともに成形品を搬出する。こうして、1回の樹脂モールド操作が完了する。
図4、5,6は本発明に係る樹脂モールド装置に用いられる樹脂モールド金型についての第2の実施の形態の構成と、樹脂モールド金型を用いて被成形品を樹脂モールドする方法を示す。本実施形態の樹脂モールド金型は、短冊状に形成された被成形品50を減圧モールド方法によって樹脂モールドすることを特徴とする。被成形品50はキャリア60を使用せずに、下型40にセットして樹脂モールドする。
図4は、型開きした状態で下型40に被成形品50をセットした状態を示す。上型10には被成形品50における半導体チップ54の搭載位置に合わせてキャビティ凹部32が形成されている。
また、下型40には被成形品50を位置合わせしてセットするセット凹部40bが設けられ、下型40に設けられたセット凹部40bの周囲を囲む配置にシール体47が配置されている。シール体47によって囲まれた領域内に一端が開口する流路48が設けられ流路48の他端に真空排気装置49が接続されている。
図5は、上型10のクランプ面がシール体47に当接した位置で型閉めを停止し、真空排気装置49によりキャビティを含む樹脂モールド空間内を減圧している状態を示す。
図6は、樹脂モールド空間内を減圧操作した後、上型10と下型40とで被成形品50を最終の型閉め位置までクランプした状態を示す。
被成形品50は樹脂モールド領域の周囲がリリースフィルム70によりクランプされて樹脂モールドされることにより、樹脂モールド後に、基板52の露出部分に樹脂ばりが生じたりすることを防止することができる。
また、本実施形態の樹脂モールド方法では、樹脂モールド領域を減圧してから樹脂モールドするから、成形品の樹脂モールド部にエアが混入することを防止することができ、樹脂モールド部の信頼性を向上させることが可能となる。
図7に示す樹脂モールド金型の場合は、上型10と下型40を型閉めする際に、被成形品50が下型40に向けて押し下げられ、上型10と下型40のクランプ面で被成形品50がクランプされて樹脂モールドされる。
図9、10は、本発明に係る樹脂モールド装置に用いられる樹脂モールド金型についての第3の実施の形態の構成と、樹脂モールド金型を用いて被成形品を樹脂モールドする方法を示す。
本実施形態の樹脂モールド金型は、基板52に搭載されている半導体チップ54ごとに個別に樹脂モールド領域(キャビティ)を設定せず、複数個の半導体チップ54に対して一括して樹脂モールド領域を設定して樹脂モールドする方法によるものである。一括樹脂モールドでは、一つの被成形品50に対して1つの樹脂モールド領域を設定する場合と、複数個の半導体チップ54をグループ化して各グループごとに一つの樹脂モールド領域を設定して樹脂モールドする場合がある。
図10は、上型10と下型40とにより被成形品50をクランプし、一括樹脂モールドした状態を示す。本実施形態においても、上型10のクランプ面がシール体47に当接したところで真空排気装置49によりキャビティを含む樹脂モールド空間内を減圧してから、被成形品50を最終の型閉め位置までクランプする。
この樹脂モールド金型を用いて被成形品50を樹脂モールドする場合も、図10に示したと同様に被成形品50を一括して樹脂モールドすることができる。
図12、13、14は本発明に係る樹脂モールド装置に用いられる樹脂モールド金型の第4の実施の形態の構成と、この樹脂モールド金型を用いて被成形品50を樹脂モールドする方法を示す。
本実施形態の樹脂モールド金型は、個片状に形成された基板52aの一方の面に半導体チップ54が搭載された被成形品50aを樹脂モールドすることを特徴とする。個片状に形成された被成形品50aの基板52aは、樹脂モールドした成形品がそのまま半導体装置製品となるもので、最終製品に合わせて所定の外形形状に形成されている。
押さえプレート64には、セットプレート62におけるセット部の配置に合わせて、矩形の開口孔64aが設けられる。64bは支持リブである。セットプレート62のコーナー部と、押さえプレート64のコーナー部には、セットプレート62と押さえプレート64を位置合わせするガイドピンが設けられている。
これら以外の構成部分については、第1の実施の形態における樹脂モールド金型の構成と同様である。
図13は、上型10と下型40を型閉め開始し、上型10のクランプ面がシール体47に当接した状態で型閉めを停止した状態を示す。この状態で真空排気装置49を作動させシール体47によって囲まれたキャビティを含む樹脂モールド空間内を減圧する。樹脂80が充填されるキャビティ(樹脂モールド空間)を減圧することにより、圧縮成形した際に樹脂中にエアが混入することを防止し、樹脂モールド部にボイドが発生することを確実に防止することができる。
減圧操作が完了した後、上型10と下型40とで被成形品50aをクランプし、被成形品50aを圧縮成形によって樹脂モールドする。図14が被成形品50aを圧縮成形している状態を示す。
また、上型10と下型40にキャリア60を収納するセット凹部34、42を設けたことにより、金型とキャリア60とを干渉させずに樹脂モールドすることができる。
また、本実施形態では、基板52aの片面に半導体チップ54を搭載して基板52aの片面を樹脂モールドしたが、基板52aの下面に半導体チップ54を搭載し、下型40にキャビティ凹部を形成して下型40によって半導体チップ54を樹脂モールドする構成とすることもできる。この場合には、下型40の樹脂モールド面をリリースフィルム70により被覆し、下型のキャビティに樹脂80を供給して樹脂モールドすればよい。また、上型10と下型40の双方にキャビティを設けて樹脂モールドする構成とすることもできる。
図16、17は樹脂モールド金型についての第5の実施の形態の構成と、樹脂モールド金型を用いて被成形品50を樹脂モールドする方法を示す。本実施形態においては、最終製品形状である個片に形成された被成形品50aを、キャリア60を使用することなく、減圧モールド方法によって樹脂モールドする例である。
図16は、型開きした状態で下型40に設けられたセット凹部40bに各々被成形品50aをセットした状態を示す。下型40には、セット凹部40bの外周囲を囲む配置にシール体47が設けられ、シール体47の内部領域に連通して真空排気装置49が設けられている。他の樹脂モールド金型の構成は前述した実施形態における樹脂モールド金型と同様である。
また、樹脂モールド空間を外部から閉鎖した状態で減圧することにより、樹脂モールド部にエアが混入することを防止して樹脂モールドすることができ、これによって信頼性の高い樹脂モールドを行うことができる。
12 フロートキャビティブロック
16 ガイドロッド
20 キャビティブロック
22 摺動孔
24 シール材
30、38、46 真空吸引装置
32 キャビティ凹部
32a キャビティ
34、42 セット凹部
36 エア流路
40 下型
44 流路
47 シール体
49 真空排気装置
50、50a 被成形品
52、52a 基板
54 半導体チップ
60 キャリア
62 セットプレート
64 押さえプレート
70 リリースフィルム
80 樹脂
Claims (12)
- 樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルムにより被覆し、モールド用の樹脂とともに被成形品を圧縮成形して樹脂モールドする樹脂モールド方法において、
端面形状が前記樹脂が充填されるキャビティの平面形状に合わせて形成され、前記被成形品をクランプする向きに付勢して型開閉方向に可動にフロートキャビティブロックが設けられた樹脂モールド金型を使用し、
前記キャビティを含む樹脂モールド空間を外部から閉鎖して減圧した後、
前記樹脂モールド金型を型閉め位置まで型閉めすることにより被成形品を樹脂モールドすることを特徴とする樹脂モールド方法。 - 被成形品をキャリアにより支持して樹脂モールドする方法であって、
被成形品のクランプ面に、前記キャリアを収納するセット凹部が設けられた樹脂モールド金型を使用し、
前記キャリアを前記セット凹部に位置合わせして前記被成形品を樹脂モールド金型にセットし、キャリアと樹脂モールド金型とを干渉させずに、前記樹脂モールド金型により被成形品をクランプして樹脂モールドすることを特徴とする請求項1記載の樹脂モールド方法。 - 前記被成形品として、最終製品形状である個片に形成された製品を使用することを特徴とする請求項1または2記載の樹脂モールド方法。
- 樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルムにより被覆し、キャリアとともに被成形品を樹脂モールド金型内に搬入し、モールド用の樹脂とともに被成形品を圧縮成形して樹脂モールドする樹脂モールド方法において、
端面形状が前記樹脂が充填されるキャビティの平面形状に合わせて形成され、前記被成形品をクランプする向きに付勢して型開閉方向に可動にフロートキャビティブロックが設けられるとともに、クランプ面に前記キャリアを収納するセット凹部が設けられた樹脂モールド金型を使用し、
前記キャリアを前記セット凹部に位置合わせして前記被成形品を樹脂モールド金型にセットし、キャリアと樹脂モールド金型とを干渉させずに樹脂モールド金型により被成形品をクランプして樹脂モールドすることを特徴とする樹脂モールド方法。 - 前記樹脂モールド金型により被成形品を樹脂モールドする際に、
前記キャビティを含む樹脂モールド空間を外部から閉鎖して減圧した後、
前記樹脂モールド金型を型閉め位置まで型閉めして被成形品を樹脂モールドすることを特徴とする請求項4記載の樹脂モールド方法。 - 前記被成形品として、最終製品形状である個片に形成された製品を使用することを特徴とする請求項4または5記載の樹脂モールド方法。
- 前記樹脂モールド金型の下型に前記被成形品をセットする際に、下型のクランプ面から前記被成形品を離間して支持し、型閉め時に上型と下型のクランプ面により被成形品をクランプして樹脂モールドすることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の樹脂モールド方法。
- 樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルムにより被覆し、モールド用の樹脂とともに被成形品を圧縮成形して樹脂モールドする樹脂モールド装置において、
前記樹脂モールド金型は、
前記樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルムにより被覆する機構と、
端面形状が前記樹脂が充填されるキャビティの平面形状に合わせて形成され、前記被成形品をクランプする向きに付勢して型開閉方向に可動に支持されたフロートキャビティブロックと、
樹脂モールド領域の周囲を囲む配置にクランプ面に周設されたシール体とを備え、
該樹脂モールド金型に接合して、前記シール体に金型のクランプ面が当接して前記キャビティを含む樹脂モールド空間が外部から閉鎖された状態で樹脂モールド空間を減圧する減圧機構が設けられていることを特徴とする樹脂モールド装置。 - 前記樹脂モールド金型のクランプ面には、被成形品を支持して樹脂モールド金型内に搬入されるキャリアを、樹脂モールド操作の際に樹脂モールド金型と干渉させずに収納して支持するセット凹部が設けられていることを特徴とする請求項8記載の樹脂モールド装置。
- 樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルムにより被覆し、モールド用の樹脂とともに被成形品を圧縮成形して樹脂モールドする樹脂モールド装置において、
前記樹脂モールド金型は、
前記樹脂モールド金型の樹脂モールド領域をリリースフィルムにより被覆する機構と、
端面形状が前記樹脂が充填されるキャビティの平面形状に合わせて形成され、前記被成形品をクランプする向きに付勢して型開閉方向に可動に支持されたフロートキャビティブロックと、
被成形品を支持して樹脂モールド金型内に搬入されるキャリアを、樹脂モールド操作の際に樹脂モールド金型と干渉させずに収納して支持するクランプ面に設けられたセット凹部とを備えていることを特徴とする樹脂モールド装置。 - 前記樹脂モールド金型は、樹脂モールド領域の周囲を囲む配置にクランプ面に周設されたシール体とを備え、
該樹脂モールド金型に接合して、前記シール体に金型のクランプ面が当接して前記キャビティを含む樹脂モールド空間が外部から閉鎖された状態で樹脂モールド空間を減圧する減圧機構が設けられていることを特徴とする請求項10記載の樹脂モールド装置。 - 前記樹脂モールド金型の前記被成形品をセットする下型に、型開き時に被成形品をクランプ面から離間して支持するとともに、クランプ力により型開閉方向に可動に被成形品を支持する支持機構が設けられていることを特徴とする請求項8〜11のいずれか一項記載の樹脂モールド装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006008584A JP4834407B2 (ja) | 2006-01-17 | 2006-01-17 | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006008584A JP4834407B2 (ja) | 2006-01-17 | 2006-01-17 | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007190704A true JP2007190704A (ja) | 2007-08-02 |
JP4834407B2 JP4834407B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=38446774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006008584A Active JP4834407B2 (ja) | 2006-01-17 | 2006-01-17 | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4834407B2 (ja) |
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