JP2007127752A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】精度の高い電気光学装置の製造工程を簡略化する。
【解決手段】画素電極２００と、発光機能層１１０と、陰極３１１を含む有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動するＴＦＴを備え、ＴＦＴは、ソース・ドレイン領域３０３、ゲート絶縁膜３０２、ゲート電極３０５、層間絶縁膜３０６に開口されたコンタクトホール３０７に形成されたソース・ドレイン電極３０９を備え、有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ上に形成されたバンク層３１０によって囲まれる領域に形成され、ゲート絶縁膜３０２は親液性を有し、ゲート絶縁膜３０２によって画素電極２００の周縁部が覆われている。
【選択図】図３

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器に関するものである。

高分子有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）材料を大型基板上に均一に塗布する方法としてインクジェット法による成膜技術が知られている。インクジェット法による成膜では、基板上に有機材料によりバンク層を形成し、バンク層の開口部に有機ＥＬ材料の液滴を吐出する。このとき、液体の有機ＥＬ材料を開口部に精度良く均一に塗布できるように、親液性制御層を設ける方法がある。このような技術は例えば特許文献１に開示されている。

特開２００３−２８２２７３号公報

しかし、従来の方法では、親液性制御層を形成するために余分な工程が必要となる。
そこで、本発明の目的は、精度の高い電気光学装置の製造工程を簡略化することである。

本発明の電気光学装置の製造方法は、第１の電極層と、前記第１の電極層の上に形成された発光機能層と、前記発光機能層の上に形成された第２の電極層と、を含む発光部と、前記発光部を駆動する薄膜トランジスタとを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタに含まれるゲート絶縁膜は親液性を有し、前記ゲート絶縁膜によって前記第１の電極層の周縁部が覆われるように形成するものである。
これにより、ゲート絶縁膜が親液性制御層を兼ねるので、親液性制御層を形成する工程が必要なく、電気光学装置の製造工程を簡略化することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、ソース・ドレイン領域および前記第１の電極層を形成する工程と、前記ソース・ドレイン領域と前記第１の電極層の上に前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールを開口してソース・ドレイン電極を形成する工程と、前記発光部の形成領域を囲むバンク層を形成する工程と、前記第１の電極層上に前記発光機能層を形成する工程と、前記発光機能層上に前記第２の電極層を形成する工程を有する。
これにより、プレーナ構造のＴＦＴを駆動用トランジスタとして用いる電気光学装置に適用できる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、ソース・ドレイン電極および前記第１の電極層を形成する工程と、前記ソース・ドレイン電極と前記第１の電極層の上に前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記発光部の形成領域を囲むバンク層を形成する工程と、前記第１の電極層上に前記発光機能層を形成する工程と、前記第２の電極層を形成する工程を有する。
これにより、スタガ構造のＴＦＴを駆動用トランジスタとして用いる電気光学装置に適用できる。
また、前記第１の電極層の下層に、前記ソース・ドレイン電極の層を形成しておくことにより、電気光学装置の発光方向を基板と反対側にすることができる。

本発明による電気光学装置は、第１の電極層と、前記第１の電極層の上に形成された発光機能層と、前記発光機能層の上に形成された第２の電極層と、を含む発光部と、前記発光部を駆動する薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタに含まれるゲート絶縁膜は親液性を有し、前記ゲート絶縁膜によって前記第１の電極層の周縁部が覆われている。
これにより、ゲート絶縁膜が親液性制御層を兼ねるので、親液性制御層を別途形成する必要がなく、電気光学装置の厚さを薄くすることができる。

本発明による電気光学装置は、前記薄膜トランジスタが、ソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールに形成されたソース・ドレイン電極を備え、前記発光部は、前記薄膜トランジスタ上に形成されたバンク層によって囲まれる領域に形成されたものである。
これにより、プレーナ構造のＴＦＴを駆動用トランジスタとして用いる電気光学装置に適用できる。

本発明による電気光学装置は、前記薄膜トランジスタが、ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を備え、前記発光部は、前記薄膜トランジスタ上に形成されたバンク層によって囲まれる領域に形成されたものである。
これにより、スタガ構造のＴＦＴを駆動用トランジスタとして用いる電気光学装置に適用できる。
また、前記第１の電極層の下層に、前記ソース・ドレイン電極の層が形成されていれば、電気光学装置の発光方向を基板と反対側にすることができる。

また、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を表示部として備える。ここで、電子機器とは、電気光学装置を表示部として備えるあらゆる機器を含むもので、ディスプレイ装置、テレビジョン装置、電子ペーパ、時計、電卓、携帯電話、携帯情報端末等を含む。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置（電気光学装置）１００の構成を示すブロック図である。有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線に直交して配置される複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３と、各走査線１０１と各信号線１０２との交点付近にそれぞれ設けられる画素部Ａと、を含んで構成されている。すなわち、本例の有機ＥＬ装置１００は、複数の画素部を備え、当該各画素部がマトリクス状に配列されてなるアクティブマトリクス型の表示装置である。

各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１０５が接続されている。また、各信号線には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０４が接続されている。各画素部Ａには、走査線１０１を介して走査信号がゲートに供給されるスイッチングトランジスタ（薄膜トランジスタ）１１２と、このスイッチングトランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１１と、この保持容量１１１によって保持された画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタ（薄膜トランジスタ）１１３と、この駆動用トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続されたときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）と、この画素電極と対向電極（陰極）との間に挟み込まれた発光機能層１１０と、が設けられている。これらの画素電極と対向電極と発光機能層１１０によって発光素子（有機ＥＬ素子、発光部）が構成されている。なお、発光機能層１１０は正孔輸送層、発光層、電子注入層を含む。

この有機ＥＬ装置１００では、走査線１０１が駆動されてスイッチングトランジスタ１１２がオン状態となると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１１に保持され、この保持容量１１１の状態に応じて、駆動用トランジスタ１１３のオン／オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極に電流がながれ、さらに発光機能層１１０を介して陰極に電流がながれる。発光機能層１１０は、この流れる電流量に応じて発光する。各発光機能層１１０の発光状態を制御することにより、所望の画像表示を行うことができる。

図２は、実施の形態１による有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図３は、実施の形態１による有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する図であり、図３（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ図１のＢ−Ｂ’方向の断面を示している。なお、実施の形態１では、駆動用トランジスタ１１３はプレーナ構造のＴＦＴである。

図３を用いて、有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。
まず、図３（Ａ）に示すように、ガラス等の透明絶縁基板（図示せず）上に下地絶縁膜（図示せず）を形成し、後の工程でチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるアモルファスシリコン層を形成する。アモルファスシリコン層をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）等により結晶化してポリシリコン層３０１を形成した後、パターニングする。次に、画素電極２００となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を成膜し、パターニングを行う。

次に、図３（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３０２を堆積する。ゲート絶縁膜３０２は、後述するように有機ＥＬ素子部における親液性制御層を兼ねるため、例えばＳｉＯ₂等の親液性の材料を用いて成膜する。なお、本発明における親液性制御層では、少なくとも後述するバンク層と比較して親液性が高ければよい。したがって、上記のＳｉＯ₂の他、ＳｉＮを用いてもよいし、プラズマ処理等の表面処理を行うことにより、親液性を高めてもよい。例えば、基板全体を７０〜８０℃に加熱した状態で、酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行う工程を導入することにより、ゲート絶縁膜３０２の親液性を高めることもできる。また、上記のＯ₂プラズマ処理を行った場合、ポリシリコン層３０１の欠陥を低減することができるという、副次的な効果もある。その後、チャネル領域となる部分をレジストで覆い、イオン打ち込みを行う。これによりソース・ドレイン領域３０３、チャネル領域３０４が形成される。

次に、図３（Ｃ）に示すように、ゲート電極３０５を形成する。また、ゲート電極３０５と後述するソース・ドレイン電極とを絶縁するための層間絶縁膜３０６を形成する。また、層間絶縁膜３０６及びゲート絶縁膜３０２をドライエッチングまたはウェットエッチングすることにより、ソース・ドレイン電極３０９形成箇所にコンタクトホール３０７を形成する。また、有機ＥＬ素子形成領域３０８もコンタクトホール３０７と同様に形成する。

次に、図３（Ｄ）に示すように、コンタクトホール３０７を開口した箇所にソース・ドレイン電極３０９を形成する。ここまでで駆動用トランジスタ１１３が完成する。
次に、バンク層３１０を形成する。バンク層３１０は、例えば感光性アクリル等の紫外光に感光する材料を用いて形成することができる。バンク層３１０の表面には、撥水処理を施してもよい。また、バンク層３１０を形成する材料に予め撥水性の材料を用いてもよい。

次に、図３（Ｅ）に示すように、バンク層３１０に囲まれた有機ＥＬ素子形成領域に、例えばインクジェット装置を用いて正孔輸送層、発光層、電子注入層を成膜し、発光機能層１１０を形成する。この時、ゲート絶縁膜３０２の端部が有機ＥＬ素子形成領域の周縁部（図中Ｃ）と重複し、親液性制御層の役割を果たすため、発光機能層１１０が有機ＥＬ素子形成領域の隅まで均一に形成される。これにより、画素電極２００と陰極３１１の絶縁も保障される。

最後に、例えば真空蒸着法を用いて陰極３１１を成膜し、有機ＥＬ装置１００が完成する。なお、実施の形態１による有機ＥＬ装置１００の発光方向は基板側（図３（Ｅ）の下側）となる。

ここで、図４に比較例として従来の有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図を、図５に図４のＢ−Ｂ’線での断面図を示す。
図３（Ｅ）と図５を比較して分かるように、図５の比較例では、ゲート絶縁膜３０２と親液性制御層４００がそれぞれ別の層に設けられているため、その分製造工程数が多くなっている。具体的には、親液性制御層形成工程と、ソース・ドレイン電極３０９と親液性制御層４００の間に形成される第２層間絶縁膜４０１の形成工程が増えている。このように、実施の形態１によれば有機ＥＬ装置１００の製造工程を簡略化することができる。

また、実施の形態１によれば、第２層間絶縁膜４０１が形成されない分、有機ＥＬ装置１００の厚みを薄くすることができ、発光強度を向上させることが可能となる。

実施の形態２．
図６は、実施の形態２による有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図７は、有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する図であり、図７（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ図６のＢ−Ｂ’方向の断面を示している。なお、実施の形態２では、駆動用トランジスタ１１３はスタガ構造のＴＦＴである。

まず、図７（Ａ）に示すように、ガラス等の透明絶縁基板（図示せず）上に下地絶縁膜（図示せず）を形成し、ソース・ドレイン電極３０９を形成する。なお、ソース・ドレイン電極３０９は、ソース・ドレイン電極３０９の上面の端部と下面の端部とを結んで形成されるテーパ角が鋭角であることが望ましい。続いて、ソース・ドレイン電極３０９の上に、後の工程でチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるアモルファスシリコン層を形成する。アモルファスシリコン層をＥＬＡ等により結晶化してポリシリコン層３０１を形成した後、パターニングする。次に、画素電極２００となるＩＴＯを成膜し、パターニングを行う。ＩＴＯのパターニングに際して、先に形成されたソース・ドレイン電極３０９は、ポリシリコン層あるいはＩＴＯパターニング時に用いるレジストにより被覆されていることが望ましい。

次に、図７（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３０２を堆積する。ゲート絶縁膜３０２は、後述するように有機ＥＬ素子部における親液性制御層を兼ねるため、例えばＳｉＯ₂等の親液性の材料を用いて成膜する。その後、チャネル領域となる部分をレジストで覆い、イオン打ち込みを行う。これによりソース・ドレイン領域３０３、チャネル領域３０４が形成される。

次に、図７（Ｃ）に示すように、ソース・ドレイン電極３０９と後述するゲート電極との接続を行うためのコンタクトホール３０７を形成する。また、有機ＥＬ素子形成領域３０８もコンタクトホール３０７と同様に形成する。次に、ゲート電極３０５を形成する。ここまでで駆動用トランジスタ１１３が完成する。

次に、図７（Ｄ）に示すように、バンク層３１０を形成する。バンク層３１０は、例えば感光性アクリル等の紫外光に感光する材料を用いて形成することができる。バンク層３１０の表面には、撥水処理を施してもよい。

次に、図７（Ｅ）に示すように、バンク層３１０に囲まれた有機ＥＬ素子形成領域に、例えばインクジェット装置を用いて正孔輸送層、発光層、電子注入層を成膜し、発光機能層１１０を形成する。この時、ゲート絶縁膜３０２の端部が有機ＥＬ素子形成領域の周縁部（図中Ｃ）を覆って親液性制御層の役割を果たすため、発光機能層１１０が有機ＥＬ素子形成領域の隅まで均一に形成される。これにより、画素電極２００と陰極３１１の絶縁も保障される。

最後に、例えば真空蒸着法を用いて陰極３１１を成膜し、有機ＥＬ装置１００が完成する。なお、実施の形態２による有機ＥＬ装置１００の発光方向は基板側（図７（Ｅ）の下側）となる。

実施の形態２も実施の形態１と同様に、有機ＥＬ装置１００の製造工程を簡略化することができる。また、第２層間絶縁膜が形成されない分、有機ＥＬ装置１００の厚みを薄くすることができ、発光強度を向上させることが可能となる。

実施の形態３．
図８は、実施の形態３による有機ＥＬ装置１００の画素部Ａの構成を示す平面図である。また、図９は、有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する図であり、図９（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ図８のＢ−Ｂ’方向の断面を示している。なお、実施の形態３では、駆動用トランジスタ１１３はスタガ構造のＴＦＴである。

まず、図９（Ａ）に示すように、ガラス等の透明絶縁基板（図示せず）上に下地絶縁膜（図示せず）を形成し、ソース・ドレイン電極３０９を形成する。なお、ソース・ドレイン電極３０９は、テーパ角が鋭角であることが望ましい。
また、ソース・ドレイン電極３０９は有機ＥＬ素子形成領域にも形成される。

続いて、ソース・ドレイン電極３０９の上に、後の工程でチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるアモルファスシリコン層を形成する。アモルファスシリコン層をＥＬＡ等により結晶化してポリシリコン層３０１を形成した後、パターニングする。次に、画素電極２００となるＩＴＯを成膜し、パターニングを行う。ＩＴＯのパターニングに際して、先に形成されたソース・ドレイン電極３０９は、ポリシリコン層あるいはＩＴＯパターニング時に用いるレジストにより被覆されていることが望ましい。

次に、図９（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３０２を堆積する。ゲート絶縁膜３０２は、後述するように有機ＥＬ素子部における親液性制御層を兼ねるため、例えばＳｉＯ₂等の親液性の材料を用いて成膜する。その後、チャネル領域となる部分をレジストで覆い、イオン打ち込みを行う。これによりソース・ドレイン領域３０３、チャネル領域３０４が形成される。

次に、図９（Ｃ）に示すように、ソース・ドレイン電極３０９と後述するゲート電極との接続を行うためのコンタクトホール３０７を形成する。また、有機ＥＬ素子形成領域３０８もコンタクトホール３０７と同様に形成する。次に、ゲート電極３０５を形成する。ここまでで駆動用トランジスタ１１３が完成する。

次に、図９（Ｄ）に示すように、バンク層３１０を形成する。バンク層３１０は、例えば感光性アクリル等の紫外光に感光する材料を用いて形成することができる。バンク層３１０の表面には、撥水処理を施してもよい。

次に、図９（Ｅ）に示すように、バンク層３１０に囲まれた有機ＥＬ素子形成領域に、例えばインクジェット装置を用いて正孔輸送層、発光層、電子注入層を成膜し、発光機能層１１０を形成する。この時、ゲート絶縁膜３０２の端部が有機ＥＬ素子形成領域の周縁部（図中Ｃ）を覆って親液性制御層の役割を果たすため、発光機能層１１０が有機ＥＬ素子形成領域の隅まで均一に形成される。これにより、画素電極２００と陰極３１１の絶縁も保障される。

最後に、例えば真空蒸着法を用いて陰極３１１を成膜し、有機ＥＬ装置１００が完成する。陰極３１１は、可視光を透過する程度に薄く形成されている。なお、実施の形態３による有機ＥＬ装置１００の発光方向は、有機ＥＬ素子部の基板側の電極３０９が反射板の役割を果たすため、基板と反対側（図９（Ｅ）の上側）となる。

実施の形態３も実施の形態１と同様に、有機ＥＬ装置１００の製造工程を簡略化することができる。また、第２層間絶縁膜が形成されない分、有機ＥＬ装置１００の厚みを薄くすることができ、発光強度を向上させることが可能となる。

電子機器
次に、上述した有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１０は、有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図１０（Ａ）は、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機１０００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１００１を備えている。図１０（Ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１１０１を備えている。図１０（Ｃ）は、電子機器の一例である携帯型情報処理装置１２００を示す斜視図である。この携帯型情報処理装置１２００は、キーボード等の入力部１２０１、演算手段や記憶手段などが格納された本体部１２０２、および本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１２０３を備えている。

本発明による電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態１による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。 図３（Ａ）〜図３（Ｅ）は、本発明の実施の形態１による有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。 比較例による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。 図４のＢ−Ｂ’線での断面図である。 本発明の実施の形態２による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。 図７（Ａ）〜図７（Ｅ）は、本発明の実施の形態１による有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。 本発明の実施の形態３による有機ＥＬ装置の画素部の構成を示す平面図である。 図９（Ａ）〜図９（Ｅ）は、本発明の実施の形態１による有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。 本発明による電子機器の例を示した図である。

符号の説明

１００ 有機ＥＬ装置、１０１ 走査線、１０２ 信号線、１０３ 電源線、１０４ データ線駆動回路、１０５ 走査線駆動回路、１１０ 発光機能層、１１１ 保持容量、１１２ スイッチングトランジスタ、１１３ 駆動用トランジスタ、２００ 画素電極、３０１ ポリシリコン層、３０２ ゲート絶縁膜、３０３ ソース・ドレイン領域、３０４ チャネル領域、３０５ ゲート電極、３０６ 層間絶縁膜、３０７ コンタクトホール、３０８ 有機ＥＬ素子形成領域、３０９ ソース・ドレイン電極、３１０ バンク層、３１１ 陰極、４００ 親液性制御層、４０１ 第２層間絶縁膜

Claims (9)

1. 第１の電極層と、前記第１の電極層の上に形成された発光機能層と、前記発光機能層の上に形成された第２の電極層と、を含む発光部と、
   前記発光部を駆動する薄膜トランジスタとを備えた電気光学装置の製造方法であって、
   前記薄膜トランジスタに含まれるゲート絶縁膜は親液性を有し、前記ゲート絶縁膜によって前記第１の電極層の周縁部が覆われるように形成する、電気光学装置の製造方法。
2. 基板上に、ソース・ドレイン領域および前記第１の電極層を形成する工程と、
   前記ソース・ドレイン領域と前記第１の電極層の上に前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールを開口してソース・ドレイン電極を形成する工程と、
   前記発光部の形成領域を囲むバンク層を形成する工程と、
   前記第１の電極層上に前記発光機能層を形成する工程と、
   前記発光機能層上に前記第２の電極層を形成する工程を有する、請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 基板上に、ソース・ドレイン電極および前記第１の電極層を形成する工程と、
   前記ソース・ドレイン電極と前記第１の電極層の上に前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
   前記発光部の形成領域を囲むバンク層を形成する工程と、
   前記第１の電極層上に前記発光機能層を形成する工程と、
   前記第２の電極層を形成する工程を有する、請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記第１の電極層の下層に、前記ソース・ドレイン電極の層を形成しておくことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 第１の電極層と、前記第１の電極層の上に形成された発光機能層と、前記発光機能層の上に形成された第２の電極層と、を含む発光部と、
   前記発光部を駆動する薄膜トランジスタを備え、
   前記薄膜トランジスタに含まれるゲート絶縁膜は親液性を有し、前記ゲート絶縁膜によって前記第１の電極層の周縁部が覆われていることを特徴とする、電気光学装置。
6. 前記薄膜トランジスタは、
   ソース・ドレイン領域と、
   前記ソース・ドレイン領域上に形成された前記ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールに形成されたソース・ドレイン電極を備え、
   前記発光部は、前記薄膜トランジスタ上に形成されたバンク層によって囲まれる領域に形成された、請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記薄膜トランジスタは、
   ソース・ドレイン電極と、
   前記ソース・ドレイン電極上に形成された前記ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を備え、
   前記発光部は、前記薄膜トランジスタ上に形成されたバンク層によって囲まれる領域に形成された、請求項５に記載の電気光学装置。
8. 前記第１の電極層の下層に、前記ソース・ドレイン電極の層が形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の電気光学装置。
9. 請求項５から請求項８のいずれかに記載の電気光学装置を備えた電子機器。
   
   

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