JP2006310728A - 有機薄膜太陽電池素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、電子供与性の導電性高分子材料および電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子正孔輸送層と、上記電子正孔輸送層、電子供与性の導電性高分子材料を含有する正孔輸送層、ならびに電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子輸送層からなる群から選択される一つの層とが直接積層されている、あるいは、上記電子正孔輸送層、上記正孔輸送層および上記電子輸送層からなる群から選択される層が三層以上直接積層されていることを特徴とする有機薄膜太陽電池素子を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
また、高分子系のp型有機半導体材料および高分子系のn型有機半導体材料の両方を含有する電子正孔輸送層を形成する場合については、さらに使用できる高分子系の有機半導体材料および溶媒が制限されるため、溶媒の誘電率の差を利用しても、塗布法により複数の電子正孔輸送層を積層するのは困難である。
したがって、複数の光電変換層が直接積層された有機薄膜太陽電池素子については報告がない。
本発明の有機薄膜太陽電池素子は、電子供与性の導電性高分子材料および電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子正孔輸送層と、上記電子正孔輸送層、電子供与性の導電性高分子材料を含有する正孔輸送層、ならびに電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子輸送層からなる群から選択される一つの層とが直接積層されている、あるいは、上記電子正孔輸送層、上記正孔輸送層および上記電子輸送層からなる群から選択される層が三層以上直接積層されていることを特徴とするものである。
図1および図2は、本発明の有機薄膜太陽電池素子の一例を示す概略断面図である。図1に示す例において、本発明の有機薄膜太陽電池素子10は、電子供与性の導電性高分子材料および電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子正孔輸送層1a,1bを有しており、二層の電子正孔輸送層1a,1bが直接積層されたものである。また、図2に示す例において、本発明の有機薄膜太陽電池素子10は、電子正孔輸送層1aと、電子供与性の導電性高分子材料を含有する正孔輸送層2と、電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子輸送層3と、電子正孔輸送層1bとを有しており、電子正孔輸送層1aと正孔輸送層2と電子輸送層3と電子正孔輸送層1bとがこの順に直接積層されたものである。
2つの電極層21,23の間に光電変換層22を挟んだ構成の有機薄膜太陽電池Sにおいて、光電変換層22にある光エネルギーLを照射することでJの電流が生じ、Vの起電力が得られるとする(図3(a))。この有機薄膜太陽電池Sを2個直列に接続し、そこに2Lの光エネルギーを照射したとき、仮に2個それぞれの有機薄膜太陽電池Sに対して等価な光エネルギー(=2L/2=L)を供給することができるとすれば、2倍の起電力(=2V)を得ることができる(図3(b))。すなわち、直列につないだ複数の有機薄膜太陽電池がどれも光吸収できるのであれば、その分起電力は増えるのである。
本発明においては、例えば光電変換層22a,22bを直接積層することにより、擬似的には、二つの有機薄膜太陽電池を直列につないだ場合と同程度の起電力2Vを得ることができると期待される(図3(c))。したがって、光電変換効率を高めることができ、さらに理想的には複数の有機薄膜太陽電池を直列につなぐのではなく、一つの有機薄膜太陽電池として利用することができる。
図6に示す有機薄膜太陽電池素子10においては、電子正孔輸送層1aと正孔輸送層2と電子正孔輸送層1bとがこの順に直接積層されている。この有機薄膜太陽電池素子10では、電子正孔輸送層1a,1bが光電変換層として機能し、電子正孔輸送層1a,1b内部で電荷が発生する。図6に示す有機薄膜太陽電池素子10を用いて有機薄膜太陽電池とした場合、電子正孔輸送層1a,1b内部で発生した電子および正孔は電極層に向かってそれぞれ逆方向に移動する。この際、電子正孔輸送層1aと電子正孔輸送層1bとの間に正孔輸送層2が設けられているので、電子正孔輸送層1aと電子正孔輸送層1bとの界面における抵抗障壁を低減することができ、例えば電子正孔輸送層1aを陽極側とすると電子正孔輸送層1bから電子正孔輸送層1aに正孔が移動しやすくなるため、正孔取出し効率を向上させることが可能である。
なお、「光電変換層として機能しない正孔輸送層または電子輸送層」となるのは、正孔輸送層と電子輸送層とが隣接して形成されていない場合である。一方、正孔輸送層と電子輸送層とが隣接して形成されている場合は、正孔輸送層と電子輸送層との界面でpn接合が形成され電荷分離が生じるため、正孔輸送層および電子輸送層は光電変換層として機能することになる。
なお、ここで例えば「A/B/C」とは、A,BおよびCの順に積層されていることを示す。
また、図中、1,1a,1bは電子正孔輸送層、2,2a,2bは正孔輸送層、3,3a,3bは電子輸送層、10は有機薄膜太陽電池素子、11は光電変換層を示す。
この際、電子供与性の導電性高分子材料が所定の吸収極大波長を有するものである場合は、電子受容性の導電性高分子材料は、上記電子供与性の導電性高分子材料とpn接合を形成して電荷分離を生じさせるものであれば特に限定されるものではない。同様に、電子受容性の導電性高分子材料が所定の吸収極大波長を有するものである場合は、電子供与性の導電性高分子材料は、上記電子受容性の導電性高分子材料とpn接合を形成して電荷分離を生じさせるものであれば特に限定されるものではない。
具体的な構成としては、(a)電子正孔輸送層/電子正孔輸送層/電子正孔輸送層;(b)正孔輸送層/電子輸送層/正孔輸送層/電子輸送層/正孔輸送層/電子輸送層;(c)正孔輸送層/電子輸送層/電子正孔輸送層/電子正孔輸送層;(d)電子正孔輸送層/正孔輸送層/電子輸送層/電子正孔輸送層;(e)電子正孔輸送層/電子正孔輸送層/正孔輸送層/電子輸送層;(f)正孔輸送層/電子輸送層/正孔輸送層/電子輸送層/電子正孔輸送層;(g)正孔輸送層/電子輸送層/電子正孔輸送層/正孔輸送層/電子輸送層;(h)電子正孔輸送層/正孔輸送層/電子輸送層/正孔輸送層/電子輸送層;などが挙げられる。
本発明に用いられる電子正孔輸送層は、電子供与性の導電性高分子材料および電子受容性の導電性高分子材料を含有するものである。電子正孔輸送層は、電子受容性および電子供与性の両方の機能を有する層であり、電子正孔輸送層内で形成されるpn接合を利用して電荷分離が生じるため、単独で光電変換層として機能する。
上記の中でも、チオフェン−フルオレン共重合体、ポリアルキルチオフェン、フェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体、フェニレンエチニレン−チオフェン共重合体、フェニレンエチニレン−フルオレン共重合体、フルオレン−フェニレンビニレン共重合体、チオフェン−フェニレンビニレン共重合体等が好ましく用いられる。これらは、多くの電子受容性の導電性高分子材料に対して、エネルギー準位差が適当であるからである。
なお、例えばフェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体(Poly[1,4-phenyleneethynylene-1,4-(2,5-dioctadodecyloxyphenylene)-1,4-phenyleneethene-1,2-diyl-1,4-(2,5-dioctadodecyloxyphenylene)ethene-1,2-diyl])の合成方法については、Macromolecules, 35, 3825 (2002) や、Mcromol. Chem. Phys., 202, 2712 (2001) に詳しい。
電子受容性化合物がドープされる電子供与性の導電性高分子材料としては、上述した電子供与性の導電性高分子材料を挙げることができる。また、ドープされる電子受容性化合物としては、例えばFeCl3(III)、AlCl3、AlBr3、AsF6やハロゲン化合物のようなルイス酸を用いることができる。なお、ルイス酸は電子受容体として作用する。
本発明に用いられる正孔輸送層は、電子供与性の導電性高分子材料を含有するものである。
電子供与性の導電性高分子材料としては、電子供与体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではない。具体的には、上記電子正孔輸送層に用いられる電子供与性の導電性高分子材料と同様のものを挙げることができる。
本発明に用いられる電子輸送層は、電子受容性の導電性高分子材料を含有するものである。
電子受容性の導電性高分子材料としては、電子受容体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではない。具体的には、上記電子正孔輸送層に用いられる電子受容性の導電性高分子材料と同様のものを挙げることができる。
本発明に用いられる電子正孔輸送層、正孔輸送層および電子輸送層の形成方法としては、安定して各層を積層することができ、所定の膜厚に均一に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、塗布法が好適に用いられる。すなわち、電子正孔輸送層、正孔輸送層および電子輸送層は塗膜であることが好ましい。
なお、本発明において「塗膜」とは、塗布法により形成されるものをいい、例えば塗工液を用いて塗布することにより形成されるものをいう。
なお、上記重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)法により測定した値である。測定条件を下記に示す。
測定用カラム:Shodex社製 HF-2002 スチレン−ジビニルベンゼン共重合体
検出器:示差屈折率検出器(RI) 島津製作所社製 RID-6A
紫外吸収検出器 測定波長254nm 島津製作所社製 SPD-10A
測定条件:移動相 クロロホルム
流量 3ml/min
注入方法 2mlをシリンジにて注入
塗工液に用いられる溶媒としては、電子供与性の導電性高分子材料や電子受容性の導電性高分子材料を分散可能なものであれば特に限定されるものではない。
次に、本発明の有機薄膜太陽電池について説明する。
本発明の有機薄膜太陽電池は、上述した有機薄膜太陽電池素子を用いたことを特徴とするものであり、基板と、基板上に形成された第1電極層と、第1電極層上に形成された有機薄膜太陽電池素子と、有機薄膜太陽電池素子上に形成された第2電極層とを有するものである。
以下、有機薄膜太陽電池の各構成について説明する。
第1電極層および第2電極層に用いられる材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えば光の照射方向や取出し方向、または材料の仕事関数等を考慮して適宜選択される。例えば、基板側から光を照射するまたは取り出す場合には、第1電極層を透明電極とすることが好ましい。透明電極としては、一般的に透明電極として使用されているものを用いることができ、具体的にはIn−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、ZnO−Al、Zn−Sn−O等を挙げることができる。また、例えば第2電極層に仕事関数の低い材料を用いる場合には、第1電極層には仕事関数の高い材料を用いることが好ましい。仕事関数の高い材料としては、例えばAu、Ag、Co、Ni、Pt、C、ITO、SnO2、フッ素をドープしたSnO2、ZnO等を挙げることができる。また、仕事関数の低い材料としては、例えばLi、In、Al、Ca、Mg、Sm、Tb、Yb、Zr、LiF等を挙げることができる。
また、第1電極層および第2電極層は、全面に形成してもよく、パターン状に形成してもよい。パターニング方法としては、所望のパターンに精度良く形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えばフォトリソグラフィー法等を挙げることができる。
基板は、透明なものであっても不透明なものであっても特に限定されるものではないが、例えば基板側から光を照射したり取り出したりする場合には、透明基板であることが好ましい。この透明基板としては、特に限定されるものではなく、例えば石英ガラス、パイレックス(登録商標)、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を挙げることができる。
上記の中でも、基板が透明樹脂フィルム等のフレキシブル材であることが好ましい。透明樹脂フィルムは、加工性に優れており、製造コスト低減や軽量化、割れにくい有機薄膜太陽電池の実現において有用であり、曲面への適用等の種々のアプリケーションへの適用可能性が広がるからである。
本発明においては、有機薄膜太陽電池素子と第1電極層や第2電極層との間に電荷取出し層が形成されていてもよい。
これらの中でも、特にポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、トリフェニルジアミン(TPD)が好ましく用いられる。
本発明の有機薄膜太陽電池は、上述した構成部材の他にも、必要に応じて後述する構成部材を有していてもよい。例えば、有機薄膜太陽電池は、保護シート、充填材層、バリア層、保護ハードコート層、強度支持層、防汚層、高光反射層、光封じ込め層、紫外線・赤外線遮断層、封止材層等の機能層を有していてもよい。また、層構成に応じて、各機能層間に接着層が形成されていてもよい。
本発明においては、第2電極層上には保護シートが形成されていてもよい。保護シートは、有機薄膜太陽電池を外界から保護するために設けられる層である。
保護シートに用いられる材料としては、アルミニウム等の金属板もしくは金属箔、フッ素系樹脂シート、環状ポリオレフィン系樹脂シート、ポリカーボネート系樹脂シート、ポリ(メタ)アクリル系樹脂シート、ポリアミド系樹脂シート、ポリエステル系樹脂シート、または耐候性フィルムとバリアフィルムとをラミネート積層した複合シートなどが挙げられる。また、保護シートはバリア性を有するものであってもよい。さらに、保護シートには着色等により意匠性を付与することもできる。この際、保護シートへの顔料の練り込等により着色してもよく、例えば青色ハードコート層等の着色層を積層することにより着色してもよい。
上記保護シートの厚みは、20μm〜500μmの範囲内が好ましく、より好ましくは50μm〜200μmの範囲内である。
本発明においては、第2電極層と保護シートとの間に充填材層が形成されていてもよい。充填材層は、有機薄膜太陽電池の裏面側、すなわち第2電極層と上記保護シートとを接着させ、有機薄膜太陽電池を封止するために設けられる層である。
充填材層としては、一般に太陽電池の充填材層として使用されているものであればよく、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂が挙げられる。
また、充填材層の厚みは、50μm〜2000μmの範囲内であることが好ましく、200μm〜800μmの範囲内であることがより好ましい。厚みが上記範囲より薄くなると強度が低下し、逆に厚みが上記範囲より厚くなるとクラック等が発生しやすくなるからである。
本発明においては、上記基板の表面、または上記保護シートの表面にバリア層が形成されていてもよい。また、上記基板または上記保護シートが複数層からなる場合は、各層の間にバリア層を設けてもよい。バリア層は、透明な層であり、かつ外部からの酸素や水蒸気の浸入を妨げ、有機薄膜太陽電池を保護するために設けられる層である。
バリア層は、酸素透過率が、5cc/m2/day以下であり、中でも0.1cc/m2/day以下であることが好ましい。一方、酸素透過率の下限は測定装置の精度から5.0×10−3cc/m2/day/atmとする。なお、上記酸素透過率は、酸素ガス透過率測定装置(MOCON社製、OX−TRAN 2/21)を用い、23℃、90%Rhの条件で測定した値である。
また水蒸気透過率は、37.8℃、100%Rhの条件において5g/m2/day以下であり、中でも0.01g/m2/day以下であることが好ましい。さらに、40℃、90%Rhの条件においては、水蒸気透過率が1g/m2/day以下であることが好ましく、測定装置の精度から水蒸気透過率の下限は5.0×10−3g/m2/dayとする。なお、上記水蒸気透過率は、水蒸気透過率測定装置(MOCON社製、PERMATRAN−W 3/33)を用いて測定した値である。
また、バリア層は、単一の層であってもよく、複数の層が積層されたものであってもよい。複数層積層する場合には、直接積層形成してもよく、貼り合わせてもよい。
さらに、バリア層としては、上述したバリア性を有する層であれば、特に限定されるものではないが、そのバリア性の高さ等から、蒸着法により形成された蒸着層を有することが好ましい。
上記蒸着層としては、蒸着法により形成される層であれば、その蒸着法の種類等は特に限定されるものではなく、CVD法であってもよく、またPVD法であってもよい。蒸着層が、例えばプラズマCVD法等のCVD法により形成される場合には、緻密でバリア性の高い層を形成することが可能となるが、製造効率やコスト等の面からPVD法であることが好ましい。PVD法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が挙げられるが、中でも、そのバリア性等の面から、真空蒸着法であることが好ましい。真空蒸着法として、具体的には、例えばエレクトロンビーム(EB)加熱方式による真空蒸着法、または高周波誘電加熱方式による真空蒸着法等が挙げられる。
また、上記蒸着層の材料としては、金属または無機酸化物が好ましく、Ti、Al、Mg、Zr、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化イットリウム、B2O3、CaO等を挙げることができ、中でも酸化珪素であることが好ましい。酸化珪素からなる層は、高いバリア性と透明性とを有するからである。
アンカー層の形成方法としては、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法、CVD法、ロールコート法、スピンコート法などが挙げられる。また、これらの方法を組み合わせてもよい。中でも、成膜時のインラインコートが好ましい。これは、量産性に優れ、アンカー層の密着性を高めることができるからである。
本発明においては、有機薄膜太陽電池の最外面に保護ハードコート層が形成されていてもよい。保護ハードコート層は、紫外線遮蔽性および耐候性を有するものであり、有機薄膜太陽電池を外部環境から保護するため、電子正孔輸送層、正孔輸送層、電子輸送層を保護し、これらの層に含まれる導電性高分子材料の劣化を防ぐために設けられる層である。
保護ハードコート層の形成材料としては、紫外線遮蔽性および耐候性を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えばアクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、上記樹脂に耐光性添加剤を添加してもよい。耐光性添加剤としては、光安定剤(HALS)、紫外線吸収剤(UVA)等が挙げられる。
保護ハードコート層の形成方法としては、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法、CVD法、ロールコート法、スピンコート法などが挙げられる。また、これらの方法を組み合わせてもよい。中でも、ロールコート法が好ましく用いられる。ロールコート法は量産性に優れ、紫外線遮蔽および耐候性の良好な保護ハードコート層を形成できるからである。
アンカー層の形成方法としては、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法、CVD法、ロールコート法、スピンコート法などが挙げられる。また、これらの方法を組み合わせてもよい。中でも、成膜時のインラインコートが好ましい。これは、量産性に優れ、アンカー層の密着性を高めることができるからである。
本発明においては、上記保護ハードコート層の内側に強度支持層が形成されていてもよい。強度支持層の形成位置としては、保護ハードコート層の内側であればいずれの位置に設置されていてもよいが、好ましくは各機能層間に設けられる。また、基板自体に強度支持層の機能が付与されていてもよい。
耐熱性としては、温度100℃で72時間保持する耐熱試験を行った場合に、耐熱試験前に対する耐熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。さらに、温度125℃で72時間保持する耐熱試験を行った場合に、耐熱試験前に対する耐熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。なお、耐熱試験は、JIS C60068-2-2に準ずるものとする。
耐湿熱性としては、あらかじめ温度40℃以上、湿度90%RH以上の条件に調整された恒温恒湿槽環境内に有機薄膜太陽電池を96時間以上保持する耐湿熱試験を行った場合に、耐湿熱試験前に対する耐湿熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。さらに、あらかじめ温度80℃以上、湿度80%RH以上の条件に調整された恒温恒湿槽環境内に有機薄膜太陽電池を500時間以上保持する耐湿熱試験を行った場合に、耐湿熱試験前に対する耐湿熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。なお、耐湿熱試験は、JIS C60068-2-3に準じ、楠本化成(株)製 環境試験機「HIFLEX αシリーズ FX424P」を用いて評価するものとする。
透明性としては、全光線透過率が70%以上、中でも85%以上であることが好ましい。なお、全光線透過率は、可視光領域において、スガ試験機株式会社製 SMカラーコンピュータ(型番:SM−C)を用いて測定した値である。
これは、有機薄膜太陽電池には優れた耐熱性、耐湿熱性、透過性が要求されるためである。
本発明においては、層構成に応じて、各層間には接着層が形成されていてもよい。
接着層は、耐熱性、耐湿熱性に優れるものである。
耐熱性としては、温度100℃で72時間保持する耐熱試験を行った場合に、耐熱試験前に対する耐熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。さらに、温度125℃で72時間保持する耐熱試験を行った場合に、耐熱試験前に対する耐熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。
耐湿熱性としては、あらかじめ温度40℃以上、湿度90%RH以上の条件に調整された恒温恒湿槽環境内に有機薄膜太陽電池を96時間以上保持する耐湿熱試験を行った場合に、耐湿熱試験前に対する耐湿熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。さらに、あらかじめ温度80℃以上、湿度80%RH以上の条件に調整された恒温恒湿槽環境内に有機薄膜太陽電池を500時間以上保持する耐湿熱試験を行った場合に、耐湿熱試験前に対する耐湿熱試験後の発電効率の低下率が10%以内であることが好ましい。
これは、有機薄膜太陽電池には優れた耐熱性、耐湿熱性が要求されるためである。なお、耐熱試験および耐湿熱試験については、上述したものと同様である。
接着層の形成方法としては、例えばドライラミネート法、溶融押し出しラミネート法等が挙げられる。また、粘着シートを介して積層してもよい。好ましくは、ロールコートによるドライラミネート法が用いられる。この方法は、量産性に優れ、良好な密着性が得られるからである。
[実施例1]
(透明電極層の形成)
ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板(厚み:125μm)の表面にPVD法によりSiO2薄膜を形成し、そのSiO2薄膜の上面に透明電極であるITO膜(膜厚:150nm、シート抵抗:20Ω/□)を圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法(パワー:3.7kW、酸素部分圧:73%、製膜圧力:0.3Pa、製膜レート:150nm/min、基板温度:20℃)により製膜した後に、エッチングによりパターンニングした。次いで、ITOパターンが形成された基板をアセトン、基板洗浄液、IPAをそれぞれ用いて洗浄した。
上記ITOパターンが形成された基板上に、正孔取出し層形成用塗工液(導電性高分子ペースト;ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェンの水分散体)をスピンコート法にて塗布し、150℃で30分間乾燥させて正孔取出し層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量100万)の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比3:5:2で混合し、一層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔取出し層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて一層目の電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比3:1で混合し、二層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記一層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて二層目の電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
次に、二層目の電子正孔輸送層上に、Ca薄膜(膜厚:100nm)、Al薄膜(膜厚:500nm)を順次蒸着法にて製膜し、金属電極とした。
最後に、封止用ガラス材により金属電極の上から封止して、バルクヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池を作製した。
(透明電極層の形成)
実施例1と同様にして、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板上にSiO2薄膜およびITOパターンを形成した。
上記ITOパターンが形成された基板上に、正孔取出し層形成用塗工液(導電性高分子ペースト;ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェンの水分散体)をスピンコート法にて塗布し、150℃で30分間乾燥させて正孔取出し層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量100万)の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比5:3で混合し、一層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔取出し層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて一層目の電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリチアルキルオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比5:3で混合し、二層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記一層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて二層目の電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
次に、二層目の電子正孔輸送層上に、Ca薄膜(膜厚:100nm)、Al薄膜(膜厚:500nm)を順次蒸着法にて製膜し、金属電極とした。
最後に、封止用ガラス材により金属電極の上から封止して、バルクヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池を作製した。
(透明電極層の形成)
実施例1と同様にして、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板上にSiO2薄膜およびITOパターンを形成した。
上記ITOパターンが形成された基板上に、正孔取出し層形成用塗工液(導電性高分子ペースト;ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェンの水分散体)をスピンコート法にて塗布し、150℃で30分間乾燥させて正孔取出し層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量100万)の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比3:5:2で混合し、一層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔取出し層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて一層目の電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量100万)の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比3:5:2で混合し、二層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記一層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて二層目の電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリフルオレンの0.1wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比1:1で混合し、三層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記二層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて三層目の電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
次に、三層目の電子正孔輸送層上に、Ca薄膜(膜厚:100nm)、Al薄膜(膜厚:500nm)を順次蒸着法にて製膜し、金属電極とした。
最後に、封止用ガラス材により金属電極の上から封止して、バルクヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池を作製した。
(透明電極層の形成)
実施例1と同様にして、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板上にSiO2薄膜およびITOパターンを形成した。
上記ITOパターンが形成された基板上に、正孔取出し層形成用塗工液(導電性高分子ペースト;ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェンの水分散体)をスピンコート法にて塗布し、150℃で30分間乾燥させて正孔取出し層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量100万)を、0.3wt%となるようにクロロホルム溶媒に溶解させ、正孔輸送層形成用塗工液を調製した。この正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔取出し層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて正孔輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比3:1で混合し、電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
次に、電子正孔輸送層上に、Ca薄膜(膜厚:100nm)、Al薄膜(膜厚:500nm)を順次蒸着法にて製膜し、金属電極とした。
最後に、封止用ガラス材により金属電極の上から封止して、バルクヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池を作製した。
(透明電極層の形成)
実施例1と同様にして、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板上にSiO2薄膜およびITOパターンを形成した。
上記ITOパターンが形成された基板上に、正孔取出し層形成用塗工液(導電性高分子ペースト;ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェンの水分散体)をスピンコート法にて塗布し、150℃で30分間乾燥させて正孔取出し層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量100万)の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比3:5:2で混合し、電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔取出し層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて電子正孔輸送層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリフルオレンを、0.1wt%となるようにクロロホルム溶媒に溶解させ、電子輸送層形成用塗工液を調製した。この電子輸送層形成用塗工液を上記電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて電子輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
次に、電子輸送層上に、Ca薄膜(膜厚:100nm)、Al薄膜(膜厚:500nm)を順次蒸着法にて製膜し、金属電極とした。
最後に、封止用ガラス材により金属電極の上から封止して、バルクヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池を作製した。
(透明電極層の形成)
実施例1と同様にして、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板上にSiO2薄膜およびITOパターンを形成した。
上記ITOパターンが形成された基板上に、正孔取出し層形成用塗工液(導電性高分子ペースト;ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェンの水分散体)をスピンコート法にて塗布し、150℃で30分間乾燥させて正孔取出し層(膜厚:100nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液と、ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量120万)の0.3wt%クロロホルム溶液とを重量比3:5:2で混合し、この溶液をφ0.2μmのろ紙でろ過して一層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔取出し層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて一層目の電子正孔輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量120万)の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比1:1で混合し、この溶液をφ0.2μmのろ紙でろ過して二層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記一層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて二層目の電子正孔輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
ポリアルキルチオフェン(P3HT;ポリ3−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル(レジオレギュラー))の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比1:1で混合し、この溶液をφ0.2μmのろ紙でろ過して三層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記二層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて三層目の電子正孔輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
次に、三層目の電子正孔輸送層上に、Ca薄膜(膜厚:100nm)、Al薄膜(膜厚:500nm)を順次蒸着法にて製膜し、金属電極とした。
最後に、封止用ガラス材により金属電極の上から封止して、バルクヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池を作製した。
(透明電極層の形成)
実施例1と同様にして、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板上にSiO2薄膜およびITOパターンを形成した。
上記ITOパターンが形成された基板上に、正孔取出し層形成用塗工液(導電性高分子ペースト;ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェンの水分散体)をスピンコート法にて塗布し、150℃で30分間乾燥させて正孔取出し層(膜厚:100nm)を形成した。
チオフェン−フルオレン共重合体(Poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(bithiophene)])の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液と、ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量120万)の0.3wt%クロロホルム溶液とを重量比3:5:2で混合し、この溶液をφ0.2μmのろ紙でろ過して一層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記正孔取出し層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて一層目の電子正孔輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
ポリフェニレンビニレン(MDMO−PPV;ポリ(2−メトキシ−5−(3´,7´−ジメチルオクチルオキシ)−1−4−フェニレンビニレン)(重量平均分子量120万)を、0.3wt%となるようにクロロホルム溶媒に溶解させ、二層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記一層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて二層目の電子正孔輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
チオフェン−フルオレン共重合体(Poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(bithiophene)])の0.3wt%クロロホルム溶液と、フラーレン(PCBM;1−(3−メトキシカルボニル)プロピル−1−フェニル(6,6)−C60)の0.1wt%クロロホルム溶液とを重量比1:1で混合し、この溶液をφ0.2μmのろ紙でろ過して三層目の電子正孔輸送層形成用塗工液を調製した。
この電子正孔輸送層形成用塗工液を上記二層目の電子正孔輸送層上にスピンコート法にて塗布し、110℃で10分間乾燥させて三層目の電子正孔輸送層(膜厚:30nm)を形成した。
次に、三層目の電子正孔輸送層上に、Ca薄膜(膜厚:100nm)、Al薄膜(膜厚:500nm)を順次蒸着法にて製膜し、金属電極とした。
最後に、封止用ガラス材により金属電極の上から封止して、バルクヘテロ接合型の有機薄膜太陽電池を作製した。
2,2a,2b … 正孔輸送層
3,3a,3b … 正孔輸送層
10 … 有機薄膜太陽電池素子
Claims (7)
- 電子供与性の導電性高分子材料および電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子正孔輸送層と、前記電子正孔輸送層、電子供与性の導電性高分子材料を含有する正孔輸送層、ならびに電子受容性の導電性高分子材料を含有する電子輸送層からなる群から選択される一つの層とが直接積層されている、あるいは、前記電子正孔輸送層、前記正孔輸送層および前記電子輸送層からなる群から選択される層が三層以上直接積層されていることを特徴とする有機薄膜太陽電池素子。
- 前記電子正孔輸送層、前記正孔輸送層および前記電子輸送層が、塗膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜太陽電池素子。
- 前記電子正孔輸送層と前記正孔輸送層とが直接積層されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機薄膜太陽電池素子。
- 前記電子正孔輸送層と前記電子輸送層とが直接積層されていることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の有機薄膜太陽電池素子。
- 二層以上の前記電子正孔輸送層が直接積層されていることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の有機薄膜太陽電池素子。
- 前記電子正孔輸送層と、前記正孔輸送層および前記電子輸送層の少なくともいずれか一方と、前記電子正孔輸送層とがこの順に直接積層されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機薄膜太陽電池素子。
- 請求項1から請求項6までのいずれかの請求項に記載の有機薄膜太陽電池素子を用いたことを特徴とする有機薄膜太陽電池。
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