JP2006209840A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 少なくとも透明中間層を介して積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合にも、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜３４と、記録膜３４に対して、支持基板１１側に設けられた反射膜３２と、反射膜３２に対して、支持基板１１側に設けられた誘電体膜３１を含み、かかる誘電体膜３１が、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成されたことを特徴とする光記録媒体。
【選択図】 図４

Description

本発明は、光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合において、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することができる光記録媒体に関するものである。

従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されており、記録されたデータの書き換えが可能なものとして、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷなどの書き換え型の光記録媒体が知られている。

また、これらの光記録媒体の記録容量を高めるために、情報層の数を増やして、記録領域の面積を増大させる技術が開発されており、複数の情報層を備えた書き換え型の光記録媒体が提案されている。

これらの書き換え型の光記録媒体においては、一般に、相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層に照射されるレーザビームのパワーを、記録パワーＰｗ、基底パワーＰｂおよび消去パワーＰｅに対応する複数のレベルに変調することによって、情報層にデータを記録し、記録されたデータを再生し、あるいは、消去することができる。

ところが、複数の情報層を備えた書き換え型の光記録媒体は、いずれかの情報層にレーザビームを照射することによって、その情報層にデータを記録し、記録されたデータを再生し、あるいは、消去するように、構成されているため、光入射面から遠い情報層にデータを記録し、光入射面から遠い情報層に記録されたデータを再生し、あるいは、消去する際には、光入射面に近い情報層を介して、光入射面から遠い情報層にレーザビームが照射される。

したがって、所望のように、光入射面から遠い情報層にデータを記録し、光入射面から遠い情報層に記録されたデータを再生し、あるいは、消去するためには、光入射面に近い情報層が、レーザビームに対して、高い光透過率を有していることが必要である。

ここに、情報層の光透過率を高くするためには、かかる情報層に、反射膜に対して、支持基板側に、誘電体材料によって形成された誘電体膜を、設けることが有効であり、とくに、かかる誘電体膜を、屈折率が大きな誘電体材料によって、形成することが有効であると考えられている。

この考えに基づいて、光入射面に近い情報層に、反射膜に対して、支持基板側に、屈折率が大きな誘電体材料によって形成された誘電体膜を設けた光記録媒体として、たとえば、その一方の表面によって、レーザビームが入射する光入射面を構成する第一の基板と、第一の基板に対向するように配置された第二の基板と、第一の基板と第二の基板との間に配置された第一の情報層と、第一の情報層と第二の基板との間に配置された第二の情報層と、第一の情報層と第二の情報層との間に配置された中間層とを備え、第一の情報層が、第二の基板側から第一の基板側に向かって、３９０ｎｍないし４３０ｎｍの波長を有する光に対する屈折率が２．３以上である第三の誘電体層と、第一の反射層と、第二の誘電体層と、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含む第一の記録層と、第一の誘電体層とを含むことを特徴とする光記録媒体が挙げられる（特開２００３−１６６８７号公報（特許文献１）参照。）。
特開２００３−１６６８７号公報

特開２００３−１６６８７号公報に記載されているように、従来より、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜を形成するための相変化材料として、カルコゲナイド化合物などの周期表の第１６族元素（Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＴｅおよびＰｏ）を含む化合物組成を有する相変化材料が広く用いられているが、近年、Ｓｂ共晶組成を有する相変化材料（Ｓｂ共晶系の相変化材料）が提案され、このような相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体が実用化されつつある（たとえば、特開２００３−３４１２４０号公報）。

しかしながら、特開２００３−１６６８７号公報に記載された光記録媒体のように、光入射面に近い情報層の光透過率を高めるために、光入射面に近い情報層に、反射膜に対して、支持基板側に、屈折率が大きな誘電体材料によって形成された誘電体膜を設ける必要がある場合には、その情報層に含まれる記録膜を、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成すると、光入射面に近い情報層にデータを記録し、記録したデータを再生したときに、再生信号のジッタが悪化してしまうことがあった。

そのため、複数の情報層を備えた光記録媒体において、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含み、光入射面に近い位置に設けられた情報層の光透過性と記録特性を、ともに向上させることによって、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することは困難であった。

したがって、本発明の目的は、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合において、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することができる光記録媒体を提供することにある。

本発明者は、本発明の前記目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、複数の情報層を備えた光記録媒体において、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に設けられた反射膜と、反射膜に対して、支持基板側に設けられた誘電体膜とを含んでいる場合に、かかる誘電体膜を、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成したときには、かかる情報層の光透過率を低下させることなく、その情報層にデータを記録し、記録したデータを再生したときに、再生信号のジッタが悪化することを防止することができ、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層の光透過性と記録特性を高い水準で両立させることが可能になることを見出した。

本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に設けられた反射膜と、前記反射膜に対して、前記支持基板側に設けられた誘電体膜を含み、前記誘電体膜が、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成されたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。

本発明者は、さらに、鋭意研究を重ねた結果、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に設けられた反射膜と、反射膜に対して、支持基板側に設けられ、二以上の膜を備えた誘電体膜を含んでいる場合に、かかる二以上の膜のうち、少なくとも、膜厚が最も厚い膜を、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成したときには、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層の光透過性と記録特性を高い水準で両立させることが可能になることを見出した。

したがって、本発明の前記目的はまた、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に設けられた反射膜と、前記反射膜に対して、前記支持基板側に設けられ、二以上の膜を備えた誘電体膜とを含み、前記二以上の膜のうち、膜厚が最も厚い膜が、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成されたことを特徴とする光記録媒体よって達成される。

本発明において、屈折率とは、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する屈折率をいう。

本発明において、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成された誘電体膜または誘電体膜を構成する膜とは、誘電体材料によって形成された誘電体膜または誘電体膜を構成する膜が、２．０ないし２．４の屈折率を有していることをも包含する。

本発明によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層の光透過性と記録特性を高い水準で両立させることができるため、この情報層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することが可能になるとともに、レーザビームがかかる情報層を透過する際に、レーザビームの光量が減少することを最小限に抑制することができるから、かかる情報層を介して、かかる情報層よりも光入射面から遠い位置に設けられた情報層にレーザビームを照射することによって、この情報層にも、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生し、あるいは、消去することが可能になる。

本発明において、反射膜に対して、支持基板側に設けられた誘電体膜が二以上の膜を備えている場合には、かかる二以上の膜のうち、少なくとも、膜厚が最も厚い膜が、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成されていれば、かかる膜厚が最も厚い膜以外の膜を形成する誘電体材料の屈折率は、とくに限定されるものではなく、たとえば、かかる二以上の膜のうち、すべての膜を、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成することもできる。

本発明において、誘電体材料の屈折率は、２．１ないし２．４であることが好ましく、とくに、２．１ないし２．３であることが好ましい。屈折率が２．１ないし２．４の誘電体材料によって誘電体膜を形成した場合には、光透過性と記録特性を、より一層、高い水準で両立させることが可能になる。

本発明において、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料は、とくに限定されるものではないが、たとえば、モル比が約８５：１５ないし約６０：４０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物、モル比が約９５：５ないし約７０：３０のＺｒＯ_２とＣｒ_２Ｏ_３の混合物、モル比が約９８：２ないし約９０：１０のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物、ＺｎＯ、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５などが好ましく用いられる。

本発明において、Ｓｂ共晶系の相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｓｂを主成分として含むＳｂ共晶系の相変化材料が好ましく用いられ、Ｓｂと、Ｓｂと共晶を持つ元素の少なくとも一種とを主成分として含む相変化材料がより好ましく用いられる。

ここに、Ｓｂと共晶を持つ元素は、Ｓｂと共晶を持ち得る元素であれば、とくに限定されるものではないが、たとえば、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎなどの元素が好ましく用いられる。

このようなＳｂ共晶系の相変化材料の中でも、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料、および、７０原子％ないし９５原子％のＳｂと、０原子％を超え、３０原子％未満のＧｅと、０原子％を超え、２５原子％以下のＭｇを含む相変化材料がとくに好ましい。かかる相変化材料によって記録膜を形成した場合には、かかる記録膜を含む情報層に記録したデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、このデータを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができ、保存特性を向上させることができる。

本発明においては、Ｓｂ共晶系の相変化材料が、さらに、Ｓｂ、および、Ｓｂと共晶を持つ元素以外の元素を含んでいてもよい。

本発明によれば、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合において、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することができる光記録媒体を提供することが可能になる。

以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。

図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。

本実施態様にかかる光記録媒体１０は、書き換え型の光記録媒体として構成され、図２に示されるように、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ０情報層２０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ１情報層３０を備え、光透過層１３の一方の表面によって、レーザビームＬが入射する光入射面１３ａが構成されている。

本実施態様において、Ｌ０情報層２０は、光入射面１３ａから遠い情報層を構成し、Ｌ１情報層３０は、光入射面１３ａに近い情報層を構成している。

本実施態様にかかる光記録媒体１０は、図２において、矢印Ｌで示される方向から、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬが、約０．８５の開口数ＮＡを有する対物レンズ（図示せず）を介して、光透過層１３に照射されるように構成されている。

支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。

支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではないが、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板１１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。

本実施形態においては、支持基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。

本実施形態においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光透過層１３を介して、照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必ずしも必要ではない。

支持基板１１は、図２に示されるように、その表面には、グルーブ１１ａが形成されている。グルーブ１１ａは、Ｌ０情報層２０にデータを記録し、Ｌ０情報層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。

表面に、グルーブ１１ａ有する支持基体１１は、たとえば、スタンパ（図示せず）を用いた射出成形法などによって作製される。

透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０とＬ１情報層３０とを、物理的に、かつ、光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。

図２に示されるように、透明中間層１２の表面には、グルーブ１２ａが形成されている。透明中間層１２の表面に形成されたグルーブ１２ａは、Ｌ１情報層３０にデータを記録し、Ｌ１情報層３０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０にデータを記録し、Ｌ０情報層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。したがって、透明中間層１２を形成するための材料は、近赤外から紫外の波長領域での光学吸収や反射が少なく、複屈折率が小さいことが要求される。透明中間層１２を形成するための材料は、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化型アクリル樹脂などの紫外線硬化型樹脂を含む紫外線硬化型樹脂組成物によって、透明中間層１２が形成されることが好ましい。

透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０上に、紫外線硬化型樹脂組成物の溶液をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、支持基板１１を作製するのに用いたスタンパと同様の凹凸パターンが形成されたスタンパ（図示せず）を被せた状態で、スタンパを介して、紫外線を照射することによって、形成されることが好ましい。

光透過層１３は、レーザビームＬが透過する層であり、その一方の表面によって、光入射面１３ａが構成されている。

光透過層１３を形成するための材料は、近赤外から紫外の波長領域で吸収が小さく、かつ、複屈折率が小さいことが要求される。光透過層１３を形成するための材料は、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などを含有する樹脂組成物が、光透過層１３を形成するために、好ましく使用され、紫外線硬化型アクリル樹脂を含有する樹脂組成物が、より好ましく使用される。

光透過層１３は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。

光透過層１３は、樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、Ｌ１情報層３０の表面上に塗布して、形成されることが好ましいが、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、Ｌ１情報層３０の表面に接着して、光透過層１３を形成することもできる。

図３は、Ｌ０情報層２０の略拡大断面図である。

図３に示されるように、本実施態様においては、Ｌ０情報層２０は、支持基板１１側から、反射膜２１、第二の誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３、第一の誘電体膜２４および放熱膜２５が積層されて、構成されている。

反射膜２１は、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０記録膜２３に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１３から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、Ｌ０記録膜２３に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。

反射膜２１を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｄなどが用いられるが、これらのうちでも、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金など、これらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射膜２１を形成するために、好ましく用いられる。とくに、反射膜２１が、Ａｇを含んでいる場合には、表面平滑性に優れた反射膜２１を形成することができ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になり、好ましい。

反射膜２１は、単一の膜によって構成されても、２以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、反射膜２１は、Ａｇを含む金属材料によって形成された第一の膜２１２と第二の膜２１１とが積層されて、構成されている。

反射膜２１の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。

反射膜２１は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、Ｌ０記録膜２３を物理的および化学的に保護するとともに、Ｌ０記録膜２３に生成された熱を放熱させ、さらに、レーザビームＬを照射する前後の光学特性の変化を増大する機能を有している。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４を形成するための材料は、レーザビームＬの波長領域である３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長において、透明な誘電体材料であれば、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物から形成されることが好ましい。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、それぞれ、単一の膜によって構成されても、２以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、第二の誘電体膜２２は、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物によって形成された第一の膜２２２と、ＣｅとＡｌの酸化物によって形成された第二の膜２２１とが積層されて、構成され、第一の誘電体膜２４は、単一の膜によって、構成されている。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４の厚さは、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜２２の厚さは５ｎｍないし３５ｎｍであることが好ましく、第一の誘電体膜２４の厚さは１０ｎｍないし８０ｎｍであることが好ましい。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

Ｌ０記録膜２３は、記録マークを形成して、データを記録するための膜であり、相変化材料によって形成され、単一の膜によって構成されている。相変化材料は、結晶状態である場合の反射率と、アモルファス状態である場合の反射率とが異なるため、これを利用して、データが記録され、記録されたデータが再生される。

Ｌ０記録膜２３を形成するための相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｌ０記録膜２３は、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、ＴｂおよびＭｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む相変化材料を含んで形成されるのが好ましい。

Ｌ０記録膜２３の厚さは、とくに限定されるものではないが、８ｎｍないし２５ｎｍであることが好ましい。

Ｌ０記録膜２３は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

放熱膜２５は、第一の誘電体膜２４を介して、Ｌ０記録膜２３から伝達された熱を放熱する役割を果たす。

放熱膜２５を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、記録膜２３に生じた熱を放熱することができれば、とくに限定されるものではないが、第一の誘電体膜２４の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料が好ましく、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２などが、放熱膜２５を形成するために、好ましく使用される。

放熱膜２５は、１０ｎｍないし１２０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。

放熱膜２５は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

図４は、Ｌ１情報層３０の略拡大断面図である。

図４に示されるように、本実施態様においては、Ｌ１情報層３０は、支持基板１１側から、第四の誘電体膜３１、反射膜３２、第三の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３４、第二の誘電体膜３５、第一の誘電体膜３６および放熱膜３７が積層されて、構成されている。

第四の誘電体膜３１は、Ｌ１情報層３０の光透過性と記録特性を高い水準で両立させる役割を果たし、さらに、後述する反射膜３２とともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。

第四の誘電体膜３１は、単一の膜によって構成されても、二以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、第一の膜３１２と、第一の膜３１２の膜厚よりも厚い膜厚に設定された第二の膜３１１とが積層されて、構成されている。

第二の膜３１１を形成するための材料は、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、ＣｒおよびＮｂよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物などの誘電体材料が、第二の膜３１１を形成するために用いられる。これらの中でも、モル比が約８５：１５ないし約６０：４０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物、モル比が約９５：５ないし約７０：３０のＺｒＯ_２とＣｒ_２Ｏ_３の混合物、モル比が約９８：２ないし約９０：１０のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物、ＺｎＯ、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５などが第二の膜３１１を形成するために好ましく用いられる。本実施態様においては、第二の膜３１１は、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物によって形成されている。第二の膜３１１がかかる材料によって形成されている場合には、Ｌ１情報層３０の光透過性と記録特性を高い水準で両立させることが可能になる。

第一の膜３１２を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物などの誘電体材料が、第一の膜３１２を形成するために用いられるが、Ｓを含んでいない誘電体材料が好ましく用いられる。後述する反射膜３２に隣接して設けられた第一の膜３１２が、かかる誘電体材料によって、形成された場合には、Ａｇを含む反射膜３２の表面が腐食されることを防止することができ、高い保存信頼性を確保することが可能になる。本実施態様においては、第一の膜３１２は、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物によって形成されている。第一の膜３１２がかかる材料によって形成されている場合には、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生成された熱を速やかに放熱させることが可能になるとともに、高い保存信頼性を確保することが可能になる。

第四の誘電体膜３１は、３ｎｍないし３０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第四の誘電体膜３１の厚さが、３ｎｍ未満の場合には、放熱効果が低下し、その一方で、３０ｎｍを越えている場合には、生産性が低下してしまう。

本実施態様においては、第一の膜３１２と第二の膜３１１の膜厚は、第二の膜３１１の膜厚が第一の膜３１２の膜厚よりも厚く設定されていれば、とくに限定されるものではない。

第一の膜３１２および第二の膜３１１は、たとえば、スパッタリング法などによって、それぞれ、形成される。

反射膜３２は、光透過層１３を介して、Ｌ１記録膜３４に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１３から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。

反射膜３２を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、図３に示されたＬ０情報層２０の反射膜２１を形成するために、好ましく用いられる金属材料と同様の金属材料が、好ましく用いられる。本実施態様においては、反射膜３２は、Ａｇを主成分として含む金属材料によって、形成されている。反射膜３２が、かかる金属材料によって、形成されている場合には、反射膜３２の表面平滑性が優れ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になる。

反射膜３２は、５ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、１０ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有有するように形成されることが、とくに好ましい。反射膜３２が、５ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有するように形成される場合には、反射膜３２からの放熱性を向上させることができるとともに、Ｌ１情報層３０の光透過性を向上させることもできる。

反射膜３２は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第三の誘電体膜３３は、第二の誘電体膜３５とともに、Ｌ１記録膜３４を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を、反射膜３２側に放熱させる機能を有している。

第三の誘電体膜３３を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第一の膜３１２を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第三の誘電体膜３３は、第一の膜３１２と同様に、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物によって形成されている。第三の誘電体膜３３がかかる材料によって形成されている場合には、レーザビームＬの照射によってＬ１記録膜３４に生成された熱を速やかに放熱させることが可能になる。

第三の誘電体膜３３は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第三の誘電体膜３３の厚さが３ｎｍ未満の場合には、第三の誘電体膜３３を連続膜として形成することが困難となり、その一方で、１５ｎｍを越えている場合には、Ｌ１記録膜３４の熱を効果的に反射膜に逃がすことが困難になる。

第三の誘電体膜３３は、たとえば、スパッタリング法などによって、形成される。

Ｌ１記録膜３４は、記録マークを形成して、データを記録するための膜であり、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成され、単一の膜によって構成されている。相変化材料は、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なるため、これを利用して、データが記録され、記録されたデータが再生される。

Ｌ１記録膜３４を形成するためのＳｂ共晶系の相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｓｂと、Ｓｂと共晶を持つ元素の少なくとも一種とを主成分として含む相変化材料が好ましく用いられ、とくに、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料、および、７０原子％ないし９５原子％のＳｂと、０原子％を超え、３０原子％未満のＧｅと、０原子％を超え、２５原子％以下のＭｇを含む相変化材料が好ましく用いられる。本実施態様において、Ｌ１記録膜３４は、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料によって、形成されている。Ｌ１記録膜３４がかかる相変化材料によって形成されている場合には、Ｌ１記録膜３４の膜厚にかかわらず、Ｌ１情報層３０の保存特性が向上する。

Ｌ１記録膜３４は、２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、４ｎｍないし９ｎｍの膜厚を有するように形成されていることがより好ましい。Ｌ１記録膜３４が２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成された場合には、Ｌ１情報層３０の保存特性が、より一層、向上する。

Ｌ１記録膜３４は、たとえば、Ｌ１記録膜３４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられるが、スパッタリング法によって、Ｌ１記録膜３４を形成することが好ましい。

第二の誘電体膜３５は、第三の誘電体膜３３とともに、Ｌ１記録膜３４を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を、後述する放熱膜３７側に放熱させる機能を有している。また、第二の誘電体膜３５は、第一誘電体膜３６を構成する元素がＬ１記録膜３４に拡散することを防ぐバリア膜としての役割をも果たす。

第二の誘電体膜３５を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第一の膜３１２および第三の誘電体膜３３を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第二の誘電体膜３５は、第一の膜３１２および第三の誘電体膜３３と同様に、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物によって形成されている。第二の誘電体膜３５がかかる材料によって形成されている場合には、レーザビームＬの照射によってＬ１記録膜３４に生成された熱を速やかに放熱させることが可能になる。

第二の誘電体膜３５は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第二の誘電体膜３５の厚さが、３ｎｍ未満である場合には、バリア膜としての役割を充分に果たすことが困難になるとともに、放熱効果が低下し、その一方で、１５ｎｍを越えている場合には、第二の誘電体膜３５を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第二の誘電体膜３５にクラックが生じやすくなる。

第二の誘電体膜３５は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第一の誘電体膜３６は、第二の誘電体膜３５と放熱膜３７との密着性を高める機能を有している。

第一の誘電体膜３６を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、第二の誘電体膜３５および放熱膜３７との密着性が高い材料であれば、とくに限定されるものではないが、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物によって、第一の誘電体膜３６を形成することが好ましい。第一の誘電体膜３６を、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物によって形成する場合には、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比は、６０：４０ないし９５：５であることが好ましい。ＺｎＳのモル比が、６０％未満の場合には、第一の誘電体膜３６の屈折率が低下して、記録マークが形成されたＬ１記録膜３４の領域と、記録マークが形成されていないＬ１記録膜３４の領域との反射率の差が低下するおそれがある。その一方で、ＺｎＳのモル比が、９５％を越えている場合には、第一の誘電体膜３６を完全な透明膜として形成することが困難であり、信号出力が低下するなどの悪影響がでてくる。

第一の誘電体膜３６は、５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第一の誘電体膜３６の厚さが、５ｎｍ未満の場合には、放熱膜３７にクラックが生じやすくなり、５０ｎｍを越える場合には、放熱効果が低下するおそれがある。

第一の誘電体膜３６は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

放熱膜３７は、第二の誘電体膜３５および第一の誘電体膜３６を介して、Ｌ１記録膜３４から伝達された熱を放熱する役割を果たす。

放熱膜３７を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を放熱することができれば、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜３５の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料が、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２などが好ましく用いられる。

放熱膜３７は、２０ｎｍないし７０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。放熱膜３７の厚さが、２０ｎｍ未満の場合には、充分な放熱効果を得られないおそれがあり、その一方で、７０ｎｍを越える場合には、放熱膜３７の成膜に長い時間を要するため、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがある。

放熱膜３７は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

以上のように構成された本実施態様にかかる光記録媒体１０のＬ０情報層２０またはＬ１情報層３０にデータを記録する場合には、記録パワーＰｗおよび基底パワーＰｂとの間で、そのパワーが変調されたレーザビームＬが、また、Ｌ０情報層２０またはＬ１情報層３０に記録されたデータを再生する場合には、そのパワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３を介して、Ｌ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３またはＬ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４にフォーカスされる。

光記録媒体１０のＬ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４に、記録マークを形成して、Ｌ１情報層３０にデータを記録するにあたっては、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが、Ｌ１記録膜３４に照射され、レーザビームＬが照射されたＬ１記録膜３４の領域が、相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、その領域に含まれる相変化材料が溶融される。次いで、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３を介して、Ｌ１記録膜３４に照射され、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬにより、溶融した相変化材料が急冷されて、相変化材料が、結晶状態からアモルファス状態に変化し、Ｌ１記録膜３４に記録マークが形成されて、Ｌ１情報層３０にデータが記録される。

本実施態様においては、Ｌ１情報層３０は、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含むＳｂ共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜３４と、反射膜３２に対して、支持基板１１側に設けられ、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物によって形成された第一の膜３１２および第一の膜３１２よりも厚い膜厚に設定され、屈折率が２．０ないし２．４のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物によって、形成された第二の膜３１１が積層されて構成された第四の誘電体膜３１とを備え、さらに、第二の誘電体膜３５および第三の誘電体膜３３が、ともに、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物によって形成されており、かかる場合には、Ｌ１情報層３０の光透過性と記録特性を高い水準で両立させることができるとともに、放熱性を向上させることができるから、Ｌ１情報層３０に、所望のように、データを記録することが可能になる。

一方、光記録媒体１０のＬ１情報層３０に記録されたデータを再生する場合には、そのパワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３を介して、Ｌ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４にフォーカスされ、反射膜３２などによって反射されたレーザビームＬの光量が検出される。

本実施態様においては、上述のように、Ｌ１情報層３０の光透過性と記録特性を高い水準で両立させることが可能になるとともに、放熱性を向上させることが可能になるから、Ｌ１情報層３０に記録されたデータを、所望のように、再生することが可能になる。

これに対して、光記録媒体１０のＬ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３に、記録マークを形成して、Ｌ０情報層２０にデータを記録するにあたっては、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０記録膜２３に照射され、レーザビームＬが照射されたＬ０記録膜２３の領域が、相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、その領域に含まれている相変化材料が溶融される。次いで、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０記録膜２３に照射され、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームＬにより、溶融した相変化材料が急冷されて、相変化材料が、結晶状態からアモルファス状態に変化し、Ｌ０記録膜２３に記録マークが形成されて、Ｌ０情報層２０にデータが記録される。

本実施態様においては、上述のように、Ｌ１情報層３０の光透過性を充分に向上させることができるから、レーザビームＬがかかるＬ１情報層３０を透過する際に、レーザビームＬの光量が減少することを最小限に抑制することができ、したがって、Ｌ１情報層３０を介して、Ｌ０情報層２０にレーザビームＬを照射することによって、Ｌ０情報層２０に、所望のように、データを記録することが可能になる。

一方、光記録媒体１０のＬ０情報層２０に記録されたデータを再生する場合には、そのパワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３にフォーカスされ、反射膜２１などによって反射されたレーザビームＬの光量が検出される。

本実施態様においては、上述のように、レーザビームＬがＬ１情報層３０を透過する際に、レーザビームＬの光量が減少することを最小限に抑制することができるから、Ｌ１情報層３０を介して、Ｌ０情報層２０にレーザビームＬを照射することによって、Ｌ０情報層２０に記録されたデータを、所望のように、再生することが可能になる。

以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。

実施例１
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。

まず、射出成型法により、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍで、表面に、グルーブが、０．３２μｍのグルーブピッチで形成されたポリカーボネート基板を作製した。

次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板のグルーブが形成された表面上に、９８．４原子％のＡｇ、０．７原子％のＮｄ、０．９原子％のＣｕおよびＮからなる４０ｎｍの厚さを有する第二の膜と、９８．４原子％のＡｇ、０．７原子％のＮｄおよび０．９原子％のＣｕからなる６０ｎｍの厚さを有する第一の膜とから構成された反射膜、モル比が８０：２０のＣｅＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３の混合物からなる１０ｎｍの厚さを有する第二の膜と、モル比が５０：５０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有する第一の膜とから構成された第二の誘電体膜、７７．１原子％のＳｂと１８．７原子％のＴｅと４．２原子％のＧｅを含む相変化材料を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有するＬ０記録膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、４０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ならびに、ＡｌＮを主成分として含み、３０ｎｍの厚さを有する放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、Ｌ０情報層を形成した。

ここに、反射膜を構成する第一の膜、第二の誘電体膜を構成する第一の膜および第二の膜、Ｌ０記録膜ならびに第一の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、それぞれの膜に対応する組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。

一方、反射膜を構成する第二の膜および放熱膜は、それぞれ、ＡｇＮｄＣｕまたはＡｌターゲットを用いて、アルゴンおよび窒素ガス雰囲気中で、反応性スパッタリング法によって形成した。

次いで、Ｌ０情報層が形成されたポリカーボネート基板をスピンコート装置にセットし、Ｌ０情報層上に、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を、塗布して、その上に、グルーブが形成された透明のスタンパを重ね、ポリカーボネート基板を回転させながら、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を展開させつつ、紫外線を照射して、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物を硬化させ、２５μｍの厚さを有する透明中間層を形成した。透明中間層に形成されたグルーブは、０．３２μｍのグルーブピッチを有していた。

さらに、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、Ｌ０記録膜に初期化処理を施し、Ｌ０記録膜を結晶化させた。

次いで、Ｌ０情報層および透明中間層が形成されたポリカーボネート基板を、スパッタリング装置にセットし、透明中間層の表面上に、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物（屈折率＝２．２６）を主成分として含み、１５ｎｍの厚さを有する第二の膜と、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物を主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する第一の膜とから構成された第四の誘電体膜、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金を含み、１５ｎｍの厚さを有する反射膜、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜、８７．０原子％のＳｂと、１３．０原子％のＧｅとを含む相変化材料を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有するＬ１記録膜、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ならびに、ＡｌＮを主成分として含み、３５ｎｍの厚さを有する放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、Ｌ１情報層を形成した。

ここに、放熱膜は、アルゴンガスおよび窒素ガス雰囲気中で、Ａｌターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって形成した。

さらに、第四の誘電体膜を構成する第一の膜および第二の膜、反射膜、第三の誘電体膜、Ｌ１記録膜、第二の誘電体膜、ならびに、第一の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、それぞれの膜に対応する組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。

次いで、Ｌ１情報層の放熱膜の表面上に、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物を硬化させ、７５μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

さらに、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、Ｌ１記録膜に初期化処理を施し、Ｌ１記録膜を結晶化させた。

こうして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。

次いで、モル比が８５：１５のＺｒＯ_２とＳｉＯ_２の混合物（屈折率＝２．１４）を主成分として含み、１６ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜を構成する第二の膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。

さらに、モル比が７０：３０のＺｒＯ_２とＳｉＯ_２の混合物（屈折率＝２．０３）を主成分として含み、１６ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜を構成する第二の膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３を作製した。

次いで、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物を主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する第一の膜を形成せずに、モル比が９０：１０のＺｒＯ_２とＣｒ_２Ｏ_３の混合物（屈折率＝２．２８）を主成分として含み、２０ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜を構成する単一の膜を形成した点を除いて光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４を作製した。

次いで、ＴｉＯ_２およびＮからなる材料（屈折率＝２．７）を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜を構成する第二の膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃１を作製した。ここに、第二の膜はアルゴンガスおよび窒素ガス雰囲気中でＴｉＯ_２ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって作製した。

さらに、ＴｉＯ_２（屈折率＝２．５）を主成分として含み、１３．５ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜を構成する第二の膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃２を作製した。

次いで、モル比が５０：５０のＺｒＯ_２とＳｉＯ_２の混合物（屈折率＝１．９２）を主成分として含み、１７ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜を構成する第二の膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃３を作製した。

このようにして作製した光記録媒体サンプル＃１ないし＃４および光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３を、それぞれ、ＳＴＥＡＧ ＥＴＡ−Ｏｐｔｉｋ社製の光学式膜厚測定装置「ＥＴＡ−ＲＴ」（商品名）に、順次、セットし、波長が４０５ｎｍのレーザビームを照射して、第四の誘電体膜を構成する第二の膜の屈折率を、それぞれ、測定したところ、第二の膜に主成分として含まれている誘電体材料の屈折率と同じであった。

次いで、光記録媒体サンプル＃１ないし＃４および光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、１０．５ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、チャンネルクロック周波数１３２ＭＨｚ、チャンネルビット長０．１２μｍ／ｂｉｔで、４０５ｎｍの波長を有し、そのパワーが、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、所定のパターンにしたがって、変調されたレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、光透過層を介して、各サンプルのＬ１記録膜に照射し、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に、ランダム信号を記録した。

ここに、各サンプルのＬ１情報層にランダム信号を記録する場合には、いずれも、レーザビームの記録パワーＰｗ、再生パワーＰｒ、および、基底パワーＰｂを、それぞれ、１０．６ｍＷ、０．７ｍＷ、および、０．１ｍＷに設定した。

次いで、このようにして記録したランダム信号を、レーザビームの再生パワーＰｒを０．７ｍＷに設定して、上述したのと同様にして、それぞれ、再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。

ここに、クロックジッタは、タイムインターバルアナライザによって、再生信号のゆらぎσを求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）によって、算出した。

ジッタの算出結果は、表１に示されている。

次いで、光記録媒体サンプル＃１ないし＃４および光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３の各サンプルから、それぞれ、支持基板およびＬ０情報層を剥離して、透明中間層、Ｌ１情報層および光透過層からなる積層体を切り出し、各積層体に、光透過層側から、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームを照射し、積層体を透過した透過光の光量を測定して、光透過率（％）を算出した。

光透過率（％）の算出結果は、第１表に示されている。

第１表から明らかなように、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜を含むＬ１情報層の光透過率を高めるためには、反射膜に対して、支持基板側に設けられた第四の誘電体膜を構成し、最も厚い膜厚に設定された第二の膜を、屈折率が２．０以上の誘電体材料によって、形成することが有効であり、その一方で、Ｌ１情報層の記録特性を改善するためには、かかる第二の膜を、屈折率が２．４以下の誘電体材料によって、形成することが有効であることが分かった。

したがって、Ｌ１情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜と、Ｌ１記録膜に対して、支持基板側に設けられた反射膜と、反射膜に対して、支持基板側に設けられ、二以上の膜を備えた第四の誘電体膜を含んでいる場合に、第四の誘電体膜の二以上の膜のうち、最も厚い膜厚に設定された第二の膜を、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成したときには、Ｌ１情報層の光透過性を維持しつつ、記録特性を大幅に改善することが可能になり、Ｌ１情報層の光透過性と記録特性を高い水準で両立させることが可能になることが判明した。

さらに、上述のようにして、光記録媒体サンプル＃１ないし＃４および光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３を、それぞれ、作製し、Ｌ１情報層にランダム信号を記録したのと同様にして、レーザビームを、光透過層およびＬ１情報層を介して、各サンプルの各Ｌ０記録膜に照射し、各Ｌ０記録膜に、記録マークを形成して、各Ｌ０情報層にランダム信号を記録し、Ｌ１情報層に記録されたランダム信号を再生したのと同様にして、各Ｌ０情報層に記録されたランダム信号を再生したところ、光記録媒体比較サンプル＃３にあっては、所望のように、各Ｌ０情報層に、ランダム信号を記録し、各Ｌ０情報層に記録されたランダム信号を再生することができなかったのに対して、光記録媒体サンプル＃１ないし＃４ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃２にあっては、所望のように、各Ｌ０情報層に、ランダム信号を記録し、各Ｌ０情報層に記録されたランダム信号を再生することができた。

したがって、これらの結果から明らかなように、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に設けられた反射膜と、反射膜に対して、支持基板側に設けられ、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成された第二の膜とを含むＬ１情報層を備えた光記録媒体においては、Ｌ０情報層およびＬ１情報層のいずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することが可能になることが判明した。
実施例２
実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃１ならびに光記録媒体比較サンプル＃１および＃２を、それぞれ、作製し、各サンプルを、それぞれ、上述の光記録媒体評価装置にセットし、レーザビームのパワーを、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、所定のパターンにしたがって、変調して、実施例１と同様にして、各サンプルのＬ１情報層に、ランダム信号を記録し、記録されたランダム信号を再生して、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。

ここに、各サンプルのＬ１情報層にランダム信号を記録する場合には、いずれも、レーザビームの記録パワーＰｗ、再生パワーＰｒ、および、基底パワーＰｂを、それぞれ、８．８ｍＷ、０．７ｍＷ、および、０．１ｍＷに設定し、各サンプルのＬ１情報層に記録されたランダム信号を再生する場合には、いずれも、レーザビームの再生パワーＰｒを０．７ｍＷに設定した。

次いで、記録パワーＰｗを、０．２ｍＷずつ、１２．６ｍＷまで、順次、変化させた点を除き、同様にして、光記録媒体サンプル＃１ならびに光記録媒体比較サンプル＃１および＃２の各Ｌ１記録膜に、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、各Ｌ１情報層に、ランダム信号を記録し、記録されたランダム信号を再生して、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。

光記録媒体サンプル＃１についてのジッタの測定結果は、図５の曲線Ａによって、光記録媒体比較サンプル＃１についてのジッタの測定結果は、図５の曲線Ｂによって、光記録媒体比較サンプル＃２についてのジッタの測定結果は、図５の曲線Ｃによって、それぞれ、示されている。

図５から明らかなように、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜と、Ｌ１記録膜に対して、支持基板側に設けられた反射膜と、反射膜に対して、支持基板側に設けられ、屈折率が２．４を超える誘電体材料によって形成された第二の膜とを含むＬ１情報層を備えた光記録媒体比較サンプル＃１および＃２にあっては、いずれの記録パワーＰｗにおいても、再生信号のジッタが大きかったのに対して、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に設けられた反射膜と、反射膜に対して、支持基板側に設けられ、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成された第二の膜とを含むＬ１情報層を備えた光記録媒体サンプル＃１にあっては、光記録媒体比較サンプル＃１および＃２に比して、いずれの記録パワーＰｗにおいても、再生信号のジッタが小さく、記録特性を大幅に改善することが可能になることが判明した。

本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

たとえば、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、第四の誘電体膜３１が、第一の膜３１２と、第一の膜３１２の膜厚よりも厚い膜厚に設定された第二の膜３１１とが積層されて、構成されているが、第四の誘電体膜が、第一の膜と第二の膜とが積層されて、構成されていることは必ずしも必要でなく、第四の誘電体膜が三以上の膜が積層されて、構成されていてもよい。

また、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、第四の誘電体膜３１が、ともに、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成された第一の膜３１２および第二の膜３１１とが積層されて、構成されているが、第四の誘電体膜を構成する膜がすべて、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成されていることは必ずしも必要でなく、第四の誘電体膜を構成する膜のうち、膜厚が最も厚い膜が、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成されていればよい。

さらに、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、Ｌ１情報層３０は、第四の誘電体膜３１、反射膜３２、第三の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３４、第二の誘電体膜３５、第一の誘電体膜３６および放熱膜３７が積層されて、構成されているが、Ｌ１情報層は、Ｌ１記録膜と、Ｌ１記録膜に対して、支持基板側に設けられた反射膜と、反射膜に対して、支持基板側に設けられた誘電体膜とを含んでいればよく、他の構成はとくに限定されるものではなく、たとえば、第二の誘電体膜、第一の誘電体膜および放熱膜のいずれかの膜を省略することもできる。

また、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、第二の誘電体膜３５、第三の誘電体膜３３および第四の誘電体膜３１の第一の膜３１２が、いずれも、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物によって形成されているが、第二の誘電体膜、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜の第一の膜が、いずれも、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物によって形成されていることは必ずしも必要でない。

さらに、前記実施態様にかかる光記録媒体１０は、支持基板１１と、Ｌ０情報層２０と、透明中間層１２と、Ｌ１情報層３０と、光透過層１３を備え、二層の情報層が設けられているが、光記録媒体が、二層の情報層を備えていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体が、透明中間層を介して、積層された三層以上の情報層を備えていてもよい。光記録媒体が、三層以上の情報層を備えている場合には、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層がすべて、支持基板側から、第四の誘電体膜と、反射膜と、記録膜とを含んでいる必要はなく、少なくとも一つの情報層が、支持基板側から、第四の誘電体膜と、反射膜と、記録膜とを含んでいればよい。

また、前記実施態様にかかる光記録媒体１０において、レーザビームの光入射面から最も遠いＬ０情報層は、相変化材料によって形成されたＬ０記録膜２３を含み、書き換え型の情報層として構成されているが、レーザビームの光入射面から最も遠いＬ０情報層が、書き換え型の情報層として構成されていることは必ずしも必要でなく、Ｌ０情報層が、再生専用の情報層や追記型の情報層として、構成されてもよい。たとえば、Ｌ０情報層が、再生専用の情報層として構成される場合には、Ｌ０情報層としての情報層はとくに設けられず、支持基板が、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層として機能し、支持基板の表面上に、プリピットが形成され、かかるプリピットによってデータが記録される。

さらに、前記実施態様にかかる光記録媒体１０は、光透過層１３を備え、レーザビームＬが、光透過層１３から、Ｌ０記録膜２３およびＬ１記録膜３４に照射されるように構成されているが、光記録媒体が、光透過層を備え、光透過層から、Ｌ０記録膜およびＬ１記録膜に、レーザビームが照射されるように構成されていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体が、光透過性材料によって形成された支持基板を備え、レーザビームが、支持基板から、Ｌ０記録膜およびＬ１記録膜に照射されるように構成されていてもよい。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図である。 図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。 図３は、Ｌ０情報層２０の略拡大断面図である。 図４は、Ｌ１情報層３０の略拡大断面図である。 図５は、光記録媒体サンプル＃１ならびに光記録媒体比較サンプル＃１および＃２のジッタを示すグラフである。

符号の説明

１０：光記録媒体
１１：支持基板
１２：透明中間層
１３：光透過層
２０：Ｌ０情報層
２１、３２：反射膜
２２：第二の誘電体膜
２３：Ｌ０記録膜
２４：第一の誘電体膜
２５：放熱膜
３０：Ｌ１情報層
３１：第四の誘電体膜
３３：第三の誘電体膜
３４：Ｌ１記録膜
３５：第二の誘電体膜
３６：第一の誘電体膜
３７：放熱膜
３１１：第二の膜
３１２：第一の膜

Claims (4)

1. 支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に設けられた反射膜と、前記反射膜に対して、前記支持基板側に設けられた誘電体膜を含み、前記誘電体膜が、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって形成されたことを特徴とする光記録媒体。
2. 支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に設けられた反射膜と、前記反射膜に対して、前記支持基板側に設けられ、二以上の膜を備えた誘電体膜とを含み、前記二以上の膜のうち、膜厚が最も厚い膜が、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成されたことを特徴とする光記録媒体。
3. 前記二以上の膜のすべてが、屈折率が２．０ないし２．４の誘電体材料によって、形成されたことを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
4. 前記誘電体材料の屈折率が、２．１ないし２．４であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録媒体。

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