JP2006202447A

JP2006202447A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2006202447A
Application number: JP2005015388A
Authority: JP
Inventors: Hironori Kakiuchi; 宏憲柿内; Hiroshi Shinkai; 浩新開; Kenji Yamaya; 研二山家
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-01-24
Filing date: 2005-01-24
Publication date: 2006-08-03

Abstract

【課題】支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】支持基板上に、透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、共晶系の相変化材料で形成された記録膜３４と、前記記録膜３４に対して、前記支持基板１１側に形成された反射膜３２と、前記記録膜３４に対して、前記光入射面１３ａ側に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とする材料で形成された第一の放熱膜３８と、前記記録膜３４と前記第一の放熱膜３８に間に形成され、ＡｌＮを主成分とする材料で形成された第二の放熱膜３７とを含んでいることを特徴とする光記録媒体。
【選択図】図４

Description

本発明は、光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、再生することができる光記録媒体に関するものである。

従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されており、記録されたデータの書き換えが可能なものとして、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷなどの書き換え型の光記録媒体が知られている。

このような書き換え型光記録媒体においては、一般に、相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層に照射されるレーザビームのパワーを、記録パワーＰｗ、基底パワーＰｂおよび消去パワーＰｅに対応する複数のレベルに変調することによって、情報層にデータを記録し、情報層に記録されたデータを再生し、あるいは、消去することができる。

たとえば、情報層にデータを記録する場合には、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームが、情報層に含まれた記録膜に照射され、レーザビームが照射された記録膜の領域が、相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、その領域に含まれた相変化材料が溶融される。次いで、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームが、記録膜に照射され、溶融された相変化材料が急冷される。その結果、その領域内の溶融された相変化材料が、結晶状態からアモルファス状態に変化し、記録膜に記録マークが形成されて、情報層にデータが記録される。

近年においては、光記録媒体の記録容量を高めるとともに、非常に高いデータ転送レートを実現するために、情報層に高密度でデータを記録することが可能な次世代型の光記録媒体の開発が盛んに行われており、次世代型の書き換え型光記録媒体も提案されている。

また、その一方で、光記録媒体の記録容量を高めるために、情報層の数を増やして、記録領域の面積を増大させる技術も開発されており、二層以上の情報層が積層された構造を有する書き換え型の光記録媒体も提案されている。

このような二層以上の情報層を備えた光記録媒体は、いずれかの情報層にレーザビームを照射することによって、その情報層にデータを記録し、記録されたデータを再生し、あるいは、消去できるように、構成されるため、光入射面から遠い情報層にデータを記録し、光入射面から遠い情報層に記録されたデータを再生し、あるいは、消去する際には、光入射面に近い情報層を介して、光入射面から遠い情報層にレーザビームを照射することになる。

したがって、所望のように、光入射面から遠い情報層にデータを記録し、光入射面から遠い情報層に記録されたデータを再生し、あるいは、消去するためには、光入射面に近い情報層が、レーザビームに対して、高い光透過率を有していることが必要である。

ここに、情報層の光透過率を高くするためには、情報層を薄く形成することが有効であり、とくに、情報層に含まれた各種の膜のうちでも、金属材料を主成分として含み、光透過率が低い反射膜を薄く形成することが有効である。

しかしながら、光入射面に近い情報層に含まれる反射膜を薄く形成すると、反射膜自体の放熱性が低下し、情報層全体としての放熱性も低下してしまい、記録膜に生じた熱を効果的に放熱させることが困難になり、その情報層にデータを記録し、記録したデータを再生したときに、再生信号のジッタが悪化してしまうことがあった。したがって、光入射面に近い情報層に含まれた反射膜を薄く形成する場合には、所望のように、光入射面から遠い情報層にデータを記録し、記録されたデータを再生し、あるいは、消去することが可能になるが、光入射面に近い情報層に、所望のように、データを記録することは困難であるという問題があった。

したがって、本発明の目的は、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することができる光記録媒体を提供することにある。

本発明者は、レーザビームの光入射面に近い情報層の放熱性について、鋭意研究を重ねた結果、支持基板側から、第四の誘電体膜、反射膜、第三の誘電体膜、共晶系の相変化材料によって形成された記録膜、第二の誘電体膜、第一の誘電体膜および放熱膜が積層されて、レーザビームの光入射面に近い情報層が形成された光記録媒体において、放熱膜を熱伝導率の高いＡｌＮなどの材料によって形成した場合には、この情報層の放熱性を十分に高めることができる一方で、この情報層に含まれる反射膜を薄く形成すると、やはり、反射膜自体の放熱性が低下して、情報層全体としての放熱性も低下してしまい、記録膜に生じた熱を効果的に放熱させることが困難になってしまうことを見出した。

かかる放熱性の低下は、光入射面に近い情報層に含まれる放熱膜を厚く形成して、その情報層全体としての放熱性を高めることによって解決することができると考えられる。

しかしながら、光入射面に近い情報層には、その情報層に記録されたデータを再生するにあたって、所望のように、レーザビームを反射させる性質を有することが要求されるため、情報層の反射率を所望の反射率に調整する必要があり、所望の反射率を有するように情報層を形成するためには、情報層の反射率は放熱膜の膜厚にも依存するから、放熱膜の膜厚がある範囲に限定され、放熱膜の膜厚を厚くすることは困難であることが判明した。

したがって、複数の情報層を備えた光記録媒体においては、光入射面に近い情報層の反射率や光透過率などの光学特性を維持しつつ、放熱性を高めることによって、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、記録したデータを再生することは、通常、困難であると考えられた。

しかしながら、本発明者は、本発明の前記目的を達成するため、さらに鋭意研究を重ねた結果、記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に形成された反射膜と、記録膜に対して、光入射面側に形成され、ＡｌＮを主成分とする材料によって形成された放熱膜とを備え、光入射面に近い位置に形成された情報層に、さらに、放熱膜に対して、光入射面側に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とする材料によって形成された膜を設けた場合には、反射膜を薄く形成しても、その情報層の光学特性を低下させることなく、情報層全体としての放熱性を高めることが可能になることを見出した。

本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に形成された反射膜と、前記記録膜に対して、前記光入射面側に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とする材料によって形成された第一の放熱膜と、前記記録膜と前記第一の放熱膜に間に形成され、ＡｌＮを主成分とする材料によって形成された第二の放熱膜とを含んでいることを特徴とする光記録媒体によって達成される。

本発明において、ある化合物を主成分とする材料とは、ある材料に含まれる化合物のうち、その化合物の含有率が最も大きいことを意味し、また、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とするとは、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分とする場合およびＳｉＯ_２を主成分とする場合に加えて、Ａｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２を主成分とする場合をも包含する。

本発明によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層の高い反射率や光透過率などの光学特性を低下させることなく、情報層全体としての放熱性を高めることができるから、この情報層にデータを記録する際に、レーザビームが記録膜に照射されて溶融された領域を確実に急冷することができ、溶融された領域に含まれた相変化材料の一部が再び結晶化して、本来、形成されるはずの記録マークよりも小さな記録マークが形成されることを効果的に防止して、記録マークを所望の大きさに形成することが可能になる。さらに、本発明によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層に記録されたデータを再生する際に、照射されたレーザビームを、所望のように反射させることが可能になるから、この情報層に記録されたデータを再生したときに、再生信号のジッタが悪化することを防止することが可能になるとともに、この情報層の優れた光学特性が低下することを防止することが可能になる。したがって、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層に、所望のように、データを記録し、所望のように、記録されたデータを再生することが可能になる。

また、本発明によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層の放熱性を向上させつつ、この情報層に含まれた反射膜を薄く形成することができるから、情報層の放熱性を向上させるとともに、光透過率をも高めることが可能になる。したがって、レーザビームがこの情報層を透過する際に、レーザビームの光量が減少することを最小限に抑制することができるから、この情報層を介して、光入射面から最も遠い情報層にレーザビームを照射することによって、光入射面から最も遠い情報層にも、所望のように、データを記録し、所望のように、記録されたデータを再生し、あるいは、消去することが可能になる。

本発明において、第一の放熱膜が第二の放熱膜に隣接して、形成されていることが好ましい。第一の放熱膜が第二の放熱膜に隣接して、形成されている場合には、情報層の優れた光学特性を低下させることなく、情報層全体としての放熱性をさらに高めることが可能になる。

本発明者のさらなる研究によれば、第一の放熱膜を１０ｎｍ未満の膜厚を有するように、形成した場合には、充分な放熱効果を得られないおそれがあり、その一方で、第一の放熱膜を７５ｎｍ以上の膜厚を有するように、形成した場合には、第一の放熱膜側の放熱性が向上しすぎて、第一の放熱膜から放熱される熱量が著しく増大するため、反射膜側から放熱される熱量が減少して、反射膜側の放熱性が低下してしまい、その結果、情報層全体としての放熱性がかえって低下しやすくなることが見出されている。したがって、本発明において、第一の放熱膜は、１０ｎｍ以上、７５ｎｍ未満の膜厚を有するように形成されていることが好ましく、とくに、２５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の膜厚を有するように形成されていることが好ましい。

本発明において、反射膜は、Ａｇを主成分として含み、５ｎｍないし２５ｎｍの膜厚を有するように形成されていることが好ましい。反射膜が、Ａｇを主成分として含み、５ｎｍないし２５ｎｍの膜厚を有するように形成されている場合には、反射膜からの放熱性を高めることができ、情報層全体としての放熱性をさらに高めることが可能になる。

本発明において、反射膜は、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有していることがさらに好ましい。反射膜が、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有している場合には、反射膜からの放熱性をさらに高めることができ、情報層全体としての放熱性を、より一層、高めることが可能になる。

本発明によれば、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録し、再生することができる光記録媒体を提供することが可能になる。

以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。

図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。

本実施態様にかかる光記録媒体１０は、書き換え型の光記録媒体として構成され、図２に示されるように、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ０情報層２０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ１情報層３０を備え、光透過層１３の一方の表面によって、レーザビームＬが入射する光入射面１３ａが構成されている。

本実施態様において、Ｌ０情報層２０は、光入射面１３ａから遠い情報層を構成し、Ｌ１情報層３０は、光入射面１３ａに近い情報層を構成している。

本実施態様にかかる光記録媒体１０は、図２において、矢印Ｌで示される方向から、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬが、約０．８５の開口数ＮＡを有する対物レンズ（図示せず）を介して、光透過層１３に照射されるように構成されている。

支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。

支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではないが、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板１１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。

本実施形態においては、支持基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。

本実施形態においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光透過層１３を介して、照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必ずしも必要ではない。

支持基板１１は、図２に示されるように、その表面には、グルーブ１１ａが形成されている。グルーブ１１ａは、Ｌ０情報層２０にデータを記録し、Ｌ０情報層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。

表面に、グルーブ１１ａを有する支持基体１１は、たとえば、スタンパ（図示せず）を用いた射出成形法などによって作製される。

透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０とＬ１情報層３０とを、物理的に、かつ、光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。

図２に示されるように、透明中間層１２の表面には、グルーブ１２ａが形成されている。透明中間層１２の表面に形成されたグルーブ１２ａは、Ｌ１情報層３０にデータを記録し、Ｌ１情報層３０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０にデータを記録し、Ｌ０情報層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。

したがって、透明中間層１２を形成するための材料は、近赤外から紫外の波長領域での光学吸収や反射が少なく、複屈折率が小さいことが要求される。透明中間層１２を形成するための材料は、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化型アクリル樹脂などの紫外線硬化型樹脂を含む紫外線硬化型樹脂組成物によって、透明中間層１２が形成されることが好ましい。

透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０上に、紫外線硬化型樹脂組成物の溶液をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、支持基板１１を作製するのに用いたスタンパと同様の凹凸パターンが形成されたスタンパ（図示せず）を被せた状態で、スタンパを介して、紫外線を照射することによって、形成されることが好ましい。

光透過層１３は、レーザビームＬが透過する層であり、その一方の表面によって、光入射面１３ａが構成されている。

光透過層１３を形成するための材料は、近赤外から紫外の波長領域で吸収が小さく、かつ、複屈折率が小さいことが要求される。光透過層１３を形成するための材料は、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などを含有する樹脂組成物が、光透過層１３を形成するために、好ましく使用され、紫外線硬化型アクリル樹脂を含有する樹脂組成物が、より好ましく使用される。

光透過層１３は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。

光透過層１３は、樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、Ｌ１情報層３０の表面上に塗布して、形成されることが好ましいが、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、Ｌ１情報層３０の表面に接着して、光透過層１３を形成することもできる。

図３は、Ｌ０情報層２０の略拡大断面図である。

図３に示されるように、本実施態様においては、Ｌ０情報層２０は、支持基板１１側から、反射膜２１、第二の誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３、第一の誘電体膜２４および放熱膜２５が積層されて、構成されている。

反射膜２１は、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０記録膜２３に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１３から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、Ｌ０記録膜２３に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。

反射膜２１を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｄなどが用いられるが、これらのうちでも、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金など、これらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射膜２１を形成するために、好ましく用いられる。とくに、反射膜２１が、Ａｇを含んでいる場合には、表面平滑性に優れた反射膜２１を形成することができ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になり、好ましい。

反射膜２１は、単一の膜によって構成されても、二以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、反射膜２１は、Ａｇを含む金属材料によって形成された第一の膜２１２と第二の膜２１１とが積層されて、構成されている。

反射膜２１の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。

反射膜２１は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、Ｌ０記録膜２３を物理的および化学的に保護するとともに、Ｌ０記録膜２３に生成された熱を放熱させ、さらに、レーザビームＬを照射する前後の光学特性の変化を増大する機能を有している。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４を形成するための材料は、レーザビームＬの波長領域である３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長において、透明な誘電体材料であれば、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物から形成されることが好ましい。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、それぞれ、単一の膜によって構成されても、二以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、第二の誘電体膜２２は、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物によって形成された第一の膜２２２と、ＣｅとＡｌの酸化物によって形成された第二の膜２２１とが積層されて、構成され、第一の誘電体膜２４は、単一の膜によって、構成されている。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４の厚さは、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜２２の厚さは５ｎｍないし３５ｎｍであることが好ましく、第一の誘電体膜２４の厚さは１０ｎｍないし８０ｎｍであることが好ましい。

第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

Ｌ０記録膜２３は、記録マークを形成して、データを記録するための膜であり、相変化材料によって形成され、単一の膜によって構成されている。相変化材料は、結晶状態である場合の反射率と、アモルファス状態である場合の反射率とが異なるため、これを利用して、データが記録され、記録されたデータが再生される。

Ｌ０記録膜２３を形成するための相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｌ０記録膜２３は、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、ＴｂおよびＭｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む相変化材料を含んで形成されるのが好ましい。

Ｌ０記録膜２３の厚さは、とくに限定されるものではないが、８ｎｍないし２５ｎｍであることが好ましい。

Ｌ０記録膜２３は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

放熱膜２５は、第一の誘電体膜２４を介して、Ｌ０記録膜２３から伝達された熱を放熱する役割を果たす。

放熱膜２５を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、Ｌ０記録膜２３に生じた熱を放熱することができれば、とくに限定されるものではないが、第一の誘電体膜２４の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料が好ましく、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２などが、放熱膜２５を形成するために、好ましく使用される。

放熱膜２５は、１０ｎｍないし１２０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。

放熱膜２５は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

図４は、Ｌ１情報層３０の略拡大断面図である。

図４に示されるように、本実施態様においては、Ｌ１情報層３０は、支持基板１１側から、第四の誘電体膜３１、反射膜３２、第三の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３４、第二の誘電体膜３５、第一の誘電体膜３６、第二の放熱膜３７および第一の放熱膜３８が積層されて、構成されている。

第四の誘電体膜３１は、後述する反射膜３２とともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。

第四の誘電体膜３１を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、ＺｎおよびＣｒよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物などが、第四の誘電体膜３１を形成するために用いられる。

第四の誘電体膜３１は、単一の膜によって構成されても、二以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、第四の誘電体膜３１は、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物によって形成された第一の膜３１２と、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物によって形成された第二の膜３１１とが積層されて、構成されている。第一の膜３１２が、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物によって形成されている場合には、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生成された熱を速やかに放熱させることが可能になるとともに、第二の膜３１１に含まれるイオウによって、反射膜３２の表面が腐食されることを防止することができ、高い保存信頼性を確保することが可能になる。一方、第二の膜３１１が、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成されている場合には、Ｌ１情報層３０のレーザビームＬに対する光透過率を高めることが可能になる。

第四の誘電体膜３１は、３ｎｍないし３０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第四の誘電体膜３１の厚さが、３ｎｍ未満の場合には、放熱効果が低下し、３０ｎｍを越えている場合には、生産性が低下してしまう。

第四の誘電体膜３１は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

反射膜３２は、光透過層１３を介して、Ｌ１記録膜３４に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１３から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。

反射膜３２を形成するための材料としては、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｄなどが用いられ、これらのうちでも、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金など、これらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射膜３２を形成するために、好ましく用いられる。とくに、反射膜３２が、Ａｇを主成分として含んでいる場合には、Ｌ１情報層３０の放熱性が向上するとともに、表面平滑性に優れた反射膜３２を形成することができ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になり、好ましい。

本実施態様においては、反射膜３２は、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有していることが好ましい。反射膜３２が、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有している場合には、反射膜３２からの放熱性をさらに高めることができ、Ｌ１情報層３０全体としての放熱性を、より一層、高めることが可能になる。

反射膜３２は、レーザビームＬに対して、高い光透過率を有し、かつ、所望の反射率を有している必要があり、これらを考慮すると、反射膜３２は、５ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有していることが好ましく、７ｎｍないし１８ｎｍの厚さを有していることがより好ましい。とくに、反射膜３２がＡｇを主成分として含んでいる場合には、反射膜３２が、１０ｎｍないし１５ｎｍを有するように形成されることが好ましい。反射膜３２がＡｇを主成分として含み、１０ｎｍないし１５ｎｍの膜厚を有している場合には、反射膜３２からの放熱性を高めることができ、Ｌ１情報層３０全体としての放熱性をさらに高めることが可能になる。

反射膜３２は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第三の誘電体膜３３は、第二の誘電体膜３５とともに、Ｌ１記録膜３４を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を、反射膜３２側に放熱させる機能を有している。

第三の誘電体膜３３を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第四の誘電体膜３１を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第三の誘電体膜３３は、第四の誘電体膜３１の第一の膜３１２と同様に、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物によって形成されている。この場合には、レーザビームＬの照射によってＬ１記録膜３４に生成された熱を速やかに放熱させることが可能になる。

第三の誘電体膜３３は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第三の誘電体膜３３の厚さが、３ｎｍ未満の場合には、第三の誘電体膜３３を連続膜として形成することが困難となり、１５ｎｍを越えている場合には、記録膜の熱を効果的に反射膜に逃がすことが困難になる。

第三の誘電体膜３３は、たとえば、スパッタリング法などによって、形成される。

Ｌ１記録膜３４は、記録マークを形成して、データを記録するための膜であり、Ｓｂ共晶組成を有する相変化材料（Ｓｂ共晶系の相変化材料）によって形成され、単一の膜によって構成されている。相変化材料は、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なるため、これを利用して、データが記録され、記録されたデータが再生される。

Ｌ１記録膜３４を形成するためのＳｂ共晶系の相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｓｂと、Ｓｂと共晶を持つ元素の少なくとも一種とを主成分として含む共晶系の相変化材料が好ましく用いられ、とくに、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料、および、７０原子％ないし９５原子％のＳｂと、０原子％を超え、３０原子％以下のＧｅと、０原子％を超え、２５原子％以下のＭｇを含む相変化材料が好ましい。本実施態様において、Ｌ１記録膜３４は、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料によって、形成されている。Ｌ１記録膜３４がかかる相変化材料によって形成されている場合には、Ｌ１記録膜３４の膜厚にかかわらず、Ｌ１情報層３０の保存特性が向上する。

ここに、Ｓｂと共晶を持つ元素は、Ｓｂと共晶を持ち得る元素であれば、とくに限定されるものではないが、たとえば、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎなどの元素が好ましく用いられる。

Ｌ１記録膜３４の膜厚が２ｎｍないし１５ｎｍであるとき、とくに、Ｌ１記録膜３４の膜厚が４ｎｍないし９ｎｍであるときには、Ｌ１情報層３０の保存特性が、より一層、向上する。したがって、Ｌ１記録膜３４は、２ｎｍ以上、１５ｎｍ以下、好ましくは、４ｎｍないし９ｎｍの膜厚を有するように形成されていることが好ましい。

Ｌ１記録膜３４は、たとえば、Ｌ１記録膜３４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第三の誘電体膜３３の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられるが、スパッタリング法によって、Ｌ１記録膜３４を形成することが好ましい。

第二の誘電体膜３５は、第三の誘電体膜３３とともに、Ｌ１記録膜３４を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を、後述する放熱膜３７側に放熱させる機能を有している。また、第二の誘電体膜３５は、第一誘電体膜３６を構成する元素がＬ１記録膜３４に拡散することを防ぐバリア膜としての役割をも果たす。

第二の誘電体膜３５を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第四の誘電体膜３１および第三の誘電体膜３３を形成するための材料と同様の材料を用いて、第二の誘電体膜３５を形成することができる。本実施態様において、第二の誘電体膜３５は、第四の誘電体膜３１の第一の膜３１２および第三の誘電体膜３３と同様に、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物によって形成されている。この場合には、レーザビームＬの照射によってＬ１記録膜３４に生成された熱を速やかに放熱させることが可能になる。

第二の誘電体膜３５は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第二の誘電体膜３５の厚さが、３ｎｍ未満である場合には、バリア膜としての役割を充分に果たすことが困難になるとともに、放熱効果が低下し、その一方で、１５ｎｍを越えている場合には、第二の誘電体膜３５を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第二の誘電体膜３５にクラックが生じやすくなる。

第二の誘電体膜３５は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第一の誘電体膜３６は、第二の誘電体膜３５と放熱膜３７との密着性を高める機能を有している。

第一の誘電体膜３６を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、第二の誘電体膜３５および放熱膜３７との密着性が高い材料であれば、とくに限定されるものではないが、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって、第一の誘電体膜３６を形成することが好ましい。第一の誘電体膜３６を、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成する場合には、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比は、６０：４０ないし９５：５であることが好ましい。ＺｎＳのモル比が、６０％未満の場合には、第一の誘電体膜３６の屈折率が低下して、記録マークが形成されたＬ１記録膜３４の領域と、記録マークが形成されていないＬ１記録膜３４の領域との反射率の差が低下するおそれがある。一方、ＺｎＳのモル比が、９５％を越えている場合には、第一の誘電体膜３６を完全な透明膜として形成することが困難であり、信号出力が低下するなどの悪影響がでてくる。

第一の誘電体膜３６は、５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第一の誘電体膜３６の厚さが、５ｎｍ未満の場合には、放熱膜３７にクラックが生じやすくなり、５０ｎｍを越える場合には、放熱効果が低下するおそれがある。

第一の誘電体膜３６は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第二の放熱膜３７は、第一の放熱膜３８とともに、第二の誘電体膜３５および第一の誘電体膜３６を介して、Ｌ１記録膜３４から伝達された熱を放熱する役割を果たす。

第二の放熱膜３７を形成するための材料としては、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、第一の誘電体膜３６の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有するＡｌＮを主成分とする材料が好ましく用いられる。第二の放熱膜３７が、ＡｌＮを主成分とする材料によって形成されている場合には、Ｌ１情報層３０の光透過率が高くなるとともに、放熱性が向上する。

第二の放熱膜３７は、２０ｎｍないし７０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第二の放熱膜３７の厚さが、２０ｎｍ未満の場合には、充分な放熱効果を得られないおそれがあり、一方、第二の放熱膜３７の厚さが、７０ｎｍを越える場合には、第二の放熱膜３７の成膜に長い時間を要するため、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがある。

第二の放熱膜３７は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

第一の放熱膜３８は、第二の放熱膜３７とともに、第二の誘電体膜３５および第一の誘電体膜３６を介して、Ｌ１記録膜３４から伝達された熱を放熱する役割を果たす。

本実施態様において、第一の放熱膜３８は、第二の放熱膜３７に隣接して、形成されている。このように、第一の放熱膜３８と第二の放熱膜３７とが隣接して、形成されている場合には、Ｌ１情報層３０の優れた光学特性を低下させることなく、Ｌ１情報層３０全体としての放熱性をさらに高めることが可能になる。

第一の放熱膜３８を形成するための材料としては、レーザビームＬに対して高い光透過性と、第二の放熱膜３７の屈折率よりも低い屈折率と、高い熱伝導率とを有するＡｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とする材料が好ましく用いられる。第一の放熱膜３８が、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とする材料によって形成されている場合には、Ｌ１情報層３０の光透過率と放熱性をともに高めることができ、情報層の高い反射率や透過率などの光学特性を低下させることなく、Ｌ１情報層３０全体としての放熱性を高めることができる。

第一の放熱膜３８の膜厚は、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍ以上、７５ｎｍ未満であることが好ましく、２５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることがとくに好ましい。第一の放熱膜３８の膜厚が、１０ｎｍ未満の場合には、充分な放熱効果を得られないおそれがあり、一方、第一の放熱膜３８の膜厚が、７５ｎｍ以上の場合には、放熱膜３７の成膜に長い時間を要するため、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがある。

第一の放熱膜３８は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。

以上のように構成された本実施態様にかかる光記録媒体１０のＬ０情報層２０またはＬ１情報層３０にデータを記録する場合には、記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅおよび基底パワーＰｂとの間で、そのパワーが変調されたレーザビームＬが、また、Ｌ０情報層２０またはＬ１情報層３０に記録されたデータを再生する場合には、そのパワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３を介して、Ｌ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３またはＬ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４にフォーカスされる。

本実施態様においては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬが、開口数が０．８５の対物レンズ（図示せず）を用いて、光記録媒体１０のＬ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３またはＬ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４にフォーカスされるように構成されている。

光記録媒体１０のＬ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４に、記録マークを形成して、Ｌ１情報層３０にデータを記録するにあたっては、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが、Ｌ１記録膜３４に照射され、レーザビームＬが照射されたＬ１記録膜３４の領域が、相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、その領域に含まれる相変化材料が溶融される。次いで、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３を介して、Ｌ１記録膜３４に照射され、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬにより、溶融した相変化材料が急冷されて、相変化材料が、結晶状態からアモルファス状態に変化し、Ｌ１記録膜３４に記録マークが形成されて、Ｌ１情報層３０にデータが記録される。

本実施態様においては、Ｌ１情報層３０は、Ｌ１記録膜３４と、Ｌ１記録膜３４に対して、支持基板１１側に形成された反射膜３２と、Ｌ１記録膜３４に対して、光入射面１３ａ側に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とする材料によって形成された第一の放熱膜３８と、Ｌ１記録膜３４と第一の放熱膜３８に間に、第一の放熱膜３８に隣接して形成され、ＡｌＮを主成分とする材料によって形成された第二の放熱膜３７とを備え、さらに、第二の誘電体膜３５、第三の誘電体膜３３および第四の誘電体膜３１が、いすれも、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物によって形成されており、かかる場合には、Ｌ１情報層３０の優れた光学特性を低下させることなく、Ｌ１情報層３０全体としての放熱性を高めることができるから、Ｌ１情報層３０にデータを記録する際に、Ｌ１記録膜３４に記録マークを所望の大きさに形成することが可能になる。したがって、Ｌ１情報層３０に記録されたデータを再生したときに、再生信号のジッタが悪化することを防止することが可能になり、その結果、Ｌ１情報層３０に、所望のように、データを記録することが可能になる。

一方、光記録媒体１０のＬ１情報層３０に記録されたデータを再生する場合には、そのパワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３を介して、Ｌ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４にフォーカスされ、反射膜３２などによって反射されたレーザビームＬの光量が検出される。

本実施態様においては、上述のように、Ｌ１情報層３０の優れた光学特性を低下させることなく、Ｌ１情報層３０全体としての放熱性を高めることができるから、Ｌ１情報層３０に記録されたデータを再生する際に、照射されたレーザビームＬを所望のように反射させることが可能になる。したがって、Ｌ１情報層３０に記録されたデータを再生したときに、再生信号のジッタが悪化することを防止することが可能になり、その結果、Ｌ１情報層３０に記録されたデータを、所望のように、再生することが可能になる。

これに対して、光記録媒体１０のＬ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３に、記録マークを形成して、Ｌ０情報層２０にデータを記録するにあたっては、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０記録膜２３に照射され、レーザビームＬが照射されたＬ０記録膜２３の領域が、相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、その領域に含まれている相変化材料が溶融される。次いで、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０記録膜２３に照射され、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームＬにより、溶融した相変化材料が急冷されて、相変化材料が、結晶状態からアモルファス状態に変化し、Ｌ０記録膜２３に記録マークが形成されて、Ｌ０情報層２０にデータが記録される。

本実施態様においては、上述のように、Ｌ１情報層３０の全体としての放熱性を高めつつ、Ｌ１情報層３０に含まれた反射膜３２を薄く形成することができるから、レーザビームＬがＬ１情報層３０を透過する際に、レーザビームＬの光量が減少することを最小限に抑制することができ、したがって、Ｌ１情報層３０を介して、Ｌ０情報層２０にレーザビームＬを照射することによって、Ｌ０情報層２０に、所望のように、データを記録することが可能になる。

一方、光記録媒体１０のＬ０情報層２０に記録されたデータを再生する場合には、そのパワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームＬが、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３にフォーカスされ、反射膜２１などによって反射されたレーザビームＬの光量が検出される。

本実施態様においては、上述のように、レーザビームＬがＬ１情報層３０を透過する際に、レーザビームＬの光量が減少することを最小限に抑制することができるから、Ｌ１情報層３０を介して、Ｌ０情報層２０にレーザビームＬを照射することによって、Ｌ０情報層２０に記録されたデータを、所望のように、再生することが可能になる。

以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。

実施例１
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。

まず、射出成型法により、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍで、表面に、グルーブが、０．３２μｍのグルーブピッチで形成されたポリカーボネート基板を作製した。

次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、グルーブが形成された表面上に、９８．４原子％のＡｇ、０．７原子％のＮｄ、０．９原子％のＣｕおよびＮからなる４０ｎｍの厚さを有する第二の膜と、９８．４原子％のＡｇ、０．７原子％のＮｄおよび０．９原子％のＣｕからなる６０ｎｍ厚さを有する第一の膜とから構成された反射膜、モル比が８０：２０のＣｅＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３の混合物からなる１０ｎｍの厚さを有する第二の膜と、モル比が５０：５０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有する第一の膜とから構成された第二の誘電体膜、７７．１原子％のＳｂと１８．７原子％のＴｅと４．２原子％のＧｅを含む相変化材料を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有するＬ０記録膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、４０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ならびに、ＡｌＮを主成分として含み、３０ｎｍの厚さを有する放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、Ｌ０情報層を形成した。

ここに、反射膜を構成する第一の膜、第二の誘電体膜を構成する第一の膜および第二の膜、Ｌ０記録膜ならびに第一の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、それぞれの膜に対応する組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。

一方、反射膜を構成する第二の膜および放熱膜は、それぞれ、ＡｇＮｄＣｕまたはＡｌターゲットを用いて、アルゴンおよび窒素ガス雰囲気中で、反応性スパッタリング法によって形成した。

次いで、Ｌ０情報層が形成されたポリカーボネート基板をスピンコート装置にセットし、Ｌ０情報層上に、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を、塗布して、その上に、グルーブが形成された透明のスタンパを重ね、ポリカーボネート基板を回転させながら、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を展開させつつ、紫外線を照射して、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物を硬化させ、２５μｍの厚さを有する透明中間層を形成した。透明中間層に形成されたグルーブは、０．３２μｍのグルーブピッチを有していた。

さらに、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、Ｌ０記録膜に初期化処理を施し、Ｌ０記録膜を結晶化させた。

次いで、Ｌ０情報層および透明中間層が形成されたポリカーボネート基板を、スパッタリング装置にセットし、透明中間層の表面上に、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を主成分として含み、１５ｎｍの厚さを有する第二の膜と、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物を主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する第一の膜とから構成された第四の誘電体膜、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金を含み、１５ｎｍの厚さを有する反射膜、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜、８７．０原子％のＳｂと、１３．０原子％のＧｅとを含む相変化材料を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有するＬ１記録膜、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ＡｌＮを主成分として含み、３５ｎｍの厚さを有する第二の放熱膜、ならびに、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分として含み、５０ｎｍの厚さを有する第一の放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、Ｌ１情報層を形成した。

ここに、第二の放熱膜は、アルゴンガスおよび窒素ガス雰囲気中で、Ａｌターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって形成し、第一の放熱膜は、アルゴンガスおよび酸素ガス雰囲気中で、Ａｌターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって形成した。

また、第四の誘電体膜を構成する第一の膜および第二の膜、反射膜、第三の誘電体膜、Ｌ１記録膜、第二の誘電体膜、ならびに、第一の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、それぞれの膜に対応する組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。

次いで、Ｌ１情報層の放熱膜の表面上に、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物を硬化させ、７５μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

さらに、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、Ｌ１記録膜に初期化処理を施し、Ｌ１記録膜を結晶化させた。

こうして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。

次いで、Ｌ１情報層に、第一の放熱膜を形成しなかった点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃１を作製した。

さらに、Ｌ１情報層の第一の誘電体膜の表面に、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分とする第二の放熱膜を形成し、第二の放熱膜の表面に、ＡｌＮを主成分とする第一の放熱膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃２を作製した。

次いで、Ｌ１情報層の第一の放熱膜と、第二の放熱膜との間に、さらに、モル比８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃３を作製した。

このようにして作製した光記録媒体サンプル＃１ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、１０．５ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、チャンネルクロック周波数１３２ＭＨｚ、チャンネルビット長０．１２μｍ／ｂｉｔで、４０５ｎｍの波長を有し、そのパワーが、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、所定のパターンにしたがって、変調されたレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、光透過層を介して、各サンプルのＬ１記録膜に照射し、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に、ランダム信号を記録した。

ここに、各サンプルのＬ１情報層にランダム信号を記録する場合には、いずれも、レーザビームの記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、再生パワーＰｒ、および、基底パワーＰｂを、それぞれ、９．６ｍＷ、３．８ｍＷ、０．７ｍＷ、および、０．３ｍＷに設定した。

次いで、このようにして記録したランダム信号を、上述したのと同様にして、それぞれ、再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。

ここに、クロックジッタは、タイムインターバルアナライザによって、再生信号のゆらぎσを求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）によって、算出した。

次いで、記録パワーＰｗを、０．２ｍＷずつ、１２．６ｍＷまで、順次、変化させた点を除き、同様にして、光記録媒体サンプル＃１および光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３の各Ｌ１記録膜に、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に、ランダム信号を記録し、記録されたランダム信号を再生して、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。

光記録媒体サンプル＃１についてのジッタの測定結果は、図５の曲線Ａによって、光記録媒体比較サンプル＃１についてのジッタの測定結果は、図５の曲線Ｂによって、光記録媒体比較サンプル＃２についてのジッタの測定結果は、図５の曲線Ｃによって、光記録媒体比較サンプル＃３についてのジッタの測定結果は、図５の曲線Ｄによって、それぞれ、示されている。

次いで、レーザビームのパワーを最も小さなジッタが得られた記録パワーＰｗに設定して、上述したのと同様にして、光記録媒体サンプル＃１ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３の各Ｌ１情報層に、ランダム信号を記録し、記録したランダム信号を再生して、反射率を測定するとともに、変調度を算出した。

ここに、反射率は、記録マークが形成されていない領域に、レーザビームを照射して測定し、変調度は、（Ｌａ−Ｌｂ）／Ｌａによって算出した。

ここに、Ｌａは、記録マークが形成されていない領域に、レーザビームを照射して得られる再生信号のレベルであり、Ｌｂは、２Ｔないし８Ｔの長さを有する記録マークがランダムに形成された領域に、レーザビームを照射して得られる再生信号のレベルである。

反射率の測定結果および変調度の算出結果は、それぞれ、表１に示されている。

次いで、レーザビームのパワーを、最も小さなジッタが得られた記録パワーＰｗに設定して、上述したのと同様にして、光記録媒体サンプル＃１ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３の各Ｌ１記録膜に、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に単一信号を記録するとともに、各Ｌ１記録膜に、８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に単一信号を記録し、各Ｌ１記録膜に、２Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に記録した単一信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比および各Ｌ１記録膜に、８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に記録した単一信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比を、それぞれ、測定した。

ここに、再生信号のＣ／Ｎ比は、アドバンテスト株式会社製のスペクトラムアナライザー「スペクトラムアナライザーＸＫ１８０」（商品名）を用いて、測定した。

再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、それぞれ、表１に示されている。

さらに、Ｌ１情報層にランダム信号を記録したのと同様にして、レーザビームを、光透過層およびＬ１情報層を介して、光記録媒体サンプル＃１のＬ０記録膜に照射し、Ｌ０記録膜に、記録マークを形成して、Ｌ０情報層にランダム信号を記録し、Ｌ１情報層に記録されたランダム信号を再生したのと同様にして、ランダム信号を再生したところ、所望のように、Ｌ０情報層に、ランダム信号を記録し、Ｌ０情報層に記録されたランダム信号を再生することができた。

図５および表１から明らかなように、Ｌ１情報層に第一の放熱膜が設けられた光記録媒体サンプル＃１にあっては、ジッタの悪化を防止することができ、１１ｍＷ以上の高い記録パワーＰｗにおいては、とくに効果的に、ジッタの悪化を防止することが可能になるとともに、第一の放熱膜を設けても、反射率や変調度などの光学特性が低下することを防止することが可能であったが、光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３にあっては、ジッタの悪化を防止することが困難であることが分かった。したがって、光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３にあっては、Ｌ１情報層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することが困難であるのに対して、光記録媒体サンプル＃１にあっては、Ｌ０情報層およびＬ１情報層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することが可能になることが判明した。

実施例２
実施例１と同様にして、作製したＬ０情報層および透明中間層が形成されたポリカーボネート基板を、スパッタリング装置にセットし、透明中間層の表面上に、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物を主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金を含み、１０ｎｍの厚さを有する反射膜、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物を主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜、８４．１原子％のＳｂと、１４．０原子％のＧｅと、１．９原子％のＭｇとを含む相変化材料を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有するＬ１記録膜、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物を主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ＡｌＮを主成分として含み、３６ｎｍの厚さを有する第二の放熱膜、ならびに、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分として含み、５０ｎｍの厚さを有する第一の放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、Ｌ１情報層を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。

さらに、ＡｌＮを主成分として含む第二の放熱膜の膜厚を４０ｎｍに設定し、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分として含む第一の放熱膜を形成しなかった点を除いて、光記録媒体サンプル＃２と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃４を作製した。

次いで、光記録媒体サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃４を、それぞれ、上述の光記録媒体評価装置にセットし、記録パワーＰｗを、８．５ｍＷから、０．５ｍＷずつ、１２．０ｍＷまで、順次、変化させた点を除き、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃４の各Ｌ１記録膜に、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、各Ｌ１情報層にランダム信号を記録し、記録したランダム信号を再生して、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。

光記録媒体サンプル＃２についてのジッタの測定結果は、図６の曲線Ａによって、光記録媒体比較サンプル＃４についてのジッタの測定結果は、図６の曲線Ｂによって、それぞれ、示されている。

次いで、実施例１と同様にして、レーザビームのパワーを、最も小さなジッタが得られた記録パワーＰｗに設定して、光記録媒体サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃４の各Ｌ１情報層に、ランダム信号を記録し、記録したランダム信号を再生して、反射率を測定するとともに、変調度を算出した。

反射率の測定結果および変調度の算出結果は、それぞれ、表２に示されている。

さらに、実施例１と同様にして、レーザビームのパワーを、最も小さなジッタが得られた記録パワーＰｗに設定して、光記録媒体サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃４の各Ｌ１記録膜に、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に単一信号を記録するとともに、各Ｌ１記録膜に、８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に単一信号を記録し、各Ｌ１記録膜に、２Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に記録した単一信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比および各Ｌ１記録膜に、８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に記録した単一信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比を、それぞれ、測定した。

再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、それぞれ、表２に示されている。

次いで、Ｌ１情報層にランダム信号を記録したのと同様にして、レーザビームを、光透過層およびＬ１情報層を介して、光記録媒体サンプル＃２のＬ０記録膜に照射し、Ｌ０記録膜に、記録マークを形成して、Ｌ０情報層に、ランダム信号を記録し、記録されたランダム信号を再生したところ、所望のように、Ｌ０情報層に、ランダム信号を記録し、Ｌ０情報層に記録されたランダム信号を再生することができた。

図６および表２から明らかなように、Ｌ１情報層に第一の放熱膜が設けられた光記録媒体サンプル＃２にあっては、Ｌ１情報層の反射膜および第四の誘電体膜を薄く形成した場合においても、ジッタの悪化を防止することが可能になるとともに、第一の放熱膜を設けても、反射率や変調度などの光学特性が低下することも防止することが可能であったが、光記録媒体比較サンプル＃４にあっては、ジッタの悪化を防止することが困難であることが分かった。したがって、光記録媒体比較サンプル＃４にあっては、Ｌ１情報層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することが困難であるのに対して、光記録媒体サンプル＃２にあっては、Ｌ０情報層およびＬ１情報層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することが可能になることが判明した。
実施例３
モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を主成分として含み、１５ｎｍの厚さを有する第二の膜に代えて、ＴｉＯ_２を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第二の膜を形成し、さらに、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分として含む第一の放熱膜の膜厚を２５ｎｍに設定した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３を作製した。

さらに、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を主成分として含み、１５ｎｍの厚さを有する第二の膜に代えて、ＴｉＯ_２を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第二の膜を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４を作製した。

次いで、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を主成分として含み、１５ｎｍの厚さを有する第二の膜に代えて、ＴｉＯ_２を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第二の膜を形成し、さらに、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分として含む第一の放熱膜の膜厚を７５ｎｍに設定した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃５を作製した。

さらに、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を主成分として含み、１５ｎｍの厚さを有する第二の膜に代えて、ＴｉＯ_２を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第二の膜を形成した点を除いて、光記録媒体比較サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃５を作製した。

次いで、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５ならびに光記録媒体比較サンプル＃５を、それぞれ、上述の光記録媒体評価装置にセットし、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５ならびに光記録媒体比較サンプル＃５のＬ１記録膜に、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、各Ｌ１情報層にランダム信号を記録し、記録したランダム信号を再生して、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。

光記録媒体サンプル＃３についてのジッタの測定結果は図７の曲線Ａによって、光記録媒体サンプル＃４についてのジッタの測定結果は図７の曲線Ｂによって、光記録媒体サンプル＃５についてのジッタの測定結果は図７の曲線Ｃによって、光記録媒体比較サンプル＃５についてのジッタの測定結果は図７の曲線Ｄによって、それぞれ、示されている。

図７から明らかなように、ジッタが悪化することを防止するためには、Ｌ１情報層に第一の放熱膜を形成する必要があるが、ジッタが悪化することを確実に防止するためには、Ｌ１情報層に形成された第一の放熱膜の膜厚を、１０ｎｍ以上、７５ｎｍ未満に設定することが効果的であることが判明した。

次いで、実施例１と同様にして、レーザビームのパワーを、最も小さなジッタが得られた記録パワーＰｗに設定して、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５ならびに光記録媒体比較サンプル＃５の各Ｌ１情報層に、ランダム信号を記録し、記録したランダム信号を再生して、反射率を測定するとともに、変調度を算出したところ、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５の反射率および変調度と、光記録媒体比較サンプル＃５の反射率および変調度は、ほぼ同じであった。

さらに、実施例１と同様にして、レーザビームのパワーを、最も小さなジッタが得られた記録パワーＰｗに設定して、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５ならびに光記録媒体比較サンプル＃５の各Ｌ１記録膜に、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に単一信号を記録するとともに、各Ｌ１記録膜に、８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に単一信号を記録し、Ｌ１記録膜に、２Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に記録した単一信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比およびＬ１記録膜に、８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを形成して、Ｌ１情報層に記録した単一信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比を、それぞれ、測定したところ、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５における測定値と、光記録媒体比較サンプル＃５における測定値は、ほぼ同じであった。

したがって、第一の放熱膜を設けても、光学特性の低下を防止することが可能であることが分かった。

さらに、Ｌ１情報層にランダム信号を記録したのと同様にして、レーザビームを、光透過層およびＬ１情報層を介して、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５の各Ｌ０記録膜に照射し、Ｌ０記録膜に、記録マークを形成して、Ｌ０情報層に、ランダム信号を記録し、記録されたランダム信号を再生したところ、いずれも、所望のように、Ｌ０情報層に、ランダム信号を記録し、Ｌ０情報層に記録されたランダム信号を再生することができた。

本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

たとえば、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、Ｌ１情報層３０は、第四の誘電体膜３１、反射膜３２、第三の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３４、第二の誘電体膜３５、第一の誘電体膜３６、第二の放熱膜３７および第一の放熱膜３８が積層されて、構成されているが、光記録媒体のＬ１情報層は、記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に形成された反射膜と、記録膜に対して、光入射面側に形成された第一の放熱膜と、記録膜と第一の放熱膜に間に形成された第二の放熱膜とを含んでいればよく、他の構成はとくに限定されるものではなく、たとえば、第二の誘電体膜または第一の誘電体膜のいずれか一方を省略することもできる。

また、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、第一の放熱膜３８と第二の放熱膜３７が隣接して形成されているが、第一の放熱膜と第二の放熱膜が隣接して形成されていることは必ずしも必要でなく、第一の放熱膜と第二の放熱膜との間に、第二の放熱膜３７よりも屈折率が低い材料によって、形成された他の膜が介在していてもよい。

さらに、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、第二の誘電体膜３５、第三の誘電体膜３３および第四の誘電体膜３１または第四の誘電体膜３１の第一の膜３１２が、いずれも、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物によって形成されているが、第二の誘電体膜、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜または第四の誘電体膜の第一の膜が、いずれも、モル比が９７：３のＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３との混合物によって形成されていることは必ずしも必要でない。

また、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、第四の誘電体膜３１は、第一の膜３１２と第二の膜３１１とが積層されて、構成されているが、第四の誘電体膜３１が、第一の膜３１２と第二の膜３１１とが積層されて、構成されていることは必ずしも必要でなく、第四の誘電体膜が、単一の膜によって構成されていてもよい。

さらに、前記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、第三の誘電体膜３３は、単一の膜によって構成されているが、第三の誘電体膜３３が単一の膜によって構成されていることは必ずしも必要でなく、第三の誘電体膜が、二以上の膜が積層されて、構成されていてもよい。

また、前記実施態様にかかる光記録媒体１０は、支持基板１１と、Ｌ０情報層２０と、透明中間層１２と、Ｌ１情報層３０と、光透過層１３を備え、二層の情報層が設けられているが、光記録媒体が、二層の情報層を備えていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体が、透明中間層を介して、積層された三層以上の情報層を備えていてもよい。光記録媒体が、三層以上の情報層を備えている場合には、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層がすべて、記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に形成された反射膜と、記録膜に対して、光入射面側に形成された第一の放熱膜と、記録膜と第一の放熱膜に間に形成された第二の放熱膜とを含んでいる必要はなく、少なくとも一つの情報層が、記録膜と、記録膜に対して、支持基板側に形成された反射膜と、記録膜に対して、光入射面側に形成された第一の放熱膜と、記録膜と第一の放熱膜に間に形成された第二の放熱膜とを含んでいればよい。

さらに、前記実施態様にかかる光記録媒体１０において、レーザビームの光入射面から最も遠いＬ０情報層が、相変化材料によって形成されたＬ０記録膜２３を含み、書き換え型の情報層として構成されているが、レーザビームの光入射面から最も遠いＬ０情報層が、書き換え型の情報層として構成されていることは必ずしも必要でなく、Ｌ０情報層が、再生専用の情報層や追記型の情報層として、構成されてもよい。たとえば、Ｌ０情報層が、再生専用の情報層として構成される場合には、Ｌ０情報層としての情報層はとくに設けられず、支持基板が、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層として機能し、支持基板の表面上に、プリピットが形成され、かかるプリピットによってデータが記録される。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図である。図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。図３は、Ｌ０情報層の略拡大断面図である。図４は、Ｌ１情報層の略拡大断面図である。図５は、光記録媒体サンプル＃１および光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３のジッタを示すグラフである。図６は、光記録媒体サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃４のジッタを示すグラフである。図７は、光記録媒体サンプル＃３ないし＃５および光記録媒体比較サンプル＃５のジッタを示すグラフである。

符号の説明

１０：光記録媒体
１１：支持基板
１２：透明中間層
１３：光透過層
２０：Ｌ０情報層
２１、３２：反射膜
２２：第二の誘電体膜
２３：Ｌ０記録膜
２４：第一の誘電体膜
２５：放熱膜
３０：Ｌ１情報層
３１：第四の誘電体膜
３３：第三の誘電体膜
３４：Ｌ１記録膜
３５：第二の誘電体膜
３６：第一の誘電体膜
３７：第二の放熱膜
３８：第一の放熱膜
３１１：第二の膜
３１２：第一の膜

Claims

支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に形成された反射膜と、前記記録膜に対して、前記光入射面側に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２を主成分とする材料によって形成された第一の放熱膜と、前記記録膜と前記第一の放熱膜に間に形成され、ＡｌＮを主成分とする材料によって形成された第二の放熱膜とを含んでいることを特徴とする光記録媒体。
第一の放熱膜が、第二の放熱膜に隣接して、形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
前記第一の放熱膜が、１０ｎｍ以上、７５ｎｍ未満の膜厚を有するように形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
前記反射膜が、Ａｇを主成分として含み、５ｎｍないし２５ｎｍの膜厚を有するように形成されたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録媒体。