JP2006203075A - 塗布、現像装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 処理ブロックと露光装置との間に介在するウエハＷの搬送手段に異常が発生した場合に、塗布膜形成用の単位ブロック内のウエハＷに対して通常の処理を行うことにより、基板の歩留まりの低下を抑えること。
【解決手段】 ウエハＷに対してレジスト膜を形成した後、露光装置に搬送し、露光後の基板を現像処理する処理ブロックＳ２に、塗布膜形成用の単位ブロックであるＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５と、現像処理用の単位ブロックであるＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とを互いに積層して設けると共に、前記処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に搬送手段Ｂを設ける。この搬送手段Ｂに異常が起きたときに、ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５内に存在するウエハＷに対して、当該単位ブロック内で通常の処理を行った後、収容ユニット４に退避させると共に、これら単位ブロック内へのウエハＷの搬入を禁止する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。

このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。このような装置としては例えば特許文献１に示す装置が提案されており、この装置では、例えば図１６に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内の塗布ユニット１３Ａに搬送されて、レジスト液が塗布され、次いでインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。

露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像ユニット１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。図中１４（１４ａ〜１４ｃ）は、塗布ユニット１３Ａや現像ユニット１３Ｂの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行なうための加熱ユニット、冷却ユニットや、受け渡しステージ等を備えた棚ユニットである。ここでウエハＷは処理ブロックＢに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、塗布ユニット１３Ａと現像ユニット１３と棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送される。

ところで、ウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、特許文献１に記載されるように、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送されている。

この際、前記搬送スケジュールは、２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、ウエハＷを露光処理前の処理を行うモジュールに順次搬送した後、インターフェイスブロック１Ｃに受け渡し、次いで露光処理されたウエハをインターフェイスブロック１Ｃから受け取り、露光処理後の処理を行うモジュールに順次搬送するように作成されている。こうして搬送手段１５Ａ，１５Ｂが処理ブロック１Ｂ内を１周することにより１つの搬送サイクルを実行し、１つの搬送サイクル毎にキャリア２０から払い出された新たなウエハＷを処理ブロック１Ｂ内に搬送するようになっている。

ところで前記インターフェイスブロック１Ｃには、処理ブロック１Ｂと露光装置１Ｄとの間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェイスアーム１６Ａ，１６Ｂが設けられるが、これらのアーム１６Ａ，１６Ｂが故障したり、受け渡しステージに衝突したり、また露光装置１Ｄからの払い出しが遅れる等何らかの異常が発生して、前記搬送スケジュールで設定されたタイミングで処理ブロック１ＢからウエハＷを受け取ることができない場合や、処理ブロック１ＢにウエハＷを受け渡すことができない場合がある。

このような事態が発生した場合、上述のレジストパターン形成装置では、搬送手段１５Ａ，１５Ｂの動作が停止されるようになっている。前記搬送プログラムは複雑であり、搬送手段１５Ａ，１５Ｂが搬送経路を後退する動作を行うようにすると、この搬送プログラムが極めて煩雑になり、実用的ではないからである。

しかしながら搬送手段１５Ａ，１５Ｂが停止してしまうと、各モジュールではウエハＷが取り出されず、モジュール内に残されたままになってしまう。ここで塗布ユニット１３Ａで処理されたウエハＷは、当該ユニット１３Ａ内に置かれたままの状態にしておくと膜質が悪化してしまい、その後に搬送手段１５Ａ，１５Ｂによる搬送を開始しても、所定の品質のレジスト膜を確保することはできない。このため各モジュール内に取り残されたウエハＷは製品とはならずに、無駄となり、歩留まりが低下してしまう。

ところで近年露光装置のスループットが早くなってきており、塗布、現像装置においても露光装置のスループットに合わせた処理能力が求められている。このため本発明者らは、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を低減して、搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを高めることを検討している。このように、塗布処理を行うエリアと、現像処理を行うエリアを夫々上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設ける構成は特許文献２に記載されている。

しかしながらこのような構成においても、塗布、現像装置と露光装置との間ではインターフェイスアームによりウエハＷの受け渡しを行い、各エリア内では搬送手段により搬送スケジュールに沿ってウエハＷの搬送が行われているので、インターフェイスアームに異常が発生した場合には、上述と同様の問題が発生するおそれがあるが、この点については特許文献２には何ら記載されていない。

特開２００４-１９３５９７号公報 特許第３３３７６７７号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、処理ブロックと露光装置との間に介在する基板の搬送手段に異常が発生した場合に、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理を行うことにより、基板の歩留まりの低下を抑えることができる技術を提供することにある。

このため本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）１個の塗布膜形成用の単位ブロックまたは互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を含み、各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段Ａと、を備えた処理ブロックと、
ｂ）塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、その単位ブロックにおける基板の収容枚数に応じた枚数の基板を収容できる退避用の第１の基板収容部と、
ｃ）前記処理ブロックと露光装置との間に介在する基板の搬送手段Ｂと、
ｄ）前記搬送手段Ｂに異常が起きたときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して、当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記退避用の第１の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段Ａを制御すると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。

ここで前記塗布、現像装置は、現像処理用の単位ブロックに設けられ、その単位ブロックにおける基板の収容枚数に応じた枚数の基板を収容できる退避用の第２の基板収容部と、現像処理用の単位ブロックから現像処理後の基板を払い出すための搬送手段Ｃと、を備え、
前記制御部は、この搬送手段Ｃに異常が起きたときに、現像処理用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記第２の退避用の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段を制御すると共に、現像処理用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力するように構成されるようにしてもよい。

ここで前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであってもよいし、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであってもよいし、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロック、並びにレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであってもよい。

ここで前記塗布膜形成用の単位ブロックでは、搬送手段Ａにより、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められている個所をモジュールとすると、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の塗布膜形成処理が行われ、
前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と塗布膜形成用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
前記搬送手段Ｂに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第１の基板収容部に書き換える書き換え部と、
前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記塗布膜形成用の単位ブロック内における搬送手段Ａによる基板の搬送を制御する手段と、を備えるものであってもよい。

また前記現像処理用の単位ブロックでは、搬送手段Ａにより、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められている個所をモジュールとすると、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の塗布膜形成処理が行われ、
前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と現像処理用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
前記搬送手段Ｃに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第２の基板収容部に書き換える書き換え部と、
前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記現像処理用の単位ブロック内における搬送手段Ａによる基板の搬送を制御する手段と、を備えるようにしてもよい。

このような塗布、現像装置では、前記搬送手段Ｂに異常が起きたときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して、当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、当該単位ブロック内に設けられた退避用の第１の基板収容部に各基板を退避させると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止することを特徴とする塗布、現像方法が実施される。

また現像処理用の単位ブロックから現像処理後の基板を払い出すための搬送手段Ｃを備え、この搬送手段Ｃに異常が起きたときに、現像処理用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、当該単位ブロック内に設けられた第２の退避用の基板収容部に各基板を退避させると共に、現像処理用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止することを特徴とする塗布、現像方法を実施するようにしてもよい。

以上において本発明では、処理ブロックと露光装置との間に介在する基板の搬送手段Ｂに異常が発生した場合に、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、当該単位ブロック内に設けられた第１の基板収容部に基板を退避させるように、当該単位ブロック内の搬送手段Ａを制御すると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止している。このため塗布膜形成用の単位ブロックでは、前記搬送手段Ｂに異常が発生した場合であっても、当該単位ブロック内の基板に対して、予定していた処理を最後まで行うことができる。これにより当該単位ブロック内の液処理ユニットや加熱ユニット等の各ユニット内に基板が置かれたままになり、設定されたタイミングで次の処理ができなくなって、結果として塗布膜の膜質が悪化してしまい、無駄になってしまう基板の発生を抑え、基板の歩留まりの低下を抑えることができる。

以下、本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ２の受け渡しステージＴＲＳ１，２，３との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。この例では、このトランスファーアームＣが、後述する現像処理用の単位ブロックから現像処理後の基板を払い出すための搬送手段に相当する。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第５の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。

続いて第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱・冷却系の処理ユニットと、前記液処理ユニットと加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段ＡであるメインアームＡ１〜Ａ５を、備えている。

これら単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例ではほぼ同様のレイアウトで構成されているので、図１に示すＣＯＴ層Ｂ４を例にして説明する。このＣＯＴ層Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とをつなぐためのウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。

この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、レジストの塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた塗布ユニット３１が設けられ、この塗布ユニット３１の奥側には、退避用の第１の基板収容部をなす収容ユニット４Ｄが設けられている。

前記収容ユニット４Ｄは、この単位ブロックＢ４におけるウエハＷの収容枚数に応じた枚数のウエハＷを収容するための多数の載置ステージを備えている。またＣＯＴ層Ｂ４の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系のユニットを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、塗布ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば２段に積層した構成とされている。こうして前記搬送領域Ｒ１は区画されており、例えばこの区画された搬送領域Ｒ１に清浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、レジスト液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ４）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うためのプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＣＨＰ４）、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。また冷却ユニット（ＣＯＬ４）や加熱ユニット（ＣＨＰ４）等の各処理ユニットは、夫々処理容器５１内に収納されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、前記処理容器５１が２段に積層されて構成され、各処理容器５１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口５２が形成されている。

前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ４が設けられている。このメインアームＡ４は、当該ＣＯＴ層Ｂ４内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、塗布ユニット３１、収容ユニット４Ｄ、後述する棚ユニットＵ５と棚ユニットＵ６の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。

また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の受け渡しアームＤ１を備えている。

前記棚ユニットＵ５は、図３に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えている。また第１の受け渡しアームＤ１は各第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記第１及び第２の単位ブロックＢ１、Ｂ２の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成されている。さらにこの例では、第２の単位ブロックＢ２は例えば２個のＴＲＳ−Ｆを備えており、この受け渡しステージＴＲＳーＦはトランスファーアームＣによりウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するための専用の受け渡しステージとして用いられる。この受け渡しステージＴＲＳーＦは第１の単位ブロックＢ１に設けるようにしてもよいし、この受け渡しステージＴＲＳーＦを別個に設けずに、トランスファーアームＣからウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入する際に、受け渡しステージＴＲＳ１，２を用いて行なうようにしてもよい。

さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図３に示すように、メインアームＡ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられると共に、この棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の受け渡しアームＤ２を備えている。

前記棚ユニットＵ６は、図３及び図６に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えており、第２の受け渡しアームＤ２は各受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。このように本実施の形態では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の第１の受け渡しアームＤ１と第２の受け渡しアームＤ２とにより、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５とＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。

続いて他の単位ブロックＢについて図５及び図７を用いて簡単に説明する。ここで図５は棚ユニットＵ１〜Ｕ４を搬送領域Ｒ１側から見た図である。ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成され、液処理ユニットとしてウエハＷに対して現像処理を行うための現像ユニット３２が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ１，ＣＯＬ２）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１，ＰＯＳＴ２）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。

そしてこれらＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２では、夫々メインアームＡ１，Ａ２により、夫々受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ，ＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、現像ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、退避用の第２の基板収容部をなす収容ユニット４Ａ，４Ｂと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

またＴＣＴ層Ｂ３は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３）や、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＨＰ３）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこのＴＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ８と、第２の反射防止膜形成ユニット３３と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、収容ユニット４Ｃとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

そしてＢＣＴ層Ｂ５は、液処理ユニット３１として、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３４が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ５）や、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＨＰ５）を備え、周縁露光装置（ＷＥＥ）を備えていない以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこの第５の単位ブロックＢ５では、メインアームＡ５により、受け渡しステージＴＲＳ５，ＴＲＳ１０と、第１の反射防止膜形成ユニット３４と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、収容ユニット４Ｅとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

ここで前記加熱ユニット（ＣＨＰ３〜５、ＰＯＳＴ１，２、ＰＥＢ１，２）としては、図１に示すように、加熱プレート５３と、搬送アームを兼用する冷却プレート５４とを備え、メインアームＡと加熱プレート５３との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート５４により行なう、加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられ、冷却ユニット（ＣＯＬ１〜５）としては、例えば水冷方式の冷却プレートを備えた構成の装置が用いられる。

なお図５はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかにレジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための、ＨＭＤＳ雰囲気中でガス処理を行なう疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を設けるようにしてもよいし、他の処理ユニットを設けるようにしてもよい。実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。

一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢを備えている。このインターフェイスアームＢは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、図６に示すように、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４の受け渡しステージＴＲＳ６〜９に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。また前記インターフェイスアームＢは、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成してもよい。

続いてメインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＢ、液処理ユニット、収容ユニット４（４Ａ〜４Ｅ）の構成について簡単に説明する。先ずメインアームＡは、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム１０１，１０２を備えており、これらアーム１０１，１０２は基台１０３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台１０３は回転機構１０４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構１０５により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部１０６の搬送領域に臨む面に取り付けられたＹ軸レール１０７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール１０８に沿って昇降自在に構成されている。こうしてアーム１０１，１０２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０、液処理ユニット、収容ユニット４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡは、後述する制御部６からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。このようなメインアームＡは、後述する制御部６からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。またアームの加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。

また前記インターフェースアームＢは、例えば図８に示すように、ウエハＷの裏面側中央領域を支持するための１本のアーム２０１が基台２０２に沿って進退自在に設けられている。前記基台２０２は、昇降台２０３に回転機構２０４により鉛直軸回りに回転自在に取り付けられ、昇降レール２０５に沿って昇降自在に設けられている。こうしてアーム２０１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ６の各受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ９と露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。

前記第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２は、鉛直軸回りに回転しない以外は、インターフェイスアームＢと同様に構成されている。このような第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＢは、後述する制御部６からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。

続いて塗布ユニット３１について、図９を用いて簡単に説明する。この例では３個の塗布部３０１，３０２，３０３が共通の処理容器３００の内部に収納され、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ軸方向に配列した状態で共通のベース３０４に設けられている。これら塗布部３０１，３０２，３０３は同様に構成されているので、塗布部３０１を例にして説明すると、図中３０５は基板保持部をなすスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック３０５は駆動部３０６により鉛直軸回りに回転でき、かつ昇降できるようになっている。またスピンチャック３０５の周囲にはウエハＷからスピンチャック３０５に跨る側方部分を囲うカップ３０７が設けられ、当該カップ３０７の底面には排気管やドレイン管などを含む排液部３０８が設けられている。図中３０９は、スピンチャック３０２に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給するためのサイドリンス機構であり、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

また図中３１０は、３個の塗布部３０１，３０２，３０３に対して塗布液を供給するための共通の供給ノズルであり、この供給ノズル３１０は移動機構３１２により、処理容器３００の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール３１１に沿って、一端側の塗布部３０１のカップ３０７の外方側から他端側の塗布部３０３のカップ３０７の外方側まで移動自在、かつ昇降自在に構成されている。これによりこの例では供給ノズル３１０により、各塗布部３０１〜３０３のスピンチャック３０５に保持されたウエハＷのほぼ中央領域にレジスト液を供給するようになっている。図中３１３は、一端側の塗布部３０１の外側に設けられた供給ノズル３１０の待機領域である。

図中３１４は処理容器３００の天井部に取り付けられたフィルタユニット、３１５は処理容器３００の底面に設けられた排気部であり、排気部から所定の排気量で排気すると共に、フィルタユニット３１４から所定流量の、温度と湿度が調整された清浄気体を供給することにより、処理容器３００内に清浄気体のダウンフローが形成され、メインアームＡ４の搬送領域Ｒ１よりも陽圧になるように設定されている。図中３１６は、処理容器３００の搬送領域Ｒ１に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口であり、開閉シャッタが設けられている。

この塗布ユニット３１では、ウエハＷはメインアームＡ４により搬入出口３１６を介して処理容器３００内に搬入され、予め決定された塗布部３０１，３０２，３０３のいずれかのスピンチャック３０５に受け渡される。そして供給ノズル３１０から当該ウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に、スピンチャック３０５を回転させ、レジスト液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げ、ウエハＷ表面にレジストの液膜を形成させる。こうしてレジストの液膜が形成されたウエハＷは搬入出口３１６を介してメインアームＡにより塗布ユニット３１の外部に搬出される。

このような塗布ユニット３１では、３個の塗布部３０１〜３０３が共通の処理容器３００の内部に設けられ、共通の供給ノズル３１０によりレジスト液が供給されるようになっているので、各塗布部３０１〜３０３毎に処理容器３００と供給ノズル３１０を設ける場合に比べて、トータルの部材点数や占有面積を削減できる。

また３個の塗布部３０１〜３０３が共通のベース３０４に設けられているので、スピンチャック３０５とメインアームＡ４のアーム１０１、１０２との高さ調整を行う際、１つの塗布部３０１〜３０３について行えばよい。また共通の供給アーム３１０により、各塗布部３０１〜３０３に対してレジスト液が供給されるように構成されているので、各スピンチャック３０５と供給ノズル３１０の高さの調整についても、１つの塗布部３０１〜３０３について行えばよい。このためこれらの高さ調整に要する手間が軽減し、また調整時間が短縮される。

さらに共通の処理容器３００内に３個の塗布部３０１〜３０３を設けることにより、ダウンフローを形成するエアの供給や、このエアの排気を共通化できるので、この点からもトータルの部材点数や占有面積を削減できて有効である。

現像ユニット３２は、供給ノズル３１０の長さ方向に亘って現像液の供給領域が形成されていて、ウエハＷの直径方向に現像液を供給するように構成され、洗浄液ノズルを備える点以外は、塗布ユニット３１とほぼ同様に構成されている。洗浄液ノズルは、供給ノズル３１０と同様に構成され、移動機構により、前記ガイドレール３１１に沿って移動自在、かつ昇降自在に構成されて、各塗布部３０１〜３０３のスピンチャック３０５に保持されたウエハＷに対して洗浄液を供給するようになっている。

このような現像ユニット３２では、メインアームＡにより搬入出口３１６を介して処理容器３００内にウエハＷが搬入され、予め決定された塗布部３０１，３０２，３０３のいずれかのスピンチャック３０５にウエハＷが受け渡される。そして供給ノズル３１０から当該ウエハＷの中央部に現像液を供給すると共に、スピンチャック３０５により例えばウエハＷを半回転させ、これにより現像液をウエハＷの全面に供給する。そして所定時間経過後、洗浄液ノズルからウエハＷに洗浄液を供給し、ウエハＷ表面の現像液を洗い流し、次いでウエハＷを回転させて乾燥させることにより現像処理を終了する。

前記第１の反射防止膜形成ユニット３４は、レジスト液を塗布する前にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのもの、第２の反射防止膜形成ユニット３３は、レジスト液を塗布する後にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであり、これらのユニット３３，３４は、供給ノズル３１０から反射防止膜用の薬液を供給する以外は、夫々塗布ユニット３１と同様に構成される。

続いて収容ユニット４（４Ａ〜４Ｅ）について図１０により説明すると、収容ユニット４は、これらの収容ユニット４が設けられている単位ブロックにおけるウエハＷの収容枚数に応じた枚数のウエハＷを載置して収容するための、多数の載置ステージ４１を備えており、この例では６枚のウエハＷが載置されるようになっている。図中４２はウエハＷの裏面側を支持するための突起であり、この突起４２はメインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）のアーム１０１（１０２）と干渉しない位置に設けられていて、メインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。

ここでこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの流れについて、レジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合を例にして説明する。先ず外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦに受け渡され、次いで第１の受け渡しアームＤ１によりＢＣＴ層Ｂ５にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳ５を介してＢＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そしてＢＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、冷却ユニット（ＣＯＬ５）→第１の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＨＰ５）→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ１０の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。

続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ１０のウエハＷは第２の受け渡しアームＤ２により、ＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを受け渡すために棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ９に搬送され、次いで当該ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そしてＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、冷却ユニットＣＯＬ４→塗布ユニット３１→加熱ユニットＣＨＰ４→棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳ４の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。

次いで第１の受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは第１の受け渡しアームＤ１により、ＴＣＴ層Ｂ３にウエハＷを受け渡すために第１の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、当該ＴＣＴ層ＢのメインアームＡ３に受け渡される。そしてＴＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、冷却ユニット（ＣＯＬ３）→第２の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＨＰ３）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニット６の第２の受け渡しステージＴＲＳ８の順序で搬送されて、レジスト膜の上層に第２の反射防止膜が形成される。続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ８のウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。

露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＢにより、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）に搬送され、このステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）のメインアームＡ１（メインアームＡ２）に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）にて、先ず加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））→冷却ユニット（ＣＯＬ１（ＣＯＬ２））→現像ユニット３２→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１（ＰＯＳＴ２））の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

以上において、上述のレジストパターン形成装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、メインアームＡ１〜Ａ５、トランスファーアームＣ、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＢの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部６を備えている。図１１はこの制御部６の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ（中央処理ユニット）、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、本発明ではウエハＷの搬送に特徴があるので、ここではそれに関連する構成要素の一部をブロック化して説明するものとする。

図中６０はバスであり、このバス６０に、アーム搬送プログラム６１、ＣＯＴ層搬送部６２、ＤＥＶ層搬送部６３、ＢＣＴ層搬送部６４、ＴＣＴ層搬送部６５や各層のメインアームＡ１〜Ａ５、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＢ、トランスファーアームＣの夫々のコントローラ（図示せず）が接続されている。前記アーム搬送プログラム６１は、各層のメインアームＡ１〜Ａ５、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、トランスファーアームＣ、インターフェイスアームＢの搬送を制御するプログラムである。

前記ＣＯＴ層搬送部６２は、ＣＯＴ層搬送スケジュール６２Ａ、モジュール書き換えプログラム６２Ｂ、ＣＯＴ層搬送スケジュールプログラム６２Ｃを備えている。ここでＣＯＴ層搬送スケジュール６２Ａとは、ＣＯＴ層Ｂ４において、ウエハＷがどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールであり、例えば図１２に示すように、ウエハＷに順番を割り当て、ウエハＷの順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクル（フェーズ）を指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成されたものである。この例では、フェーズ１では、先頭のウエハＷ１が冷却ユニット（ＣＯＬ４）に搬送され、フェーズ２では、先頭のウエハＷ１が塗布ユニット３１に搬送され、次の２番目のウエハＷ２が冷却ユニット（ＣＯＬ４）に搬送されることを示している。この例では、冷却ユニット（ＣＯＬ４）、塗布部３０１〜３０３、加熱ユニット（ＣＨＰ４）の夫々でまとめて一つのモジュールとして記載しているが、実際には各モジュール毎にウエハＷの搬送順序が記載されている。

ここでメインアームＡ１〜Ａ５は２本以上のアームを備えているので、ＣＯＴＯ層Ｂ４のメインアームＡ４は、一のモジュールからウエハＷを取り出し、次のモジュールのウエハＷを受け取ってから当該次のモジュールに先のウエハＷを受け渡し、こうして各モジュールに置かれたウエハＷを一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクル（フェーズ）を実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより、冷却ユニット（ＣＯＬ４）→塗布ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ４）→受け渡しステージＴＲＳ４の順番にウエハＷが順次搬送されて所定の処理が行われ、通常時には受け渡しステージＴＲＳ４がＣＯＴ層Ｂ４の最後のモジュールになっている。

また前記モジュール書き換えプログラム６２Ｂは、この例ではインターフェイスアームＢに何らかの異常が発生した場合に、図１３に示すように、ＣＯＴ層搬送スケジュール６２Ａの最後のモジュールを収容ユニット４Ｄに書き換えるプログラムである。さらに前記ＣＯＴ層搬送スケジュールプログラム６２Ｃとは、前記図１２及び図１３の搬送スケジュールに従ってメインアームＡ４によりウエハＷをＣＯＴ層Ｂ４内の各モジュールに搬送するプログラムである。

前記ＤＥＶ層搬送部６３は、ＣＯＴ層搬送部６２と同様に、ＤＥＶ層搬送スケジュールと、モジュール書き換えプログラムと、ＤＥＶ層搬送スケジュールプログラムとを備えている。搬送スケジュールは、加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））→現像ユニット３２→冷却ユニット（ＣＯＬ１（ＣＯＬ２））→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１（ＰＯＳＴ２））→受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順序でウエハＷが搬送されるように作成されており、モジュール書き換えプログラムでは、トランスファーアームＣに何らかの異常が発生したときに、ＣＯＴ層搬送部６２と同様に、最後のモジュールを受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）から収容ユニット４Ａ（４Ｂ）に書き換えるようになっている。

前記ＢＣＴ層搬送部６４は、ＣＯＴ層搬送部６２と同様に、ＢＣＴ層搬送スケジュールと、モジュール書き換えプログラムと、ＢＣＴ層搬送スケジュールプログラムとを備えている。搬送スケジュールは、冷却ユニット（ＣＯＬ５）→第１の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＨＰ５）→受け渡しステージＴＲＳ１０の順序でウエハＷが搬送されるように作成されており、モジュール書き換えプログラムでは、インターフェイスアームＢに何らかの異常が発生したときに、ＣＯＴ層搬送部６２と同様に、最後のモジュールを受け渡しステージＴＲＳ１０から収容ユニット４Ｅに書き換えるようになっている。

前記ＴＣＴ層搬送部６５は、ＣＯＴ層搬送部６２と同様に、ＴＣＴ層搬送スケジュールと、モジュール書き換えプログラムと、ＴＣＴ層搬送スケジュールプログラムとを備えている。搬送スケジュールは、冷却ユニット（ＣＯＬ３）→第２の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＨＰ３）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→受け渡しユニットＴＲＳ８の順序でウエハＷが搬送されるように作成されており、モジュール書き換えプログラムでは、インターフェイスアームＢに何らかの異常が発生したときに、ＣＯＴ層搬送部６２と同様に、最後のモジュールを受け渡しユニットＴＲＳ８から収容ユニット４Ｃに書き換えるようになっている。

ここでインターフェイスアームＢやトランスファーアームＣに何らかの異常が発生した場合とは、これらのアームＢ，Ｃが故障したり、受け渡しステージＴＲＳに衝突したり、露光装置Ｓ４からの払い出しが遅れる等何らかの異常が発生して、前記搬送スケジュールで設定されたタイミングで所定の受け渡しステージＴＲＳとメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しができない場合をいう。

続いて本実施の形態における作用について説明する。本実施の形態では、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２、ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５の各単位ブロックにおいて、各メインアームＡ１〜Ａ５により夫々の搬送スケジュールに従ってウエハＷの搬送が行なわれる。またこの例では塗布膜形成用の単位ブロック（ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５）の各単位ブロックでは同じようにウエハＷの搬送制御が行なわれるので、ここではＣＯＴ層Ｂ４を例にして図１４に基づいて説明する。

この場合、先ずインターフェイスアームＢが正常であるかを問い合わせ（ステップＳ１）、正常である場合にはステップＳ２に進んで、搬送スケジュールを参照しながらメインアームＡ４により１サイクルの搬送を実行する。一方、インターフェイスアームＢに何らかの異常がある場合には、ステップＳ３に進んで、搬送スケジュールの最後のモジュールを受け渡しステージＴＲＳ４から収容ユニット４Ｄに書き換える。そしてステップＳ４において、当該ＣＯＴ層Ｂ４へのＢＣＴ層Ｂ５からのウエハＷの搬入を禁止し、ステップＳ５においてキャリア２０からのウエハＷの払い出しを禁止する。次いでステップＳ６においてＣＯＴ層Ｂ４のウエハＷについて、書き換えられた搬送スケジュールを参照して搬送を実行する。

またＴＣＴ層Ｂ３においても、インターフェイスアームＢに異常が起きた場合には、ＣＯＴ層Ｂ４と同様にウエハＷの搬送制御が行なわれる。つまり先ずインターフェイスアームＢが正常であるか否かを判断し、正常である場合には、搬送スケジュールを参照しながらメインアームＡ３により１サイクルの搬送を実行する。一方、インターフェイスアームＢに何らかの異常がある場合には、搬送スケジュールの最後のモジュールを受け渡しステージＴＲＳ８から収容ユニット４Ｃに書き換え、ＴＣＴ層Ｂ３へのウエハＷの搬入を禁止すると共に、キャリアブロックＢ１からのウエハＷの払い出しを禁止し、ＴＣＴ層Ｂ３のウエハＷについて、書き換えられた搬送スケジュールを参照して搬送を実行する。

さらにＢＣＴ層Ｂ５においても、ＣＯＴ層Ｂ４と同様にウエハＷの搬送制御が行なわれ、インターフェイスアームＢが正常である場合には、搬送スケジュールを参照しながらメインアームＡ５により１サイクルの搬送を実行する。一方インターフェイスアームＢに何らかの異常がある場合には、搬送スケジュールの最後のモジュールを受け渡しステージＴＲＳ１０から収容ユニット４Ｅに書き換え、ＢＣＴ層Ｂ５へのキャリアブロックＳ１からのウエハＷの搬入を禁止すると共に、キャリア２０からのウエハＷの払い出しを禁止し、ＢＣＴ層Ｂ５のウエハＷについて、書き換えられた搬送スケジュールを参照して搬送を実行する。

またＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）においては、図１５に示すように、トランスファーアームＣが正常であるか否かが判断され（ステップＳ１１）、トランスファーアームＣが正常である場合には、ＣＯＴ層Ｂ４と同様にウエハＷの搬送制御が行なわれ、搬送スケジュールを参照しながらメインアームＡ１（Ａ２）により１サイクルの搬送を実行する（ステップＳ１２）。一方トランスファーアームＣに何らかの異常がある場合には、搬送スケジュールの最後のモジュールを受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）から収容ユニット４Ａ（４Ｂ）に書き換え（ステップＳ１３）、ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）へのインターフェイスブロックＳ３からのウエハＷの搬入を禁止すると共に（ステップＳ１４）、キャリア２０からのウエハＷの払い出しを禁止し（ステップＳ１５）、ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）のウエハＷについて、書き換えられた搬送スケジュールを参照して搬送を実行する(ステップＳ１６)。

このようなレジストパターン形成装置では、各塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックとを異なるエリアに設け、夫々に専用のメインアームＡを設けたので、メインアームＡの負荷が軽減する。このためメインアームＡの搬送効率が向上するので、結果としてスループットを高めることができる。

またインターフェイスアームＢに何らかの異常があったときに、塗布膜形成用のＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５の各単位ブロックでは、搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４Ｃ，４Ｄ，４Ｅに書き換え、夫々の単位ブロックへのウエハＷの搬入を禁止して、書き換えた搬送スケジュールに従って夫々の単位ブロック内へのウエハＷを搬送している。このためインターフェイスアームＢに異常があったときでも、夫々の単位ブロック内に存在するウエハＷについては通常の処理が行われた後に、夫々の単位ブロック内の収容ユニット４に退避されるので、夫々の単位ブロック内のウエハＷに対しては通常の処理を最後まで行うことができる。このため夫々の単位ブロック内の各モジュールでは、予め設定された所定の処理を行うことができるので、レジスト膜の膜質が悪化するようなことが発生せず、夫々の単位ブロック内のウエハＷが無駄になることもなく、歩留まりの低下が抑えられる。

ここで仮にインターフェイスアームＢに異常があったときに、夫々の単位ブロックにてウエハＷを収容ユニット４に退避させない場合を、ＣＯＴ層Ｂ４を例にして想定すると、この場合にはＴＣＴ層Ｂ３の最後のモジュールである受け渡しステージＴＲＳ８のウエハＷをインターフェイスアームＢが受け取ることができないので、ＴＣＴ層Ｂ３では当該ウエハＷの後続のウエハＷを受け渡しステージＴＲＳ８に載置しようとするときに後続のウエハＷの置き場所がなくなってしまう。このためメインアームＡ３がこの後続のウエハＷを保持したままの状態となり、この状態でメインアームＡ３による搬送が停止することになる。

このようにメインアームＡ３が停止してしまうと、ＣＯＴ層Ｂ４からＴＣＴ層Ｂ３へのウエハＷを受け渡すための受け渡しステージＴＲＳ３上にも前のウエハＷが載置されたままになってしまい、第１の受け渡しアームＤ１によりＣＯＴ層Ｂ４からＴＣＴ層Ｂ３に新たにウエハＷを搬入できなくなってしまう。このため当該ＣＯＴ層Ｂ４においては、最後のモジュールである受け渡しステージＴＲＳ４上のウエハＷが第１の受け渡しアームＤ１により受け取られなくなり、当該ウエハＷの後続のウエハＷを載置しようとするときに後続のウエハＷの置き場所がなくなってしまう。このためメインアームＡ４がこの後続のウエハＷを保持したままの状態となり、このウエハＷをどこにも載置することができないので、この状態でメインアームＡ４による搬送が停止することになる。

このため当該ＣＯＴ層Ｂ４内の各モジュールではウエハＷが所定のタイミングでメインアームＡ４により取り出されず、モジュール内に置かれたままになってしまい、既述のようにレジスト膜の膜質が悪化してしまって、ウエハＷの歩留まりが低下してしまう。

またトランスファーアームＣに何らかの異常があったときに、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）内のウエハＷについては、通常の処理が行われた後、収容ユニット４Ａ（４Ｂ）に退避されるので、これらＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）で行われる処理を最後まで行うことができる。このためＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）内の各モジュールにウエハＷが置かれたままになってレジスト膜の膜質が悪化するようなことが発生せず、ウエハＷの歩留まりの悪化が抑えられる。

ここでトランスファーアームＣに何らかの異常があったときに、現像処理用の単位ブロックにて収容ユニット４Ａ（４Ｂ）にウエハＷを退避しない場合を想定すると、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）内の最後のモジュールである受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）内のウエハＷをトランスファーアームＣが受け取ることができないので、ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）内の各モジュールにウエハＷが置かれたままになってレジスト膜の膜質が悪化してしまう。

このように本発明では、インターフェイスアームＢやトランスファーアームＣに異常が発生したときに、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対して、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５内に存在するウエハＷについて、夫々の単位ブロックＢ３〜Ｂ５内で通常の処理を行った後に、夫々の単位ブロック内の退避用の収容ユニット４Ａ〜４ＥにウエハＷを搬送するように、夫々のメインアームＡの搬送を制御すると共に、夫々の単位ブロックＢ１〜Ｂ５へウエハＷを搬入しないように、第１の受け渡しアームＤ１やインターフェイスアームＢによる搬送の制御を行っているので、既述のようにウエハＷ上に形成される塗布膜の膜質の悪化を抑え、歩留まりの低下を抑制することができる。

この際、このようなウエハＷの搬送制御を、インターフェイスアームＢやトランスファーアームＣに異常が発生したときに、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４Ａ〜４Ｅに書き換え、書き換えられた搬送スケジュールに従って、夫々の単位ブロックにてウエハＷを搬送するように夫々のメインアームＡ１〜Ａ５の搬送を制御することにより行っている。このようにメインアームＡ１〜Ａ５の搬送制御を搬送スケジュールの最後のモジュールの書き換えのみで行うことができ、搬送プログラムが容易となる。

以上において本発明では、本発明では各単位ブロックの積層数や積層の順番は上述の例に限られず、現像処理用の単位ブロックを１層としてもよいし、塗布膜形成用の単位ブロックを、下方側から上方側に向かって順番にＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＴＣＴ層となるように配列してもよい。また塗布膜形成用の単位ブロックを下方側に配置し、その上に現像処理用の単位ブロックを配置するようにしてもよい。

またＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２（またはＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のいずれか一つ）、ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴＢ４、ＴＣＴ層Ｂ５のうちの使用する単位ブロックを選択するようにしてもよいし、この際ＴＣＴ層Ｂ３とＣＯＴ層Ｂ４とＢＣＴ層Ｂ５を設ける必要はなく、レジスト膜の下部のみに反射防止膜を形成する場合には、ＢＣＴ層Ｂ５とＣＯＴ層Ｂ４のみを積層して設けるようにしてもよい。

このときには、キャリア２０→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦ→第１の受け渡しアームＤ１→第１の受け渡しステージＴＲＳ５→ＢＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５→冷却ユニット（ＣＯＬ５）→第１の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＨＰ５）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ１０→第２の受け渡しアームＤ２→第２の受け渡しステージＴＲＳ９→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→冷却ユニット（ＣＯＬ４）→塗布ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ４）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ９→インターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４→インターフェイスアームＢ→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）→ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の経路で搬送される。

この場合においても、ＢＣＴ層Ｂ５、ＣＯＴ層Ｂ４については、インターフェイスアームＢに異常が発生したときに、搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４Ｅ，４Ｄに書き換え、この書き換えられた搬送スケジュールに従って当該ＢＣＴ層Ｂ５，ＣＯＴ層Ｂ４内のウエハＷが搬送される。

またレジスト膜の上部のみに反射防止膜を形成する場合には、ＣＯＴ層Ｂ４とＴＣＴ層Ｂ３のみを積層して設ければよい。このときには、キャリア２０→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦ→第１の受け渡しアームＤ１→第１の受け渡しステージＴＲＳ４→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４の順序で搬送する。ＣＯＴ層Ｂ４内のウエハＷの搬送経路及びＣＯＴ層Ｂ４以降のウエハＷの搬送経路は上述の例と同様である。

この場合においても、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ３については、インターフェイスアームＢに異常が発生したときに、搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４Ｄ，４Ｃに書き換え、この書き換えられた搬送スケジュールに従って当該ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ３内のウエハＷが搬送される。

以上において本発明の処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在する搬送手段Ｂには第２の受け渡しアームＤ２も含まれ、この第２の受け渡しアームＤ２に異常が発生した場合にも、ＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５においては、インターフェースＢに異常が発生したときと同様に、搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４Ｃ，４Ｄ，４Ｅに書き換え、この書き換えられた搬送スケジュールに従って当該ＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５内のウエハＷを搬送するようにしてもよい。

またＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５においては、第１の受け渡しアームＤ１に何らかの異常が発生したときに、インターフェースＢに異常が発生したときと同様に、搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４に書き換え、この書き換えられた搬送スケジュールに従って当該ＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５内のウエハＷを搬送するようにしてもよい。このようにすると第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２に異常が発生したときであっても、前記単位ブロックＢ３〜Ｂ５内のウエハＷに対してはメインアームＡ３〜Ａ５が通常の搬送を行うことができるので、通常の処理を最後まで行うことができ、塗布膜の膜質の悪化が抑えられ、ウエハＷの歩留まりの低下も抑制される。また既述のように搬送プログラムが容易なものとなる。

またＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２においても、トランスファーアームＣに異常が発生した場合と同様に、インターフェイスアームＢに何らかの異常が発生したときに、搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４Ａ，４Ｂに書き換え、この書き換えられた搬送スケジュールに従って当該ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２内のウエハＷを搬送するようにしてもよい。このようにするとインターフェイスアームＢに異常が発生したときに、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２からキャリアブロックＳ１へのウエハＷの搬送がないので、トランスファーアームＣを停止させることができ、より搬送プログラムの作成が容易となる。

さらにＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５においても、トランスファーアームＣに何らかの異常が発生したときに、搬送スケジュールの最後のモジュールを収容ユニット４Ｃ，４Ｄ,４Ｅに書き換え、この書き換えられた搬送スケジュールに従って当該ＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５内のウエハＷを搬送するようにしてもよい。このようにするとトランスファーアームＣに異常が発生したときに、ＴＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ５からインターフェイスブロックＳ３へのウエハＷの搬送がないので、インターフェイスアームＢの搬送を停止させることができ、より搬送プログラムの作成が容易となる。

以上において本発明では、第１の基板収容部と第２の基板収容部は、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５内の、棚ユニットＵ５，Ｕ６のいずれか又は両方に組み込んで設けるようにしてもよい。この場合には、各棚ユニットＵ５，Ｕ６に多数の受け渡しステージを形成しておき、その一部が基板収容部として利用される。このようにすると、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の最後のモジュールは棚ユニットＵ５，Ｕ６のいずれかの受け渡しステージＴＲＳであるので、書き換えられた搬送スケジュールに従ってウエハＷを搬送するときも、同じ棚ユニットＵ５，Ｕ６の基板収容部に搬送すればよい。このためメインアームＡ１〜Ａ５の搬送経路がほとんど変わらず、搬送プログラムの作成がより容易になる。また別個に収容ユニットを設ける必要がないので、単位ブロックを小型化することができ、単位ブロックを構成する部材を少なくすることができる。

ここで収容ユニット４は、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５内のみならず、例えばインターフェイスブロックＳ３に設けるようにしてもよいが、インターフェイスブロックＳ３に設けると、アクセスするためにインターフェイスアームＢを用いる必要があり、これらインターフェイスアームＢの負荷が大きくなってしまうので、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５内のメインアームＡ１〜５がアクセスできる場所に設けることが好ましい。

さらにまた本発明では、各単位ブロックは液処理ユニットと、加熱ユニットと、冷却ユニットと、搬送手段Ａとを備えるものであれば、これら各ユニット（モジュール）の個数や種類、レイアウトは上述の実施の形態には限られない。またトランスファーアームＣにてアクセスできる棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳは、ＤＥＶ層Ｂ１，ＤＥＶ層Ｂ２に限られず、トランスファーアームＣと積層された単位ブロックの１つ以上の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しが行われるものであればよい。また棚ユニットＵ６についてもインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の第２の受け渡しステージＴＲＳを設け、この第２の受け渡しステージＴＲＳと第２の受け渡しアームＤ２とを介して各単位ブロックＢ１〜Ｂ５とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。

また塗布膜形成用の単位ブロック間は、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２のいずれのアームでウエハＷの受け渡しを行ってもよい。さらにＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２内のモジュールについては共通のメインアームＡを用いてウエハＷの搬送を行うようにしてもよい。さらにまた棚ユニットＵ５，Ｕ６の受け渡しステージＴＲＳは１個以上であればよく、冷却機能を備えたものであってもよいし、受け渡しステージＴＲＳ以外のモジュール例えば冷却ユニットなどを設けるようにしてもよい。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置における加熱・冷却系ユニットが設けられた棚ユニットＵ１〜Ｕ４の一例を示す正面図である。 前記塗布、現像装置におけるインターフェイスブロックを示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における各単位ブロックを示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置におけるインターフェイスアームの一例を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットを示す平面図と縦断断面図である。 前記塗布、現像装置における収容ユニットを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置における制御部の一例を示す構成図である。 搬送スケジュールの一例を示す説明図である。 モジュールの書き換えが行なわれた搬送スケジュールの一例を示す説明図である。 前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフロー図である。 前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフロー図である。 従来の塗布、現像装置を示す平面図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
Ｃ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ インターフェイスアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１ 第１の受け渡しアーム
Ｄ２ 第２の受け渡しアーム
３１ 塗布ユニット
３２ 現像ユニット
３３ 第１の反射防止膜形成ユニット
３４ 第２の反射防止膜形成ユニット
４ 収容ユニット
６ 制御部
６１ アーム搬送プログラム
６２ ＣＯＴ層搬送部
６３ ＤＥＶ層搬送部
６４ ＢＣＴ層搬送部
６５ ＴＣＴ層搬送部

Claims (9)

1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
   ａ）１個の塗布膜形成用の単位ブロックまたは互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を含み、各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段Ａと、を備えた処理ブロックと、
   ｂ）塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、その単位ブロックにおける基板の収容枚数に応じた枚数の基板を収容できる退避用の第１の基板収容部と、
   ｃ）前記処理ブロックと露光装置との間に介在する基板の搬送手段Ｂと、
   ｄ）前記搬送手段Ｂに異常が起きたときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して、当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記退避用の第１の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段Ａを制御すると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
2. 現像処理用の単位ブロックに設けられ、その単位ブロックにおける基板の収容枚数に応じた枚数の基板を収容できる退避用の第２の基板収容部と、現像処理用の単位ブロックから現像処理後の基板を払い出すための搬送手段Ｃと、を備え、
   前記制御部は、この搬送手段Ｃに異常が起きたときに、現像処理用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記第２の退避用の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段を制御すると共に、現像処理用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
3. 互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであることを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
4. 互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであることを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
5. 互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロック、並びにレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであることを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
6. 前記塗布膜形成用の単位ブロックでは、搬送手段Ａにより、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められている個所をモジュールとすると、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の塗布膜形成処理が行われ、
   前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と塗布膜形成用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
   前記搬送手段Ｂに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第１の基板収容部に書き換える書き換え部と、
   前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記塗布膜形成用の単位ブロック内における搬送手段Ａによる基板の搬送を制御する手段と、を備えることを特徴とする請求項１，３，４，５記載の塗布、現像装置。
7. 前記現像処理用の単位ブロックでは、搬送手段Ａにより、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められている個所をモジュールとすると、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の塗布膜形成処理が行われ、
   前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と現像処理用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
   前記搬送手段Ｃに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第２の基板収容部に書き換える書き換え部と、
   前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記現像処理用の単位ブロック内における搬送手段Ａによる基板の搬送を制御する手段と、を備えることを特徴とする請求項２記載の塗布、現像装置。
8. 請求項１記載の塗布、現像装置において行われる塗布、現像方法において、
   前記搬送手段Ｂに異常が起きたときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して、当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、当該単位ブロック内に設けられた退避用の第１の基板収容部に各基板を退避させると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止することを特徴とする塗布、現像方法。
9. 請求項２記載の塗布、現像装置にて行われる塗布、現像方法において、
   前記搬送手段Ｃに異常が起きたときに、現像処理用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、当該単位ブロック内に設けられた第２の退避用の基板収容部に各基板を退避させると共に、現像処理用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止することを特徴とする請求項８記載の塗布、現像方法。
   

Images