JP2006135305A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
   前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜の一部を開口し、
   前記開口された領域に、前記剥離層に接するように導電膜を形成し、
   前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
   前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜の一部を開口し、
   前記開口された領域に、前記剥離層に接するように、前記半導体膜の不純物領域に電気的に接続される導電膜を形成し、
   前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記剥離層は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   レーザ照射によって、前記絶縁膜の一部を開口することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記物理的手段を用いるとは、ローラの回転を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
   前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜の一部を開口し、
   前記開口された領域に、前記剥離層に接するように導電膜を形成し、
   前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させ、
   前記露出された導電膜にプローブ針を接触させて検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
7. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
   前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜の一部を開口し、
   前記開口された領域に、前記剥離層に接するように、前記半導体膜の不純物領域に電気的に接続される導電膜を形成し、
   前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させ、
   前記露出された導電膜にプローブ針を接触させて検査を行い、貼り合わせ加工を施すことを特徴とする半導体装置の検査方法。
8. 請求項６又は７において、
   前記剥離層は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなることを特徴とする半導体装置の検査方法。
9. 請求項６乃至８のいずれか一において、
   レーザ照射によって、前記絶縁膜の一部を開口することを特徴とする半導体装置の検査方法。
10. 請求項６乃至９のいずれか一において、
    前記物理的手段を用いるとは、ローラの回転を用いることを特徴とする半導体装置の検査方法。