JP2006032406A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ヒートシンク21上に、下側サブマウント30、複数のレーザダイオードチップを並設してなるバー状の半導体レーザ素子10および上側サブマウント40が、各々の端面をヒートシンク21の一端面に揃えるようにして順に積層されている。下側サブマウント30および上側サブマウント40は、半導体レーザ素子10よりも低い熱膨脹係数を有している。半導体レーザ素子10の下面側と上面側とで熱膨張係数の均衡がとれて、下側サブマウント30および上側サブマウント40の熱膨張係数が低くても、反り等の発生を抑制して実装精度を高め、特に630μm以上690μm以下の波長域に発振波長を有する赤色の半導体レーザ素子10において安定した特性を得ることができる。
【選択図】図2
Description
(A)対向する第1面および第2面を有し、前記第1面および第2面の対向方向に直交する方向に光を出射する半導体レーザ素子
(B)半導体レーザ素子よりも低い熱膨脹係数を有し、半導体レーザ素子の第1面に第1溶着層を間にして配設された第1支持部材
(C)半導体レーザ素子よりも低い熱膨脹係数を有し、半導体レーザ素子の第2面に第2溶着層を間にして配設された第2支持部材
例えば図8に示したように、上側サブマウント40上に、上側接着層61を間にして、ブロック状の上側ヒートシンク60が重ねて配置されているものが好ましい。上側ヒートシンク60の構成材料としては、銅の表面に金よりなる薄膜を形成したもの、またはダイヤモンドが挙げられる。また、上側接着層61は、例えば、厚みが3μmないし5μmであり、接着層32と同様の材料により構成されている。
また、上側ヒートシンクはブロック状のものには限られず、例えば図9および図10に示したような薄板状の上側ヒートシンク70を設けるようにしてもよい。この上側ヒートシンク70は、例えば、上部サブマウント40に固定された接合部71と、この接合部71から横方向に延びた架橋部72とを有しており、架橋部72の端部72Aは電極部分22の段部22Cに固定されている。熱は横方向にも比較的広がりやすいので、このような上側ヒートシンク70を設けることにより、上方向だけでなく横方向の排熱性を高め、半導体レーザ素子10で発生した熱を電極部分22へと放散させることができる。
Claims (9)
- 対向する第1面および第2面を有し、前記第1面および第2面の対向方向に直交する方向に光を出射する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子よりも低い熱膨脹係数を有し、前記半導体レーザ素子の第1面に第1溶着層を間にして配設された第1支持部材と、
前記半導体レーザ素子よりも低い熱膨脹係数を有し、前記半導体レーザ素子の第2面に第2溶着層を間にして配設された第2支持部材と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザ素子は、630μm以上690μm以下の波長域に発振波長を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザ素子は、GaAsよりなる基板上に、3B族元素のうちアルミニウム(Al)およびガリウム(Ga)の少なくとも一方と5B族元素のうちインジウム(In)およびリン(P)の少なくとも一方とを含むAlGaInP系化合物半導体よりなる半導体層を有する
ことを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2支持部材の前記半導体レーザ素子からの光の出射方向における寸法は、前記第1支持部材よりも小さい
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2支持部材は、ダイヤモンドと銅とを含む材料により構成された
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2支持部材は、窒化アルミニウムよりなる本体部と、前記本体部に設けられた貫通孔と、前記貫通孔に充填された導電層とを有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2支持部材は、絶縁性の本体部の表面に1層以上の金属被覆層を有し、前記金属被覆層の合計厚みは2μm以上である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1支持部材は、第1放熱部材の上に配設されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2支持部材の上に、第2放熱部材が配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
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