JP2006015423A - ビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボード - Google Patents

Abstract

【課題】 ビトリファイドボンド砥石を目立てした後に、安定した研削能力を維持することができるビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボードを提供する。
【解決手段】 二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで砥粒を結合して形成したビトリファイドボンド砥石の目立て方法であって、ビトリファイドボンド砥石は二酸化珪素を主成分とする部材で形成された目立てボードを用いて目立てする。
【選択図】 図６

Description

本発明は、超砥粒をビトリファイドボンドで結合したビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボードに関する。

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路が複数個形成された半導体ウエーハは、個々のチップに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。半導体ウエーハの裏面を効率的に研削するために、一般に粗研削ユニットと仕上げ研削ユニットを備えた研削装置が用いられている。粗研削ユニットには比較的粒径が大きいダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドまたはメタルボンドで結合したビトリファイドボンド砥石またはメタルボンド砥石が用いられ、仕上げ研削ユニットには粒径が小さいダイヤモンド砥粒をレジンボンドで結合したレジンボンド砥石が用いられている。

ビトリファイドボンド砥石は、二酸化珪素などを主成分とするボンド材で砥粒を結合しているため砥粒保持力が強いので、研削能力が維持される反面、砥粒を強固に保持するため自生発刃作用が不十分であるという特性がある。一方、レジンボンド砥石は、柔軟なレジンボンド材で砥粒を結合しているため被加工物への当たりがソフトであるとともに、砥粒保持力が弱いので自生発刃作用が良好である。このような砥石の特性から、ビトリファイドボンド砥石は主に粗研削砥石として用いられ、レジンボンド砥石は主に仕上げ研削砥石として用いられている。

しかるに、レジンボンド砥石は上述したようにレジンボンド材が柔軟であるため、砥粒の粒径が２μｍ以下になると、研削中に砥粒がレジンボンドの内部に押し込まれて研削能力が低下し、研削焼けが発生する。従って、レジンボンド砥石は、粒径が２〜４μm（＃２０００）以上の砥粒を用いなければならず、微細な仕上げ研削が困難となる。

なお、ビトリファイドボンド砥石は上述したように砥粒保持力が強いので、０．５μm（＃８０００）以下の砥粒であっても研削中に砥粒がビトリファイドボンド内に押し込まれることがなく研削能力が維持される。しかしながら、ビトリファイドボンド砥石は、上述したようにビトリファイドボンドが砥粒を強固に保持するため自生発刃作用が不十分であり、研削面にスジ状の傷を生じさせるという問題がある。

このような問題を解消するために、砥粒をビトリファイドボンドで結合された砥粒層に気孔を形成し自生発刃作用を良好にしたビトリファイドボンド砥石が提案されている。（例えば、特許文献１参照）
特開２００３−１３６４１０号公報

而して、砥粒をビトリファイドボンドで結合された砥粒層に気孔を形成したビトリファイドボンド砥石を、アルミナ砥粒やダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固めて形成した従来のドレッサーボードまたは金属板に超砥粒をめっきによって固定した従来のドレッサーボードを用いて目立て（ドレッシングとツルーイングを含む）を行うと、研削能力が一時的に高まるものの研削能力の安定性にかけるという問題がある。なお、この問題は、従来から用いられている砥粒層に気孔を有しないビトリファイドボンド砥石においても例外ではないことが判明した。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ビトリファイドボンド砥石を目立てした後に、安定した研削能力を維持することができるビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボードを提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで砥粒を結合して形成したビトリファイドボンド砥石の目立て方法であって、
該ビトリファイドボンド砥石は二酸化珪素を主成分とする部材で形成された目立てボードを用いて目立てする、ことを特徴とするビトリファイドボンド砥石の目立て方法が提供される。

上記ビトリファイドボンド砥石は、粒径が５μm以下のダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで結合するとともに、砥粒層に気孔率が７０〜９５容積％の気孔を備えている。

また、本発明によれば、二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで砥粒を結合して形成したビトリファイドボンド砥石の目立てボードであって、
該目立てボードは、二酸化珪素を主成分とする部材で形成されている、ことを特徴とするビトリファイドボンド砥石の目立てボードが提供される。

上記二酸化珪素を主成分とする部材は、ガラス板または二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで形成されていることが望ましい。また、目立てボードの目立て面には、複数の溝が形成されていることが望ましい。

本発明によるビトリファイドボンド砥石目立て方法は、二酸化珪素を主成分とする部材で形成された目立てボードを用いて目立てするので、ビトリファイドボンド砥石の砥粒を保持しているボンド材が同質の素材によって構成された目立てボードと友磨りするため、無理のないドレッシング(目立て)が行われる。従って、砥粒が適度に露出して研削能力が安定したビトリファイドボンド砥石に目立てされる。

以下、本発明によるビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボードの好適な実施形態について、添付図面を参照して説明する。

図１には、ビトリファイドボンド砥石を備えた研削ホイールが装備された研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には荒研削手段としての荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。

荒研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２に装着された研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２aで示す方向に回転せしめる電動モータ３４と、ユニットハウジング３１を装着した移動基台３５とを具備している。研削ホイール３３は、図２に示すように環状の砥石基台３３１と、該砥石基台３３１の下面に装着されたビトリファイドボンド砥石３３２からなる複数のセグメントとによって構成されている。砥石基台３３１には雌ネジ穴３３１a形成されており、この雌ネジ穴３３１aにホイールマウント３２を挿通して配設された締結ネジ３３３（図１参照）を螺合することにより、ホイールマウント３２に装着される。ビトリファイドボンド砥石３３２は、粒径が略１０μm程度のダイヤモンド砥粒を二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで結合して形成されている。移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における荒研削ユニット３は、上記移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動させ研削ホイール３３を研削送りする研削送り機構３６を具備している。研削送り機構３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ３６２によって雄ねじロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット３を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。

上記仕上げ研削ユニット４も荒研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２に装着された研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２aで示す方向に回転せしめる電動モータ４４と、ユニットハウジング４１を装着した移動基台４５とを具備している。研削ホイール４３は、図３に示すように環状の砥石基台４３１と、該砥石基台４３１の下面に装着されたビトリファイドボンド砥石４３２からなる複数のセグメントとによって構成されている。砥石基台４３１には雌ネジ穴４３１a形成されており、この雌ネジ穴４３１aにホイールマウント４２を挿通して配設された締結ネジ４３３（図１参照）を螺合することにより、ホイールマウント４２に装着される。ビトリファイドボンド砥石４３２は、粒径が１μm以下のダイヤモンド砥粒を二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで結合して形成されているとともに、砥粒層に独立気孔を備えている。独立気孔を備えたビトリファイドボンド砥石を得るには、砥粒とビトリファイドボンド材と発泡剤と有機物粒子とを混錬して造粒し顆粒物を生成し、この顆粒物を成型用の金型に充填して所定の形状に加圧成型し、この成型物を焼成炉で焼成することにより、独立気孔を備えたビトリファイドボンド砥石が得られる。なお、独立気孔の気孔率は７０〜９５容積％であることが望ましい。このように、気孔率が７０〜９５容積％の独立気孔を有するビトリファイドボンド砥石を構成することにより、自生発刃作用が良好で研削性に優れているとともに、その強度を確保することができる。

上記移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット４は、上記移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動させ研削ホイール４３を研削送りする送り機構４６を具備している。送り機構４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２と、上記移動基台４５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ４６２によって雄ねじロッド４６１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット４を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に移動せしめる。

図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板２１の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２上（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図１に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。

図示の研削装置は、被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする第１のカセット７と、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストックする第２のカセット８と、第１のカセット７と被加工物搬入・搬出域Ａとの間に配設され被加工物の中心合わせを行う中心合わせ手段９と、被加工物搬入・搬出域Ａと第２のカセット８との間に配設されたスピンナー洗浄手段１１と、第１のカセット７内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段９に搬出するとともにスピンナー洗浄手段１１で洗浄された半導体ウエーハを第２のカセット８に搬送する被加工物搬送手段１２と、中心合わせ手段９上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送する被加工物搬入手段１３と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハを洗浄手段１１に搬送する被加工物搬出手段１４を具備している。なお、上記第１のカセット７には、半導体ウエーハ１５が表面に保護テープ１６が貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハ１５は、裏面１５bを上側にして収容される。

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第１のカセット７に収容された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハ１５は被加工物搬送手段１２の上下動作および進退動作により搬送され、中心合わせ手段９に載置され６本のピン９１の中心に向かう径方向運動により中心合わせされる。中心合わせ手段９に載置され中心合わせされた半導体ウエーハ１５は、被加工物搬入手段１４の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハ１５を吸着保持チャック６２上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハを載置したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。

半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は、荒研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。一方、荒研削ユニット３の研削ホイール３３は、矢印３２aで示す方向に回転せしめられつつ研削送り機構３６によって所定量下降する。この結果、チャックテーブル６上の半導体ウエーハ１５の裏面１５bに荒研削加工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、上述したように研削加工前の半導体ウエーハ１５が載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１５をチャックテーブル６上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を矢印５aで示す方向に１２０度回動せしめて、荒研削加工された半導体ウエーハ１５を保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。

このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハ１５の裏面１５bには荒研削ユニット３によって荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハ１５の裏面１５bには仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工した半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削加工前の半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。

なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル６は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１５の吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１５は、被加工物搬出手段１４によってスピンナー洗浄手段１１に搬出される。スピンナー洗浄手段１１に搬送された半導体ウエーハ１５は、ここで裏面１５a（研削面）および側面に付着している研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハ１５は、被加工物搬送手段１２によって第２のカセット８に搬送され収納される。

上述した研削作業を実施することにより、荒研削ユニット３のビトリファイドボンド砥石３３２および仕上げ研削ユニット４のビトリファイドボンド砥石４３２は、消耗や目詰まり等により研削能力が低下する。そこで、所定時間研削作業を実施したならばビトリファイドボンド砥石３３２、４３２をドレッシング(目立て)する。以下、ビトリファイドボンド砥石を目立てするための目立てボードについて説明する。

図４には、本発明による目立てボードの一実施形態の斜視図が示されている。図４に示す目立てボード１０は、二酸化珪素を主成分とする部材によって形成されており、図示の実施形態においては一辺が１３０mmの正方形で厚さが５mmに形成されている。このように形成された目立てボード１０の目立て面には、幅０．６mm、深さ１mmの溝１０１が４mm間隔で格子状に形成されている。なお、目立てボード１０を形成する二酸化珪素を主成分とする部材としては、ガラス板を用いることができ、また、二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドを板状に成形して用いることができる。このように構成された目立てボード１０は、裏面が塩化ビニール等で形成された厚さ５ｍｍ程度の保持基板１００に貼着する。

次に、目立てボードの他の実施形態について、図５を参照して説明する。
図５の(a)に示す目立てボード１０aは、二酸化珪素を主成分とする部材によって円盤状に形成されており、目立て面には同心円状に複数の溝１０１aが形成されている。
図５の(b)示す目立てボード１０b、二酸化珪素を主成分とする部材によって円盤状に形成されており、目立て面には複数の溝１０１bが平行に形成されている。
図５の(c)目立てボード１０cは、二酸化珪素を主成分とする部材によって円盤状に形成されており、目立て面には複数の溝１０１ｃが放射状に形成されている。
図５の(d)ボード１０d、二酸化珪素を主成分とする部材によって三角形状に形成されており、目立て面には溝が形成されていない。
以上のように構成された目立てボード１０a、１０b、１０c、１０dは、それぞれ保持基板１００に貼着する。

上述した目立てボード１０を用いて荒研削ユニット３のビトリファイドボンド砥石３３２および仕上げ研削ユニット４のビトリファイドボンド砥石４３２をドレッシングするには、保持基板１００に貼着された目立てボード１０を図１に示す研削装置にチャックテーブル６上に吸引保持する。なお、２個のチャックテーブル６上にそれぞれ目立てボード１０を保持し、荒研削ユニット３のビトリファイドボンド砥石３３２と仕上げ研削ユニット４のビトリファイドボンド砥石４３２を同時にドレッシングすることが望ましい。チャックテーブル６上に目立てボード１０を保持したならば、ターンテーブル５を回動して目立てボード１０を保持したチャックテーブル６をそれぞれ荒研削加工域Ｂと仕上げ研削加工域Ｃに位置付ける。そして、荒研削ユニット３のビトリファイドボンド砥石３３２および仕上げ研削ユニット４のビトリファイドボンド砥石４３２のドレッシング作業（目立て）を実施する。

ドレッシング作業について、図６を参照して説明する。なお、ドレッシング作業は荒研削ユニット３のビトリファイドボンド砥石３３２と仕上げ研削ユニット４のビトリファイドボンド砥石４３２のドレッシング作業は同様に行われるので、図６においては仕上げ研削ユニット４のビトリファイドボンド砥石４３２を主体として示してある。目立てボード１０を保持したチャックテーブル６が上述したように荒研削加工域Ｂと仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたならば、チャックテーブル６を矢印６aで示す方向に例えば３０〜２００rpmの回転速度で回転せしめる。そして、ビトリファイドボンド砥石４３２（３３２）を装着した研削ホイール４３（３３）を矢印４２a（３２a）で示す方向に例えば１０００〜３０００rpmの回転速度で回転しつつ、矢印Ｚで示す方向即ちチャックテーブル６に保持された目立てボード１０に向けて例えば１．０〜３．０μm／秒の速度で移動する。この結果、目立てボード１０とビトリファイドボンド砥石４３２(３３２)は互いに研削され、両者が例えば１００〜３００μm研削（ツルーイング量）されることによりビトリファイドボンド砥石４３２（３３２）のドレッシング(目立て)が終了する。

上述したドレッシング(目立て)においては、ビトリファイドボンド砥石を形成するビトリファイドボンドの主成分と同じ二酸化珪素を主成分とする部材によって形成された目立てボード１０を用いて実施するので、ビトリファイドボンド砥石４３２（３３２）の砥粒を保持しているボンド材が同質の素材によって構成された目立てボード１０と友磨りするため、無理のないドレッシング(目立て)が行われる。従って、砥粒が適度に露出して研削能力が安定したビトリファイドボンド砥石に再生される。このようにしてドレッシング(目立て)されたビトリファイドボンド砥石によって被加工物を研削すると、研削抵抗値、砥石の消耗量が研削当初から安定し、安定した研削能力を維持できることが確認された。

縦１３０mm、横１３０mm、厚さ５mmの板ガラスの表面（目立て面）に幅０．６mm、深さ１mmの溝を４mm間隔で格子状に形成した目立てボード(実施例１)と、縦１３０mm、横１３０mm、厚さ５mmの溝なしの板ガラスからなる目立てボード(実施例２)と、二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンド材によって縦１３０mm、横１３０mm、厚さ５mmに形成した目立てボード(実施例３)と、粒径が１００〜２００μmのアルミナをレジンボンドで固め縦１３０mm、横１３０mm、厚さ５mmに形成した目立てボード(比較例)を製作し、ビトリファイドボンド砥石の目立て試験を図７に示す条件で実施した。研削ホイールとしては上記仕上げ研削ホイール４３を用い、砥粒層に気孔率が９０％の独立気孔を有し、縦（軸方向長さ）１０mm、横（周方向長さ）２０mm、幅（径方向長さ）５mmのビトリファイドボンド砥石のセグメントを直径２００mmの砥石基盤に２８個装着した研削ホイールを用いた。

上述したビトリファイドボンド砥石の目立てを実施した後、次の研削条件でシリコン基板をそれぞれ５枚づつ研削した。研削条件は、チャックテーブル６の回転速度を３００rpm、目立てしたビトリファイドボンド砥石を装着した研削ホイールの回転速度を２０５０rpm、研削送り速度を０．３μm／秒とし、シリコン基板を２５μm研削した。そして、研削ホイールを回転駆動する電動モータの電流値（研削抵抗値）と、ビトリファイドボンド砥石の消耗量と、シリコン基板の研削面の面状態を調べた結果が、図７に示すとおりである。図 ７から判るように実施例１の目立てボードによって目立てしたビトリファイドボンド砥石は、電流値の変動が少なく研削能力が安定しているとともに、砥石の消耗量も少なく当初から安定している。そして、実施例１の目立てボードによって目立てしたビトリファイドボンド砥石は、研削した研削面の面状態が最も良好であった。また、実施例２および実施例３の目立てボードによって目立てしたビトリファイドボンド砥石も、電流値の変動が少なく研削能力が安定しているとともに、砥石の消耗量も比較的少なく当初から安定している。また、実施例２および実施例３の目立てボードによって目立てしたビトリファイドボンド砥石は、研削した研削面の面状態も良い。一方、従来用いられている比較例のアルミナをレジンボンドで固めた目立てボードによって目立てしたビトリファイドボンド砥石は、電流値即ち研削能力が安定しないとともに、砥石の消耗量が大きく特に目立て後の研削当初の砥石の消耗量が大きい。そして、比較例のビトリファイドボンド砥石は、研削した研削面の面状態が上記各実施例と比較して悪かった。

ビトリファイドボンド砥石を備えた研削ホイールが装備された研削装置の斜視図。 図１に示す研削装置に装備される荒研削ユニットを構成する研削ホイールの斜視図。 図１に示す研削装置に装備される仕上げ研削ユニットを構成する研削ホイールの斜視図。 本発明に従って構成された目立てボードの一実施形態を示す斜視図。 本発明に従って構成された目立てボードのそれぞれ他の実施形態を示す平面図。 本発明によるビトリファイドボンド砥石の目立て方法を実施している状態を示す説明図。 本発明による目立て方法の実施条件と目立てされたビトリファイドボンド砥石で研削加工した試験結果を示す図。

符号の説明

２：装置ハウジング
３：荒研削ユニット
３３：研削ホイール
３３２：ビトリファイドボンド砥石
４：仕上げ研削ユニット
４３：研削ホイール
４３２：ビトリファイドボンド砥石
５：ターンテーブル
６：チャックテーブル
７：第１のカセット
８：第２のカセット
９：中心合わせ手段
１０：目立てボード
１０１：溝
１１：スピンナー洗浄手段
１２：被加工物搬送手段
１３：被加工物搬入手段
１４：被加工物搬出手段
１５：半導体ウエーハ

Claims (6)

1. 二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで砥粒を結合して形成したビトリファイドボンド砥石の目立て方法であって、
   該ビトリファイドボンド砥石は二酸化珪素を主成分とする部材で形成された目立てボードを用いて目立てする、ことを特徴とするビトリファイドボンド砥石の目立て方法。
2. 該ビトリファイドボンド砥石は、粒径が５μm以下のダイヤモンド砥粒を該ビトリファイドボンドで結合するとともに、気孔率が７０〜９５％である、請求項１記載のビトリファイドボンド砥石の目立て方法。
3. 二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで砥粒を結合して形成したビトリファイドボンド砥石の目立てボードであって、
   該目立てボードは、二酸化珪素を主成分とする部材で形成されている、ことを特徴とするビトリファイドボンド砥石の目立てボード。
4. 該二酸化珪素を主成分とする部材は、ガラス板からなっている、請求項３記載のビトリファイドボンド砥石の目立てボード。
5. 該二酸化珪素を主成分とする部材は、二酸化珪素を主成分とするビトリファイドボンドで形成されている、請求項３記載のビトリファイドボンド砥石の目立てボード。
6. 該目立てボードの目立て面には、複数の溝が形成されている、請求項３から５のいずれかに記載のビトリファイドボンド砥石の目立てボード。

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