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JP2005336048A - Glass composition, paste composition, and plasma display panel - Google Patents

Glass composition, paste composition, and plasma display panel Download PDF

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JP2005336048A
JP2005336048A JP2005119805A JP2005119805A JP2005336048A JP 2005336048 A JP2005336048 A JP 2005336048A JP 2005119805 A JP2005119805 A JP 2005119805A JP 2005119805 A JP2005119805 A JP 2005119805A JP 2005336048 A JP2005336048 A JP 2005336048A
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JP
Japan
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dielectric layer
glass
weight
glass composition
less
Prior art date
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Pending
Application number
JP2005119805A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinya Hasegawa
真也 長谷川
Akinobu Miyazaki
晃暢 宮崎
Kazuhiro Yokota
和弘 横田
Yoshiaki Kai
義昭 貝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass composition that is lead-free, and that, when used as a dielectric layer or the like of a PDP, suppresses coloration of a dielectric layer, a transparent conductive film and a glass substrate, and suppresses reduction in transmittance of the dielectric layer. <P>SOLUTION: The glass composition used for forming the dielectric layer 6 includes, by weight, 0.1-20% GeO<SB>2</SB>, 3-35% B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, 4-45% ZnO, 10-80% Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, and ≤0.5% SiO<SB>2</SB>and is free of PbO. It is preferable to further incorporate ≤8 wt% Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>and ≤20 wt% of at least one species selected from the group consisting of MgO, CaO, SrO, and BaO into the glass composition. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ガラス組成物に関し、特にプラズマディスプレイパネルの誘電体層を形成するのに用いるガラス組成物に関する。   The present invention relates to a glass composition, and more particularly, to a glass composition used for forming a dielectric layer of a plasma display panel.

平面型のディスプレイとしてプラズマディスプレイパネル(以下、PDPという。)が注目されている。
PDPは、前面ガラス基板に表示電極、誘電体層、誘電体保護層とが形成されてなる前面板と、背面ガラス基板にアドレス電極、誘電体層、誘電体層、隔壁、蛍光体層が形成されてなる背面板とが、貼り合わせられて構成されている。
As a flat display, a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) has been attracting attention.
The PDP has a front plate in which a display electrode, a dielectric layer, and a dielectric protective layer are formed on a front glass substrate, and an address electrode, a dielectric layer, a dielectric layer, a partition, and a phosphor layer are formed on a rear glass substrate. The rear plate thus formed is bonded together.

このPDPにおいて、誘電体層は、十分な耐電圧を有すること、透明度が高いこと、焼成温度ができるだけ低いこと(具体的には600℃以下で焼成できること)、といった各性質が望まれ、一般に低融点ガラスで形成されている。
この低融点ガラスとして、SiO2−B23−PbO系のガラス組成物をはじめとしてPbOを主成分とする鉛ガラスが多用されている(特許文献1参照)。
特開平3−170346号公報 特開2002−53342号公報 特開平9−278482号公報
In this PDP, the dielectric layer is desired to have various properties such as having a sufficient withstand voltage, having high transparency, and having a firing temperature as low as possible (specifically, capable of firing at 600 ° C. or lower). It is made of melting point glass.
As this low-melting glass, a lead glass containing PbO as a main component including a glass composition based on SiO 2 —B 2 O 3 —PbO is widely used (see Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 3-170346 JP 2002-53342 A JP-A-9-278482

しかし、鉛は人間に対する毒性や環境に対する有害性が指摘されており、PDPを製造する時や廃棄処分する時に鉛が環境に及ぼす影響が問題視されている。そのため、誘電体層においても鉛を含まないガラス組成物を用いることが求められている。
このような背景のもとに、鉛を含まない誘電体用ガラス組成物として、Bi23を含むビスマス系ガラス(特許文献2参照)や、PbOとBi23のいずれも含まないB23−ZnO系ガラス(特許文献3参照)が提案されている。
However, it has been pointed out that lead is toxic to humans and harmful to the environment, and the influence of lead on the environment is regarded as a problem when PDP is manufactured or disposed of. Therefore, it is required to use a glass composition that does not contain lead in the dielectric layer.
Based on this background, as a dielectric glass composition containing no lead, bismuth glass (see Patent Document 2) containing Bi 2 O 3 and does not include any PbO and Bi 2 O 3 B 2 O 3 —ZnO-based glass (see Patent Document 3) has been proposed.

しかしながら、誘電体層にB23−ZnO系ガラスを使用すると、誘電体層や透明導電膜やガラス基板が着色したり、PDPの表示特性が悪くなる場合がある。これは、従来のB23−ZnO系ガラスには、軟化点を低くするためにアルカリ金属酸化物が含まれており、このアルカリ金属が電極との接触界面で電極に含まれる金属との間で反応することによって、着色したり耐電圧が低下するためである。 However, when B 2 O 3 —ZnO-based glass is used for the dielectric layer, the dielectric layer, the transparent conductive film, or the glass substrate may be colored, or the display characteristics of the PDP may deteriorate. This is because the conventional B 2 O 3 —ZnO-based glass contains an alkali metal oxide in order to lower the softening point, and the alkali metal is in contact with the metal contained in the electrode at the contact interface with the electrode. This is because the coloration or the withstand voltage is reduced by reacting between them.

また、誘電体層にBi23を含むビスマス系ガラスを使用すると、誘電体層の透過率が低下することにより、PDPの輝度が低下したり表示特性に悪影響を及ぼす場合がある。その原因は、ビスマス系ガラスにおいては、ガラス製造時に安定な非晶質ガラスを得るためにSiO2が含まれていることが多いが、PDPの製造工程において、誘電体層を形成する際の焼成をはじめとして複数の熱処理が繰り返されるので、誘電体層のガラス中に、ケイ酸ビスマスなどのBi−Si−O系の微結晶が析出し、この微結晶によって誘電体層を透過する光が散乱されるためである。 In addition, when bismuth-based glass containing Bi 2 O 3 is used for the dielectric layer, the transmittance of the dielectric layer is lowered, so that the brightness of the PDP may be lowered or the display characteristics may be adversely affected. The cause is that bismuth-based glass often contains SiO 2 in order to obtain a stable amorphous glass at the time of glass production. In the manufacturing process of PDP, firing is performed when a dielectric layer is formed. Since a plurality of heat treatments are repeated, Bi—Si—O-based microcrystals such as bismuth silicate are precipitated in the glass of the dielectric layer, and the light transmitted through the dielectric layer is scattered by the microcrystals. It is to be done.

本発明は、かかる課題を解消するべく、ガラス組成物において、鉛を含まず、且つPDPの誘電体層などに用いた場合に、当該誘電体層や透明導電膜やガラス基板が着色しにくく、誘電体層の透過率が低下しにくいものを提供し、それによって表示特性の優れたPDPを実現することを目的とする。   In order to solve the problem, the present invention does not contain lead in a glass composition, and when used for a dielectric layer of a PDP or the like, the dielectric layer, the transparent conductive film or the glass substrate is hardly colored, An object of the present invention is to provide a dielectric layer in which the transmittance of the dielectric layer is not easily lowered, thereby realizing a PDP having excellent display characteristics.

上記の目的を達成するために、本発明に係るガラス組成物は、GeO2を0.1〜20重量%、B23を3〜35重量%、ZnOを4〜45重量%、Bi23を10〜80重量%含ませることとした。
あるいは、GeO2を0.1〜20重量%、B23を3〜20重量%、ZnOを4〜30重量%、Bi23を40〜80重量%含ませることとした。
In order to achieve the above object, the glass composition according to the present invention comprises GeO 2 in an amount of 0.1 to 20% by weight, B 2 O 3 in an amount of 3 to 35% by weight, ZnO in an amount of 4 to 45% by weight, Bi 2. It was decided to contain 10 to 80% by weight of O 3 .
Alternatively, GeO 2 is contained in an amount of 0.1 to 20% by weight, B 2 O 3 in an amount of 3 to 20% by weight, ZnO in an amount of 4 to 30% by weight, and Bi 2 O 3 in an amount of 40 to 80% by weight.

あるいは、GeO2を0.1〜20重量%、B23を12〜35重量%、ZnOを15〜45重量%、Bi23を10〜40重量%含ませることとした。
上記ガラス組成物において、さらに、Al23を含ませてもよい。ただし、その含有量は8重量%以下とする。
また、上記ガラス組成物において、さらに、MgO,CaO,SrOおよびBaOから選択される少なくとも一種を20重量%以下含ませてもよい。
Alternatively, GeO 2 is contained in an amount of 0.1 to 20% by weight, B 2 O 3 in an amount of 12 to 35% by weight, ZnO in an amount of 15 to 45% by weight, and Bi 2 O 3 in an amount of 10 to 40% by weight.
The glass composition may further contain Al 2 O 3 . However, the content is 8% by weight or less.
The glass composition may further contain 20% by weight or less of at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO.

本発明にかかるペースト組成物においては、上記組成のガラス組成物、バインダー樹脂および溶剤を含ませることとした。
また、本発明では、放電空間に臨む面上に、電極と当該電極を被覆する誘電体層とが配設されたPDPにおいて、当該誘電体層を上記ガラス組成物で形成することとした。
また本発明では、放電空間に臨む面上に、電極と当該電極を被覆する第1誘電体層と当該第1誘電体層を被覆する第2誘電体層が配設されたPDPにおいて、第1誘電体層及び第2誘電体層のうち少なくとも第1誘電体を上記のガラス組成物で形成することとした。ここで、第2誘電体層は、SiO2−B23−ZnO系ガラス組成物で形成してもよい。
In the paste composition according to the present invention, the glass composition having the above composition, the binder resin and the solvent were included.
In the present invention, in a PDP in which an electrode and a dielectric layer covering the electrode are disposed on a surface facing the discharge space, the dielectric layer is formed of the glass composition.
According to the present invention, in the PDP in which the electrode, the first dielectric layer covering the electrode, and the second dielectric layer covering the first dielectric layer are disposed on the surface facing the discharge space, Of the dielectric layer and the second dielectric layer, at least the first dielectric is formed of the glass composition. Here, the second dielectric layer may be formed of a SiO 2 —B 2 O 3 —ZnO-based glass composition.

第1誘電体層に含まれるガラス組成物の軟化点は、第2誘電体層に含まれるガラス組成物の軟化点よりも高いことが好ましい。   The softening point of the glass composition contained in the first dielectric layer is preferably higher than the softening point of the glass composition contained in the second dielectric layer.

上記本発明によれば、Bi23が10〜80重量%、あるいは40〜80重量%、あるいは10〜40重量%含まれており、このBi23が軟化点を低下させる働きをするので、PbOは含まれていなくても軟化点を低くすることができる。
また、上述したように一般的にビスマス系ガラスには、ガラス製造時に安定な非晶質ガラスを得るためにSiO2が含まれているが、本発明のガラス組成物においては、GeO2が含まれており、このGeO2がガラス構造のネットワークを形成し、非晶質状態を安定に維持する働きがある。
According to the present invention, Bi 2 O 3 is contained in an amount of 10 to 80% by weight, alternatively 40 to 80% by weight, or alternatively 10 to 40% by weight, and this Bi 2 O 3 serves to lower the softening point. Therefore, the softening point can be lowered even if PbO is not included.
In addition, as described above, bismuth-based glass generally contains SiO 2 in order to obtain a stable amorphous glass during glass production, but the glass composition of the present invention contains GeO 2. This GeO 2 has a function of forming a glass-structured network and maintaining the amorphous state stably.

従って、ガラス組成物におけるSiO2の含有量が0.5重量%以下であったり、あるいはSiO2を含まなくても、ガラス製造時に安定な非晶質ガラスが得られる。
従って本発明によれば、鉛を含むことなく低軟化点のガラス組成物が得られ、誘電体層に用いた場合に、当該誘電体層や透明導電膜やガラス基板が着色しにくく、誘電体層の透過率が低下しにくいものが得られる。
Accordingly, even if the SiO 2 content in the glass composition is 0.5% by weight or less or no SiO 2 is contained, an amorphous glass that is stable during glass production can be obtained.
Therefore, according to the present invention, a glass composition having a low softening point can be obtained without containing lead, and when used in a dielectric layer, the dielectric layer, the transparent conductive film and the glass substrate are hardly colored, and the dielectric A layer in which the transmittance of the layer is hardly lowered is obtained.

[ガラス組成物の構成]
本発明にかかるガラス組成物は、ビスマス系ガラス組成物であって、基本的にPbOは含有せず、GeO2を0.1〜20重量%、B23を3〜35重量%、ZnOを4〜45重量%、Bi23を10〜80重量%含有している。
上記「基本的にPbOを含有しない」というのは、「工業的にPbを完全に除去することは難しいので、特性に影響を及ぼさないごく微量の鉛を含んでもよい。」という意味である。
[Composition of glass composition]
The glass composition according to the present invention is a bismuth-based glass composition, basically containing no PbO, 0.1 to 20% by weight of GeO 2 , 3 to 35% by weight of B 2 O 3 , ZnO. In an amount of 4 to 45% by weight and Bi 2 O 3 in an amount of 10 to 80% by weight.
The phrase “basically does not contain PbO” means that “a very small amount of lead that does not affect the characteristics may be included because it is difficult to completely remove Pb industrially”.

ここで、Bi23、GeO2、B23、ZnOの含有量の範囲については、上記範囲の中で、下記実施形態1で示す範囲に設定すること、あるいは下記実施形態2で示す範囲に設定することが好ましい。
〔実施の形態1〕
実施形態1にかかるガラス組成物は、PbOは含有せず、GeO2を0.1〜20重量%、B23を3〜20重量%、ZnOを4〜30重量%、Bi23を40〜80重量%含有している。
Here, the range of the content of Bi 2 O 3 , GeO 2 , B 2 O 3 , and ZnO is set to the range shown in the following embodiment 1 in the above range, or shown in the following embodiment 2. It is preferable to set the range.
[Embodiment 1]
The glass composition according to Embodiment 1 does not contain PbO, contains GeO 2 in an amount of 0.1 to 20% by weight, B 2 O 3 in an amount of 3 to 20% by weight, ZnO in an amount of 4 to 30% by weight, and Bi 2 O 3. 40 to 80% by weight.

ガラス組成物に含まれる各成分の働きは以下の通りである。
GeO2はガラス構造のネットワークを形成する働きがある成分であり、非晶質状態をより安定に維持する働きがある。GeO2の含有量は、この効果を得るために0.1重量%以上とすることが必要である。一方、GeO2の含有量が20重量%を超えるとGeO2がガラス中に析出し始めるので20重量%以下とすることが好ましい。
The function of each component contained in the glass composition is as follows.
GeO 2 is a component having a function of forming a network having a glass structure, and has a function of maintaining the amorphous state more stably. In order to obtain this effect, the GeO 2 content needs to be 0.1% by weight or more. On the other hand, since the content of GeO 2 exceeds 20 wt% GeO 2 begins to precipitate in the glass be 20 wt% or less preferred.

23は、GeO2と同様にガラス構造のネットワークを形成する働きがある。B23の含有量は、非晶質ガラスを得るために3重量%以上とすることが好ましいが、20重量%を超えるとガラスが失透する傾向があるため20重量%以下とすることが好ましい。
ZnOは、ビスマス系ガラスにおいて、ガラスの軟化点の上昇を抑えながら、化学的耐久性を向上させる働きがある。
B 2 O 3 has a function of forming a glass-structured network like GeO 2 . The content of B 2 O 3 is preferably 3% by weight or more in order to obtain amorphous glass, but if it exceeds 20% by weight, the glass tends to be devitrified, so that the content is 20% by weight or less. Is preferred.
ZnO has a function of improving chemical durability in a bismuth-based glass while suppressing an increase in the softening point of the glass.

ZnOの含有量は、その効果を得るために4重量%以上とすることが好ましいが、ZnOの含有量が多くなるとガラスが失透するため、30重量%以下とすることが好ましい。
Bi23は、低軟化点を実現するための主成分である。
一般的にPDPの誘電体層に供するガラス組成物は、軟化点が600℃以下であることが必要であるが、そのために、Bi23の含有量を40重量%以上とすることが好ましい。ただし、Bi23の含有量が80重量%を超えるとガラスが不安定になり失透するので80重量%以下とすることが好ましい。
The ZnO content is preferably 4% by weight or more in order to obtain the effect. However, when the ZnO content is increased, the glass is devitrified, so it is preferably 30% by weight or less.
Bi 2 O 3 is a main component for realizing a low softening point.
In general, the glass composition used for the dielectric layer of the PDP is required to have a softening point of 600 ° C. or lower. For this purpose, the Bi 2 O 3 content is preferably 40% by weight or more. . However, if the content of Bi 2 O 3 exceeds 80% by weight, the glass becomes unstable and devitrifies, so that it is preferably 80% by weight or less.

〔実施の形態2〕
実施形態2にかかるガラス組成物は、PbOは含有せず、GeO2を0.1〜20重量%、B23を12〜35重量%、ZnOを15〜45重量%、Bi23を10〜40重量%含有している。
ガラス組成物に含まれる各成分の働きは、実施形態1で説明した通りであるが、本実施形態では上記実施形態1と比較して、以下のような特徴および効果を有する。
[Embodiment 2]
The glass composition according to Embodiment 2 does not contain PbO, contains GeO 2 in an amount of 0.1 to 20% by weight, B 2 O 3 in an amount of 12 to 35% by weight, ZnO in an amount of 15 to 45% by weight, and Bi 2 O 3. 10 to 40% by weight.
Although the function of each component contained in the glass composition is as described in the first embodiment, the present embodiment has the following features and effects as compared with the first embodiment.

上記実施形態1ではBi23の含有量が40重量%以上であるのに対して、本実施形態2ではBi23の含有量が40重量%以下と少なく設定されるので、実施形態1よりもBi23による軟化点低減効果は小さいが、その分、B23の含有量が12重量%以上、ZnOの含有量が15重量%以上と多く設定されているので、B23、ZnOによる軟化点低減効果が多く得られる。従って、本実施形態においても、ガラス組成物の軟化点を600℃以下に抑えることは可能である。 In the first embodiment, the content of Bi 2 O 3 is 40% by weight or more, whereas in the second embodiment, the content of Bi 2 O 3 is set as low as 40% by weight or less. The effect of reducing the softening point by Bi 2 O 3 is smaller than 1, but the B 2 O 3 content is set to 12% by weight or more and the ZnO content is set to 15% by weight or more. Many effects of reducing the softening point due to 2 O 3 and ZnO can be obtained. Therefore, also in this embodiment, it is possible to suppress the softening point of the glass composition to 600 ° C. or less.

ただし、Bi23の含有量が10重量%より少ないと、軟化点を600℃以下に抑えることができないので10重量%以上とすることが好ましい。
また、B23の含有量が35重量%を越えると、熱膨張係数が好ましい範囲(65×10-7〜85×10-7/℃)よりも小さくなるため35重量%以下とすることが好ましい。また、ZnOの含有量が、45重量%を越えると非晶質ガラスが得られにくくなるので、45重量%以下とすることが好ましい。
However, if the content of Bi 2 O 3 is less than 10% by weight, the softening point cannot be suppressed to 600 ° C. or less, so that it is preferably 10% by weight or more.
Further, if the content of B 2 O 3 exceeds 35% by weight, the coefficient of thermal expansion becomes smaller than the preferred range (65 × 10 −7 to 85 × 10 −7 / ° C.). Is preferred. Further, if the ZnO content exceeds 45% by weight, it becomes difficult to obtain an amorphous glass. Therefore, the content is preferably 45% by weight or less.

ビスマス系ガラスにおいて、その比誘電率に大きく寄与する成分はBi23であって、Bi23の含有量を低くすると比誘電率が低くなる。本実施形態では、Bi23の含有量が40重量%以下と実施形態1よりも低いので、ガラスの比誘電率が低くなり、比誘電率を11.5以下にすることができる。
従って、本実施形態のガラスをPDPの誘電体層に用いれば、消費電力を低減する効果が大きい。
In the bismuth-based glass, the component that greatly contributes to the relative dielectric constant is Bi 2 O 3. When the Bi 2 O 3 content is lowered, the relative dielectric constant is lowered. In the present embodiment, the Bi 2 O 3 content is 40% by weight or less, which is lower than that of the first embodiment. Therefore, the relative dielectric constant of the glass is lowered, and the relative dielectric constant can be 11.5 or less.
Therefore, if the glass of this embodiment is used for the dielectric layer of PDP, the effect of reducing power consumption is great.

(本発明のガラス組成物による効果)
上記実施形態1,2のガラス組成物によれば、Bi23が10〜80重量%の範囲内で含有されており、このBi23がガラス組成物の軟化点を低下させる働きをするので、PbOは含有していなくても低軟化点とすることができる。
また、B23−ZnO系ガラスでは低軟化点とするためにアルカリ金属酸化物が含まれていたが、その場合アルカリ金属が電極と接触する界面で、電極に含まれる金属との間で反応することによって着色したり耐電圧の低下をもたらすことがある。これに対して実施形態1,2のガラス組成物によれば、アルカリ金属酸化物を含まなくても低軟化点とすることができる。従って、本実施形態のガラス組成物においては、アルカリ金属酸化物の含有量を低く抑えることができ、それによって電極と接する誘電体層に使用しても、アルカリ金属酸化物が電極と界面反応が起こりにくくなる。
(Effects of the glass composition of the present invention)
According to the glass composition of the above embodiments 1, 2, Bi 2 O 3 are contained in the range of 10 to 80 wt%, the Bi 2 O 3 is serves to lower the softening point of the glass composition Therefore, even if PbO is not contained, a low softening point can be obtained.
In addition, in the B 2 O 3 —ZnO-based glass, an alkali metal oxide was included in order to obtain a low softening point. In that case, at the interface where the alkali metal is in contact with the electrode, between the metal contained in the electrode. The reaction may cause coloration or decrease in withstand voltage. On the other hand, according to the glass composition of Embodiment 1, 2, it can be set as a low softening point even if it does not contain an alkali metal oxide. Therefore, in the glass composition of the present embodiment, the content of the alkali metal oxide can be kept low, whereby the alkali metal oxide does not react with the electrode even when used for the dielectric layer in contact with the electrode. Less likely to occur.

また、一般的にビスマス系ガラスにおいては、鉛ガラスと比較すると非晶質としての安定性が低く、ガラス作製時に非晶質が得られ難いため、ガラス製造時に安定な非晶質ガラスを得るためにSiO2が含まれているが、この場合、その後の熱処理によりガラス中に結晶が析出する傾向が強く、特にガラス中にBi23とSiO2が存在することにより、ケイ酸ビスマスなどの微結晶が析出することがある。PDPの誘電体層において、数μm以上の大きさの結晶が多数析出すると、透過光が散乱することによって十分な表示特性が得られなくなる。 In general, bismuth-based glass is less stable as amorphous compared to lead glass, and it is difficult to obtain amorphous during glass production. SiO 2 is contained in the glass, but in this case, the crystal tends to precipitate in the glass by the subsequent heat treatment. In particular, Bi 2 O 3 and SiO 2 are present in the glass, so that bismuth silicate and the like are present. Microcrystals may precipitate out. In the PDP dielectric layer, if a large number of crystals having a size of several μm or more are deposited, the transmitted light is scattered, so that sufficient display characteristics cannot be obtained.

これに対して、本実施形態のガラス組成物においては、SiO2の代わりにガラス構造のネットワークを形成する働きをなすGeO2が含まれているので、ガラス組成物におけるSiO2の含有量を0.5重量%以下に設定してもガラス構造のネットワークが形成される。また、GeO2は、SiO2と比べて微結晶を析出しにくい。従って、ガラス作製時および熱処理時においても結晶の析出が極めて少なく、安定な非晶質ガラスを得ることができる。 On the other hand, in the glass composition of the present embodiment, GeO 2 that functions to form a glass structure network is included instead of SiO 2 , so the content of SiO 2 in the glass composition is reduced to 0. Even if it is set to 5% by weight or less, a network having a glass structure is formed. Further, GeO 2 is less likely to precipitate microcrystals than SiO 2 . Accordingly, a stable amorphous glass can be obtained with very little crystal precipitation during glass production and heat treatment.

これによって、詳しくは後述するが、本実施形態のガラス組成物をPDPの誘電体層に用いれば、誘電体層に鉛を含有することなく、表示特性に優れたPDPとすることができる。
上記ガラス組成物において、更に以下のようにすることが好ましい。
本実施形態にかかるガラス組成物において、さらにAl23を含ませることが好ましい。このAl23は必須成分ではないが、少量を加えることで、非晶質ガラスの安定性を向上させることができる。
As will be described in detail later, when the glass composition of the present embodiment is used for the dielectric layer of the PDP, a PDP having excellent display characteristics can be obtained without containing lead in the dielectric layer.
In the said glass composition, it is preferable to make it further as follows.
The glass composition according to this embodiment preferably further contains Al 2 O 3 . This Al 2 O 3 is not an essential component, but the stability of the amorphous glass can be improved by adding a small amount.

ただし、Al23の含有量が8重量%を超えるとガラスが失透するため、その含有量は8重量%以下とすることが好ましい。
また本実施形態にかかるガラス組成物において、MgO,CaO,SrOおよびBaOから選択される一種以上の酸化物を含ませてもよい。
MgO、CaO、SrO、BaOといった酸化物は、ガラス構造のネットワーク形成を助ける働きがあり、これを適宜加えることで非晶質状態を安定に維持できる。ただし、これら酸化物の含有量は、20重量%を超えるとガラスが不安定になり結晶化しやすくなるので、20重量%以下とすることが好ましい。
However, when the content of Al 2 O 3 exceeds 8% by weight, the glass is devitrified. Therefore, the content is preferably 8% by weight or less.
In the glass composition according to this embodiment, one or more oxides selected from MgO, CaO, SrO, and BaO may be included.
Oxides such as MgO, CaO, SrO, and BaO have a function of helping the formation of a network having a glass structure, and the amorphous state can be stably maintained by appropriately adding the oxide. However, if the content of these oxides exceeds 20% by weight, the glass becomes unstable and tends to crystallize, so it is preferably 20% by weight or less.

以上の他にも、ガラスを改質するために、本発明の効果を損なわない範囲で各種成分を適宜添加することができる。
例えば、誘電体層の絶縁耐圧を損なわず、変色等の副作用が生じない範囲であれば、アルカリ金属酸化物が少量含有されていてもよい。
また、一般にPDPを製造する上で、基板ガラス上に誘電体層を形成する工程では、誘電体用のガラス組成物を基板ガラス上に塗布して熱プロセスで軟化することによって誘電体層を形成するが、基板ガラスとして広く使用されている高歪点ガラスの熱膨張係数は80×10-7/℃〜90×10-7/℃であるので、基板ガラスと誘電体層との間の残留応力を少なくする上で、誘電体層に供するガラス組成物は、その熱膨張係数が65×10-7/℃〜85×10-7/℃の範囲となるようにすることが好ましい。
In addition to the above, in order to modify the glass, various components can be appropriately added as long as the effects of the present invention are not impaired.
For example, a small amount of alkali metal oxide may be contained as long as it does not impair the dielectric strength of the dielectric layer and does not cause side effects such as discoloration.
In general, when manufacturing a PDP, a dielectric layer is formed on a substrate glass by applying a dielectric glass composition on the substrate glass and softening it by a thermal process. However, since the thermal expansion coefficient of the high strain point glass widely used as the substrate glass is 80 × 10 −7 / ° C. to 90 × 10 −7 / ° C., the residual between the substrate glass and the dielectric layer. In order to reduce the stress, it is preferable that the glass composition used for the dielectric layer has a thermal expansion coefficient in the range of 65 × 10 −7 / ° C. to 85 × 10 −7 / ° C.

[ペースト組成物]
本発明に係るペースト組成物は、上述した実施形態1,2のガラス組成物、バインダー樹脂及び溶剤から構成される。
その含有比率は、ガラス組成物を30〜90重量%、バインダー樹脂を1〜10重量%、溶剤を10〜80重量%含有することが好ましい。また、ガラス組成物については、レーザー回折式による測定で平均粒径D50が0.1μm〜3μmの粉体として用いることが好ましい。
[Paste composition]
The paste composition according to the present invention includes the glass composition of Embodiments 1 and 2 described above, a binder resin, and a solvent.
The content is preferably 30 to 90% by weight of the glass composition, 1 to 10% by weight of the binder resin, and 10 to 80% by weight of the solvent. Further, the glass composition is preferably used as a powder having an average particle diameter D50 of 0.1 μm to 3 μm as measured by a laser diffraction method.

好ましいバインダー樹脂としては、ニトロセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース系樹脂、ポリブチルアクリレート、ポリメタクリレートなどのアクリル系樹脂や共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールを挙げることができる。
好ましい溶剤としては、α−、β−、γ−テルピネオールなどのテルペン類、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1−ブタノールなどのアルコール類を挙げることができる。
Preferable binder resins include cellulose resins such as nitrocellulose, ethyl cellulose, and hydroxyethyl cellulose, acrylic resins and copolymers such as polybutyl acrylate and polymethacrylate, polyvinyl alcohol, and polyvinyl butyral.
Preferred solvents include terpenes such as α-, β-, and γ-terpineol, ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates. , Ethylene glycol dialkyl ether acetates, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol dialkyl ether acetates, methanol , Ethanol, isop Propanol, it may be mentioned alcohols such as 1-butanol.

なお、本実施形態のペースト組成物には、無機材料粉末や可塑剤や分散剤などの添加剤を適宜混合しても良い。
[PDPの誘電体層への適用]
図3は、本実施形態にかかるPDPの主要構成を示す部分的な断面斜視図である。図1は、このPDPの断面図である。
In addition, you may mix suitably the additives, such as an inorganic material powder, a plasticizer, and a dispersing agent, with the paste composition of this embodiment.
[Application of PDP to dielectric layer]
FIG. 3 is a partial cross-sectional perspective view showing the main configuration of the PDP according to the present embodiment. FIG. 1 is a cross-sectional view of this PDP.

このPDPは、AC面放電型であって、誘電体層が上述したガラス組成物で形成されている以外は従来例にかかるPDPと同様の構成である。
このPDPは、前面板1と背面板8とが張り合わせられて構成されている。前面板1は、前面ガラス基板2と、その内側面(放電空間14に臨む面)に形成された透明導電膜3およびバス電極4からなる表示電極5と、表示電極5を覆う誘電体層6と、酸化マグネシウムからなる誘電体保護層7とを備えている。この誘電体層6に、上述したガラス組成物からなる材料が使用されている。
This PDP is an AC surface discharge type, and has the same configuration as the conventional PDP except that the dielectric layer is formed of the glass composition described above.
This PDP is configured by bonding a front plate 1 and a back plate 8 together. The front plate 1 includes a front glass substrate 2, a display electrode 5 composed of a transparent conductive film 3 and a bus electrode 4 formed on an inner side surface (a surface facing the discharge space 14), and a dielectric layer 6 that covers the display electrode 5. And a dielectric protective layer 7 made of magnesium oxide. A material made of the glass composition described above is used for the dielectric layer 6.

また、背面板8は、背面ガラス基板9と、その片面に形成したアドレス電極10と、アドレス電極10を覆う誘電体層11と、誘電体層11の上面に設けられた隔壁12と、隔壁12どうしの間に形成された蛍光体層とから構成されている。蛍光体層は、赤色蛍光体層13(R)、緑色蛍光体層13(G)および青色蛍光体層13(B)が順番に配列されて成る。   The back plate 8 includes a back glass substrate 9, an address electrode 10 formed on one side thereof, a dielectric layer 11 covering the address electrode 10, a partition wall 12 provided on the top surface of the dielectric layer 11, and a partition wall 12. And a phosphor layer formed between them. The phosphor layer is formed by sequentially arranging a red phosphor layer 13 (R), a green phosphor layer 13 (G), and a blue phosphor layer 13 (B).

前面板1および背面板8は、表示電極5とアドレス電極10の各々の長手方向が互いに直交するように配置し、封着部材(図示せず)を用いて接合される。表示電極5は、ITOまたは酸化スズからなる透明導電膜3に、良好な導電性を確保するためAg、AlまたはCr/Cu/Crからなるバス電極4が積層されて形成されている。
表示電極5とアドレス電極10は、それぞれ外部の駆動回路(図示せず)と接続され、駆動回路から印加される電圧によって放電空間14で放電が発生し、放電に伴って発生する短波長(波長147nm)の紫外線で蛍光体層13が励起されて可視光を発光する。
The front plate 1 and the back plate 8 are arranged so that the longitudinal directions of the display electrodes 5 and the address electrodes 10 are orthogonal to each other, and are bonded using a sealing member (not shown). The display electrode 5 is formed by laminating a bus electrode 4 made of Ag, Al or Cr / Cu / Cr on a transparent conductive film 3 made of ITO or tin oxide in order to ensure good conductivity.
The display electrode 5 and the address electrode 10 are each connected to an external drive circuit (not shown), and a discharge is generated in the discharge space 14 by a voltage applied from the drive circuit, and a short wavelength (wavelength generated by the discharge). The phosphor layer 13 is excited by ultraviolet rays of 147 nm and emits visible light.

このようなPDPによれば、誘電体層6に鉛が含まれておらず、アルカリ金属の含有量も小さいので、アルカリ金属がバス電極4に含まれる金属(例えばAg,Al,Cu)や、透明導電膜3に含まれるSnとの間で反応することによって前面板1が着色したり誘電体層6の耐電圧が低下することもない。
誘電体層6は、上記ガラスペーストを塗布・焼成することによって形成することができる。
According to such a PDP, since the dielectric layer 6 does not contain lead and the content of alkali metal is small, the metal (for example, Ag, Al, Cu) in which the alkali metal is contained in the bus electrode 4, By reacting with Sn contained in the transparent conductive film 3, the front plate 1 is not colored, and the withstand voltage of the dielectric layer 6 is not lowered.
The dielectric layer 6 can be formed by applying and baking the glass paste.

より具体的には、ペースト組成物を、スクリーン法、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ドクターブレードなどによって塗布し、焼成する方法が代表的である。ただし、それに限定されることなく、例えば上記ガラス組成物を含むシートを貼り付けて焼成する方法でも形成できる。
誘電体層6の膜厚は、光透過性を確保するために50μm以下とすることが好ましい。
More specifically, the paste composition is typically applied by a screen method, a bar coater, a roll coater, a die coater, a doctor blade or the like, and baked. However, without being limited thereto, for example, it can be formed by a method of attaching and baking a sheet containing the glass composition.
The film thickness of the dielectric layer 6 is preferably 50 μm or less in order to ensure light transmission.

次に図2に示すように、誘電体層が2層構造になっているPDPに、上記本発明のガラス組成物を用いる例について説明する。
図2に示すPDPは、誘電体層6のかわりに第1誘電体層15、第2誘電体層16の2層構造になっている以外は、上記図1のPDPと同様である。
図2に示すように、第1誘電体層15は透明導電膜3およびバス電極4を被覆し、第2誘電体層16は、この第1誘電体層15を被覆するように配設されている。
Next, an example in which the glass composition of the present invention is used for a PDP having a dielectric layer having a two-layer structure as shown in FIG. 2 will be described.
The PDP shown in FIG. 2 is the same as the PDP in FIG. 1 except that the PDP shown in FIG. 2 has a two-layer structure of a first dielectric layer 15 and a second dielectric layer 16 instead of the dielectric layer 6.
As shown in FIG. 2, the first dielectric layer 15 covers the transparent conductive film 3 and the bus electrode 4, and the second dielectric layer 16 is disposed so as to cover the first dielectric layer 15. Yes.

このように誘電体層が2層構造の場合、第1誘電体層15には、上記本発明のガラス組成物を用いる。これによって、少なくとも第1誘電体層15については、結晶析出による透過率の低下がなく、鉛が含まれていない。
また、仮に第2誘電体層16にアルカリ金属含有量が多いガラスを用いたとしても、電極3,4と直接接触する第1誘電体層15におけるアルカリ金属の含有量が小さいので、前面板1が着色したり誘電体層の耐電圧が低下するのが抑えられる。
When the dielectric layer has a two-layer structure as described above, the glass composition of the present invention is used for the first dielectric layer 15. Thereby, at least the first dielectric layer 15 does not have a decrease in transmittance due to crystal precipitation and does not contain lead.
Even if glass having a high alkali metal content is used for the second dielectric layer 16, the content of the alkali metal in the first dielectric layer 15 in direct contact with the electrodes 3 and 4 is small. Is prevented from being colored or the dielectric strength of the dielectric layer from being lowered.

従って、第2誘電体層16にも、上記本発明のガラス組成物を用いてもよいし、第2誘電体層16には、他のガラス組成物を用いてもよい。
ただし、第1誘電体層15と第2誘電体層16の両方に上記本発明のガラス組成物を用いれば、誘電体層全体において結晶析出による透過率の低下がなく、PDPの信頼性もより高くなる。
Therefore, the glass composition of the present invention may be used for the second dielectric layer 16, and another glass composition may be used for the second dielectric layer 16.
However, if the glass composition of the present invention is used for both the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 16, the transmittance of the entire dielectric layer is not reduced due to crystal precipitation, and the reliability of the PDP is also improved. Get higher.

一方、例えば、第2誘電体層16にSiO2−B23−ZnO系ガラス組成物を用いた場合、このSiO2−B23−ZnO系ガラスは、鉛ガラスやビスマス系ガラスより比誘電率が低い(室温、1MHzでの比誘電率は、概して、鉛ガラス:10〜15、ビスマス系ガラス:8〜13、SiO2−B23−ZnO系ガラス:5〜9である)。従って、第2誘電体層16にSiO2−B23−ZnO系ガラス組成物を用いることによってPDPの消費電力を低減できる。 On the other hand, in the case of using a SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO based glass composition on the second dielectric layer 16, the SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO based glass, from lead glass and bismuth glass The relative dielectric constant is low (the relative dielectric constants at room temperature and 1 MHz are generally lead glass: 10-15, bismuth glass: 8-13, SiO 2 —B 2 O 3 —ZnO glass: 5-9. ). Therefore, the power consumption of the PDP can be reduced by using the SiO 2 —B 2 O 3 —ZnO-based glass composition for the second dielectric layer 16.

なお、SiO2−B23−ZnO系ガラスを用いる場合は、軟化点を600℃以下とし、結晶化しない安定な非晶質とするために、SiO2を5〜25重量%、B23を25〜50重量%、ZnOを25〜60重量%、Al23を6重量%以下含有させ、さらにLi2O、Na2O、K2OおよびCs2Oから選ばれる少なくとも一種を20重量%以下含有させ、さらに、MnO2、CuOおよびTiO2から選ばれる少なくとも一種を10重量%以下含むことが好ましい。 When SiO 2 —B 2 O 3 —ZnO-based glass is used, the softening point is set to 600 ° C. or less, and in order to obtain a stable amorphous material that does not crystallize, 5 to 25 wt% SiO 2 and B 2 At least one selected from Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, and Cs 2 O, containing 25 to 50 wt% O 3 , 25 to 60 wt% ZnO, and 6 wt% or less Al 2 O 3 Is preferably contained in an amount of 20% by weight or less, and further preferably contains 10% by weight or less of at least one selected from MnO 2 , CuO and TiO 2 .

各成分の含有量を上記範囲に規定するのが好ましい理由は、以下の通りである。
SiO2はガラスネットワークを形成する成分であり、ガラスを安定化させる効果を得るために5重量%以上含むことが好ましい。ただし、25重量%を越えると軟化点が600℃を越えて高くなる傾向があるため好ましくない。
23はガラスのネットワークを形成しながら軟化点を低くする効果を有し、25重量%以上とすることが好ましい。ただし、50重量%を超えると熱膨張係数が小さくなるため好ましくない。
The reason why it is preferable to define the content of each component within the above range is as follows.
SiO 2 is a component that forms a glass network, and is preferably contained in an amount of 5% by weight or more in order to obtain an effect of stabilizing the glass. However, if it exceeds 25% by weight, the softening point tends to be higher than 600 ° C., which is not preferable.
B 2 O 3 has the effect of lowering the softening point while forming a glass network, and is preferably 25% by weight or more. However, if it exceeds 50% by weight, the thermal expansion coefficient becomes small, which is not preferable.

ZnOはガラスを安定化させ低軟化点を維持させる作用をなすため25重量%以上含むことが好ましい。ただし、60重量%を越えるとガラスが失透しやすくなるため好ましくない。
Al23は必須成分ではないが、少量を含有させることでガラスの失透を防ぐことができる。ただし、含有量が6重量%を超えると軟化点が600℃を越えて高くなる傾向があるため好ましくない。
ZnO is preferably contained in an amount of 25% by weight or more in order to stabilize the glass and maintain a low softening point. However, if it exceeds 60% by weight, the glass tends to be devitrified, which is not preferable.
Al 2 O 3 is not an essential component, but devitrification of the glass can be prevented by containing a small amount. However, if the content exceeds 6% by weight, the softening point tends to be higher than 600 ° C., which is not preferable.

Li2O、Na2O、K2OおよびCs2Oは、軟化点を低下させる作用があるため1種以上を含有させることが好ましいが、20重量%を超えると熱膨張係数が大きくなるため好ましくない。
MnO2、CuOは、誘電体層と電極との反応による変色を抑制する作用があるため、変色が生じる可能性がある場合は含有させることが好ましい。また、TiO2は少量添加することで比誘電率を大きく変化させることができるため、PDPの設計上、比誘電率を調整する必要がある場合は含有させることが好ましい。ただし、いずれも含有量が10重量%を越えると失透するので好ましくない。
Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, and Cs 2 O have an effect of lowering the softening point, so it is preferable to contain one or more, but if it exceeds 20% by weight, the thermal expansion coefficient becomes large. It is not preferable.
Since MnO 2 and CuO have an action of suppressing discoloration due to the reaction between the dielectric layer and the electrode, it is preferable to contain them when discoloration may occur. Moreover, since the relative permittivity can be changed greatly by adding a small amount of TiO 2 , it is preferable to include it when the relative permittivity needs to be adjusted in the design of the PDP. However, if the content exceeds 10% by weight, devitrification occurs, which is not preferable.

なお、以上の成分の他に、軟化点を調整するために、さらにP25、V25およびTeO2から選ばれる少なくとも1種を含有させてもよい。また、非晶質状態を安定化させるため、MgO、CaO、SrO、BaOから選ばれる少なくとも一種を含有させてもよい。
このように2層構造の誘電体層は、第1誘電体層15を形成した後に、第2誘電体層用のガラス組成物を塗布し焼成することによって形成することができる。この場合、第1誘電体層15に用いるガラス組成物は、第2誘電体層に含まれるガラス組成物の軟化点よりも高い軟化点を有することが好ましい。
In addition to the above components, in order to adjust the softening point, at least one selected from P 2 O 5 , V 2 O 5 and TeO 2 may be further contained. In order to stabilize the amorphous state, at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO may be included.
Thus, the dielectric layer having a two-layer structure can be formed by forming the first dielectric layer 15 and then applying and baking the glass composition for the second dielectric layer. In this case, it is preferable that the glass composition used for the first dielectric layer 15 has a softening point higher than the softening point of the glass composition contained in the second dielectric layer.

また、電極3、4と第2誘電体層16との絶縁、及び界面反応防止を確保するため、第1誘電体層16の膜厚は1μm以上とすることが好ましい。
また、透過光の損失を抑制するためには、第1誘電体層と第2誘電体層とを合わせた膜厚は50μm以下であることが好ましい。
以上説明したように、上記本発明のガラス組成物をPDPの誘電体層に適用することによって、誘電体層に鉛を含まず、誘電体層の変色や透過率の低下による表示特性の低下を抑えることができる。
Further, in order to ensure insulation between the electrodes 3 and 4 and the second dielectric layer 16 and prevention of interface reaction, the film thickness of the first dielectric layer 16 is preferably 1 μm or more.
In order to suppress the loss of transmitted light, the total thickness of the first dielectric layer and the second dielectric layer is preferably 50 μm or less.
As described above, by applying the glass composition of the present invention to the dielectric layer of the PDP, the dielectric layer does not contain lead, and the display characteristics are reduced due to discoloration of the dielectric layer and reduction of transmittance. Can be suppressed.

なお、本発明にかかるガラス組成物を適用するPDPとしては、上記のような面放電型のものが代表的であるが、これに限定されるものではなく、対向放電型にも適用できる。
また、AC型に限定されるものではなく、DC型のPDPであっても誘電体層を備えたものに対して適用することができる。
The PDP to which the glass composition according to the present invention is applied is typically a surface discharge type as described above, but is not limited to this and can also be applied to a counter discharge type.
Further, the present invention is not limited to the AC type, and can be applied to a DC type PDP having a dielectric layer.

以下、本発明のガラス組成物、ガラスペースト、PDPについて実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔実施例1〕 ガラス組成物、ガラスペーストについて
Examples of the glass composition, glass paste, and PDP of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
[Example 1] Glass composition and glass paste

Figure 2005336048
Figure 2005336048

Figure 2005336048
表1、表2に示す各組成で、実施例及び比較例にかかるガラス組成物を作製し、これらのガラス組成物を用いてペーストを作製した。
表1に示すNo.1〜4は、実施形態1に相当する実施例であって、GeO2を0.1〜20重量%、B23を3〜20重量%、ZnOを4〜30重量%、Bi23を40〜80重量%含有し、SiO2は含有していない。一方、No.5,6は比較例に関するものであって、B23、Bi23、SiO2を含有し、GeO2は含有していない。
Figure 2005336048
With each composition shown in Table 1 and Table 2, glass compositions according to Examples and Comparative Examples were prepared, and pastes were prepared using these glass compositions.
No. shown in Table 1. 1-4 are examples corresponding to Embodiment 1, in which GeO 2 is 0.1 to 20% by weight, B 2 O 3 is 3 to 20% by weight, ZnO is 4 to 30% by weight, Bi 2 O. 3 is contained in an amount of 40 to 80% by weight, and SiO 2 is not contained. On the other hand, no. Reference numerals 5 and 6 relate to comparative examples, which contain B 2 O 3 , Bi 2 O 3 and SiO 2 and do not contain GeO 2 .

表2に示すNo.11〜15は、実施形態2に相当する実施例であって、GeO2を0.1〜20重量%、B23を12〜35重量%、ZnOを15〜45重量%、Bi23を10〜40重量%含有し、SiO2は含有していないか、0.5重量%以下である。
以下にその具体的な製法を説明する。
各ガラス組成物の原料を秤量および混合した後、得られた混合物を白金るつぼに入れ、電気炉にて1100〜1350℃で1時間溶融させた。次いで、得られた溶融ガラスをローラーで急冷することによってガラス組成物を作製し、さらにボールミルで粉砕することにより、平均粒径D50が1.5〜2.2μmのガラス粉体を得た。
No. shown in Table 2. 11 to 15 are examples corresponding to the second embodiment, in which GeO 2 is 0.1 to 20% by weight, B 2 O 3 is 12 to 35% by weight, ZnO is 15 to 45% by weight, Bi 2 O. 3 is contained in an amount of 10 to 40% by weight, and SiO 2 is not contained or is 0.5% by weight or less.
The specific manufacturing method is demonstrated below.
After weighing and mixing the raw materials of each glass composition, the obtained mixture was put in a platinum crucible and melted at 1100 to 1350 ° C. for 1 hour in an electric furnace. Next, the obtained molten glass was rapidly cooled with a roller to prepare a glass composition, and further pulverized with a ball mill to obtain glass powder having an average particle diameter D50 of 1.5 to 2.2 μm.

得られた各ガラス組成物の軟化点、熱膨張係数、比誘電率を測定した。軟化点は、マクロTG−DTAにより、ガラス粉体を昇温速度10℃/分として得られたチャートより求めた。熱膨張係数は、ガラスを再溶融して4mm×4mm×20mmのロッドを形成し、熱機械分析計を用いて測定した。比誘電率は、ガラスを再溶融して50mm×50mm×厚さ3mmの板を形成し、その表面に電極を蒸着してLCRメータを用いて周波数1MHzにて測定した。   The softening point, thermal expansion coefficient, and dielectric constant of each glass composition obtained were measured. The softening point was obtained from a chart obtained by macro TG-DTA with a glass powder at a heating rate of 10 ° C./min. The thermal expansion coefficient was measured using a thermomechanical analyzer after remelting the glass to form a 4 mm × 4 mm × 20 mm rod. The relative dielectric constant was measured by remelting the glass to form a 50 mm × 50 mm × 3 mm thick plate, depositing an electrode on the surface, and using an LCR meter at a frequency of 1 MHz.

次に、得られた各ガラス粉体を、エチルセルロースをα−テルピネオールに溶解したビヒクルと混合し、三本ロールを用いてペースト化した。ペースト組成は、ガラス粉体:60重量%、エチルセルロース:5重量%、α−テルピネオール:35重量%となるようにした。
各ガラスペーストについて、ガラスの安定性を測定した。
Next, each glass powder obtained was mixed with a vehicle in which ethylcellulose was dissolved in α-terpineol, and paste-formed using three rolls. The paste composition was such that glass powder: 60% by weight, ethyl cellulose: 5% by weight, and α-terpineol: 35% by weight.
For each glass paste, the stability of the glass was measured.

ガラスの安定性は、ガラスペーストをガラス基板にスクリーン印刷で塗布し、それぞれの軟化点で30分間熱処理したものを光学顕微鏡により観察し、10μm以上の結晶が析出しなかったものは○とし、10μm以上の結晶が析出したものは×とした。
軟化点、熱膨張係数、比誘電率及びガラスの安定性評価結果は表1、表2に示す通りである。
The stability of the glass is obtained by applying a glass paste to a glass substrate by screen printing and heat-treating each softening point for 30 minutes with an optical microscope. The case where the above crystals were precipitated was marked with x.
Tables 1 and 2 show the softening point, the thermal expansion coefficient, the relative dielectric constant, and the glass stability evaluation results.

軟化点については、実施例及び比較例にかかるガラス組成物は、いずれも600℃以下を示し、 熱膨張係数も、65×10-7/℃〜85×10-7/℃の範囲内であった。
比誘電率に関しては、実施例のNo.1〜4と比較例とは同程度であるが、実施例のNo.1〜4と比べて、Bi23の量が少ない実施例のNo.11〜15では低い値を示している。
Regarding the softening point, the glass compositions according to Examples and Comparative Examples all show 600 ° C. or less, and the thermal expansion coefficient is also in the range of 65 × 10 −7 / ° C. to 85 × 10 −7 / ° C. It was.
Regarding the relative dielectric constant, No. of Example. 1 to 4 and the comparative example are the same level, but No. of the example. As compared with Nos. 1 to 4, the amount of Bi 2 O 3 is less. 11 to 15 indicate low values.

ガラスの安定性については、実施例はいずれも○であり、比較例はいずれも×であった。この結果は、実施例にかかるガラスはSiO2を含有していないので、熱処理によって結晶が析出しない安定な非晶質ガラスであるのに対して、比較例にかかるガラスはSiO2を含有しているため、熱処理によって結晶が析出し、不安定であることを示している。
以下の実施例2〜3では、上記実施例1のガラス組成物をPDPの誘電体層に用いる例について説明する。
〔実施例2〕
まず、高歪点ガラスからなる前面ガラス基板上に、ITOの透明導電膜形成用のペーストをスクリーン印刷法により塗布し、その上部に、導電性を補うためのバス電極形成用のAgペーストをスクリーン印刷法で塗布し、これらを焼成することによって表示電極を形成した。
Regarding the stability of the glass, all of the examples were o, and all of the comparative examples were x. As a result, since the glass according to the example does not contain SiO 2 , the glass according to the comparative example is a stable amorphous glass in which crystals are not precipitated by heat treatment, whereas the glass according to the comparative example contains SiO 2. Therefore, crystals are precipitated by heat treatment, indicating that they are unstable.
In Examples 2 to 3 below, examples in which the glass composition of Example 1 is used for a dielectric layer of a PDP will be described.
[Example 2]
First, a paste for forming a transparent conductive film made of ITO is applied on a front glass substrate made of high strain point glass by a screen printing method, and an Ag paste for forming a bus electrode for supplementing conductivity is screened on the top. The display electrodes were formed by applying them by printing and firing them.

次に、上記No.3とNo.14のガラス組成物を用いて作製したペースト組成物を、表示電極の上部にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することによって誘電体層を形成した。No.3については焼成温度560℃、No.14については焼成温度590℃で焼成した。誘電体層の膜厚は30μmとした。この誘電体層の表面に酸化マグネシウムからなる誘電体保護層を蒸着により形成し、前面板を作製した。   Next, the above No. 3 and no. A dielectric layer was formed by applying a paste composition prepared using the No. 14 glass composition on the upper portion of the display electrode by screen printing and baking. No. No. 3 has a firing temperature of 560 ° C. No. 14 was fired at a firing temperature of 590 ° C. The film thickness of the dielectric layer was 30 μm. A dielectric protective layer made of magnesium oxide was formed on the surface of the dielectric layer by vapor deposition to produce a front plate.

次に、高歪点ガラスからなる背面ガラス基板上に電極用のAgペーストをスクリーン印刷法によりストライプ状に塗布し、焼成することによってアドレス電極を形成した。このアドレス電極の上部に誘電体用ガラスを含むペーストをスクリーン印刷法で塗布し、焼成することによって誘電体層を形成した。
次に、放電空間の仕切りとなる隔壁をフォトエッチング法によりストライプ状に形成し、放電空間となる隔壁間に赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色の蛍光体を含むペーストを順番にスクリーン印刷法により塗布し、これらを焼成することによって各色の蛍光体層を形成し、背面板を作製した。
Next, an Ag paste for an electrode was applied in a stripe shape on a back glass substrate made of high strain point glass by screen printing, and baked to form an address electrode. A dielectric layer was formed by applying a paste containing dielectric glass on the address electrodes by screen printing and baking.
Next, the barrier ribs that form the partition of the discharge space are formed in a stripe shape by a photoetching method, and phosphors of three colors of red (R), green (G), and blue (B) are included between the barrier ribs that become the discharge space. Pastes were sequentially applied by a screen printing method, and these were fired to form phosphor layers of each color, thereby producing a back plate.

このようにして作製した背面板の周縁部に封着用フリットからなるペーストをディスペンサにより塗布し、表示電極とアドレス電極とが直交するように前面板と背面板を重ね合わせ、焼成を行なうことによって、前面板と背面板とを接合した。
次に、背面板に設けた通気孔に、排気用ガラス管の末端を接合した。この接合は、通気孔の開口縁部に、インジェクション法によって封着フリットを含むペーストを塗布し、焼成することによって行なった。
By applying a paste made of a sealing frit to the peripheral portion of the back plate thus produced by a dispenser, by superimposing the front plate and the back plate so that the display electrodes and the address electrodes are orthogonal, and by firing, The front plate and the back plate were joined.
Next, the end of the glass tube for exhaust was joined to the vent hole provided in the back plate. This joining was performed by applying a paste containing a sealing frit to the opening edge portion of the air hole by an injection method and baking it.

そして、全体を加熱しながら、このガラス管を通して内部ガスを排気し、続いて、ガラス管を通して放電空間内に放電ガスをが所定の圧力で封入し、その後、ガラス管を加熱することによって封止した。最後に、表示電極およびアドレス電極を、外部に備えた駆動回路に接続することにより、PDPを完成させた。
このように作製したPDPを、点灯表示させながら以下に示す方法で表示特性を評価したところ、パネルに変色や着色はなく、透過率低下等の問題がないことが確認された。
Then, while heating the whole, the internal gas is exhausted through the glass tube, and then the discharge gas is sealed in the discharge space through the glass tube at a predetermined pressure, and then sealed by heating the glass tube. did. Finally, the display electrode and the address electrode were connected to a drive circuit provided outside to complete the PDP.
When the display characteristics of the PDP produced as described above were evaluated by the following method while being lit, it was confirmed that the panel had no discoloration or coloring and had no problems such as a decrease in transmittance.

パネル評価方法:
パネルの着色具合は色度計により測定し、変色の有無を評価した。誘電体層が電極との反応により変色した場合や、誘電体層自身に着色がある場合は測定値に変化が見られる。
また、PDPを全面点灯表示させ、ディスプレイカラーアナライザを用いて発光輝度を測定し、表示特性を評価した。誘電体層の透過率が低いと輝度も低くなる。
Panel evaluation method:
The degree of coloration of the panel was measured with a chromaticity meter to evaluate the presence or absence of discoloration. When the dielectric layer changes color due to the reaction with the electrode, or when the dielectric layer itself is colored, the measured value changes.
Further, the PDP was turned on and displayed on the entire surface, and the light emission luminance was measured using a display color analyzer to evaluate the display characteristics. When the transmittance of the dielectric layer is low, the luminance is also low.

〔実施例3〕
本実施例では、表示電極を被覆する誘電体層を、第1誘電体層と第2誘電体層からなる2層構造とし、第1誘電体層と第2誘電体層に実施例のガラス組成物を用いる。
以下にその製造方法を説明する。
前面板の誘電体層を形成する工程以外は実施例2と同様の方法によりPDPを作製した。
Example 3
In this embodiment, the dielectric layer covering the display electrode has a two-layer structure including a first dielectric layer and a second dielectric layer, and the glass composition of the embodiment is formed on the first dielectric layer and the second dielectric layer. Use things.
The manufacturing method will be described below.
A PDP was produced in the same manner as in Example 2 except for the step of forming the dielectric layer of the front plate.

誘電体層を形成する工程では、表示電極の上に、No.3のガラス組成物を用いて作製したペースト組成物を塗布し、560℃で焼成して、第1誘電体層を形成した。次に、第1誘電体層の上に、No.1のガラス組成物を用いて作製したペースト組成物を塗布し、545℃で焼成することによって、第2誘電体層を形成した。
第1誘電体層の膜厚は5μm、第2誘電体層の膜厚は25μmとした。
In the step of forming the dielectric layer, no. The paste composition produced using the glass composition of No. 3 was applied and baked at 560 ° C. to form the first dielectric layer. Next, No. 1 is formed on the first dielectric layer. A second dielectric layer was formed by applying a paste composition prepared using the glass composition No. 1 and firing at 545 ° C.
The film thickness of the first dielectric layer was 5 μm, and the film thickness of the second dielectric layer was 25 μm.

完成したPDPについて、上述した方法で、表示特性を評価したところ、発光輝度が良好であった。この結果から、パネルに変色や着色はなく、透過率の低下等の問題のないことが確認された。
〔実施例4〕
本実施例でも、表示電極を被覆する誘電体層を、第1誘電体層と第2誘電体層からなる2層構造とするが、第1誘電体層に実施例1で作製したガラス組成物を用い、第2誘電体層にSiO2−B23−ZnO系ガラス組成物を用いる。
When the display characteristics of the completed PDP were evaluated by the method described above, the light emission luminance was good. From this result, it was confirmed that there was no discoloration or coloring in the panel, and there was no problem such as a decrease in transmittance.
Example 4
Also in this example, the dielectric layer covering the display electrode has a two-layer structure composed of the first dielectric layer and the second dielectric layer. The glass composition produced in Example 1 on the first dielectric layer. And a SiO 2 —B 2 O 3 —ZnO-based glass composition is used for the second dielectric layer.

以下にその製造方法を説明する。
前面板の誘電体層を形成する工程以外は実施例2と同様の方法によりPDPを作製した。
前面板の誘電体層を形成する工程では、上記実施例3と同様にして第1誘電体層を形成した。
The manufacturing method will be described below.
A PDP was produced in the same manner as in Example 2 except for the step of forming the dielectric layer of the front plate.
In the step of forming the dielectric layer of the front plate, the first dielectric layer was formed in the same manner as in Example 3 above.

次に、SiO2、B23、ZnO、Al23、K2Oからなるガラス組成物(軟化点:545℃、比誘電率6.8)を用いて作製したペースト組成物を塗布し、550℃で焼成して、第2誘電体層を形成した。
膜厚は、第1誘電体層を5μm、第2誘電体層を15μmとした。
完成したPDPを点灯表示させながら発光輝度を測定することによって、表示特性を評価したところ、発光輝度が良好であった。この結果から、パネルに変色や着色はなく、透過率の低下等の問題のないことが確認された。
Next, a paste composition prepared by using a glass composition (softening point: 545 ° C., relative dielectric constant 6.8) made of SiO 2 , B 2 O 3 , ZnO, Al 2 O 3 , K 2 O is applied. And firing at 550 ° C. to form a second dielectric layer.
The film thickness was 5 μm for the first dielectric layer and 15 μm for the second dielectric layer.
When the display characteristics were evaluated by measuring the light emission luminance while the completed PDP was turned on, the light emission luminance was good. From this result, it was confirmed that there was no discoloration or coloring in the panel, and there was no problem such as a decrease in transmittance.

上記実施例2〜4のPDPと、比較例にかかるPDPについて、輝度測定と消費電力測定を行なった。
比較例のPDPは、上記No.5のガラス組成物を用い誘電体層の焼成温度は545℃として、実施例2で説明した製法に基づいて作製したものである。
消費電力の測定は、各PDPを全面点灯表示させ、電極に印加した電圧と、その際に流れる放電電流とを測定し、その積を算出することによって行なった。
Luminance measurement and power consumption measurement were performed on the PDPs of Examples 2 to 4 and the PDP according to the comparative example.
The PDP of the comparative example has the above-mentioned No. The dielectric layer was fired at a temperature of 545 ° C. using the glass composition of No. 5, and was produced based on the production method described in Example 2.
The power consumption was measured by displaying each PDP on the entire surface, measuring the voltage applied to the electrode and the discharge current flowing at that time, and calculating the product.

その結果は、表3に示すとおりである。   The results are as shown in Table 3.

Figure 2005336048
なお、表3に示される輝度および消費電力の値は、比較例に関する値を100とした相対値である。
表3の結果から、実施例2〜4のPDPはいずれも比較例のPDPより輝度が高いことがわかる。
Figure 2005336048
Note that the values of luminance and power consumption shown in Table 3 are relative values with the value relating to the comparative example as 100.
From the results of Table 3, it can be seen that the PDPs of Examples 2 to 4 have higher luminance than the PDP of the comparative example.

また、実施例2のガラス組成物No.14を用いたPDP及び実施例4のPDPは、比較例のPDPと比べて消費電力が少なく、 実施例2のガラス組成物No.3を用いたPDPや実施例3のPDPと比べても消費電力が少ないことがわかる。これは誘電体層の比誘電率が低いため消費電力が低減されたと考えられる(実施例4では、実施例3の第2誘電体層の比誘電率が低いため、誘電体層全体の誘電率も低くなっている。)。   In addition, the glass composition No. 14 and the PDP of Example 4 consume less power than the PDP of the comparative example, and the glass composition No. It can be seen that the power consumption is less than that of the PDP using 3 and the PDP of the third embodiment. This is thought to be because power consumption was reduced because the dielectric constant of the dielectric layer was low (in Example 4, the dielectric constant of the entire dielectric layer was low because the dielectric constant of the second dielectric layer of Example 3 was low). Is also lower.)

以上説明したように、本発明にかかるガラス組成物は、鉛を含まない低融点ガラスとして、PDPの誘電体層に用いることができるが、PDP以外にも、セラミックス、ガラスおよび金属などの接着、封着、被覆などの用途にも用いることができる。
また、種々の機能を有するペースト組成物に用いることもできる。例えば、電子機器用の各種部品をはじめ、あらゆる用途において従来使用されていた低融点ガラス材料に代えて使用することができる。具体的には、各種LCR部品、半導体パッケージ、その他の電子部品、CRT、液晶ディスプレイパネル、蛍光表示管、FEDなどの表示デバイスに使用することができる。さらに照明用の管球製品、ホーロー製品および陶磁器製品などにおいても使用することができる。
As described above, the glass composition according to the present invention can be used as a dielectric layer of PDP as a low-melting glass not containing lead, but besides PDP, adhesion of ceramics, glass and metal, It can also be used for applications such as sealing and coating.
Moreover, it can also be used for paste compositions having various functions. For example, it can be used in place of low-melting glass materials conventionally used in various applications including various parts for electronic devices. Specifically, it can be used for display devices such as various LCR components, semiconductor packages, other electronic components, CRTs, liquid crystal display panels, fluorescent display tubes, and FEDs. Further, it can also be used in tube products for lighting, enamel products, ceramic products and the like.

実施の形態にかかるPDPの断面図である。It is sectional drawing of PDP concerning embodiment. 図2は、実施の形態にかかるPDPの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the PDP according to the embodiment. 実施の形態にかかるPDPの部分断面斜視図である。It is a fragmentary sectional perspective view of PDP concerning an embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1 前面板
2 前面ガラス基板
3 透明導電膜
4 バス電極
5 表示電極
6 誘電体層
7 誘電体保護層
8 背面板
9 背面ガラス基板
10 アドレス電極
11 誘電体層
12 隔壁
15 第1誘電体層
16 第2誘電体層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front plate 2 Front glass substrate 3 Transparent conductive film 4 Bus electrode 5 Display electrode 6 Dielectric layer 7 Dielectric protective layer 8 Back plate 9 Back glass substrate 10 Address electrode 11 Dielectric layer 12 Partition 15 15 1st dielectric layer 16 1st 2 dielectric layers

Claims (20)

GeO2を0.1重量%以上,20重量%以下、
23を3重量%以上,35重量%以下、
ZnOを4重量%以上,45重量%以下、
Bi23を10重量%以上,80重量%以下含むことを特徴とするガラス組成物。
GeO 2 is 0.1 wt% or more and 20 wt% or less,
B 2 O 3 in an amount of 3% by weight to 35% by weight,
ZnO 4 wt% or more, 45 wt% or less,
A glass composition comprising Bi 2 O 3 in an amount of 10 wt% to 80 wt%.
さらに、MgO、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも一種を20重量%以下含むことを特徴とする請求項1記載のガラス組成物。   2. The glass composition according to claim 1, further comprising 20% by weight or less of at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO. さらに、Al23を含み、その含有量は8重量%以下であることを特徴とする請求項1記載のガラス組成物。 2. The glass composition according to claim 1, further comprising Al 2 O 3 and having a content of 8% by weight or less. さらに、MgO、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも一種を20重量%以下含むことを特徴とする請求項3記載のガラス組成物。   The glass composition according to claim 3, further comprising 20% by weight or less of at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO. SiO2の含有量が0.5重量%以下であることを特徴とする請求項1記載のガラス組成物。 2. The glass composition according to claim 1, wherein the content of SiO 2 is 0.5% by weight or less. GeO2を0.1重量%以上,20重量%以下、
23を3重量%以上,20重量%以下、
ZnOを4重量%以上,30重量%以下、
Bi23を40重量%以上,80重量%以下含むことを特徴とするガラス組成物。
GeO 2 is 0.1 wt% or more and 20 wt% or less,
3 wt% or more and 20 wt% or less of B 2 O 3
ZnO 4 wt% or more, 30 wt% or less,
A glass composition comprising Bi 2 O 3 in an amount of 40% by weight to 80% by weight.
さらに、MgO、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも一種を含み、その含有量は20重量%以下であることを特徴とする請求項6記載のガラス組成物。   The glass composition according to claim 6, further comprising at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO, and the content thereof is 20% by weight or less. さらに、Al23を含み、その含有量は8重量%以下であることを特徴とする請求項6記載のガラス組成物。 Further, Al 2 include O 3, the glass composition according to claim 6, wherein the content thereof is less than 8 wt%. さらに、MgO、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも一種を20重量%以下含むことを特徴とする請求項8記載のガラス組成物。   The glass composition according to claim 8, further comprising 20% by weight or less of at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO. SiO2の含有量が0.5重量%以下であることを特徴とする請求項6記載のガラス組成物。 The glass composition according to claim 6, wherein the content of SiO 2 is 0.5% by weight or less. GeO2を0.1重量%以上,20重量%以下、
23を12重量%以上,35重量%以下、
ZnOを15重量%以上,45重量%以下、
Bi23を10重量%以上,40重量%以下含むことを特徴とするガラス組成物。
GeO 2 is 0.1 wt% or more and 20 wt% or less,
12 wt% or more and 35 wt% or less of B 2 O 3
ZnO 15 wt% or more, 45 wt% or less,
A glass composition comprising Bi 2 O 3 in an amount of 10% by weight to 40% by weight.
さらに、MgO、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも一種を20重量%以下含むことを特徴とする請求項11記載のガラス組成物。   The glass composition according to claim 11, further comprising 20% by weight or less of at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO. さらに、Al23を含み、その含有量は8重量%以下であることを特徴とする請求項11記載のガラス組成物。 The glass composition according to claim 11, further comprising Al 2 O 3 and having a content of 8% by weight or less. さらに、MgO、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも一種を20重量%以下含むことを特徴とする請求項13記載のガラス組成物。   The glass composition according to claim 13, further comprising 20% by weight or less of at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO. SiO2の含有量が0.5重量%以下であることを特徴とする請求項11記載のガラス組成物。 The glass composition according to claim 11, wherein the content of SiO 2 is 0.5% by weight or less. 請求項1記載のガラス組成物と、
バインダー樹脂および溶剤を含むことを特徴とするペースト組成物。
A glass composition according to claim 1;
A paste composition comprising a binder resin and a solvent.
放電空間に臨む面上に、電極と、当該電極を被覆する誘電体層とが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
前記誘電体層が請求項1記載のガラス組成物からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
A plasma display panel in which an electrode and a dielectric layer covering the electrode are disposed on a surface facing the discharge space,
A plasma display panel, wherein the dielectric layer is made of the glass composition according to claim 1.
放電空間に臨む面上に、電極と、当該電極を被覆する第1誘電体層と、当該第1誘電体層を被覆する第2誘電体層が配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
前記第1誘電体層及び第2誘電体層のうち少なくとも第1誘電体層が、請求項1記載のガラス組成物からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
A plasma display panel in which an electrode, a first dielectric layer covering the electrode, and a second dielectric layer covering the first dielectric layer are disposed on a surface facing the discharge space,
The plasma display panel, wherein at least a first dielectric layer of the first dielectric layer and the second dielectric layer is made of the glass composition according to claim 1.
第2誘電体層がSiO2−B23−ZnO系ガラス組成物からなることを特徴とする請求項18記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel of claim 18, wherein the second dielectric layer, characterized in that it consists of SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO based glass composition. 第1誘電体層に含まれるガラス組成物の軟化点が、第2誘電体層に含まれるガラス組成物の軟化点よりも高いことを特徴とする請求項18記載のプラズマディスプレイパネル。



The plasma display panel according to claim 18, wherein the softening point of the glass composition contained in the first dielectric layer is higher than the softening point of the glass composition contained in the second dielectric layer.



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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007182365A (en) * 2005-12-09 2007-07-19 Asahi Glass Co Ltd Non-lead glass for covering electrodes
JP2007234280A (en) * 2006-02-28 2007-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma display panel and its manufacturing method
WO2008001631A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Panasonic Corporation Plasma display panel and method for manufacturing the same
JP2008303077A (en) * 2007-06-05 2008-12-18 Central Glass Co Ltd Insulating protective coating material
JP2010219057A (en) * 2006-03-29 2010-09-30 Nippon Electric Glass Co Ltd Display panel
US20110015053A1 (en) * 2008-03-13 2011-01-20 Central Glass Company Limited Lead-Free Low-Melting-Point Glass Composition Having Acid Resistance
JP2013177308A (en) * 2013-05-28 2013-09-09 Nippon Electric Glass Co Ltd Crystalline bismuth-based material
JP2015051887A (en) * 2013-09-05 2015-03-19 日本山村硝子株式会社 Method for producing glass fine particles and glass fine particles

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007182365A (en) * 2005-12-09 2007-07-19 Asahi Glass Co Ltd Non-lead glass for covering electrodes
JP2007234280A (en) * 2006-02-28 2007-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma display panel and its manufacturing method
WO2007105467A1 (en) * 2006-02-28 2007-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel and method for manufacturing same
US7878875B2 (en) 2006-02-28 2011-02-01 Panasonic Corporation Plasma display panel with display electrodes containing glass frit and a method of manufacturing the same
JP2010219057A (en) * 2006-03-29 2010-09-30 Nippon Electric Glass Co Ltd Display panel
WO2008001631A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Panasonic Corporation Plasma display panel and method for manufacturing the same
JP2008303077A (en) * 2007-06-05 2008-12-18 Central Glass Co Ltd Insulating protective coating material
US20110015053A1 (en) * 2008-03-13 2011-01-20 Central Glass Company Limited Lead-Free Low-Melting-Point Glass Composition Having Acid Resistance
JP2013177308A (en) * 2013-05-28 2013-09-09 Nippon Electric Glass Co Ltd Crystalline bismuth-based material
JP2015051887A (en) * 2013-09-05 2015-03-19 日本山村硝子株式会社 Method for producing glass fine particles and glass fine particles

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