JP2005306998A - 電荷輸送性重合体およびその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子用重合体組成物および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電荷輸送性重合体は、特定の繰り返し単位よりなることを特徴とする。電荷輸送性重合体の製造方法は、特定の化合物と、特定のN−(4−アミノフェニル)カルバゾール化合物とを反応させることを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
このような有機EL素子としては、陽極と陰極との間に有機材料よりなる発光層が形成された単層構造のもの、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有する構造のもの、陰極と発光層との間に電子輸送層を有するものなどの多層構造のものが知られている。これらの有機EL素子は、いずれも、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが、発光層において再結合することによって発光するものである。
具体的には、このような構成を有する有機EL素子によれば、従来から有機EL素子の外部量子効率の限界値と考えられていた5%を超え、8%の外部量子効率が得られることが報告されている(例えば、非特許文献1参照。)。
しかしながら、この有機EL素子は低分子量の材料で構成されており、また、例えば蒸着法などの乾式法によって形成されるものであることから、物理的耐久性および熱的耐久性が小さい、という問題がある。
しかしながら、この有機EL素子は、ポリビニルカルバゾールの構造中にビニル基が存在することにより、電気化学的安定性に劣るものであり、長い使用寿命を得ることができない、という問題がある。
本発明の他の目的は、溶剤に対する溶解性に優れ、容易に薄膜を形成することができ、電子材料その他の樹脂材料として有用な新規な電荷輸送性重合体を製造することができる方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、発光特性および耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子用重合体組成物および、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
本発明の電荷輸送性重合体の製造方法によれば、上記の電荷輸送性重合体を製造することができる。
〔第1の重合体〕
本発明の第1の重合体は、上記一般式(1)で表される繰り返し単位からなるものであって、上記一般式(2)で表される、ハロゲン原子よりなる置換基を2つ有する化合物(以下、「2官能性化合物」ともいう。)と、上記一般式(3)で表されるN−(4−アミノフェニル)カルバゾール化合物(以下、「特定のカルバゾール化合物」ともいう。)とを反応させることによって得られるものである。
また、2つのR1 は互いに結合して、単環構造または、例えばスピロフルオレン構造などの多環構造を形成していてもよい。
本発明の第2の重合体は、上記一般式(4)で表される繰り返し単位からなるものであって、上述の特定のカルバゾール化合物(上記一般式(3)で表されるN−(4−アミノフェニル)カルバゾール化合物)と上記一般式(5)で表される、ハロゲン原子よりなる置換基を2つ有する化合物(以下、「2官能性化合物」ともいう。)とを反応させることによって得られるものである。
かかるホスフィンとしては、特に限定するものではなく、例えば、トリエチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリ−sec−ブチルホスフィン、トリ−tert−ブチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類;
トリフェニルホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィン、トリ(m−トリル)ホスフィン、トリ(p−トリル)ホスフィン、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル(BINAP)、トリメシチルホスフィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノプロパン、ジフェニルホスフィノフェロセン等のアリールホスフィン類を挙げることができる。
これらの中では、高い反応活性を有する点で、トリ−tert−ブチルホスフィンが好ましい。
また、触媒として、パラジウム化合物およびホスフィンを併用する場合には、それぞれ別個に反応系に添加してもよいが、予めパラジウム化合物およびホスフィンの錯体を調製し、これを反応系に添加してもよい。
これらの塩基は、反応系にそのまま添加してもよいが、アルカリ金属、水素化アルカリ金属または水酸化アルカリ金属と、アルコールとを反応系に添加し、両者を反応させることにより目的とする塩基を調製して反応に供してもよい。
具体的な反応条件としては、例えば、反応温度は好ましくは20℃〜250℃、より好ましくは50℃〜150℃の範囲から選択すればよく、反応時間は、好ましくは数分乃至24時間の範囲から選択すればよい。
また、当該製造方法においては、上記特定のカルバゾール化合物と、2官能性化合物との反応によって得られた反応生成物であるポリマーに対して、その末端を、任意の芳香族化合物により置換することが好ましく、これにより、発光効率および耐久性に優れた電荷輸送性重合体を得ることができる。
本発明の有機EL素子用重合体組成物は、上記の電荷輸送性重合体よりなる重合体成分と、三重項発光性金属錯体化合物よりなる錯体成分とを含有してなるものである。
このようなイリジウム錯体化合物の具体例としては、例えば下記一般式(6)〜下記一般式(8)で表される化合物を挙げることができる。
アリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基などを挙げることができる。
これらの中では、均一な厚みを有する薄膜が得られる点で、適当な蒸発速度を有するもの、具体的には沸点が70〜200℃程度の有機溶剤を用いることが好ましい。
また、組成物溶液を塗布する手段としては、例えばスピンコート法、ディッピング法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法などを利用することができる。
形成される発光層の厚みは、特に限定されるものではないが、通常、10〜200nm、好ましくは30〜100nmの範囲で選択される。
図1は、本発明の有機EL素子の構成の一例を示す説明用断面図である。
この例の有機EL素子は、透明基板1上に、正孔を供給する電極である陽極2が例えば透明導電膜により設けられ、この陽極2上に正孔注入輸送層3が設けられ、この正孔注入輸送層3上に発光層4が設けられ、この発光層4上にホールブロック層8が設けられ、このホールブロック層8上に電子注入層5が設けられ、この電子注入層5上に電子を供給する電極である陰極6が設けられている。そして、陽極2および陰極6は、直流電源7に電気的に接続される。
陽極2を構成する材料としては、好ましくは、仕事関数の大きい例えば4eV以上の透明性材料が用いられる。ここで、仕事関数とは、固体から真空中に電子を取り出すのに要する最小限の仕事の大きさをいう。陽極2としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜、酸化スズ(SnO2 )膜、酸化銅(CuO)膜、酸化亜鉛(ZnO)膜などを用いることができる。
また、ホールブロック層8の厚みは、例えば10〜30nmである。
陰極6の厚みは、材料の種類によって異なるが、通常、10〜1,000nm、好ましくは50〜200nmである。
先ず、透明基板1上に、陽極2を形成する。
陽極2を形成する方法としては、真空蒸着法またはスパッタ法などを利用することができる。また、ガラス基板などの透明基板の表面に例えばITO膜などの透明導電膜が形成されてなる市販の材料を用いることもできる。
正孔注入輸送層3を形成する方法としては、具体的に、電荷注入輸送材料を適宜の溶剤に溶解することによって正孔注入輸送層形成液を調製し、この正孔注入輸送層形成液を、陽極2の表面に塗布し、得られた塗布膜に対して溶剤の除去処理を行うことによって正孔注入輸送層3を形成する手法を用いることができる。
発光層形成液を塗布する方法としては、スピンコート法、ディップ法、インクジェット法、印刷法などを利用することができる。
このような構成の有機EL素子によれば、発光層4が上記の有機EL素子用重合体組成物によって形成されているため、高い発光輝度が得られる。
この実施例1は、第1の重合体を製造するものである。
その後、同温度でジフェニルアミン0.08g(0.5mmol)を加えて4時間反応させた後、ブロモベンゼン0.16g(1mmol)を加えて更に4時間反応させてポリマー末端を置換した。
得られた反応溶液にエチレンジアミン水溶液を加えてクロロホルムで分液抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧蒸留で有機溶媒を除去した後、アセトンによって再沈殿処理して、重合体A1を0.34g得た。
また、重合体A1は、NMR分析により、図2に示すように、下記構造式(1A)で表される重合体であることが確認された。
この実施例2は、第1の重合体を製造するものである。
その後、同温度でジフェニルアミン0.08g(0.5mmol)を加えて4時間反応させた後、ブロモベンゼン0.16g(1mmol)を加えて更に4時間反応させて末端封鎖を行った。
得られた反応溶液にエチレンジアミン水溶液を加えてクロロホルムで分液抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧蒸留で有機溶媒を除去した後、アセトンによって再沈殿処理して、重合体A2を0.34g得た。
また、重合体A2は下記構造式(2A)で表される重合体であることが確認された。
この実施例3は、第2の重合体を製造するものである。
その後、同温度でジフェニルアミン 0.08g(0.5mmol)を加えて4時間反応させた後、ブロモベンゼン0.16g(1mmol)を加えて更に4時間反応させて末端封鎖を行った。
得られた反応液にエチレンジアミン水溶液を加えてクロロホルムで分液抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧蒸留で有機溶媒を除去した後、アセトンによって再沈殿処理して、重合体B1を0.54g得た。
また、重合体B1は、NMR分析により、図3に示すように、下記構造式(1B)で表される重合体であることが確認された。
(有機EL素子の作成)
透明基板上にITO膜が形成されてなるITO基板を用意し、このITO基板を、中性洗剤、超純水、イソプロピルアルコール、超純水、アセトンをこの順に用いて超音波洗浄した後、更に紫外線−オゾン(UV/O3 )洗浄した。
洗浄を行ったITO基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS)溶液をスピンコート法によって塗布し、その後、得られた厚さ65nmの塗布膜を窒素雰囲気下において250℃で30分間乾燥することにより、正孔注入層を形成した。
次いで、ITO基板上に正孔注入層および発光層がこの順に積層されてなる積層体を真空装置内に固定し、その後、当該真空装置内を1×10-4Pa以下にまで減圧し、バソクプロイン30nm蒸着し、正孔ブロック層を形成した。次いで、フッ化リチウム0.5nm、カルシウム30nm、アルミニウム100nmを、この順で蒸着することにより陰極を形成した。その後、ガラス材料によって封止することにより、有機EL素子を製造した。
2 陽極
3 正孔注入輸送層
4 発光層
5 電子注入層
6 陰極
7 直流電源
8 ホールブロック層
Claims (12)
- ゲルパーミエーションクロマトグラフ法によるポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜1000000であることを特徴とする請求項1に記載の電荷輸送性重合体。
- 請求項1または請求項2に記載の電荷輸送性重合体よりなる重合体成分と、三重項発光性金属錯体化合物よりなる錯体成分とを含有してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用重合体組成物。
- 請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用重合体組成物により形成された発光層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- ホールブロック層を備えてなることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- ゲルパーミエーションクロマトグラフ法によるポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜1000000であることを特徴とする請求項7に記載の電荷輸送性重合体。
- 請求項7または請求項8に記載の電荷輸送性重合体よりなる重合体成分と、三重項発光性金属錯体化合物よりなる錯体成分とを含有してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用重合体組成物。
- 請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用重合体組成物により形成された発光層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- ホールブロック層を備えてなることを特徴とする請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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