JP2005189354A - 情報表示素子、及び該情報表示素子を備えた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 タッチペンにより種々の情報を入力できるようにした表示素子において、タッチペンの位置を検知する感度が低下しないようにする。
【解決手段】 導電性の板状部材A1を表示素子P1に配置することがある。例えば、表示素子に、強度部材としての金属板を挿入する場合などである。かかる表示素子P1の片側にタッチペンを配置し、他側に電磁誘導方式のセンサ部を配置した場合、金属板にて渦電流が発生してしまって、センサ部によりタッチペンの位置を検知する感度が低下してしまうおそれがある。本発明では、導電性板状部材A1に複数の貫通孔4を形成しておいて磁束が十分に漏れるようにしておき、タッチペンの位置を検知する感度が低下しないようにしている。
【選択図】 図2
【解決手段】 導電性の板状部材A1を表示素子P1に配置することがある。例えば、表示素子に、強度部材としての金属板を挿入する場合などである。かかる表示素子P1の片側にタッチペンを配置し、他側に電磁誘導方式のセンサ部を配置した場合、金属板にて渦電流が発生してしまって、センサ部によりタッチペンの位置を検知する感度が低下してしまうおそれがある。本発明では、導電性板状部材A1に複数の貫通孔4を形成しておいて磁束が十分に漏れるようにしておき、タッチペンの位置を検知する感度が低下しないようにしている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、電磁誘導方式による座標検知が行われる情報表示素子、及び該情報表示素子を備えた表示装置に関する。
近年、いわゆるタッチパネル式の表示装置がTabletPCや電子手帳などとして利用されている(例えば、特許文献1参照)。
図5は、従来の表示装置の構造の一例を示す模式図であり、符号P0は、画像や文字等を表示する表示パネルを示し、符号2は、種々の情報を入力するための入力用ペンを示し、符号3は、該入力用ペン2の位置を検知するための電磁誘導方式によるセンサ部を示す。この入力用ペン2には共振回路が配置され、センサ部3にはセンサコイルが配置されて、いわゆる電磁誘導方式により座標位置を検出するように構成されていた。
ところで、表示パネルP0としては液晶表示素子や電気泳動表示素子を利用できるが、これらの表示パネルP0には導電性板材A0を有しているものがある。例えば、液晶表示素子の場合はガラス基板などの剛性板材により構成されるために可撓性にならないのに対し、電気泳動表示素子の場合は、プラスチックフィルム等により構成できるので可撓性になるという特徴を有しているが、かかる電気泳動表示素子の場合、強度を確保するためにはステンレス等の強度板材を配置しておくことがある。図6は電気泳動表示素子の構造の一例を示す断面図であり、符号40は表示側基板を示し、符号41は後方側基板を示し、符号42は基板間隙を仕切る隔壁を示し、符号43,44は各画素に配置される第1電極及び第2電極を示し、符号45は絶縁層を示す。さらに、符号46は各画素に充填される絶縁性液体を示し、符号47は該絶縁性液体46に分散される帯電泳動粒子を示す。この電気泳動表示素子は、第1電極43と第2電極44との間に印加する電圧の極性を変えて帯電泳動粒子47を図(a) 又は図(b) に示すように移動することに基づき、種々の情報を表示するように構成されている。
このように表示パネルP0が導電性板材A0を備えたような場合には、導電性板材A0に渦電流が発生してしまい、センサ部3から発生した磁束が減衰されてしまって、入力用ペン2の位置が感知されにくくなる(つまり、位置検知の感度が悪くなる)という問題があった。
そこで、本発明は、位置検知の感度低下を防止する情報表示素子を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、位置検知の感度低下を防止する表示装置を提供することを目的とするものである。
本発明は上記事情を考慮してなされたものであり、種々の情報が表示されると共に電磁誘導方式による座標検知が行われる情報表示素子において、複数の貫通孔を有する導電性板材、を備えたことを特徴とする。
以上説明したように、本発明によると、座標検知の感度低下を防止できる。
以下、図1乃至図4を参照して、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
本発明に係る情報表示素子は、画像や文字等の種々の情報を表示するものであって、電磁誘導方式による座標検知が行われるものである。
本発明に係る情報表示素子は、図2乃至図4に符号P1,P2,P3で例示するように、導電性板材A1,A2,A3を備えている。この導電性板材A1,A2,A3は、様々な目的のため(例えば、情報表示素子P1,P2,P3を可撓性とした場合には強度確保のため)に配置されるものであるが、
・ 図2に符号A1で示すように、複数の貫通孔4を有する形状としても、
・ 図3に符号A2で示すように、導電性繊維で編まれたような形状(或いはメッシュ状)としても、
・ 図4に符号A3で示すように、複数の凹凸を有する形状としても、
いずれでも良い。いずれの導電性板材を用いても、座標検知の感度低下を防止できる。
・ 図2に符号A1で示すように、複数の貫通孔4を有する形状としても、
・ 図3に符号A2で示すように、導電性繊維で編まれたような形状(或いはメッシュ状)としても、
・ 図4に符号A3で示すように、複数の凹凸を有する形状としても、
いずれでも良い。いずれの導電性板材を用いても、座標検知の感度低下を防止できる。
また、
・ 上述した情報表示素子P1,P2,P3と、種々の情報を入力するための入力用ペン(図1の符号2参照)と、によって表示装置を構成しても、
・ 上述した情報表示素子P1,P2,P3と、入力用ペンの位置を検知するための電磁誘導方式によるセンサ部(図1の符号3参照)と、によって表示装置を構成しても、
・ 図1に符号1で示すように、上述した情報表示素子P1,P2,P3と、種々の情報を入力するための入力用ペン2と、該入力用ペンの位置を検知するための電磁誘導方式によるセンサ部3と、によって表示装置を構成しても、
いずれでも良い。
・ 上述した情報表示素子P1,P2,P3と、種々の情報を入力するための入力用ペン(図1の符号2参照)と、によって表示装置を構成しても、
・ 上述した情報表示素子P1,P2,P3と、入力用ペンの位置を検知するための電磁誘導方式によるセンサ部(図1の符号3参照)と、によって表示装置を構成しても、
・ 図1に符号1で示すように、上述した情報表示素子P1,P2,P3と、種々の情報を入力するための入力用ペン2と、該入力用ペンの位置を検知するための電磁誘導方式によるセンサ部3と、によって表示装置を構成しても、
いずれでも良い。
センサ部3は、いわゆる電磁誘導式ディジタイザであって、情報表示素子P1,P2,P3の背後に配置されている。このセンサ部3は複数のセンサコイル(ループコイル)を有していて、前記入力用ペン2は共振回路を有しており、センサコイルの電流を高速でオン・オフすることにより入力用ペン2の座標が公知の方法で検知されるようになっている。
図2の場合の貫通孔4は、画素Bの面積よりも小さく形成すると良く、各画素Bに少なくとも1つ配置されるようにすると良い。例えば、1つの画素Bの幅が80μmである場合、貫通孔4の幅を80μmより小さくし、貫通孔4の形成ピッチpを80μm程度以下にすると良い。このように貫通孔4を設けることにより、情報表示素子の可撓性の確保と、磁束の減衰の防止を両立させることができる。導電性板材A1としては、割れ難く、可撓性に富む金属板を用いると良い。
図3の場合の導電性板材A2は、ステンレス鋼の極細長繊維を編み込んで形成すると良く、具体的には、東京製綱株式会社製の「サスミック(商標)」などを用いれば良い。
図4の凹凸は、エンボス加工によって形成しても、導電性板材A3を波状に湾曲させて形成しても良い。このような凹凸を設けることにより剛性を確保できるため、板厚自体は10μm程度と薄くでき、座標検知の感度低下を防止できる。
情報表示素子P1,P2,P3には、
・ 液晶を利用して情報を表示する液晶表示素子や
・ 帯電泳動粒子の電気泳動作用を利用して情報を表示する電気泳動素子
などを用いることができる。本発明に用いる情報表示素子P1,P2,P3としては反射型が好適であって、TFT等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型のものが好適である。アクティブマトリクス型とする場合、情報表示素子P1,P2,P3は、走査電極、情報電極、走査電極を駆動する走査電極駆動手段、情報電極を駆動する情報電極駆動手段、及びスイッチング素子等により構成すると良い。
・ 液晶を利用して情報を表示する液晶表示素子や
・ 帯電泳動粒子の電気泳動作用を利用して情報を表示する電気泳動素子
などを用いることができる。本発明に用いる情報表示素子P1,P2,P3としては反射型が好適であって、TFT等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型のものが好適である。アクティブマトリクス型とする場合、情報表示素子P1,P2,P3は、走査電極、情報電極、走査電極を駆動する走査電極駆動手段、情報電極を駆動する情報電極駆動手段、及びスイッチング素子等により構成すると良い。
上述した導電性板材A1,A2,A3の両側又は片側に絶縁層10を配置して、該導電性板材A1,A2,A3と他の素子(例えば、スイッチング素子)との絶縁を確保すると良い。
次に、本形態の効果について説明する。
本発明によれば、導電性板材A1,A2,A3はセンサ部3と入力用ペン2との間の磁束漏れを許容するので、センサ部3による座標検知の感度低下を防止できる。
本実施例では、図1に示す構造の表示装置を作製した。
情報表示素子としては、図2に示す構成の電気泳動表示素子P1を用いた。図中の符号11は透明な表示側基板を示し、符号12は後方側基板を示す。また、符号13は、画素Bを仕切るように基板間隙に配置した隔壁を示し、符号14は、各画素Bに充填した絶縁性液体を示し、符号15は、絶縁性液体中に分散させた帯電泳動粒子を示す。符号A1は導電性板材を示すが、本実施例では、板厚が100μmのSUS基板を用い、開口幅がφ2mmの貫通孔4を多数形成した。また、絶縁性液体14には、パラフィン系炭化水素溶媒を主成分とするものを用い、帯電泳動粒子15には、カーボンブラックを含有したポリスチレン樹脂(黒色)を用いた。
符号10は、絶縁及び平滑のために貫通孔4及びSUS基板A1の両面を覆うように配置されたアクリル系樹脂(厚さ2μm)を示す。なお、アクリル系樹脂の替わりにエポキシ系樹脂やSiN膜を用いても良い。SiN膜を成膜する際に使用するCVDでは、1μm以上の膜厚を実現する事は成膜時間の観点からも困難であり、加えて、比誘電率εr=4程度である事から、膜厚が薄すぎると、ゲート配線等に対する寄生容量が増大し駆動に問題が生じる恐れがある為、設計時に注意が必要となる。
符号20は、TFTのゲート電極で、符号21は、TFT形成のためのSiN膜(250nm厚)で、符号22はa−Si膜(200nm厚)で、符号23はオーミックコンタクト層としてのa−Si(n+)膜(20nm厚)で、符号24はTFTのソース電極で、符号25はTFTのドレイン電極である。これらによってTFTを構成した。
また、符号17は、300nm厚のSiN膜であり、符号18は、200nm厚のAlにより形成した画素電極である。さらに、符号16は、画素電極18とによって補助容量を構成するためのCs電極である。
また、符号19は、白色散乱層であり、TiO2を含有したアクリル樹脂(4μm厚)により形成したものである。符号30は、絶縁膜であり、アクリル系の樹脂(1μm厚)により形成した。符号31は、300nm厚のTi層であり、符号32は、カーボンを含有させたフォトレジスト(300nm厚)である。
次に、本実施例に係る表示装置の製造方法について説明する。
まず、エッチングによってSUS基板A1に多数の貫通孔4を形成した。そして、このSUS基板A1の両面にアクリル系樹脂10をスピナーにより形成した。
次に、このアクリル系樹脂10の片面(図示の上面)にAl−Ndをスパッタ法により200nmの厚さに成膜し、フォトマスク等による露光及びエッチングを施してパターニングし、ゲート電極20およびCs電極16を形成した。これらの電極20,16を覆うように、層間絶縁膜及び半導体層としてのSiN膜21/a−Si膜22をCVDにより形成した。これらを覆うように、オーミックコンタクト層としてのa−Si(n+)膜23をCVDにより成膜した。a−Si(n+)膜23の表面にAlを200nm厚に形成し、該Al膜をウエットエッチングしてソース電極24及びドレイン電極25を形成した。引き続いて、同レジストパターンを用いてドライエッチングによりTFTチャネル部のa−Si(n+)層23を除去し、SiN膜17を形成した。ドライエッチングによりSiN膜17に図示のようなコンタクトホールを作成し、ドレイン電極25の一部を露出させた。その露出部分及びa−Si(n+)膜23を覆うように200nm厚のAl膜をスパッタ法により形成し、フォトマスクを用いたウエットエッチングにより画素電極18を形成した。
次に、白色散乱層19及び絶縁膜30を形成し、さらに300nm厚のTi膜、300nm厚のフォトレジスト膜、及び15μm厚のフォトレジスト膜を形成した。そして、15μm厚のフォトレジスト膜は、画素と画素との境界部分のみが残るように現像して隔壁13を形成した。また、Ti膜及び300nm厚のフォトレジスト膜は、該隔壁13を利用してエッチングすることにより、図示のTi層31及びフォトレジスト32とした。
最後に、上述した絶縁性液体14や帯電泳動粒子15を各画素に充填し、表示側基板11にて閉塞した。
本実施例によれば、入力用ペン2の位置検知の感度低下を防止できた。
本発明者は、貫通孔4の開口率と位置検出限界との間には図7に示す関係があることを確認しており、SUS基板A1の板厚や平坦性、あるいは工程の流し易さと、センサ部から発生させる磁束強度、およびこれに関連する消費電力等との関係から最適な板厚、開口率を選択すれば良いことを確認している。
本実施例においてはアモルファスシリコンを用いた逆スタガー型の構成を採用しているが、例えば、スタガー型、プレナー型、逆プレナー型等を採用しても何ら問題はない。加えて、アモルファスシリコンを用いたTFTに限らず、例えば、レーザーアニールを用いたポリシリコンTFTや、単結晶TFTの転写技術を用いても良い。
1 表示装置
2 入力用ペン
3 センサ部
A1 導電性板材
A2 導電性板材
A3 導電性板材
P1 情報表示素子
P2 情報表示素子
P3 情報表示素子
2 入力用ペン
3 センサ部
A1 導電性板材
A2 導電性板材
A3 導電性板材
P1 情報表示素子
P2 情報表示素子
P3 情報表示素子
Claims (6)
- 種々の情報が表示されると共に電磁誘導方式による座標検知が行われる情報表示素子において、
複数の貫通孔を有する導電性板材、
を備えたことを特徴とする情報表示素子。 - 種々の情報が表示されると共に電磁誘導方式による座標検知が行われる情報表示素子において、
導電性繊維で編まれた導電性板材、
を備えたことを特徴とする情報表示素子。 - 種々の情報が表示されると共に電磁誘導方式による座標検知が行われる情報表示素子において、
複数の凹凸を有する導電性板材、
を備えたことを特徴とする情報表示素子。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の情報表示素子と、
種々の情報を入力するための入力用ペンと、
を備えたことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の情報表示素子と、
入力用ペンの位置を検知するための電磁誘導方式によるセンサ部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。 - 種々の情報を入力するための入力用ペン、
を備えたことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
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JP2003428471A JP2005189354A (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 情報表示素子、及び該情報表示素子を備えた表示装置 |
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2003
- 2003-12-24 JP JP2003428471A patent/JP2005189354A/ja active Pending
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