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JP2005186176A - Wafer end face polishing device - Google Patents

Wafer end face polishing device Download PDF

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JP2005186176A
JP2005186176A JP2003427793A JP2003427793A JP2005186176A JP 2005186176 A JP2005186176 A JP 2005186176A JP 2003427793 A JP2003427793 A JP 2003427793A JP 2003427793 A JP2003427793 A JP 2003427793A JP 2005186176 A JP2005186176 A JP 2005186176A
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JP
Japan
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wafer
end surface
tape
polishing
roller
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003427793A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Takaike
一雄 高池
Hideo Aoki
秀雄 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2003427793A priority Critical patent/JP2005186176A/en
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer end face polishing device, easily shaping the end face of a wafer even if the end face is shaped unsymmetrical and simplifying the configuration of the device. <P>SOLUTION: This wafer end face polishing device 10 includes: a wafer rotating mechanism 3 supporting a wafer 12 formed substantially disc-like and rotating the wafer around the axis; and a tape transfer mechanism 18 for transferring a polishing tape 16 guided by a pair of rollers 501, 502 provided in positions for clamping the rotating surface of the wafer supported by the wafer rotating mechanism 14 in the direction of crossing the rotating surface of the wafer, wherein the polishing tape is brought into sliding contact with the end face of the rotating wafer to polish the end face of the wafer. The paired rollers 501, 502 are respectively moved in the direction of coming close to and separating from the waver end face 23 independently. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ウエハの端面に研磨テープを摺接させてウエハの端面を研磨するウエハ端面研磨装置に関する。   The present invention relates to a wafer end surface polishing apparatus that polishes an end surface of a wafer by bringing a polishing tape into sliding contact with the end surface of the wafer.

ウエハの端面を研磨する装置は従来から種々開発されている。図8に、従来のウエハ端面研磨装置の一例を示す。
図示するウエハ端面研磨装置100は、ウエハ102を回転させ、ウエハ102の端面103を研磨テープ104に摺接させて研磨する装置である。この装置100の研磨テープ104は、駆動ローラ106及びガイドローラ108によりウエハ102の回転面と直交する方向に案内され、矢印A方向に一定速度で送られるように設けられている。ウエハ102は、この研磨テープ104に端面103を押し当てて研磨されるものであるが、押し当ての際、ウエハ102の端面103形状に倣って研磨テープ104がしなることから、ウエハ102の端面103がアール状に研磨されるものである。
特開平7−193030号公報
Various apparatuses for polishing an end face of a wafer have been developed. FIG. 8 shows an example of a conventional wafer end surface polishing apparatus.
A wafer end surface polishing apparatus 100 shown in the drawing is an apparatus that rotates a wafer 102 and polishes the end surface 103 of the wafer 102 by sliding contact with a polishing tape 104. The polishing tape 104 of the apparatus 100 is guided by a drive roller 106 and a guide roller 108 in a direction perpendicular to the rotation surface of the wafer 102 and is fed at a constant speed in the direction of arrow A. The wafer 102 is polished by pressing the end surface 103 against the polishing tape 104. When the pressing is performed, the polishing tape 104 is bent following the shape of the end surface 103 of the wafer 102. 103 is polished in a round shape.
JP-A-7-193030

ところで、近年においては、半導体装置の小型化が要望されていることから、半導体ウエハの表面を加工をした後(図9(a)参照)、裏面側を研削してウエハを薄く形成する加工がなされる(図9(b)参照)。
しかし、ウエハを裏面研削すると、チッピングが生じやすいという問題が発生する。この問題は、ウエハを薄く形成したことによるものだけでなく、裏面研削された後のウエハ端面103が、ナイフエッジ状に形成されてしまうということが大きく影響していることが報告されている。
このため、図9(b)に示すようなナイフエッジ状に形成されたウエハ102の端面103を、図9(c)に示すような円弧状103a(ウエハの厚さ方向に対称となる円弧状に形成されていること)に研磨することが提案されている。
By the way, in recent years, since there is a demand for downsizing of semiconductor devices, after processing the surface of a semiconductor wafer (see FIG. 9A), processing to form a thin wafer by grinding the back side is performed. (See FIG. 9 (b)).
However, when the wafer is ground on the back surface, a problem that chipping is likely to occur occurs. It has been reported that this problem is not only due to the fact that the wafer is thinly formed, but also that the wafer end surface 103 after the back surface grinding is formed in a knife edge shape.
For this reason, the end surface 103 of the wafer 102 formed in a knife edge shape as shown in FIG. 9B is changed into an arc shape 103a as shown in FIG. 9C (an arc shape symmetrical in the thickness direction of the wafer). It has been proposed that polishing be performed.

ある条件下で行った実験では、ナイフエッジ状の端面の場合にはウエハを破壊する衝撃破壊荷重が5.6Nであったのに対して、同じ厚さのウエハを円弧状に端面研磨した場合には衝撃破壊荷重が43.8Nであり、円弧状に端面を研磨することの有益性が顕著であった。   In an experiment conducted under certain conditions, in the case of a knife-edge-shaped end face, the impact breaking load for breaking the wafer was 5.6 N, whereas when the wafer having the same thickness was end-polished in an arc shape The impact fracture load was 43.8 N, and the benefit of polishing the end face in a circular arc shape was remarkable.

しかしながら、上記の装置100は、端面の形状が厚さ方向に対称となっているウエハの端面研磨に主として用いられるものであり、ナイフエッジ状の端面103を円弧状に研磨するのには不向きである。また、従来提供されているウエハの端面研磨装置は、効率的にウエハの端面を研削するため、大がかりな装置となっている。   However, the above-described apparatus 100 is mainly used for polishing the end surface of a wafer whose end surface shape is symmetrical in the thickness direction, and is not suitable for polishing the end surface 103 having a knife edge shape in an arc shape. is there. Conventionally provided wafer end surface polishing apparatuses are large-scale apparatuses in order to efficiently grind the end surfaces of wafers.

そこで、本発明の目的は、端面の形状が非対称となっているような場合であっても容易にウエハの端面の形状を整えることができ、装置の構成も簡易となるウエハ端面研磨装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer end surface polishing apparatus that can easily adjust the shape of the end face of a wafer even when the end face has an asymmetric shape, and the apparatus configuration is simplified. There is to do.

本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、略円板状に形成されたウエハを支持し、ウエハを軸線廻りに回転させるウエハ回転機構と、該ウエハ回転機構により支持されたウエハの回転面を挟む位置に設けられた一対のローラにガイドされて、ウエハの回転面を横切る方向に研磨テープを移送させるテープ移送機構とを備え、回転するウエハの端面に研磨テープを摺接させてウエハの端面を研磨するウエハ端面研磨装置において、前記一対のローラの各々が、独立してウエハ端面に接離する方向に移動可能に設けられていることを特徴とする。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object.
That is, a wafer rotating mechanism that supports a wafer formed in a substantially disc shape and rotates the wafer around an axis, and a pair of rollers provided at a position sandwiching the rotating surface of the wafer supported by the wafer rotating mechanism. In the wafer end surface polishing apparatus, comprising a tape transfer mechanism that is guided to transfer the polishing tape in a direction across the rotation surface of the wafer, and polishes the end surface of the wafer by sliding the polishing tape against the end surface of the rotating wafer. Each of the pair of rollers is independently provided so as to be movable in a direction in which the roller contacts and separates from the wafer end surface.

また、前記テープ移送機構が、基台上でウエハ端面に接離する方向に移動可能な移動テーブルに支持され、前記基台上に固定された前記ウエハ回転機構に保持されたウエハの端面に、研磨テープを、研磨テープの傾斜を維持した状態で接離させることができるように設けられていることを特徴とする。これにより、移動テーブルによってウエハ端面と研磨テープとの押し当て度合いを調節したり、ウエハ端面と研磨テープとを接離させることができる。
また、前記テープ移送機構は、前記移動テーブルに固定された支持部材に、前記一対のローラの各々が前記支持部材から突出した状態で支持され、前記一対のローラの少なくともどちらか一方が、前記支持部材からの突出量を可変に設けられていることを特徴とする。
Further, the tape transfer mechanism is supported by a moving table that is movable in a direction of moving toward and away from the wafer end surface on the base, and on the end surface of the wafer held by the wafer rotating mechanism fixed on the base, The polishing tape is provided so that the polishing tape can be contacted and separated while maintaining the inclination of the polishing tape. Thus, the degree of pressing between the wafer end surface and the polishing tape can be adjusted by the moving table, or the wafer end surface and the polishing tape can be brought into contact with or separated from each other.
The tape transfer mechanism is supported by a support member fixed to the movable table in a state where each of the pair of rollers protrudes from the support member, and at least one of the pair of rollers is supported by the support member. The protrusion amount from the member is variably provided.

本発明は、一方及び他方の各々のローラが、独立してウエハ端面に接離する方向に移動可能に設けられていることにより、一方のローラと他方のローラによりガイドされた研磨テープの傾斜を自在に変更できる。このため、ウエハ端面に摺接させる研磨テープの傾斜を調節し、ウエハ端面の出っ張り部分を集中的に研磨することができることから、ウエハ端面の形状を円滑曲面に効率よく研磨することができる等の著効を奏する。   In the present invention, each of the one and the other rollers is provided so as to be able to move independently in the direction of contact with and away from the wafer end surface, so that the polishing tape guided by the one roller and the other roller can be inclined. It can be changed freely. For this reason, since the inclination of the polishing tape to be brought into sliding contact with the wafer end surface can be adjusted and the protruding portion of the wafer end surface can be intensively polished, the shape of the wafer end surface can be efficiently polished into a smooth curved surface, etc. Remarkably effective.

以下、本発明にかかるウエハ端面研磨装置の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明にかかるウエハ端面研磨装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。本実施形態のウエハ端面研磨装置10は、略円板状のウエハ12を支持し、ウエハ12の軸線廻りに回転させるウエハ回転機構14と、ウエハ12の端面13と対向する位置に配置され、ウエハ12の回転面を横切る方向に研磨テープを移送させるテープ移送機構18とを備え、回転するウエハ12の端面13に研磨テープ16を摺接させてウエハ12の端面13を研磨する装置である。
本実施形態においては、ウエハ回転機構14が基台20上に固定され、テープ移送機構18が、基台20上の移動テーブル27に支持されて移動可能に設けられている。これにより、テープ移送機構18を移動テーブル27により移動させることによって、ウエハ回転機構14に支持されたウエハ12の端面13に対して、研磨テープ16を接離させることができる。
Preferred embodiments of a wafer end surface polishing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a side sectional view showing a configuration of an embodiment of a wafer end surface polishing apparatus according to the present invention. The wafer end surface polishing apparatus 10 according to the present embodiment is disposed at a position facing a wafer rotating mechanism 14 that supports a substantially disk-shaped wafer 12 and rotates it around the axis of the wafer 12, and an end surface 13 of the wafer 12. And a tape transfer mechanism 18 for transferring the polishing tape in a direction crossing the rotation surface of the wafer 12, and the polishing tape 16 is brought into sliding contact with the end surface 13 of the rotating wafer 12 to polish the end surface 13 of the wafer 12.
In the present embodiment, the wafer rotation mechanism 14 is fixed on the base 20, and the tape transport mechanism 18 is supported by the moving table 27 on the base 20 and is provided so as to be movable. Thus, the polishing tape 16 can be brought into contact with and separated from the end face 13 of the wafer 12 supported by the wafer rotating mechanism 14 by moving the tape transfer mechanism 18 by the moving table 27.

ウエハ回転機構14には、鉛直方向に延出し、駆動モータ22により回転する回転軸24が設けられている。この回転軸24の上端には、ウエハ12を吸着して保持する吸着回転テーブル26が設けられ、ウエハ12を水平面内で回転させるように設けられている。   The wafer rotating mechanism 14 is provided with a rotating shaft 24 that extends in the vertical direction and is rotated by a drive motor 22. At the upper end of the rotary shaft 24, an adsorption rotation table 26 that adsorbs and holds the wafer 12 is provided, and is provided so as to rotate the wafer 12 in a horizontal plane.

テープ移送機構18は、装置の前後方向(図1では左右方向であり、本実施形態ではテープ移送機構18がウエハ12に近づく方向を前方とする)に移動可能なXテーブル28と、Xテーブル28上において、Xテーブル28の移動方向と直交する装置の左右方向(図1では手前奥方向)に移動可能なYテーブル30とからなる移動テーブル27によって、基台20上の任意の位置に移動させることができる。
本実施形態においてXテーブル28は、基台20上に設けられたガイドレール32によりガイドされて、駆動モータ34とボールねじ36によって移動可能に設けられており、ウエハ端面13に研磨テープ16を接離させる際に用いられるものである。また、Yテーブル30は、Xテーブル28上に設けられたガイドレール38によりガイドされて、駆動モータ(図示しない)とボールねじ40によって左右方向への移動ができるように設けられており、ウエハ端面13に研磨テープ16を摺接させる際の左右方向における位置合わせを行うために設けられている。
The tape transport mechanism 18 is movable in the front-rear direction of the apparatus (the left-right direction in FIG. 1, and in this embodiment, the direction in which the tape transport mechanism 18 approaches the wafer 12 is the front), and the X table 28. On the upper side, the table is moved to an arbitrary position on the base 20 by a moving table 27 including a Y table 30 that can move in the left-right direction of the device (in FIG. 1, the front-rear direction) perpendicular to the moving direction of the X table 28. be able to.
In this embodiment, the X table 28 is guided by a guide rail 32 provided on the base 20 and is movably provided by a drive motor 34 and a ball screw 36, and the polishing tape 16 is attached to the wafer end surface 13. It is used when separating. The Y table 30 is guided by a guide rail 38 provided on the X table 28 so as to be moved in the left-right direction by a drive motor (not shown) and a ball screw 40. 13 for positioning in the left-right direction when the abrasive tape 16 is slidably contacted.

Yテーブル30上には、ウエハ端面13に未使用状態の研磨テープ16を摺接させるためのテープ移送機構18が設けられている。テープ移送機構18は、Yテーブル30上に固定された枠体状の支持部材53に支持されており、テープロール48から研磨テープ16を送り出す送り出しローラ42と、研磨テープ16が所定の経路を通過するようにガイドする複数のガイドローラ50・・と、研磨テープ16を巻き取る巻き取りローラ44とを具備する。
本実施形態においては、下側に送り出しローラ42、上側に巻き取りローラ44が配置され、ガイドローラ50・・によりウエハ端面13と対向する位置(以下、ヘッド部52という)に研磨テープ16がガイドされるように設けられている。
On the Y table 30, a tape transfer mechanism 18 for sliding the unused polishing tape 16 on the wafer end surface 13 is provided. The tape transport mechanism 18 is supported by a frame-like support member 53 fixed on the Y table 30, and a feed roller 42 that feeds the polishing tape 16 from the tape roll 48 and the polishing tape 16 passes through a predetermined path. A plurality of guide rollers 50... For guiding and a take-up roller 44 for winding the polishing tape 16 are provided.
In the present embodiment, a feed roller 42 is disposed on the lower side, and a take-up roller 44 is disposed on the upper side. The polishing tape 16 is guided to a position facing the wafer end surface 13 (hereinafter referred to as the head portion 52) by the guide rollers 50. It is provided to be.

ヘッド部52には、研磨テープ16を、ウエハ端面13と対向する位置に導きウエハ12の回転面を横切る方向に移送させため、支持部材53から突出した位置で支持された一対のローラ501,502が、ウエハの回転面を挟むようにして設けられている。
本実施形態においては、上記ローラの一方が、ウエハ12の回転面の下方側に配置され、送り出しローラ42からの研磨テープ16を上方に向けてガイドする下可変ローラ501として設けられ、上記ローラの他方が、ウエハ12の回転面の上方側に配置され、下可変ローラ501からの研磨テープ16を巻き取りローラ44側へガイドする上可変ローラ502として設けられている。
そして、本実施形態においては、この下可変ローラ501と上可変ローラ502とが、それぞれ独立して、ウエハ端面13と接離する方向にウエハ12の回転面と平行に移動させることができるように設けられている。
A pair of rollers 501 and 502 supported at positions protruding from the support member 53 are guided to the head portion 52 so that the polishing tape 16 is guided to a position facing the wafer end surface 13 and moved in a direction across the rotation surface of the wafer 12. Are provided so as to sandwich the rotating surface of the wafer.
In the present embodiment, one of the rollers is disposed below the rotation surface of the wafer 12 and is provided as a lower variable roller 501 that guides the polishing tape 16 from the delivery roller 42 upward. The other is disposed above the rotation surface of the wafer 12 and is provided as an upper variable roller 502 that guides the polishing tape 16 from the lower variable roller 501 to the take-up roller 44 side.
In the present embodiment, the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 can be independently moved in parallel with the rotating surface of the wafer 12 in the direction of contacting and separating from the wafer end surface 13. Is provided.

具体的には、下可変ローラ501は、下可変ローラ501の左右方向に水平に延びる軸501aが、支持部材53の側部から突出する支持アーム54の先端に支持されて回動可能に設けられており、支持アーム54が、駆動モータ56及びLM(Linear Motion)ガイドアクチュエータ58によって直線状に移動可能に設けられていることにより、支持部材53側部からの突出量を可変にして、下可変ローラ501の位置を前後方向に水平に移動させることができるように設けられている。また、上可変ローラ502も、下可変ローラ501と同様の構成に設けられており、装置10の前後方向に水平に移動できるように設けられている。   Specifically, the lower variable roller 501 is rotatably provided such that a shaft 501a extending horizontally in the left-right direction of the lower variable roller 501 is supported by the tip of a support arm 54 protruding from a side portion of the support member 53. Since the support arm 54 is provided so as to be linearly movable by a drive motor 56 and an LM (Linear Motion) guide actuator 58, the amount of protrusion from the side of the support member 53 can be made variable and variable downward. It is provided so that the position of the roller 501 can be moved horizontally in the front-rear direction. Also, the upper variable roller 502 is provided in the same configuration as the lower variable roller 501 and is provided so as to be horizontally movable in the front-rear direction of the apparatus 10.

上記の構成により、本実施形態のウエハ端面研磨装置10は、下可変ローラ501と上可変ローラ502の、支持部材53からの突出量をそれぞれ調整して、下可変ローラ501と上可変ローラ502との間の研磨テープ16a(以下、ヘッド面16aという)の傾斜角度を自在に変更させることができることから、ウエハ端面13に摺接させる研磨テープ16の摺接角度を適宜調節してウエハ端面13を研磨することができる。このため、ウエハ端面13の出っ張り部分を集中して研磨することができ、ナイフエッジ状のウエハ端面13を効率よく円弧状の円滑曲面に形成することが可能となる。   With the above configuration, the wafer end surface polishing apparatus 10 according to the present embodiment adjusts the amount of protrusion of the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 from the support member 53, respectively, so that the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 Since the inclination angle of the polishing tape 16a (hereinafter referred to as the head surface 16a) can be freely changed, the slidable contact angle of the polishing tape 16 that is slidably contacted with the wafer end surface 13 is appropriately adjusted so that the wafer end surface 13 is moved. Can be polished. Therefore, the protruding portion of the wafer end surface 13 can be concentrated and polished, and the knife edge-shaped wafer end surface 13 can be efficiently formed into an arc-shaped smooth curved surface.

なお、本実施形態のウエハ端面研磨装置10は、研磨テープ16の送り方向を、下方から上方に向けた一方向だけではなく、上方から下方に向けても送ることもできるように、上側に配置されたローラ44を送り出しローラとし、下側に設けられたローラ42を巻き取りローラとして駆動させることもできるように設けられている。
また、本実施形態の装置10には、ヘッド部52の研磨テープ16を常に所定のテンションで張られた状態に設けるために、送り出しローラ42と下可変ローラ501との間、および上可変ローラ502と巻き取りローラ44との間に、それぞれテンションローラ60,62が設けられている。これらのテンションローラ60,62の各々には、駆動ローラ64と、駆動ローラ64に従動する従動ローラ66とが上下動可能に設けられ、駆動ローラ64と従動ローラ66との間に研磨テープ16を挟んでガイドすることで、研磨テープ16に常時所定のテンションがかかるように設けられている。なお、テンションローラ60,62の駆動ローラ64は、巻き取りローラ44に近い側の駆動ローラ64のみが駆動するように設定されている。
The wafer end surface polishing apparatus 10 of the present embodiment is arranged on the upper side so that the direction of feeding the polishing tape 16 can be fed not only from one direction from the bottom to the top but also from the top to the bottom. The roller 44 is provided as a feed roller, and the roller 42 provided on the lower side is provided as a take-up roller.
Further, in the apparatus 10 of the present embodiment, in order to always provide the polishing tape 16 of the head portion 52 in a state of being tensioned with a predetermined tension, between the feed roller 42 and the lower variable roller 501, and the upper variable roller 502. Tension rollers 60 and 62 are provided between the winding roller 44 and the winding roller 44, respectively. Each of the tension rollers 60 and 62 is provided with a driving roller 64 and a driven roller 66 driven by the driving roller 64 so as to move up and down, and the abrasive tape 16 is interposed between the driving roller 64 and the driven roller 66. By being sandwiched and guided, the polishing tape 16 is always provided with a predetermined tension. The driving rollers 64 of the tension rollers 60 and 62 are set so that only the driving roller 64 on the side close to the winding roller 44 is driven.

次に、本実施形態の装置10を用いてウエハ端面13を研磨する際の加工の一例について図1〜図3を基に説明する。
先ず、裏面が研削され、端面13がナイフエッジ状に設けられた半導体ウエハ12(図9(b)参照)を、吸着回転テーブル26に裏面を吸着させて取り付け、回転軸24を駆動させてウエハ12を回転させる(本実施形態におけるウエハの回転数は300〜600rpm)。そして、未使用のテープロール48を送り出しローラ42に取り付け、送り出しローラ42、巻き取りローラ44およびテンションローラ62の駆動ローラ64を駆動させ、研磨テープ16(本実施形態における研磨テープは粒度が#1000のものを使用)を下方から上方へ向けて移送させる(本実施形態における移送速度は30〜70mm/分)。
Next, an example of processing when the wafer end surface 13 is polished using the apparatus 10 of the present embodiment will be described with reference to FIGS.
First, the semiconductor wafer 12 (see FIG. 9B) having the back surface ground and the end surface 13 provided in a knife edge shape is attached to the suction rotating table 26 by sucking the back surface, and the rotating shaft 24 is driven to drive the wafer. 12 is rotated (the rotation speed of the wafer in this embodiment is 300 to 600 rpm). Then, the unused tape roll 48 is attached to the delivery roller 42, and the delivery roller 42, the take-up roller 44 and the drive roller 64 of the tension roller 62 are driven, and the abrasive tape 16 (the abrasive tape in this embodiment has a particle size of # 1000). (In this embodiment, the transfer speed is 30 to 70 mm / min).

ウエハ端面の研磨を始める際には、最初、図1に示すように、下可変ローラ501の突出量を大きく、上可変ローラ502の突出量を小さくして、研磨テープ16のヘッド面16aが、前方が下降して傾いた状態に設けている。そして、この状態で、Xテーブル28を前進させてウエハ端面13に摺接させると、図3(a)に示すように、研磨テープ16が、ナイフエッジ状のウエハ端面13の裏面側に設けられたエッジ部13aに摺接して、端面13のエッジ部13aを削る研磨がなされる。   When the polishing of the wafer end surface is started, first, as shown in FIG. 1, the protrusion amount of the lower variable roller 501 is increased, the protrusion amount of the upper variable roller 502 is decreased, and the head surface 16a of the polishing tape 16 is The front is lowered and tilted. In this state, when the X table 28 is moved forward and slidably contacted with the wafer end surface 13, the polishing tape 16 is provided on the back surface side of the wafer end surface 13 having a knife edge shape, as shown in FIG. The edge portion 13a is slidably contacted with the edge portion 13a, and the edge portion 13a of the end face 13 is polished.

図3(b)に示すように、エッジ部13aの角が研磨されると、図2および図3(c)に示すように、下可変ローラ501と上可変ローラ502とを鉛直方向に対向させ、ウエハ12の回転面に対してヘッド面16aが略垂直となるように設けてウエハ端面13を研磨する。これにより、図3(b),(d)に示すように、エッジ部13aの角取りにより形成された角部13bを研磨して、端面13を円弧に近い形状に設けることができる。
この後、図3(e)に示すように、下可変ローラ501および上可変ローラ502の突出量を連続的に変化させて、ヘッド面16aの傾斜角度を変更させてウエハ端面13に摺接させる。これによって、図3(f)に示すように、ウエハ端面13をアール状に研磨し、ウエハ端面13を円弧状に形成することができる。
When the corner of the edge portion 13a is polished as shown in FIG. 3 (b), the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 are opposed to each other in the vertical direction as shown in FIGS. 2 and 3 (c). The wafer end surface 13 is polished by providing the head surface 16 a substantially perpendicular to the rotation surface of the wafer 12. As a result, as shown in FIGS. 3B and 3D, the corner portion 13b formed by chamfering the edge portion 13a can be polished to provide the end face 13 in a shape close to an arc.
Thereafter, as shown in FIG. 3 (e), the protrusion amounts of the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 are continuously changed to change the inclination angle of the head surface 16a to be brought into sliding contact with the wafer end surface 13. . As a result, as shown in FIG. 3 (f), the wafer end surface 13 can be polished in a round shape, and the wafer end surface 13 can be formed in an arc shape.

なお、研磨テープ16をウエハ端面13に摺接させる際の研磨テープ16の押し当て度合いは、研磨するウエハ12の厚さや端面13の形状によって適宜調節すれば良い。押し当て度合いの調節は、下可変ローラ501及び上可変ローラ502をそれぞれウエハ端面の接離方向に移動させることで可能であるし、またXテーブル28を移動させて調節することでも可能である。   The degree of pressing of the polishing tape 16 when the polishing tape 16 is brought into sliding contact with the wafer end surface 13 may be appropriately adjusted depending on the thickness of the wafer 12 to be polished and the shape of the end surface 13. The pressing degree can be adjusted by moving the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 in the contact / separation direction of the wafer end surface, or by moving the X table 28.

研磨テープ16のヘッド面16aにウエハ端面13を押し当てると、図4に示すように、ヘッド面16aが屈曲角度θで屈曲して研磨される。この際、本実施形態の研磨装置10においては、下可変ローラ501と上可変ローラ502との突出量をそれぞれ調節することができることから、上可変ローラ502からウエハ端面13に向かって傾斜するヘッド面16aの傾斜角度(上傾斜角)θaと、ウエハ端面13から下可変ローラ501に向かって傾斜するヘッド面16aの傾斜角度(下傾斜角)θbとを、それぞれ独立して変更することができる。
すなわち、図5(a)に示すように、下可変ローラ501を固定し、上可変ローラ502の突出量を変化させると、下傾斜角θbは一定角度のまま、上傾斜角θaをθa1,θa2,θa3と傾斜角度を調節することができる。また、図5(b)に示すように、上可変ローラ502を固定し、下可変ローラ501の突出量を変化させると、上傾斜角θaは一定角度のまま、下傾斜角θbをθb1,θb2,θb3と傾斜角度を調節することができる。
When the wafer end surface 13 is pressed against the head surface 16a of the polishing tape 16, the head surface 16a is bent at a bending angle θ and polished as shown in FIG. At this time, in the polishing apparatus 10 of the present embodiment, since the protrusion amounts of the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 can be adjusted, the head surface inclined from the upper variable roller 502 toward the wafer end surface 13. The inclination angle (upper inclination angle) θa of 16a and the inclination angle (lower inclination angle) θb of the head surface 16a inclined from the wafer end surface 13 toward the lower variable roller 501 can be independently changed.
That is, as shown in FIG. 5A, when the lower variable roller 501 is fixed and the protrusion amount of the upper variable roller 502 is changed, the upper inclination angle θa is changed to θa1, θa2 while the lower inclination angle θb remains constant. , Θa3 and the tilt angle can be adjusted. Further, as shown in FIG. 5B, when the upper variable roller 502 is fixed and the protrusion amount of the lower variable roller 501 is changed, the lower inclination angle θb is changed to θb1, θb2 while the upper inclination angle θa remains constant. , Θb3 and the tilt angle can be adjusted.

また、図6に示すように、ヘッド面16aにウエハ端面13が摺接した状態で、下可変ローラ501及び上可変ローラ502の突出量を制御する制御部によって、下可変ローラ501と上可変ローラ502とをそれぞれ反対の方向に移動させると、ヘッド面16aの屈曲角度θを維持した状態で、ヘッド面16aを傾斜させることもできる。   As shown in FIG. 6, the lower variable roller 501 and the upper variable roller are controlled by a control unit that controls the protrusion amount of the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 in a state where the wafer end surface 13 is in sliding contact with the head surface 16a. When the head surface 16a is moved in the opposite direction, the head surface 16a can be tilted while maintaining the bending angle θ of the head surface 16a.

このように、本実施形態の研磨装置10は、ウエハ端面13に摺接した状態のヘッド面16aの屈曲角度θを自在に変えれたり、屈曲角度θを維持したままヘッド面16aを傾斜させたりすることができる。このため、傾斜角度を変えるためにわざわざウエハ端面13からヘッド面16aを離す動作をしなくても、ウエハ端面13にヘッド面16aを摺接させたまま、ウエハ端面13に摺接させるヘッド面16aの摺接角度を調節することができる。   As described above, the polishing apparatus 10 of the present embodiment can freely change the bending angle θ of the head surface 16a in sliding contact with the wafer end surface 13, or incline the head surface 16a while maintaining the bending angle θ. be able to. Therefore, the head surface 16a that is slidably contacted with the wafer end surface 13 while the head surface 16a is slidably contacted with the wafer end surface 13 is not required to move the head surface 16a away from the wafer end surface 13 in order to change the tilt angle. The sliding contact angle can be adjusted.

なお、ウエハ12には、通常、図7に示すように、ウエハを加工する際の位置基準となるようにオリフラ68(オリエンテーションフラット)やノッチ70が設けられている。このオリフラ68やノッチ70が設けられたウエハ12の直線状の端面72を研磨する場合には、吸着回転テーブル26上に停止した状態で支持して、研磨テープ16の移送による摩擦で研磨する。そして、オリフラ68やノッチ70以外の円弧状の端面13を研磨する際に、上述したように、ウエハ12を回転させて研磨を行うものである。   Note that, as shown in FIG. 7, the wafer 12 is generally provided with an orientation flat 68 (orientation flat) and a notch 70 as a position reference when processing the wafer. When the linear end surface 72 of the wafer 12 provided with the orientation flat 68 and the notch 70 is polished, the wafer 12 is supported on the suction rotary table 26 in a stopped state and polished by friction caused by the transfer of the polishing tape 16. Then, when the arc-shaped end face 13 other than the orientation flat 68 and the notch 70 is polished, the wafer 12 is rotated and polished as described above.

なお、本発明にかかるウエハ端面研磨装置は、本実施形態における装置の構成に限定されるものではない。例えば、本実施形態においては、ウエハ回転機構14が基台20上に固定され、テープ移送機構18が基台20上で移動可能に設けられているものであるが、これに限定されるものではなく、ウエハ回転機構14が基台20上に移動可能に設けられ、テープ移送機構18が基台20に固定されているものであっても良い。また、下可変ローラ501及び上可変ローラ502を移動させる移動機構も、駆動モータ56とLMガイドアクチュエータ58によるものに限定されるものでなく、下可変ローラ501および上可変ローラ502の位置を可変に設けられるものであればどのような構成のものであっても良い。   The wafer end surface polishing apparatus according to the present invention is not limited to the configuration of the apparatus in the present embodiment. For example, in the present embodiment, the wafer rotation mechanism 14 is fixed on the base 20 and the tape transfer mechanism 18 is movably provided on the base 20, but the present invention is not limited to this. Alternatively, the wafer rotation mechanism 14 may be provided so as to be movable on the base 20, and the tape transport mechanism 18 may be fixed to the base 20. Further, the moving mechanism for moving the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 is not limited to that by the drive motor 56 and the LM guide actuator 58, and the positions of the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 can be changed. Any configuration may be used as long as it is provided.

また、本実施形態においては、下可変ローラ501と上可変ローラ502の突出量を共に調節することができるように設けられているものであるが、本発明においてはこれに限定されるものではなく、下可変ローラ501と上可変ローラ502のどちらか一方のみの突出量を調節できるようにし、他方のローラを支持部材53に固定してあることであっても、ヘッド面16aの傾斜を自在に変えることができる。なお、この場合においても、下可変ローラ501と上可変ローラ502とは、移動テーブル27により移動可能に設けられていると共に、どちらか一方のローラの突出量を調節することができるように設けられていることから、各々のローラを独立して移動させることができる。   In the present embodiment, the amount of protrusion of the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 is provided so as to be adjusted. However, the present invention is not limited to this. Even if the protrusion amount of only one of the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 can be adjusted and the other roller is fixed to the support member 53, the head surface 16a can be inclined freely. Can be changed. Even in this case, the lower variable roller 501 and the upper variable roller 502 are provided so as to be movable by the moving table 27 and are provided so that the protruding amount of one of the rollers can be adjusted. Therefore, each roller can be moved independently.

本発明にかかるウエハ端面研磨装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the structure of one Embodiment of the wafer end surface grinding | polishing apparatus concerning this invention. 図1に示すウエハ端面研磨装置の状態の変化を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the change of the state of the wafer end surface grinding | polishing apparatus shown in FIG. 図1に示すウエハ端面研磨装置の一部分を拡大し、研磨の状態を示す拡大概念図である。FIG. 2 is an enlarged conceptual diagram showing a state of polishing by enlarging a part of the wafer end surface polishing apparatus shown in FIG. 1. 図1に示すウエハ端面研磨装置の一部分を拡大し、研磨の状態を示す拡大概念図である。FIG. 2 is an enlarged conceptual diagram showing a state of polishing by enlarging a part of the wafer end surface polishing apparatus shown in FIG. 1. 図1に示すウエハ端面研磨装置の一部分を拡大し、研磨の状態を示す拡大概念図である。FIG. 2 is an enlarged conceptual diagram showing a state of polishing by enlarging a part of the wafer end surface polishing apparatus shown in FIG. 1. 図1に示すウエハ端面研磨装置の一部分を拡大し、研磨の状態を示す拡大概念図である。FIG. 2 is an enlarged conceptual diagram showing a state of polishing by enlarging a part of the wafer end surface polishing apparatus shown in FIG. 1. ウエハの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of a wafer. 従来のウエハ端面研磨装置の一部分を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows a part of conventional wafer end surface polishing apparatus. 研磨されるウエハ端面の状態を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the state of the wafer end surface to grind | polish.

符号の説明Explanation of symbols

10 ウエハ端面研磨装置
12 ウエハ
13 ウエハ端面
14 ウエハ回転機構
16 研磨テープ
18 テープ移送機構
24 回転軸
26 吸着回転テーブル
27 移動テーブル
52 ヘッド部
53 支持部材
54 支持アーム
56 駆動モータ
58 LMガイドアクチュエータ
501 下可変ローラ
502 上可変ローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer end surface polishing apparatus 12 Wafer 13 Wafer end surface 14 Wafer rotation mechanism 16 Polishing tape 18 Tape transfer mechanism 24 Rotating shaft 26 Adsorption rotation table 27 Moving table 52 Head part 53 Support member 54 Support arm 56 Drive motor 58 LM guide actuator 501 Lower variable Roller 502 Upper variable roller

Claims (3)

略円板状に形成されたウエハを支持し、ウエハを軸線廻りに回転させるウエハ回転機構と、該ウエハ回転機構により支持されたウエハの回転面を挟む位置に設けられた一対のローラにガイドされて、ウエハの回転面を横切る方向に研磨テープを移送させるテープ移送機構とを備え、回転するウエハの端面に研磨テープを摺接させてウエハの端面を研磨するウエハ端面研磨装置において、
前記一対のローラの各々が、独立してウエハ端面に接離する方向に移動可能に設けられていることを特徴とするウエハ端面研磨装置。
Guided by a wafer rotation mechanism that supports a wafer formed in a substantially disc shape and rotates the wafer around an axis, and a pair of rollers provided at a position sandwiching the rotation surface of the wafer supported by the wafer rotation mechanism. A wafer transfer device that includes a tape transfer mechanism that transfers the polishing tape in a direction across the rotation surface of the wafer, and that polishes the end surface of the wafer by sliding the polishing tape against the end surface of the rotating wafer.
Each of the pair of rollers is provided so as to be able to move independently in a direction in which the roller comes into contact with or separates from the wafer end surface.
前記テープ移送機構が、基台上でウエハ端面に接離する方向に移動可能な移動テーブルに支持され、
前記基台上に固定された前記ウエハ回転機構に保持されたウエハの端面に、研磨テープを、研磨テープの傾斜を維持した状態で接離させることができるように設けられていることを特徴とする請求項1記載のウエハ端面研磨装置。
The tape transfer mechanism is supported by a moving table that is movable in a direction of contacting and separating from the wafer end surface on the base,
The polishing tape is provided on the end surface of the wafer held by the wafer rotation mechanism fixed on the base so that the polishing tape can be contacted and separated while maintaining the inclination of the polishing tape. The wafer end surface polishing apparatus according to claim 1.
前記テープ移送機構は、前記移動テーブルに固定された支持部材に、前記一対のローラの各々が前記支持部材から突出した状態で支持され、
前記一対のローラの少なくともどちらか一方が、前記支持部材からの突出量を可変に設けられていることを特徴とする請求項2記載のウエハ端面研磨装置。
The tape transfer mechanism is supported by a support member fixed to the moving table in a state where each of the pair of rollers protrudes from the support member,
The wafer end surface polishing apparatus according to claim 2, wherein at least one of the pair of rollers is provided with a variable amount of protrusion from the support member.
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