[go: up one dir, main page]

JP2005116628A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005116628A
JP2005116628A JP2003345904A JP2003345904A JP2005116628A JP 2005116628 A JP2005116628 A JP 2005116628A JP 2003345904 A JP2003345904 A JP 2003345904A JP 2003345904 A JP2003345904 A JP 2003345904A JP 2005116628 A JP2005116628 A JP 2005116628A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
state imaging
imaging device
substrate
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003345904A
Other languages
English (en)
Inventor
Michihito Kawabata
理仁 川端
Takafumi Kishi
隆文 岸
Yoshinori Okamoto
嘉紀 岡本
Masanori Yasutake
正憲 安武
Shoichi Tanaka
彰一 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2003345904A priority Critical patent/JP2005116628A/ja
Publication of JP2005116628A publication Critical patent/JP2005116628A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】樹脂の流出を防止するとともに位置ずれを防止し、撮像特性に優れた固体撮像装置を提供する。製造工程の簡略化をはかる。電気的接続及び機械的接続を確実にするとともに、固体撮像素子の接着品質の向上をはかる。
【解決手段】貫通開口部1を有し、配線回路部2を備えた絶縁性基板3と、前記貫通開口部1に装着された固体撮像素子5と、前記固体撮像素子5から所定の間隔を隔てて前記貫通開口部を塞ぐように配設された透光性部材8とを具備してなり、前記絶縁性基板3の前記配線回路部に対して前記固体撮像素子5を電気的に接続すると共にその周囲が樹脂層4を介して固着せしめられており、前記樹脂層のうち前記貫通開口部に臨む領域が壁状の光硬化層4Sを構成するとともに残る領域が熱硬化層を構成してなる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に係り、特に、監視カメラ、医療用カメラ、車載用カメラなどの半導体撮像素子を用いて形成される小型の固体撮像装置における撮像エリアへの樹脂の染み出し防止に関するものである。
近年、この種の撮像装置は、レンズなどの光学系を介して入力される画像を電気信号として出力するものである。そしてこの撮像装置の小型化、高性能化に伴い、カメラも小型化され、各方面で使用されてきており、映像の入力装置としての市場を広げている。
従来の半導体撮像素子を用いた撮像装置は、レンズ、半導体撮像素子、その駆動回路および信号処理回路などを搭載したLSI等の部品を夫々筐体あるいは構造体に形成してこれらを組み合わせている。このような組み合わせによる実装構造のひとつに、平板状のプリント基板上に各素子部品を搭載することによって形成されるものがある。
そこで、装置の更なる小型化をはかるために、CCD,CMOSなどの撮像素子をベアチップ方式で実装したものが提案されている。実装基板は、撮像素子の撮像エリアの性能を阻害することなく外部レンズに取り出すことができるように、撮像エリアを臨むように実装基板に開口部を設けるか、撮像エリア部が透明体となるように形成される。
この一例として、対向する第1および第2の主面に連通した開口部を有し、複数のリードを備えた配線基板に、固体撮像素子を実装した、固体撮像装置が提案されている(特許文献1)。この例では、図8に一例を示すように、貫通開口部101を有するとともに配線パターン102を形成した配線基板103の開口部を連続して取り囲むように絶縁性接着剤104を形成し、フェースダウンで固体撮像素子チップ105を接合している。そしてこの配線基板の貫通開口部101を臨むように接着剤107を介して透光性基板108が接合されている。
そしてこの場合、固体撮像素子チップ105のバンプ106が前記配線パターンと電気的に接続しており、両者の位置合わせは極めて重要である。
従来、異方性導電性樹脂(ACFやACP)、あるいは絶縁性樹脂(NCFやNCP)を用いた熱圧接法による実装方法がとられている。
しかしながら熱硬化による樹脂硬化方法では、樹脂が硬化前に撮像エリアに流れ出し、これが撮像の障害となるという問題が発生している。
またこの問題を防止するために、本来配線を必要としない領域にダミー配線パターンを形成し、ダミー配線パターンをダムにして樹脂の流れ出しを防止する方法が提案されている。しかしながら、このようなダミー配線パターンは導体パターンであるため、放熱性も高い。従って熱圧接に際し、放熱性を高める結果となり、熱圧接に際し、より大きな熱量を必要とすることになる。従って必要な加熱温度・時間を、このようなダムのない場合に比べ、加熱温度を高く設定したり、時間を長く設定したりする必要がある。これはCCDやCMOSの耐熱性や、実装生産性に影響が大きい。
また、本出願人は、チップと配線パターンとを接合した後、この接合部に、紫外線(UV)照射をしながらUV硬化性の付加された絶縁性樹脂を流し込むという方法を提案している(特許文献2)。
この方法では、先にチップと配線パターンとの接合を行い、この後絶縁性樹脂を流し込むという方法がとられるため、使用する樹脂は低粘度化が必須であり、また濡れによる広がりが大きいため必要以上に樹脂を供給する必要がある。
また電気的接続と樹脂による接合とが2段階で行われるため、生産性が十分でない。
また、電気的接続のなされた接合部の接合を保持するため、熱歪の少ない条件下で加熱しなければならず、熱硬化を低温でゆっくり行う必要がある。
また電気的接続を保持した状態で絶縁性樹脂による接合を行う必要があるため、可撓性基板では接合が外れてしまうおそれがあるなど多くの制約があった。
特許第3207319号公報 特開平11−220115号公報
このように、従来の実装方法では、実装時における接着性樹脂の流出により、CCDなどのベアチップの汚染を招くことがある。
そして樹脂の流出を防止するために配線パターンでダムを形成しようとすると、熱圧着時に熱の流出を招き熱効率が悪く、十分な接合が出来ないという問題がある。
また、電気的接続後、樹脂の流し込みを行う場合には生産性が十分でなく、絶縁性樹脂の硬化時に電気的接続の脱落を招きやすいという問題がある。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、樹脂の流出を防止するとともに位置ずれを防止し、撮像特性に優れた固体撮像装置を提供することを目的とする。
また製造工程の簡略化をはかることを目的とする。
また、固体撮像素子の電気的接続及び機械的接続を確実にするとともに、固体撮像素子の接着品質の向上をはかることを目的とする。
そこで本発明では、貫通開口部を有し、配線回路部を備えた基板と、前記貫通開口部に装着された固体撮像素子とを具備し、前記基板の前記配線回路部に対して前記固体撮像素子が電気的に接続され、この電気的に接続された部分の周囲が樹脂層を介して固着されており、前記樹脂層のうち前記貫通開口部に臨む領域が壁状に光硬化され、残る領域が熱硬化されている。
この構成により、樹脂層の貫通開口部に臨む領域が壁状に光硬化されており、この光硬化された樹脂層がダムとなって樹脂の流出を防止しているため、樹脂の染み出しなしに、信頼性の高い実装構造を得ることが可能となる。また、貫通開口部に緻密で均一なUV硬化層が形成されるため、水分の浸入経路を絶ち、長寿命で信頼性の高いものとなる。また樹脂の流出により応力集中を伴う形状となるのを回避でき、より高い接続信頼性を得ることが可能となる。
また、本発明では、上記固体撮像装置において、前記固体撮像素子から所定の間隔を隔てて前記貫通開口部を塞ぐように配設された透光性部材を具備し、前記基板は絶縁性基板であり、前記配線回路部は、前記絶縁性基板上の前記固体撮像素子の装着される部分にその一部が露呈せしめられた配線パターンを有するとともに、前記固体撮像素子は前記回路部の前記配線パターンにフェースダウンで直接接続されている。
またこの配線回路部は、前記絶縁性基板上の前記固体撮像素子の装着される部分にその一部が露呈せしめられた配線パターンを有する多層配線構造であってもよい。
この構成により、所望の配線パターンを具備した固体撮像装置を小型化することが可能となる。
また、本発明では、上記固体撮像装置において、前記基板は、遮光性基板である。
この構成により、裏面から光を照射するのみで貫通開口部の周縁にのみ選択的に光照射を行うことができ、上記壁状の光硬化された領域を容易に作業性よく形成することが可能となる。
また、本発明では、上記固体撮像装置において、前記樹脂層はUV硬化性及び熱硬化性を具備した樹脂で構成される。
この構成により、UV照射により極めて容易にダムとなるUV硬化層を形成することができ、またこの後加熱により良好に熱硬化させることができる。
また、本発明では、上記固体撮像装置において、前記樹脂層はUV硬化性の付加された熱硬化性アクリル樹脂で構成される。
また、本発明では、上記固体撮像装置において、前記樹脂層はUV硬化性の付加された熱硬化性エポキシ樹脂で構成される。
さらにまた、ベース樹脂として、Pbフリーはんだリフロー条件にも耐える、耐熱性に優れたエポキシ樹脂を用い、温度が200±50℃、時間が1〜30secの加熱条件で、熱圧接方式により電極間接続と電極周辺の封止を可能とする熱硬化型の硬化系、例えば、重付加型の酸無水物系や触媒型のアニオン重合系(アミン、イミダゾールなど)の硬化樹脂を用いるのが望ましい。そしてこのベース樹脂にUV硬化系樹脂として、触媒型のカチオン重合系の硬化樹脂を付加する。
また、本発明では、上記固体撮像装置において、前記基板が、信号処理回路の集積化された半導体基板である。
この構成により、チップ部品の搭載が不要でかつ小型化薄型化が可能となり、しかも実装後ダイシングすることにより個々の部品に分割するいわゆるCSP工程での形成が容易となる。
また、本発明は、中央部に貫通開口部を有し、配線回路部を有する基板に、前記貫通開口部を臨むように樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を介して固体撮像素子を装着する固体撮像素子装着工程と、前記絶縁性基板側から前記貫通開口部を介して紫外線(UV)を照射し、前記樹脂層のうち、前記貫通開口部を臨むように形成された領域を硬化してUV硬化層を形成する工程と、前記固体撮像素子と前記配線回路部とが電気的に接続するように加圧しつつ前記樹脂層を加熱し、前記固体撮像素子を前記配線回路部に熱圧着する工程とを含む。
この構成により、貫通開口部を介してUV硬化を行うことにより、マスクを新たに形成することなく、貫通開口部を臨むUV硬化層を形成することができる。そして熱圧着を行うことによりこのUV硬化層がダムとなり、樹脂の流出を防止することができ、容易に作業性よく信頼性の高い接合を実現することが可能となる。また、電気的接合と機械的接合が同一工程で実現され得るため、信頼性の高いものとなる。
また、本発明は、前記固体撮像装置の製造方法において、前記熱圧着する工程の後、前記基板の前記貫通開口部を塞ぐように透光性部材を装着する透光性部材装着工程を含む。
この構成により、固体撮像素子を実装後、透光性部材を接合しているため、固体撮像素子圧着時に発生するガスを効率よく逃がすことができる。
また、本発明は、前記固体撮像装置の製造方法において、前記固体撮像素子装着工程に先立ち、配線層を有する前記基板の貫通開口部を塞ぐように透光性部材を装着する透光性部材装着工程を含む。
この構成により、上記効果に加え、固体撮像素子実装後の熱工程が少なくなり、素子特性の劣化を防止することができる。
また、本発明は、前記固体撮像装置の製造方法において、前記基板は遮光性基板である。
この構成により、貫通開口部を介して光硬化処理を行うことによりダムを形成する際、自己整合的に良好な壁状のUV硬化層を形成することができる。
また、本発明は、前記固体撮像装置の製造方法において、前記基板は透光性基板である。
この構成により、光硬化処理を行うことによりダムを形成する際、設計が極めて容易となる。
また、本発明は、前記固体撮像装置の製造方法において、前記UV硬化層を形成する工程に先立ち、前記基板に遮光性部材を装着する工程を含む。
この構成により、透光性基板を用いる場合にも容易に作業性よくダムを形成することができる。
また、本発明は、前記固体撮像装置の製造方法において、前記UV硬化層を形成する工程は、前記配線回路部の接合部に開口する遮光性部材をマスクとしてUV照射を行い、前記配線回路部をマスクとして少なくとも一部を自己整合的にUV硬化する工程である。
この方法によれば、配線回路部をマスクとして利用するため自己整合的にUV硬化層のエッジが形成されるため、マスク精度が不要でありながらも、樹脂の染み出しを高精度に実現することができる。
なお、ここで貫通開口部とは、形状的な開口のみならず、透光性窓も含むものとする。
本発明によれば、貫通開口部からのUV照射により形成されたUV硬化層をダムとして、熱圧着により電気的接続と機械的接続とを同時に実現するようにしているため、作業性の向上をはかるとともに信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
(実施の形態1)
本実施の形態1の固体撮像装置の要部説明図を図1に示す。
この固体撮像装置は、固体撮像素子チップ5を配設するに際し、UV硬化性の付加された熱硬化性樹脂層4を用いて絶縁性基板の貫通開口部1を臨む領域に固着してなるもので、先にこの貫通開口部から光照射を行い、壁状にUV硬化することによりUV硬化層4Sを形成し、これをダムとして、熱硬化性樹脂を硬化させることにより、熱硬化層4Hを形成し撮像エリアとなる貫通開口部への樹脂の流れ出しを防止するものである。
すなわち、この固体撮像装置は、貫通開口部1を有し、配線回路部を備えた遮光性の絶縁性基板3と、この貫通開口部1に装着された固体撮像素子チップ5と、固体撮像素子チップ5から所定の間隔を隔てて前記貫通開口部1を塞ぐように配設された透光性部材としてのガラス基板8とを具備し、この絶縁性基板3の配線回路部に対して固体撮像素子チップ5を電気的に接続すると共にその周囲が、UV硬化性の付加された熱硬化性樹脂からなる樹脂層4を介して固着せしめられており、この樹脂層のうち貫通開口部1に臨む領域が壁状のUV硬化層4Sを構成し、その内側に残る領域が熱硬化層4Hを構成してなる。
ここでこの絶縁性基板3は、中央に1辺3mmの角型の貫通開口部1を有し、スクリーン印刷法で形成された膜厚20μm程度の銅パターンからなる配線パターン2を表面及び裏面に形成してなるポリフタルアミド樹脂からなる板厚100μmの遮光性基板で構成されている。
また、この絶縁性基板の他方の面側には透光性のガラス基板8からなるIRフィルタおよびレンズ鏡筒10が形成されている。一方このレンズ鏡筒10の周りにはI/Oコネクタ11、コンデンサや抵抗などのチップ部品12、制御MCM13等が固着されている。
この絶縁性樹脂は、重付加型の酸無水物系や触媒型のアニオン重合系(アミン、イミダゾール)などの硬化樹脂に、触媒型のカチオン重合系の硬化樹脂を付加してなるものである。ここで触媒としては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ガリウムランプなどの主波長で、100〜1000mW/cm2の照度を当て、照射量で、1000〜3000mJ/cm2で硬化が成り立つ触媒量を添加するのが望ましい。また、UV硬化された領域は、この樹脂層を加熱する際に、熱流動により、応力破壊しない膜厚・硬度にすることが望ましい。更に膜厚・硬度は、電極との接合に影響しないものである必要がある。具体的には、上記UV照射で硬化厚み50±25μm、硬度は、実装するICのパシベーション膜を破壊しない硬度を上限に設計を行う。
また、ICパシッベーションを破壊しない上限硬度で、樹脂層を熱圧着する際に膜が破れる場合は、熱圧着時にもUV照射することで、破壊して出てきた樹脂をUV硬化すれば、より確実に接合することができる。この場合、熱圧着温度はUV硬化性触媒がガス化しない温度で行う必要がある。これにより、UV硬化した状態から、熱硬化による実装を行った場合、従来の熱硬化性樹脂実装と同じ接続信頼性を得ることができかつ、UV硬化した膜が絶縁性樹脂の流れ出しを防ぐため固体撮像装置の撮像特性を良好に維持することができる。
また、従来の絶縁性樹脂のみの場合は、絶縁性樹脂の供給形状と同一の波打ったフィレット形状となることが多いが、開口部に均一で緻密なUV硬化層膜が形成されるので、水分の浸入経路を絶つことができ耐湿性の向上をはかることができる。また、応力集中を伴う形状を回避することができ、より高い接続信頼性を得ることが可能となる。
ここで光学フィルタを構成する透光性のガラス基板3は水晶屈折板で構成され、接着剤を介して周縁部で絶縁性基板1に固定されている。
次に、この固体撮像装置の製造方法について説明する。
まず、図2(a)に示すように、ポリフタルアミド樹脂からなる遮光性の絶縁性基板3を用意し、中央に1辺3mmの角型の貫通開口部1を形成するとともに、スクリーン印刷法によって膜厚20μm程度の銅パターンからなる配線パターン2を形成する。なおこの銅パターンの表面は熱圧着法に適したNi、Auめっきであることが望ましい。
続いて、図2(b)に示すように、この絶縁性基板の配線パターンの一部を覆うように上述した絶縁性樹脂を塗布し樹脂層4を形成する。
こののち、薄膜を挟むように積層して薄膜コンデンサを形成したり、配線パターン間に抵抗体薄膜を配置し、薄膜抵抗体を形成したり、さらには必要に応じてチップ部品を接続する。
さらに図2(c)に示すように、この絶縁性基板3表面の配線パターン2に、固体撮像素子チップ5のバンプ6が接するように、配置し、樹脂の熱硬化温度を上まわらない温度で加熱するとともに若干加圧して仮固定し、貫通開口部1を介して絶縁性基板3側からUV照射を行う。ここでUV照射の条件は、このUV硬化層4Sが壁厚50μm程度となるように、使用する樹脂層および固体撮像素子チップに応じて決定するようにすればよい。
この後図2(d)に示すように、この絶縁性基板3表面の配線パターン2に、固体撮像素子チップ5のバンプ6が当接するように、ツールTで加熱しつつ加圧する。
そして、200℃10秒程度の熱圧着処理を行い、配線パターンとバンプとの接続を
確実化し、半導体チップと絶縁性基板との接合を確実にする。このとき加熱加圧と同時に
UV照射を行うようにしてもよい。なお、熱圧着処理については150℃30秒、250度1秒程度でもよい。
そして、熱圧着用のツールTを外し、図2(e)に示すように接続がなされる。
一方、水晶板の表面に所望の屈折率を有する多層構造の誘電体薄膜を蒸着し誘電体干渉フィルタからなるガラス基板8からなる透光性部材としての光学フィルタを形成する。
そして、絶縁性基板3の固体撮像素子チップ搭載面に対向する面側に、貫通開口部1を塞ぐように、光学フィルタ(8)を貼着する。
続いて、絶縁性基板3にコネクタ11、コンデンサ、抵抗などのチップ部品12、制御MCM13などを接続し、最後に、レンズ鏡筒10を、図示しない接着性樹脂によって絶縁性基板3または光学フィルタとしてのガラス基板8に接続し図1に示した固体撮像装置が形成される。
このようにして形成された固体撮像装置では、貫通開口部1を臨むように所定の厚さで形成された壁状のUV硬化層4Sによって樹脂の流れ出しを確実に防止することができるため確実で信頼性の高い接続が可能となる。
また、固体撮像素子を配線パターン上に装着(仮固定)と同時に、UV照射を行い、ダムとなるUV硬化層4Sを形成し、仮固定したのち、熱圧着によりバンプと配線パターンとの電気的接続と、機械的接合とを同時に行うようにしているため、生産性が高い。
また、ダムの存在により、十分に加熱し樹脂の流動性を高めた上で加圧することができ、確実な接続が可能となり、固体撮像素子の配線回路部との接続の確実性を高めることができる。
また、固体撮像素子の配線パターンへの位置決めに際しても、粘度の高い樹脂を用いて仮固定するようにすれば、熱圧着工程間出に位置ずれが発生することもない。
また、仮固定なしに一括固定するようにしてもよいことはいうまでもない。
また、絶縁性基板への貫通開口部の形成に際しては、レーザ加工等を用いればよい。また配線回路部の形成に際しても、スクリーン印刷法に限定されることなく、スパッタリングあるいはメッキ等を用いるようにしてもよい。
(実施の形態2)
本実施の形態2の固体撮像装置の製造工程について説明する。
前記実施の形態1では、固体撮像素子チップを装着後、透光性部材としてのガラス基板8を形成したが、本実施の形態ではガラス基板を先に装着する。
次に、この固体撮像装置の製造方法について説明する。
まず、前記実施の形態1と同様に、遮光性の絶縁性基板3を用意し、貫通開口部1を形成するとともに、配線パターン2を形成した後、この絶縁性基板3の貫通開口部1を塞ぐように、固体撮像素子チップ搭載面に対向する面側に、光学フィルタ3を貼着する(図3(a))。
続いて、図3(b)に示すように、この絶縁性基板の配線パターンの一部を覆うように上述した絶縁性樹脂を塗布し樹脂層4を形成する。
さらに図3(c)に示すように、前記実施の形態1と同様に、この絶縁性基板3表面の配線パターン2に、固体撮像素子チップ5のバンプ6が接するように配置し、若干加圧して仮固定し、貫通開口部1を介して絶縁性基板3側からUV照射を行い、壁状のUV硬化層4Sを形成する。
この後前記実施の形態1と同様にして、図3(d)に示すように、この絶縁性基板3表面の配線パターン2に、固体撮像素子チップ5が当接するように、ツールTで加熱しつつ加圧する。
そして、熱圧着用のツールTを外し、図3(e)に示すように接続がなされ、図1に示した固体撮像装置が形成される。
この方法によっても前記実施の形態1と同様に、UV硬化層4Sによって樹脂の流れ出しを確実に防止することができるため確実で信頼性の高い接続が可能となる。
またこの方法によれば、上記効果に加えて、固体撮像素子チップが、ガラス基板(透光性部材)8の固着に際して発生するガスによる汚染を防止することができる。
さらにここでは固体撮像素子実装時に発生する、内部ガスを抜くことができるように、貫通開口部1に通じる貫通孔を光学フィルタの一部または光学フィルタ接着部などに形成しておくのが望ましい。他部については、上記第1の実施の形態と同様に形成されている。
(実施の形態3)
前記実施の形態では、遮光性の絶縁性基板を用いた場合について説明したが、この例では透光性の絶縁性基板を用いた場合について説明する。
この場合、図2(c)、(d)および図3(c)、(d)に相当するUV照射工程において、図4に示すように貫通開口部に相当する領域に開口Oを有する金属製の遮光マスクMを装着した状態でUV照射を行う点が異なるのみである。
この方法によっても絶縁性基板を自由に選択することができ、しかも遮光マスクを装着するのみでよいため作業性も向上する。
なお、この場合、透光性基板13は貫通開口部をもたない透光性基板であってもよい。
(実施の形態4)
前記実施の形態では、周辺回路を構成するチップ部品を形成したハイブリッド基板を用いたが、この例では、回路部品を集積化したシリコン基板を貼り合わせたり、このシリコン基板を基板として用いるなど半導体基板23を用いてもよい。また図5に示すように多層配線基板を用いてもよい。
これにより、小型化をはかることができるとともに、実装後ダイシングをするいわゆるチップサイズパッケージとして実装することも可能となる。
製造に際しても、所望の素子領域を形成してなる半導体基板23を形成し、この半導体基板23上に固体撮像素子基板、および光学フィルタとなる透光性基板を接合し、最後にダイシングラインにしたがってダイシングし、固体撮像装置を得るようにすることも可能である。
(実施の形態5)
また前記実施の形態では、樹脂層は、貫通開口部を形成した後、1工程の塗布によって形成したが、本実施の形態では、貫通開口部に対応する領域に感光性樹脂を塗布形成した後、貫通開口部を開口し、この貫通開口部を介して、UV照射をし、UV硬化レジスト層14Sからなるダムを形成した後、熱硬化性樹脂層14Hを形成する。
この状態で固体撮像素子チップ5を装着し、前記実施の形態2の図2(d)に示した工程と同様にして、熱圧着を行う。すなわち図6(a)に示すように、膜厚20μm程度のめっき層からなる配線パターン2の形成された板厚100μm程度の遮光性の絶縁性基板3の表面に、膜厚50μm程度の感光性フォトレジスト14Rを塗布し、打ち抜きまたはケミカルエッチングにより貫通開口部1を形成する。ここで感光性樹脂膜としては、ポリイミド、エポキシ、ウレタン変成エポキシなどを用いる、
そして図6(b)に示すように、この貫通開口部1を介して遮光性基板の裏面側から光照射を行いUV硬化層14Sを形成する。
さらに図6(c)に示すように、このUV硬化層14Sをダムとして、この内側に熱硬化性樹脂層14Nを塗布する。この熱硬化性樹脂層としてはエポキシ、ウレタン変成エポキシ等を用いる。
このようにして、UV硬化層14Sをダムとして内側に熱硬化性樹脂層14Nを形成した絶縁性基板3の貫通開口部1に臨む配線パターン2に、固体撮像素子チップ5のバンプ6が接するように、配置し、前記実施の形態1及び2と同様に、熱圧着を行う。
このようにして形成された固体撮像装置では、貫通開口部1を臨むように所定の厚さで形成された壁状のUV硬化層14Sによって樹脂の流れ出しを確実に防止することができるため確実で信頼性の高い接続が可能となる。
また本実施の形態では、UV硬化性樹脂層と熱硬化性樹脂層とを別に形成したが、UV硬化層にも若干の熱硬化性物質を含有させるようにしてもより良好な固定が可能となる。
(実施の形態6)
また前記実施の形態5では、UV硬化層の形成に際し、遮光性の絶縁性基板を用い、この絶縁性基板に形成された貫通開口部を介して光照射をすることにより実現したが、この例では、フィルムキャリアなどの透光性基板を使用した例について説明する。
この方法では、前記実施の形態1乃至4と同様に、UV硬化性の付加された熱硬化性の樹脂を用いた感光性の樹脂テープを用い、配線パターンおよび遮光マスクM1をマスクとして接合すべき領域にUV硬化層19Sと化した樹脂層とその内側に熱硬化樹脂層を形成した樹脂層のパターンを接合領域に形成するものである。
まず、銅箔を貼着したフィルム基板を出発材料としフォトリソグラフィを用いて銅箔をパターニングすることにより、銅パターンからなる配線パターン12を形成する。そして、この透光性基板13に感光性の樹脂テープ19を貼着する。
そして図7(a)に示すように、固体撮像素子チップのバンプに対応する領域に開口Oを有する金属製の遮光マスクM1を装着した状態でUV照射を行う。
これにより図7(b)に示すように、開口Oに相当する領域の感光性樹脂テープ19が硬化せしめられ、UV硬化層19Sからなるダムが形成される。このとき、配線パターン12上の感光性の樹脂テープ19は配線パターン12によって遮光され、そのまま樹脂層19Nとして残る。
この状態で、貫通開口部1を打ち抜きにより形成し、前記実施の形態と同様に、固体撮像素子チップを搭載し熱圧着することにより、樹脂層19Nは良好に流動化され、熱硬化によって強固な接合状態を形成する。
この方法によっても絶縁性基板を自由に選択することができ、しかも遮光マスクを装着するのみでよいため作業性も向上する。また、配線パターン12を遮光マスクとして使用し、配線パターン12上の樹脂層がUV硬化するのを防ぐことができるため、自己整合的にUV硬化層が形成され、信頼性の高い接続を実現することが可能となる。
この方法によれば、配線パターンをマスクの一部に用いるため、高度のマスク精度は不要であり、容易に高精度の微細パターン構造を形成することができる。
なお、貫通開口部を打ち抜きによって形成したが、この貫通開口部は不要である場合もある。この場合はこの貫通開口部に相当する領域に対応して樹脂テープに孔を形成しておくようにすればよい。
また実施の形態では透光性部材として光学フィルタを用いたが光学フィルタに限定されることなく、透光性の封止部材、レンズなど適宜変形可能である。
また、前記実施の形態では、固体撮像素子チップについて説明したが、これに限定されることなく、通常のICチップなど、中空実装の必要な半導体チップにも適用可能であることはいうまでもない。
本発明の固体撮像装置は、貫通開口部からのUV照射により形成されたUV硬化層をダムとして、熱圧着により電気的接続と機械的接続とを同時に実現するようにしているため、作業性が良好でかつ信頼性の高いことから、カメラとして、光通信分野に限定されることなく、CD、DVDなどの読み取り素子、複写機の読み取り素子、医療機器あるいはドアホンなど、種々の光学機器への適用が可能である。
本発明の第1の実施の形態における固体撮像装置を示す断面図である。 本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施の形態の固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第3の実施の形態における固体撮像装置を示す断面図である。 本発明の第4の実施の形態における固体撮像装置を示す断面図である。 本実施の形態5の固体設像装置の製造工程を示す断面図である。 本実施の形態6の固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。 従来例の固体撮像装置を示す要部説明図である。
符号の説明
1 貫通開口部
2 配線パターン
3 絶縁性基板
4 樹脂層
4S UV硬化層
4H 熱硬化層
5 固体撮像素子
6 バンプ
8 光学フィルタ(透光性部材)
10 鏡筒

Claims (13)

  1. 貫通開口部を有し、配線回路部を備えた基板と、
    前記貫通開口部に装着された固体撮像素子とを具備し、
    前記基板の前記配線回路部に対して前記固体撮像素子が電気的に接続され、
    この電気的に接続された部分の周囲が樹脂層を介して固着されており、
    前記樹脂層のうち前記貫通開口部に臨む領域が壁状に光硬化され、
    残る領域が熱硬化されている固体撮像装置。
  2. 請求項1に記載の固体撮像装置であって、
    前記固体撮像素子から所定の間隔を隔てて前記貫通開口部を塞ぐように配設された透光性部材を具備し、
    前記基板は、絶縁性基板であり、
    前記配線回路部は、前記絶縁性基板上の前記固体撮像素子の装着される部分にその一部が露呈せしめられた配線パターンを有し、
    前記固体撮像素子は前記回路部の前記配線パターンにフェースダウンで直接接続されている固体撮像装置。
  3. 請求項1または2に記載の固体撮像装置であって、
    前記基板は、遮光性基板である固体撮像装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置であって、
    前記樹脂層は紫外線(UV)硬化性及び熱硬化性を具備した樹脂で構成される固体撮像装置。
  5. 請求項4に記載の固体撮像装置であって、
    前記樹脂層は紫外線硬化性の付加された熱硬化性アクリル樹脂で構成される固体撮像装置。
  6. 請求項4に記載の固体撮像装置であって、
    前記樹脂層はUV硬化性の付加された熱硬化性エポキシ樹脂で構成される固体撮像装置。
  7. 請求項1に記載の固体撮像装置であって、
    前記基板は、信号処理回路の集積化された半導体基板である固体撮像装置。
  8. 中央部に貫通開口部を有し、配線回路部を有する基板に、前記貫通開口部を臨むように樹脂層を形成する工程と、
    前記樹脂層を介して固体撮像素子を装着する固体撮像素子装着工程と、
    前記基板側から前記貫通開口部を介して紫外線を照射し、前記樹脂層のうち、前記貫通開口部を臨むように形成された領域を硬化してUV硬化層を形成する工程と、
    前記固体撮像素子と前記配線回路部とが電気的に接続するように加圧しつつ前記樹脂層を加熱し、前記固体撮像素子を前記配線回路部に熱圧着する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。
  9. 請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法であって、
    前記熱圧着する工程の後、
    前記基板の前記貫通開口部を塞ぐように透光性部材を装着する透光性部材装着工程とを含む固体撮像装置の製造方法。
  10. 請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法であって、
    前記固体撮像素子装着工程に先立ち、
    配線層を有する前記基板の貫通開口部を塞ぐように透光性部材を装着する透光性部材装着工程を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  11. 請求項8乃至10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法であって、
    前記基板は遮光性基板である固体撮像装置の製造方法。
  12. 請求項8乃至10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法であって、
    前記基板は透光性基板であって、
    前記UV硬化層を形成する工程に先立ち、前記基板に前記貫通開口部に対応した位置に開口を有する遮光性部材を装着する工程を含む固体撮像装置の製造方法。
  13. 請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法であって、
    前記UV硬化層を形成する工程は、前記配線回路部の接合部に開口する遮光性部材をマスクとしてUV照射を行い、前記配線回路部をマスクとして少なくとも一部を自己整合的にUV硬化する工程である固体撮像装置の製造方法。
JP2003345904A 2003-10-03 2003-10-03 固体撮像装置およびその製造方法 Pending JP2005116628A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003345904A JP2005116628A (ja) 2003-10-03 2003-10-03 固体撮像装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003345904A JP2005116628A (ja) 2003-10-03 2003-10-03 固体撮像装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005116628A true JP2005116628A (ja) 2005-04-28

Family

ID=34539036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003345904A Pending JP2005116628A (ja) 2003-10-03 2003-10-03 固体撮像装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005116628A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008171925A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Denso Corp 接合構造体の製造方法
JP2008226895A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 New Japan Radio Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US7679669B2 (en) 2006-05-18 2010-03-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Camera module package
JP2010510542A (ja) * 2006-11-16 2010-04-02 テッセラ・ノース・アメリカ・インコーポレイテッド 光学積層体を採用したカメラシステムにおける迷光の制御およびその関連方法
JP2011086670A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Renesas Electronics Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2011243612A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
US8300124B2 (en) 2005-11-25 2012-10-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Image sensor module and camera module package having the same
CN102833474A (zh) * 2012-08-10 2012-12-19 苏州佳世达电通有限公司 摄像头及安装摄像头的方法
WO2014010258A1 (ja) * 2012-07-13 2014-01-16 パナソニック株式会社 半導体封止用アクリル樹脂組成物とそれを用いた半導体装置およびその製造方法
US9118825B2 (en) 2008-02-22 2015-08-25 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. Attachment of wafer level optics
US9419032B2 (en) 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
JP2020068349A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 パナソニック株式会社 撮像モジュール
WO2021098631A1 (zh) * 2019-11-18 2021-05-27 维沃移动通信有限公司 电子设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799218A (ja) * 1992-10-02 1995-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、イメージセンサ装置及びそれらの製造方法
JPH11121653A (ja) * 1997-07-31 1999-04-30 Fuji Film Microdevices Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JPH11220115A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の製造方法
JP2001085653A (ja) * 1999-09-13 2001-03-30 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2001308301A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法
JP2002198502A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Seiko Epson Corp 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2003168792A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2003174154A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799218A (ja) * 1992-10-02 1995-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、イメージセンサ装置及びそれらの製造方法
JPH11121653A (ja) * 1997-07-31 1999-04-30 Fuji Film Microdevices Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JPH11220115A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の製造方法
JP2001085653A (ja) * 1999-09-13 2001-03-30 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2001308301A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法
JP2002198502A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Seiko Epson Corp 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2003168792A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2003174154A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8300124B2 (en) 2005-11-25 2012-10-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Image sensor module and camera module package having the same
US7679669B2 (en) 2006-05-18 2010-03-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Camera module package
JP2010510542A (ja) * 2006-11-16 2010-04-02 テッセラ・ノース・アメリカ・インコーポレイテッド 光学積層体を採用したカメラシステムにおける迷光の制御およびその関連方法
JP2008171925A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Denso Corp 接合構造体の製造方法
JP2008226895A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 New Japan Radio Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US9118825B2 (en) 2008-02-22 2015-08-25 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. Attachment of wafer level optics
US9419032B2 (en) 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
JP2011086670A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Renesas Electronics Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2011243612A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
WO2014010258A1 (ja) * 2012-07-13 2014-01-16 パナソニック株式会社 半導体封止用アクリル樹脂組成物とそれを用いた半導体装置およびその製造方法
CN102833474B (zh) * 2012-08-10 2015-04-08 苏州佳世达电通有限公司 摄像头及安装摄像头的方法
CN102833474A (zh) * 2012-08-10 2012-12-19 苏州佳世达电通有限公司 摄像头及安装摄像头的方法
JP2020068349A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 パナソニック株式会社 撮像モジュール
JP7294792B2 (ja) 2018-10-26 2023-06-20 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 撮像モジュール
WO2021098631A1 (zh) * 2019-11-18 2021-05-27 维沃移动通信有限公司 电子设备
US12149813B2 (en) 2019-11-18 2024-11-19 Vivo Mobile Communication Co., Ltd. Electronic device including display module and camera module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7547955B2 (en) Semiconductor imaging device and method for manufacturing the same
JP3207319B2 (ja) 光電変換装置及びその製造方法
JP3540281B2 (ja) 撮像装置
JP3604248B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN100552929C (zh) 半导体装置及其制造方法、半导体模块装置以及布线基片
KR100684703B1 (ko) 고체촬상장치 및 그 제조 방법
US7443028B2 (en) Imaging module and method for forming the same
US7893514B2 (en) Image sensor package, method of manufacturing the same, and image sensor module including the image sensor package
KR100546411B1 (ko) 플립 칩 패키지, 그 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈및 그 제조방법
US20130241020A1 (en) Solid image-pickup device with flexible circuit substrate
JP2005116628A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR20090128374A (ko) 고체촬상 장치 및 그 제조 방법
JP2004242166A (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
US20050253275A1 (en) Flip chip package and process of forming the same
US7888157B2 (en) Image sensor chip package method
JP2000269472A (ja) 撮像装置
JP2010034668A (ja) 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器
JP2002009265A (ja) 固体撮像装置
JP2005268567A (ja) 基板およびその製造方法
JP2001068654A (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
KR100980810B1 (ko) 웨이퍼 레벨-칩 스케일 패키지가 가능한 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법
JPH09186308A (ja) 固体撮像モジュールの製造方法
US20020074628A1 (en) Flexible wiring film, and semiconductor apparatus and system using the same
US20040234190A1 (en) Optical modules and method for manufacturing the same, and electronic devices
JPH07226421A (ja) Ic素子実装回路装置およびic素子の実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060325

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060929

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20071114

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071121

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20071128

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071205

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101012

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110301