JP2005097589A5 - - Google Patents
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これに対し、M. A. Baldoらは室温で励起三重項状態から燐光発光するイリジウム錯体等を用いることにより外部量子効率7.5％（外部取り出し効率を２０％と仮定すると内部量子効率は37.5％に相当する）を得、従来上限値とされてきた外部量子効率５％という値を上回ることが可能なことを示した。さらに、ホスト材料や素子構成を工夫することにより２０％近い高効率も達成されており（非特許文献２：Appl. Phys. Lett., 90巻, 5048頁, 2001年）、超高効率化の方法として注目されている。これは、具体的には、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等をホスト材料に用いるものである（特許文献１：国際公開第01/41512号パンフレット）。
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