JP2005065285A - 固体撮像用半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 従来技術に比べ厚さが薄く、小型化し、かつ、低コスト化を図り得る固体撮像用半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 回路基板３００に開口部３７５を設け、該開口部内３７５に固体撮像用半導体チップ３５０または画像処理用半導体チップ３２０を位置させることにより、厚さが薄く、実装面積も小さい固体撮像用半導体装置を提供することを特徴とする。
【選択図】 図４

Description

本発明は、固体撮像用半導体装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、受光素子を有する半導体素子と固体撮像用レンズとを一体化した固体撮像用半導体装置パッケージモジュール及びその製造方法に関する。

携帯端末や携帯電話などのモバイル機器には、通常、固体撮像用半導体チップとレンズとを組み合わせた型のカメラモジュールが搭載されている。このような小型カメラを備えた携帯電話機では、通話者の映像を小型カメラで撮像し、画像データとして通話相手にその画像データを送信する。

携帯電話や携帯型パソコン（携帯型ＰＣ）は、益々小型化が進んでおり、これらに使用されるカメラモジュールも小型化が求められている。このようなカメラモジュールの小型化の要求を満足させるために、レンズと固体撮像用半導体チップとを一体化した半導体装置パッケージが開発されている。

図１２は、従来技術に係る固体撮像用半導体装置を示す概略構成図であり、カメラモジュールの構成を示している。即ち、固体撮像用レンズ１６０と赤外線遮断用フィルター（ＩＲ ｃｕｔ ｆｉｌｔｅｒ）１７０とが取り付けられているレンズ取り付け部１８０が、回路基板１００の上部一面に接着剤で固着されている。固体撮像用半導体チップ１１０は、前記固体撮像用レンズ１６０からの光を画像信号に変換する光電変換素子群からなるチップであって、前記回路基板１００の上部に位置し、前記回路基板１００の上面の所定位置に設けられた基板パッドとボンディングワイヤー１２０で接続されている。

また、前記回路基板１００の下面の所定位置に設けられた基板パッドと画像処理用半導体チップ１３０とがボンディングワイヤー１４０で接続されており、かつ、前記画像処理用半導体チップ１３０は、トランスファーモールド技術による絶縁性封止樹脂１５０により封止されている。ここで、前記画像処理用半導体チップ１３０は、前記固体撮像用半導体チップ１１０からのイメージ信号を処理している。

前記回路基板１００とフレキシブル配線（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｃａｂｌｅ）１９０とは、配線接合部１８５により電気的に接続されている。

図１２に示すような固体撮像用半導体装置は、最も一般的なカメラモジュールであり、かつ、固体撮像用半導体チップ１１０と画像処理用半導体チップ１３０とを回路基板１００の上面と下面にそれぞれ接着し、ボンディングワイヤー１２０、１４０により電気的に接続しているため、製造工程が容易となり、カメラモジュールの組立て費用が低廉である。しかし、前記回路基板１００の下部の画像処理用半導体チップ１３０と絶縁性封止樹脂１５０とにより、カメラモジュールが厚くなり、カメラモジュールの小型化に支障をもたらす。
大韓民国特開第２００２−００８７５４１号明細書 特開２００１−０７８０６４号公報 米国特許出願公開第２００１／０５０７２１号明細書 米国特許出願公開第２００２／０４４２１５号明細書

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、従来技術に比べ厚さが薄く、小型化し、かつ、低コスト化を図り得る固体撮像用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズの取り付けられたレンズ取り付け部と、前記レンズ取り付け部の下部に接着され、所定位置に開口部が設けられた回路基板と、前記開口部内に位置し、前記回路基板に設置される少なくとも一つの半導体チップと、を備えている。

また、本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造方法は、回路基板の所定位置に設けられた開口部内に少なくとも一つの半導体チップを設置する工程と、前記少なくとも一つの半導体チップの垂直上方に固体撮像用レンズが取り付けられたレンズ取り付け部を前記回路基板の上部に接着する工程と、を含むことを特徴とする。

このような本発明による固体撮像用半導体装置及びその製造方法によれば、回路基板に開口部を設け、開口部内に固体撮像用半導体チップまたは画像処理用半導体チップを位置させることにより、従来技術よりも厚さが薄く、実装面積も小さい固体撮像用半導体装置を提供することが可能となる。

本発明の好ましい実施の形態を、添付図面に基づいて詳しく説明する。

図１〜図４は、本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。

図１に示すように、回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）３００の所定位置に開口部３７５を設ける。前記回路基板３００は、上面と下面の両方に配線が設けるられていることが好ましい。また、前記開口部３７５の上面を薄膜テープ３１０で覆う。ここで、前記薄膜テープ３１０は、表面に接着物質が塗布されていることが好ましい。前記薄膜テープ３１０は、高い工程温度下においても熱安定性を保持できる物質を使用する。例えば、前記薄膜テープ３１０は、ポリイミドを含むことが好ましい。

図２に示すように、画像処理用半導体チップ３２０を前記開口部３７５内に位置させ、前記画像処理用半導体チップ３２０の一面を前記薄膜テープ３１０と接着する。前記画像処理用半導体チップ３２０の下面に設けられたチップパッド（ｃｈｉｐ ｐａｄ）と前記回路基板３００の下面に設けられた基板パッドとを第２の電気的接続手段３３０で電気的に接続する。前記第２の電気的接続手段３３０は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

また、前記画像処理用半導体チップ３２０を絶縁性封止樹脂３４０で封止する。このとき、前記絶縁性封止樹脂３４０は、電気的接続部分の信頼性の向上や接続部分の強度を補強する。前記絶縁性封止樹脂３４０としては、絶縁性のエポキシ樹脂、絶縁性のシリコン樹脂などが使用される。また、前記絶縁性封止樹脂３４０は、画像処理用半導体チップ３２０を回路基板３００の内部に設置する役割を果たす。

前記封止工程は、モールド工程やディスペンス工程などがある。

モールド工程は、半導体を外部変化や衝撃からチップ、ワイヤ、インナーリードなどを保護するために、所定の形状に周りを取り囲む工程である。このモールド工程は、所定の形状に形成された金型（Ｍｏｌｄ Ｄｉｅ）にリードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）と基板（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）とを取り付け、粘度を有する物質を熱と圧力を利用して充填し硬化させる方法である。最も広く用いられる方式としては、トランスファーモールド方式がある。

ディスペンス工程は、ディスペンスできる構造チップの周りに溶液を吐出し、チップの下部に溶液が充填されるようにする方式（毛細管現象を利用）で、低い粘度の溶液が使用される。これらのディスペンス工程とモールド工程との最も大きな違いは、金型を用いるか否かにある。ディスペンス方法としては、ダムアンドフィル（Ｄａｍ ａｎｄ Ｆｉｌｌ）などの方法がある。ダム工程は、ディスペンスしようとする部分の外側に液状封止材を用いて限界線を成形する作業である。フィル工程は、ダム工程が終了した内側に液状封止材を充填して実質的にチップを密閉する作業である。

熱硬化性樹脂の前記絶縁性封止樹脂３４０が硬化した後、前記薄膜テープ３１０を除去する。図３に示すように、薄膜テープ３１０の除去された画像処理用半導体チップ３２０の一面に固体撮像用半導体チップ３５０を接着する。この接着の際には、銀を含むエポキシ樹脂接着剤を使用することが好ましい。ここで、前記薄膜テープ３１０を除去せず、固体撮像用半導体チップ３５０をその一面に接着しても良い。

前記固体撮像用半導体チップ３５０の上面に設けられたチップパッドと回路基板３００の上面に設けられた基板パッドとを第１の電気的接続手段３６０で電気的に接続する。ここで、前記第１の電気的接続手段３６０は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

ここで、固体撮像用半導体チップ３５０は、図４に示す前記固体撮像用レンズ３７０からの光を画像信号に変換する光電変換素子群からなるチップであって、この固体撮像用半導体チップ３５０は、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサーを構成する２次元に配列した光電変換素子群からなる光電変換部（センサー部）と、前記光電変換素子群を順次駆動し、信号電荷を得る駆動回路部と、前記信号電荷をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、前記デジタル信号を映像信号出力として処理する信号処理部と、前記デジタル信号の出力レベルに基づいて電気的に露光時間を制御する露光制御手段とが設けられた半導体回路部とから構成されている。また、前記固体撮像用半導体チップ３５０は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）を備えていてもよい。

図４に示すように、固体撮像用レンズ３７０の取り付けられたレンズ取り付け部３９０を前記回路基板３００上の所定位置に接着剤で固着する。このとき、前記固体撮像用レンズ３７０は、前記固体撮像用半導体チップ３５０の垂直上方に位置するようにする。

前記レンズ取り付け部３９０内に位置し、前記固体撮像用レンズ３７０と対向しながら、前記固体撮像用レンズ３７０を通過した光の経路に位置する赤外線遮断フィルタ３８０または高域遮断フィールタを、さらに有することが好ましい。

本発明に係る固体撮像用半導体装置は、前記固体撮像用レンズ３７０及び前記赤外線遮断フィルタ３８０を介して前記固体撮像用半導体チップ３５０におけるセンサー部に被写体像を結像させて光電変換することにより、例えば、デジタルまたはアナログのイメージ信号が出力されるように動作している。そして、前記画像処理用半導体チップ３２０は、前記回路基板３００の下部と第２の電気的接続手段３３０により電気的に接続され、前記固体撮像用半導体チップ３５０からのイメージ信号を処理している。

前記回路基板３００は、配線接合部４００によりフレキシブル配線４１０と電気的に接続されており、固体撮像用半導体装置と外部本体システムとを接続する。

次に、本発明の他の実施の形態を図５〜図８に基づいて説明する。図５〜図８は、本発明の他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。

図５に示すように、回路基板７００の所定位置に開口部７７５を設ける。ここで、前記回路基板７００は、上面と下面の両方に配線が設けられていることが好ましい。また、前記開口部７７５の上面を薄膜テープ７１０で覆う。前記薄膜テープ７１０は、表面に接着物質が塗布されていることが好ましい。ここで、前記薄膜テープ７１０には、高い工程温度下においても熱安定性を保持できる物質を使用する。例えば、前記薄膜テープ７１０は、ポリイミドを含むことが好ましい。

図６に示すように、画像処理用半導体チップ７２０を前記開口部７７５内に位置させ、前記画像処理用半導体チップ７２０の一面を前記薄膜テープ７１０と接着する。前記画像処理用半導体チップ７２０の下面に設けられたチップパッドと前記回路基板７００の下面に設けられた基板パッドとを第２の電気的接続手段７３０で電気的に接続する。前記第２の電気的接続手段７３０は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

次に、前記画像処理用半導体チップ７２０を絶縁性封止樹脂７４０で封止する。前記絶縁性封止樹脂７４０は、電気的接続部分の信頼性を向上させ、接続部分の強度を補強する。前記絶縁性封止樹脂７４０としては、絶縁性のエポキシ樹脂、絶縁性のシリコン樹脂などが使用される。

熱硬化性樹脂の前記絶縁性封止樹脂７４０が硬化した後、前記薄膜テープ７１０を除去する。図７に示すように、薄膜テープ７１０の除去された画像処理用半導体チップ７２０の一面に固体撮像用半導体チップ７５０を接着する。この接着の際には、銀を含むエポキシ樹脂接着剤を使用することが好ましい。ここで、前記薄膜テープ７１０を除去せず、固体撮像用半導体チップ７５０をその一面に接着しても良い。

また、前記固体撮像用半導体チップ７５０の上面に設けられたチップパッドと前記固体撮像用半導体チップ７５０の下面に設けられたターミナルとが電気的に接続している。前記チップパッドとターミナルとを電気的に接続する方法は、エッチング技術またはレーザを利用して前記固体撮像用半導体チップ７５０のチップパッドにバイアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を形成するか、前記固体撮像用半導体チップ７５０の側面に沿って導電性ラインを形成する方法がある。バイアホールの形成及びバイアホールと回路基板との接続方法は、米国特許第６、２３５、５５４号明細書、及び韓国公開特許第２００３−００２３０４０号に開示されている。また、導電性ラインの形成及び導電性ラインと回路基板との接続方法は、米国特許第６、３９１、６８５号明細書、韓国公開特許第２００１−０００１１５９号及び韓国公開特許第２００１−００１８６９４号に開示されている。

前記固体撮像用半導体チップ７５０の下面に設けられたターミナルと回路基板７００の上面に設けられた基板パッドとを第１の電気的接続手段７６０で電気的に接続する。前記第１の電気的接続手段７６０は、半田ボール（Ｓｏｌｄｅｒ Ｂａｌｌ）または金属バンプ（Ｍｅｔａｌ Ｂｕｍｐ）であることが好ましい。

図８に示すように、固体撮像用レンズ７７０の取り付けられたレンズ取り付け部７９０を前記回路基板７００上の所定位置に接着剤で固定する。このとき、前記固体撮像用レンズ７７０は、前記固体撮像用半導体チップ７５０の垂直上方に位置するようにする。

前記レンズ取り付け部７９０内に位置し、前記固体撮像用レンズ７７０と対向しながら、前記固体撮像用レンズ７７０を通過した光の経路に位置する赤外線遮断フィルタ７８０または高域遮断フィルタをさらに備えることが好ましい。

本発明に係る固体撮像用半導体装置は、前記固体撮像用レンズ７７０及び前記赤外線遮断フィルタ７８０を介して前記固体撮像用半導体チップ７５０におけるセンサー部に被写体像を結像させて光電変換することにより、例えば、デジタルまたはアナログのイメージ信号が出力されるように動作している。また、前記画像処理用半導体チップ７２０は、前記回路基板７００の下部と第２の電気的接続手段７３０により電気的に接続され、前記固体撮像用半導体チップ７５０からのイメージ信号を処理している。

前記回路基板７００は、フレキシブル配線７９５と配線接続部７８５により電気的に接続され、固体撮像用半導体装置と外部本体とを接続する。

次に、本発明のさらに他の実施の形態を図９〜図１１に基づいて説明する。図９〜図１１は、本発明のさらに他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。

図９に示すように、回路基板８００の所定位置に開口部８７５を設ける。そして、前記開口部８７５の下面を薄膜テープ８１０で覆う。前記薄膜テープ８１０は、表面に接着物質が塗布されていることが好ましい。前記薄膜テープ８１０は、高い工程温度下においても熱安定性を保持できる物質を使用する。例えば、前記薄膜テープ８１０は、ポリイミドを含むことが好ましい。

図１０に示すように、固体撮像用半導体チップ８２０を前記開口部８７５内に位置させ、前記固体撮像用半導体チップ８２０の一面を前記薄膜テープ８１０と接着する。ここで、前記回路基板８００の開口部内の前記固体撮像用半導体チップ８２０の周りに絶縁性封止樹脂を塗布して安定性を保持することができる。

前記薄膜テープ８１０は、前記固体撮像用半導体チップ８２０との固着性を保持するために、０．０５〜０．２ｍｍの厚さであることが好ましい。より好ましくは、前記薄膜テープ８１０の厚さは、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。

また、前記固体撮像用半導体チップ８２０は、内部に画像処理用半導体チップを備えても良い（以下、画像処理用半導体チップを備える固体撮像用半導体チップを撮像−画像処理用半導体チップと呼ぶ）。前記固体撮像用半導体チップ８２０の上面に設けられたチップパッドと前記回路基板８００の上面に設けられた基板パッドとを第３の電気的接続手段８３０で電気的に接続する。前記第３の電気的接続手段８３０は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

図１１に示すように、固体撮像用レンズ８４０の取り付けられたレンズ取り付け部８６０を前記回路基板８００上の所定位置に接着剤で固定する。このとき、前記固体撮像用レンズ８４０は、前記固体撮像用半導体チップ８２０の垂直上方に位置するようにする。

前記レンズ取り付け部８６０内に位置し、前記固体撮像用レンズ８４０と対向しながら、前記固体撮像用レンズ８４０を通過した光の経路に位置する赤外線遮断フィルタ８５０または高域遮断フィルタをさらに含むことが好ましい。

前記回路基板８００は、配線接続部８７０によりフレキシブル配線基板８８０と電気的に接続されており、固体撮像用半導体装置と外部本体とを接続する。

本発明の実施の形態により、薄膜テープまたは接着物質は、回路基板の所定位置に設けられた開口部の上面または下面を覆うことができ、回路基板の開口部内に設置することができる。

また、固体撮像用半導体チップ及び画像処理用半導体チップは、回路基板の開口部の内に設置されることがでる。また、固体撮像用半導体チップ、画像処理用半導体チップ、撮像−画像処理用半導体チップまたはこれらが組合わされた半導体チップを、回路基板の開口部の内に設置されることができる。また、このような半導体チップの位置は、薄膜テープまたは接着物質の位置を変えることにより自由に変更することができる。

また、薄膜テープ及び接着物質は、固体撮像用半導体チップ、画像処理用半導体チップ及び／または撮像−画像処理用半導体チップの一面を覆う場合に、半導体チップの撮像を妨げないように配置させ、また撮像を妨げない物質から選択することができる。

また、接着物質は、薄膜テープに塗布なる物質として、ポリイミドのような透明な物質で構成されることができる。

本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造方法により、固体撮像用半導体チップを回路基板に設置した後に、レンズ取り付け部を回路基板に接着することができる。また、レンズ取り付け部を回路基板に接着した後に、固体撮像用半導体チップを回路基板に設置することもできる。

以上のように、上記実施の形態を参照して詳細に説明したが、本発明は、これに限定されるものでなく、このような本発明の基本的な技術的思想を逸脱しない範囲内で、当業界の通常の知識を有する者により、他の多くの変更が可能である。また、本発明は、特許請求の範囲により解釈されるべきであることは言うまでもない。

本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明のさらに他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明のさらに他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 本発明のさらに他の実施の形態に係る固体撮像用半導体装置の製造工程を示す概略図である。 従来技術に係る固体撮像用半導体装置の概略構成を示す図である。

符号の説明

３００、８００ 回路基板、
３１０、８１０ 薄膜テープ、
３２０ 画像処理用半導体チップ、
３３０ 第２の電気的接続手段、
３４０ 絶縁性封止樹脂、
３５０、８２０ 固体撮像用半導体チップ、
３６０ 第１の電気的接続手段、
３７０、８４０ 固体撮像用レンズ、
３８０、８５０ 赤外線遮断フィルタ、
３９０、８６０ レンズ取り付け部、
４００、８７０ 配線接続部、
４１０、８８０ フレキシブル配線基板、
８３０ 第３の電気的接続手段。

Claims (28)

1. 固体撮像用レンズの取り付けられたレンズ取り付け部と、
   前記レンズ取り付け部の下部に接着され、所定位置に開口部が設けられた回路基板と、
   前記開口部内に位置し、前記回路基板に設置される少なくとも一つの半導体チップと、を備えることを特徴とする固体撮像用半導体装置。
2. 前記少なくとも一つの半導体チップは、固体撮像用半導体チップ及び画像処理用半導体チップを備えることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
3. 前記固体撮像用半導体チップは、第１の電気的接続手段により前記回路基板と電気的に接続され、前記画像処理用半導体チップは、第２の電気的接続手段により前記回路基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像用半導体装置。
4. 前記第１の電気的接続手段は、ボンディングワイヤー、半田ボールまたは金属バンプのいずれか一つであり、前記第２の電気的接続手段は、ボンディングワイヤーであることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像用半導体装置。
5. 前記第２の電気的接続手段は、絶縁性封止樹脂により封止されることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像用半導体装置。
6. 前記画像処理用半導体チップは、前記回路基板の開口部内に位置し、前記固体撮像用半導体チップは、前記画像処理用半導体チップの上に位置することを特徴とする請求項２に記載の固体撮像用半導体装置。
7. 前記画像処理用半導体チップを前記回路基板に臨時的に設置するために、前記画像処理用半導体チップの上に位置する薄膜テープをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像用半導体装置。
8. 前記薄膜テープを除去した後、前記画像処理用半導体チップを前記回路基板に設置する絶縁性封止樹脂をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の固体撮像用半導体装置。
9. 前記少なくとも一つの半導体チップは、撮像−画像処理用半導体チップであることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
10. 前記撮像−画像処理用半導体チップは、第３の電気的接続手段により前記回路基板と電気的に接続されることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像用半導体装置。
11. 前記第３の電気的接続手段は、ボンディングワイヤーであることを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像用半導体装置。
12. 前記撮像−画像処理用半導体チップを前記回路基板に設置するために、前記撮像−画像処理用半導体チップの下部に位置する薄膜テープをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像用半導体装置。
13. 前記撮像−画像処理用半導体チップと、前記撮像−画像処理用半導体チップを前記回路基板に設置する絶縁性封止樹脂とが前記開口部内に位置することを特徴とする請求項９に記載の固体撮像用半導体装置。
14. 前記固体撮像用レンズと所定の間隔を置いて対向するとともに、前記固体撮像用レンズと前記回路基板の間に位置して、前記レンズ取り付け部内に設置される赤外線遮断フィルタをさらに備えること特徴とする請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
15. 回路基板の所定位置に設けられた開口部内に少なくとも一つの半導体チップを設置する工程と、前記少なくとも一つの半導体チップの垂直上方に固体撮像用レンズが取り付けられたレンズ取り付け部を前記回路基板の上部に接着する工程と、を含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置の製造方法。
16. 前記少なくとも一つの半導体チップは、固体撮像用半導体チップ及び画像処理用半導体チップを備えることを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
17. 前記固体撮像用半導体チップは、第１の電気的接続手段により前記回路基板と電気的に接続され、前記画像処理用半導体チップは、第２の電気的接続手段により前記回路基板と電気的に接続されることを特徴とする請求項１６に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
18. 前記第１の電気的接続手段は、ボンディングワイヤー、半田ボールまたは金属バンプの中の一つであり、前記第２の電気的接続手段は、ボンディングワイヤーであることを特徴とする請求項１７に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
19. 前記第２の電気的接続手段は、絶縁性封止樹脂により封止されることを特徴とする請求項１８に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
20. 前記回路基板の開口部内に前記画像処理用半導体チップを位置させる工程と、前記画像処理用半導体チップの上に前記固体撮像用半導体チップを位置させる工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
21. 前記画像処理用半導体チップを前記回路基板に臨時的に設置するために、薄膜テープを前記画像処理用半導体チップの上に提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
22. 前記薄膜テープを除去した後、前記画像処理用半導体チップを前記回路基板に設置する絶縁性封止樹脂を提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
23. 前記少なくとも一つの半導体チップは、撮像−画像処理用半導体チップであることを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
24. 第３の電気的接続手段により、前記撮像−画像処理用半導体チップを前記回路基板と電気的に接続される工程をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
25. 前記第３の電気的接続手段は、ボンディングワイヤーであることを特徴とする請求項２４に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
26. 前記撮像−画像処理用半導体チップを前記回路基板に設置するために、前記撮像−画像処理用半導体チップの下部に薄膜テープを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
27. 前記撮像−画像処理用半導体チップと、前記撮像−画像処理用半導体チップを前記回路基板に設置する絶縁性封止樹脂を前記開口部内に位置させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
28. 前記固体撮像用レンズと所定の間隔を置いて対向し、前記固体撮像用レンズと前記回路基板の間に位置する赤外線遮断フィルタを前記レンズ取り付け部内に設置する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。

Images