[go: up one dir, main page]

JP2003502501A - 化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法 - Google Patents

化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法

Info

Publication number
JP2003502501A
JP2003502501A JP2001505047A JP2001505047A JP2003502501A JP 2003502501 A JP2003502501 A JP 2003502501A JP 2001505047 A JP2001505047 A JP 2001505047A JP 2001505047 A JP2001505047 A JP 2001505047A JP 2003502501 A JP2003502501 A JP 2003502501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
reaction
reaction furnace
vapor deposition
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001505047A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4726369B2 (ja
Inventor
チュンス イ
ウォング ガン
ギュホン イ
キョンス イ
Original Assignee
ゼニテックインコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ゼニテックインコーポレイテッド filed Critical ゼニテックインコーポレイテッド
Publication of JP2003502501A publication Critical patent/JP2003502501A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4726369B2 publication Critical patent/JP4726369B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、反応ガスの供給を素早く切換え得る化学蒸着装置の反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法を提供する。この反応炉は、反応ガスの流出入口を有し、反応炉内部より低い圧力を有する反応炉の他の箇所から反応ガスを隔離させるための反応炉蓋と、突出部を有し前記突出部とともに前記反応炉蓋に装着され、前記流出入口を通過するガスの流れを前記蓋との隙間により調節するガス流れ調節板と、前記反応炉蓋と接触して反応室を形成し、前記反応室に設けられる基板を支持する基板支持板とを備える。蒸着ガス、反応ガス及びパージガスからなるプロセスガスを時分割的に周期的に組合わせして反応炉に供給することによって、基板上に膜を形成する化学蒸着法を進行し、各プロセスガスの少なくともいずれか一つの供給周期と同期して、これを活性化させるためのプラズマを基板上で発生させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、化学蒸着装置の反応炉に関し、特に反応材料を不連続的又は順次に
供給して、反応材料がガス状態で互いに混ざらないように供給する化学蒸着装置
に適用され、特に、反応ガスの供給を素早く切換えることのできる反応炉に関す
る。また、本発明はこの反応炉を利用した、半導体素子、平板型表示装置などの
製造に必要な薄膜を成膜する方法に関する。
【０００２】 （背景技術） 半導体素子の製造の際、基板上に高品質の薄膜を形成するための装置や工程に
対して改善努力が行われている。最近、半導体基板の表面反応を用いるもので、
反応材料を不連続的に基板上に供給したり、一種類の薄膜を一原子層ずつ形成し
たり、反応材料を該基板上に一つずつ順次的に供給することによって薄膜を形成
する工程が提案されている。このような工程を利用すれば、基板の凹凸に関係な
く基板の表面全体に亘って一様な厚さの膜を形成することができ、膜に混入して
混じる不純物を減らすことができ、高品位の膜を形成することができる。
【０００３】 しかし、従来の化学蒸着装置に用いられた反応炉は、各反応材料を該炉内に同
時に供給して薄膜を形成するよう設計されたので、前述した三つの工程に不適合
であるという不都合がある。
【０００４】 化学蒸着材料を半導体基板上に供給する反応炉では、反応ガスは通常半導体基
板上で下方へ流すことになる。この場合、半導体基板上で反応ガスが一様に流れ
るよう、通常反応ガスの流入口と基板との間にシャワーヘッドが設けられる。し
かしながら、そのような方式は、ガスの流れを阻害して反応炉の容積を増加させ
て、反応ガスを素早く切換えることができず、各反応ガスを順次供給する工程に
は不適合である。
【０００５】 一方、半導体素子や平板型表示装置の製造には高品位の薄膜が必要であり、そ
のような薄膜としては、例えば金属膜、金属酸化物膜や金属窒化物膜などの絶縁
膜と、キャパシタ用薄膜、配線及び電極用薄膜と、拡散防止向け無機物薄膜など
がある。
【０００６】 これらの薄膜は例えば、スパッタリング法のような物理的蒸着法によって生成
されることができる。しかしながら、スパッタリング法は段差被覆性の悪い薄膜
を生成してしまうため、通常化学蒸着法(ＣＶＤ)が用いられる。
【０００７】 最も一般的な従来のＣＶＤ法は、図１Ａに示したような装置を通じて行われる
。図１Ａを参照すれば、プロセスガスなどの反応物１１、１２、１３がそれぞれ
対応する流量制御器２１、２２及び２３と弁３０、３１及び３２とを通じて反応
炉１内へ供給される。この時、符号５にて示すように、プロセスガスが一様に流
れるようにシャワーヘッド４が用いられる。反応物原料が低い平衡蒸気圧を有す
る液状または固状であるとき、該原料を適正温度にて加熱して気化させ、気化原
料がキャリアガス１３として反応炉１内へ供給され得るように気化器１６を用い
る。このような気化器１６を用いる場合、キャリアガスによって運搬される原料
の初期部分が流量や原料の濃度の変動のため、バイパス弁３３及び排気管１８を
通じて排気される。その次に、バイパス弁３３を遮断し、中央供給管１７に連結
された弁３２を開放することによってキャリアガスを反応炉１へ供給する。
【０００８】 前述した従来の装置で行われるＣＶＤ法は、次のような特徴がある。第一に、
蒸着に必要な全てのプロセスガス１１、１２及び１３が同時に反応炉１へ供給さ
れることによって、図１Ｂに示すように、工程時間１１'、１２'及び１３'の間
まで連続的に成膜される。第二に、基板表面におけるプロセスガスの流れ５を一
様にするためシャワーヘッド４を用いる。
【０００９】 しかしながら、そのような方法には次のような欠点がある。第一に、全てのプ
ロセスガスが同時に炉内に存在するため、プロセスガスが気相にて反応を起こし
蒸着膜の段差被覆性を低下させるか炉を汚す粒子を生成する恐れがある。第二、
金属有機化合物を原料として用いる場合、連続的な蒸着過程にて膜への炭素不純
物の流入を避けることは困難である。第三、多成分薄膜を蒸着する場合、原料を
供給するキャリアガスの流量を別途に調節して各反応物を炉に供給し、全ての反
応物は同時に反応しなければならないので、蒸着膜の構成を正確に制御すること
が非常に難しくなる。
【００１０】 そのような問題を克服するために、プロセスガスを連続的に供給せず、時分割
パルス形態で独立的に供給する方法が提案されている。
【００１１】 このような蒸着方法でプロセスガスを供給する一例が図２Ａに示されている。
ガス導入部に設けられる弁を開閉することができ、プロセスガスを互いに混じる
ことなく炉内に時分割パルス形態で周期的に供給することができる。
【００１２】 図２Ａを参照すれば、図１Ａのプロセスガス１１、１２及び１３が１３'、１
２'、１１'及び１２'順のサイクルＴｃｙｃｌｅで供給されることが分かる。そ
のようなサイクルＴｃｙｃｌｅを繰り返して成膜が行われる。一般に、反応ガス
１１及び１３を供給するパルス間にパージガス１２が供給されるので、炉内に残
留した反応物は次の反応物が供給される前に取除かれる。
【００１３】 以下、時分割蒸着メカニズムに対して説明する。一般に、基板上における反応
物の化学吸着温度は反応物の熱分解温度より低い。従って、蒸着温度を熱分解温
度より低く化学吸着温度より高い状態にて維持すれば、炉内に流入した反応物は
分解せず、単に基板表面に化学吸着された状態で存在する。続いてパージガスを
炉内に供給すれば、吸着されず残った反応ガスは外部に排出される。その後、他
の反応物が流入され、基板表面上に吸着された反応物が流入反応物と反応するこ
とによって成膜が行われる。基板上に吸着される反応物は一つの分子層だけ生成
することができるため、反応物の供給量或いは供給時間に関係なく、一供給サイ
クルＴｃｙｃｌｅにて形成される膜の厚さは一定である。従って、図２Ｂに示す
ように、反応ガスの供給時間に対する膜の蒸着厚さは時間経過に伴い飽和状態と
なる。この場合、膜の蒸着厚さは供給サイクルの反復回数のみによって制御でき
る。
【００１４】 一方、蒸着工程の温度が反応物の熱分解温度以上である場合には、炉内に流入
される反応ガスが分解され基板表面上に膜が続いて形成されるので、膜の蒸着厚
さは供給サイクルにおける反応ガスの供給時間に比例する。この場合、反応ガス
の供給時間に対する膜の蒸着厚さは図２Ｃに示すようになる。
【００１５】 しかしながら、前述した時分割蒸着方法には次のような問題点がある。第一に
、時分割蒸着方法を用いるためには、蒸着工程に用いられる反応物は互いに容易
に反応しなければならない。さもなければ、時分割蒸着方法で膜を形成すること
は困難である。このため、低温でも化学反応を促進させる方法が要求される。
【００１６】 第二に、反応ガス間の反応から生じる粒子によって排気部が汚される恐れがあ
る。その理由は、ガス導入部及び反応炉では反応ガスがパージガスによって分離
されているため、粒子による汚染可能性はない。一方、排気部においては反応ガ
スが互いに混ざり反応することによって粒子汚染が発生しやすい。
【００１７】 第三に、ガス導入部及び炉における気相反応を防ぐため反応ガスを供給する途
中に不活性パージガスを供給しなければならないので、ガス供給サイクルが複雑
であるだけでなく、供給サイクル時間が絶対的に必要な時間より長くなり蒸着工
程が遅れる。
【００１８】 米国特許第５,９１６,３６５号には、第１反応ガスを炉に供給し、炉内に残っ
た反応ガスを真空ポンプで排気した後、ＲＦ電源などのラジカル発生器を経て活
性化された第２反応ガスを供給し、炉内に残った反応ガスを真空ポンプで排気す
るプロセスを繰り返すことによって成膜する方法が開示されている。
【００１９】 真空ポンプは圧力が低くなるに連れて排気速度が落ちるため、炉に残留する反
応ガスを真空ポンプを用いて完全に排気するには相当の時間を要する。従って、
そのような方法で残留する反応ガスを完全に排気する場合には単位時間当たりの
膜成長速度を高めるのは困難である。排気時間を減らしすぎると反応ガスが炉内
に残留し、２種類の反応ガスが混じ気相にて反応することとなる。さらに、米国
特許第５,９１６,３６５号の方法では反応ガスの供給及び排気を繰り返すため炉
内の圧力が激しく変わり、炉内におけるプラズマを安定に維持することができな
いという不都合がある。
【００２０】 （発明の開示） 従って、本発明の目的は、プロセスガスの供給を１つのプロセスから他のプロ
セスへ素早く切換えでき、反応ガスが不連続的又は順次に供給される化学蒸着装
置の大きさを縮小できる反応炉を提供することにある。
【００２１】 本発明の他の目的は、反応炉で反応ガスに露出される部分を最小にして掃除す
る必要を減らすことによって、化学蒸着装置のメンテナンスを容易に行うことで
きる反応炉を提供することにある。
【００２２】 本発明の更に他の目的は、半導体基板の周縁に膜が形成されないようにする反
応炉を提供することにある。
【００２３】 本発明の更に他の目的は、プラズマ発生器を用いて反応炉を掃除したり、反応
ガスを活性化させる反応炉を提供することにある。
【００２４】 本発明の更に他の目的は、時分割原料供給化学蒸着法において、反応ガス間の
反応がなかったり、または非常に弱い場合でも効果的に薄膜を形成する方法を提
供することにある。
【００２５】 本発明の更に他の目的は、時分割原料供給化学蒸着法において、プロセスガス
の供給周期中にパージガスの供給時間を最小化して工程時間を短縮できる薄膜形
成方法を提供することにある。
【００２６】 本発明の更に他の目的は、時分割原料供給化学蒸着が行われる装置の排気部に
て粒子汚染を減らすことができる薄膜形成方法を提供することにある。
【００２７】 上記目的を達成するために、本発明は、化学蒸着装置の反応炉であって、反応
ガスの流出入口を有し、反応炉内部より低い圧力を有する反応炉の他の箇所から
反応ガスを隔離させるための反応炉蓋と、突出部を有し前記突出部とともに前記
反応炉蓋に装着され、前記流出入口を通過するガスの流れを前記蓋との隙間によ
り調節するガス流れ調節板と、前記反応炉蓋と接触して反応室を形成し、前記反
応室に設けられる基板を支持する基板支持板とを含むことを特徴とする反応炉を
提供する。
【００２８】 好ましくは、本発明の反応炉は前記反応炉蓋と前記基板支持板との接触部に沿
って設けられ、前記反応室からの反応ガスの漏れを防止するためのガス漏れ防止
用通路を更に含む。
【００２９】 また、好ましくは、前記突出部を除いた部分において、前記ガス流れ調節板と
前記反応炉蓋との対向面が実質的に平行である。
【００３０】 一方、前記基板の周縁面に前記反応ガスが接触しないように前記反応炉蓋が前
記基板の前記周縁面部を覆う突出手段を更に備える。
【００３１】 前記反応室内の反応ガスを活性化するため、好ましくは、前記反応炉蓋または
前記ガス流れ調節板上にプラズマ電極が設けられる。
【００３２】 また、本発明の好適実施例による薄膜形成方法は、薄膜形成のための反応ガス
を反応炉内で互いに混ざらないように時分割して供給するもので、プロセスガス
をプラズマ状態に活性化させて成膜を容易にすることを特徴とする。ここで、プ
ロセスガスはガス供給周期に同期化して生成される。
【００３３】 詳記すると、プロセスガスは３つに大別される。 第一に、成膜向け原料ガスの中、熱分解して固体膜を形成するプロセスガスを
蒸着ガスと称す。このような蒸着ガスとしては、例えば、窒化チタニウム膜(Ｔ
ｉＮ)を形成する化学蒸着に用いられるチタニウム有機化合物がある。
【００３４】 第二に、成膜向け原料ガスの中、自らは分解しないかあるいは分解しても固体
膜を形成することなく、蒸着ガスと反応すると固体膜を形成するプロセスガスを
反応ガスと称す。このような反応ガスの例としては、例えば、窒化膜形成のため
の化学蒸着工程に用いられるアンモニア、酸化膜形成のための化学蒸着工程に用
いられる酸素ガスがある。
【００３５】 第三に、蒸着ガスと反応ガスとの間に供給されてこれらを分離する不活性プロ
セスガスをパージ（浄化）ガスと称す。通常、このようなパージガスとして、ヘ
リウム(Ｈｅ)、アルゴン(Ａｒ)、窒素ガスなどが用いられる。また、薄膜構成元
素を含んだガスも蒸着ガスと反応しなければ、パージガスとして用いることがで
きる。この場合、パージガスはプラズマ状態に活性化されると反応ガスとして用
いることができる。
【００３６】 従って、本発明の主な特徴は、蒸着ガス、反応ガス及びパージガスを含むプロ
セスガスを時分割ガス供給サイクルを繰り返して炉へ供給することによって基板
上に膜を形成する化学蒸着において、プロセスガスのうちの少なくとも一つをア
クティブさせるため、ガス供給サイクルと同期してプラズマを基板上で発生させ
ることにある。この時、プラズマは反応ガスの供給サイクルと同期して発生され
る。
【００３７】 また、パージガスが膜材料の構成元素を含み、反応ガスが膜材料の他の構成元
素を含み、パージガスが反応ガスとは実質的に反応しない場合、プラズマは好ま
しくはパージガスの供給サイクルの間同期して発生され得る。
【００３８】 一方、別途の反応ガスを使用せず、蒸着ガスとパージガスだけを炉内に交互に
供給することによって成膜する。この場合、パージガスは好ましくは膜材料の構
成元素を含み、不活性状態では蒸着ガスとは実質的に反応しない。この場合、プ
ラズマはパージガスの供給サイクル間の少なくとも一部と同期して発生されるこ
とによって、パージガスと蒸着ガスとの間の反応を促進させることが望ましい。
【００３９】 上記のような工程を通じて形成された膜は、蒸着工程の後、熱処理されても良
い。
【００４０】 （発明の実施の形態） 以下、本発明の好適実施例の反応炉について、図面を参照しながらより詳しく
説明する。
【００４１】 図３は本発明の第１好適実施例による化学蒸着反応炉の断面図である。図３に
示すように、反応炉蓋１００に反応ガスの流入口１１０及び流出口１２０が設け
られる。蓋１００の周りは蓋加熱部１３０によって囲まれている。
【００４２】 蓋１００の底面には、突出部を有するガス流れ調節板１４０が設けられ、流入
口１１０及び流出口１２０を通過するガス流れ(矢印で示す)を蓋１００と調節板
１４０との間のすきまにより調節する。このすきまの幅は任意に決定され得る。
一方、化学蒸着膜が形成されるべき半導体基板１５０は基板支持板１６０に載置
される。基板１５０の温度は、基板支持板１６０の下部に設けられる支持板加熱
器１７０により調節される。この時、反応ガスが反応炉内部よりも圧力が低い反
応炉の他の部分へ漏れないようにする必要がある。このため、反応炉蓋１００と
基板支持板１６０との接合部に沿って不活性ガスを供給してもよい。従って、反
応炉蓋１００と基板支持板１６０との接合部分には、反応炉蓋１００の周りに沿
って凹溝を形成してガス漏れ防止向け通路１８０として利用する。ガス流れ調節
板１４０は反応炉内に流入した反応ガスが反応炉内部に留まることなく容易に排
気されるようにするためにガスの流れを調節する。
【００４３】 図４は、本発明の好適実施例による反応炉に使用されるガス流れ調節板の斜示
図である。このガス流れ調節板によって、ガス流入口を通じて反応炉内に入って
きた反応ガスは一様に拡散され、ガス流れ調節板と半導体基板との間の狭い空間
を水平方向に流れ、流出口１２０に吹き抜けることとなる。このようなガス流れ
調節板を用いることによって、反応ガスは半導体基板上で水平方向に流れ、反応
炉の内部体積が小さいので、ガスの供給を素早く切り換えることができる。
【００４４】 図５は、本発明の第２好適実施例による化学蒸着反応炉の断面図である。以下
、図３の構成要素と同一の部分は同一符号を付し、それに対する詳細は簡潔に省
略する。
【００４５】 本発明の第２好適実施例によれば、反応炉蓋と基板との接触部分において、反
応炉蓋の内径を半導体基板の内径より大きくして、反応炉蓋が半導体基板の周縁
を覆うようにする。即ち、反応炉蓋１００の下部に突出部１９０を設けて、反応
ガスが半導体基板の周縁と接触しないようして半導体基板の周縁上の成膜を防止
する。
【００４６】 図６は、本発明の第３好適実施例による化学蒸着反応炉の断面図である。図６
に示すように、半導体基板１５０に対向する位置において、プラズマ電極２００
がガス流れ調節板１４０に取り付けられ、反応炉内部にプラズマを発生させて反
応炉内部を掃除すると共に、反応ガスを活性化して成膜を促進できる。
【００４７】 本発明の範囲は、前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想内で当分野で
通常の知識を有する者により自明な多くの変形ができることはいうまでもない。
【００４８】 従って、本実施例では反応炉蓋にガス流れ調節板が装着されているものを例と
して説明したが、反応炉蓋とガス流れ調節板を一体に形成することもできる。ま
た、プラズマ電極を反応炉蓋に設けてもよい。
【００４９】 次いで、本発明の反応炉を利用したした、半導体素子、または平板型表示装置
に使用される薄膜を形成する方法について説明する。
【００５０】 図７Ａ及び図７Ｂに従って行われる、反応炉を用いる本発明の方法の第１の実
施例は以下の通りである。
【００５１】 図７Ａは、蒸着ガス１３’→パージガス１２’→反応ガス１１’→パージガス
１２'の供給周期で各プロセスガスが反応炉に供給されることを示したグラフで
ある。先ず、反応炉に蒸着ガス１３’を供給して基板にこれを吸着させた後、続
いてパージガス１２'を供給して反応炉に残留する蒸着ガスを除去する。その後
、反応ガス１１’を反応炉に供給すると同時に、プラズマ発生器のスイッチを閉
じて反応ガス１１'を活性化してプラズマ化し、基板上に吸着した蒸着ガス１３
’との化学反応を促進する。反応ガスの供給を中断する時には、スイッチを開い
てプラズマ発生を中断させ、パージガス１２'を導入して残留している反応ガス
を洗い出す。この方法を使用すれば、蒸着ガス１３’と反応ガス１１'との間の
反応が低くても、反応ガス１１がプラズマで活性化されるので、成膜が可能であ
る。
【００５２】 例えば、化学蒸着原料として金属有機化合物を使用する場合、反応ガスをプラ
ズマ化して反応性を高めれば、金属有機化合物の分解を促進することによって、
膜の炭素汚染を低減させることができる。また、プラズマによって膜に活性化エ
ネルギーを供給するので、膜の結晶性、物理的特性及び電気的特性などを向上さ
せることができる。
【００５３】 このような工程の具体的な例として、銅化合物を水素で還元して金属銅膜を形
成することが挙げられる。蒸着ガスの熱分解温度以下では、水素ガス(即ち、反
応ガス)と蒸着ガスとの間の反応が発生しないので、金属銅膜を形成することが
できない。従って、本発明の反応炉で説明したようなプラズマ電極を通じて、水
素ガスを反応炉内に供給する時、プラズマを発生させて基板表面に化学吸着した
銅原料と水素ガスとの間の反応を促進させて金属銅膜を形成することができる。
蒸着ガスの供給の際、プラズマ発生器の電源をオンすると、ガス状態にて銅原料
が分解されるので粒子汚染が発生し、または段差被覆性が悪くなるおそれがある
。従って、蒸着ガスを供給する時にはプラズマ発生器の電源をオフして反応ガス
を供給する時に電源をオンする方式で、プラズマ発生器に供給されるＲＦ電源を
ガス供給周期と同期化することが望ましい。
【００５４】 本発明の方法の第２実施例によれば、蒸着ガスとの反応性がほぼ、または全く
ないガスを反応ガスまたはパージガスとして使用することができる。但し、この
ガスは膜の原料成分を含んでいなければならない。図７Ｂは、このようなガス供
給方法を示している。この方法ではまず、蒸着ガス１３’を基板に吸着させ、相
互反応性がほぼ、または全くないが膜の原料成分を含むパージガス１２'で残留
する蒸着ガスを除去した後、プラズマ発生器の電源をオンにしてパージガス１２
’を反応ガス１５'に変化させる。この反応ガス１５’は、基板上に吸着した蒸
着ガスと反応して膜を形成できる。その後、プラズマ発生器の電源をオフにして
反応を中断させた後、気相反応の虞なしに反応炉内に再び蒸着ガス１３'を供給
できる。従って、プロセスガスの供給周期にてパージガスを供給する時間の間、
プラズマ電源をオフ→オン→オフの順にプラズマ電源を開閉することにより、パ
ージガス→反応ガス→パージガスを順次にそれぞれ供給したのと同等の効果を得
ることができる。また、プラズマ電源をオフにすれば、活性化された化学種の濃
度が非常に素早く減少するので、プラズマ電源をオフしてからパージガスを流す
時間を最小化することができる。即ち、このようなガス供給周期ではガス自体の
種類の供給時間によってガスの供給周期が決定されるのでなく、プラズマ発生器
の電源のオン／オフによってガスの供給周期が決定される。この方法を使用すれ
ば、二種類のガスだけでも時間分割した化学蒸着ができるので、ガス供給部の構
成を簡単にすることができ、時分割原料供給に必要なサイクル時間を減少させる
ことができる。また、この方法では蒸着ガスとパージガスが排気部で混合されて
も互いに反応しないので、排気部で粒子汚染が発生する虞がない。
【００５５】 拡散防止膜または膜が剥げることを防止する接着膜、または反射防止膜向け窒
化チタニウム膜(ＴｉＮ)の蒸着に前述した２つの実施例を適用することができる
。
【００５６】 第１実施例の方法を適用する場合、蒸着ガスとしてTi-有機物原料を、反応ガ
スとしてアンモニアを、パージガスとして窒素をそれぞれ使用し、これらの各ガ
スを時分割的に供給しながら反応ガス供給時にプラズマを発生させるようにする
工程を反復することによって、ＴｉＮ 膜を形成することができる。
【００５７】 第２実施例の方法を適用する場合、蒸着ガスとして Ｔｉ-有機物原料を、パー
ジガスとして窒素ガスをそれぞれ使用し、窒素パージガスで蒸着ガスを除去した
後、プラズマ発生器に電源を供給して吸着された蒸着ガスと窒素が反応するよう
にする。このような工程を含むプロセスを反復して ＴｉＮ 膜を形成することが
できる。この場合、プラズマ電源をつけない状態では窒素パージガスが蒸着ガス
と反応しないので粒子汚染が全く発生しない。
【００５８】 前述したように、反応ガスの供給を素早く切り換えなければならない本発明の
方法を適切に具現するためには、ガス流れ調節板を有する本発明の反応炉が特に
有用であることが分かる。
【００５９】 前記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求
範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００６０】 （産業上の利用可能性） 従って、本発明の反応炉によれば、反応ガスを不連続的、または順次的に基板
に供給する化学蒸着法において反応ガスの切換速度を素早くして単位時間当りの
成膜速度を高めることができる。
【００６１】 更に、反応ガスの供給と排出が半導体基板の上で行われるので、化学蒸着装置
の半導体清浄区域で占める面積を減らすことができ、装置のメンテナンス費用を
減らすことができる。
【００６２】 更に、基板の周縁に膜が形成されないようにして、後続工程で周縁の膜が剥が
れ落ちて発生する汚染問題を抑制することができる。
【００６３】 更に、反応炉を容易に掃除することができ、プラズマを発生させて容易に反応
ガスを活性化できる。
【００６４】 本発明の方法によれば、時分割原料供給化学蒸着法において、反応ガス間の反
応性がなかったり、または非常に弱い場合でも効果的に膜を形成することができ
る。
【００６５】 更に、時分割原料供給化学蒸着法において、プロセスガスの供給周期中に、パ
ージガスを供給する時間を最小化でき、工程時間の全体を短縮することができる
。
【００６６】 更に、時分割原料供給化学蒸着が行われる装置の排気部での粒子汚染も減らす
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 図１Ａは、従来の薄膜蒸着工程に用いられる化学蒸着装置及び
反応ガス供給方法を示す模式図である。
【図１Ｂ】 図１Ｂは、従来の薄膜蒸着工程に用いられる化学蒸着装置及び
反応ガス供給方法を示す模式図である。
【図２Ａ】 図２Ａは、反応ガスを時分割して供給する従来の蒸着工程を説
明するための特性図である。
【図２Ｂ】 図２Ｂは、反応ガスを時分割して供給する従来の蒸着工程を説
明するための特性図である。
【図２Ｃ】 図２Ｃは、反応ガスを時分割して供給する従来の蒸着工程を説
明するための特性図である。
【図３】 図３は、本発明の第１好適実施例による化学蒸着反応炉を示す断
面図である。
【図４】 図４は、本発明の好適実施例による反応炉に使用されるガス流れ
調節板の斜視図である。
【図５】 図５は、本発明の第２好適実施例の化学蒸着反応炉を示す断面図
である。
【図６】 図６は、本発明の第３好適実施例の化学蒸着反応炉を示す断面図
である。
【図７Ａ】 図７Ａは、本発明の成膜過程で用いられる反応ガス供給方法を
説明する図である。
【図７Ｂ】 図７Ｂは、本発明の成膜過程で用いられる反応ガス供給方法を
説明する特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イ ギュホン 大韓民国 305−345 デジョングァンヨク シユソンクシンソンドン160−１ ハンウ ルアパート105ドン606ホ (72)発明者 イ キョンス 大韓民国 305−333 デジョングァンヨク シユソンクオウンドン99 ハンビッアパー ト118ドン1506ホ Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 DA06 DA09 FA03 KA11 KA12 KA14 KA22

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化学蒸着装置の反応炉であって、 反応ガスの流出入口を有し、反応炉内部より低い圧力を有する反応炉の他の箇
    所から反応ガスを隔離させるための反応炉蓋と、 突出部を有し前記突出部とともに前記反応炉蓋に装着され、前記流出入口を通
    過するガスの流れを前記蓋との隙間により調節するガス流れ調節板と、 前記反応炉蓋と接触して反応室を形成し、前記反応室に設けられる基板を支持
    する基板支持板とを含むことを特徴とする反応炉。
  2. 【請求項２】 前記反応室から反応ガスの漏れを防止するために前記反応炉
    蓋と前記基板支持板との間の接触部に沿って設けられるガス漏れ防止用通路を更
    に含むことを特徴とする請求項１記載の反応炉。
  3. 【請求項３】 前記突出部を除いた部分において、前記ガス流れ調節板と前
    記反応炉蓋との対向面が実質的に平行であることを特徴とする請求項１記載の反
    応炉。
  4. 【請求項４】 前記基板の周縁部に前記反応ガスが接触しないように前記反
    応炉蓋が前記基板の前記周縁部を覆う突出手段を更に備えることを特徴とする請
    求項１記載の反応炉。
  5. 【請求項５】 前記反応炉蓋の温度を調節するための蓋加熱部を更に含むこ
    とを特徴とする請求項１記載の反応炉。
  6. 【請求項６】 前記反応室内の前記反応ガスを活性化するために、前記反応
    炉蓋にプラズマ電極が設けられたことを特徴とする請求項１記載の反応炉。
  7. 【請求項７】 前記反応室内の前記反応ガスを活性化するために、前記ガス
    流れ調節板にプラズマ電極が設けられたことを特徴とする請求項１記載の反応炉
    。
  8. 【請求項８】 反応ガスの流出入口を有し反応炉内部より低い圧力を有する
    反応炉の他の箇所から反応ガスを隔離させるための反応炉蓋と、突出部を有し前
    記突出部とともに前記反応炉蓋に装着され前記流出入口を通過するガスの流れを
    前記蓋との隙間により調節するガス流れ調節板と、前記反応炉蓋と接触して反応
    室を形成し、前記反応室に設けられる基板を支持する基板支持板と、前記反応室
    内の前記反応ガスを活性化するために前記反応炉蓋又は前記ガス流れ調節板に設
    けられたプラズマ電極とを備え化学蒸着装置の反応炉を用いて薄膜を形成する方
    法であって、 前記反応炉内に基板を載置する工程と、 熱分解すれば膜を形成するが工程温度では熱分解しない蒸着ガスと、工程温度
    で自らは熱分解されずまたは熱分解されても膜を形成しない反応ガスと、前記蒸
    着ガスと前記反応ガスとの間の化学気相反応を防止するためのパージガスとを含
    むプロセスガスを用意する工程と、 前記蒸着ガス、前記反応ガス及び前記パージガスの時分割組合わせ周期を反復
    して前記流入口を通じて前記プロセスガスを前記反応炉に供給し、この周期中で
    前記各プロセスガスの少なくともいずれか一つの供給周期と同期してプラズマを
    前記基板上で発生させる工程とを含むことを特徴とする薄膜形成方法。
  9. 【請求項９】 前記反応ガスの供給周期と同期してプラズマが発生されるこ
    とを特徴とする請求項８記載の薄膜形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記パージガスが成膜に必要な元素を含み、前記反応ガス
    が成膜に必要な他の元素を含み、前記パージガスが前記反応ガスと実質的に反応
    せず、前記プラズマが前記パージガスの供給周期と同期して発生されることを特
    徴とする請求項８記載の薄膜形成方法。
  11. 【請求項１１】 前記薄膜の形成工程後に形成された薄膜を熱処理する工程
    を更に含むことを特徴とする請求項８記載の薄膜形成方法。
  12. 【請求項１２】 反応ガスの流出入口を有し反応炉内部より低い圧力を有す
    る反応炉の他の箇所から反応ガスを隔離させるための反応炉蓋と、突出部を有し
    前記突出部とともに前記反応炉蓋に装着され前記流出入口を通過するガスの流れ
    を前記蓋との隙間により調節するガス流れ調節板と、前記反応炉蓋と接触して反
    応室を形成し、前記反応室に設けられる基板を支持する基板支持板と、前記反応
    室内の前記反応ガスを活性化するために前記反応炉蓋又は前記ガス流れ調節板に
    設けられたプラズマ電極とを備え化学蒸着装置の反応炉を用いて薄膜を形成する
    方法であって、 前記反応炉内に基板を位置させる段階と、 熱分解すれば膜を形成するが工程温度では熱分解しない蒸着ガスと、前記蒸着
    ガスを前記反応炉から排出するためのパージガスであって成膜に必要な元素を含
    み非活性状態では前記蒸着ガスと実質的に反応しない当該パージガスとからなる
    プロセスガスを用意する工程と、 前記蒸着ガス及び前記パージガスの時分割組合わせを周期的に反復して前記流
    入口を通じて前記プロセスガスを前記反応炉に供給し、前記パージガスの供給周
    期との間の少なくとも一部と同期して、プラズマを発生することによって、前記
    パージガスと前記蒸着ガスとの間の反応を引き起こす工程とを含むことを特徴と
    する薄膜形成方法。
  13. 【請求項１３】 前記膜の形成工程後に形成された薄膜を熱処理する工程を
    更に含むことを特徴とする請求項１２記載の薄膜形成方法。
JP2001505047A 1999-06-19 2000-06-19 化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法 Expired - Lifetime JP4726369B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR19990023078 1999-06-19
KR1999/23078 1999-06-19
PCT/KR2000/000642 WO2000079576A1 (en) 1999-06-19 2000-06-19 Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003502501A true JP2003502501A (ja) 2003-01-21
JP4726369B2 JP4726369B2 (ja) 2011-07-20

Family

ID=19593582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001505047A Expired - Lifetime JP4726369B2 (ja) 1999-06-19 2000-06-19 化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6539891B1 (ja)
EP (1) EP1125321B1 (ja)
JP (1) JP4726369B2 (ja)
DE (1) DE60035948T2 (ja)
WO (1) WO2000079576A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008540840A (ja) * 2005-05-09 2008-11-20 エイエスエム・ジェニテック・コリア・リミテッド 複数の気体流入口を有する原子層堆積装置の反応器
JP2012517101A (ja) * 2009-02-02 2012-07-26 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 導電材料の誘電体層上へのプラズマ増強原子層堆積
KR101309846B1 (ko) * 2006-06-28 2013-09-23 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
JP2014504442A (ja) * 2010-10-06 2014-02-20 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 対称形流入口及び流出口を介して反応ガスを供給する基板処理装置
JP2014505349A (ja) * 2010-10-06 2014-02-27 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 半円形状のアンテナを備える基板処理装置
JP2022000901A (ja) * 2017-07-31 2022-01-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated バッフルを有するガス供給部材
JP2022016426A (ja) * 2020-07-08 2022-01-21 信越化学工業株式会社 酸化ガリウム半導体膜の製造方法及び成膜装置

Families Citing this family (441)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862223A (en) 1996-07-24 1999-01-19 Walker Asset Management Limited Partnership Method and apparatus for a cryptographically-assisted commercial network system designed to facilitate and support expert-based commerce
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
TW469534B (en) * 1999-02-23 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma processing method and apparatus
KR100273473B1 (ko) 1999-04-06 2000-11-15 이경수 박막 형성 방법
KR100624030B1 (ko) * 1999-06-19 2006-09-19 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 화학 증착 반응기 및 이를 이용한 박막 형성 방법
US6727169B1 (en) 1999-10-15 2004-04-27 Asm International, N.V. Method of making conformal lining layers for damascene metallization
US20040224504A1 (en) * 2000-06-23 2004-11-11 Gadgil Prasad N. Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US6936538B2 (en) 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
AU2002232844A1 (en) 2000-12-06 2002-06-18 Angstron Systems, Inc. System and method for modulated ion-induced atomic layer deposition (mii-ald)
US6630201B2 (en) 2001-04-05 2003-10-07 Angstron Systems, Inc. Adsorption process for atomic layer deposition
US6800173B2 (en) 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US6905547B1 (en) * 2000-12-21 2005-06-14 Genus, Inc. Method and apparatus for flexible atomic layer deposition
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
AU2002306436A1 (en) 2001-02-12 2002-10-15 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
US6613656B2 (en) * 2001-02-13 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Sequential pulse deposition
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US20020144786A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
US6596643B2 (en) 2001-05-07 2003-07-22 Applied Materials, Inc. CVD TiSiN barrier for copper integration
US7037574B2 (en) * 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
US6849545B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Applied Materials, Inc. System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
KR100427996B1 (ko) * 2001-07-19 2004-04-28 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기 및 그를 이용한 박막증착방법
JP2005504885A (ja) 2001-07-25 2005-02-17 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
WO2003023835A1 (en) * 2001-08-06 2003-03-20 Genitech Co., Ltd. Plasma enhanced atomic layer deposition (peald) equipment and method of forming a conducting thin film using the same thereof
US6820570B2 (en) 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
US7049226B2 (en) 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
KR100782529B1 (ko) * 2001-11-08 2007-12-06 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
WO2003065424A2 (en) 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6866746B2 (en) 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7066194B2 (en) 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US7186630B2 (en) 2002-08-14 2007-03-06 Asm America, Inc. Deposition of amorphous silicon-containing films
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
EP1420080A3 (en) 2002-11-14 2005-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes
US20040142558A1 (en) 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
US7244683B2 (en) 2003-01-07 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials
US6868859B2 (en) 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US6994319B2 (en) 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7601223B2 (en) 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7211508B2 (en) 2003-06-18 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials
KR100560772B1 (ko) * 2003-09-24 2006-03-13 삼성전자주식회사 가스 공급 장치를 구비하는 반응 챔버 시스템
US7071118B2 (en) * 2003-11-12 2006-07-04 Veeco Instruments, Inc. Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate
WO2005086588A2 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact thermal platforms
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8202575B2 (en) * 2004-06-28 2012-06-19 Cambridge Nanotech, Inc. Vapor deposition systems and methods
US7429402B2 (en) 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
EP1866465A2 (en) * 2005-01-18 2007-12-19 ASM America, Inc. Reaction system for growing a thin film
US7438760B2 (en) 2005-02-04 2008-10-21 Asm America, Inc. Methods of making substitutionally carbon-doped crystalline Si-containing materials by chemical vapor deposition
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US20060216548A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Ming Mao Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition
CN100595973C (zh) * 2005-03-30 2010-03-24 松下电器产业株式会社 传输线对和传输线组
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US7682946B2 (en) 2005-11-04 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
DE102005056320A1 (de) * 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan
WO2007078802A2 (en) 2005-12-22 2007-07-12 Asm America, Inc. Epitaxial deposition of doped semiconductor materials
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
WO2007111204A1 (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. 電極および真空処理装置
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7976898B2 (en) * 2006-09-20 2011-07-12 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
KR20080027009A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 원자층 증착 장치 및 그를 이용한 다층막 증착 방법
US7521379B2 (en) 2006-10-09 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
KR101355638B1 (ko) * 2006-11-09 2014-01-29 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
US20080241384A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
US20090041952A1 (en) 2007-08-10 2009-02-12 Asm Genitech Korea Ltd. Method of depositing silicon oxide films
KR20090018290A (ko) * 2007-08-17 2009-02-20 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US7759199B2 (en) 2007-09-19 2010-07-20 Asm America, Inc. Stressor for engineered strain on channel
KR101376336B1 (ko) 2007-11-27 2014-03-18 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
FI123322B (fi) * 2007-12-17 2013-02-28 Beneq Oy Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US7655543B2 (en) 2007-12-21 2010-02-02 Asm America, Inc. Separate injection of reactive species in selective formation of films
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US8273178B2 (en) * 2008-02-28 2012-09-25 Asm Genitech Korea Ltd. Thin film deposition apparatus and method of maintaining the same
KR101436564B1 (ko) * 2008-05-07 2014-09-02 한국에이에스엠지니텍 주식회사 비정질 실리콘 박막 형성 방법
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor
US8470718B2 (en) * 2008-08-13 2013-06-25 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8486191B2 (en) 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US8758512B2 (en) * 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
KR101536257B1 (ko) * 2009-07-22 2015-07-13 한국에이에스엠지니텍 주식회사 수평 흐름 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
JP2011144412A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Honda Motor Co Ltd プラズマ成膜装置
US9790594B2 (en) 2010-12-28 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Combination CVD/ALD method, source and pulse profile modification
US8524322B2 (en) 2010-12-28 2013-09-03 Asm International N.V. Combination CVD/ALD method and source
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
KR101685629B1 (ko) * 2011-04-29 2016-12-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 수평 흐름 원자층 증착 장치
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9062375B2 (en) 2011-08-17 2015-06-23 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9388492B2 (en) * 2011-12-27 2016-07-12 Asm America, Inc. Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2014191623A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Beneq Oy Substrate holder, arrangement and substrate carrier for supporting substrates
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
KR102267923B1 (ko) 2014-08-26 2021-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10738381B2 (en) 2015-08-13 2020-08-11 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition apparatus
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10358721B2 (en) * 2015-10-22 2019-07-23 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10662527B2 (en) 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
CN107195525B (zh) * 2017-05-16 2018-09-25 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种电感耦合等离子体刻蚀设备
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
KR20210098242A (ko) * 2020-01-31 2021-08-10 주성엔지니어링(주) 기판처리장치 및 기판처리방법
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20220041751A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 방법
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6250472A (ja) * 1985-06-29 1987-03-05 エステイ−シ−　ピ−エルシ− パルス化プラズマ装置及び方法
JPS6473619A (en) * 1987-09-14 1989-03-17 Fujitsu Ltd Method and apparatus for low-pressure process
JPH02274877A (ja) * 1989-04-15 1990-11-09 Nippon Sanso Kk 気相成長装置
JPH0338358A (ja) * 1989-07-05 1991-02-19 Nec Software Kansai Ltd ノンインパクト式プリンタ装置
JPH04103768A (ja) * 1990-08-24 1992-04-06 Hitachi Ltd Ｃｖｄ装置
JPH04106392A (ja) * 1990-08-24 1992-04-08 Tokyo Electron Ltd 封止装置及び封止方法
JPH0547669A (ja) * 1991-03-20 1993-02-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相成長装置
JPH08255784A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Nec Corp 真空処理装置および真空処理方法
JPH10280154A (ja) * 1997-04-02 1998-10-20 Nec Corp プラズマ化学気相成長装置
JPH10302998A (ja) * 1997-04-25 1998-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワークのプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2000126581A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Kokusai Electric Co Ltd ロードロック装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2895909B2 (ja) 1989-04-18 1999-05-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JPH04320025A (ja) * 1991-04-18 1992-11-10 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
JP3048421B2 (ja) 1991-07-23 2000-06-05 積水化学工業株式会社 射出成形品の製造方法
JP2646941B2 (ja) * 1992-07-02 1997-08-27 日新電機株式会社 薄膜形成方法
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
FI97731C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
TW464944B (en) * 1997-01-16 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Baking apparatus and baking method
JPH10280152A (ja) * 1997-04-14 1998-10-20 Nec Corp チャンバレスレーザｃｖｄ装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6250472A (ja) * 1985-06-29 1987-03-05 エステイ−シ−　ピ−エルシ− パルス化プラズマ装置及び方法
JPS6473619A (en) * 1987-09-14 1989-03-17 Fujitsu Ltd Method and apparatus for low-pressure process
JPH02274877A (ja) * 1989-04-15 1990-11-09 Nippon Sanso Kk 気相成長装置
JPH0338358A (ja) * 1989-07-05 1991-02-19 Nec Software Kansai Ltd ノンインパクト式プリンタ装置
JPH04103768A (ja) * 1990-08-24 1992-04-06 Hitachi Ltd Ｃｖｄ装置
JPH04106392A (ja) * 1990-08-24 1992-04-08 Tokyo Electron Ltd 封止装置及び封止方法
JPH0547669A (ja) * 1991-03-20 1993-02-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相成長装置
JPH08255784A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Nec Corp 真空処理装置および真空処理方法
JPH10280154A (ja) * 1997-04-02 1998-10-20 Nec Corp プラズマ化学気相成長装置
JPH10302998A (ja) * 1997-04-25 1998-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワークのプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2000126581A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Kokusai Electric Co Ltd ロードロック装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008540840A (ja) * 2005-05-09 2008-11-20 エイエスエム・ジェニテック・コリア・リミテッド 複数の気体流入口を有する原子層堆積装置の反応器
KR101309846B1 (ko) * 2006-06-28 2013-09-23 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
JP2012517101A (ja) * 2009-02-02 2012-07-26 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 導電材料の誘電体層上へのプラズマ増強原子層堆積
JP2014504442A (ja) * 2010-10-06 2014-02-20 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 対称形流入口及び流出口を介して反応ガスを供給する基板処理装置
JP2014505349A (ja) * 2010-10-06 2014-02-27 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 半円形状のアンテナを備える基板処理装置
JP2022000901A (ja) * 2017-07-31 2022-01-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated バッフルを有するガス供給部材
JP7236512B2 (ja) 2017-07-31 2023-03-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド バッフルを有するガス供給部材
US11885021B2 (en) 2017-07-31 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Gas supply member with baffle
JP2022016426A (ja) * 2020-07-08 2022-01-21 信越化学工業株式会社 酸化ガリウム半導体膜の製造方法及び成膜装置
JP2023068031A (ja) * 2020-07-08 2023-05-16 信越化学工業株式会社 成膜装置
JP7285889B2 (ja) 2020-07-08 2023-06-02 信越化学工業株式会社 酸化ガリウム半導体膜の製造方法及び成膜装置
JP7492621B2 (ja) 2020-07-08 2024-05-29 信越化学工業株式会社 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4726369B2 (ja) 2011-07-20
US6539891B1 (en) 2003-04-01
EP1125321B1 (en) 2007-08-15
EP1125321A1 (en) 2001-08-22
DE60035948T2 (de) 2008-05-15
DE60035948D1 (de) 2007-09-27
WO2000079576A1 (en) 2000-12-28
EP1125321A4 (en) 2004-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4726369B2 (ja) 化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法
JP4585692B2 (ja) 薄膜形成方法
US20030198754A1 (en) Aluminum oxide chamber and process
US7141499B2 (en) Apparatus and method for growth of a thin film
US7361387B2 (en) Plasma enhanced pulsed layer deposition
US7579276B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR100520902B1 (ko) 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법
TWI483313B (zh) 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
KR20190119158A (ko) 실리콘 옥사이드의 존재시 실리콘 표면들 상에서 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드의 선택적인 성장
KR20070093914A (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 막 증착 방법
TWI243403B (en) Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device
WO2004007795A1 (ja) 半導体処理用の成膜方法
KR100624030B1 (ko) 화학 증착 반응기 및 이를 이용한 박막 형성 방법
KR100230182B1 (ko) 반도체소자의 박막증착시스템 및 박막증착방법
JPWO2005024926A1 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2004277864A (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR20020011510A (ko) 화학 기상 증착 장치
JP2005129579A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JPH07240379A (ja) 薄膜形成法及びその装置
JP2004119486A (ja) 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP2007049046A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007073879A (ja) 基板処理装置
KR20000066722A (ko) 화학 기상 증착장치의 하부 전극부
KR20000066721A (ko) 화학 기상 증착장치의 하부 전극부

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070307

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100303

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110412

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4726369

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term