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JP2003501845A - 化学機械平坦化の終点検知のための光学ビューポート - Google Patents

化学機械平坦化の終点検知のための光学ビューポート

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Publication number
JP2003501845A
JP2003501845A JP2001503030A JP2001503030A JP2003501845A JP 2003501845 A JP2003501845 A JP 2003501845A JP 2001503030 A JP2001503030 A JP 2001503030A JP 2001503030 A JP2001503030 A JP 2001503030A JP 2003501845 A JP2003501845 A JP 2003501845A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
platen
optical
window
polishing pad
polishing
Prior art date
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Ceased
Application number
JP2001503030A
Other languages
English (en)
Inventor
トルアー・ランドルフ・イー．
ボイド・ジョン・エム．
ウルフ・ステファン・エイチ．
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2003501845A publication Critical patent/JP2003501845A/ja
Ceased legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/12—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with apertures for inspecting the surface to be abraded

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 【解決手段】 ＣＭＰシステムのための光学終点システムは、プラテンの中心からずれた位置に設けられたビューポートを備える。ビューポートの高さは調整可能であるため、ビューポートの窓は、研磨パッドの上面と同一平面上に配置可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
以下で説明する本発明は、化学機械研磨の処理、ならびに、研磨処理の進行を
モニタリングするための装置および方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】
集積回路を構成するためには、シリコンウエハからなる基板上に、多くの材料
層を形成する必要がある。これらの層は、複数の工程を経て作成される。先ず、
ウエハ上に材料を形成または堆積させ、次に、層が充分に平らになるまで、すな
わち、平坦化されるまで研磨する。なかには、意図的に不規則なトポロジーを利
用して回路の堆積またはエッチングすることによって形成される層もある。なか
には、下地層を酸化することによって、または、雰囲気中において別の反応をさ
せることによって形成される層もある。形成される層の平坦度は、制御できない
。したがって、次の層を形成する前に、適度な平坦度になるまで表面を研磨して
平らに、すなわち、「平坦化」しなければならない場合が多い。層の堆積および
平坦化の処理は、電子回路およびそれを接続するための相互接続を含む複数の層
が形成されるまで、多数回繰り返される。最終的には、非常に複雑かつ細密なデ
バイスが得られる。形成される回路の複雑さの度合は、いくつかの要因に依存す
る。そのうちの１つは、平坦化処理によって達成できる平坦度、および、その平
坦化処理の信頼度である。層を平坦化した結果として、表面のばらつきは、広範
な領域（５００〜１０００平方ミリメートル）において１０００オングストロー
ム以下になることが好ましい。
【０００３】 化学機械研磨（ＣＭＰ）処理は、半導体ウエハの平坦化またはトポグラフィー
の除去を達成する方法の１つである。化学機械研磨（ＣＭＰ）は、正確に制御さ
れた状態で、非常に精密に表面を研磨する処理である。この処理は、ウエハや集
積回路を研磨するアプリケーションにおいて、集積回路層から数オングストロー
ム分の材料を除去することによって、表面から正確な厚みを除去し、完全に平ら
な表面を得るために使用される。化学機械研磨を実施するために、適切な研磨剤
を含むスラリーと研磨処理を促進する化学剤と水とが、研磨パッドに送り込まれ
る。研磨パッドは、研磨を必要とする表面の上方で回転する（実際に、シリコン
ウエハや集積回路を処理する場合には、研磨パッドはウエハの下方で回転し、ウ
エハを研磨パッドの上方に吊して回転させる）。研磨量（除去される厚みおよび
処理済みの表面の平坦度）は、研磨に費やされる時間と、スラリー内の研磨剤の
分布と、研磨パッドに送り込まれるスラリーの量と、スラリーの組成（および他
のパラメータ）と、を制御することによって制御される。予測可能で信頼できる
結果を研磨処理で得るために、これらの各パラメータを制御することが重要であ
る一方で、ウエハの表面が特定の平坦度まで平坦化された時点を決定する方法を
提供することも望まれている。ウエハが特定の平坦度まで研磨された時点の決定
は、「終点検知」と呼ばれる。洗練されていない方法では、ウエハが研磨チャン
バから取り出され、その平坦度が測定される。望ましい平坦度に到達したウエハ
は後段の処理工程に引き渡され、望ましい平坦度まで充分に研磨されていないウ
エハは研磨チャンバに戻され、過度に研磨されたウエハは廃棄される。より進ん
だ方法では、研磨処理中にチャンバ内のウエハの表面を測定しており、一般に「
ｉｎ−ｓｉｔｕ」終点検知と呼ばれる。ウエハが平らであるか否かを決定するた
めに、超音波の反射や、研磨に対するウエハの機械抵抗の変化、ウエハ表面のイ
ンピーダンス、ウエハ表面の温度等の種々のウエハ特性を読み取ることによって
、ウエハの平坦度を測定する装置および方法が利用されている。
【０００４】 近年、ウエハの最上層の厚みを測定する光学終点検知と呼ばれる処理方法が開
発された。光学終点検知とは、ウエハの表面にレーザ光を照射してその反射を分
析する処理である。レーザ光の大部分はウエハの最上層の上面で反射されるが、
一部は最上層を透過して下層で反射される。これらの２種類の反射光は、２つの
光の干渉を測定するための干渉計に向かって反射する。干渉の度合は、層の厚み
を示すので、測定時における層の厚みを正確に決定することができる。ウエハの
表面に対して行われる多数の測定結果を比較すれば、表面の平坦度を表す総合的
な指標を得ることができる。この処理に関しては、Corliss （コーリス）による
米国特許第５，４２７，８７８号（１９９５年６月２７日）「Semiconductor Wa
fer Processing With Across-Wafer Critical Dimension Monitoring Using Opt
ical Endpoint Detection（光学終点検知を利用してウエハ全体の限界寸法をモ
ニタリングする半導体ウエハ処理）」において、プラズマエッチングに関連して
説明されている。また、Biranq （バイランク）等による米国特許第５，８９３
，７９６号（１９９９年４月１３日）「Forming A Transparent Window In A Po
lishing Pad For A Chemical Mechanical Polishing Apparatus（化学機械研磨
装置の研磨パッドにおける透明窓の形成）」において化学機械研磨に関連して説
明されている。バイランクは、研磨パッドおよびサポートプラテンの穴を介して
レーザ光を照射し、終点のモニタリングを行う方法を開示している。この穴は、
プラテンの回転中の一部の期間において、ＣＭＰ処理チャンバ内に固定されたレ
ーザ干渉計の上方を穴が通過する際に、研磨ヘッドによって保持されたウエハを
見ることができるように、配置されている。パッドに設けられた穴は、研磨パッ
ド内に塗られた透明プラグで満たされる。このシステムでは、結露やスラリーの
窓下方への浸透によって、レーザ光の照射が妨げられたり、パッドの高さと透明
プラグの高さとが完全に一致しないためにウエハにトレンチが形成されたりする
恐れがある。
【０００５】
【発明の概要】
以下で説明する装置は、回転式の研磨プラテンおよびオフセンタのウエハヘッ
ドトラックを使用する化学機械平坦化システムにおいて、光学終点検知を行うこ
とができる。ウエハ表面に対して光を送受信する必須の光ファイバが通る光学ビ
ューポートは、プラテンおよび研磨パッド内に研磨プラテンの中心からずれた位
置に設けられ、光ファイババンドルを介して、レーザ源およびレーザ干渉計に通
じる。光ファイババンドルは、プラテンの中心から半径方向にずれて配置された
ビューポートからプラテンの中心へ半径方向に達し、プラテンのスピンドルを下
方に向かって通り、さらに、研磨処理中にバンドルがプラテンと共に回転するこ
とを許容する回転式の光結合器まで達する。
【０００６】 光学ビューポートは、透明な窓と、プラテンおよび研磨パッドに対して高さを
調整することが可能な窓ケーシングと、を含むアセンブリとして提供される。し
たがって、厚みの異なる種々のパッドに関して、同一平面上に調整可能である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は、研磨ヘッド３によって保持された半導体ウエハ２を研磨するために用
いられる従来の化学機械研磨装置１を示す。研磨ヘッドは、ウエハを研磨プラテ
ン４の上方に吊り下げるとともに、ウエハを研磨パッドに対して軽く押し付ける
。研磨ヘッドは並進アーム５によって保持され、並進アーム５は並進スピンドル
６によって保持されて水平方向に往復運動する。研磨プラテン４は、研磨パッド
７を保持し、支持し、そして回転させる。研磨プラテンは、その中心軸を中心に
、プラテンスピンドル８によって回転する（プロセステーブル駆動とも呼ばれる
）。研磨パッド７は、通常、プラテン表面に接着された支持層１０（支持層は常
に使用されるとは限らない）上に固定された被覆層９を有している。被覆層９は
研磨面であり、連続気泡プロウレタン（例えば、Rodel IC1000）や、表面に溝を
有するポリウレタンシート（例えば、Rodel EX2000）からなる。パッド材料は、
スラリー媒質（水）と研磨剤と化学剤とを含む化学研磨スラリーで浸される。代
表的な化学スラリーは、ＫＯＨ（水酸化カリウム）およびヒュームドシリカ粒子
を含んでいる。研磨パッド上にスラリーが導入されると、ウエハが研磨パッドに
接触するように移動する。そして、プラテンが、その中心軸を中心にスピンドル
８によって回転する一方で、研磨ヘッドは、その中心軸を中心に研磨ヘッドスピ
ンドル１１によって回転し、並進アーム５によってプラテン４の表面を移動する
（水平方向に往復運動する）。このようにして、スラリーが導入された研磨パッ
ドによるウエハの研磨が行われる。使用される剤は苛性かつ腐食性であり、処理
は高温で実施されるため、コンポーネントは全て処理チャンバ１２内に設けられ
ている。このシステムでは、プラテン開口１３およびプラテン開口上のパッド開
口１４を通じて、干渉を測定することが可能である。これらの穴１３，１４は、
プラテンの回転中の一部の期間において、ヘッド３の並進位置に関わらず、ウエ
ハ２および研磨ヘッド３の下方にくるように、プラテン／パッドアセンブリ上に
配置される。レーザ干渉計１５は、プラテン開口およびパッド開口がウエハ２の
下を通過するときに、レーザ干渉計から射出されたレーザ光１６がこれらの開口
を通ってウエハ２の表面に当たるような位置に、チャンバ内においてプラテン４
の下方に固定されている。
【０００８】 図２および図３では、本発明の化学機械研磨システムが示されている。図２は
、光学終点窓２１が組み込まれた化学機械システム２０の上面図である。ウエハ
２（あるいは、平坦化もしくは研磨を必要とする他の加工物）は、研磨ヘッド３
によって保持され、研磨パッド７の上方において並進アーム５によって吊るされ
る。複数のウエハを保持する研磨ヘッドを使用し、研磨パッドの両端（左右）に
別々に並進アームを設けるようにしてもよい。研磨処理で使用されるスラリーは
、スラリー射出管２２を介して、研磨パッドの表面に射出される。光学終点窓２
１は、研磨パッド開口１３（およびその下の図示しないプラテン凹部）内に設け
られており、研磨パッドおよびその下のプラテン上の点に中心を置くように設け
られている。この点は、研磨ヘッドの中心と、研磨パッド／プラテンアセンブリ
の外縁とを結ぶ半径方向の中間の点である。光学終点窓２１は、こうしてウエハ
トラックの中心に配置される（すなわち、研磨パッド上のウエハの軌跡の中心）
。窓自体は、プラテンスピンドル８（点線で示される）上を、矢印２４の方向に
回転する研磨パッド／プラテンアセンブリと共に、回転する。各研磨ヘッドは、
矢印２５の方向に、それぞれのスピンドル１１を中心に回転する。研磨ヘッド自
体は、矢印２６で示されるように、並進スピンドル６によって研磨パッドの表面
上を往復運動する。したがって、両方の研磨ヘッドが回転しながら並進し、研磨
パッド／プラテンアセンブリの回転毎にウエハの表面を複雑な経路で移動する間
に、光学終点窓２１は研磨ヘッドの下方を通過する。
【０００９】 図３は、光学終点窓が組み込まれた化学機械システム２０の側面図である。各
コンポーネントは、図２に示す各コンポーネントに対応する。例えば、ウエハ２
、研磨ヘッド３、プラテン４、並進アーム５、並進スピンドル６、研磨パッド７
（被覆層９および支持層１０を含む）、プロセステーブル駆動スピンドル８、研
磨パッド開口１３、プラテン凹部１４、光学終点窓２１等である。図３に示す追
加の特徴によって、レーザ干渉計３０に対するプラテン凹部およびパッド開口の
位置に関わらず、ウエハの表面にレーザ光を導くことが可能となる。光ファイバ
バンドル３１は、プラテンの中心とプラテンの外縁とを結ぶ半径方向の一点に位
置する光学窓から、半径方向に沿ってプラテンの中心に向かい、そして、プラテ
ンから回転式の光結合器３２へと下降する経路を採る。図示された実施形態にお
いて、光ファイババンドルは、プロセステーブル駆動スピンドル８内を上下に通
り、該スピンドル内で垂直方向に向けられている。そして、ファイババンドルは
９０度方向転換し、プラテン内を水平方向かつ半径方向に通って光学窓に到達す
る。光学窓のハウジングでは、ファイババンドルは、上向きに方向転換し、ファ
イバを通って伝送されたレーザ光が、窓と窓−ウエハ間に存在するスラリーとを
介して、ウエハの表面に到達するように、方向付けられる。プラテンの軸および
光学窓における方向転換の曲げ半径は、選択されたファイバの製造に適した大き
さに制限される。回転形の光結合器内では、ファイババンドル３１の結合端３３
が、回転シール３４内で回転し、適切なビーム分割器を介して、静止ファイババ
ンドル３５に光学的に結合される。射出および反射されたレーザ光は、レーザ干
渉計内のレーザ源から射出されたものである。レーザ干渉計は、プラテン内のど
の開口とも同一線上にある必要はないので、処理チャンバの外側に配置される。
【００１０】 図４は、光学終点窓とファイババンドルアセンブリと研磨テーブルとを示す図
である。光ファイババンドル３２は、（プラテンを通るファイババンドルの水平
方向かつ半径方向の経路を形成する）バンドルカバーチューブ４１の半径方向の
端に設けられた光学ビューポートアセンブリ４０から延びる水平セグメント３２
ｈに通じており、バンドルカバーチューブ４１内を半径方向に中心に向かって通
り、下向きの曲管４２を通る。このバンドルは、さらに、環管４３を通って垂直
方向下向き（セグメント３２ｖ）に延び、図３に示す回転シール内で自由に回転
する回転形バンドル結合端３３まで延びる。
【００１１】 図５では、光学ビューポートアセンブリ４０が詳細に示されている。ファイバ
出力アレイ５０は、バンドル状の光ファイバを、各ファイバの発光／受光端が上
向きに終点窓内に至るように（そしてその上のウエハの面に至るように）、チャ
ネル内で保持する。終点窓は、終点窓ケーシングまたはアレイブラケット５１の
上面の上方で、開口５２を覆うように配置される。開口５２は、ファイバアレイ
５０に適合する。窓ケーシング５１は、カバーチューブ４１およびファイバアレ
イ５０に沿って設けられ、凹部４６の底面に固定される。窓板５３は、光ファイ
バアレイと処理チャンバ環境との間に配置される透明なバリアである（そして、
後述するように、その上面５４は、研磨パッドの上面と同一平面上に維持される
）。窓板は、ポリウレタン等の透明材料、または、Clariflex （商標）やpolyIR
5 （商標）等の透明なプラスチックで形成される。この窓板の厚みを製造される
各種研磨パッドに応じて変化させることによって、窓の上面と研磨パッドの上面
とを同一平面上にするために必要な調整量を、軽減させることが可能である。セ
ンタリングサポート部材５５は、サポート部材とカバーチューブ４１との間にサ
ポートばね５６を挟んだ状態で、プラテンの凹部内に設けられる（または、サポ
ートばねを凹部の底に設けてサポート部材の穴から突出させてもよい）。センタ
リングサポート部材は、その上面にＶ型のチャネルを有しており、ファイババン
ドルカバーチューブ４１の半径端の置き場所を提供し、チューブが確実に窓アセ
ンブリの中心を通るようにしている。センタリングサポート部材は、低デュロメ
ータ（約３０〜５０ショアＡ）のポリウレタンまたは類似の材料で形成され、フ
ァイバアレイ５０を緩衝させて支持する機能を有する。このアセンブリ全体は、
研磨プラテンの凹部４６（図４）内に挿入される。窓ケーシング５１は、高さ調
整ネジ５７を用いて、プラテンに対して配置される。このネジを調整することに
よって、窓ケーシングを上下させることができ、これにより、窓板を研磨パッド
の上面と完全に同一平面上に配置することができる。窓ケーシング５１は、窓ケ
ーシングを通ってプラテンの受け穴に入る固定ネジ５８等の留め具によって、プ
ラテンに対する所定の位置に固定される。調整ネジの調整および固定ネジの締め
付けによって、窓ケーシングの配置を確実に行うことができる。こうして、窓ケ
ーシングの上面がプラテンの表面と平行になり、窓板の上面が研磨パッドの上面
に対して平らになる。これにより、窓板の上面は、研磨パッドの上面と同じ高さ
（平行かつ同一平面上）に維持される。溝を有するパッドの場合には、溝の最上
部と一致するように窓を調整し、パッドの溝と一致するようにパッド自体に溝を
入れてもよい。
【００１２】 図６の側方断面図は、プラテン４内に設けられ研磨パッドを通って延びる窓ア
センブリを拡大して示す図である。バンドルカバーチューブ４１は、ビューポー
トアセンブリを通り、サポート部材５５およびサポートばね５６の上に置かれる
。ファイバアレイ５０は、窓ケーシング内で、開口５２に上向きにはめ込まれる
。窓ケーシング５１は、プラテンの凹部の底面５９と係合する調整ネジ５７によ
って、光ファイバアレイの上方で保持される。窓ケーシングと窓との垂直位置は
、プラテン凹部内のネジ受け穴６０に入る固定ネジ５８によって維持される。窓
板５３は、接着剤、小さなネジ、または他の適切な手段によって、窓ケーシング
の上面に固定される。
【００１３】 使用時には、ビューポートアセンブリは、凹部内に配置され、窓板の上面がパ
ッドの上面と同一平面上になるように、その高さが調整される。プラテンが回転
すると、ビューポートおよびビューポートアセンブリがテーブルと共に回転し、
プラテンの中心を軸にして旋回する。ビューポートは、平坦化処理の最中にウエ
ハの下方を繰り返し通過するので、ウエハ層の厚みを複数回測定することができ
る。
【００１４】 以上、好ましい実施形態における装置および方法を、これらの装置および方法
が開発された環境に関連して説明したが、これらは、本発明の原理を例示したも
のにすぎない。したがって、本発明の趣旨および添付した特許請求の範囲の範囲
から逸脱することなく、他の実施形態および構成を考案することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 化学機械研磨チャンバにおける従来の終点検知システムを示す図である。
【図２】 光学終点窓が組み込まれた化学機械システムの上面図である。
【図３】 光学終点窓が組み込まれた化学機械システムの側面図である。
【図４】 光学終点窓とファイババンドルアセンブリと研磨テーブルとの正面図である。
【図５】 光学終点窓を拡大した正面図である。
【図６】 プラテン内の適切な位置に設けられた光学終点窓アセンブリの断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ， ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，Ｌ Ｃ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ， ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，Ｔ Ｊ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ボイド・ジョン・エム． アメリカ合衆国 カリフォルニア州93401 サン・ルイス・オビスポ，バックリー・ ロード，825 (72)発明者 ウルフ・ステファン・エイチ． アメリカ合衆国 カリフォルニア州93401 サン・ルイス・オビスポ，バックリー・ ロード，825 Ｆターム(参考） 3C034 AA08 AA13 BB93 CA02 CB14 3C058 AC02 BA07 DA17

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加工物の表面を平坦化するためのシステムであって、 前記システムは、 回転プラテンを前記プラテンの表面上に配置された研磨パッドとともに収納す
    る処理チャンバと、 前記研磨パッドの上方で前記加工物を保持するための研磨ヘッドと、 前記プラテンをその中心を軸にして回転させるプラテン駆動スピンドルと、 を含む平坦化デバイスを備え、 前記デバイスは、さらに、 前記プラテンの中心から半径方向にずれた位置に設けられ、前記プラテン内に
    底面を有する凹部と、 前記研磨パッドに設けられ、前記プラテンの前記凹部の上に位置する開口と、 前記プラテンの前記凹部内に収納され、サポート部材と窓ケーシングと窓板と
    光ファイバアレイとを備える光学ビューポートアセンブリであって、前記サポー
    ト部材は、前記凹部の前記底面上に置かれて前記光ファイバアレイを支持し、前
    記窓ケーシングは、前記光ファイバアレイの上方に配置され、前記ファイバアレ
    イの上方に開口を有し、前記窓ケーシングは、前記プラテンに対して前記窓ケー
    シングを上下させる調整が可能な少なくとも１つの調整ネジと、前記窓ケーシン
    グを前記プラテンに対して固定するための少なくとも１つの留め具と、を用いて
    前記プラテンに対して支持される、前記光学ビューポートアセンブリと、 前記光ファイバアレイから、半径方向に沿うように前記プラテンの前記中心に
    向かい、さらに前記プラテン駆動スプールを通って光結合器まで通じる光ファイ
    ババンドルと、 を備えるシステム。
  2. 【請求項２】 加工物の表面を平坦化するためのシステムであって、 前記システムは、 回転プラテンを前記プラテンの表面上に配置された研磨パッドとともに収納す
    る処理チャンバと、 前記研磨パッドの表面の上方で前記加工物を保持するための研磨ヘッドと、 前記プラテンをその中心を軸にして回転させるプラテン駆動スピンドルと、 を含む平坦化デバイスを備え、 前記デバイスは、さらに、 前記プラテンの中心から半径方向にずれた位置に設けられ、前記プラテン内に
    底面を有する凹部と、 前記研磨パッドに設けられ、前記プラテンの前記凹部の上に位置する開口と、 前記プラテンの前記凹部内に収納され、サポート部材と窓ケーシングと窓板と
    光ファイバアレイとを備える光学ビューポートアセンブリであって、前記サポー
    ト部材は、前記凹部の前記底面上に置かれて前記光ファイバアレイを支持し、前
    記窓ケーシングは、前記光ファイバアレイの上方に配置され、前記ファイバアレ
    イの上方に開口を有し、前記窓ケーシングは、前記プラテンに対して前記窓ケー
    シングを上下させる調整が可能な少なくとも１つの調整ネジと、前記窓ケーシン
    グを前記プラテンに対して固定するための少なくとも１つの留め具と、を用いて
    前記プラテンに対して支持され、前記光学ビューポートは、前記プラテンから前
    記研磨パッドの前記開口内に至り、前記窓板は、前記研磨パッドの前記表面と同
    一平面上にある、前記光学ビューポートアセンブリと、 前記光ファイバアレイから、半径方向に沿うように前記プラテンの前記中心に
    向かい、さらに前記プラテン駆動スプールを通って、回転形の光結合器まで通じ
    る光ファイババンドルと、 を備え、 前記回転形の光結合器は、前記回転形の光結合器との間でレーザ光の送受信を
    行うことができ、前記処理チャンバの外側に配置されたレーザ干渉計に通じてい
    る、システム。
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