JP2003321297A - シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
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- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格
子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ
確実に酸化膜耐圧等の電気特性を向上させることができ
るシリコン単結晶を高速かつ安定して製造し、高耐圧で
優れた電気特性を持つ無欠陥のシリコン単結晶ウェーハ
を低コストで提供する。 【解決手段】 ルツボ３２内に収容したシリコン融液２
に種結晶を接触させた後、該種結晶を回転させながら引
き上げてシリコン単結晶１を育成するチョクラルスキー
法によるシリコン単結晶の製造方法において、前記ルツ
ボを回転させずに又は前記種結晶の回転方向と同じ方向
に回転させるとともに、熱酸化処理をした際にリング状
に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジ
ションにより検出される欠陥領域が存在しない無欠陥領
域内で結晶を育成する。好ましくは、シリコン融液に水
平磁場を印加し、ルツボの回転速度を０〜２ｒｐｍの範
囲内とする。
子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ
確実に酸化膜耐圧等の電気特性を向上させることができ
るシリコン単結晶を高速かつ安定して製造し、高耐圧で
優れた電気特性を持つ無欠陥のシリコン単結晶ウェーハ
を低コストで提供する。 【解決手段】 ルツボ３２内に収容したシリコン融液２
に種結晶を接触させた後、該種結晶を回転させながら引
き上げてシリコン単結晶１を育成するチョクラルスキー
法によるシリコン単結晶の製造方法において、前記ルツ
ボを回転させずに又は前記種結晶の回転方向と同じ方向
に回転させるとともに、熱酸化処理をした際にリング状
に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジ
ションにより検出される欠陥領域が存在しない無欠陥領
域内で結晶を育成する。好ましくは、シリコン融液に水
平磁場を印加し、ルツボの回転速度を０〜２ｒｐｍの範
囲内とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、後述するようなＶ
領域、Ｉ領域、及びＯＳＦ領域のいずれの欠陥も無く、
かつＣｕデポジッションにより検出される欠陥も存在し
ない無欠陥領域のシリコン単結晶を高速かつ安定して製
造する方法に関する。
領域、Ｉ領域、及びＯＳＦ領域のいずれの欠陥も無く、
かつＣｕデポジッションにより検出される欠陥も存在し
ない無欠陥領域のシリコン単結晶を高速かつ安定して製
造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年は、半導体回路の高集積化に伴う素
子の微細化に伴い、その基板となるチョクラルスキー法
（ＣＺ法）で作製されたシリコン単結晶に対する品質要
求が高まってきている。特に、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯ
Ｐ等のグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥と呼ばれ
る酸化膜耐圧特性やデバイスの特性を悪化させる、単結
晶成長起因の欠陥が存在しその密度とサイズの低減が重
要視されている。
子の微細化に伴い、その基板となるチョクラルスキー法
（ＣＺ法）で作製されたシリコン単結晶に対する品質要
求が高まってきている。特に、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯ
Ｐ等のグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥と呼ばれ
る酸化膜耐圧特性やデバイスの特性を悪化させる、単結
晶成長起因の欠陥が存在しその密度とサイズの低減が重
要視されている。
【０００３】これらの欠陥を説明するに当たって、先
ず、シリコン単結晶に取り込まれるベイカンシイ（Ｖａ
ｃａｎｃｙ、以下「Ｖ」と略記することがある）と呼ば
れる空孔型の点欠陥と、インタースティシアル−シリコ
ン（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ、以下「Ｉ」と略
記することがある）と呼ばれる格子間型シリコン点欠陥
のそれぞれの取り込まれる濃度を決定する因子につい
て、一般的に知られていることを説明する。
ず、シリコン単結晶に取り込まれるベイカンシイ（Ｖａ
ｃａｎｃｙ、以下「Ｖ」と略記することがある）と呼ば
れる空孔型の点欠陥と、インタースティシアル−シリコ
ン（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ、以下「Ｉ」と略
記することがある）と呼ばれる格子間型シリコン点欠陥
のそれぞれの取り込まれる濃度を決定する因子につい
て、一般的に知られていることを説明する。
【０００４】シリコン単結晶において、Ｖ領域とは、Ｖ
ａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する
凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ領域とは、
シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位
や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことである。ま
た、Ｖ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い
（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略
記することがある）領域が存在していることになる。そ
して、前記グローンイン欠陥（ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯ
Ｐ等）というのは、あくまでもＶやＩが過飽和な状態の
時に点欠陥が凝集した結果として発生するものであり、
多少の原子の偏りがあっても、飽和以下であれば、点欠
陥は凝集せず、前記グローンイン欠陥としては存在しな
いことが判ってきた。
ａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する
凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ領域とは、
シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位
や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことである。ま
た、Ｖ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い
（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略
記することがある）領域が存在していることになる。そ
して、前記グローンイン欠陥（ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯ
Ｐ等）というのは、あくまでもＶやＩが過飽和な状態の
時に点欠陥が凝集した結果として発生するものであり、
多少の原子の偏りがあっても、飽和以下であれば、点欠
陥は凝集せず、前記グローンイン欠陥としては存在しな
いことが判ってきた。
【０００５】この両点欠陥の濃度は、ＣＺ法における結
晶の引上げ速度（成長速度）と結晶中の固液界面近傍の
温度勾配Ｇとの関係から決まり、Ｖ領域とＩ領域との境
界近辺にはＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、Ｏｘｉｄａｔｉ
ｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌ
ｔ）と呼ばれる欠陥が、結晶成長軸に対する垂直方向の
断面で見た時に、リング状に分布（以下、ＯＳＦリング
ということがある）していることが確認されている。
晶の引上げ速度（成長速度）と結晶中の固液界面近傍の
温度勾配Ｇとの関係から決まり、Ｖ領域とＩ領域との境
界近辺にはＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、Ｏｘｉｄａｔｉ
ｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌ
ｔ）と呼ばれる欠陥が、結晶成長軸に対する垂直方向の
断面で見た時に、リング状に分布（以下、ＯＳＦリング
ということがある）していることが確認されている。
【０００６】これら結晶成長起因の欠陥は、通常の結晶
中固液界面近傍の温度勾配Ｇが大きい炉内構造（ホット
ゾーン：ＨＺ）を使用したＣＺ引上げ機で結晶軸方向に
成長速度を高速から低速に変化させた場合、図６に示し
たような欠陥分布図として得られる。
中固液界面近傍の温度勾配Ｇが大きい炉内構造（ホット
ゾーン：ＨＺ）を使用したＣＺ引上げ機で結晶軸方向に
成長速度を高速から低速に変化させた場合、図６に示し
たような欠陥分布図として得られる。
【０００７】そしてこれら結晶成長起因の欠陥を分類す
ると、例えば成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ前後以上と
比較的高速の場合には、空孔型の点欠陥が集合したボイ
ド起因とされているＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグロ
ーンイン欠陥が結晶径方向全域に高密度に存在し、これ
ら欠陥が存在する領域はＶ領域と呼ばれている（図６の
ライン（Ａ））。また、成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ
以下の場合は、成長速度の低下に伴い、ＯＳＦリングが
結晶の周辺から発生し、このリングの外側に格子間シリ
コンが集合した転位ループ起因と考えられているＬ／Ｄ
（ＬａｒｇｅＤｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：格子間転位ルー
プの略号、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ等）の欠陥（巨大転位
クラスタ）が低密度に存在し、これらの欠陥が存在する
領域はＩ領域（Ｌ／Ｄ領域ということがある）と呼ばれ
ている。さらに、成長速度を０．４ｍｍ／ｍｉｎ前後以
下と低速にすると、ＯＳＦリングがウエーハの中心に収
縮して消滅し、全面がＩ領域となる（図６のライン
（Ｃ））。
ると、例えば成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ前後以上と
比較的高速の場合には、空孔型の点欠陥が集合したボイ
ド起因とされているＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグロ
ーンイン欠陥が結晶径方向全域に高密度に存在し、これ
ら欠陥が存在する領域はＶ領域と呼ばれている（図６の
ライン（Ａ））。また、成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ
以下の場合は、成長速度の低下に伴い、ＯＳＦリングが
結晶の周辺から発生し、このリングの外側に格子間シリ
コンが集合した転位ループ起因と考えられているＬ／Ｄ
（ＬａｒｇｅＤｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：格子間転位ルー
プの略号、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ等）の欠陥（巨大転位
クラスタ）が低密度に存在し、これらの欠陥が存在する
領域はＩ領域（Ｌ／Ｄ領域ということがある）と呼ばれ
ている。さらに、成長速度を０．４ｍｍ／ｍｉｎ前後以
下と低速にすると、ＯＳＦリングがウエーハの中心に収
縮して消滅し、全面がＩ領域となる（図６のライン
（Ｃ））。
【０００８】また、近年Ｖ領域とＩ領域の中間でＯＳＦ
リングの外側に、Ｎ領域と呼ばれる、空孔起因のＦＰ
Ｄ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰも、格子間シリコン起因のＬＳＥ
ＰＤ、ＬＦＰＤも存在しない領域の存在が発見されてい
る。この領域はＯＳＦリングの外側にあり、そして、酸
素析出熱処理を施し、Ｘ−ｒａｙ観察等で析出のコント
ラストを確認した場合に、酸素析出がほとんどなく、か
つ、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤが形成されるほどリッチでは
ないＩ領域側であると報告されている（図６のライン
（Ｂ））。
リングの外側に、Ｎ領域と呼ばれる、空孔起因のＦＰ
Ｄ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰも、格子間シリコン起因のＬＳＥ
ＰＤ、ＬＦＰＤも存在しない領域の存在が発見されてい
る。この領域はＯＳＦリングの外側にあり、そして、酸
素析出熱処理を施し、Ｘ−ｒａｙ観察等で析出のコント
ラストを確認した場合に、酸素析出がほとんどなく、か
つ、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤが形成されるほどリッチでは
ないＩ領域側であると報告されている（図６のライン
（Ｂ））。
【０００９】これらのＮ領域は、通常の方法では、成長
速度を下げた時に成長軸方向に対して斜めに存在するた
め、ウエーハ面内では一部分にしか存在しなかった（例
えば、図６のライン（Ｂ）であれば、ＯＳＦリングの外
側であるウェーハ周辺部のみ）。このＮ領域について、
ボロンコフ理論（Ｖ．Ｖ．Ｖｏｒｏｎｋｏｖ；Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，５９
（１９８２）６２５〜６４３）では、引上げ速度（Ｖ）
と結晶固液界面軸方向温度勾配（Ｇ）の比であるＶ／Ｇ
というパラメータが点欠陥のトータルな濃度を決定する
と唱えている。このことから考えると、面内で引上げ速
度（成長速度）はほぼ一定のはずであるから、面内でＧ
が分布を持つために、例えば、ある引上げ速度では中心
がＶ領域でＮ領域を挟んで周辺でＩ領域となるような結
晶しか得られなかった。
速度を下げた時に成長軸方向に対して斜めに存在するた
め、ウエーハ面内では一部分にしか存在しなかった（例
えば、図６のライン（Ｂ）であれば、ＯＳＦリングの外
側であるウェーハ周辺部のみ）。このＮ領域について、
ボロンコフ理論（Ｖ．Ｖ．Ｖｏｒｏｎｋｏｖ；Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，５９
（１９８２）６２５〜６４３）では、引上げ速度（Ｖ）
と結晶固液界面軸方向温度勾配（Ｇ）の比であるＶ／Ｇ
というパラメータが点欠陥のトータルな濃度を決定する
と唱えている。このことから考えると、面内で引上げ速
度（成長速度）はほぼ一定のはずであるから、面内でＧ
が分布を持つために、例えば、ある引上げ速度では中心
がＶ領域でＮ領域を挟んで周辺でＩ領域となるような結
晶しか得られなかった。
【００１０】そこで最近、面内のＧの分布を改良して、
この斜めでしか存在しなかったＮ−領域を、例えば、引
上げ速度（成長速度）を徐々に下げながら引上げた時
に、ある引上げ速度でＮ領域が横全面（ウェーハ全面）
に広がった結晶が製造できるようになった。また、この
全面Ｎ領域の結晶を長さ方向へ拡大するには、このＮ領
域が横に広がった時の引上げ速度を維持して引上げれば
ある程度達成できる。また、結晶が成長するに従ってＧ
が変化することを考慮し、それを補正して、あくまでも
Ｖ／Ｇが一定になるように、引上げ速度を調節すれば、
それなりに成長方向にも、全面Ｎ領域となる結晶が拡大
できるようになった。
この斜めでしか存在しなかったＮ−領域を、例えば、引
上げ速度（成長速度）を徐々に下げながら引上げた時
に、ある引上げ速度でＮ領域が横全面（ウェーハ全面）
に広がった結晶が製造できるようになった。また、この
全面Ｎ領域の結晶を長さ方向へ拡大するには、このＮ領
域が横に広がった時の引上げ速度を維持して引上げれば
ある程度達成できる。また、結晶が成長するに従ってＧ
が変化することを考慮し、それを補正して、あくまでも
Ｖ／Ｇが一定になるように、引上げ速度を調節すれば、
それなりに成長方向にも、全面Ｎ領域となる結晶が拡大
できるようになった。
【００１１】ところが、上記のように全面Ｎ領域であ
り、熱酸化処理した際にＯＳＦリングを発生せず、かつ
全面にＦＰＤ、Ｌ／Ｄが存在しない単結晶であるにもか
かわらず酸化膜欠陥が著しく発生する場合があることが
わかった。そして、これが酸化膜耐圧特性のような電気
特性を劣化させる原因となっており、従来の全面がＮ領
域であるというだけでは不十分であり、品質のさらなる
改善が望まれていた。
り、熱酸化処理した際にＯＳＦリングを発生せず、かつ
全面にＦＰＤ、Ｌ／Ｄが存在しない単結晶であるにもか
かわらず酸化膜欠陥が著しく発生する場合があることが
わかった。そして、これが酸化膜耐圧特性のような電気
特性を劣化させる原因となっており、従来の全面がＮ領
域であるというだけでは不十分であり、品質のさらなる
改善が望まれていた。
【００１２】さらに、上記のようなＮ領域の結晶を引き
上げるには、どうしても従来の結晶であるＶ領域の結晶
より引き上げ速度を低下させる必要があるとともに、そ
の制御範囲も狭いために著しく結晶の生産性が低下する
という問題がある。近年における半導体の需要の増大と
低コスト化に対応するためには、高品質のシリコン単結
晶を高速かつ安定して製造する必要もある。
上げるには、どうしても従来の結晶であるＶ領域の結晶
より引き上げ速度を低下させる必要があるとともに、そ
の制御範囲も狭いために著しく結晶の生産性が低下する
という問題がある。近年における半導体の需要の増大と
低コスト化に対応するためには、高品質のシリコン単結
晶を高速かつ安定して製造する必要もある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、チョ
クラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空
孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコン
リッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ確実に酸化膜
耐圧等の電気特性を向上させることができるシリコン単
結晶を高速かつ安定して製造し、高耐圧で優れた電気特
性を持つ無欠陥のシリコン単結晶ウェーハを低コストで
提供することを目的とする。
クラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空
孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコン
リッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ確実に酸化膜
耐圧等の電気特性を向上させることができるシリコン単
結晶を高速かつ安定して製造し、高耐圧で優れた電気特
性を持つ無欠陥のシリコン単結晶ウェーハを低コストで
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、ルツボ内に収容したシリコン融液
に種結晶を接触させた後、該種結晶を回転させながら引
き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法
によるシリコン単結晶の製造方法において、前記ルツボ
を回転させずに又は前記種結晶の回転方向と同じ方向に
回転させるとともに、熱酸化処理をした際にリング状に
発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジシ
ョンにより検出される欠陥領域が存在しない無欠陥領域
内で結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の
製造方法が提供される（請求項１）。
め、本発明によれば、ルツボ内に収容したシリコン融液
に種結晶を接触させた後、該種結晶を回転させながら引
き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法
によるシリコン単結晶の製造方法において、前記ルツボ
を回転させずに又は前記種結晶の回転方向と同じ方向に
回転させるとともに、熱酸化処理をした際にリング状に
発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジシ
ョンにより検出される欠陥領域が存在しない無欠陥領域
内で結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の
製造方法が提供される（請求項１）。
【００１５】このような製造方法によれば、育成結晶を
ウェーハとしたときに全面にわたって、Ｖ領域のＦＰＤ
等の欠陥、Ｉ領域の巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、Ｌ
ＦＰＤ）、及びＯＳＦ欠陥が形成されないＮ領域であっ
て、しかもＣｕデポジションにより検出される欠陥（Ｃ
ｕデポジッション欠陥）も存在しない無欠陥のシリコン
単結晶を従来より高速かつ安定して製造することができ
る。
ウェーハとしたときに全面にわたって、Ｖ領域のＦＰＤ
等の欠陥、Ｉ領域の巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、Ｌ
ＦＰＤ）、及びＯＳＦ欠陥が形成されないＮ領域であっ
て、しかもＣｕデポジションにより検出される欠陥（Ｃ
ｕデポジッション欠陥）も存在しない無欠陥のシリコン
単結晶を従来より高速かつ安定して製造することができ
る。
【００１６】また、本発明によれば、ルツボ内に収容し
たシリコン融液に種結晶を接触させた後、該種結晶を回
転させながら引き上げてシリコン単結晶を育成するチョ
クラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法におい
て、前記ルツボを回転させずに又は前記種結晶の回転方
向と同じ方向に回転させるとともに、育成中のシリコン
単結晶の成長速度を漸減した場合、ＯＳＦリング消滅後
に残存するＣｕデポジションにより検出される欠陥領域
が消滅する境界の成長速度と、さらに成長速度を漸減し
た場合に格子間転位ループが発生する境界の成長速度と
の間の成長速度に制御して結晶を育成することを特徴と
するシリコン単結晶の製造方法も提供される（請求項
２）。
たシリコン融液に種結晶を接触させた後、該種結晶を回
転させながら引き上げてシリコン単結晶を育成するチョ
クラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法におい
て、前記ルツボを回転させずに又は前記種結晶の回転方
向と同じ方向に回転させるとともに、育成中のシリコン
単結晶の成長速度を漸減した場合、ＯＳＦリング消滅後
に残存するＣｕデポジションにより検出される欠陥領域
が消滅する境界の成長速度と、さらに成長速度を漸減し
た場合に格子間転位ループが発生する境界の成長速度と
の間の成長速度に制御して結晶を育成することを特徴と
するシリコン単結晶の製造方法も提供される（請求項
２）。
【００１７】このような方法によっても、ＦＰＤ等のＶ
領域欠陥、巨大転位クラスタ等のＩ領域欠陥、及びＯＳ
Ｆ欠陥が形成されず、Ｃｕデポジッション欠陥も存在し
ない無欠陥のシリコン単結晶を従来より確実に高速かつ
安定して製造することができる。
領域欠陥、巨大転位クラスタ等のＩ領域欠陥、及びＯＳ
Ｆ欠陥が形成されず、Ｃｕデポジッション欠陥も存在し
ない無欠陥のシリコン単結晶を従来より確実に高速かつ
安定して製造することができる。
【００１８】これらの方法によりシリコン単結晶の製造
を行う場合、シリコン融液に水平磁場を印加しながらシ
リコン単結晶を育成することが好ましい（請求項３）。
このようにシリコン融液に水平磁場を印加しながらシリ
コン単結晶の育成を行えば、融液の対流を抑制し、無欠
陥のシリコン単結晶をより安定して成長させることがで
きる。
を行う場合、シリコン融液に水平磁場を印加しながらシ
リコン単結晶を育成することが好ましい（請求項３）。
このようにシリコン融液に水平磁場を印加しながらシリ
コン単結晶の育成を行えば、融液の対流を抑制し、無欠
陥のシリコン単結晶をより安定して成長させることがで
きる。
【００１９】また、ルツボの回転速度を０〜２ｒｐｍの
範囲内とすることが好ましい（請求項４）。このように
ルツボを回転させずに（回転速度：０ｒｐｍ）、あるい
は２ｒｐｍ以下の回転速度で種結晶の回転方向と同じ方
向に回転させてシリコン単結晶を育成すれば、無欠陥の
シリコン単結晶をより高速で育成することができる。
範囲内とすることが好ましい（請求項４）。このように
ルツボを回転させずに（回転速度：０ｒｐｍ）、あるい
は２ｒｐｍ以下の回転速度で種結晶の回転方向と同じ方
向に回転させてシリコン単結晶を育成すれば、無欠陥の
シリコン単結晶をより高速で育成することができる。
【００２０】前記方法により育成したシリコン単結晶か
らスライス加工したものであることを特徴とする無欠陥
のシリコン単結晶ウェーハが提供される（請求項５）。
このようなシリコンウェーハであれば、ＦＰＤ等のＶ領
域欠陥、巨大転位クラスタ等のＩ領域欠陥、及びＯＳＦ
欠陥を含まず、Ｃｕデポジッション欠陥も無い、高耐圧
で優れた電気特性を持つ無欠陥のシリコン単結晶ウエー
ハとなるとともに、高速で成長させているので安価なも
のとなる。
らスライス加工したものであることを特徴とする無欠陥
のシリコン単結晶ウェーハが提供される（請求項５）。
このようなシリコンウェーハであれば、ＦＰＤ等のＶ領
域欠陥、巨大転位クラスタ等のＩ領域欠陥、及びＯＳＦ
欠陥を含まず、Ｃｕデポジッション欠陥も無い、高耐圧
で優れた電気特性を持つ無欠陥のシリコン単結晶ウエー
ハとなるとともに、高速で成長させているので安価なも
のとなる。
【００２１】以下、本発明につき詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。説明に先立ち
前出の各用語につき予め解説しておく。 １）ＦＰＤ（Ｆｌｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｄｅｆｅｃ
ｔ）とは、成長後のシリコン単結晶棒からウエーハを切
り出し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチン
グして取り除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 と弗酸と水の混合
液で表面をエッチング（Ｓｅｃｃｏエッチング）するこ
とによりピットおよびさざ波模様が生じる。このさざ波
模様をＦＰＤと称し、ウエーハ面内のＦＰＤ密度が高い
ほど酸化膜耐圧の不良が増える（特開平４−１９２３４
５号公報参照）。
発明はこれらに限定されるものではない。説明に先立ち
前出の各用語につき予め解説しておく。 １）ＦＰＤ（Ｆｌｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｄｅｆｅｃ
ｔ）とは、成長後のシリコン単結晶棒からウエーハを切
り出し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチン
グして取り除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 と弗酸と水の混合
液で表面をエッチング（Ｓｅｃｃｏエッチング）するこ
とによりピットおよびさざ波模様が生じる。このさざ波
模様をＦＰＤと称し、ウエーハ面内のＦＰＤ密度が高い
ほど酸化膜耐圧の不良が増える（特開平４−１９２３４
５号公報参照）。
【００２２】２）ＳＥＰＤ（Ｓｅｃｃｏ Ｅｔｃｈ Ｐ
ｉｔ Ｄｅｆｅｃｔ）とは、ＦＰＤと同一のＳｅｃｃｏ
エッチングを施した時に、流れ模様（ｆｌｏｗ ｐａｔ
ｔｅｒｎ）を伴うものをＦＰＤと呼び、流れ模様を伴わ
ないものをＳＥＰＤと呼ぶ。この中で１０μｍ以上の大
きいＳＥＰＤ（ＬＳＥＰＤ）は転位クラスターに起因す
ると考えられ、デバイスに転位クラスターが存在する場
合、この転位を通じて電流がリークし、Ｐ−Ｎジャンク
ションとしての機能を果たさなくなる。
ｉｔ Ｄｅｆｅｃｔ）とは、ＦＰＤと同一のＳｅｃｃｏ
エッチングを施した時に、流れ模様（ｆｌｏｗ ｐａｔ
ｔｅｒｎ）を伴うものをＦＰＤと呼び、流れ模様を伴わ
ないものをＳＥＰＤと呼ぶ。この中で１０μｍ以上の大
きいＳＥＰＤ（ＬＳＥＰＤ）は転位クラスターに起因す
ると考えられ、デバイスに転位クラスターが存在する場
合、この転位を通じて電流がリークし、Ｐ−Ｎジャンク
ションとしての機能を果たさなくなる。
【００２３】３）ＬＳＴＤ（Ｌａｓｅｒ Ｓｃａｔｔｅ
ｒｉｎｇ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ Ｄｅｆｅｃｔ）と
は、成長後のシリコン単結晶棒からウエーハを切り出
し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチングし
て取り除いた後、ウエーハを劈開する。この劈開面より
赤外光を入射し、ウエーハ表面から出た光を検出するこ
とでウエーハ内に存在する欠陥による散乱光を検出する
ことができる。ここで観察される散乱体については学会
等ですでに報告があり、酸素析出物とみなされている
（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３２，
Ｐ３６７９，１９９３参照）。また、最近の研究では、
八面体のボイド（穴）であるという結果も報告されてい
る。
ｒｉｎｇ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ Ｄｅｆｅｃｔ）と
は、成長後のシリコン単結晶棒からウエーハを切り出
し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチングし
て取り除いた後、ウエーハを劈開する。この劈開面より
赤外光を入射し、ウエーハ表面から出た光を検出するこ
とでウエーハ内に存在する欠陥による散乱光を検出する
ことができる。ここで観察される散乱体については学会
等ですでに報告があり、酸素析出物とみなされている
（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３２，
Ｐ３６７９，１９９３参照）。また、最近の研究では、
八面体のボイド（穴）であるという結果も報告されてい
る。
【００２４】４）ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉ
ｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）とは、ウエーハの中心
部の酸化膜耐圧を劣化させる原因となる欠陥で、Ｓｅｃ
ｃｏエッチではＦＰＤになる欠陥が、ＳＣ−１洗浄（Ｎ
Ｈ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１０の混合液に
よる洗浄）では選択エッチング液として働き、ＣＯＰに
なる。このピットの直径は１μｍ以下で光散乱法で調べ
る。
ｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）とは、ウエーハの中心
部の酸化膜耐圧を劣化させる原因となる欠陥で、Ｓｅｃ
ｃｏエッチではＦＰＤになる欠陥が、ＳＣ−１洗浄（Ｎ
Ｈ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１０の混合液に
よる洗浄）では選択エッチング液として働き、ＣＯＰに
なる。このピットの直径は１μｍ以下で光散乱法で調べ
る。
【００２５】５）Ｌ／Ｄ（Ｌａｒｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａ
ｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号）には、ＬＳＥＰ
Ｄ、ＬＦＰＤ等があり、格子間シリコンが凝集した転位
ループ起因と考えられている欠陥である。ＬＳＥＰＤ
は、上記したようにＳＥＰＤの中でも１０μｍ以上の大
きいものをいう。また、ＬＦＰＤは、上記したＦＰＤの
中でも先端ピットの大きさが１０μｍ以上の大きいもの
をいい、こちらも転位ループ起因と考えられている。
ｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号）には、ＬＳＥＰ
Ｄ、ＬＦＰＤ等があり、格子間シリコンが凝集した転位
ループ起因と考えられている欠陥である。ＬＳＥＰＤ
は、上記したようにＳＥＰＤの中でも１０μｍ以上の大
きいものをいう。また、ＬＦＰＤは、上記したＦＰＤの
中でも先端ピットの大きさが１０μｍ以上の大きいもの
をいい、こちらも転位ループ起因と考えられている。
【００２６】６）Ｃｕデポジション法は、半導体ウエー
ハの欠陥の位置を正確に測定し、半導体ウエーハの欠陥
に対する検出限度を向上させ、より微細な欠陥に対して
も正確に測定し、分析できるウエーハの評価法である。
ハの欠陥の位置を正確に測定し、半導体ウエーハの欠陥
に対する検出限度を向上させ、より微細な欠陥に対して
も正確に測定し、分析できるウエーハの評価法である。
【００２７】具体的なウエーハの評価方法は、ウエーハ
表面上に所定の厚さの絶縁膜を形成させ、前記ウエーハ
の表面近くに形成された欠陥部位上の絶縁膜を破壊して
欠陥部位にＣｕ等の電解物質を析出（デポジション）す
るものである。つまり、Ｃｕデポジション法は、Ｃｕイ
オンが溶存する液体の中で、ウエーハ表面に形成した酸
化膜に電位を印加すると、酸化膜が劣化している部位に
電流が流れ、ＣｕイオンがＣｕとなって析出することを
利用した評価法である。酸化膜が劣化し易い部分にはＣ
ＯＰ等の欠陥が存在していることが知られている。
表面上に所定の厚さの絶縁膜を形成させ、前記ウエーハ
の表面近くに形成された欠陥部位上の絶縁膜を破壊して
欠陥部位にＣｕ等の電解物質を析出（デポジション）す
るものである。つまり、Ｃｕデポジション法は、Ｃｕイ
オンが溶存する液体の中で、ウエーハ表面に形成した酸
化膜に電位を印加すると、酸化膜が劣化している部位に
電流が流れ、ＣｕイオンがＣｕとなって析出することを
利用した評価法である。酸化膜が劣化し易い部分にはＣ
ＯＰ等の欠陥が存在していることが知られている。
【００２８】Ｃｕデポジションされたウエーハの欠陥部
位は、集光灯下や直接的に肉眼で分析してその分布や密
度を評価することができ、さらに顕微鏡観察、透過電子
顕微鏡（ＴＥＭ）または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で
も確認することができる。
位は、集光灯下や直接的に肉眼で分析してその分布や密
度を評価することができ、さらに顕微鏡観察、透過電子
顕微鏡（ＴＥＭ）または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で
も確認することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明者らは、ＣＺ法によるシリ
コン単結晶成長に関し、Ｖ領域とＩ領域の境界近辺につ
いて詳細に調査したところ、Ｖ領域とＩ領域の中間でＯ
ＳＦリングの外側に、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰの数が
著しく少なく、Ｌ／Ｄも存在しないニュートラルなＮ領
域を見出した。
コン単結晶成長に関し、Ｖ領域とＩ領域の境界近辺につ
いて詳細に調査したところ、Ｖ領域とＩ領域の中間でＯ
ＳＦリングの外側に、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰの数が
著しく少なく、Ｌ／Ｄも存在しないニュートラルなＮ領
域を見出した。
【００３０】ところが、上記グローンイン欠陥の無いＮ
領域で結晶を育成しても、酸化膜耐圧特性が悪いものが
あり、その原因がよく判っていなかった。そこで本発明
者等は、Ｃｕデポジション法によりＮ領域についてさら
に詳細に調査したところ、ＯＳＦ領域の外側のＮ領域で
あって、析出熱処理後酸素析出が発生し易い領域の一部
にＣｕデポジション処理で検出される欠陥が著しく発生
する領域があることを発見した。そして、これが酸化膜
耐圧特性のような電気特性を劣化させる原因となってい
ることをつきとめた。
領域で結晶を育成しても、酸化膜耐圧特性が悪いものが
あり、その原因がよく判っていなかった。そこで本発明
者等は、Ｃｕデポジション法によりＮ領域についてさら
に詳細に調査したところ、ＯＳＦ領域の外側のＮ領域で
あって、析出熱処理後酸素析出が発生し易い領域の一部
にＣｕデポジション処理で検出される欠陥が著しく発生
する領域があることを発見した。そして、これが酸化膜
耐圧特性のような電気特性を劣化させる原因となってい
ることをつきとめた。
【００３１】そこで、このＯＳＦの外側のＮ領域であっ
て、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域のない
領域をウエーハ全面に広げることができれば、前記種々
のグローンイン欠陥がないとともに、確実に酸化膜耐圧
特性等を向上することができるウエーハが得られること
になる。
て、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域のない
領域をウエーハ全面に広げることができれば、前記種々
のグローンイン欠陥がないとともに、確実に酸化膜耐圧
特性等を向上することができるウエーハが得られること
になる。
【００３２】そして、ＯＳＦの外側のＮ領域であって、
Ｃｕデポジッション欠陥領域が消滅する成長速度と、巨
大転位クラスタが出現するＩ領域の成長速度との間の速
度（以下、無欠陥領域成長速度という場合がある。）で
単結晶を育成することで、前記種々のグローンイン欠陥
がないとともに、確実に酸化膜耐圧特性等を向上するこ
とができる無欠陥のシリコン単結晶ウエーハが得られる
ことが分かった。
Ｃｕデポジッション欠陥領域が消滅する成長速度と、巨
大転位クラスタが出現するＩ領域の成長速度との間の速
度（以下、無欠陥領域成長速度という場合がある。）で
単結晶を育成することで、前記種々のグローンイン欠陥
がないとともに、確実に酸化膜耐圧特性等を向上するこ
とができる無欠陥のシリコン単結晶ウエーハが得られる
ことが分かった。
【００３３】しかし、このような無欠陥領域成長速度
は、従来の単結晶の引き上げ速度より低下させる必要が
あり、制御範囲が狭いこともあって、著しく単結晶製造
コストを上昇させてしまう。そこで、上記無欠陥領域成
長速度を向上させることが必要である。
は、従来の単結晶の引き上げ速度より低下させる必要が
あり、制御範囲が狭いこともあって、著しく単結晶製造
コストを上昇させてしまう。そこで、上記無欠陥領域成
長速度を向上させることが必要である。
【００３４】そこで、本発明者等はさらに調査したとこ
ろ、ルツボ回転数と無欠陥領域成長速度とに相関があ
り、ルツボを回転させずに又は種結晶の回転方向と同じ
方向に回転させることで無欠陥領域成長速度を上昇させ
ることができることを見出した。
ろ、ルツボ回転数と無欠陥領域成長速度とに相関があ
り、ルツボを回転させずに又は種結晶の回転方向と同じ
方向に回転させることで無欠陥領域成長速度を上昇させ
ることができることを見出した。
【００３５】本発明はこれらの知見に基づいて完成され
たものであり、すなわち、ルツボを回転させずに又は種
結晶の回転方向と同じ方向に回転させるとともに、熱酸
化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ
領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥
領域が存在しない無欠陥領域内で結晶を育成することを
特徴とするものである。以下、図面を参照しながらさら
に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるもので
はない。
たものであり、すなわち、ルツボを回転させずに又は種
結晶の回転方向と同じ方向に回転させるとともに、熱酸
化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ
領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥
領域が存在しない無欠陥領域内で結晶を育成することを
特徴とするものである。以下、図面を参照しながらさら
に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるもので
はない。
【００３６】図１（ａ）は、本発明で使用することがで
きる単結晶引上げ装置の一例を示している。この単結晶
引上げ装置３０は、引上げ室３１と、引上げ室３１中に
設けられたルツボ３２と、ルツボ３２の周囲に配置され
たヒータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸
３３及びその回転機構（図示せず）と、シリコンの種結
晶を保持するシードチャック６と、シードチャック６を
引上げるワイヤ７と、ワイヤ７を回転又は巻き取る巻取
機構（図示せず）を備えている。また、ヒータ３４の外
側周囲には断熱材３５が配置されている。
きる単結晶引上げ装置の一例を示している。この単結晶
引上げ装置３０は、引上げ室３１と、引上げ室３１中に
設けられたルツボ３２と、ルツボ３２の周囲に配置され
たヒータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸
３３及びその回転機構（図示せず）と、シリコンの種結
晶を保持するシードチャック６と、シードチャック６を
引上げるワイヤ７と、ワイヤ７を回転又は巻き取る巻取
機構（図示せず）を備えている。また、ヒータ３４の外
側周囲には断熱材３５が配置されている。
【００３７】ルツボ３２は、その内側のシリコン融液
（湯）２を収容する側には石英ルツボが設けられ、その
外側には黒鉛ルツボが設けられている。そして、ルツボ
保持軸３３を回転機構によって左右いずれの方向にも回
転できるように正負回転切り替えスイッチが設けられて
おり、図１（ｂ）に示すように、ルツボ３２を種結晶の
回転方向（上軸回転方向）と同じ方向にも逆の方向にも
回転させることができるようになっている。
（湯）２を収容する側には石英ルツボが設けられ、その
外側には黒鉛ルツボが設けられている。そして、ルツボ
保持軸３３を回転機構によって左右いずれの方向にも回
転できるように正負回転切り替えスイッチが設けられて
おり、図１（ｂ）に示すように、ルツボ３２を種結晶の
回転方向（上軸回転方向）と同じ方向にも逆の方向にも
回転させることができるようになっている。
【００３８】また、本発明の製造方法に関わる製造条件
を設定するために、環状の黒鉛筒（遮熱板）９が設けら
れており、さらに結晶の固液界面４近傍の外周に環状の
外側断熱材１０が設けられている。この外側断熱材１０
は、その下端とシリコン融液２の湯面３との間に２〜２
０ｃｍの間隔を設けて設置されている。さらに、冷却ガ
スを吹き付けたり、輻射熱を遮って単結晶を冷却する筒
状の冷却装置を設けてもよい。こうすれば、結晶中心部
分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］と結晶周辺部分の温度勾
配Ｇｅとの差が小さくなり、例えば結晶周辺の温度勾配
の方が結晶中心より低くなるように炉内温度を制御する
こともできる。
を設定するために、環状の黒鉛筒（遮熱板）９が設けら
れており、さらに結晶の固液界面４近傍の外周に環状の
外側断熱材１０が設けられている。この外側断熱材１０
は、その下端とシリコン融液２の湯面３との間に２〜２
０ｃｍの間隔を設けて設置されている。さらに、冷却ガ
スを吹き付けたり、輻射熱を遮って単結晶を冷却する筒
状の冷却装置を設けてもよい。こうすれば、結晶中心部
分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］と結晶周辺部分の温度勾
配Ｇｅとの差が小さくなり、例えば結晶周辺の温度勾配
の方が結晶中心より低くなるように炉内温度を制御する
こともできる。
【００３９】さらに、引上げ室３１の水平方向の外側に
は、ルツボ３２内のシリコン融液２に水平磁場（横磁
場）を印加するための超電導方式の磁石３６が設けられ
ている。これにより、融液２の対流を抑制し、単結晶の
安定成長をはかる、いわゆるＨ−ＭＣＺ法によりシリコ
ン単結晶の引き上げを行うことができる。なお、磁石３
６は、常電導方式としてもよい。
は、ルツボ３２内のシリコン融液２に水平磁場（横磁
場）を印加するための超電導方式の磁石３６が設けられ
ている。これにより、融液２の対流を抑制し、単結晶の
安定成長をはかる、いわゆるＨ−ＭＣＺ法によりシリコ
ン単結晶の引き上げを行うことができる。なお、磁石３
６は、常電導方式としてもよい。
【００４０】このような単結晶引上げ装置３０を用いて
シリコン単結晶を製造するには、まず、ルツボ３２内で
シリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０°Ｃ）
以上に加熱して融解する。次に、ワイヤ７を巻き出すこ
とにより融液２の表面略中心部に種結晶の先端を接触又
は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸３３を回転させる
とともに、ワイヤ７を回転させながら巻き取る。これに
より種結晶も回転しながら引上げられ、単結晶の育成が
開始され、以後、引上げ速度と温度を適切に調節するこ
とにより略円柱形状の単結晶棒１を得ることができる。
シリコン単結晶を製造するには、まず、ルツボ３２内で
シリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０°Ｃ）
以上に加熱して融解する。次に、ワイヤ７を巻き出すこ
とにより融液２の表面略中心部に種結晶の先端を接触又
は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸３３を回転させる
とともに、ワイヤ７を回転させながら巻き取る。これに
より種結晶も回転しながら引上げられ、単結晶の育成が
開始され、以後、引上げ速度と温度を適切に調節するこ
とにより略円柱形状の単結晶棒１を得ることができる。
【００４１】このとき、従来、種結晶、すなわち育成単
結晶棒の回転方向とルツボの回転方向は逆方向とされる
が、本発明では、上記のようにシリコン単結晶の育成を
行う際、ルツボを回転させずに又は種結晶の回転方向と
同じ方向に回転させるとともに、熱酸化処理をした際に
リング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃ
ｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しない
無欠陥領域内で結晶を育成するようにする。
結晶棒の回転方向とルツボの回転方向は逆方向とされる
が、本発明では、上記のようにシリコン単結晶の育成を
行う際、ルツボを回転させずに又は種結晶の回転方向と
同じ方向に回転させるとともに、熱酸化処理をした際に
リング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃ
ｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しない
無欠陥領域内で結晶を育成するようにする。
【００４２】（実験１）：無欠陥領域の結晶成長速度の
確認 上記のような単結晶製造装置３０を用いて、無欠陥のシ
リコン単結晶を成長させる条件を確認するため、以下の
ように結晶成長速度の漸減実験を行い、得られた単結晶
についてＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥＰＤ、及びＯＳＦの
確認、並びに酸化膜耐圧特性の評価を行った。
確認 上記のような単結晶製造装置３０を用いて、無欠陥のシ
リコン単結晶を成長させる条件を確認するため、以下の
ように結晶成長速度の漸減実験を行い、得られた単結晶
についてＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥＰＤ、及びＯＳＦの
確認、並びに酸化膜耐圧特性の評価を行った。
【００４３】まず、２４インチ（６００ｍｍ）径の石英
ルツボに原料となる多結晶シリコンを１５０ｋｇチャー
ジし、直径８インチ（２００ｍｍ）、方位＜１００＞の
シリコン単結晶を育成した。ここでは、単結晶を育成す
る際、成長速度を直胴部１０ｃｍから尾部にかけて０．
８ｍｍ／ｍｉｎから０．４ｍｍ／ｍｉｎまで漸減させる
ように制御した。
ルツボに原料となる多結晶シリコンを１５０ｋｇチャー
ジし、直径８インチ（２００ｍｍ）、方位＜１００＞の
シリコン単結晶を育成した。ここでは、単結晶を育成す
る際、成長速度を直胴部１０ｃｍから尾部にかけて０．
８ｍｍ／ｍｉｎから０．４ｍｍ／ｍｉｎまで漸減させる
ように制御した。
【００４４】このような結晶成長速度の漸減実験を、ル
ツボを様々な回転数に設定して行った。具体的には、ル
ツボを、停止したままで（０ｒｐｍ）、または種結晶の
回転方向（上軸回転方向）と同じ方向に０．１ｒｐｍ、
０．３ｒｐｍ、０．５ｒｐｍ、１．０ｒｐｍ、２．０ｒ
ｐｍ、３．０ｒｐｍの各回転数、さらに、種結晶と逆の
方向に０．１ｒｐｍ、１．０ｒｐｍ、２．０ｒｐｍの各
回転数に設定した。なお、いずれの場合においても、単
結晶の育成中、単結晶中心部における磁場強度が４００
０Ｇとなるように超電導方式により水平磁場を印加し
た。なお、この磁場強度については特に限定されない
が、例えば中心の磁場強度が５００〜５０００Ｇ程度の
水平磁場を印加するのが適当である。上記のように育成
した各シリコン単結晶に対し、以下のような評価を行っ
た。
ツボを様々な回転数に設定して行った。具体的には、ル
ツボを、停止したままで（０ｒｐｍ）、または種結晶の
回転方向（上軸回転方向）と同じ方向に０．１ｒｐｍ、
０．３ｒｐｍ、０．５ｒｐｍ、１．０ｒｐｍ、２．０ｒ
ｐｍ、３．０ｒｐｍの各回転数、さらに、種結晶と逆の
方向に０．１ｒｐｍ、１．０ｒｐｍ、２．０ｒｐｍの各
回転数に設定した。なお、いずれの場合においても、単
結晶の育成中、単結晶中心部における磁場強度が４００
０Ｇとなるように超電導方式により水平磁場を印加し
た。なお、この磁場強度については特に限定されない
が、例えば中心の磁場強度が５００〜５０００Ｇ程度の
水平磁場を印加するのが適当である。上記のように育成
した各シリコン単結晶に対し、以下のような評価を行っ
た。
【００４５】評価方法
（１）育成した各単結晶棒の直胴部を結晶軸方向に１０
ｃｍ毎の長さでブロックに切断した後、各ブロックをさ
らに結晶軸方向に縦割り切断し、約２ｍｍ厚のサンプル
を作製した。 （２）上記サンプルについてＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥ
ＰＤ、及びＯＳＦの確認を行った。具体的には、各サン
プルを平面研削した後、ミラーエッチング、セコエッチ
ング（３０分間）を施し、無攪拌のまま放置し、所定の
処理後、各欠陥の密度測定を行った。なお、ＯＳＦの評
価に関しては、１１５０℃、１００分間（ウエット酸素
雰囲気下）の熱処理後冷却し（８００℃で出し入れ）、
薬液で酸化膜を除去した後、ＯＳＦリングパターンの確
認と密度測定を行った。 （３）さらにＣｕデポジッションによる欠陥評価も行っ
た。処理方法は結晶軸方向に縦割り切断したサンプルの
うち１枚は６インチ径のウェーハ形状にくりぬき加工
し、ポリッシュにより鏡面状態に仕上げ、酸化膜形成後
Ｃｕデポジッション処理を行い、酸化膜欠陥の分布状況
を確認した。その際、評価条件は以下の通りである。 酸化膜：２５ｎｍ 電界強度：６ＭＶ／ｃｍ 電圧印加時間：５分間
ｃｍ毎の長さでブロックに切断した後、各ブロックをさ
らに結晶軸方向に縦割り切断し、約２ｍｍ厚のサンプル
を作製した。 （２）上記サンプルについてＦＰＤ、ＬＦＰＤ、ＬＳＥ
ＰＤ、及びＯＳＦの確認を行った。具体的には、各サン
プルを平面研削した後、ミラーエッチング、セコエッチ
ング（３０分間）を施し、無攪拌のまま放置し、所定の
処理後、各欠陥の密度測定を行った。なお、ＯＳＦの評
価に関しては、１１５０℃、１００分間（ウエット酸素
雰囲気下）の熱処理後冷却し（８００℃で出し入れ）、
薬液で酸化膜を除去した後、ＯＳＦリングパターンの確
認と密度測定を行った。 （３）さらにＣｕデポジッションによる欠陥評価も行っ
た。処理方法は結晶軸方向に縦割り切断したサンプルの
うち１枚は６インチ径のウェーハ形状にくりぬき加工
し、ポリッシュにより鏡面状態に仕上げ、酸化膜形成後
Ｃｕデポジッション処理を行い、酸化膜欠陥の分布状況
を確認した。その際、評価条件は以下の通りである。 酸化膜：２５ｎｍ 電界強度：６ＭＶ／ｃｍ 電圧印加時間：５分間
【００４６】評価結果
上記のような評価により、各シリコン単結晶において、
熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側
のＮ領域に、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領
域も存在しない無欠陥領域が確認できた。図２は、この
ような無欠陥領域とその成長速度の関係を示したもので
ある。この図から、育成中のシリコン単結晶の成長速度
を漸減した場合、ＯＳＦリング消滅後に残存するＣｕデ
ポジションにより検出される欠陥領域が消滅する境界の
成長速度と、さらに成長速度を漸減した場合に格子間転
位ループ（巨大転位クラスタ：Ｉ領域）が発生する境界
の成長速度との間が、ＯＳＦ外側のＮ領域であり、Ｃｕ
デポジションにより検出される欠陥領域が存在しない無
欠陥領域となる成長速度（無欠陥領域成長速度）として
特定することができる。
熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側
のＮ領域に、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領
域も存在しない無欠陥領域が確認できた。図２は、この
ような無欠陥領域とその成長速度の関係を示したもので
ある。この図から、育成中のシリコン単結晶の成長速度
を漸減した場合、ＯＳＦリング消滅後に残存するＣｕデ
ポジションにより検出される欠陥領域が消滅する境界の
成長速度と、さらに成長速度を漸減した場合に格子間転
位ループ（巨大転位クラスタ：Ｉ領域）が発生する境界
の成長速度との間が、ＯＳＦ外側のＮ領域であり、Ｃｕ
デポジションにより検出される欠陥領域が存在しない無
欠陥領域となる成長速度（無欠陥領域成長速度）として
特定することができる。
【００４７】各シリコン単結晶について上記のようにし
て無欠陥領域成長速度を割り出し、表１に示した。さら
に、図３でルツボの回転数と無欠陥領域成長速度との関
係をグラフ化した。尚、表１及び図３に示した無欠陥領
域成長速度は、Ｃｕデポジッション欠陥消滅速度と巨大
転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）発生速度との中
間値である。
て無欠陥領域成長速度を割り出し、表１に示した。さら
に、図３でルツボの回転数と無欠陥領域成長速度との関
係をグラフ化した。尚、表１及び図３に示した無欠陥領
域成長速度は、Ｃｕデポジッション欠陥消滅速度と巨大
転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）発生速度との中
間値である。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１及び図３から明らかなように、ルツボ
を種結晶と逆方向に回転させた場合、回転数が小さいほ
ど無欠陥領域成長速度が大きくなるが、いずれも０．５
７ｍｍ／ｍｉｎ未満となる。一方、ルツボを停止した状
態、あるいはルツボを種結晶と同じ方向に回転させて結
晶の成長を行った場合、いずれも０．５７ｍｍ／ｍｉｎ
以上の無欠陥領域成長速度が達成されている。従って、
例えば、ルツボを回転させずに、又は種結晶の回転方向
と同じ方向に０〜２ｒｐｍの範囲内の回転速度で回転さ
せることで、少なくとも０．５８ｍｍ／ｍｉｎに近い無
欠陥領域成長速度を達成することができ、特に、０〜１
ｒｐｍであれば、０．５８５ｍｍ／ｍｉｎ以上となるさ
らに高速の無欠陥領域成長速度を達成することができ
る。
を種結晶と逆方向に回転させた場合、回転数が小さいほ
ど無欠陥領域成長速度が大きくなるが、いずれも０．５
７ｍｍ／ｍｉｎ未満となる。一方、ルツボを停止した状
態、あるいはルツボを種結晶と同じ方向に回転させて結
晶の成長を行った場合、いずれも０．５７ｍｍ／ｍｉｎ
以上の無欠陥領域成長速度が達成されている。従って、
例えば、ルツボを回転させずに、又は種結晶の回転方向
と同じ方向に０〜２ｒｐｍの範囲内の回転速度で回転さ
せることで、少なくとも０．５８ｍｍ／ｍｉｎに近い無
欠陥領域成長速度を達成することができ、特に、０〜１
ｒｐｍであれば、０．５８５ｍｍ／ｍｉｎ以上となるさ
らに高速の無欠陥領域成長速度を達成することができ
る。
【００５０】このような実験から、図１のような装置を
用いてチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造
を行う場合、ルツボを回転させずに又は前記種結晶の回
転方向と同じ方向に回転させるとともに、熱酸化処理を
した際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であ
って、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存
在しない無欠陥領域内、換言すれば、育成中のシリコン
単結晶の成長速度を漸減した場合、ＯＳＦリング消滅後
に残存するＣｕデポジションにより検出される欠陥領域
が消滅する境界の成長速度と、さらに成長速度を漸減し
た場合に格子間転位ループが発生する境界の成長速度と
の間の成長速度に制御して結晶を育成することで、結晶
全体が無欠陥領域となるシリコン単結晶を高速で育成す
ることができる。特に、ルツボは、種結晶と同方向に、
好ましくは０〜２ｒｐｍ、より好ましくは、０〜１ｒｐ
ｍの範囲の回転速度で回転させれば、無欠陥のシリコン
単結晶をより高速で育成することができる。
用いてチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造
を行う場合、ルツボを回転させずに又は前記種結晶の回
転方向と同じ方向に回転させるとともに、熱酸化処理を
した際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であ
って、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存
在しない無欠陥領域内、換言すれば、育成中のシリコン
単結晶の成長速度を漸減した場合、ＯＳＦリング消滅後
に残存するＣｕデポジションにより検出される欠陥領域
が消滅する境界の成長速度と、さらに成長速度を漸減し
た場合に格子間転位ループが発生する境界の成長速度と
の間の成長速度に制御して結晶を育成することで、結晶
全体が無欠陥領域となるシリコン単結晶を高速で育成す
ることができる。特に、ルツボは、種結晶と同方向に、
好ましくは０〜２ｒｐｍ、より好ましくは、０〜１ｒｐ
ｍの範囲の回転速度で回転させれば、無欠陥のシリコン
単結晶をより高速で育成することができる。
【００５１】従って、このような方法により育成したシ
リコン単結晶棒をスライス加工することで、全面が無欠
陥、すなわち、ＦＰＤ等のＶ領域欠陥、巨大転位クラス
タ等のＩ領域欠陥、ＯＳＦ欠陥を含まず、Ｃｕデポジッ
ションにより検出される欠陥もない、高耐圧で優れた電
気特性を持つ高品質のシリコンウェーハが効率的に得ら
れることになる。
リコン単結晶棒をスライス加工することで、全面が無欠
陥、すなわち、ＦＰＤ等のＶ領域欠陥、巨大転位クラス
タ等のＩ領域欠陥、ＯＳＦ欠陥を含まず、Ｃｕデポジッ
ションにより検出される欠陥もない、高耐圧で優れた電
気特性を持つ高品質のシリコンウェーハが効率的に得ら
れることになる。
【００５２】（実験２）：ルツボの回転と結晶固液界面
温度勾配との関係 成長方向に全面Ｎ領域となる結晶を育成するには、前記
したように、あくまでもＶ／Ｇが一定になるように引上
げ速度を調節すれば良い。従って、Ｇを大きくすること
ができれば、引上げ速度Ｖも上昇し（Ｖ／Ｇは一定）、
全面Ｎ領域となる結晶を育成できることになる。そこ
で、実験１で得られた結果を検証すべく、ルツボの回転
と結晶固液界面軸方向温度勾配（Ｇ）との関係を、総合
伝熱解析ソフト「ＩＨＴＣＭ」（詳しくは、T.A.Kinne
y, D.E.Bornside, R.A.Brown and K.M.Kim, Journal of
Crystal Growth,vol.126,pp413,(1993)及びT.A.Kinney
and R.A.Brown, Journal of Crystal Growth,vol.132,
pp551,(1993)を参照）を用いて対流シミュレーション計
算を行い、結晶固液界面における軸方向の温度勾配
（Ｇ）を調べた。その結果を図４に示した。
温度勾配との関係 成長方向に全面Ｎ領域となる結晶を育成するには、前記
したように、あくまでもＶ／Ｇが一定になるように引上
げ速度を調節すれば良い。従って、Ｇを大きくすること
ができれば、引上げ速度Ｖも上昇し（Ｖ／Ｇは一定）、
全面Ｎ領域となる結晶を育成できることになる。そこ
で、実験１で得られた結果を検証すべく、ルツボの回転
と結晶固液界面軸方向温度勾配（Ｇ）との関係を、総合
伝熱解析ソフト「ＩＨＴＣＭ」（詳しくは、T.A.Kinne
y, D.E.Bornside, R.A.Brown and K.M.Kim, Journal of
Crystal Growth,vol.126,pp413,(1993)及びT.A.Kinney
and R.A.Brown, Journal of Crystal Growth,vol.132,
pp551,(1993)を参照）を用いて対流シミュレーション計
算を行い、結晶固液界面における軸方向の温度勾配
（Ｇ）を調べた。その結果を図４に示した。
【００５３】図４から明らかなように、ルツボを種結晶
の回転方向とは逆の方向（反上軸回転方向）に回転させ
た場合より、ルツボを回転させないか、同じ方向（上軸
回転方向）に回転させた方が結晶固液界面軸方向温度勾
配Ｇが高くなることが分かる。上記シミュレーションの
結果から、ルツボを回転させずに又は種結晶の回転方向
と同じ方向に回転させることでＧを大きくすることがで
き、無欠陥のシリコン単結晶を育成する際の無欠陥領域
成長速度Ｖも高速化することができるものと考えられ
る。すなわち、実験１で得られた結果を裏付けるもので
あった。
の回転方向とは逆の方向（反上軸回転方向）に回転させ
た場合より、ルツボを回転させないか、同じ方向（上軸
回転方向）に回転させた方が結晶固液界面軸方向温度勾
配Ｇが高くなることが分かる。上記シミュレーションの
結果から、ルツボを回転させずに又は種結晶の回転方向
と同じ方向に回転させることでＧを大きくすることがで
き、無欠陥のシリコン単結晶を育成する際の無欠陥領域
成長速度Ｖも高速化することができるものと考えられ
る。すなわち、実験１で得られた結果を裏付けるもので
あった。
【００５４】（実験３）：結晶中の酸素濃度の制御
ルツボの回転速度を一定にして結晶を引き上げると、直
胴後半に向って単結晶中の酸素濃度が低下する。そこ
で、ルツボを種結晶と同じ方向に回転させ、ルツボ回転
数を漸増させながら結晶直胴部の育成を行い、得られた
シリコン単結晶の直胴部における初期酸素濃度を２０ｃ
ｍごとに測定を行った。その結果を図５に示した。この
グラフから明らかなように、ルツボをほとんど回転させ
ずに育成した直胴部の最初の部分での酸素濃度を下げ、
直胴後半の酸素濃度を上げることができ、単結晶棒全体
の酸素濃度をほぼ一定に保つことができていることが分
かる。また、例えば、目標酸素濃度がより低い場合は、
ルツボを停止したまま（０ｒｐｍ）に近い条件で育成す
れば、無欠陥かつ低酸素濃度のシリコン単結晶を育成す
ることができる。
胴後半に向って単結晶中の酸素濃度が低下する。そこ
で、ルツボを種結晶と同じ方向に回転させ、ルツボ回転
数を漸増させながら結晶直胴部の育成を行い、得られた
シリコン単結晶の直胴部における初期酸素濃度を２０ｃ
ｍごとに測定を行った。その結果を図５に示した。この
グラフから明らかなように、ルツボをほとんど回転させ
ずに育成した直胴部の最初の部分での酸素濃度を下げ、
直胴後半の酸素濃度を上げることができ、単結晶棒全体
の酸素濃度をほぼ一定に保つことができていることが分
かる。また、例えば、目標酸素濃度がより低い場合は、
ルツボを停止したまま（０ｒｐｍ）に近い条件で育成す
れば、無欠陥かつ低酸素濃度のシリコン単結晶を育成す
ることができる。
【００５５】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５６】例えば、本発明によりシリコン単結晶の製
造を行う際に使用する装置は、図１のような装置に限定
されず、種結晶と同じ方向にルツボを回転させることが
でき、熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦ
の外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出
される欠陥領域が存在しない無欠陥領域内でシリコン単
結晶を製造することができる装置であれば、限定無く使
用することができる。例えば、水平磁場を印加せずに結
晶成長を行ってもよい。
造を行う際に使用する装置は、図１のような装置に限定
されず、種結晶と同じ方向にルツボを回転させることが
でき、熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦ
の外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出
される欠陥領域が存在しない無欠陥領域内でシリコン単
結晶を製造することができる装置であれば、限定無く使
用することができる。例えば、水平磁場を印加せずに結
晶成長を行ってもよい。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｉ領域、及びＣｕデポジッション
欠陥領域を含まない無欠陥領域のシリコン単結晶を高速
で引き上げることができる。従って、酸化膜耐圧等の電
気特性を向上させることができるシリコン単結晶を高速
かつ安定して製造し、高耐圧で優れた電気特性を持つ無
欠陥のシリコン単結晶ウェーハを低コストで提供するこ
とができる。
Ｖ領域、ＯＳＦ領域、Ｉ領域、及びＣｕデポジッション
欠陥領域を含まない無欠陥領域のシリコン単結晶を高速
で引き上げることができる。従って、酸化膜耐圧等の電
気特性を向上させることができるシリコン単結晶を高速
かつ安定して製造し、高耐圧で優れた電気特性を持つ無
欠陥のシリコン単結晶ウェーハを低コストで提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で使用することができるシリコン単結晶
製造装置の一例である。 （ａ）概略図 （ｂ）結晶とルツボの回転方向
製造装置の一例である。 （ａ）概略図 （ｂ）結晶とルツボの回転方向
【図２】無欠陥領域成長速度を示すグラフである。
【図３】ルツボの回転数と無欠陥領域成長速度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】ルツボの回転と結晶界面軸方向の温度勾配との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図５】ルツボの回転数と初期酸素濃度との関係を示す
グラフである。 （ａ）結晶直胴長さに対するルツボ回転数 （ｂ）結晶直胴長さに対する初期酸素濃度
グラフである。 （ａ）結晶直胴長さに対するルツボ回転数 （ｂ）結晶直胴長さに対する初期酸素濃度
【図６】従来の技術による成長速度と結晶の欠陥分布を
示す説明図である。
示す説明図である。
１…成長単結晶棒、 ２…シリコン融液、 ３…湯面、
４…固液界面、６…シードチャック、 ７…ワイヤ、
９…黒鉛筒、 １０…外側断熱材、３０…単結晶引上
げ装置、 ３１…引上げ室、 ３２…ルツボ、３３…ル
ツボ保持軸、 ３４…ヒータ、 ３５…断熱材、 ３６
…磁石。Ｖ…Ｖ領域、Ｎ…Ｎ領域、ＯＳＦ…ＯＳＦリン
グ及びＯＳＦ領域、Ｉ…Ｉ領域。
４…固液界面、６…シードチャック、 ７…ワイヤ、
９…黒鉛筒、 １０…外側断熱材、３０…単結晶引上
げ装置、 ３１…引上げ室、 ３２…ルツボ、３３…ル
ツボ保持軸、 ３４…ヒータ、 ３５…断熱材、 ３６
…磁石。Ｖ…Ｖ領域、Ｎ…Ｎ領域、ＯＳＦ…ＯＳＦリン
グ及びＯＳＦ領域、Ｉ…Ｉ領域。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 森 達生
福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平
150番地 信越半導体株式会社半導体白河
研究所内
(72)発明者 布施川 泉
福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平
150番地 信越半導体株式会社半導体白河
研究所内
(72)発明者 太田 友彦
福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平
150番地 信越半導体株式会社半導体白河
研究所内
Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EH06 EH08
PF17 PF51
Claims (5)
- 【請求項１】 ルツボ内に収容したシリコン融液に種結
晶を接触させた後、該種結晶を回転させながら引き上げ
てシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法による
シリコン単結晶の製造方法において、前記ルツボを回転
させずに又は前記種結晶の回転方向と同じ方向に回転さ
せるとともに、熱酸化処理をした際にリング状に発生す
るＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションに
より検出される欠陥領域が存在しない無欠陥領域内で結
晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方
法。 - 【請求項２】 ルツボ内に収容したシリコン融液に種結
晶を接触させた後、該種結晶を回転させながら引き上げ
てシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法による
シリコン単結晶の製造方法において、前記ルツボを回転
させずに又は前記種結晶の回転方向と同じ方向に回転さ
せるとともに、育成中のシリコン単結晶の成長速度を漸
減した場合、ＯＳＦリング消滅後に残存するＣｕデポジ
ションにより検出される欠陥領域が消滅する境界の成長
速度と、さらに成長速度を漸減した場合に格子間転位ル
ープが発生する境界の成長速度との間の成長速度に制御
して結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の
製造方法。 - 【請求項３】 前記シリコン融液に水平磁場を印加しな
がら前記シリコン単結晶を育成することを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載のシリコン単結晶の製造方
法。 - 【請求項４】 前記ルツボの回転速度を０〜２ｒｐｍの
範囲内とすることを特徴とする請求項１ないし請求項３
のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 前記請求項１ないし請求項４のいずれか
一項に記載の方法により育成したシリコン単結晶からス
ライス加工したものであることを特徴とする無欠陥のシ
リコン単結晶ウェーハ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002124900A JP2003321297A (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
| PCT/JP2003/005243 WO2003091484A1 (fr) | 2002-04-25 | 2003-04-24 | Procede de production d'un cristal unique de silicium et plaquette de cristal unique de silicium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002124900A JP2003321297A (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003321297A true JP2003321297A (ja) | 2003-11-11 |
Family
ID=29267542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002124900A Pending JP2003321297A (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003321297A (ja) |
| WO (1) | WO2003091484A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101105475B1 (ko) | 2009-02-04 | 2012-01-13 | 주식회사 엘지실트론 | 공정 변동이 최소화된 단결정 제조방법 |
| JP2018510839A (ja) * | 2015-04-14 | 2018-04-19 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | シリコン単結晶インゴットの成長装置及び方法 |
| CN110129890A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-08-16 | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 | 一种用于磁控直拉单晶的线圈结构及磁控直拉单晶的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010202414A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Sumco Corp | シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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