JP2003318135A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】薄い半導体チップを高い歩留まりで得ることが
可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導
体ウエハ１の半導体素子が形成された面の裏面に第１粘
着フィルム３を介して第１支持体２の平坦面を貼り付け
た状態で半導体ウエハ１を減厚加工し、減厚加工後の半
導体ウエハ１と第１支持体２との分離は、第２支持体５
の凸状湾曲面上に第２粘着フィルム６を支持してなる剥
離部材４を、第２粘着フィルム６が第１粘着フィルム３
の半導体ウエハ１から露出した部分に接触したのちに半
導体ウエハ１に接触するように第１支持体２の平坦面上
で転動させることにより行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体パッケージには薄型化が要求され
ており、それに伴い、半導体チップにも薄型化が要求さ
れている。そのため、半導体ウエハへの半導体素子の形
成を完了したのち、研削加工などによりウエハの厚さを
例えば７５μｍ程度以下にまで減ずる必要が生じてきて
いる。しかしながら、ウエハを薄く加工した場合、研削
加工を施したウエハを搬送する際などにウエハの破損を
生じ易くなる。

【０００３】ところで、従来の半導体装置の製造プロセ
スでは、上記の研削加工時にはウエハの半導体素子を形
成した主面に粘着フィルムを貼り付けてその主面を保護
し、研削加工終了時にその粘着フィルムをウエハから剥
離していた。近年、上述した搬送時におけるウエハの破
損を防止するために、ウエハとガラス板のような補強板
とを両面粘着性の粘着フィルムを介して貼り合わせ、そ
の状態で研削加工や搬送を行うことが検討されている。

【０００４】しかしながら、この方法では、搬送時にお
けるウエハの破損を抑制できるものの、ウエハを補強板
及び粘着フィルムから分離する際にウエハの破損を極め
て生じ易い。そのため、補強板を使用した上記方法で
は、薄い半導体チップを高い歩留まりで得ることは困難
であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、薄い
半導体チップを高い歩留まりで得ることが可能な半導体
装置の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、一方の主面に半導体素子が形成された半
導体ウエハと平坦面を有する第１支持体とを、前記半導
体ウエハの前記半導体素子が形成された主面の全体が両
面粘着性の第１粘着フィルムを介して前記第１支持体の
平坦面の一部と接するように、及び、前記第１粘着フィ
ルムが前記半導体ウエハの周囲の少なくとも一部で前記
第１支持体の前記平坦面と接触し且つ前記半導体ウエハ
から露出するように貼り合わせる工程と、前記半導体ウ
エハと前記第１支持体とを貼り合わせたまま前記半導体
ウエハの前記半導体素子が形成された主面の裏面を加工
して前記半導体ウエハの厚さを減ずる工程と、前記半導
体ウエハの厚さを減ずる工程の後に、凸状の湾曲面を有
する第２支持体と前記湾曲面に支持され且つ少なくとも
前記第２支持体側の面の裏面が粘着性である第２粘着フ
ィルムとを備えた剥離部材を、前記第２粘着フィルムが
前記第１粘着フィルムの前記半導体ウエハから露出した
部分に接触したのちに前記半導体ウエハに接触するよう
に前記第１支持体の前記平坦面上で転動させることによ
り、前記半導体ウエハを前記第２支持体の湾曲面に沿っ
て撓ませながら前記第１支持体から前記半導体ウエハを
前記第１粘着フィルムとともに前記剥離部材上へと移し
取る工程とを含んだことを特徴とする半導体装置の製造
方法を提供する。

【０００７】本発明に係る方法は、半導体ウエハを移し
取る工程の後に、半導体ウエハをダイシングして複数の
半導体チップを形成する工程をさらに含むことができ
る。この場合、第２粘着フィルムを、ダイシングの際に
半導体ウエハをダイシングテーブルに固定するダイシン
グフィルムとして利用してもよい。

【０００８】本発明に係る方法は、半導体ウエハを移し
取る工程の後に、半導体ウエハをダイシングして複数の
半導体チップを形成する工程と、複数の半導体チップの
それぞれをダイボンディングする工程とをさらに含むこ
とができる。この場合、第２粘着フィルムを、ダイボン
ディングの際に半導体チップを絶縁基板上に固定するダ
イボンディングフィルムとして利用してもよい。

【０００９】本発明に係る方法は、半導体ウエハを移し
取る工程の後に、第１粘着フィルムと半導体ウエハと第
２粘着フィルムとの積層体を第２支持体から分離する工
程と、第２支持体から分離した積層体を第２粘着フィル
ムがダイシングテーブルと半導体ウエハとの間に介在す
るようにダイシングテーブルに固定する工程と、ダイシ
ングテーブルに固定した積層体の第１粘着フィルムを半
導体ウエハから剥離する工程と、第１粘着フィルムを剥
離した半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チッ
プを形成する工程をさらに含むことができる。

【００１０】本発明において、上記湾曲面は柱面であっ
てもよい。この場合、上記貼り合わせる工程は、第１粘
着フィルムの半導体ウエハから露出した部分が半導体ウ
エハの輪郭を取り囲む凸曲線のうち最も小さいものの外
側に位置するように行ってもよい。本発明において、第
２支持体は可撓性であってもよい。また、本発明におい
て、半導体ウエハの厚さを減ずる工程は、半導体ウエハ
の厚さが７５μｍ以下になるように行ってもよい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図に
おいて、同様または類似の構成要素には同一の参照符号
を付し、重複する説明は省略する。

【００１２】図１（ａ）乃至（ｅ）は、本発明の一実施
形態に係る半導体装置の製造プロセスの一部を概略的に
示す断面図である。本実施形態では、以下に説明する方
法により半導体装置を製造する。

【００１３】まず、シリコンウエハのような半導体ウエ
ハ１の一主面に、複数の半導体チップに対応して、配線
やトランジスタのような半導体素子を形成する。

【００１４】次に、図１（ａ）に示すように、ウエハ１
の半導体素子を形成した面と支持体２の平坦面とを両面
が粘着性の粘着フィルム３を介して貼り合わせる。この
貼り合せは、例えば、支持体２の平坦面に予め粘着フィ
ルム３を貼り付けておき、その後、ウエハ１の半導体素
子を形成した面に粘着フィルム３を貼り付けることによ
り行う。本実施形態では、支持体２の平坦面や粘着フィ
ルム３をウエハ１よりも大面積として、ウエハ１の半導
体素子を形成した面の全体を支持体２の平坦面の一部に
粘着フィルム３を介して対向させるとともに、支持体２
の平坦面上で粘着フィルム３のウエハ１との対向面を部
分的に露出させる。

【００１５】支持体２としては、硬質であり且つ平坦面
を有するもの，例えばガラス板のような補強板，を使用
することができる。支持体２及び粘着フィルム３は、後
で説明する研削加工及び搬送の際にウエハ１の破損を防
止する保護部材としての役割を果たす。

【００１６】支持体２に貼り合わせるウエハ１は可撓性
であってもよく或いは非可撓性であってもよい。ウエハ
１が可撓性である場合、ウエハ１を凸状に撓ませ、その
凸面を粘着フィルム３を介して支持体２の平坦面に順次
貼り付けることにより、接着面に空気が残留するのを防
止することができる。他方、ウエハ１が非可撓性である
場合、タカトリ社製のＴＥＡＭ１００などを利用するこ
とにより、接着面に空気を残留させることなくウエハ１
と支持体２とを粘着フィルム３を介して貼り合わせるこ
とができる。

【００１７】次いで、ウエハ１と支持体２とを貼り合わ
せた状態で、ウエハ１の支持体２との対向面の裏面に研
削加工のような減厚加工を施す。これにより、図１
（ｂ）に示すように、ウエハ１の厚さを例えば７５μｍ
程度以下にまで減ずる。

【００１８】この研削加工の後には、ウエハ１の被研削
面に対して研磨、ウェットエッチング、或いはドライエ
ッチングなどの処理を行うことが望ましい。後述するよ
うに、本実施形態では、支持体２からウエハ１を剥離す
る際にウエハ１を撓ませる。上記の処理を行った場合、
ウエハ１を撓ませた際に割れなどの破損が生じるのをよ
り効果的に防止することができる。また、この研削加工
の後に、ウエハ１の被研削面に対して金属電極層などを
形成してもよい。

【００１９】その後、図１（ｃ）乃至（ｅ）に示すよう
に、ウエハ１が貼り付けられた支持体２上で剥離部材４
を転動させる。剥離部材４は、凸状の湾曲面を有する支
持体５とその湾曲面に支持された粘着フィルム６とを備
えている。また、粘着フィルム６の支持体５との対向面
の裏面は粘着性である。したがって、図１（ｃ）乃至
（ｅ）に示すように、支持体５の凸状湾曲面が粘着フィ
ルム６を介してウエハ１に接するように支持体２上の右
端から左端に向けて剥離部材４を転動させると、以下に
説明するように支持体２からウエハ１などを剥離するこ
とができる。

【００２０】すなわち、上記のように剥離部材４を転動
させると、粘着フィルム６は、まず、図１（ｃ）に示す
ように粘着フィルム３の右端の露出部に接着する。ここ
で、粘着フィルム３と粘着フィルム６との間の接着力が
粘着フィルム３と支持体２との間の接着力よりも強けれ
ば、剥離部材４の転動に伴って粘着フィルム３は支持体
２から剥離部材４上へと移行する。

【００２１】剥離部材４をさらに転動させると、粘着フ
ィルム３の支持体２上から剥離部材４上への移行が進行
するとともに、粘着フィルム６はウエハ１に接着する。
研削加工後のウエハ１は可撓性であるので、図１（ｄ）
に示すように、ウエハ１は剥離部材４の凸状湾曲面に沿
って撓みながら粘着フィルム３とともに支持体２上から
剥離部材４上へと移行する。

【００２２】さらに剥離部材４を支持体２の左端まで転
動させると、図１（ｅ）に示すように、ウエハ１及び粘
着フィルム３は支持体２上から剥離部材４上へと完全に
移行する。以上のようにして、支持体２からウエハ１及
び粘着フィルム３を剥離することができる。

【００２３】この方法では、ウエハ１と支持体２との間
に介在した粘着フィルム３を巻き取るようにして支持体
２から剥離部材４上へと移行させ、それにより、ウエハ
１を支持体２から剥がし取る。そのため、この方法で
は、例えば、支持体５の凸状湾曲面を半径が十分に大き
い円筒面とするとともに剥離部材４の転動速度を適宜設
定することにより、ウエハ１を支持体２から剥離する際
に、ウエハ１に局所的な応力が加わるのを防止すること
ができる。したがって、ウエハ１の破損を抑制すること
ができ、薄い半導体チップを高い歩留まりで得ることが
可能となる。

【００２４】また、上述した方法では、ウエハ１の破損
を殆ど生ずることなくウエハ１と支持体５とを分離する
ことができる。例えば、粘着フィルム６が片面のみ粘着
性を有している場合は、粘着フィルム６を吸引保持可能
な支持体４を使用すれば、ウエハ１の破損を殆ど生ずる
ことなくウエハ１と支持体５とを容易に分離することが
できる。また、本来、ウエハ１は平坦であるので、撓ん
だウエハ１を支持体５から分離する過程でウエハ１の応
力は緩和される。そのため、粘着フィルム６が両面に粘
着性を有している場合であっても、ウエハ１の破損を殆
ど生ずることなくウエハ１と支持体５とを容易に分離す
ることができる。なお、粘着フィルム６が両面に粘着性
を有している場合、支持体５の全体が可撓性であるか、
或いは、支持体５を可撓性フィルムと凸状湾曲面を有し
且つその凸状湾曲面上に可撓性フィルムを吸引保持可能
な保持部材とで構成することが望ましい。この場合、ウ
エハ１と支持体５とを容易に分離する際にウエハ１の破
損が生じるのをより効果的に防止することができる。

【００２５】以上のようにして支持体２から剥離したウ
エハ１は、ダイシングして複数の半導体チップへと分割
する。その後、これら半導体チップのパッケージ化やベ
アチップ及び／または半導体パッケージの回路基板への
実装を行う。

【００２６】ウエハ１を支持体２から剥離するのに使用
した粘着フィルム６は、ウエハ１をダイシングテーブル
に固定するダイシングフィルムや、チップを絶縁基板に
固定するダイボンディングフィルムなどとして利用する
ことができる。

【００２７】図２（ａ），（ｂ）は、図１（ａ）乃至
（ｅ）に示すプロセスを採用した場合に採用可能なダイ
シング方法を概略的に示す断面図である。粘着フィルム
６をダイシングフィルムとして用いたダイシングは、例
えば、以下の方法により行う。

【００２８】まず、先に説明したように、粘着フィルム
３とウエハ１と粘着フィルム６との積層体を支持体５か
ら分離する。次に、図２（ａ）に示すように、この積層
体を粘着フィルム６がダイシングテーブル７と接触する
ようにダイシングテーブル７に貼り付け、さらに、粘着
フィルム３上に剥離用フィルム８を貼り付ける。なお、
剥離用フィルム８としては、剥離用フィルム８と粘着フ
ィルム３との接着力が粘着フィルム３と粘着フィルム６
やウエハ１との接着力よりも強いものを使用する。次い
で、剥離フィルム８の一端を他端側に向けて引っ張るこ
とにより、剥離フィルム８を粘着フィルム３とともに粘
着フィルム６やウエハ１から剥離する。これにより、図
２（ｂ）に示す構造を得る。その後、ウエハ１をダイシ
ングして、複数の半導体チップへと分割する。

【００２９】このように粘着フィルム６をダイシングフ
ィルムとして利用した場合、ダイシングフィルムを貼り
付ける装置が不要となり、それに伴い、ウエハ１の搬送
作業が軽減される。また、消耗材の使用量を減少させる
ことができ、製造コストを低減することができる。しか
も、ダイシングフィルムとして利用した粘着フィルム６
は、さらにダイボンディングフィルムとして利用するこ
とができる。この場合、消耗材の使用量をさらに減少さ
せることが可能となる。

【００３０】なお、図２（ａ），（ｂ）を参照して説明
した方法では、粘着フィルム３とウエハ１と粘着フィル
ム６との積層体を支持体５から分離してダイシングを行
ったが、その積層体と支持体５とを分離せずにダイシン
グを行うことも可能である。例えば、支持体５としてア
クリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂などからな
る可撓性の板状体を使用すれば、支持体５を湾曲させる
こと及び平坦化することを任意に行うことが可能であ
る。したがって、図１（ｃ）乃至（ｅ）に示す工程の間
は支持体５を湾曲させておき、ダイシングの際には支持
体５を平坦化して上記積層体と支持体５とを分離するこ
となくダイシングを行うことができる。

【００３１】本実施形態において、支持体５の湾曲面の
曲率半径が過剰に小さい場合、ウエハ１を過度に撓ませ
ることとなり、ウエハ１の破損を生じ易くなる。通常、
支持体５の湾曲面の曲率半径がウエハ１の半径よりも大
きければ、そのような破損を防止することができる。但
し、支持体５の湾曲面の曲率半径が過剰に大きい場合、
ウエハ１を十分に撓ませることができず、ウエハ１など
の支持体２からの剥離が困難となることがある。したが
って、支持体５の湾曲面の曲率半径は、ウエハ１などを
支持体２から容易に剥離できるように適宜設定する。

【００３２】本実施形態において、剥離部材４を転動さ
せている間に粘着フィルム３の上記露出部と粘着フィル
ム６との接着状態が維持されれば、図１（ａ）に示す幅
Ｗ，すなわち、ウエハ１への接着に先立って粘着フィル
ム６を接着させる粘着フィルム３の露出部の幅，に特に
制限はない。但し、幅Ｗが広い場合、ウエハ１の端部に
おける割れを防止するうえで有利である。

【００３３】本実施形態において、図１（ｂ）を参照し
て説明した研削加工により達成するウエハ１の厚さは、
研削加工後のウエハ１を上記のように撓ませることが可
能な程度に薄ければ特に制限はない。但し、従来技術で
は、粘着フィルムの剥離の際に生じるウエハ１の破損
は、研削加工によりウエハ１の厚さを７５μｍ程度以下
にまで減じた場合に顕著である。したがって、本実施形
態に係る技術は、研削加工によりウエハ１の厚さを７５
μｍ程度以下にまで減じた場合に特に有用である。

【００３４】本実施形態に係る方法では、光や熱などに
よる粘着フィルム３，６の粘着力の変化を利用すること
なく上述した剥離や分離を行うことができる。したがっ
て、粘着フィルム３，６は、上記の方法でウエハ１を破
損することなく接着や剥離を行うことが可能な程度の粘
着力を有しているものであれば、その構造や材料に特に
制限はない。

【００３５】例えば、粘着フィルム３は、粘着層のみで
構成してもよく、或いは、基材フィルムとその両面に設
けられた粘着層とで構成してもよい。また、粘着フィル
ム６は、粘着層のみで構成してもよく、基材フィルムと
一方の主面に設けられた粘着層とで構成してもよく、或
いは、基材フィルムとその両面に設けられた粘着層とで
構成してもよい。さらに、粘着フィルム３，６の粘着層
は、光や熱などにより、粘着力を低下させるものであっ
てもよく、粘着力が変化させないものであってもよい。
また、粘着フィルム３，６の粘着層は、光や熱などによ
り硬化するものであってもよい。

【００３６】本実施形態では、図１（ｃ）乃至（ｅ）を
参照して説明したように、粘着フィルム６をウエハ１に
接着するのに先立ち、粘着フィルム６を粘着フィルム３
の露出部に接着させる。したがって、剥離部材４を用い
たウエハ１などの剥離は必ずしも任意の方向から開始可
能である訳ではない。また、支持体５の湾曲面が柱面で
ある場合には、粘着フィルム３の上記露出部はウエハ１
の輪郭を取り囲む凸曲線のうち最も小さいものの外側に
位置している必要がある。

【００３７】図３（ａ）乃至（ｃ）は、図１（ａ）乃至
（ｅ）に示すプロセスで利用可能な粘着フィルム３の例
を示す平面図である。

【００３８】図３（ａ）に示す粘着フィルム３は、ウエ
ハ１とほぼ相似形であり且つウエハ１よりも大きい。ま
た、図３（ａ）に示す配置では、ウエハ１は粘着フィル
ム３のほぼ中央に位置している。この場合、粘着フィル
ム３はウエハ１の周囲を取り囲むように露出するため、
剥離部材４を用いた剥離を任意の方向から開始すること
ができる。

【００３９】図３（ｂ）に示す粘着フィルム３は、ウエ
ハ１と直径が等しい円形状のウエハ支持部と四角形状の
耳部とで構成されている。図３（ｂ）に示す配置では、
ウエハ１は粘着フィルム３のウエハ支持部と重なるよう
に位置しており、粘着フィルム３の耳部はウエハ１から
露出している。なお、図３（ｂ）に示す配置では、粘着
フィルム３のウエハ支持部は、ウエハ１に設けられたノ
ッチの位置で部分的に露出している。しかしながら、支
持体５の湾曲面が柱面である場合、粘着フィルム６をウ
エハ１に接着するのに先立って粘着フィルム３のノッチ
位置で露出した部分に粘着フィルム６を接着させること
は困難である。したがって、この場合、剥離部材４を用
いた剥離は、図中、上から下に向けて行うこととなる。

【００４０】図３（ｃ）に示す粘着フィルム３は、図３
（ａ）に示す粘着フィルム３と同様の形状及び寸法を有
している。図３（ｃ）に示す配置では、ウエハ１はその
輪郭が粘着フィルム３の輪郭に内接するように位置して
いる。この場合、剥離部材４を用いた剥離は、図中、下
方以外の任意の方向から開始することができる。但し、
粘着フィルム３の露出部の幅は上部で最も広いので、剥
離部材４を用いた剥離は上方から開始することが望まし
い。

【００４１】上記の通り、支持体２及び粘着フィルム３
は、ウエハ１の研削加工や搬送の際にウエハ１が破損す
るのを防止する目的で使用する。また、本実施形態で
は、粘着フィルム６をウエハ１に接着するのに先立ち、
粘着フィルム６を粘着フィルム３の露出部に接着させ
る。そのため、本実施形態において、支持体２の平坦面
や粘着層３の主面はウエハ１の主面よりも広い必要があ
る。

【００４２】図４（ａ），（ｂ）は、図１（ａ）に示す
構造とその変形例とを示す断面図である。本実施形態に
おいて、支持体２の平坦面に対する粘着フィルム３の主
面の相対的な寸法に特に制限はなく、図４（ａ）に示す
ように支持体２の平坦面と粘着フィルム３の主面とは同
一の寸法を有していてもよく、或いは、図４（ｂ）に示
すように支持体２の平坦面は粘着フィルム３の主面より
も大きな寸法を有していてもよい。後者の場合、粘着フ
ィルム６が粘着フィルム３とウエハ１とに順次接触する
ように剥離部材４を転動させてもよく、或いは、粘着フ
ィルム６が支持体２の露出した上面に接触したのちに粘
着フィルム３とウエハ１とに順次接触するように剥離部
材４を転動させてもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、半導
体ウエハの半導体素子が形成された面の裏面に第１粘着
フィルムを介して第１支持体の平坦面を貼り付けた状態
で半導体ウエハを減厚加工する。また、本発明では、減
厚加工後の半導体ウエハと第１支持体との分離は、第２
支持体の凸状湾曲面上に第２粘着フィルムを支持してな
る剥離部材を、第２粘着フィルムが第１粘着フィルムの
半導体ウエハから露出した部分に接触したのちに半導体
ウエハに接触するように第１支持体の平坦面上で転動さ
せることにより行う。そのため、そのため、半導体ウエ
ハを第１支持体から剥離する際に、半導体ウエハに局所
的な応力が加わるのを防止することができる。したがっ
て、半導体ウエハの破損を抑制することができ、薄い半
導体チップを高い歩留まりで得ることが可能となる。す
なわち、本発明によると、薄い半導体チップを高い歩留
まりで得ることが可能な半導体装置の製造方法が提供さ
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）乃至（ｅ）は、本発明の一実施形態に係
る半導体装置の製造プロセスの一部を概略的に示す断面
図。

【図２】（ａ），（ｂ）は、図１（ａ）乃至（ｅ）に示
すプロセスを採用した場合に採用可能なダイシング方法
を概略的に示す断面図。

【図３】（ａ）乃至（ｃ）は、図１（ａ）乃至（ｅ）に
示すプロセスで利用可能な粘着フィルムの例を示す平面
図。

【図４】（ａ），（ｂ）は、図１（ａ）に示す構造とそ
の変形例とを示す断面図。

【符号の説明】

１…半導体ウエハ ２…支持体 ３…粘着フィルム ４…剥離部材 ５…支持体 ６…粘着フィルム ７…ダイシングテーブル ８…剥離用フィルム

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の主面に半導体素子が形成された半
   導体ウエハと平坦面を有する第１支持体とを、前記半導
   体ウエハの前記半導体素子が形成された主面の全体が両
   面粘着性の第１粘着フィルムを介して前記第１支持体の
   平坦面の一部と接するように、及び、前記第１粘着フィ
   ルムが前記半導体ウエハの周囲の少なくとも一部で前記
   第１支持体の前記平坦面と接触し且つ前記半導体ウエハ
   から露出するように貼り合わせる工程と、 前記半導体ウエハと前記第１支持体とを貼り合わせたま
   ま前記半導体ウエハの前記半導体素子が形成された主面
   の裏面を加工して前記半導体ウエハの厚さを減ずる工程
   と、 前記半導体ウエハの厚さを減ずる工程の後に、凸状の湾
   曲面を有する第２支持体と前記湾曲面に支持され且つ少
   なくとも前記第２支持体側の面の裏面が粘着性である第
   ２粘着フィルムとを備えた剥離部材を、前記第２粘着フ
   ィルムが前記第１粘着フィルムの前記半導体ウエハから
   露出した部分に接触したのちに前記半導体ウエハに接触
   するように前記第１支持体の前記平坦面上で転動させる
   ことにより、前記半導体ウエハを前記第２支持体の湾曲
   面に沿って撓ませながら前記第１支持体から前記半導体
   ウエハを前記第１粘着フィルムとともに前記剥離部材上
   へと移し取る工程とを含んだことを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記半導体ウエハを移し取る工程の後
   に、前記半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チ
   ップを形成する工程をさらに含み、 前記ダイシングの際に前記半導体ウエハをダイシングテ
   ーブルに固定するダイシングフィルムとして前記第２粘
   着フィルムを利用することを特徴とする請求項１に記載
   の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記半導体ウエハを移し取る工程の後
   に、 前記半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チップ
   を形成する工程と、 前記複数の半導体チップのそれぞれをダイボンディング
   する工程とをさらに含み、 前記ダイボンディングの際に前記半導体チップを絶縁基
   板上に固定するダイボンディングフィルムとして前記第
   ２粘着フィルムを利用することを特徴とする請求項１に
   記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記半導体ウエハを移し取る工程の後
   に、 前記第１粘着フィルムと前記半導体ウエハと前記第２粘
   着フィルムとの積層体を前記第２支持体から分離する工
   程と、 前記第２支持体から分離した前記積層体を前記第２粘着
   フィルムがダイシングテーブルと前記半導体ウエハとの
   間に介在するように前記ダイシングテーブルに固定する
   工程と、 前記ダイシングテーブルに固定した前記積層体の前記第
   １粘着フィルムを前記半導体ウエハから剥離する工程
   と、 前記第１粘着フィルムを剥離した前記半導体ウエハをダ
   イシングして複数の半導体チップを形成する工程をさら
   に含んだことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
   の製造方法。