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JP2003289120A - フリップチップ型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

フリップチップ型半導体装置及びその製造方法

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JP2003289120A
JP2003289120A JP2002343000A JP2002343000A JP2003289120A JP 2003289120 A JP2003289120 A JP 2003289120A JP 2002343000 A JP2002343000 A JP 2002343000A JP 2002343000 A JP2002343000 A JP 2002343000A JP 2003289120 A JP2003289120 A JP 2003289120A
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thin film
wiring
electrode pad
flip
semiconductor device
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広一 本多
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NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 １０μｍ以下の微細な配線パターンピッチの
多層配線基板を高歩留、低コストで製造することがで
き、かつ必要以上に多層化を強いられず電気特性上有利
な薄膜のフリップチップ型半導体装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 平坦な金属又は合金からなるベース基板
１の表裏両面に多層薄膜配線９を形成し、ベース基板１
を表面側と裏面側に切断分離する。その後、ベース基板
１を選択的に除去して電極パッド部２を露出させ、フリ
ップチップ型半導体チップ１３を搭載する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板上に半
導体チップを搭載したフリップチップ型半導体装置及び
その製造方法に関し、特に製造コストが低廉であり、多
層配線基板の配線パターンのピッチを１０μｍ以下とす
ることが可能なフリップチップ型半導体装置及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１６（ａ）及び（ｂ）は従来のフリッ
プチップ型半導体装置１０１を示す側面図である。図１
６（ａ）に示すフリップチップ型半導体装置１０１にお
いては、半導体チップ１０２上に外部端子（図示せず）
がチップの周辺部又は活性領域上にエリアアレ―配列で
形成されており、この外部端子上に、半田、Ａｕ又はＳ
ｎ-Ａｇ系合金等の金属材料により、突起状のバンプ１
０３が形成されている。
【０００３】このフリップチップ半導体装置１０１は、
図１６（ｂ）に示すように、多層配線実装基板１０４上
に実装される。多層配線実装基板１０４には、電極パッ
ド（図示せず）がフリップチップ型半導体装置１０１の
バンプ配列パターンと同一パターンで形成されており、
エンドユーザにおいては、このフリップチップ型半導体
装置１０１をそのバンプ１０３と前記電極パッドとを整
合させて多層配線基板１０４に実装する。このフリップ
チップ型半導体装置１０１を多層配線基板１０４に実装
する際には、バンプ材料として半田を使用した場合は、
通常、フラックス（Ｆｌｕｘ）を使用したＩＲリフロー
工程で実装される。
【０００４】しかしながら、従来のフリップチップ型半
導体装置１０１は、多層配線実装基板１０４に実装した
後、多層配線実装基板１０４とフリップチップ型半導体
装置１０１との線膨張係数のミスマッチにより、実装信
頼性のうち、特に温度サイクル特性が劣化するという問
題点が生じる。このような問題点を解決するために、従
来、以下のような対策が施されている。
【０００５】先ず、多層配線実装基板１０４の線膨張係
数をシリコンの線膨張係数に近づけるために、材料とし
ては高価であるＡｌＮ、ムライト又はガラスセラミック
ス等のセラッミックス系の材料を使用して、線膨張係数
のミスマッチを最小限にし、これにより、実装信頼性を
向上させるという試みがなされてきた（例えば、特許文
献１参照。）。この試みは、実装信頼性の向上という観
点では効果があったものの、多層配線基板の材料が高価
なセラミックス系材料を使用しているため、一般的には
ハイエンドのスーパーコンピューター又は大型コンピュ
ーター等に適用用途が限定されてしまう。
【０００６】これに対して、近年、低廉でかつ線膨張係
数が大きい有機系材料を使用した多層配線基板と、半導
体チップとの間に、アンダーフィル樹脂を配置して、フ
リップチップ半導体装置を実装することにより、実装信
頼性を向上できる技術が提案されている（例えば、特許
文献２参照。）。このように、アンダーフィル樹脂を半
導体チップと有機系材料を使用した多層配線基板との間
に配置することにより、半導体チップと有機系材料を使
用した多層配線基板との間に存在するバンプ接続部分に
働くせん断応力を分散させ、実装信頼性を向上させるこ
とができる。このように、アンダーフィル樹脂を、半導
体チップと有機系材料製の多層配線基板との間に介在さ
せることにより、安価な有機系材料を使用した多層配線
基板を使用することが可能となる。
【０００７】しかしながら、この従来技術においては、
アンダーフィル樹脂内にボイドが存在した場合、又は、
アンダーフィル樹脂と半導体チップとの界面及びアンダ
ーフィル樹脂と有機系材料を使用した多層配線基板との
界面の接着特性が悪い場合には、製品の吸湿リフロー工
程で、前記界面の剥離現象が発生して、製品が不良とな
ってしまうという問題点がある。このため、この従来技
術により、確実にフリップチップ型半導体装置の低コス
ト化を推進できるというものではなかった。
【０００８】また、一般的にフリップチップ型半導体装
置の有機系材料を使用した多層配線基板には、バンプ配
列パターンの最小ピッチ及びピン数の関係上、ビルドア
ップ基板と呼ばれる多層配線基板を使用するのが通常で
ある。以下、このビルドアップ基板の製造方法を図１７
及び図１８を参照して説明する。図１７（ａ）乃至
（ｃ）は、従来のビルドアップ基板の製造方法を工程順
に示す断面図であり、図１８（ａ）乃至（ｃ）は、図１
７の次の工程を示す断面図である。
【０００９】先ず、図１７（ａ）において、絶縁性のガ
ラスエポキシ系基材からなるコア基板１１０の両面に１
０〜４０μｍ厚の所定厚さのＣｕ箔層１１１が貼りつけ
られ、更にパターニング処理されている。そして、コア
基板１１０にドリル加工等で穴開けした後、孔内にスル
ーホールめっき処理を施すことにより、貫通スルーホ―
ル部１１２が形成されており、これにより、コア基板１
１０の表裏両面のＣｕ箔層１１１が電気的に接続されて
いる。この場合に、後工程のプロセス安定性及び基板の
品質安定性を考慮して貫通スルーホール部１１２には、
通常、絶縁性のスルーホール穴埋め用樹脂１１３が充填
されている。
【００１０】次に、図１７（ｂ）に示すように、コア基
板１１０の表裏両面に存在するＣｕ配線パターン上に絶
縁性樹脂１１４を配置し、所定の位置にフォトレジスト
技術を使用したケミカルエッチング法又はレーザー加工
技術等により絶縁性樹脂開口部１１５を形成する。
【００１１】次に、図１７（ｃ）に示すように、電解Ｃ
ｕめっき処理の給電層及びコア基板上のＣｕ配線パター
ン部との電気的接続を確保するために、例えば、Ｔｉ又
はＣｕ等の金属をスパッタリングすることにより、又は
Ｃｕを無電解めっきすることにより、金属薄膜層１１６
を形成する。
【００１２】その後、図１８（ａ）に示すように、電解
Ｃｕめっき処理による配線パターン形成のため、厚さが
２０乃至４０μｍ程度のフォトレジスト１１７又はドラ
イフィルムを金属薄膜層１１６上に配置し、露光・現像
処理を実施する。
【００１３】その後、図１８（ｂ）に示すように、金属
薄膜層１１６を給電層として電解Ｃｕめっき処理するこ
とにより配線パターン部１１８を形成する。
【００１４】その後、図１８（ｃ）に示すように、フォ
トレジスト１１７又はドライフィルムを剥離した後、配
線パターン部１１８をマスクにして金属薄膜層１１６を
ウエットエッチングすることにより除去して、配線パタ
ーン部１１８を電気的に独立させる。
【００１５】そして、図１７（ｂ）乃至図１８（ｃ）の
工程を繰り返すことにより、必要であれば６層又は８層
のメタル構成の多層配線基板を作成することができる。
【００１６】
【特許文献１】特開２０００−３２３６２０号公報
【特許文献２】特開２００１−２０３２３７号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ビルドアップ基板の製造方法では、コア基板との熱膨張
係数の不一致によるストレス緩和及び接続ビア（Ｖｉ
ａ）部の信頼性等の多層配線基板の信頼性を考慮し、ビ
ルドアップ層配線パターン部の厚さを確保するために、
厚さが２０〜４０μｍ程度のフォトレジスト１１７又は
ドライフィルムを使用する必要性がある。よって、露光
・現像工程でのパターン形成性は最小ピッチでも３０μ
ｍ程度しか実現できなかった。結果として、配線パター
ンピッチが最小でも３０μｍ程度となってしまうため、
多層配線基板の高密度性及び基板外形の小型化を推進す
ることができない。また、通常ビルドアップ基板は、約
５００ｍｍ×６００ｍｍの大きさの大パネル上にて一括
して製品を作製して、最終工程にてカッティング処理を
施して単体の多層配線基板を取り出す製造工程を採用す
るため、多層配線基板単体の外形寸法の小型化を推進す
ることができれば、１パネル当たりの取り数を増加させ
ることができる。しかしながら、現状のビルドアップ基
板の製造方法では、前述の配線パターンピッチが最小で
も３０μｍ程度にしか縮小できないため、多層配線基板
単体の外形寸法を縮小させることができず、多層配線基
板のコストを大幅に低減させることが困難であった。
【００１８】このような多層配線基板の製造方法におい
ては、さらに反りの問題がある。コア基板１１０には反
りが存在しており、ビルドアップ配線パターンを形成す
る露光・現像工程で、コア基板１１０に存在する反りに
よってレジストパターンの不整合が発生する。このよう
な不整合は、製造歩留まりの低下を招くことになる。
【００１９】更に、コア基板の反りを抑制させるため
に、コア基板の表裏両面にビルドアップ層を形成する必
要があり、本来必要とはしないビルドアップ配線層まで
形成する必要が存在した。その結果、有機系多層配線基
板は、必要以上の多層化を強いられることになってしま
い、製造歩留を低下させ、これが製造コストの削減を阻
止する要因になっている。
【００２０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、１０μｍ以下の微細な配線パターンピッチ
の多層配線基板を高歩留、低コストで製造することがで
き、かつ必要以上に多層化を強いられず電気特性上有利
な薄膜のフリップチップ型半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフリップチ
ップ型半導体装置の製造方法は、少なくとも表裏両面に
金属又は合金からなる本体部を有するベース基板の前記
表裏両面に、夫々前記ベース基板側の電極パッド部及び
外側の外部電極パッド部を含む多層薄膜配線を形成する
工程と、前記ベース基板をその表面側と裏面側とに２分
割して２個のベ―ス基板一体型配線基板を形成する工程
と、前記ベース基板の少なくとも一部を除去して前記電
極パッド部を露出させる工程と、前記電極パッド部にバ
ンプ電極を接続するようにして複数個のフリップチップ
型半導体チップを前記電極パッド側の前記多層薄膜配線
上に搭載する工程と、を有することを特徴とする。
【００２２】本発明においては、金属又は合金からなる
ベース基板上に多層薄膜配線を形成するため、多層薄膜
配線の平坦性を向上させることができる。このため、１
０μｍ以下の微細な配線パターンピッチの多層配線基板
を形成することができる。また、ベース基板の表裏両面
に多層薄膜配線を形成した後、ベース基板をその表面側
と裏面側とに２分割して２個のベ―ス基板一体型配線基
板を形成するため、基板の反りの抑制を目的とした多層
配線層の形成が不要になり、形成した多層薄膜配線を効
率的に使用することができると共に、１回のプロセスで
表裏２面に多層薄膜配線を形成することができるため、
高歩留且つ低コストでフリップチップ型半導体装置を製
造することができる。
【００２３】このフリップチップ型半導体装置の製造方
法において、請求項２は、前記多層薄膜配線の前記外部
電極パッド部に半田ボールを接合することを特徴とす
る。
【００２４】また、請求項３は、前記半導体チップ毎
に、前記多層薄膜配線を分離することを特徴とする。
【００２５】更に、請求項４は、前記電極パッド部を露
出させる工程は、前記ベース基板の表面上に前記電極パ
ッド部に整合する領域を被覆しないようにしてフォトレ
ジストを設け、このフォトレジストをマスクとして前記
ベース基板をエッチング除去し、ベース基板が一部残存
してステッフナー部となるステッフナー一体型多層薄膜
配線基板を形成することを特徴とする。
【００２６】更にまた、請求項５は、前記電極パッド部
を露出させる工程は、前記ベース基板の全体を除去して
前記電極パッド部が露出したフィルム状の多層薄膜配線
を得る工程であり、この工程の後、前記多層薄膜配線に
おける前記ベース基板が除去された側の面における前記
電極パッド部に整合する領域を除く領域の少なくとも一
部に、ステッフナー部を接合する工程を有することを特
徴とする。
【００２７】更にまた、請求項６は、前記ステッフナー
部が金属又は合金により形成されていることを特徴とす
る。
【００２８】更にまた、請求項７は、前記半導体チップ
を搭載後、前記半導体チップと前記ステッフナー部との
間及び前記半導体チップと前記多層薄膜配線との間に樹
脂を充填することを特徴とする。
【００２９】更にまた、請求項８は、前記半導体チップ
には、半導体チップ冷却用のヒートスプレッダーが接合
されていることを特徴とする。
【００３０】更にまた、請求項９は、前記多層薄膜配線
の前記電極パッド部は、前記ベース基板を給電層として
電解めっきすることにより形成しためっき層であること
を特徴とする。
【００３１】更にまた、請求項１０は、前記ベース基板
は、銅若しくは銅合金又はステンレス鋼製であることを
特徴とする。
【００３２】更にまた、請求項１１は、前記ベース基板
をその表面に実質的に平行に切断することにより、２個
のベース基板一体型配線基板に分離することを特徴とす
る。
【００３３】更にまた、請求項１２は、前記ベース基板
は、表裏両面の金属又は合金からなる本体部の間に、中
間金属層が積層された３層構造を有し、前記ベース基板
を分離する工程において、前記中間金属層を、前記本体
部よりも選択的にエッチングすることにより、前記ベー
ス基板を２個に分離することを特徴とする。
【００３４】更にまた、請求項１３は、前記中間金属層
に多孔質膜が積層されていることを特徴とする。
【００３５】更にまた、請求項１４は、前記ベース基板
は、表裏両面の金属又は合金からなる本体部の間に、多
孔質膜を２枚の中間金属層が挟む３層膜を設けた５層構
造を有することを特徴とする。
【００３６】更にまた、請求項１５は、前記ベース基板
は、金属又は合金からなる２枚の単層金属板を重ね、各
単層金属板を金属又は合金のピンを打ち抜くことにより
相互に固定したものであることを特徴とする。
【００３７】更にまた、請求項１６は、前記ベース基板
は、金属又は合金からなる２枚の単層金属板を重ね、各
単層金属板を局部的に溶接することにより相互に固定し
たものであることを特徴とする。
【００３８】更にまた、請求項１７は、前記ベース基板
は、金属又は合金からなる２枚の単層金属板を重ね、各
単層金属板の縁部を機械的に拘束することにより相互に
固定したものであることを特徴とする。
【００３９】更にまた、請求項１８は、前記ベース基板
は、金属又は合金からなる２枚の単層金属板を重ね、各
単層金属板を接着剤により局部的に接合することにより
相互に固定したものであることを特徴とする。
【００４０】本発明に係るフリップチップ型半導体装置
は、一面側に形成された電極パッド部及び他面側に形成
された外部電極パッド部を含む多層薄膜配線と、前記多
層薄膜配線の前記電極パッド部にバンプ電極が接続する
ようにして前記多層薄膜配線に搭載されたフリップチッ
プ型半導体チップと、を有し、前記多層薄膜配線は、少
なくとも表裏両面に金属又は合金からなる本体部を有す
るベース基板の前記表裏両面に、夫々前記ベース基板側
の電極パッド部及び外側の外部電極パッド部を含む前記
多層薄膜配線を形成した後、前記ベース基板をその表面
側と裏面側とに２分割し、更に前記ベース基板の少なく
とも一部を除去して前記電極パッド部を露出させたもの
であることを特徴とする。
【００４１】このフリップチップ型半導体装置におい
て、請求項２０は、前記多層薄膜配線は、前記半導体チ
ップを搭載後、各半導体チップ毎に分離されたものであ
ることを特徴とする。
【００４２】また、請求項２１は、前記多層薄膜配線に
おける前記半導体チップが搭載されていない領域に前記
ベース基板が残存してステッフナー部が形成されてお
り、前記半導体チップと前記ステッフナー部との間及び
前記半導体チップと前記多層薄膜配線との間に、絶縁性
封止樹脂が設けられていることを特徴とする。
【００４３】更に、請求項２２は、前記多層薄膜配線の
前記外部電極パッドには半田ボールが接合されているこ
とを特徴とする。
【００４４】更にまた、請求項２３は、前記半導体チッ
プには、これを冷却するヒートスプレッダーが接合され
ていることを特徴とする。
【００４５】更にまた、請求項２４は、前記ヒートスプ
レッダーは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣ
ｒからなる金属性材料並びにアルミナ、ＡｌＮ、ＳｉＣ
及びムライトからなるセラミック材料からなる群から選
択された１種の材料により形成されていることを特徴と
する。
【００４６】更にまた、請求項２５は、前記ヒートスプ
レッダーは、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリ
イミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、シアネートエス
テル系樹脂、フェノール系樹脂及びナフタレン系樹脂か
らなる群から選択されたいずれかの樹脂を主成分とし、
Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、ダイヤモン
ド、アルミナ、ＡｌＮ、ムライト、ＢＮ及びＳｉＣから
なる群から選択されたいずれかのセラミックを含む熱伝
導性接着剤により前記半導体チップに接合されているこ
とを特徴とする。
【００４７】更にまた、請求項２６は、前記多層薄膜配
線は、絶縁性樹脂薄膜の形成及びパターニングと、導電
性薄膜の形成及びパターニングにより、形成された多層
構造の配線層であることを特徴とする。
【００４８】更にまた、請求項２７は、前記絶縁性樹脂
薄膜は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、シアネートエステル
系樹脂、フェノール系樹脂及びナフタレン系樹脂からな
る群から選択されたいずれかの樹脂を主成分とするもの
であることを特徴とする。
【００４９】更にまた、請求項２８は、前記多層薄膜配
線は、前記電極パッド部と、この電極パッド部を覆うよ
うに形成され前記電極パッド部に整合する領域の一部に
開口部が形成された絶縁性樹脂薄膜と、この絶縁性樹脂
薄膜上に形成され前記開口部を介して前記電極パッド部
に接続された前記外部電極パッド部と、この外部電極パ
ッド部の端部を覆うソルダーレジスト膜と、を有するメ
タル２層構造であることを特徴とし、請求項２９は、こ
の多層薄膜配線の合計の膜厚が５２乃至２６６μｍであ
ることを特徴とする。
【００５０】更にまた、請求項３０は、前記多層薄膜配
線は、前記電極パッド部と、第１の絶縁性樹脂薄膜と、
配線部と、第２の絶縁性樹脂薄膜と、前記外部電極パッ
ド部と、ソルダーレジスト膜と、を有するメタル３層構
造であることを特徴とし、請求項３１は、この多層薄膜
配線の合計の膜厚が７７乃至３９６μｍであることを特
徴とする。
【００５１】更にまた、請求項３２は、前記多層薄膜配
線は、前記電極パッド部と、第１の絶縁性樹脂薄膜と、
第１の配線部と、第２の絶縁性樹脂薄膜と、第２の配線
部と、第３の絶縁性樹脂薄膜と、前記外部電極パッド部
と、ソルダーレジスト膜と、を有するメタル４層構造で
あることを特徴とし、請求項３３は、この多層薄膜配線
の合計の膜厚が１０２乃至５２６μｍであることを特徴
とする。
【００５２】更にまた、請求項３４は、前記多層薄膜配
線は、前記電極パッド部と、第１の絶縁性樹脂薄膜と、
第１の配線部と、第２の絶縁性樹脂薄膜と、第２の配線
部と、第３の絶縁性樹脂薄膜と、第３の配線部と、第４
の絶縁性樹脂薄膜と、前記外部電極パッド部と、ソルダ
ーレジスト膜と、を有するメタル５層構造であることを
特徴とし、請求項３５は、この多層薄膜配線の合計の膜
厚が１２７乃至６５６μｍであることを特徴とする。
【００５３】更にまた、請求項３６は、前記多層薄膜配
線は、前記電極パッド部と、第１の絶縁性樹脂薄膜と、
第１の配線部と、第２の絶縁性樹脂薄膜と、第２の配線
部と、第３の絶縁性樹脂薄膜と、第３の配線部と、第４
の絶縁性樹脂薄膜と、第４の配線部と、第５の絶縁性樹
脂薄膜と、前記外部電極パッド部と、ソルダーレジスト
膜と、を有するメタル６層構造であることを特徴とし、
請求項３７は、この多層薄膜配線の合計の膜厚が１５２
乃至７８６μｍであることを特徴とする。
【００５４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１乃至図６
は本発明の第１の実施形態に係るフリップチップ型半導
体装置の製造方法を示す断面図である。先ず、図１
（ａ）に示すように、平坦性が高く、かつ高い機械的強
度を有するベース基板１を準備する。このベース基板１
の素材は、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）及びＣｕ等
の金属又は合金からなるものである。
【００５５】次に、図１（ｂ）に示すように、ベース基
板１の両面に、電極パッド部２を形成する。この電極パ
ッド部２の形成は以下のようにして行うことができる。
即ち、ベース基板１上にフォトレジストをコーティング
して露光及び現像処理を施すことによりレジストパター
ンを形成し、その後、このレジストに覆われていない部
分のベース基板１を給電層として機能させる電解めっき
法により、Ａｕ層、Ｎｉ層及びＣｕ層等をベース基板１
上に順次形成することにより、例えば３層のめっき層を
形成する。そして、前記フォトレジストを除去すること
により、所定のパターンの電極パッド部２を形成するこ
とができる。このとき、電極パッド部２を形成する（Ａ
ｕ層／Ｎｉ層／Ｃｕ層）の３層めっき層における各層の
厚さは、例えば、Ａｕ層を０．３乃至３μｍ、Ｎｉ層を
１乃至１０μｍ、Ｃｕ層を１０乃至５０μｍ程度とし、
３層めっき層全体の厚さを例えば１１．３乃至６３μｍ
とする。
【００５６】次に、図１（ｃ）に示すように、電極パッ
ド部２が形成されている基板１の両面に、電極パッド部
２を覆うように絶縁性樹脂薄膜層３を形成する。この絶
縁性樹脂薄膜層３の形成は、以下の方法により行うこと
ができる。即ち、液状の絶縁性材料をスピンコーティン
グ法により全面に塗布するか、又はプラズマ表面処理技
術を利用したＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法若
しくはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法を使用
して樹脂薄膜層を形成する。また、シート状の絶縁樹脂
シートをベース基板１の両面にシートラミネート法を用
いて１回の工程により、積層しても良い。なお、絶縁性
樹脂薄膜層３は、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン
系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、シ
アネートエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ナフタレ
ン系樹脂のいずれかの樹脂を主成分として構成されてい
る。このとき、電極パッド部２上における絶縁性樹脂薄
膜層３の厚さは、例えば約２０乃至８０μｍ程度とす
る。
【００５７】次に、絶縁性樹脂薄膜層３の電極パッド部
２上の部分を選択的に除去し、絶縁性樹脂薄膜の開口部
４を形成する。この開口部４は、絶縁性樹脂薄膜層３が
感光性材料で形成されている場合には、フォトリソグラ
フィによる露光及び現像処理によって形成することがで
きる。一方、絶縁性樹脂薄膜層３が非感光性材料で形成
されていれば、レーザー加工技術を使用するか、又は、
フォトレジストのパターン形成を実施した後、プラズマ
表面処理技術を利用したドライエッチング技術により絶
縁性樹脂薄膜開口部４を形成することができる。
【００５８】次に、図１（ｄ）に示すように、絶縁性樹
脂薄膜層３上に金属薄膜配線部を形成するために、開口
部４を含む全面に、金属薄膜層５を形成する。この金属
薄膜層５の形成は、以下のようにして行うことができ
る。即ち、電極パッド部２との接着金属層として、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ若しくはＷ等の金属又はそれらの
合金をスパッタリング法等により成膜して薄膜を形成し
た後、続いて電極材料層として、Ｃｕ、Ａｌ若しくはＮ
ｉ等の金属又はそれらの合金からなる薄膜を、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法又は無電解めっき法等により連続し
て形成する。このとき、金属薄膜層５の厚さ、即ち、接
着金属層及び電極材料層の合計の厚さは、例えば約０．
２乃至２μｍとする。
【００５９】その後、図２（ａ）に示すように、フォト
レジストをコーティングした後、所定の配線パターンが
抜けるように露光及び現像処理を施し、フォトレジスト
パタ―ンを形成した後、電解めっき法により、フォトレ
ジストに覆われていない部分の金属薄膜層５上にＣｕ等
を形成してＣｕめっき層からなる配線パターンを形成す
る。その後、フォトレジストを剥離除去し、前記配線パ
ターンをマスクにして下地の金属薄膜層５をエッチング
除去することにより、接着金属層、電極材料層及びＣｕ
めっき層からなる金属薄膜配線部６を形成する（所謂Se
mi-Additive工法）。この金属薄膜配線部６は隣接する
２個の電極パッド部２に接続された部分が相互に電気的
に分断されているものである。また、金属薄膜配線部６
はＣｕめっき層の分だけ、金属薄膜層５よりも厚いもの
である。金属薄膜配線部６の厚さ、即ち、接着金属層及
び電極材料層からなる金属薄膜層５とＣｕめっき層との
合計の厚さは、例えば約５乃至５０μｍとする。
【００６０】また、金属薄膜配線部６のパターンピッチ
が２０μｍ以下と極めて微細な場合には、金属薄膜層５
をパターニングすることにより、金属薄膜配線部６を形
成することができる。即ち、金属薄膜層５にフォトレジ
ストをコーティングして所定の配線パターンが残るよう
に露光・現像処理を施す。その後、ウエットエッチング
法又はプラズマ表面処理技術を利用したドライエッチン
グ法により、配線パタ―ンにパターニングされた前記フ
ォトレジストにより覆われていない部分の金属薄膜層５
を選択的にエッチング除去する。その後、フォトレジス
トを除去することにより、金属薄膜配線部６を形成する
ことができる。この場合は、金属薄膜配線部６の厚さは
金属薄膜層５と実質的に同一である。
【００６１】次に、図２（ｂ）、図２（ｃ）及び図３
（ａ）に示すように、絶縁性樹脂薄膜層３ａの形成、金
属薄膜配線部６ａの形成及び絶縁性樹脂薄膜層３ｂの形
成までの工程を、所定のパターンにより繰り返すことに
より、予め決められている所定の多層配線構造を形成す
る。即ち、図３（ａ）に示すように、ベース基板１上に
電極パッド部２が形成され、この電極パッド部２に接続
された１層目の金属薄膜配線部６が形成され、更に１層
目の金属薄膜配線部６に接続された２層目の金属薄膜配
線部６ａが形成されており、２層構造の多層金属配線が
形成される。
【００６２】次に、図３（ｂ）に示すように、最外層
（最上層）の絶縁性樹脂薄膜層３ｂの上に、上述の金属
薄膜配線形成技術を使用して、金属薄膜及びめっき層か
らなる外部パッド電極部７を所定のパターンで形成す
る。この外部パッド電極部７のパターンは所定の外部端
子電極パターンに対応するものである。このとき、外部
パッド電極部７の厚さは電極パッド部２の厚さと同一と
し、例えば約１１．３乃至６３μｍの範囲内とする。
【００６３】その後、図３（ｃ）に示すように、多層配
線構造及び外部パッド電極部７を保護するために、ソル
ダーレジスト膜８を全面に形成する。ソルダーレジスト
膜８における外部パッド電極部７上の部分の厚さは、例
えば約１０乃至６０μｍとする。次いで、外部パッド電
極部７上の部分のソルダーレジスト膜８のみを除去して
開口部を設ける。この開口部の形成方法は、以下のとお
りである。例えば、ソルダーレジスト膜８が非感光性材
料で形成されている場合は、フォトレジストをコーティ
ングした後、露光・現像処理して前記フォトレジストを
パターニングし、このフォトレジストのパタ―ンをマス
クとして、ウエットエッチング法又はプラズマ表面処理
技術を利用したドライエッチング法により、ソルダーレ
ジスト膜８に開口部を形成する。一方、ソルダーレジス
ト膜８が感光性材料で形成されている場合は、そのまま
露光・現像処理を施してソルダーレジスト膜８に開口部
を形成しても良い。これにより、ソルダーレジスト膜８
は外部パッド電極部７の端部を覆い、外部パッド電極部
７を保護することができる。また、図３（ｂ）に示す多
層配線構造における絶縁性樹脂薄膜層３、３ａ、３ｂの
機械的及び化学的ストレスに対する信頼性が極めて高い
場合には、ソルダーレジスト膜８を形成する必要はな
い。
【００６４】次に、図４（ａ）に示すように、ベース基
板１をその表面に平行に２分割する。
【００６５】これにより、図４（ｂ）に示すように、ベ
ース基板１上に多層薄膜配線９が形成されたベース基板
一体型多層薄膜配線基板１０を２枚得ることができる。
なお、このベース基板１を２分割する方法としては、ベ
ース基板１が機械加工特性に優れた金属板により形成さ
れているため、通常の金属板加工用の機械加工装置を用
いることにより、容易に２分割することができる。
【００６６】次に、図４（ｃ）に示すように、分割後の
ベース基板一体型多層薄膜配線基板１０におけるベース
基板１側の表面上にフォトレジスト層１１を形成し、多
層薄膜配線９の電極パッド部２の形成領域に整合する基
板１の領域が露出するように、フォトレジスト層１１を
パターニング処理する。次に、フォトレジスト層１１を
マスクとしてベース基板１をケミカルエッチングする。
【００６７】これにより、図５（ａ）に示すように、多
層薄膜配線９の電極パッド部２を露出させる。その後、
フォトレジスト層１１を除去することにより、ステッフ
ナー（支持枠）一体型多層薄膜配線基板１２を得ること
ができる。
【００６８】ベース基板１のケミカルエッチングは以下
のようにして行うことができる。即ち、ベース基板１が
Ｃｕ系の金属材料である場合は、塩化第２銅水溶液又は
アンモニア系アルカリエッチャントにより、Ｃｕ系金属
材料を選択エッチングすることができる。また、ベース
基板１がステンレス（ＳＵＳ）系金属材料である場合
は、塩化第２鉄水溶液を使用することにより、ベース基
板１を選択エッチングするこができる。この場合に、パ
ッド電極部２の層構成は、表層（形成時の最下層）にＡ
ｕ層が存在するため、前記塩化第２銅水溶液、アンモニ
ア系アルカリエッチャント、及び塩化第２鉄水溶液に対
し、化学的に安定で、Ａｕ層が侵されることはない。こ
のため、ベース基板１を選択的にエッチング除去して
も、パッド電極部２が消失することはない。
【００６９】次に、図５（ｂ）に示すように、このステ
ッフナー一体型多層薄膜配線基板１２を上下逆に反転し
た後、図６（ａ）に示すように、フリップチップ型半導
体チップ１３を搭載する。
【００７０】即ち、図６（ａ）に示すように、フリップ
チップ型半導体チップ１３を、そのバンプ電極１４を下
方にし、多層薄膜配線９の電極パッド部２とバンプ電極
１４とを整合させて、ステッフナー一体型多層薄膜配線
基板１２上に搭載し、フリップチップ実装処理を施す。
この際、フリップチップ型半導体チップ１３のバンプ電
極１４がＳｎ及びＰｂ等の金属材料を主成分とする半田
であれば、フラックス（Ｆｌｕｘ）を使用した加熱リフ
ロー工程によりフリップチップ実装が可能である。ま
た、バンプ電極１４がＡｕ及びＩｎ等の金属材料を主成
分とするものであるならば、熱圧着方式によりフリップ
チップ実装が可能である。
【００７１】その後、図６（ｂ）に示すように、フリッ
プチップ半導体チップ１３、フリップチップ接続部分及
び多層薄膜配線基板１２を保護する目的で、フリップチ
ップ半導体チップ１３の側面とフリップチップ接合部と
の間及び多層薄膜配線基板１２の露出領域に、絶縁性封
止樹脂１５を配置する。
【００７２】この絶縁性封止樹脂の配置方法としては、
真空封止技術を使用したインジェクション樹脂注入技
術、トランスファー封止技術、又は液状アンダーフィル
材料を使用した封止技術等を使用することができる。ア
ンダーフィル樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコー
ン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、
シアネートエステル系樹脂、フェノール系樹脂、又はナ
フタレン系樹脂のいずれかの樹脂を主成分として構成す
ることができる。
【００７３】その後、電極パッド部２の反対側の外部電
極パッド部７に、外部端子としてＳｎ等の金属材料を主
成分とする半田ボール１６を搭載する。この際、外部電
極パッド部７にフラックス（Ｆｌｕｘ）を選択的に塗布
した後に、半田ボール１６を被着し、ＩＲリフロー工程
により加熱処理を施すことにより、半田ボール１６を外
部電極パッド部７に搭載することが可能である。
【００７４】その後、図６（ｃ）に示すように、ダイシ
ングブレード等を使用した切断分離技術により、フリッ
プチップ型半導体装置の個片処理を実施する。これによ
り、フリップチップ型半導体装置１００を得ることがで
きる。
【００７５】図６（ｃ）に示すように、本実施形態に係
るフリップチップ型半導体装置１００においては、多層
薄膜配線９が設けられている。多層薄膜配線９は、ソル
ダーレジスト膜８、外部電極パッド部７、絶縁性樹脂薄
膜層３ｂ、金属薄膜配線部６ａ、絶縁性樹脂薄膜層３
ａ、金属薄膜配線部６、絶縁性樹脂薄膜層３、電極パッ
ド部２がこの順に積層されて形成されており、メタル４
層構造となっている。そして、外部電極パッド部７は絶
縁性樹脂薄膜層３ｂの開口部を介して金属薄膜配線部６
ａに接続されており、金属薄膜配線部６ａは絶縁性樹脂
薄膜層３ａの開口部を介して金属薄膜配線部６に接続さ
れており、金属薄膜配線部６は絶縁性樹脂薄膜層３の開
口部を介して電極パッド部２に接続されている。多層薄
膜配線９を構成する各層の厚さは、例えば、ソルダーレ
ジスト膜８が１０乃至６０μｍ、外部電極パッド部７が
１１．３乃至６３μｍ、絶縁性樹脂薄膜層３ｂが２０乃
至８０μｍ、金属薄膜配線部６ａが５乃至５０μｍ、絶
縁性樹脂薄膜層３ａが２０乃至８０μｍ、金属薄膜配線
部６が５乃至５０μｍ、電極パッド部２が１１．３乃至
６３μｍである。従って、多層薄膜配線９全体の厚さ
は、例えば、１０２乃至５２６μｍとなっている。
【００７６】そして、多層薄膜配線９における電極パッ
ド部２には、フリップチップ型半導体チップ１３のバン
プ電極１４が接続されており、これにより、多層薄膜配
線９における電極パッド部２側の面に、１個のフリップ
チップ型半導体チップ１３が搭載されている。また、多
層薄膜配線９における電極パッド部２側の面におけるフ
リップチップ型半導体チップ１３が搭載されていない領
域の一部には、Ｃｕ系金属材料又はステンレス系金属材
料からなるステッフナー（支持枠）が接合されている。
このステッフナーは、平板状のベース基板１（図４
（ｃ）参照）が選択的に除去されて形成されたものであ
る。更に、多層薄膜配線９とフリップチップ型半導体チ
ップ１３との間、及びステッフナーとフリップチップ型
半導体チップ１３との間には、絶縁性封止樹脂１５が充
填されている。一方、多層薄膜配線９の外部電極パッド
部７には、半田ボール１６が搭載されている。
【００７７】本実施形態によれば、多層配線基板の製造
方法において、多層薄膜配線９の平面度を高く維持する
ことができ、この多層薄膜配線９において内部応力の発
生が抑制される。即ち、本実施形態においては、平坦性
が高いベース基板１上に多層配線構造（多層薄膜配線
９）を形成するので、多層薄膜配線９も平坦性が高く、
歪みがなく、内部応力が小さい。このため、多層薄膜配
線形成時の熱的安定性が高く、製造歩留が高いと共に、
線幅及び線間隙（Line & Space）が夫々１０μｍ以下の
微細配線を形成することができる。更に、ベース基板１
の両面に多層薄膜配線９を形成し、これにフリップチッ
プ型半導体チップ１３を搭載した後に、ベース基板を２
分割してベース基板の表裏で２個の半導体装置を製造し
ているため、ベース基板１上に形成した多層配線を有効
に使用することができ、１回の製造プロセス当たりの生
産量が従来の２倍となり、生産性が向上して製造コスト
が低減する。
【００７８】なお、本実施形態においては、多層薄膜配
線９をメタル４層構造とする例を示したが、多層薄膜配
線は、（ソルダーレジスト膜／外部パッド電極部／絶縁
性樹脂薄膜層／電極パッド部）からなるメタル２層構造
であってもよい。この場合、各層の厚さは前述のとおり
なので、多層薄膜配線の合計の厚さは、例えば５２乃至
２６６μｍとなる。また、多層薄膜配線は、（ソルダー
レジスト膜／外部パッド電極部／絶縁性樹脂薄膜層／金
属薄膜配線部／絶縁性樹脂薄膜層／電極パッド部）から
なるメタル３層構造であってもよい。この場合、多層薄
膜配線の合計の厚さは、例えば７７乃至３９６μｍとな
る。更に、多層薄膜配線は、（ソルダーレジスト膜／外
部パッド電極部／絶縁性樹脂薄膜層／金属薄膜配線部／
絶縁性樹脂薄膜層／金属薄膜配線部／絶縁性樹脂薄膜層
／金属薄膜配線部／絶縁性樹脂薄膜層／電極パッド部）
からなるメタル５層構造であってもよい。この場合、多
層薄膜配線の合計の厚さは、例えば１２７乃至６５６μ
ｍとなる。更にまた、多層薄膜配線は、（ソルダーレジ
スト膜／外部パッド電極部／絶縁性樹脂薄膜層／金属薄
膜配線部／絶縁性樹脂薄膜層／金属薄膜配線部／絶縁性
樹脂薄膜層／金属薄膜配線部／絶縁性樹脂薄膜層／金属
薄膜配線部／絶縁性樹脂薄膜層／電極パッド部）からな
るメタル６層構造であってもよい。この場合、多層薄膜
配線の合計の厚さは、例えば１５２乃至７８６μｍとな
る。
【００７９】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図７は本発明の第２実施形態に係るフリップチ
ップ型半導体装置を示す断面図である。フリップチップ
型半導体チップは、一般的には、多ピンの高速系ロジッ
ク系デバイスに適用されることが多く、その際、半導体
チップの放熱性をいかに確保するかが課題となる。本第
２実施形態は、フリップチップ型半導体装置の熱特性を
向上させたものである。
【００８０】即ち、第２の実施形態においては、フリッ
プチップ型半導体チップ１３の裏面に放熱性接着剤１７
を塗布し、かつステッフナー一体型多層薄膜配線基板１
２のステッフナーであるベース基板１上に接着剤１８を
塗布し、これらの放熱性接着剤１７及び接着剤１８を介
して、ヒートスプレッダー１９が接合されている。これ
により、半導体チップの放熱性を高めることができる。
本実施形態における上記以外の効果は、前述の第１の実
施形態と同様である。
【００８１】この放熱用のヒートスプレッダー１９は、
Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、又はＣｒ等の金属
又はその合金を使用して形成することができる。また、
このヒートスプレッダー１９は、アルミナ、ＡｌＮ、Ｓ
ｉＣ、ムライト等のセラミック材料により形成すること
もできる。
【００８２】更に、放熱性接着剤１７は、例えば、エポ
キシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂、シアネートエステル系樹脂、フェ
ノール系樹脂、又はナフタレン系樹脂のいずれかの樹脂
を主成分とし、この主成分に、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、ダイヤモンド、アルミナ、Ａｌ
Ｎ、ムライト、ＢＮ、ＳｉＣ、等のセラミック材料を含
有するものである。
【００８３】次に、本発明の第３の実施形態について、
図８及び図９を参照して説明する。図８（ａ）乃至
（ｃ）は本実施形態に係るフリップチップ型半導体装置
の製造方法を工程順に示す断面図であり、図９（ａ）及
び（ｂ）は図８の次の工程を示す断面図である。図８
（ａ）に示すように、本実施形態のベース基板は、２枚
の金属層２０とその間に挟まれた中間金属層２１とから
なる３層金属クラッド材である。この３層金属クラッド
材の構成は、例えば、金属層２０／中間金属層２１／金
属層２０が、夫々Ｃｕ／Ａｌ／Ｃｕ、ＳＵＳ／Ａｌ／Ｓ
ＵＳ、又はＳＵＳ／Ｃｕ／ＳＵＳである。
【００８４】次に、図８（ｂ）に示すように、第１の実
施形態と同様に、電極パッド部２を３層クラッド材の両
面、つまり、金属層２０の両外面に所定のパターンで形
成する。
【００８５】その後、図８（ｃ）に示すように、第１の
実施形態と同様に、所定の多層薄膜配線９を３層金属ク
ラッド材の両面、即ち、金属層２０の両外面に形成す
る。
【００８６】次に、図９（ａ）に示すように、３層金属
クラッド材の中間金属層２１のみを、選択的にケミカル
ウエットエッチングにより除去し、２枚の金属層２０を
相互に分離する。
【００８７】これにより、図９（ｂ）に示すように、金
属層２０上に多層薄膜配線９が形成された基板が２枚得
られる。この中間層２１のケミカルウエットエッチング
は、３層金属クラッド材の中間金属層２１がＡｌで形成
されている場合は、例えば、ＴＭＡＨ水溶液（テトラ・
メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）等のアル
カリ水溶液を使用すればよい。また、３層金属クラッド
材の中間金属層２１がＣｕで形成されている場合は、塩
化第２銅系エッチング液又は硫酸過水系エッチング液を
使用すればよい。その後は、第１の実施形態と同様の工
程により、所定の半導体装置を得ることができる。これ
により、本実施形態においては、前述の第１の実施形態
と比較して、より容易且つ短時間に、ベース基板を２分
割することができる。本実施形態における上記以外の効
果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００８８】次に、本発明の第４の実施形態について、
図１０を参照して説明する。図１０は本実施形態に係る
フリップチップ型半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。本第４実施形態は、第３の実施形態の改良であ
り、３層金属クラッド材の中間金属層２１の選択的エッ
チング除去をより容易にするものである。
【００８９】本第４実施形態は、ベース基板として、２
層の中間金属層２１間に、液体浸透性が優れた多孔質膜
２２を挟み、更に中間金属層２１の外面に金属層２０を
設けた５層構成基材を使用する。具体的には、このベー
ス基板は、金属層２０／中間金属層２１／多孔質膜２２
／中間金属層２１／金属層２０が、例えば、夫々、Ｃｕ
／Ａｌ／多孔質膜／Ａｌ／Ｃｕ、ＳＵＳ／Ａｌ／多孔質
膜／Ａｌ／ＳＵＳ又はＳＵＳ／Ｃｕ／多孔質膜／Ｃｕ／
ＳＵＳの構成からなる５層構成基材である。なお、多孔
質膜２２は例えば多孔質ポリイミドからなる。
【００９０】このように構成されたベース基板において
は、第３実施形態における図９（ａ）の中間金属層を選
択的にケミカルエッチングして除去する工程をより容易
にする効果がある。具体的には、ケミカルエッチングの
際に、多孔質膜２２は液体浸透性が極めて優れているた
めに、ケミカルエッチング液が多孔質膜２２を介してベ
―ス基板の中心部まで容易かつ迅速に浸透し、中間金属
層２１を容易に除去することができる。このため、Ａｌ
又はＣｕ等の金属からなる中間金属層２１のエッチング
除去がプロセス的に安定化し、更に、処理時間も短縮さ
れる。従って、本第４実施形態は、半導体装置の品質の
安定化及びコスト削減に有効である。なお、中間金属層
２１は、１枚でもよい。また、１枚の中間金属層２１を
２枚の多孔質膜２２が挟むような構造でも良い。
【００９１】以下、第５乃至第８の実施形態は、第３及
び第４の実施形態のように、中間金属層２１を中心部に
設けたベース基板を使用することなく、容易にベース基
板を２分割できるようにしたものである。
【００９２】図１１は本発明の第５の実施形態を示す図
であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。本第
５実施形態においては、ベース基板として、Ｃｕ又はス
テンレス鋼（ＳＵＳ）の２枚の単層の金属板３０を重ね
合わせ、この金属板３０の４隅部に金属ピン２３を打ち
込むことにより、２枚の単層金属板３０を張り合わせた
ものである。即ち、２枚の単層の金属板３０を金属ピン
２３により、一体化処理している。この２枚重ねの金属
板からなるベース基板に対して、前述の各工程により多
層薄膜配線９を形成し、その後、金属ピン２３を外し
て、２枚の金属板３０を分離すればよい。この金属ピン
２３は、金属板３０に打ち込むことにより、金属板３０
を摩擦接合しているが、この摩擦接合の力の大きさを適
切に調節すれば、薄膜形成工程においては両金属板３０
が分離しないように保持し、その後、両金属板３０間を
引き離すような力を印加することにより、金属ピン２３
を金属板３０からはずして、両金属板３０を容易に分離
できるようにすることができる。なお、この金属ピン２
３を含む４隅部を、金属板３０からなるベース基板の本
体から切断分離するようにして、金属板３０を分離して
も良い。
【００９３】次に、図１２を参照して本発明の第６の実
施形態について説明する。図１２は本実施形態に係るフ
リップチップ型半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。本第６実施形態においては、ベース基板として、Ｃ
ｕ又はステンレス鋼（ＳＵＳ）製の単層の２枚の金属板
３０ａを重ね合わせ、金属板３０ａの縁部に溶接金属加
工技術を使用して部分的溶接加工部２４を設ける。即
ち、重ね合わせた金属板３０ａの縁部をスポット溶接す
るか、又は金属板３０ａの辺縁に沿って縁部を溶接する
ことにより、両金属板３０ａを接合する。その後、前述
の各工程により、多層薄膜配線９を形成し、部分的溶接
加工部２４を含む縁部を、金属板からなるベース基板の
本体から切断分離すれば、両金属板３０ａを相互に分離
することができる。
【００９４】次に、図１３を参照して、本発明の第７の
実施形態について説明する。図１３は本実施形態に係る
フリップチップ型半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。本第７実施形態においては、ベース基板として、
Ｃｕ又はステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる単層の２枚の
金属板３０ｂを重ね、この金属板３０ｂの縁部を断面Ｕ
字形の固定冶具３２の凹部に嵌合することにより拘束
し、金属板３０ｂを相互に重ねた状態に保持するように
している。本第７実施形態においては、２枚の金属板３
０ｂを、固定治具３２を抜くだけで相互に分離すること
ができる。
【００９５】次に、図１４を参照して本発明の第８の実
施形態について説明する。図１４は本実施形態に係るフ
リップチップ型半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。本第８実施形態においては、ベース基板として、Ｃ
ｕ又はステンレス鋼（ＳＵＳ）の単層からなる２枚の金
属板３０ｃの縁部に接着剤２５を被着し、この接着剤２
５により、２枚の金属板３０ｃを相互に接合している。
本第８実施形態においても、多層薄膜配線を形成した
後、接着剤２５を剥離すると、２枚の金属板３０ｃを相
互に分離することができる。
【００９６】次に、本発明の第９の実施形態について説
明する。図１５（ａ）乃至（ｃ）は、本実施形態に係る
フリップチップ型半導体装置の製造方法を工程順に示す
断面図である。先ず、前述の第１の実施形態と同様な工
程、即ち、図１（ａ）乃至（ｄ）、図２（ａ）乃至
（ｃ）、図３（ａ）乃至（ｃ）、図４（ａ）及び（ｂ）
に示す工程により、ベース基板１上に多層薄膜配線９が
形成されたベース基板一体型配線基板１０を作製する。
【００９７】次に、図１５（ａ）に示すように、ベース
基板１に対して全面ケミカルエッチングを施し、ベース
基板１全体を除去する。これにより、図１５（ｂ）に示
すように、フィルム化された多層薄膜配線９が得られ
る。次に、図１５（ｃ）に示すように、このフィルム化
された多層薄膜配線９に絶縁性接着剤２６を塗布する。
そして、この絶縁性接着剤２６を介して、多層薄膜配線
９に金属又は合金からなるステッフナー（金属補強板）
２７を接着する。その後、前述の第１の実施形態と同様
な工程、即ち、図５（ｂ）及び図６（ａ）乃至（ｃ）に
示す工程により、多層薄膜配線９にフリップチップ型半
導体チップ１３及び半田ボール１６を搭載し、フリップ
チップ型半導体装置を作製する。
【００９８】本実施形態に係るフリップチップ型半導体
装置においては、前述の第１の実施形態に係るフリップ
チップ型半導体装置１００（図６（ｃ）参照）と異な
り、ステッフナー２７が、ベース基板１（図４（ｃ）参
照）を選択的に除去して形成されたものではなく、ベー
ス基板１が完全に除去された後、絶縁性接着剤２６を介
して多層薄膜配線９に接着されたものとなっている。本
実施形態に係るフリップチップ型半導体装置の上記以外
の構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００９９】本実施形態においては、フィルム状の多層
薄膜配線９を得ることが可能となるため、このフィルム
状の多層薄膜配線９を、ＴＡＢテープ（Tape Automated
Bonding Tape）等に代表されるフィルム品を搬送形態
とする製造プロセス設備に適用することが容易となる。
このように、多層薄膜配線９を、多くの既存の基板関連
製造設備に適用することが可能となるため、設備投資費
用の削減及び設備仕様の業界標準化を推進し易いという
利点が生じ、最終的には製造コストを削減することがで
きる。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第
１の実施形態と同様である。
【０１００】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高い平坦性を有するベース基板上に多層薄膜配線を形成
するため、平面度を高く維持し続けることができ、多層
薄膜配線形成時の熱的安定性も優れており、製造歩留が
高いと共に、線幅及び線間隙（Line & Space）が夫々１
０μｍ以下の微細配線を形成することができる。従来の
ように、ベース基板の反りが大きい場合は、パターン露
光時の焦点深度のばらつきも発生しやすく、結果的に製
造プロセスの不安定化要因となり、微細パターン形成性
の観点及び製造コストのドラスティックな改善という観
点で、技術的に限界がある。
【０１０１】また、本発明においては、ベース基板の両
面に多層薄膜配線を形成し、半導体チップを搭載した後
に、ベース基板を２分割してベース基板の表裏で２個の
半導体装置を製造することができるので、１回の製造プ
ロセス当たりの生産量は２倍となり、製造効率の大幅な
向上が可能となり、結果的に大幅な製造コストの削減が
可能となる。
【０１０２】更に、本発明における多層配線基板の配線
パターン形成方法においては、従来技術のビルドアップ
基板のように必ずしも金属薄膜配線を１０〜３０μｍ程
度に厚く形成する必要もなく、かつ半導体ウエハのメタ
ライズ製造工法及び製造装置を利用できるため、フォト
レジストの厚さ及び金属薄膜配線部も１μｍ以下の薄い
領域での加工処理を容易に行うことが可能であり、配線
パターンの微細化を容易に推進することができる。更に
また、配線パターンの微細化を推進することにより、有
機系多層配線基板の高密度化及び多層配線基板単体の外
形寸法を縮小させることが可能となるため、コストを大
幅に低減することできる。また、ベース基板に金属板を
適用するため、従来のプリント回路基板で問題となるゴ
ミの発生も極めて少ないため、製造歩留の向上に非常に
有利である。
【０１０３】更にまた、ベース基板としてウエハ形状の
ものを使用すれば、ウエハーレベルの加工処理にて各パ
ッケージを製造することが可能となるため、個片状態か
ら各パッケージを製造するパッケージング方法に比べて
大幅に工程を削減することができ、コストの大幅な削減
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１の実施形態に
係るフリップチップ型半導体装置の製造方法を工程順に
示す断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は図１の次の工程を示す断面
図である。
【図３】（ａ）乃至（ｃ）は図２の次の工程を示す断面
図である。
【図４】（ａ）乃至（ｃ）は図３の次の工程を示す断面
図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は図４の次の工程を示す断面
図である。
【図６】（ａ）乃至（ｃ）は図５の次の工程を示す断面
図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るフリップフロッ
プ型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第３の実施形態に
係るフリップチップ型半導体装置の製造方法を工程順に
示す断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は図８の次の工程を示す断面
図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係るフリップチッ
プ型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係るフリップチッ
プ型半導体装置の製造方法を示す図であり、（ａ）は断
面図、（ｂ）は斜視図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係るフリップチッ
プ型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の第７の実施形態に係るフリップチッ
プ型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の第８の実施形態に係るフリップチッ
プ型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第９の実施形
態に係るフリップチップ型半導体装置の製造方法を工程
順に示す断面図である。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は従来のフリップチップ型
半導体装置を示す側面図である。
【図１７】（ａ）乃至（ｃ）は従来のビルドアップ基板
の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１８】（ａ）乃至（ｃ）は図１７の次の工程を示す
断面図である。
【符号の説明】
１；ベース基板 ２；電極パッド部 ３、３ａ、３ｂ；絶縁性樹脂薄膜層 ４；開口部 ５；金属薄膜層 ６、６ａ；金属薄膜配線部 ７；外部電極パッド部 ８；ソルダーレジスト膜 ９；多層薄膜配線 １０；ベース基板一体型配線基板 １１；フォトレジスト層 １２；ステッフナー一体型多層配線基板 １３；フリップチップ型半導体チップ １４；バンプ電極 １５；絶縁性封止樹脂 １６；半田ボール １７；放熱性接着剤 １８；接着剤 １９；ヒートスプレッダー ２０；金属層 ２１；中間金属層 ２２；多孔質層 ２３；金属ピン ２４；部分的溶接加工部 ２５；接着剤 ２６；絶縁性接着剤 ２７；ステッフナー ３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ；金属板 ３２；固定治具 １００；フリップチップ型半導体装置 １０１；フリップチップ型半導体装置 １０２；半導体チップ １０３；バンプ １０４；多層配線実装基板 １１０；コア基板 １１１；Ｃｕ箔層 １１２；貫通スルーホ―ル部 １１３；スルーホール穴埋め用樹脂 １１４；絶縁性樹脂 １１５；絶縁性樹脂開口部 １１６；金属薄膜層 １１７；フォトレジスト １１８；配線パターン部

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも表裏両面に金属又は合金から
    なる本体部を有するベース基板の前記表裏両面に、夫々
    前記ベース基板側の電極パッド部及び外側の外部電極パ
    ッド部を含む多層薄膜配線を形成する工程と、前記ベー
    ス基板をその表面側と裏面側とに２分割して２個のベー
    ス基板一体型配線基板を形成する工程と、前記ベース基
    板の少なくとも一部を除去して前記電極パッド部を露出
    させる工程と、前記電極パッド部にバンプ電極を接続す
    るようにして複数個のフリップチップ型半導体チップを
    前記電極パッド側の前記多層薄膜配線上に搭載する工程
    と、を有することを特徴とするフリップチップ型半導体
    装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記多層薄膜配線の前記外部電極パッド
    部に半田ボールを接合することを特徴とする請求項１に
    記載のフリップチップ型半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記半導体チップ毎に、前記多層薄膜配
    線を分離することを特徴とする請求項１又は２に記載の
    フリップチップ型薄膜半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記電極パッド部を露出させる工程は、
    前記ベース基板の表面上に前記電極パッド部に整合する
    領域を被覆しないようにしてフォトレジストを設け、こ
    のフォトレジストをマスクとして前記ベース基板をエッ
    チング除去し、ベース基板が一部残存してステッフナー
    部となるステッフナー一体型多層薄膜配線基板を形成す
    ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記
    載のフリップチップ型半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記電極パッド部を露出させる工程は、
    前記ベース基板の全体を除去して前記電極パッド部が露
    出したフィルム状の多層薄膜配線を得る工程であり、こ
    の工程の後、前記多層薄膜配線における前記ベース基板
    が除去された側の面における前記電極パッド部に整合す
    る領域を除く領域の少なくとも一部に、ステッフナー部
    を接合する工程を有することを特徴とする請求項１乃至
    ３のいずれか１項に記載のフリップチップ型半導体装置
    の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記ステッフナー部が金属又は合金によ
    り形成されていることを特徴とする請求項５に記載のフ
    リップチップ型半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記半導体チップを搭載後、前記半導体
    チップと前記ステッフナー部との間及び前記半導体チッ
    プと前記多層薄膜配線との間に樹脂を充填することを特
    徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載のフリッ
    プチップ型半導体装置の製造方法の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記半導体チップには、半導体チップ冷
    却用のヒートスプレッダーが接合されていることを特徴
    とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のフリップ
    チップ型半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記多層薄膜配線の前記電極パッド部
    は、前記ベース基板を給電層として電解めっきすること
    により形成しためっき層であることを特徴とする請求項
    １乃至８のいずれか１項に記載のフリップチップ型半導
    体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記ベース基板は、銅若しくは銅合金
    又はステンレス鋼製であることを特徴とする請求項１乃
    至９のいずれか１項に記載のフリップチップ型半導体装
    置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ベース基板をその表面に実質的に
    平行に切断することにより、２個のベース基板一体型配
    線基板に分離することを特徴とする請求項１乃至１０の
    いずれか１項に記載のフリップチップ型半導体装置の製
    造方法。
  12. 【請求項１２】 前記ベース基板は、表裏両面の金属又
    は合金からなる本体部の間に、中間金属層が積層された
    ３層構造を有し、前記ベース基板を分離する工程におい
    て、前記中間金属層を、前記本体部よりも選択的にエッ
    チングすることにより、前記ベース基板を２個に分離す
    ることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に
    記載のフリップチップ型半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記中間金属層に多孔質膜が積層され
    ていることを特徴とする請求項１２に記載のフリップチ
    ップ型半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記ベース基板は、表裏両面の金属又
    は合金からなる本体部の間に、多孔質膜を２枚の中間金
    属層が挟む３層膜を設けた５層構造を有することを特徴
    とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のフリッ
    プチップ型半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記ベース基板は、金属又は合金から
    なる２枚の単層金属板を重ね、各単層金属板を金属又は
    合金のピンを打ち抜くことにより相互に固定したもので
    あることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項
    に記載のフリップチップ型半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記ベース基板は、金属又は合金から
    なる２枚の単層金属板を重ね、各単層金属板を局部的に
    溶接することにより相互に固定したものであることを特
    徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のフリ
    ップチップ型半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記ベース基板は、金属又は合金から
    なる２枚の単層金属板を重ね、各単層金属板の縁部を機
    械的に拘束することにより相互に固定したものであるこ
    とを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載
    のフリップチップ型半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記ベース基板は、金属又は合金から
    なる２枚の単層金属板を重ね、各単層金属板を接着剤に
    より局部的に接合することにより相互に固定したもので
    あることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項
    に記載のフリップチップ型半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 一面側に形成された電極パッド部及び
    他面側に形成された外部電極パッド部を含む多層薄膜配
    線と、前記多層薄膜配線の前記電極パッド部にバンプ電
    極が接続するようにして前記多層薄膜配線に搭載された
    フリップチップ型半導体チップと、を有し、前記多層薄
    膜配線は、少なくとも表裏両面に金属又は合金からなる
    本体部を有するベース基板の前記表裏両面に、夫々前記
    ベース基板側の電極パッド部及び外側の外部電極パッド
    部を含む前記多層薄膜配線を形成した後、前記ベース基
    板をその表面側と裏面側とに２分割し、更に前記ベース
    基板の少なくとも一部を除去して前記電極パッド部を露
    出させたものであることを特徴とするフリップチップ型
    半導体装置。
  20. 【請求項２０】 前記多層薄膜配線は、前記半導体チッ
    プを搭載後、各半導体チップ毎に分離されたものである
    ことを特徴とする請求項１９に記載のフリップ型半導体
    装置。
  21. 【請求項２１】 前記多層薄膜配線における前記半導体
    チップが搭載されていない領域に前記ベース基板が残存
    してステッフナー部が形成されており、前記半導体チッ
    プと前記ステッフナー部との間及び前記半導体チップと
    前記多層薄膜配線との間に、絶縁性封止樹脂が設けられ
    ていることを特徴とする請求項１９又は２０に記載のフ
    リップチップ型半導体装置。
  22. 【請求項２２】 前記多層薄膜配線の前記外部電極パッ
    ドには半田ボールが接合されていることを特徴とする請
    求項１９乃至２１のいずれか１項に記載のフリップチッ
    プ型半導体装置。
  23. 【請求項２３】 前記半導体チップには、これを冷却す
    るヒートスプレッダ―が接合されていることを特徴とす
    る請求項１９乃至２２のいずれか１項に記載のフリップ
    チップ型半導体装置。
  24. 【請求項２４】 前記ヒートスプレッダーは、Ｃｕ、Ａ
    ｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｒからなる金属性材料
    並びにアルミナ、ＡｌＮ、ＳｉＣ及びムライトからなる
    セラミック材料からなる群から選択された１種の材料に
    より形成されていることを特徴とする請求項２３に記載
    のフリップチップ型半導体装置。
  25. 【請求項２５】 前記ヒートスプレッダーは、エポキシ
    系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオ
    レフィン系樹脂、シアネートエステル系樹脂、フェノー
    ル系樹脂及びナフタレン系樹脂からなる群から選択され
    たいずれかの樹脂を主成分とし、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａ
    ｌ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、ダイヤモンド、アルミナ、Ａｌ
    Ｎ、ムライト、ＢＮ及びＳｉＣからなる群から選択され
    たいずれかのセラミックを含む熱伝導性接着剤により前
    記半導体チップに接合されていることを特徴とする請求
    項２４に記載のフリップチップ型半導体装置。
  26. 【請求項２６】 前記多層薄膜配線は、絶縁性樹脂薄膜
    の形成及びパターニングと、導電性薄膜の形成及びパタ
    ーニングにより、形成された多層構造の配線層であるこ
    とを特徴とする請求項１９乃至２５のいずれか１項に記
    載のフリップチップ型半導体装置。
  27. 【請求項２７】 前記絶縁性樹脂薄膜は、エポキシ系樹
    脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフ
    ィン系樹脂、シアネートエステル系樹脂、フェノール系
    樹脂及びナフタレン系樹脂からなる群から選択されたい
    ずれかの樹脂を主成分とするものであることを特徴とす
    る請求項２６に記載のフリップチップ型半導体装置。
  28. 【請求項２８】 前記多層薄膜配線は、前記電極パッド
    部と、この電極パッド部を覆うように形成され前記電極
    パッド部に整合する領域の一部に開口部が形成された絶
    縁性樹脂薄膜と、この絶縁性樹脂薄膜上に形成され前記
    開口部を介して前記電極パッド部に接続された前記外部
    電極パッド部と、この外部電極パッド部の端部を覆うソ
    ルダーレジスト膜と、を有するメタル２層構造であるこ
    とを特徴とする請求項１９乃至２７のいずれか１項に記
    載のフリップチップ型半導体装置。
  29. 【請求項２９】 前記多層薄膜配線の合計の膜厚が５２
    乃至２６６μｍであることを特徴とする請求項２８に記
    載のフリップチップ型半導体装置。
  30. 【請求項３０】 前記多層薄膜配線は、前記電極パッド
    部と、この電極パッド部を覆うように形成されこの電極
    パッド部に整合する領域の一部に第１の開口部が形成さ
    れた第１の絶縁性樹脂薄膜と、この第１の絶縁性樹脂薄
    膜上に形成され前記第１の開口部を介して前記電極パッ
    ド部に接続された配線部と、この配線部を覆うように形
    成されこの配線部に整合する領域の一部に第２の開口部
    が形成された第２の絶縁性樹脂薄膜と、この第２の絶縁
    性樹脂薄膜上に形成され前記第２の開口部を介して前記
    配線部に接続された前記外部電極パッド部と、この外部
    電極パッド部の端部を覆うソルダーレジスト膜と、を有
    するメタル３層構造であることを特徴とする請求項１９
    乃至２７のいずれか１項に記載のフリップチップ型半導
    体装置。
  31. 【請求項３１】 前記多層薄膜配線の合計の膜厚が７７
    乃至３９６μｍであることを特徴とする請求項３０に記
    載のフリップチップ型半導体装置。
  32. 【請求項３２】 前記多層薄膜配線は、前記電極パッド
    部と、この電極パッド部を覆うように形成されこの電極
    パッド部に整合する領域の一部に第１の開口部が形成さ
    れた第１の絶縁性樹脂薄膜と、この第１の絶縁性樹脂薄
    膜上に形成され前記第１の開口部を介して前記電極パッ
    ド部に接続された第１の配線部と、この第１の配線部を
    覆うように形成されこの第１の配線部に整合する領域の
    一部に第２の開口部が形成された第２の絶縁性樹脂薄膜
    と、この第２の絶縁性樹脂薄膜上に形成され前記第２の
    開口部を介して前記第１の配線部に接続された第２の配
    線部と、この第２の配線部を覆うように形成されこの第
    ２の配線部に整合する領域の一部に第３の開口部が形成
    された第３の絶縁性樹脂薄膜と、この第３の絶縁性樹脂
    薄膜上に形成され前記第３の開口部を介して前記第２の
    配線部に接続された前記外部電極パッド部と、この外部
    電極パッド部の端部を覆うソルダーレジスト膜と、を有
    するメタル４層構造であることを特徴とする請求項１９
    乃至２７のいずれか１項に記載のフリップチップ型半導
    体装置。
  33. 【請求項３３】 前記多層薄膜配線の合計の膜厚が１０
    ２乃至５２６μｍであることを特徴とする請求項３２に
    記載のフリップチップ型半導体装置。
  34. 【請求項３４】 前記多層薄膜配線は、前記電極パッド
    部と、この電極パッド部を覆うように形成されこの電極
    パッド部に整合する領域の一部に第１の開口部が形成さ
    れた第１の絶縁性樹脂薄膜と、この第１の絶縁性樹脂薄
    膜上に形成され前記第１の開口部を介して前記電極パッ
    ド部に接続された第１の配線部と、この第１の配線部を
    覆うように形成されこの第１の配線部に整合する領域の
    一部に第２の開口部が形成された第２の絶縁性樹脂薄膜
    と、この第２の絶縁性樹脂薄膜上に形成され前記第２の
    開口部を介して前記第１の配線部に接続された第２の配
    線部と、この第２の配線部を覆うように形成されこの第
    ２の配線部に整合する領域の一部に第３の開口部が形成
    された第３の絶縁性樹脂薄膜と、この第３の絶縁性樹脂
    薄膜上に形成され前記第３の開口部を介して前記第２の
    配線部に接続された第３の配線部と、この第３の配線部
    を覆うように形成されこの第３の配線部に整合する領域
    の一部に第４の開口部が形成された第４の絶縁性樹脂薄
    膜と、この第４の絶縁性樹脂薄膜上に形成され前記第４
    の開口部を介して前記第３の配線部に接続された前記外
    部電極パッド部と、この外部電極パッド部の端部を覆う
    ソルダーレジスト膜と、を有するメタル５層構造である
    ことを特徴とする請求項１９乃至２７のいずれか１項に
    記載のフリップチップ型半導体装置。
  35. 【請求項３５】 前記多層薄膜配線の合計の膜厚が１２
    ７乃至６５６μｍであることを特徴とする請求項３４に
    記載のフリップチップ型半導体装置。
  36. 【請求項３６】 前記多層薄膜配線は、前記電極パッド
    部と、この電極パッド部を覆うように形成されこの電極
    パッド部に整合する領域の一部に第１の開口部が形成さ
    れた第１の絶縁性樹脂薄膜と、この第１の絶縁性樹脂薄
    膜上に形成され前記第１の開口部を介して前記電極パッ
    ド部に接続された第１の配線部と、この第１の配線部を
    覆うように形成されこの第１の配線部に整合する領域の
    一部に第２の開口部が形成された第２の絶縁性樹脂薄膜
    と、この第２の絶縁性樹脂薄膜上に形成され前記第２の
    開口部を介して前記第１の配線部に接続された第２の配
    線部と、この第２の配線部を覆うように形成されこの第
    ２の配線部に整合する領域の一部に第３の開口部が形成
    された第３の絶縁性樹脂薄膜と、この第３の絶縁性樹脂
    薄膜上に形成され前記第３の開口部を介して前記第２の
    配線部に接続された第３の配線部と、この第３の配線部
    を覆うように形成されこの第３の配線部に整合する領域
    の一部に第４の開口部が形成された第４の絶縁性樹脂薄
    膜と、この第４の絶縁性樹脂薄膜上に形成され前記第４
    の開口部を介して前記第３の配線部に接続された第４の
    配線部と、この第４の配線部を覆うように形成されこの
    第４の配線部に整合する領域の一部に第５の開口部が形
    成された第５の絶縁性樹脂薄膜と、この第５の絶縁性樹
    脂薄膜上に形成され前記第５の開口部を介して前記第４
    の配線部に接続された前記外部電極パッド部と、この外
    部電極パッド部の端部を覆うソルダーレジスト膜と、を
    有するメタル６層構造であることを特徴とする請求項１
    ９乃至２７のいずれか１項に記載のフリップチップ型半
    導体装置。
  37. 【請求項３７】 前記多層薄膜配線の合計の膜厚が１５
    ２乃至７８６μｍであることを特徴とする請求項３６に
    記載のフリップチップ型半導体装置。
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