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JP2003288981A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

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JP2003288981A
JP2003288981A JP2002092323A JP2002092323A JP2003288981A JP 2003288981 A JP2003288981 A JP 2003288981A JP 2002092323 A JP2002092323 A JP 2002092323A JP 2002092323 A JP2002092323 A JP 2002092323A JP 2003288981 A JP2003288981 A JP 2003288981A
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JP
Japan
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light emitting
layer
derivative
emitting device
cathode
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JP2002092323A
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Inventor
Masayuki Mishima
雅之 三島
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Priority to US10/400,584 priority patent/US20030184221A1/en
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
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    • H10K50/846Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/80Constructional details
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    • H10K50/826Multilayers, e.g. opaque multilayers

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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フルカラ−ディスプレイ、バックライト、照
明光源等の面光源やプリンタ−等の光源アレイなどに有
効に利用でき、耐久性に優れ、発光効率及び発光輝度が
高い発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に陰極と、少なくとも発光層を含
む一層以上の有機化合物層と、透明陽極とを順次積層し
ている発光素子であって、基板と陰極との間に還元性化
合物を含有する水分酸素吸収層を有する発光素子であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフルカラーディスプ
レイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンター
等の光源アレイ等に有効に利用できる発光素子に関する
ものであり、詳しくは、発光輝度及び耐久性に優れた発
光素子、特に有機発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用した有機発光素子は、固
体発光型の安価な大面積フルカラ−表示素子や書き込み
光源アレイとしての用途が有望視され、多くの開発が行
われている。一般に有機発光素子は、発光層及び該層を
挟んだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両
電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入さ
れ、陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光
層において再結合し、エネルギ−準位が伝導体から価電
子帯に戻る際にエネルギ−を光として放出する現象であ
る。
【0003】従来の有機発光素子においては、駆動電圧
が高く、発光輝度や発光効率も低いという問題があった
が、近年これを解決する技術が種々報告されている。そ
の一例として、有機化合物の蒸着により有機薄膜を形成
する有機発光素子が提案されている。(アプライド フ
ィジクスレタ−ズ、51巻、913頁、1987年)。
この有機発光素子の場合、電子輸送材からなる電子輸送
層と、正孔輸送材からなる正孔輸送層との積層二層型の
構造を有し、単層型の構造を有する従来の有機発光素子
に比べて発光特性が大幅に向上している。この有機発光
素子においては、前記正孔輸送材として低分子アミン化
合物を用い、前記電子輸送材、兼発光材料として8−キ
ノリノ−ルのAl錯体(Alq)を用いており、発光は
緑色である。
【0004】その後、このような蒸着により有機薄膜を
形成した有機発光素子が、数多く報告されている(マク
ロモレキュラリ− シンポジウム、125巻、1頁、1
997年記載の参考文献参照)。しかしながら、このよ
うな有機発光素子の場合、無機LED素子や、蛍光管に
比べ非常に発光効率が低いという大きな問題がある。現
在提案されている有機発光素子の殆どは、有機発光材料
の一重項励起子から得られる蛍光発光を利用したもので
ある。単純な量子化学のメカニズムにおいては、励起子
状態において、蛍光発光が得られる一重項励起子と、燐
光発光が得られる三重項励起子との比は、1対3であ
り、前記蛍光発光を利用している限りは励起子の25%
しか有効活用できず発光効率の低いものとなる。それに
対して三重項励起子から得られる燐光を利用できるよう
になれば、発光効率を向上できることになる。
【0005】そこで、近年、イリジウムのフェニルピリ
ジン錯体を用いた燐光利用の有機発光素子が報告されて
いる(アプライド フィジクスレタ−、75巻、4頁、
1999年、ジャパニ−ズジャ−ナル オブ アプライ
ド フィジクス、38巻、L1502頁、1999
年)。これらによると、従来の蛍光利用の有機発光素子
に対して、2〜3倍の発光効率を示す旨が報告されてい
る。しかし、理論的な発光効率限界よりは低く、更なる
効率向上が求められている。また、これらの有機発光素
子の場合、低分子化合物を蒸着法等の乾式法で製膜して
いるため、低分子化合物の結晶化による劣化が避けられ
ず、また、製造コストが高く、製造効率が悪いという重
大な問題がある。
【0006】一方、製造コストの低減や、バックライ
ト、照明光源等の大面積素子への応用の目的で、高分子
化合物を湿式製膜法により製膜した有機発光素子が報告
されている。該高分子化合物としては、例えば、緑色の
発光を示すポリパラフェニレンビニレン(ネイチャ−、
347巻、539頁、1990年)、赤橙色の発光を示
すポリ(3−アルキルチオフェン)(ジャパニ−ズ ジ
ャ−ナル オブ アプライド フィジクス、30巻、L
1938頁、1991年)、青色発光素子としてポリア
ルキルフルオレン(ジャパニ−ズ ジャ−ナル オブ
アプライド フィジクス、30巻、L1941頁、19
91年)などが挙げられる。また、特開平2−2231
88号公報においては、低分子化合物をバインダ−樹脂
に分散させ、湿式塗布で製膜する試みも報告されてい
る。しかしながら、いずれの場合も、一重項励起子から
得られる蛍光発光を利用したものであり、発光効率の低
いという根本的な問題がある。
【0007】上記塗布型素子、蒸着型素子、一重項発光
素子、三重項発光素子いずれの素子もその耐久性は満足
するものが得られていない。その大きな一つの要因とし
て水分を挙げることができる。発光素子内に水分が存在
すると、電気分解により水が酸素と水素に分解され、そ
れが耐久性悪化の原因となる。また水が陰極と反応し耐
久性悪化の原因となる。この水分を取り除く方法として
封止素子内に乾燥剤を入れる方法が提案されているが
(特開平9−148066号公報)、この方法では雰囲
気内の水分を取り除くことはできるが、基板や有機化合
物層内の水分は除去できない。また、特開2002−8
852号公報にはアルカリ金属又はアルカリ土類金属を
発光素子の封止空間に設置することを提案している。し
かしこれらの金属は水分や酸素に対して非常に反応性が
高いため封止空間に設置すると不安定であり、安定した
耐久性は得られない。それ故に本分野では素子内の水分
を徹底的に除去する方法が強く望まれている。
【0008】一方、陽極層と陰極層の配置を逆転させ、
基板側に陰極を配置して、基板と反対側である陽極層側
から発光した光を取り出す構成(以下、逆構成とよ
ぶ。)とすることも考えられている。
【0009】逆構成の利点の一つは、開口率(実際に発
光する部分が画素中に占める割合)が高いことが挙げら
れる。通常、透光性の基板上に、α−Si、ポリシリコ
ンなどからなるTFT(thin film tran
sister)が、画素一つに対して少なくとも一つ又
は二つ設けられ、さらにTFTを選択してONするため
に走査電極線及び信号電極線が前期基板上に多数設けら
れていた。TFT素子と有機発光素子とを絶縁するため
に、TFT上には窒化シリコン又は酸化シリコンなどか
らなる絶縁膜が設けられている。
【0010】しかしながら、TFTの厚さは、ゲート及
びドレイン、ソース電極を含め0.2μm〜1μmとな
り凹凸があるので、これを避けて下部電極を形成する必
要があり、画素中に非発光部分が生ずるのを避けること
ができなかった。透光性基板側より光を取り出す場合に
は、さらに走査電極線及び信号電極線も光を遮るため画
素の開口率が小さかった。前記逆構成の素子はTFTが
設けられた基板と反対側から光を取り出すため、高い開
口率を得ることができる。
【0011】また、基板側から光を取り出す必要がない
ため、非透光性の基板を用いることができる。例えば、
ポリイミドフイルムを用いた屈曲自在のフレキシブル基
板等、基板の選択の幅を広げることが可能となる。さら
に、有機層より先に陰極層を製膜するので、陰極層製膜
時のアッシングによる有基層へのダメージを避けられる
という利点もある。
【0012】逆構成素子においても前記と同様の耐久性
の問題が大きな課題となっている。本発明はこれらの課
題を鑑み、逆構成素子で、さらに耐久性向上を図ったも
のである。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来におけ
る前記諸問題を解決し、前記要望に応え、以下の目的を
達成することを課題とする。即ち、本発明は、フルカラ
−ディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源
や、プリンタ−等の光源アレイなどに有効に利用でき、
耐久性と発光輝度に優れたを発光素子を提供することを
目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、以
下の手段により達成された。 (1)基板上に陰極と、少なくとも発光層を含む一層以
上の有機化合物層と、透明陽極とを順次積層している発
光素子であって、基板と陰極との間に還元性化合物を含
有する水分酸素吸収層を有することを特徴とする発光素
子である。 (2)還元性化合物が還元性金属酸化物であることを特
徴とする前記(1)記載の発光素子である。 (3)還元性金属酸化物がSiO、GeO、SnO、F
eOから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とす
る前記(2)記載の発光素子である。 (4)還元性化合物が、仕事関数が4.0eV以下の、
金属又は合金であることを特徴とする前記(1)記載の
発光素子である。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてさらに詳細
に説明する。本発明の発光素子は、基板上に、陰極と、
少なくとも発光層を含む一層以上の有機化合物層と、透
明陽極とをこの順に設けた発光素子であって、基板と陰
極との間に、還元性化合物を含有する水分酸素吸収層を
有する発光素子である。
【0016】本発明において、水分酸素吸収層とは、発
光素子の内部空間において、水分と常温で反応して水素
ガスを発生し、かつ常温で酸素と反応する材料を含む層
を意味する。
【0017】図1は本発明における発光素子の概略図で
ある。図1において1は基板、2は水分酸素吸収層、3
は陰極、4は有機化合物層、5は透明陽極、6は封止部
材を示す。図1において2,3,4,5からなる発光積
層体は、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気
下で、基板1及び封止部材6により封止され、外部の空
気と遮断される。
【0018】本発明において、水分酸素吸収層2は、基
板と陰極との間に設置される。これにより、基板に含ま
れる水分が陰極に影響することなく、効率よく水分酸素
吸収層に吸収される。また活性なアルカリ金属やアルカ
リ土類金属さえも安定に取り扱うことが可能となる。
【0019】本発明の水分酸素吸収層に用いられる材料
は還元性化合物である。還元性化合物としては例えば、
最高酸化価数よりも小さな金属酸化物、金属窒化物、金
属ハロゲン化物、仕事関数が4.0eVよりも小さな
(より好ましくは3.7eV)、金属もしくは合金、又
はイオン化ポテンシャルが5.0eVよりも小さな有機
化合物が有る。中でも取り扱い性や入手の容易さから、
最高酸化価数よりも小さな還元性金属酸化物、又は仕事
関数が4.0eVよりも小さな、金属もしくは合金が好
ましい。なお本発明における金属酸化物の金属とは、長
周期型周期律表においてIIIA族ないしVIB族の間
で、かつ第4周期から第6周期にある、元素と、Al、
Si、Pの各元素とを合わせた元素を意味する。
【0020】還元性金属酸化物としてはSiO、Ge
O、SnO、FeO、MnO、WOが好ましく、更に好
ましくはSiO、GeO、SnO、FeOである。
【0021】仕事関数が4.0eVよりも小さな、金属
又は合金としては例えばCa、Ce、Cs、Er、E
u、Gd、Hf、K、La、Li、Mg、Nd、Rb、
Sc、Sm、Y、Yb、Zn等の金属や合金を挙げるこ
とができるが、中でも入手のし易さや取り扱いやすさの
点から、Ca、Li、Mgの中から選ばれる少なくとも
一種の金属又は合金であることが最も好ましい。
【0022】水分酸素吸収層の設置方法は特に限定され
ることはないが、中でも蒸着法やスパッタ法に依ること
が好ましく、陰極の設置法と同じ方法で設置することが
好ましい。陰極の設置法と同じ方法で水分酸素吸収層を
設置することにより、水分酸素吸収層を設置した後に連
続して陰極を設置することができ、工程を簡略化するこ
とができる。
【0023】水分酸素吸収層の厚みは特に限定されるこ
とはないが、水分、酸素を吸収する充分な量の水分、酸
素吸収剤が含まれていれば良く、10nm以上1μm以
下であることが好ましく、さらに好ましくは50nm以
上500nm以下である。これよりも薄いと水分吸収能
力が低下し好ましくない。またこれよりも厚いと製膜に
時間がかかり、また基板や陰極との剥離等の問題が生じ
好ましくない。
【0024】以下、本発明の発光素子について詳細に説
明する −基板− 本発明で使用する基板の具体例としては、ジルコニア安
定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポ
リエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンフタレ−ト、
ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステルやポリスチ
レン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリ
アリレ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノル
ボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、
ポリイミド、等の有機材料が挙げられる。有機材料の場
合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び
加工性に優れていることが好ましい。
【0025】基板の形状、構造、大きさ等については、
特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜
選択することができる。一般的には、前記形状として
は、板状である。前記構造としては、単層構造であって
もよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で
形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されてい
てもよい。
【0026】基板は、無色透明であってもよいし、不透
明であってもよい。基板には、その表面又は裏面(前記
透明陽極側)に透湿防止層(ガスバリア層)を設けるこ
とができる。前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料と
しては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用い
られる。該透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高
周波スパッタリング法などにより形成することができ
る。基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト層、
アンダ−コ−ト層などを設けてもよい。
【0027】−陰極− 前記陰極としては、通常、前記有機化合物層に電子を注
入する陰極としての機能を有していればよく、その形
状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素
子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択
することができる。
【0028】前記陰極の材料としては、例えば、金属、
合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物
などが挙げられ、仕事関数が4.5eV以下のものが好
ましい。具体例としてはアルカリ金属(たとえば、L
i、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(たとえば
Mg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウ
ム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグ
ネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希
土類金属、などが挙げられる。これらは、1種単独で使
用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観
点からは、2種以上を好適に併用することができる。
【0029】これらの中でも、電子注入性の点で、アル
カリ金属やアルカリ度類金属が好ましく、保存安定性に
優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好まし
い。前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニ
ウム単独、又はアルミニウムと0.01〜10質量%の
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しく
は混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグ
ネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
【0030】なお、前記陰極の材料については、特開平
2−15595号公報、特開平5−121172号公報
に詳述されている。
【0031】前記陰極の形成法は、特に制限はなく、公
知の方法に従って行うことができるが、本発明において
は真空機器内でおこなう。例えば、真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、
CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などの中か
ら前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従っ
て前記基板上に形成することができる。例えば、前記陰
極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種
又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行
うことができる。
【0032】なお、陰極のパタ−ニングは、フォトリソ
グラフィ−などによる化学的エッチングにより行っても
よいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行
ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ
等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により
行ってもよい。
【0033】また、前記陰極と前記有機化合物層との間
に前記アルカリ金属又は前記アルカリ土類金属のフッ化
物等による誘電体層を0.1〜5nmの厚みで挿入して
もよい。なお、該誘電体層は、例えば、真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンプレ−ティング法等により形成
することができる。
【0034】前記陰極の厚みとしては、前記材料により
適宜選択することができ、一概に規定することはできな
いが、通常10nm〜5μmであり、50nm〜1μm
が好ましい。
【0035】−有機化合物層− 本発明において、前記有機化合物層は、少なくとも発光
層を含む一層以上の有機化合物層からなる。なお以下に
おいて誘導体という用語は、その化合物自身とその誘導
体を意味するものとする。 −−有機化合物層の構成――
【0036】具体的な層構成としては、透明陽極/発光
層/陰極、透明陽極/発光層/電子輸送層/陰極、透明
陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、透明陽
極/正孔輸送層/発光層/陰極、透明陽極/発光層/電
子輸送層/電子注入層/陰極、透明陽極/正孔注入層/
正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極等
が挙げられる。
【0037】−−発光層−− 本発明に用いられる発光層は、少なくとも一種の発光材
からなり、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ホス
ト材を含んでも良い。本発明に用いられる発光材として
は特に限定されることはなく、蛍光発光性化合物又は燐
光発光性化合物であれば用いることができる。例えば蛍
光発光性化合物としては、ベンゾオキサゾ−ル誘導体、
ベンゾイミダゾ−ル誘導体、ベンゾチアゾ−ル誘導体、
スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェ
ニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導
体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン
誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ア
ルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリ
ドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリ
ジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデ
ン化合物、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体や希土類
錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン誘導
体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘
導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げ
られる。これらは一種もしくは二種以上を混合して用い
ることができる。
【0038】燐光発光性化合物としては特に限定される
ことはないが、オルトメタル化金属錯体、又はポルフィ
リン金属錯体が好ましい。
【0039】前記オルトメタル化金属錯体とは、例えば
山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」150頁、
232頁、裳華房社(1982年発行)やH.Yersin著
「Photochemistry and Photophisics of Coodination C
ompounds」71〜77頁、135〜146頁、Springer
-Verlag社(1987年発行)等に記載されている化合
物群の総称である。該オルトメタル化金属錯体を含む前
記有機化合物層は、高輝度で発光効率に優れる点で有利
である。
【0040】前記オルトメタル化金属錯体を形成する配
位子としては、種々のものがあり、上記文献にも記載さ
れているが、その中でも好ましい配位子としては、2−
フェニルピリジン誘導体、7,8−ベンゾキノリン誘導
体、2−(2−チエニル)ピリジン誘導体、2−(1−
ナフチル)ピリジン誘導体、2−フェニルキノリン誘導
体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換
基を有しても良い。前記オルトメタル化金属錯体は、前
記配位子のほかに、他の配位子を有していてもよい。
【0041】本発明で用いるオルトメタル化金属錯体は
Inorg.Chem. 1991年, 30号, 1685頁. ,同 1988年, 27
号, 3464頁. ,同 1994年, 33号, 545頁. Inorg.Chim.Ac
ta 1991年,181号, 245頁. J.Organomet.Chem. 1987
年, 335号, 293頁.J.Am.Chem.Soc. 1985年, 107号,
1431頁. 等、種々の公知の手法で合成することができ
る。前記オルトメタル化錯体の中でも、三重項励起子か
ら発光する化合物が本発明においては発光効率向上の観
点から好適に使用することができる。また、ポルフィリ
ン金属錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。
前記燐光発光性の化合物は1種単独で使用してもよい
し、2種以上を併用してもよい。また、前記蛍光発光性
化合物と燐光発光性化合物を同時に用いても良い。本発
明においては、発光輝度、発光効率の点から、前記燐光
発光性化合物を用いることが好ましい。
【0042】前記正孔輸送材としては、低分子正孔輸送
材、高分子正孔輸送材いずれも用いることができ、陽極
から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極か
ら注入された電子を障壁する機能のいずれかを有してい
るもので有れば限定されることはなく、例えば以下の材
料を挙げることができる。カルバゾ−ル誘導体、トリア
ゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル
誘導体、イミダゾ−ル誘導体、ポリアリ−ルアルカン誘
導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、アリ−ルアミン誘導体、アミノ置換
カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオ
レノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、
シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルア
ミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリ
ン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカ
ルバゾ−ル)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェン
オリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ
−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポ
リフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等
の高分子化合物等が挙げられる。これらは、1種単独で
使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。前記正
孔輸送材の前記発光層における含有量としては0〜9
9.9質量%が好ましく、さらに好ましくは0〜80質
量%である。
【0043】前記電子輸送材としては電子を輸送する機
能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか
を有しているもので有れば制限されることはなく例えば
以下の材料を挙げることができる。トリアゾ−ル誘導
体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、フ
ルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アン
トロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジ
オキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリ
デンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタ
レンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタ
ロシアニン誘導体、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体
やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾ
チアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金
属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、
ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオ
フェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレン
ビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合
物を挙げることができる。前記電子輸送材の前記発光層
における含有量としては0〜99.9質量%が好まし
く、さらに好ましくは0〜80質量%である。
【0044】前記ホスト化合物とは、その励起状態から
前記蛍光発光性化合物又は燐光発光性の化合物へエネル
ギ−移動が起こり、その結果、該蛍光発光性又は燐光発
光性の化合物を発光させる機能を有する化合物のことで
ある。前記ホスト材としては励起子エネルギ−を発光材
にエネルギ−移動できる化合物ならば特に制限はなく、
目的に応じて適宜選択することができ、具体的にはカル
バゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘
導体、オキサジアゾ−ル誘導体、イミダゾ−ル誘導体、
ポリアリ−ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラ
ゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ−ルア
ミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアン
トラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導
体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三ア
ミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデ
ン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメ
タン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導
体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導
体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジ
ン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボ
ン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノ−ル
誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキ
サゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に
代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ(N
−ビニルカルバゾ−ル)誘導体、アニリン系共重合体、
チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分
子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン
誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレ
ン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。
【0045】前記ホスト化合物は、1種単独で使用して
もよいし、2種以上を併用してもよい。前記ホスト化合
物の前記発光層における含有量としては0〜99.9質
量%が好ましく、さらに好ましくは0〜99.0質量%
である。
【0046】前記その他の成分としては、特に本発明に
おいては発光層には必要に応じて、電気的に不活性なポ
リマ−バインダ−を用いることができる。必要に応じて
用いられる電気的に不活性なポリマ−バインダ−として
は、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカ−ボネ−ト、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリブチルメタ
クリレ−ト、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロ−
ス、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラ−ル、ポリビニル
アセタ−ル等を挙げることができる。前記発光層が前記
ポリマ−バインダ−を含有していると、該発光層を湿式
製膜法により容易にかつ大面積に塗布形成することがで
きる点で有利である。
【0047】−−他の有機化合物層−− 本発明においては、必要に応じて他の有機化合物層を設
けてもよい。例えば透明電極と発光層の間に正孔注入層
や正孔輸送層、発光層と陰極との間に電子輸送層や電子
注入層を設けてもよい。
【0048】正孔輸送層、正孔注入層には、前記正孔輸
送材が、電子輸送層、電子注入層には前記電子輸送材が
好適に用いられる。
【0049】−−有機化合物層の形成−− 前記有機化合物層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜
法、ディッピング、スピンコ−ト法、ディップコ−ト
法、キャスト法、ダイコ−ト法、ロ−ルコ−ト法、バ−
コ−ト法、グラビアコ−ト法等の湿式製膜法いずれによ
っても好適に製膜することができる。
【0050】なかでも、前記湿式製膜法による塗布形成
の場合、前記有機化合物層を容易に大面積化することが
でき、高輝度で発光効率に優れた発光素子が低コストで
効率よく得られる点で有利である。なお、これらの製膜
法の種類の選択は、該有機化合物層の材料に応じて適宜
おこなうことができる。前記湿式製膜法により製膜した
場合は、製膜した後、適宜乾燥を行うことができ、該乾
燥の条件としては特に制限はないが、塗布形成した層が
損傷しない範囲の温度等を採用することができる。
【0051】前記有機化合物層を前記湿式製膜法で塗布
形成する場合、該有機化合物層には、バインダ−樹脂を
添加することができる。この場合、該バインダ−樹脂と
してはポリ塩化ビニル、ポリカ−ボネ−ト、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリブチルメタクリレ
−ト、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、
フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロ−ス、酢酸
ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コン樹脂、ポリビニルブチラ−ル、ポリビニルアセタ−
ルなどが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよ
いし、2種以上を併用してもよい。
【0052】前記有機化合物層を湿式製膜法により塗布
形成する場合、該有機化合物層の材料を溶解して塗布液
を調整する際に用いられる溶剤としては、特に制限はな
く、前記正孔輸送材、前記オルトメタル化錯体、前記ホ
スト材、前記ポリマ−バインダ−等の種類に応じて適宜
選択することができ、例えば、クロロホルム、四塩化炭
素、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、クロロ
ベンゼン等のハロゲン系溶剤、アセトン、メチルエチル
ケトン、ジエチルケトン、n−プロピルメチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン形容剤、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶剤、酢酸エチル、酢酸n−
プロピル、酢酸n−ブチル、プロピオン酸メチル、プロ
ピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチル等
のエステル系溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエ−テル系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド、
水等が挙げられる。
【0053】なお、前記塗布液における固形分量溶剤に
対する固形分量としては、特に制限はなく、その粘度も
湿式製膜方法に応じて任意に選択することができる。
【0054】−透明陽極層− 前記透明陽極層としては、通常、有機化合物層に正孔を
供給する陽極としての機能を有していればよく、その形
状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素
子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択
することができる。
【0055】前記透明陽極の材料としては、例えば、金
属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、又はこれら
の混合物を好適に挙げられ、仕事関数が4.0eV以上
の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ
素等をド−プした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、
酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(IT
O)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の半導性金属酸
化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれ
らの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨ
ウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、前記半導性金属
酸化物又は金属化合物の分散物、ポリアニリン、ポリチ
オフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、及びこ
れらとITOとの積層物などが挙げられる。
【0056】前記透明陽極は例えば、本発明においては
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング
法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学
的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜
選択した方法に従って有機化合物層上に形成することが
できる。例えば、前記透明陽極の材料として、ITOを
選択する場合には、該透明陽極の形成は、直流あるいは
高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング
法等に従って行うことができる。
【0057】なお、前記透明陽極層のパタ−ニングは、
フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングによ
り行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチン
グにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着
やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印
刷法により行ってもよい。
【0058】前記透明陽極層の厚みとしては、前記材料
により適宜選択することができ、一概に規定することは
できないが、通常10nm〜50μmであり、50nm
〜20μmが好ましい。前記透明陽極の抵抗値として
は、106Ω/□以下が好ましく、105Ω/□以下がよ
り好ましい。105Ω/□以下の場合、本発明のバスラ
イン電極を設置することにより性能の優れた大面積発光
素子を得ることができる。前記透明陽極は、無色透明で
あっても、有色透明であってもよく、該透明陽極側から
発光を取り出すためには、その透過率としては、60%
以上が好ましく、70%以上がより好ましい。この透過
率は、分光光度計を用いた公知の方法に従って測定する
ことができる。
【0059】−その他の層− 前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じ
て適宜選択することができ、例えば、保護層などが挙げ
られる。前記保護層としては、例えば、特開平7−85
974号公報、同7−192866号公報、同8−22
891号公報、同10−275682号公報、同10−
106746号公報等に記載のものが好適に挙げられ
る。前記保護層の形状、大きさ、厚み等については、適
宜選択することができ、その材料としては、水分や酸素
等の発光素子を劣化させ得るものを該発光素子内に侵入
乃至透過させるのを抑制する機能を有していれば特に制
限はなく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、酸化ゲルマ
ニウム、二酸化ゲルマニウム、等が挙げられる。
【0060】前記保護層の形成方法としては、特に限定
はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応
性スパッタリング法、分子センエピタキシ法、クラスタ
−イオンビ−ム法、イオンプレ−ティング法、プラズマ
重合法、プラズマCVD法、レ−ザ−CVD法、熱CV
D法、コ−ティング法、などが挙げられる。
【0061】更に、本発明においては、発光素子におけ
る各層への水分や酸素の侵入を防止する目的で、封止層
を設けるのも好ましい。前記封止層の材料としては、例
えば、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモ
ノマ−とを含む共重合体、共重合主鎖に環状構造を有す
る含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリメチルメタクリレ−ト、ポリイミド、ポリユリア、
ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロ
エチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロト
リフルオロエチレン及びジクロロジフルオロエチレンか
ら選択される2種以上の共重合体、吸水率1%以上の吸
水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質、In、S
n、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Tl、Ni等の金
属、MgO、SiO、SiO2、Al23、GeO、N
iO、CaO、BaO、Fe23、Y23、TiO2
の金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2
の金属フッ化物、パ−フルオロアルカン、パ−フルオロ
アミン、パ−フルオロエ−テル等の液状フッ素化炭素、
液状フッ素化炭素に水分や酸素を吸着する吸着剤を分散
させたもの、などが挙げられる。
【0062】さらに本発明においては、封止容器と発光
素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を設けるこ
とができる。水分吸収剤としては、特に限定されること
はないが例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カ
リウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシ
ウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、
塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニ
オブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラ−
シ−ブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げること
ができる。不活性液体としては、特に限定されることは
ないが例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パ−
フルオロアルカンやパ−フルオロアミン、パ−フルオロ
エ−テル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコ−ンオ
イル類が挙げられる。
【0063】本発明の発光素子は、前記陽極と前記陰極
との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)
電圧(通常2ボルト〜40ボルト)、又は直流電流を印
加することにより、発光を得ることができる。本発明の
発光素子の駆動については、特開平2−148687
号、同6−301355号、同5−29080号、同7
−134558号、同8−234685号、同8−24
1047号、米国特許5828429号、同60233
08号、日本特許第2784615号、等に記載の方法
を利用することができる。
【0064】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【0065】実施例1 基板として厚みが0.2mmのポリエステルフィルム
(帝人テトロンフィルムO、帝人(株)製) を2.5
cm角に切断し、これに蒸着法によりSiOを50nm
製膜した(水分酸素吸着層)。この上に250nmの膜
厚でAlを製膜した(陰極)。さらに蒸着法によりLi
Fを3nm製膜した(電子注入層)。その上に、電子輸
送材として2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼン
トリイル)トリス[3−(2−メチルフェニル)−3H
−イミダゾ[4,5−b]ピリジン]を1nm/秒の速度
で蒸着して0.024μmの電子輸送層を設けた。この
上に燐光発光材であるオルトメタル錯体としトリス(2
−フェニルピリジル)イリジウム錯体及びホスト材とし
て、4,4’−N,N’−ジカルバゾ−ルビフェニルを
それぞれ0.1nm/秒、1nm/秒の速度で共蒸着し
て、0.024μmの発光層を得た。さらにこの上に正
孔輸送層として、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジ
フェニルベンジジジンを真空蒸着法にて1nm/秒の速
度で0.04μm設けた。
【0066】その後、In23含有率が95質量%であ
るITOタ−ゲットを用いて、DCマグネトロンスパッ
タ(条件:基板温度100℃、酸素圧1×10-3Pa)
により、透明電極層としてのITO薄膜(厚み0.2μ
m)を形成した。陽極、陰極よりそれぞれアルミニウム
のリード線を出して発光素子を作成した。該素子を窒素
ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の
封止容器で紫外線硬化型接着剤(長瀬チバ製、XNR5
493T)を用いて封止して本発明における発光素子を
作製した。
【0067】該発光素子を用いて、以下の方法で評価し
た。東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット2400型
を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し発光させ
た。その時(初期)の最高輝度をLmax、Lmaxが得られ
た時の電圧をVmaxとした。さらに200cd/m2時の
発光効率を(η200)表1に初期として示した。また、
この発光素子を85℃、95%RHの条件で、30日放
置し、30日保存後の発光性能を測定して、耐久性を試
験した。該条件で30日保存した後のL max、Vmax、η
200を表1に30日後として示した。
【0068】実施例2 実施例1において、水分酸素吸着層に用いる材料として
SiOの代わりにGeOを用いる以外は、実施例1と同
じ方法で発光素子を作製し評価した。その結果を表1に
示した。
【0069】実施例3 実施例1において、水分酸素吸着層に用いる材料として
SiOの代わりにSnOを用いる以外は実施例1と同じ
方法で発光素子を作製し、評価した。その結果を表1に
示した。
【0070】実施例4 実施例1において、水分酸素吸着層に用いる材料として
SiOの代わりにFeOを用いる以外は実施例1と同じ
方法で発光素子を作製し、評価した。その結果を表1に
示した。
【0071】実施例5 実施例1において、水分酸素吸着層に用いる材料として
SiOの代わりにCa(仕事関数3.0eV)を用いる
以外は実施例1と同じ方法で発光素子を作製し、評価し
た。その結果を表1に示した。
【0072】実施例6 実施例1において、水分酸素吸着層に用いる材料として
SiOの代わりにLi(仕事関数2.9eV)を用いる
以外は実施例1と同じ方法で発光素子を作製し、評価し
た。その結果を表1に示した。
【0073】比較例1 実施例1において、水分酸素吸着層を設置しない以外は
実施例1と同じ方法で発光素子を作製し、評価した。そ
の結果を表1に示した。実施例と比較して暗点部が多
く、外部量子効率も低く、耐久性も悪いものであった。
【0074】
【表1】
【0075】
【発明の効果】本発明によると、従来における前記諸問
題を解決することができ、ディスプレイ、バックライ
ト、照明光源等の面光源に有効に利用でき、耐久性が優
れ、高輝度で発光効率が極めて高い発光素子を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光素子の断面図の一例
【符号の説明】
1 基板 2 水分酸素吸収層 3 陰極 4 有機化合物層 5 陽極 6 封止部材 7 発光積層体

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に陰極と、少なくとも発光層を含む
    一層以上の有機化合物層と、透明陽極とを順次積層して
    いる発光素子であって、基板と陰極との間に還元性化合
    物を含有する水分酸素吸収層を有することを特徴とする
    発光素子。
  2. 【請求項2】還元性化合物が還元性金属酸化物であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  3. 【請求項3】還元性金属酸化物がSiO、GeO、Sn
    O、FeOから選ばれる少なくとも一種であることを特
    徴とする請求項2に記載の発光素子。
  4. 【請求項4】還元性化合物が、仕事関数が4.0eV以
    下の、金属又は合金であることを特徴とする請求項1に
    記載の発光素子。
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