[go: up one dir, main page]

JP2003157026A - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

表示装置及びその駆動方法

Info

Publication number
JP2003157026A
JP2003157026A JP2002196253A JP2002196253A JP2003157026A JP 2003157026 A JP2003157026 A JP 2003157026A JP 2002196253 A JP2002196253 A JP 2002196253A JP 2002196253 A JP2002196253 A JP 2002196253A JP 2003157026 A JP2003157026 A JP 2003157026A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display
light emitting
light
emitting element
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002196253A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4043864B2 (ja
Inventor
Akihito Jinda
章仁 陣田
Akiyoshi Fujii
暁義 藤井
Yozo Narutaki
陽三 鳴瀧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2002196253A priority Critical patent/JP4043864B2/ja
Priority to KR1020020053463A priority patent/KR100630475B1/ko
Priority to US10/234,200 priority patent/US7248235B2/en
Priority to TW091120311A priority patent/TW588185B/zh
Priority to CNB021320381A priority patent/CN1293412C/zh
Priority to CN2006101464600A priority patent/CN1967328B/zh
Publication of JP2003157026A publication Critical patent/JP2003157026A/ja
Priority to KR1020040059056A priority patent/KR20040074658A/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP4043864B2 publication Critical patent/JP4043864B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光変調素子及び発光素子を1画素内に形成し
たときに、回路構成が複雑になるのを防止し、製造時の
歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置を提供する。 【解決手段】 表示画素10内に、液晶表示素子20が
外光を反射させて表示を行なう反射領域と、有機EL発
光素子40が直接変調し表示を行なう透過領域12とが
併設されている。互いに対向してなる一対の絶縁性基板
を備え、液晶表示素子20及び有機EL発光素子40は
いずれも一対の絶縁性基板間に設けられている。マトリ
クス状に配された表示画素10…を液晶表示素子20及
び有機EL発光素子40にて駆動するためのソースバス
ライン2a…及びゲートバスライン3…が互いに共用さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等の
非発光表示装置、有機EL発光素子等を用いた発光表示
装置等の表示装置に関するものである。詳細には、表示
領域内に、非発光表示領域と発光表示領域とが併設され
ている表示装置の駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電話をはじめとして、携帯情
報端末(PDA:Personal Data Assistant) 等が広く普
及している。これに伴い、これらの端末に搭載される情
報表示用のディスプレイの開発が近年、非常に盛んにな
っている。
【0003】上記ディスプレイは、非発光表示装置と発
光表示装置とに大別される。前者は、光変調素子により
太陽光、室内光、バックライト又はフロントライト等の
外部光源からの光を変調して表示を行なうものであり、
この代表として液晶表示素子が知られている。一方、後
者は、外部光源を必要とせず、発光素子が自ら発光する
ことにより表示を行なうものであり、この代表としてE
L(Electro Luminescence)が非常に注目されている。以
下、これらの表示装置について、さらに詳細に説明を行
なう。
【0004】先ず、外部光源を利用する非発光表示装置
である透過型液晶表示装置では、バックライトを光源と
しているので、消費電力の増加及び形状の拡大となり携
帯用には課題を残していた。そこで、上記課題の一つで
ある消費電力を抑えるために、液晶層の下部電極をアル
ミニウム等の光を反射する金属にて形成することにより
光源として太陽光や室内灯等の外光を利用する反射型液
晶表示装置が開発されている。しかし、この反射型液晶
表示装置は、外光を利用するため暗い場所での使用には
難があった。
【0005】こうした問題を解決するため、液晶層の下
部電極をハーフミラーにて形成し、明るい環境下ではバ
ックライトを使わないで反射型表示を行ない、暗い場所
ではバックライトを点灯して透過型表示を行なう半透過
型表示装置が開発された。しかしながら、上記半透過型
表示装置では、光を反射する部分と光を透過する部分と
の相反する特性を用いるため、光利用効率が低く消費電
力低減のための決定的な改善には至っていない。
【0006】こうした問題を解決するため、本発明者ら
は、明るい環境下ではバックライトを使用しない反射型
として用いることができる一方、暗い場所ではバックラ
イトを点灯して透過型として用いることのできる液晶表
示装置を考案した(特開平11−101992号公報
〔公開日:平成11(1999)年4月13日〕参
照)。この液晶表示装置は、膜厚を薄くして半透過性を
持たせた反射板を用いる従来の液晶表示装置とは異な
り、液晶表示装置における各表示画素を反射領域と透過
領域との2つの領域に分割している。すなわち、上記液
晶表示装置では、各表示画素の一つの領域として反射電
極を形成して反射領域とする一方、各表示画素の他の領
域には透過電極を形成して透過領域としている。また、
反射領域の液晶層の厚みと透過領域の液晶層の厚みとを
異ならせている。これにより、反射領域及び透過領域の
各々の領域にて最適な明るさを実現することが可能とな
っている。
【0007】しかしながら、上記の画素分割型の液晶表
示装置では、各画素の全領域に対してバックライト光を
後方から照射する一方、このバックライト光が利用され
るのは各画素の透過領域のみである。したがって、バッ
クライト光の利用効率が低いという課題を有していた。
特に、反射電極の領域比率が高い場合には必然的に透過
領域が狭くなるので、バックライト光の利用効率が低く
なる。
【0008】そこで、上記画素分割型の液晶表示装置に
対してそのバックライト光の利用効率を高めるものとし
て、例えば、特開2001−66593号公報〔公開
日:平成13(2001)年3月16日〕に開示された
画素分割型の液晶表示装置がある。この液晶表示装置1
00では、図10に示すように、先ず、液晶パネル10
1における各画素102…に配された反射電極103の
一部に透過開口部104…を設けることにより、画素分
割型の液晶表示装置としている。また、この液晶表示装
置100では、バックライトとして有機EL素子110
からなる発光素子を用いる一方、この有機EL素子11
0の発光部111…を、各画素102…の全領域に配置
するのではなく、透過開口部104…に対応する領域に
のみ配置している。これにより、パターン化した有機E
L素子をバックライトとして組み合わせるので、光の利
用効率を向上させ、消費電力の低減を図ることができる
ものとなっている。
【0009】一方、発光表示装置の代表である上記有機
EL発光素子を使った表示装置は、薄型、軽量の特徴を
持ち、発光素子であるため液晶表示装置のようにバック
ライトが不要で暗い環境でも使用が可能となり、しか
も、出射した光の略全てを表示に用いるため光利用効率
も高い。しかしながら、この有機EL発光素子を用いた
表示装置は、常に発光する必要があり、特に明るい環境
下で表示品位を上げるには発光量を増す必要があるた
め、低消費電力化には難があった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、液晶
表示装置と有機EL表示装置ではそれぞれ薄型、軽量と
いった特徴を持つとともに、明るい場所では反射型液晶
表示装置が消費電力には有効である一方、暗い場所では
光利用効率及び形状から有機EL表示装置が有効であ
る。したがって、1枚の基板上に液晶表示素子と有機E
L表示素子とを形成することによって、それぞれの欠点
を補い、様々な環境下で最適な表示を行なうことが考え
られる。
【0011】しかしながら、上記の表示装置において、
1枚の基板上に液晶表示素子と有機EL表示素子とを単
純に形成すると、基板内の配線や駆動回路が複雑にな
り、製造時の歩留まりやコスト等が問題となる。
【0012】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、2つの表示素子を表示領
域内に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止
し、製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置
及びその駆動方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、上
記課題を解決するために、表示領域内に、第1の電気光
学素子により外光を反射させて表示を行なう第1表示領
域と、第2の電気光学素子により表示を行なう第2表示
領域とが併設されている一方、互いに対向してなる第1
基板と第2基板とを備え、上記第1の電気光学素子及び
第2の電気光学素子はいずれも上記第1基板と第2基板
との間に設けられているとともに、マトリクス状に配さ
れた上記各表示領域を、上記第1の電気光学素子及び第
2の電気光学素子にて駆動するための各データ信号線及
び各走査信号線が互いに共用されていることを特徴とし
ている。
【0014】上記の発明によれば、第1の電気光学素子
及び第2の電気光学素子はいずれも上記第1基板と第2
基板との間に設けられているので、表示装置の厚さを薄
くすることができる。
【0015】ところで、各表示領域毎に、第1の電気光
学素子と第2の電気光学素子とを併設した場合に、一般
的には、その駆動回路として第1の電気光学素子用駆動
回路と第2の電気光学素子用駆動回路との両方が必要で
あり、回路構成が複雑となることが予想される。
【0016】しかし、本発明では、マトリクス状に配さ
れた上記各表示領域を、上記第1の電気光学素子及び第
2の電気光学素子にて駆動するための各データ信号線及
び各走査信号線が互いに共用されている。したがって、
第1の電気光学素子を駆動するためのデータ信号線及び
走査信号線にて第1の電気光学素子を駆動することがで
きる。このことは、データドライバ及びゲートドライバ
等の各ドライバを共通化したことにもなる。この結果、
データ信号線及び走査信号線を増加することなく、第1
の電気光学素子及び第2の電気光学素子の各表示を行な
うことができる。
【0017】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置を提
供することができる。
【0018】本発明の表示装置は、上記課題を解決する
ために、表示領域内に、光変調素子が外光を反射させて
表示を行なう非発光表示素子からなる第1表示領域と、
発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子からな
る第2表示領域とが併設されている一方、互いに対向し
てなる第1基板と第2基板とを備え、上記光変調素子及
び発光素子はいずれも上記第1基板と第2基板との間に
設けられているとともに、マトリクス状に配された上記
各表示領域を上記光変調素子及び発光素子にて駆動する
ための各データ信号線及び各走査信号線が互いに共用さ
れていることを特徴としている。
【0019】上記の発明によれば、光変調素子及び発光
素子はいずれも上記第1基板と第2基板との間に設けら
れているので、表示装置の厚さを薄くすることができ
る。
【0020】また、発光素子は前方に向けて自ら発光し
て直接的に表示するので、従来のように、発光素子をバ
ックライトやフロントライトとして使用するものではな
い。したがって、光の利用効率を高めることができる。
【0021】ところで、各表示領域毎に、光変調素子と
発光素子とを併設した場合に、一般的には、その駆動回
路として光変調素子用駆動回路と発光素子用駆動回路と
の両方が必要であり、回路構成が複雑となることが予想
される。
【0022】しかし、本発明では、マトリクス状に配さ
れた上記各表示領域を、上記光変調素子及び発光素子に
て駆動するための各データ信号線及び各走査信号線が互
いに共用されている。したがって、光変調素子を駆動す
るためのデータ信号線及び走査信号線にて発光素子を駆
動することができる。このことは、データドライバ及び
ゲートドライバ等の各ドライバを共通化したことにもな
る。この結果、データ信号線及び走査信号線を増加する
ことなく、光変調素子及び発光素子の各表示を行なうこ
とができる。
【0023】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置を提
供することができる。
【0024】本発明の表示装置は、上記課題を解決する
ために、表示領域内に、光変調素子が外光を反射させて
表示を行なう非発光表示素子からなる第1表示領域と、
発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子からな
る第2表示領域とが併設されている一方、互いに対向し
てなる第1基板と第2基板とを備え、上記光変調素子及
び発光素子はいずれも上記第1基板と第2基板との間に
設けられているとともに、マトリクス状に配された上記
各表示領域を上記光変調素子にて駆動するための各デー
タ信号線及び各走査信号線に駆動信号を印加することに
より、発光素子が駆動可能となっていることを特徴とし
ている。
【0025】上記の発明によれば、光変調素子及び発光
素子はいずれも上記第1基板と第2基板との間に設けら
れているので、表示装置の厚さを薄くすることができ
る。
【0026】また、発光素子は前方に向けて自ら発光し
て直接的に表示するので、従来のように、発光素子をバ
ックライトやフロントライトとして使用するものではな
い。したがって、光の利用効率を高めることができる。
【0027】ところで、各表示領域毎に、光変調素子と
発光素子とを併設した場合に、一般的には、その駆動回
路として光変調素子用駆動回路と発光素子用駆動回路と
の両方が必要であり、回路構成が複雑となることが予想
される。
【0028】しかし、本発明では、マトリクス状に配さ
れた上記各表示領域を上記光変調素子にて駆動するため
の各データ信号線及び各走査信号線に駆動信号を印加す
ることにより、発光素子が駆動可能となっている。した
がって、光変調素子を駆動するためのデータ信号線及び
走査信号線にて発光素子を駆動することができる。この
ことは、データドライバ及びゲートドライバ等の各ドラ
イバを共通化したことにもなる。この結果、データ信号
線及び走査信号線を増加することなく、光変調素子及び
発光素子の各表示を行なうことができる。
【0029】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置を提
供することができる。
【0030】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、発光素子を駆動すべく電圧を電流に変換する
電圧電流変換手段が設けられるとともに、光変調素子を
駆動するスイッチング素子である光変調素子用トランジ
スタのドレイン電極が電圧電流変換手段に接続されてい
ることを特徴としている。
【0031】すなわち、発光素子は、一般的に、電流に
よって駆動される。一方、光変調素子を駆動するスイッ
チング素子である光変調素子用トランジスタのドレイン
電極には、一般的に電圧が印加される。
【0032】そこで、本発明では、ドレイン電極を電圧
電流変換手段に接続し、この電圧電流変換手段にて電圧
を電流に変換することによって、確実に発光素子を発光
させることができる。
【0033】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、電圧電流変換手段は発光素子用トランジスタ
からなるとともに、発光素子を駆動するための上記発光
素子用トランジスタの閾値電圧は、光変調素子の駆動電
圧よりも大きいことを特徴としている。
【0034】上記の発明によれば、電圧電流変換手段は
発光素子用トランジスタからなる。また、発光素子を駆
動するための上記発光素子用トランジスタの閾値電圧
は、光変調素子の駆動電圧よりも大きい。したがって、
光変調素子を駆動するときには、発光素子用トランジス
タの閾値電圧よりも小さい駆動電圧をデータ線信号に印
加する一方、発光素子を駆動するときには発光素子用ト
ランジスタの閾値電圧よりも大きい駆動電圧をデータ線
信号に印加することによって、発光素子も発光させるこ
とができる。
【0035】すなわち、本発明では、発光素子の発光素
子用トランジスタの閾値電圧を制御することによって、
反射型表示と発光型表示とが容易に選択できる。この結
果、確実に回路構成が複雑になるのを防止して、一つの
走査信号線及びデータ信号線にて光変調素子及び発光素
子を駆動することができる。
【0036】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、電圧電流変換手段は発光素子用トランジスタ
からなるとともに、上記発光素子用トランジスタのON
動作領域と光変調素子を駆動するための光変調素子用ト
ランジスタのON動作領域とは、閾値電圧によって振り
分けられていることを特徴としている。
【0037】上記の発明によれば、電圧電流変換手段は
発光素子用トランジスタからなる。また、発光素子用ト
ランジスタのON動作領域と光変調素子を駆動するため
の光変調素子用トランジスタのON動作領域とは、閾値
電圧によって振り分けられている。したがって、光変調
素子を駆動するときには、発光素子用トランジスタの閾
値電圧よりも小さい駆動電圧をデータ線信号に印加する
一方、発光素子を駆動するときには発光素子用トランジ
スタの閾値電圧よりも大きい駆動電圧をデータ線信号に
印加することによって、発光素子も発光させることがで
きる。
【0038】この結果、確実に回路構成が複雑になるの
を防止して、一つの走査信号線及びデータ信号線にて光
変調素子及び発光素子を駆動することができる。
【0039】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、光変調素子の特性がノーマリーホワイトであ
ることを特徴としている。
【0040】すなわち、前述の発明では、発光素子を駆
動するときには光変調素子も駆動することになる。した
がって、両者が駆動されるので、光変調素子の駆動時に
おける表示状態が白表示であれば、光変調素子の白表示
と発光素子の発光表示とにより、1画素におけるコント
ラストが低下する。
【0041】この点、本発明では、光変調素子の特性が
ノーマリーホワイトとなっている。このことは、光変調
素子に電圧を印加しない状態においては、第1表示領域
は白表示である一方、光変調素子に電圧を印加したとき
には、反射率がゼロとなって第1表示領域は黒表示とな
る。また、データ信号線からの光変調素子への電圧印加
は大きくなるほど黒表示を行なう。
【0042】したがって、発光素子を駆動するときに
は、上述のように、光変調素子は駆動状態であり、しか
もその表示は黒である。
【0043】この結果、発光素子の表示領域である第2
表示領域の周りは黒表示となるので、発光素子を発光駆
動することによるコントラストの低下を防止することが
できる。
【0044】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、光変調素子は、液晶表示素子からなっている
ことを特徴としている。
【0045】上記の発明によれば、光変調素子は、液晶
表示素子からなっている。したがって、容易に、2つの
表示素子を表示領域内に形成したときに、回路構成が複
雑になるのを防止し、製造時の歩留まりやコスト低減を
図り得る表示装置を提供することができる。
【0046】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、外光反射性を有する画素電極が設けられ、か
つこの画素電極に対向する対向電極が第2基板側におけ
る表示領域の全面に設けられるとともに、光変調素子に
よる表示を行なうときには対向電極の電位に対して駆動
される一方、発光素子により表示を行なうときには基準
電極の電位に対して駆動されることを特徴としている。
【0047】すなわち、液晶表示素子の特性上、液晶表
示素子は対向電極の電位に対して反転駆動つまり交流駆
動する必要がある。一方、発光素子は、上述したよう
に、電流による非反転駆動つまり直流駆動すれば足り
る。
【0048】この点、上記の発明によれば、光変調素子
による表示を行なうときには対向電極の電位に対して駆
動される一方、発光素子により表示を行なうときには基
準電極の電位に対して駆動される。
【0049】したがって、光変調素子として液晶表示素
子を用いた場合に、確実かつ適切に光変調素子及び発光
素子を駆動することができる。
【0050】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、発光素子は、外光反射性を有する画素電極よ
りも後方側に設けられており、発光素子が前方である表
示面側に向けて自ら発光したときには第2表示領域にの
み表示が行なわれ、上記画素電極が存在する第1表示領
域では光は非透過であることを特徴としている。
【0051】上記の発明によれば、発光素子は、外光反
射性を有する画素電極よりも後方側に設けられている。
そして、発光素子が前方である表示面側に向けて自ら発
光したときには第2表示領域にのみ表示が行なわれ、上
記画素電極が存在する第1表示領域では光は非透過とな
る。
【0052】したがって、発光素子を駆動するときに
は、光変調素子の画素電極がブラックマトリクスの役割
をする。この結果、発光素子のコントラストの維持を図
ることができる。
【0053】また、本発明の表示装置の駆動方法は、上
記記載の表示装置を用いて、各表示領域内における映像
信号の単位時間である1フィールドを複数に分割し、各
分割期間毎に光変調素子又は発光素子をON・OFFす
ることを特徴としている。
【0054】上記の発明によれば、上記の表示装置を駆
動する場合には、1フィールドを複数に分割し、各分割
期間毎に光変調素子又は発光素子をON・OFFするこ
とにより、1フィールドにおける光変調素子又は発光素
子のトータルON時間を制御することができるととも
に、さらに、その点灯パターンの種類を多くしてかつそ
れらを効率的に駆動することができる。
【0055】また、このように、時間的に、光変調素子
又は発光素子のON時間を制御することによって、映像
信号の階調を表示することが可能となる。
【0056】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り、かつ効率よく階
調表示を行い得る表示装置の駆動方法を提供することが
できる。
【0057】また、本発明の表示装置の駆動方法は、上
記記載の表示装置の駆動方法において、前記各表示領域
内における映像信号の単位時間である1フィールドを複
数に分割する場合に、各分割幅が1:21:22:…:2
n(nは正の整数)の間隔となるように分割することを
特徴としている。
【0058】上記の発明によれば、1フィールドを複数
に分割する場合に、各分割幅が1(=20):21
2:…:2n(nは正の整数)の間隔となるように分割
する。
【0059】この結果、この分割方法によって、2n
の階調を表示することができるとともに、走査線信号の
選択回数を少なくして階調数を増加することができる。
【0060】
【発明の実施の形態】〔実施の形態1〕本発明の実施の
一形態について図1ないし図8に基づいて説明すれば、
以下の通りである。
【0061】本実施の形態の表示装置1は、図2に示す
ように、縦方向に複数設けられたデータ信号線としての
ソースバスライン2a…と横方向に複数設けられた走査
信号線としてのゲートバスライン3…とによって表示領
域としての各表示画素10…がマトリクス状に形成され
ている。
【0062】上記表示画素10は、本実施の形態では、
反射性を有する第1表示領域としての反射領域11と透
過性を有する第2表示領域としての透過領域12とに分
割されて形成されている。すなわち、図3に示すよう
に、上記反射領域11には、光変調素子としての反射型
の液晶表示素子20を構成するアルミニウム(Al)等
の金属からなる画素電極25が形成されており、これに
よって、外光4がこの画素電極25に反射されるように
なっている。
【0063】一方、画素電極25の中央部には矩形の開
口部25aが形成されており、この開口部25aが上記
透過領域12となっている。画素電極25の開口部25
aの下方つまり画素電極25の後方には、透明絶縁層2
4を介して発光素子としての有機EL(Electro Lumines
cence)発光素子40が設けられており、この有機EL発
光素子40は、自ら表示光5を発光することにより、直
接的に表示を行なう。すなわち、本実施の形態では、従
来のように有機EL発光素子をバックライトやフロント
ライトとして使用するのではなく、有機EL発光素子4
0が直接的な表示を行なうので、本実施の形態の表示装
置1は、液晶表示素子20にて構成される反射型液晶表
示装置と有機EL発光素子40にて構成される有機EL
表示装置とが一体化された表示装置であるといえる。
【0064】上記の表示装置1は、同図に示すように、
ガラス基板等の第1基板としての絶縁性基板21上に光
変調素子用トランジスタとしての液晶用薄膜トランジス
タ素子(以下、「液晶用TFT(Thin Film Transisto
r)素子」という。)22を有しており、これによっ
て、各表示画素10…がアクティブ駆動されるようにな
っている。この液晶用TFT素子22は、図2に示すよ
うに、前記ゲートバスライン3…及びソースバスライン
2a…に接続され、ドレイン電極22aを通して画素電
極25に電圧を印加するためのスイッチング素子として
機能する。なお、本実施の形態では、このスイッチング
素子として液晶用TFT素子22を使用しているが、必
ずしもこれに限らず、例えば、液晶用MIM(Metal In
sulator Metal)素子であってもよい。
【0065】一方、上記液晶表示素子20のドレイン電
極22aは、有機EL発光素子40を駆動するための電
圧電流変換手段及び発光素子用トランジスタとしてのE
L用薄膜トランジスタ素子(以下、「EL用TFT素
子」という。)42のゲート電極42aに接続されてい
る。また、このEL用TFT素子42のソース側には、
電流供給ライン2bが接続されており、EL用TFT素
子42がONすることによって、供給電圧Vddにより
電流供給ライン2b及びEL用TFT素子42のドレイ
ン電極42aを通して有機EL発光素子40の有機EL
層41に駆動電流が流れて有機EL層41が発光するよ
うになっている。なお、液晶表示素子20及び有機EL
発光素子40の駆動回路については後で詳述する。
【0066】ここで、上記表示装置1の構成についてよ
り詳細に説明すべく製造方法の説明を兼ねて、図2及び
図3に基づいて以下に説明する。
【0067】先ず、図3に示すように、ガラス基板等の
絶縁性基板21上に液晶用TFT素子22を形成する。
このとき、EL用TFT素子42も同時に形成される。
次いで、感光性のアクリル樹脂により平坦化膜23を例
えば2μmの厚みに形成した後、有機EL発光素子40
を構成する反射性の陽極43をスパッタリング法により
クロム(Cr)にて2000Åの厚みに形成する。さら
に、スパッタリング法により二酸化珪素(SiO2)を
2000Åの厚みに形成し、所定形状となるようにエッ
チングを行なうことにより絶縁層44を形成する。
【0068】続いて、蒸着法により発光層である有機E
L層41を形成する。有機EL層41は、マスク蒸着に
より赤・緑・青の発光材料を各々の表示画素10…に対
応させて形成する。次いで、電子を効率よく有機EL層
41へ注入するため蒸着法によりマグネシウムと銀との
図示しない合金を100Åの厚みに形成した後、透明性
を有する陰極45としてスパッタリング法によりインジ
ウム−亜鉛の酸化物(IZO)を2000Åの厚みで形
成する。次いで、スパッタリング法により透明絶縁層2
4として五酸化タンタル(Ta25)を7000Åの厚
みで形成した後、液晶表示素子20を構成する液晶層2
6を駆動するための反射性を有する画素電極25をアル
ミニウム(Al)により形成する。
【0069】一方、他方のガラス基板等の第2基板とし
ての透明の絶縁性基板29上には、カラーフィルタ層2
8とインジウム−スズの酸化物(ITO:Indium Tin O
xide)からなる対向電極27とを順に形成する。
【0070】次に、液晶分子を絶縁性基板29に対して
垂直に配向させる性質を有する図示しない配向膜(商品
名「JALS204(日本合成ゴム社製)」)をスピン
コート法により塗布した後焼成して形成する。
【0071】次いで、有機EL発光素子40を形成した
部分以外の領域にのみ露光するように開口部を形成した
図示しないマスクを介して、絶縁性基板21側の成形基
板に紫外光を照射する。一方、絶縁性基板29側の成形
基板に対しても、絶縁性基板21と貼り合せた場合に、
有機EL発光素子40と対向する部分以外の領域に紫外
光を照射する。これら2枚の成形基板をラビングするこ
とにより図示しない配向膜に一軸配向処理を施した後、
シール樹脂を介して貼り合せた後、誘電異方性が正で△
nが0.06の液晶材料(メルク社製)を注入して液晶
表示素子20を作成する。さらに、絶縁性基板29の表
面に、位相差板31と偏光板32とを順に貼り付けるこ
とにより、表示装置1が完成する。なお、位相差板31
の位相差はλ=550nmの光に対して1/4となるも
のを用いた。
【0072】次に、上記構成の表示装置1を駆動するた
めの駆動回路について説明する。
【0073】図4に示すように、表示装置1には、デー
タ線信号を順に送るためのソースドライバ6がソースバ
スライン2a…に接続されており、表示画素10…を選
択するゲートドライバ7はゲートバスライン3…に接続
されている。また、1つの表示画素10内の表示回路
は、光変調素子である液晶表示素子20と発光素子であ
る有機EL発光素子40とによって構成されている。
【0074】これら液晶表示素子20及び有機EL発光
素子40は、それぞれ表示装置1の表示領域内に、マト
リクス状に並べられ、液晶表示素子20の対向電極2
7、EL用TFT素子42の電流供給ライン2b、及び
有機EL発光素子40の基準電極としての陰極45が、
それぞれ液晶表示素子20及び有機EL発光素子40毎
に共通に接続されている。
【0075】上記構成の表示装置1における1画素分の
回路構成は、図1にも示すように、液晶用TFT素子2
2のゲート電極がゲートバスライン3に接続され、ソー
スバスライン2aが液晶用TFT素子22のソース電極
に接続されている。また、液晶用TFT素子22のドレ
イン電極22aは、液晶表示素子20と、液晶補助容量
35と、EL用TFT素子42のゲート電極とに接続し
ている。また、EL用TFT素子42のソース電極は電
流供給ライン2bに接続し、EL用TFT素子42のド
レイン電極は有機EL発光素子40の陽極43に接続し
ている。なお、上記の構成では、有機EL発光素子40
はEL用TFT素子42のドレイン側に設けられている
が、必ずしもこれに限らず、例えば、図5に示すよう
に、有機EL発光素子40のソース側に設けることも可
能である。
【0076】このように構成された表示装置1の駆動回
路では、ゲートバスライン3…からの走査線信号により
液晶用TFT素子22が駆動してソースバスライン2a
…の信号を切替える。そして、データ線信号がEL用T
FT素子42のEL用閾値電圧Vth(OLED)より
も小さい場合には、有機EL発光素子40は発光せずに
液晶表示素子20のみが反応し、反射型表示は明表示か
ら暗表示を行なう。また、データ線信号がEL用TFT
素子42のEL用閾値電圧Vth(OLED)よりも大
きい場合には、液晶表示素子20は暗表示を行なってい
るとともに、データ線信号によりEL用TFT素子42
のドレイン電流が変化し、有機EL発光素子40の発光
量を調整して発光型表示を行なう。なお、有機EL発光
素子40の発光量の調整は、供給電圧Vddを調整する
ことによっても行なうことができる。
【0077】上記表示装置1の駆動方法について詳述す
る。
【0078】図6に示すように、ゲートバスライン3…
からの走査線信号Vgは選択時に電圧を高くして液晶用
TFT素子22をON状態にする一方、非選択時には電
圧を低くすることにより液晶用TFT素子22をOFF
状態にする。また、ソースバスライン2a…からのデー
タ線信号Vsは反射型表示のときはCOM信号Vcom
に対して反転駆動を行なっており、COM信号Vcom
との差分の信号が反射光量を調整して表示を行なう。
【0079】このとき、ソースバスライン2a…からの
データ線信号Vsは、EL用TFT素子42のEL用閾
値電圧Vth(OLED)を超えていないため、有機E
L発光素子40には電流が流れず発光表示は行なわれな
い。一方、ソースバスライン2a…からのデータ線信号
VsがEL用TFT素子42のEL用閾値電圧Vth
(OLED)を超えると有機EL発光素子40に電流が
流れて発光表示を行なう。
【0080】発光型表示のときは、GNDに対する信号
値で発光量が制御されるためソースバスライン2a…か
らのデータ線信号Vsは反転駆動を行なっていない。
【0081】また、本実施の形態では、液晶表示素子2
0はノーマリーホワイト型液晶を用いている。このた
め、COM信号Vcomとソースバスライン2a…から
のデータ線信号Vsとの差分が大きいと、暗表示を行な
うので、反射型表示部分は外光4を反射せず発光型表示
を行なうことができる。
【0082】また、本実施の形態では、液晶表示素子2
0の焼付きを防止するために、発光表示を行なっている
ときでも、対向電極27となるCOM信号Vcomは液
晶表示素子20に対して交流駆動を行なうことにより焼
付きを防止している。
【0083】一方、図7に示すように、データ線信号V
sがEL用閾値電圧Vth(OLED)よりも小さい範
囲では外光4を利用して液晶表示素子20による反射型
表示となる。また、この範囲では、ノーマリーホワイト
型液晶を用いることにより反射量が大きい明表示から反
射量の小さい暗表示に変化するが、EL用TFT素子4
2はEL用閾値電圧Vth(OLED)以下のため、有
機EL発光素子40による発光はない。
【0084】一方、データ線信号Vsが大きくなりEL
用TFT素子42のEL用閾値電圧Vth(OLED)
よりも大きくなると、有機EL発光素子40に電流が流
れて発光型表示となり、データ線信号VsによりEL用
TFT素子42の特性に応じて発光量が変化する。この
場合、液晶表示素子20は暗表示しているため、外光4
による反射はなく、有機EL発光素子40の発光だけで
表示を行なう。
【0085】なお、本実施の形態では、電圧電流変換手
段として1個のEL用TFT素子42にて構成している
が、必ずしもこれに限らない。すなわち、図8に示すよ
うに、表示装置1の面内バラツキを抑えるために、2素
子以上でも良く、ソースバスライン2a…からのデータ
線信号Vsにより動作電圧の閾値制御及び発光量の制御
ができる構成であれば良い。
【0086】このように、本実施の形態の表示装置1で
は、液晶表示素子20及び有機EL発光素子40はいず
れも絶縁性基板21と絶縁性基板29との間に設けられ
ているので、表示装置1の厚さを薄くすることができ
る。
【0087】また、有機EL発光素子40は前方に向け
て自ら発光して直接的に表示するので、従来のように、
有機EL発光素子40をバックライトやフロントライト
として使用するものではない。したがって、光の利用効
率を高めることができる。
【0088】ところで、各表示画素10…毎に、液晶表
示素子20と有機EL発光素子40とを併設した場合
に、一般的には、その駆動回路として液晶表示素子用駆
動回路と有機EL発光素子駆動回路との両方が必要であ
り、回路構成が複雑となることが予想される。
【0089】しかし、本実施の形態では、マトリクス状
に配された上記各表示画素10…を、液晶表示素子20
及び有機EL発光素子40にて駆動するためのソースバ
スライン2a…及びゲートバスライン3…が互いに共用
されている。したがって、液晶表示素子20を駆動する
ためのソースバスライン2a…及びゲートバスライン3
…にて有機EL発光素子40を駆動することができる。
このことは、ソースドライバ6及びゲートドライバ7等
の各ドライバを共通化したことにもなる。この結果、ソ
ースバスライン2a…及びゲートバスライン3…を増加
することなく、液晶表示素子20及び有機EL発光素子
40の各表示を行なうことができる。
【0090】したがって、液晶表示素子20及び有機E
L発光素子40を表示画素10内に形成したときに、回
路構成が複雑になるのを防止し、製造時の歩留まりやコ
スト低減を図り得る表示装置1を提供することができ
る。
【0091】また、本実施の形態の表示装置1では、液
晶表示素子20へのソースバスライン2a…及びゲート
バスライン3…に駆動信号を印加することにより、有機
EL発光素子40を駆動することができる。したがっ
て、液晶表示素子20を駆動するためのソースバスライ
ン2a…及びゲートバスライン3…にて有機EL発光素
子40を駆動することができる。このことは、ソースド
ライバ6及びゲートドライバ7等の各ドライバを共通化
したことにもなる。この結果、ソースバスライン2a…
及びゲートバスライン3…を増加することなく、液晶表
示素子20及び有機EL発光素子40の各表示を行なう
ことができる。
【0092】したがって、液晶表示素子20及び有機E
L発光素子40を1つの表示画素10内に形成したとき
に、回路構成が複雑になるのを防止し、製造時の歩留ま
りやコスト低減を図り得る表示装置1を提供することが
できる。
【0093】ところで、有機EL発光素子40は、一般
的に、電流によって駆動される。一方、液晶表示素子2
0を駆動するスイッチング素子である液晶用TFT素子
22のドレイン電極22aには、一般的に電圧が印加さ
れる。
【0094】そこで、本実施の形態では、液晶用TFT
素子22のドレイン電極22aをEL用TFT素子42
に接続し、このEL用TFT素子42にて電圧を電流に
変換することによって、確実に有機EL発光素子40を
発光させることができる。
【0095】また、本実施の形態の表示装置1では、電
圧電流変換手段はEL用TFT素子42からなる。ま
た、有機EL発光素子40を駆動するためのEL用TF
T素子42のEL用閾値電圧Vth(OLED)は、液
晶表示素子20の駆動電圧よりも大きい。したがって、
液晶表示素子20を駆動するときには、EL用閾値電圧
Vth(OLED)よりも小さい駆動電圧をデータ線信
号Vsに印加する一方、有機EL発光素子40を駆動す
るときにはEL用閾値電圧Vth(OLED)よりも大
きい駆動電圧をデータ線信号Vsに印加することによっ
て、有機EL発光素子40も発光させることができる。
【0096】すなわち、本実施の形態では、EL用閾値
電圧Vth(OLED)を制御することによって、反射
型表示と発光型表示とが容易に選択できる。この結果、
確実に回路構成が複雑になるのを防止して、一つのゲー
トバスライン3…及びソースバスライン2a…にて液晶
表示素子20及び有機EL発光素子40を駆動すること
ができる。
【0097】また、本実施の形態の表示装置1では、E
L用TFT素子42のON動作領域と液晶表示素子20
を駆動するための液晶用TFT素子22のON動作領域
とは、EL用閾値電圧Vth(OLED)によって振り
分けられている。したがって、液晶表示素子20を駆動
するときには、EL用閾値電圧Vth(OLED)より
も小さい駆動電圧をデータ線信号Vsに印加する一方、
有機EL発光素子40を駆動するときにはEL用閾値電
圧Vth(OLED)よりも大きい駆動電圧をデータ線
信号Vsに印加することによって、有機EL発光素子4
0も発光させることができる。
【0098】この結果、確実に回路構成が複雑になるの
を防止して、一つのゲートバスライン3…及びソースバ
スライン2a…にて液晶表示素子20及び有機EL発光
素子40を駆動することができる。
【0099】また、本実施の形態では、液晶表示素子2
0の特性がノーマリーホワイトとなっている。このこと
は、液晶表示素子20に電圧を印加しない状態において
は、反射領域11は白表示である一方、液晶表示素子2
0に電圧を印加したときには、反射率がゼロとなって反
射領域11は黒表示となる。また、ソースバスライン2
a…からの液晶表示素子20への電圧印加は大きくなる
ほど黒表示を行なう。したがって、有機EL発光素子4
0を駆動するときには、上述のように、液晶表示素子2
0は駆動状態であり、しかもその表示は黒である。
【0100】この結果、有機EL発光素子40の表示領
域である透過領域12の周りは黒表示となるので、有機
EL発光素子40を発光駆動することによるコントラス
トの低下を防止することができる。
【0101】また、本実施の形態の表示装置1では、光
変調素子は、液晶表示素子20からなっている。したが
って、従来の反射型の液晶表示素子を改良することによ
り、容易に、液晶表示素子20及び有機EL発光素子4
0を1つの表示画素10内に形成したときに、回路構成
が複雑になるのを防止し、製造時の歩留まりやコスト低
減を図り得る表示装置1を提供することができる。
【0102】ここで、液晶用TFT素子22の特性上、
液晶表示素子20は対向電極27の電位に対して反転駆
動つまり交流駆動する必要がある。一方、有機EL発光
素子40は、上述したように、電流による非反転駆動つ
まり直流駆動すれば足りる。
【0103】この点、本実施の形態の表示装置1では、
外光反射性を有する画素電極25が設けられ、かつこの
画素電極25に対向する対向電極27が対向基板側にお
ける表示画素10の全面に設けられる。また、液晶表示
素子20による表示を行なうときには対向電極27の電
位に対して反転駆動される一方、有機EL発光素子40
により表示を行なうときには陰極45の電位つまりGN
D電位に対して非反転駆動される。
【0104】したがって、光変調素子として液晶表示素
子20を用いた場合には、確実かつ適切に液晶表示素子
20及び有機EL発光素子40を駆動することができ
る。
【0105】また、本実施の形態の表示装置1では、有
機EL発光素子40は、外光反射性を有する画素電極2
5よりも後方側に設けられている。そして、有機EL発
光素子40が前方に向けて自ら発光したときには透過領
域12にのみ表示が行なわれ、画素電極25が存在する
反射領域11では光は非透過となる。
【0106】したがって、有機EL発光素子40を駆動
するときには、液晶表示素子20の画素電極25がブラ
ックマトリクスの役割をする。したがって、有機EL発
光素子40のコントラストの維持を図ることができる。
【0107】なお、本実施の形態では、光変調素子とし
て反射型の液晶表示素子20を使用したが、必ずしもこ
れに限らず、例えば、ミラー等を使って光の反射量を変
化させて表示することができる表示素子を用いても良
い。また、電気泳動型ディスプレイ、ツイストボール型
ディスプレイ、微細なプリズムフィルムを用いた反射型
ディスプレイ、デジタルミラーデバイス等の光変調素子
を用いることが可能である。
【0108】また、発光素子として、本実施の形態で
は、有機EL発光素子40を用いたが、必ずしもこれに
限らず、例えば、無機EL発光素子、LED(Light Em
ittingDiode) 等の発光輝度が可変の素子であれば適用
が可能である。また、フィールドエミッションディスプ
レイ(FED)、プラズマディスプレイ等の発光素子を
用いることも可能である。
【0109】さらに、本実施の形態では、有機EL発光
素子40が画素電極25の後方に設けられている場合に
ついての駆動回路について説明したが、必ずしもこれに
限らず、有機EL発光素子40が液晶層26と同層に設
けられている場合についても、本実施の形態で説明した
駆動回路は適用可能である。
【0110】〔実施の形態2〕本発明の他の実施の形態
について、図9に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。なお、説明の便宜上、前記実施の形態1の図面に示
した部材と同一の機能を有する部材については、同一の
符号を付し、その説明を省略する。また、前記実施の形
態1で述べた各種の特徴点については、本実施の形態に
ついても適応することができる。
【0111】前述したように、液晶表示装置と有機EL
表示装置とでは、それぞれ薄型、軽量といった特徴を持
つとともに、明るい場所では反射型液晶表示装置が消費
電力には有効である一方、暗い場所では光利用効率及び
形状から有機EL表示装置が有効である。したがって、
1枚の基板上に液晶表示素子と有機EL表示素子とを形
成することによって、それぞれの欠点を補い、様々な環
境下で最適な表示を行なうことが考えられる。
【0112】しかしながら、前記の表示装置1におい
て、1枚の基板上に液晶表示素子と有機EL表示素子と
を単純に形成すると、基板内の配線や駆動回路が複雑に
なり、製造時の歩留まりやコスト等が問題となる。
【0113】そこで、上記の表示装置1では、前記実施
の形態1における図4の構成にすることにより、液晶表
示素子20及び有機EL発光素子40の駆動について、
信号ライン及び走査信号線であるゲートバスライン3…
及び信号ライン及びデータ信号線であるソースバスライ
ン2a…を共有することによって、上記の問題を解決し
ている。
【0114】本実施の形態では、この表示装置1の駆動
回路における駆動方法について、前記実施の形態1とは
別の方法について詳述する。なお、駆動回路は、図1に
示すものと同じである。
【0115】まず、1つの表示画素10における映像信
号の単位時間である1フィールドは、図9(a)に示す
ように、1Tとして表される。
【0116】本実施の形態では、図9(b)(c)に示
すように、上記ゲートバスライン3…からの走査線信号
Vgは、選択時に電圧を高くして図1に示す液晶用TF
T素子22をON状態にする一方、非選択時には電圧を
低くすることにより液晶用TFT素子22をOFF状態
にする。
【0117】また、走査線信号Vgは、1フィールドT
の間に複数回選択されてON状態としている。また、そ
の走査線信号Vgの選択の時間間隔は、等間隔にはせ
ず、2のべき乗の間隔となっている。すなわち、同図
(b)においては、1フィールドTを、20:21:22
となるように分割している。この結果、1フィールドT
は、(1/7)T、(2/7)T、(4/7)Tの各間
隔となっている。なお、時間間隔を等間隔にしても駆動
には問題はないが、2のべき乗の間隔とすることによっ
て、走査線信号Vgの選択回数を少なくして階調数を増
すことができる。すなわち、このように、1フィールド
Tを例えば20:21:22に分けて各分割部分を個別に
点灯状態とすることにより、1フィールドT内でのトー
タル点灯時間を考えた場合に8種類の階調を表すことが
できるものとなる。
【0118】なお、本実施の形態では、1フィールドT
の間に、例えば3回の走査線信号VgをON状態とする
ことによって8種類の階調を表すこととしているが、必
ずしもこれに限らず、その回数を増すことによりさらに
表示上の階調数を増すことができる。すなわち、一般的
には、映像信号の単位時間である1フィールドTを複数
に分割する場合に、各分割幅が1(=20):21
2:…:2n(nは正の整数)の間隔となるように分割
すればよい。これにより、2n個の階調を表示すること
ができる。また、走査線信号Vgの選択回数を少なくし
て階調数を増加することができる。
【0119】具体的な反射型表示及び発光表示の駆動方
法について以下に説明する。
【0120】まず、反射型表示を行なう場合には、図9
(b)に示すように、図1に示すソースバスライン2a
…からのデータ線信号Vsは、COM信号Vcomに対
して反転駆動を行なっており、COM信号Vcomとの
2値信号により反射光量を変化させている。また、3回
の走査線信号Vg内でON、OFFを行ない、時間的に
反射光量を調整して表示を行なう。すなわち、反射時間
を増減することにより、反射光量を調整している。
【0121】また、本実施の形態では、液晶表示素子2
0はノーマリーホワイト型液晶を用いているため、図9
(b)に示す駆動信号では、期間(4/7)T及び期間
(1/7)Tのとき明状態となっている一方、期間(2
/7)Tでは暗状態となっており、第1フィールド及び
第2フィールドのいずれも第5階調目を表示しているこ
とになる。すなわち、例えば、期間(2/7)Tでは、
COM信号VcomがON状態である一方、データ線信
号VsはOFF状態である。この結果、液晶表示素子2
0には電圧が印加された状態となるので、期間(2/
7)Tでは暗状態となる。
【0122】このとき、上記ソースバスライン2a…か
らのデータ線信号Vsは、図1に示すEL用TFT素子
42のEL用閾値電圧Vth(OLED)を超えていな
いため、有機EL発光素子40には電流が流れず発光表
示は行なわれない。
【0123】一方、発光表示を行なうときは、図9
(c)に示すように、上記ソースバスライン2a…から
のデータ線信号Vsは、EL用TFT素子42のEL用
閾値電圧Vth(OLED)を超えることにより有機E
L発光素子40に電流が流れて発光表示を行なう。ま
た、EL用TFT素子42のEL用閾値電圧Vth(O
LED)よりも小さい場合には、発光を行なわない。
【0124】本実施の形態では、1フィールドTの間に
3回走査線信号VgをON状態にし、3回の走査線信号
Vg内で有機EL発光素子40のON、OFFを行な
い、前記液晶表示素子20と同様に、時間的に発光光量
を調整して表示を行なう。具体的には、図9(c)に示
すように、期間(4/7)T及び(1/7)TのときO
N状態となっている一方、期間(2/7)TではOFF
状態となっており、第1フィールド及び第2フィールド
のいずれも第5階調目を表示していることになる。
【0125】ここで、発光表示のときは、GNDに対す
る信号にて発光のON、OFFが制御されるため、CO
M信号Vcomは一定にしておりかつソースバスライン
2a…からのデータ線信号Vsは反転駆動を行なってい
ない。また、本実施の形態では、液晶表示素子20は、
上述のように、ノーマリーホワイト型液晶を用いてい
る。したがって、COM信号Vcomとソースバスライ
ン2a…からのデータ線信号Vsとの差分は常に大きな
値となるので、液晶は常に暗表示となり、反射型表示部
分は外光4を反射することなく発光型表示を行なうこと
ができる。
【0126】また、本実施の形態では、発光表示を行な
っている場合には、COM信号Vcomを一定にしてソ
ースバスライン2a…からのデータ線信号Vsを変化さ
せている。したがって、有機EL発光素子40のON、
OFFを行なうことによって、COM信号Vcomに対
して液晶表示素子20には交流駆動が行なわれており、
焼き付きを防止している。
【0127】なお、本実施の形態では、電圧電流変換手
段として1個のEL用TFT素子42にて構成している
が、必ずしもこれに限らない。すなわち、図8に示すよ
うに、表示装置1の面内バラツキを抑えるために、2素
子以上でも良く、ソースバスライン2a…からのデータ
線信号Vsにより動作電圧の閾値制御ができる構成であ
れば良い。
【0128】以上のように、本実施の形態では、マトリ
ックス状に配された上記各表示画素10…を、液晶表示
素子20及び有機EL発光素子40にて駆動するための
ソースバスライン2a…及びゲートバスライン3…が互
いに共用されている。
【0129】また、本実施の形態の表示装置1では、液
晶表示素子20へのソースバスライン2a…及びゲート
バスライン3…に駆動信号を印加することにより、有機
EL発光素子40を駆動することができる。したがっ
て、液晶表示素子20を駆動するためのソースバスライ
ン2a…及びゲートバスライン3…にて有機EL発光素
子40を駆動することができる。このことは、ソースド
ライバ6及びゲートドライバ7等の各ドライバを共通化
したことにもなる。この結果、ソースバスライン2a…
及びゲートバスライン3…を増加することなく、液晶表
示素子20及び有機EL発光素子40の各表示を行なう
ことができる。
【0130】なお、本実施の形態では、液晶表示素子2
0の特性がノーマリーホワイトとなっている。このこと
は、液晶表示素子20に電圧を印加しない状態において
は、反射領域11は白表示である一方、液晶表示素子2
0に電圧を印加したときには、反射率がゼロとなって反
射領域11は黒表示となる。また、ソースバスライン2
a…からの液晶表示素子20への電圧印加は大きくなる
ほど黒表示を行なう。
【0131】したがって、有機EL発光素子40を駆動
するときには、上述のように、液晶表示素子20は駆動
状態であり、しかもその表示は黒である。
【0132】この結果、有機EL発光素子40の表示領
域である透過領域12の周りは黒表示となるので、有機
EL発光素子40を発光駆動することによるコントラス
トの低下を防止することができる。
【0133】また、本実施の形態の表示装置1では、光
変調素子は液晶表示素子20からなっている。この結
果、液晶表示素子20及び有機EL発光素子40を1つ
の表示画素10内に形成することによって、液晶表示素
子20の長所である低消費電力化と有機EL発光素子4
0の長所である高い光利用効率化が可能となる表示装置
1を提供することができる。
【0134】ここで、液晶用TFT素子22の特性上、
液晶表示素子20は対向電極27の電位に対して反転駆
動つまり交流駆動する必要がある。一方、有機EL発光
素子40は、上述したように、電流による非反転駆動つ
まり直流駆動すれば足りる。
【0135】この点、本実施の形態の表示装置1では、
外光反射性を有する画素電極25が設けられ、かつこの
画素電極25に対向する対向電極27が対向基板側にお
ける表示画素10の全面に設けられる。また、液晶表示
素子20による表示を行なうときには、対向電極27の
電位に対して反転駆動される一方、有機EL発光素子4
0により表示を行なうときには陰極45の電位つまりG
ND電位に対して非反転駆動される。
【0136】したがって、光変調素子として液晶表示素
子20を用いた場合には、確実かつ適切に液晶表示素子
20及び有機EL発光素子40を駆動することができ
る。
【0137】また、本実施の形態の表示装置1では、有
機EL発光素子40は、外光反射性を有する画素電極2
5よりも後方側に設けられている。そして、有機EL発
光素子40が前方に向けられて自ら発光したときには透
過領域12にのみ表示が行なわれて、画素電極25が存
在する反射領域11では光は非透過となる。
【0138】したがって、有機EL発光素子40を駆動
するときには、液晶表示素子20の画素電極25がブラ
ックマトリックスの役割をする。したがって、有機EL
発光素子40のコントラストの維持を図ることができ
る。
【0139】また、本実施の形態の表示装置1の駆動方
法では、各表示領域10内における映像信号の単位時間
である1フィールドTを複数に分割し、各分割期間毎に
液晶表示素子20又は有機EL発光素子40をON・OF
Fする。
【0140】それゆえ、1フィールドTにおける液晶表
示素子20又は有機EL発光素子40のトータルON時
間を制御することができるとともに、さらに、その点灯
パターンの種類を多くしてかつそれらを効率的に駆動す
ることができる。
【0141】また、このように、時間的に、液晶表示素
子20又は有機EL発光素子40のON時間を制御する
ことによって、映像信号の階調を表示することが可能と
なる。
【0142】したがって、2つの表示素子である液晶表
示素子20及び有機EL発光素子40を表示領域10内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り、かつ効率よく階
調表示を行い得る表示装置1の駆動方法を提供すること
ができる。
【0143】また、本実施の形態の表示装置1の駆動方
法では、各表示領域10内における映像信号の単位時間
である1フィールドを複数に分割する場合に、各分割幅
が1:21:22:…:2n(nは正の整数)の間隔とな
るように分割する。
【0144】すなわち、1フィールドTを、2のべき乗
の間隔に分割してその分割期間、つまり期間(4/7)
T、期間(2/7)T、及び期間(1/7)T毎に、液
晶表示素子20又は有機EL発光素子40をON状態と
することにより、1フィールドTにおける液晶表示素子
20又は有機EL発光素子40のトータルON時間を制
御することができるとともに、さらに、その点灯パター
ンの種類を多くしてかつそれらを効率的に駆動すること
ができる。
【0145】この結果、この分割方法によって、2n
の階調を表示することができるとともに、走査線信号の
選択回数を少なくして階調数を増加することができる。
【0146】なお、本実施の形態では、有機EL発光素
子40が画素電極25の後方に設けられている場合につ
いての駆動回路について説明したが、必ずしもこれに限
らず、有機EL発光素子40が液晶層26と同層に設け
られている場合についても、本実施の形態で説明した駆
動回路は適用可能である。
【0147】また、上述した実施の形態では、光変調素
子として反射型の液晶表示素子20を使用したが、必ず
しもこれに限らず、例えば、ミラー等を使って光の反射
量をON、OFFさせて表示することができる表示素子
を用いても良い。さらに、電気泳動型ディスプレイ、ツ
イストボール型ディスプレイ、微細なプリズムフィルム
を用いた反射型ディスプレイ、デジタルミラーデバイス
等の光変調素子を用いることが可能である。
【0148】また、発光素子として、有機EL発光素子
40を用いたが、必ずしもこれに限らず、例えば無機E
L発光素子、LED(Light Emitting Diode)等の発光
をON、OFF制御が可能な素子であれば適用が可能で
ある。さらに、フィールドエミッションディスプレイ
(FED)、プラズマディスプレイ等の発光素子を用い
ることも可能である。
【0149】また、上述した実施の形態に記載された絶
縁基板29は、必ずしも硬質のものではなく、フィルム
上のものであってもよい。
【0150】さらに、上記の実施の形態では、液晶表示
素子20を駆動するスイッチング素子として液晶用TF
T素子22を使用しているが、必ずしもこれに限らず、
例えば液晶用MIM(Metal Insulator Metal)素子を
使用することも可能である。
【0151】
【発明の効果】本発明の表示装置は、以上のように、表
示領域内に、第1の電気光学素子により外光を反射させ
て表示を行なう第1表示領域と、第2の電気光学素子に
より表示を行なう第2表示領域とが併設されている一
方、互いに対向してなる第1基板と第2基板とを備え、
上記第1の電気光学素子及び第2の電気光学素子はいず
れも上記第1基板と第2基板との間に設けられていると
ともに、マトリクス状に配された上記各表示領域を、上
記第1の電気光学素子及び第2の電気光学素子にて駆動
するための各データ信号線及び各走査信号線が互いに共
用されているものである。
【0152】それゆえ、第1の電気光学素子及び第2の
電気光学素子はいずれも上記第1基板と第2基板との間
に設けられているので、表示装置の厚さを薄くすること
ができる。
【0153】また、本発明では、マトリクス状に配され
た上記各表示領域を、上記第1の電気光学素子及び第2
の電気光学素子にて駆動するための各データ信号線及び
各走査信号線が互いに共用されている。したがって、第
1の電気光学素子を駆動するためのデータ信号線及び走
査信号線にて第1の電気光学素子を駆動することができ
る。このことは、データドライバ及びゲートドライバ等
の各ドライバを共通化したことにもなる。この結果、デ
ータ信号線及び走査信号線を増加することなく、第1の
電気光学素子及び第2の電気光学素子の各表示を行なう
ことができる。
【0154】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置を提
供することができるという効果を奏する。
【0155】また、本発明の表示装置は、以上のよう
に、表示領域内に、光変調素子が外光を反射させて表示
を行なう非発光表示素子からなる第1表示領域と、発光
素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる第
2表示領域とが併設されている一方、互いに対向してな
る第1基板と第2基板とを備え、上記光変調素子及び発
光素子はいずれも上記第1基板と第2基板との間に設け
られているとともに、マトリクス状に配された上記各表
示領域を上記光変調素子及び発光素子にて駆動するため
の各データ信号線及び各走査信号線が互いに共用されて
いるものである。
【0156】それゆえ、光変調素子及び発光素子はいず
れも上記第1基板と第2基板との間に設けられているの
で、表示装置の厚さを薄くすることができる。また、発
光素子は前方に向けて自ら発光して直接的に表示するの
で、従来のように、発光素子をバックライトやフロント
ライトとして使用するものではない。したがって、光の
利用効率を高めることができる。
【0157】また、本発明では、マトリクス状に配され
た上記各表示領域を、上記光変調素子及び発光素子にて
駆動するための各データ信号線及び各走査信号線が互い
に共用されている。したがって、光変調素子を駆動する
ためのデータ信号線及び走査信号線にて発光素子を駆動
することができる。この結果、データ信号線及び走査信
号線を増加することなく、光変調素子及び発光素子の各
表示を行なうことができる。
【0158】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置を提
供することができるという効果を奏する。
【0159】また、本発明の表示装置は、以上のよう
に、表示領域内に、光変調素子が外光を反射させて表示
を行なう非発光表示素子からなる第1表示領域と、発光
素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる第
2表示領域とが併設されている一方、互いに対向してな
る第1基板と第2基板とを備え、上記光変調素子及び発
光素子はいずれも上記第1基板と第2基板との間に設け
られているとともに、マトリクス状に配された上記各表
示領域を上記光変調素子にて駆動するための各データ信
号線及び各走査信号線に駆動信号を印加することによ
り、発光素子が駆動可能となっているものである。
【0160】それゆえ、光変調素子及び発光素子はいず
れも上記第1基板と第2基板との間に設けられているの
で、表示装置の厚さを薄くすることができる。また、発
光素子は前方に向けて自ら発光して直接的に表示するの
で、従来のように、発光素子をバックライトやフロント
ライトとして使用するものではない。したがって、光の
利用効率を高めることができる。
【0161】また、本発明では、マトリクス状に配され
た上記各表示領域を上記光変調素子にて駆動するための
各データ信号線及び各走査信号線に駆動信号を印加する
ことにより、発光素子が駆動可能となっている。したが
って、光変調素子を駆動するためのデータ信号線及び走
査信号線にて発光素子を駆動することができる。この結
果、データ信号線及び走査信号線を増加することなく、
光変調素子及び発光素子の各表示を行なうことができ
る。
【0162】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装置を提
供することができるという効果を奏する。
【0163】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子を駆動すべく電圧を電流に変
換する電圧電流変換手段が設けられるとともに、光変調
素子を駆動するスイッチング素子である光変調素子用ト
ランジスタのドレイン電極が電圧電流変換手段に接続さ
れているものである。
【0164】それゆえ、ドレイン電極を電圧電流変換手
段に接続し、この電圧電流変換手段にて電圧を電流に変
換することによって、確実に発光素子を発光させること
ができるという効果を奏する。
【0165】本発明の表示装置は、上記記載の表示装置
において、電圧電流変換手段は発光素子用トランジスタ
からなるとともに、発光素子を駆動するための上記発光
素子用トランジスタの閾値電圧は、光変調素子の駆動電
圧よりも大きいものである。
【0166】それゆえ、光変調素子を駆動するときに
は、発光素子用トランジスタの閾値電圧よりも小さい駆
動電圧をデータ線信号に印加する一方、発光素子を駆動
するときには発光素子用トランジスタの閾値電圧よりも
大きい駆動電圧をデータ線信号に印加することによっ
て、発光素子も発光させることができる。すなわち、本
発明では、発光素子の発光素子用トランジスタの閾値電
圧を制御することによって、反射型表示と発光型表示と
が容易に選択できる。この結果、確実に回路構成が複雑
になるのを防止して、一つの走査信号線及びデータ信号
線にて光変調素子及び発光素子を駆動することができる
という効果を奏する。
【0167】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、電圧電流変換手段は発光素子用トラン
ジスタからなるとともに、上記発光素子用トランジスタ
のON動作領域と光変調素子を駆動するための光変調素
子用トランジスタのON動作領域とは、閾値電圧によっ
て振り分けられているものである。
【0168】それゆえ、光変調素子を駆動するときに
は、発光素子用トランジスタの閾値電圧よりも小さい駆
動電圧をデータ線信号に印加する一方、発光素子を駆動
するときには発光素子用トランジスタの閾値電圧よりも
大きい駆動電圧をデータ線信号に印加することによっ
て、発光素子も発光させることができる。
【0169】この結果、確実に回路構成が複雑になるの
を防止して、一つの走査信号線及びデータ信号線にて光
変調素子及び発光素子を駆動することができるという効
果を奏する。
【0170】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子の特性がノーマリーホワイ
トであることを特徴としている。
【0171】それゆえ、発光素子を駆動するときには、
上述のように、光変調素子は駆動状態であり、しかもそ
の表示は黒である。
【0172】この結果、発光素子の表示領域である第2
表示領域の周りは黒表示となるので、発光素子を発光駆
動することによるコントラストの低下を防止することが
できるという効果を奏する。
【0173】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、光変調素子は、液晶表示素子からなっ
ているものである。
【0174】それゆえ、容易に、2つの表示素子を表示
領域内に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防
止し、製造時の歩留まりやコスト低減を図り得る表示装
置を提供することができるという効果を奏する。
【0175】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、外光反射性を有する画素電極が設けら
れ、かつこの画素電極に対向する対向電極が第2基板側
における表示領域の全面に設けられるとともに、光変調
素子による表示を行なうときには対向電極の電位に対し
て駆動される一方、発光素子により表示を行なうときに
は基準電極の電位に対して駆動されるものである。
【0176】それゆえ、光変調素子による表示を行なう
ときには対向電極の電位に対して駆動される一方、発光
素子により表示を行なうときには基準電極の電位に対し
て駆動される。
【0177】したがって、光変調素子として液晶表示素
子を用いた場合に、確実かつ適切に光変調素子及び発光
素子を駆動することができるという効果を奏する。
【0178】また、本発明の表示装置は、上記記載の表
示装置において、発光素子は、外光反射性を有する画素
電極よりも後方側に設けられており、発光素子が前方で
ある表示面側に向けて自ら発光したときには第2表示領
域にのみ表示が行なわれ、上記画素電極が存在する第1
表示領域では光は非透過であるものである。
【0179】それゆえ、発光素子を駆動するときには、
光変調素子の画素電極がブラックマトリクスの役割をす
る。この結果、発光素子のコントラストの維持を図るこ
とができるという効果を奏する。
【0180】また、本発明の表示装置の駆動方法は、上
記記載の表示装置を用いて、各表示領域内における映像
信号の単位時間である1フィールドを複数に分割し、各
分割期間毎に光変調素子又は発光素子をON・OFFす
る方法である。
【0181】それゆえ、1フィールドにおける光変調素
子又は発光素子のトータルON時間を制御することがで
きるとともに、さらに、その点灯パターンの種類を多く
してかつそれらを効率的に駆動することができる。
【0182】また、このように、時間的に、光変調素子
又は発光素子のON時間を制御することによって、映像
信号の階調を表示することが可能となる。
【0183】したがって、2つの表示素子を表示領域内
に形成したときに、回路構成が複雑になるのを防止し、
製造時の歩留まりやコスト低減を図り、かつ効率よく階
調表示を行い得る表示装置の駆動方法を提供することが
できるという効果を奏する。
【0184】また、本発明の表示装置の駆動方法は、上
記記載の表示装置の駆動方法において、前記各表示領域
内における映像信号の単位時間である1フィールドを複
数に分割する場合に、各分割幅が1:21:22:…:2
n(nは正の整数)の間隔となるように分割する方法で
ある。
【0185】それゆえ、この分割方法によって、2n
の階調を表示することができるとともに、走査線信号の
選択回数を少なくして階調数を増加することができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における表示装置の実施の一形態を示す
ものであり、1画素分の回路構成図である。
【図2】上記表示装置における1画素分を示す平面図で
ある。
【図3】図2のA−A線断面図である。
【図4】上記表示装置を示す全体構成図である。
【図5】上記表示装置における1画素分の他の回路構成
図である。
【図6】上記表示装置の駆動時における信号波形図であ
る。
【図7】上記表示装置におけるデータ線信号による表示
状態を、横軸にデータ線信号を示し、縦軸に反射型表示
時の反射量及び発光型表示時の発光量を示した特性図で
ある。
【図8】電圧電流変換手段の他の構成を示す説明図であ
る。
【図9】(a)〜(c)は、本発明の表示装置における
他の実施の一形態を示すものであり、表示装置の駆動時
における信号波形図である。
【図10】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 表示装置 2a ソースバスライン(データ信号線) 2b 電流供給ライン 3 ゲートバスライン(走査信号線) 4 外光 5 表示光 6 ソースドライバ 7 ゲートドライバ 10 表示画素(表示領域) 11 反射領域(第1表示領域) 12 透過領域(第2表示領域) 20 液晶表示素子(光変調素子) 21 絶縁性基板(第1基板) 22 液晶用TFT素子(光変調素子用トランジス
タ) 22a ドレイン電極(光変調素子用トランジスタのド
レイン電極) 24 透明絶縁層 25 画素電極 25a 開口部 26 液晶層 27 対向電極 29 絶縁性基板(第2基板) 31 位相差板 32 偏光板 40 有機EL発光素子(発光素子) 42 EL用TFT素子(電圧電流変換手段、発光素
子用トランジスタ) 45 陰極(基準電極) Vdd 供給電圧 Vth(LC) 液晶用閾値電圧 Vth(OLED) EL用閾値電圧(発光素子の閾値
電圧) Vs データ線信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/15 506 G02F 1/15 506 5C006 G09F 9/35 G09F 9/35 5C080 G09G 3/20 624 G09G 3/20 624B 5C094 641 641E 5F110 680 680H 3/30 3/30 J 3/36 3/36 H01L 29/786 H05B 33/14 A H05B 33/14 H01L 29/78 614 612C (72)発明者 鳴瀧 陽三 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA14X FA14Y FA15X FA15Y FD04 GA02 LA11 LA12 LA13 LA16 LA30 MA03 MA10 2H092 GA12 GA17 GA21 GA24 JB22 JB31 NA27 PA00 PA06 QA18 RA10 2H093 NA21 NA79 NC09 NC11 ND01 ND02 ND49 ND53 ND54 ND60 NE10 2K001 AA01 BA04 EA05 3K007 AB17 AB18 DB03 GA04 5C006 AA14 AF69 AF75 BB16 BB28 BC06 BC08 BF34 FA03 FA05 FA42 FA43 FA47 FA51 5C080 AA06 AA10 BB05 CC08 DD01 DD23 DD26 DD28 EE29 FF11 FF12 JJ03 JJ04 JJ06 KK07 KK47 5C094 AA42 AA44 AA45 AA53 BA03 BA04 BA08 BA21 BA27 BA41 BA43 BA74 DB01 DB04 EA04 FB14 HA08 JA01 5F110 AA09 AA30 BB01 DD02 HL03 HL04 HL23 NN02 NN27 NN72 NN73 NN78

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表示領域内に、第1の電気光学素子により
    外光を反射させて表示を行なう第1表示領域と、第2の
    電気光学素子により表示を行なう第2表示領域とが併設
    されている一方、 互いに対向してなる第1基板と第2基板とを備え、上記
    第1の電気光学素子及び第2の電気光学素子はいずれも
    上記第1基板と第2基板との間に設けられているととも
    に、 マトリクス状に配された上記各表示領域を、上記第1の
    電気光学素子及び第2の電気光学素子にて駆動するため
    の各データ信号線及び各走査信号線が互いに共用されて
    いることを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項2】表示領域内に、光変調素子が外光を反射さ
    せて表示を行なう非発光表示素子からなる第1表示領域
    と、発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子か
    らなる第2表示領域とが併設されている一方、 互いに対向してなる第1基板と第2基板とを備え、上記
    光変調素子及び発光素子はいずれも上記第1基板と第2
    基板との間に設けられているとともに、マトリクス状に
    配された上記各表示領域を上記光変調素子及び発光素子
    にて駆動するための各データ信号線及び各走査信号線が
    互いに共用されていることを特徴とする表示装置。
  3. 【請求項3】表示領域内に、光変調素子が外光を反射さ
    せて表示を行なう非発光表示素子からなる第1表示領域
    と、発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子か
    らなる第2表示領域とが併設されている一方、 互いに対向してなる第1基板と第2基板とを備え、上記
    光変調素子及び発光素子はいずれも上記第1基板と第2
    基板との間に設けられているとともに、 マトリクス状に配された上記各表示領域を上記光変調素
    子にて駆動するための各データ信号線及び各走査信号線
    に駆動信号を印加することにより、発光素子が駆動可能
    となっていることを特徴とする表示装置。
  4. 【請求項4】発光素子を駆動すべく電圧を電流に変換す
    る電圧電流変換手段が設けられるとともに、 光変調素子を駆動するスイッチング素子である光変調素
    子用トランジスタのドレイン電極が上記電圧電流変換手
    段に接続されていることを特徴とする請求項2又は3記
    載の表示装置。
  5. 【請求項5】電圧電流変換手段は発光素子用トランジス
    タからなるとともに、 発光素子を駆動するための上記発光素子用トランジスタ
    の閾値電圧は、光変調素子の駆動電圧よりも大きいこと
    を特徴とする請求項4記載の表示装置。
  6. 【請求項6】電圧電流変換手段は発光素子用トランジス
    タからなるとともに、 上記発光素子用トランジスタのON動作領域と光変調素
    子を駆動するための光変調素子用トランジスタのON動
    作領域とは、閾値電圧によって振り分けられていること
    を特徴とする請求項4記載の表示装置。
  7. 【請求項7】光変調素子の特性がノーマリーホワイトで
    あることを特徴とする請求項4、5又は6記載の表示装
    置。
  8. 【請求項8】光変調素子は、液晶表示素子からなってい
    ることを特徴とする請求項2〜7のいずれか1項に記載
    の表示装置。
  9. 【請求項9】外光反射性を有する画素電極が設けられ、
    かつこの画素電極に対向する対向電極が第2基板側にお
    ける表示領域の全面に設けられるとともに、 光変調素子による表示を行なうときには対向電極の電位
    に対して駆動される一方、発光素子により表示を行なう
    ときには基準電極の電位に対して駆動されることを特徴
    とする請求項8記載の表示装置。
  10. 【請求項10】発光素子は、外光反射性を有する画素電
    極よりも後方側に設けられており、発光素子が前方であ
    る表示面側に向けて自ら発光したときには第2表示領域
    にのみ表示が行なわれ、上記画素電極が存在する第1表
    示領域では光は非透過であることを特徴とする請求項2
    〜9のいずれか1項に記載の表示装置。
  11. 【請求項11】請求項1〜10のいずれか1項に記載の
    表示装置を用いて、各表示領域内における映像信号の単
    位時間である1フィールドを複数に分割し、各分割期間
    毎に光変調素子又は発光素子をON・OFFすることを
    特徴とする表示装置の駆動方法。
  12. 【請求項12】前記各表示領域内における映像信号の単
    位時間である1フィールドを複数に分割する場合に、各
    分割幅が1:21:22:…:2n(nは正の整数)の間
    隔となるように分割することを特徴とする請求項11記
    載の表示装置の駆動方法。
JP2002196253A 2001-09-06 2002-07-04 表示装置及びその駆動方法 Expired - Fee Related JP4043864B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002196253A JP4043864B2 (ja) 2001-09-06 2002-07-04 表示装置及びその駆動方法
US10/234,200 US7248235B2 (en) 2001-09-14 2002-09-05 Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
TW091120311A TW588185B (en) 2001-09-06 2002-09-05 Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
KR1020020053463A KR100630475B1 (ko) 2001-09-06 2002-09-05 표시장치, 그의 제조방법 및 그의 구동방법
CNB021320381A CN1293412C (zh) 2001-09-06 2002-09-06 显示装置及其制造和驱动方法
CN2006101464600A CN1967328B (zh) 2001-09-06 2002-09-06 显示装置及其制造和驱动方法
KR1020040059056A KR20040074658A (ko) 2001-09-06 2004-07-28 표시장치, 그의 제조방법 및 그의 구동방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-271057 2001-09-06
JP2001271057 2001-09-06
JP2002196253A JP4043864B2 (ja) 2001-09-06 2002-07-04 表示装置及びその駆動方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003157026A true JP2003157026A (ja) 2003-05-30
JP4043864B2 JP4043864B2 (ja) 2008-02-06

Family

ID=26621796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002196253A Expired - Fee Related JP4043864B2 (ja) 2001-09-06 2002-07-04 表示装置及びその駆動方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4043864B2 (ja)

Cited By (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003076302A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sharp Corp 表示装置
JP2007108771A (ja) * 2006-11-20 2007-04-26 Sharp Corp 表示装置
US7248235B2 (en) 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
JP2009510527A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 インテル コーポレイション ハイブリッド画像化技術を用いたフラットパネルディスプレイ
JP2011519432A (ja) * 2008-04-14 2011-07-07 ソニー エリクソン モバイル コミュニケーションズ, エービー ハイブリッドディスプレイ
WO2015086683A1 (fr) * 2013-12-13 2015-06-18 Agc Glass Europe Toit de véhicule vitré
JP2017037288A (ja) * 2015-04-13 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、情報処理装置、表示パネルの作製方法
JP2017037291A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示パネルの駆動方法
JP2017049239A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 監視ic付き蓄電装置
JP2017062474A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライバic、および電子機器
JP2017107194A (ja) * 2015-11-30 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置、情報処理装置の駆動方法
US9710013B2 (en) 2014-08-08 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processing device, program
US9715103B2 (en) 2013-03-27 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2017129858A (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置、情報処理装置
US9720277B2 (en) 2010-08-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having optical sensor
JP2017191317A (ja) * 2016-04-07 2017-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2017198978A (ja) * 2016-04-04 2017-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
WO2017195067A1 (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2017207735A (ja) * 2016-04-28 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置、表示方法
US9837478B2 (en) 2015-10-01 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2017219572A (ja) * 2016-06-03 2017-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 情報端末および学習支援システム
KR20170140071A (ko) 2016-06-10 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 정보 단말
JP2017227856A (ja) * 2015-08-07 2017-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、情報処理装置、表示パネルの駆動方法
JP2018004927A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置、表示方法
JP2018005222A (ja) * 2016-06-10 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
JP2018013772A (ja) * 2016-07-01 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器、電子機器の駆動方法
JP2018022061A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018036583A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20180035709A (ko) 2016-09-29 2018-04-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 동작 방법 및 전자 기기
JP2018060202A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US9977285B2 (en) 2016-07-29 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2018092118A (ja) * 2016-05-20 2018-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、および電子機器
US10020350B2 (en) 2015-03-23 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
JP2018112729A (ja) * 2016-11-02 2018-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法、表示装置、並びに電子機器
US10043858B2 (en) 2016-04-27 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR20180092840A (ko) 2017-02-10 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 컨트롤러, 표시 시스템, 및 전자 기기
US10114450B2 (en) 2015-08-31 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10120470B2 (en) 2016-07-22 2018-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device
US10147780B2 (en) 2015-10-12 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10152936B2 (en) 2016-05-20 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, display system, and electronic device
US10153460B2 (en) 2016-08-17 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10170528B2 (en) 2015-08-07 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
US10176748B2 (en) 2016-02-03 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10181295B2 (en) 2015-10-23 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display panel comprising pixel having plurality of display elements
US10211239B2 (en) 2016-08-05 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
US10223960B2 (en) 2016-08-30 2019-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Receiver for receiving differential signal, IC including receiver, and display device
US10242629B2 (en) 2009-12-28 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor having an oxide semiconductor
US10256279B2 (en) 2016-06-17 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
US10290253B2 (en) 2016-06-10 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, system, and method for operating system
US10302983B2 (en) 2016-03-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, and data processor
US10303009B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
US10311802B2 (en) 2015-08-19 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10380956B2 (en) 2016-06-30 2019-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10429999B2 (en) 2015-12-18 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
US10431164B2 (en) 2016-06-16 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
KR20190113535A (ko) * 2018-03-27 2019-10-08 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈
US10453401B2 (en) 2016-06-17 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10451912B2 (en) 2016-07-15 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and data processing device
US10482833B2 (en) 2016-11-09 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of electronic device
US10528198B2 (en) 2016-09-16 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel
US10546545B2 (en) 2016-04-28 2020-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US10607575B2 (en) 2016-09-30 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and electronic device
US10614739B2 (en) 2016-06-15 2020-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10650727B2 (en) 2016-10-04 2020-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US10656453B2 (en) 2016-06-24 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and semiconductor device
US10665150B2 (en) 2016-07-08 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10672609B2 (en) 2016-06-15 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device
US10679545B2 (en) 2016-08-17 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of display device
US10693097B2 (en) 2016-07-15 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including two display elements, display module, electronic device, and method for manufacturing display device
US10733946B2 (en) 2016-08-26 2020-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10816841B2 (en) 2016-08-17 2020-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10930231B2 (en) 2018-03-27 2021-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module including electro-static discharge protection circuit
US10937387B2 (en) 2016-07-28 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11054687B2 (en) 2016-08-09 2021-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device
US11067841B2 (en) 2016-10-03 2021-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a display device comprising polymerizing a monomer contained in a second liquid crystal layer in a region not overlapping with a coloring layer by light irradiation
US11106099B2 (en) 2016-06-24 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11300826B2 (en) 2016-08-17 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and mobile information terminal
US11482155B2 (en) 2018-07-20 2022-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Receiving circuit
US12287937B2 (en) 2016-09-06 2025-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, image display method, program, and display system

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108682324B (zh) * 2018-07-26 2020-08-25 上海天马微电子有限公司 无机发光二极管显示面板和显示装置

Cited By (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003076302A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sharp Corp 表示装置
US7248235B2 (en) 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
JP2009510527A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 インテル コーポレイション ハイブリッド画像化技術を用いたフラットパネルディスプレイ
JP2007108771A (ja) * 2006-11-20 2007-04-26 Sharp Corp 表示装置
JP2011519432A (ja) * 2008-04-14 2011-07-07 ソニー エリクソン モバイル コミュニケーションズ, エービー ハイブリッドディスプレイ
US10242629B2 (en) 2009-12-28 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor having an oxide semiconductor
US10600372B2 (en) 2009-12-28 2020-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transreflective liquid crystal display device
US9720277B2 (en) 2010-08-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having optical sensor
US9715103B2 (en) 2013-03-27 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2015086683A1 (fr) * 2013-12-13 2015-06-18 Agc Glass Europe Toit de véhicule vitré
BE1021369B1 (fr) * 2013-12-13 2015-11-09 Agc Glass Europe Toit de vehicule vitre
US10525674B2 (en) 2013-12-13 2020-01-07 Agc Glass Europe Glazed vehicle roof
EA033599B1 (ru) * 2013-12-13 2019-11-08 Agc Glass Europe Стеклянная крыша транспортного средства
US9710013B2 (en) 2014-08-08 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processing device, program
US10516008B2 (en) 2015-03-23 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
US10020350B2 (en) 2015-03-23 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
US11018206B2 (en) 2015-03-23 2021-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
US9851820B2 (en) 2015-04-13 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising a first transistor and a second transistor wherein an insulating film is located between a first display element and a conductive film
JP2023085271A (ja) * 2015-04-13 2023-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
US11016329B2 (en) 2015-04-13 2021-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
JP2017037288A (ja) * 2015-04-13 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、情報処理装置、表示パネルの作製方法
US10831291B2 (en) 2015-04-13 2020-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
US11754873B2 (en) 2015-04-13 2023-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11024692B2 (en) 2015-08-07 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and method for driving the same
US10170528B2 (en) 2015-08-07 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
US10290693B2 (en) 2015-08-07 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and method for driving the same
JP2017227856A (ja) * 2015-08-07 2017-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、情報処理装置、表示パネルの駆動方法
JP2017037291A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示パネルの駆動方法
US10854145B2 (en) 2015-08-19 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10311802B2 (en) 2015-08-19 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US11348537B2 (en) 2015-08-19 2022-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10114450B2 (en) 2015-08-31 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
JP2017049239A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 監視ic付き蓄電装置
US10354574B2 (en) 2015-09-25 2019-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver IC and electronic device
JP7123522B2 (ja) 2015-09-25 2022-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライバic、および電子機器
JP2021182167A (ja) * 2015-09-25 2021-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライバic
JP2017062474A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライバic、および電子機器
US9837478B2 (en) 2015-10-01 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10147780B2 (en) 2015-10-12 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10181295B2 (en) 2015-10-23 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display panel comprising pixel having plurality of display elements
JP7083594B2 (ja) 2015-11-30 2022-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2017107194A (ja) * 2015-11-30 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置、情報処理装置の駆動方法
US10429999B2 (en) 2015-12-18 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
US10976872B2 (en) 2015-12-18 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
US10534212B2 (en) 2016-01-18 2020-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output display device comprising an input portion having a sensing element to sense an approaching object and data processor having the same
JP2017129858A (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置、情報処理装置
US10176748B2 (en) 2016-02-03 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US10302983B2 (en) 2016-03-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, and data processor
JP2017198978A (ja) * 2016-04-04 2017-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
US11455050B2 (en) 2016-04-04 2022-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10101628B2 (en) 2016-04-07 2018-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2017191317A (ja) * 2016-04-07 2017-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10043858B2 (en) 2016-04-27 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2017207735A (ja) * 2016-04-28 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置、表示方法
US10546545B2 (en) 2016-04-28 2020-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
WO2017195067A1 (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN109155122A (zh) * 2016-05-20 2019-01-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US10276107B2 (en) 2016-05-20 2019-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
CN109155122B (zh) * 2016-05-20 2021-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US10152936B2 (en) 2016-05-20 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, display system, and electronic device
JP2018092118A (ja) * 2016-05-20 2018-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、および電子機器
JP2017219572A (ja) * 2016-06-03 2017-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 情報端末および学習支援システム
JP2018005222A (ja) * 2016-06-10 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
US10394069B2 (en) 2016-06-10 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10853587B2 (en) 2016-06-10 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US12235537B2 (en) 2016-06-10 2025-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2017224294A (ja) * 2016-06-10 2017-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 情報端末
KR20170140071A (ko) 2016-06-10 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 정보 단말
US11550181B2 (en) 2016-06-10 2023-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2021131561A (ja) * 2016-06-10 2021-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 情報端末
US10290253B2 (en) 2016-06-10 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, system, and method for operating system
US11003009B2 (en) 2016-06-10 2021-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10672609B2 (en) 2016-06-15 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device
US10614739B2 (en) 2016-06-15 2020-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10431164B2 (en) 2016-06-16 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10453401B2 (en) 2016-06-17 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10256279B2 (en) 2016-06-17 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
US11062661B2 (en) 2016-06-17 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10656453B2 (en) 2016-06-24 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and semiconductor device
US11106099B2 (en) 2016-06-24 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11796871B2 (en) 2016-06-24 2023-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11308833B2 (en) 2016-06-30 2022-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10591783B2 (en) 2016-06-30 2020-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
US10303009B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
US10770010B2 (en) 2016-06-30 2020-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US10380956B2 (en) 2016-06-30 2019-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
JP2018004927A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、入出力装置、情報処理装置、表示方法
JP7150416B2 (ja) 2016-07-01 2022-10-11 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US10276089B2 (en) 2016-07-01 2019-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method for driving the same
JP2018013772A (ja) * 2016-07-01 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器、電子機器の駆動方法
US10665150B2 (en) 2016-07-08 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10451912B2 (en) 2016-07-15 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and data processing device
US10693097B2 (en) 2016-07-15 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including two display elements, display module, electronic device, and method for manufacturing display device
US10120470B2 (en) 2016-07-22 2018-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device
US10937387B2 (en) 2016-07-28 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US12014681B2 (en) 2016-07-28 2024-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information terminal
US9977285B2 (en) 2016-07-29 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2018022061A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10211239B2 (en) 2016-08-05 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
US11054687B2 (en) 2016-08-09 2021-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device
US10679545B2 (en) 2016-08-17 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of display device
US11899296B2 (en) 2016-08-17 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11960158B2 (en) 2016-08-17 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11300826B2 (en) 2016-08-17 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and mobile information terminal
US11442302B2 (en) 2016-08-17 2022-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10153460B2 (en) 2016-08-17 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10816841B2 (en) 2016-08-17 2020-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11404016B2 (en) 2016-08-26 2022-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device having neural network for calculating set values of luminance and color tone
US10733946B2 (en) 2016-08-26 2020-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10223960B2 (en) 2016-08-30 2019-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Receiver for receiving differential signal, IC including receiver, and display device
KR20190039726A (ko) 2016-08-30 2019-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 차동 신호를 수신하는 리시버, 리시버를 포함하는 ic, 및 표시 장치
JP2018036583A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US12287937B2 (en) 2016-09-06 2025-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, image display method, program, and display system
US10528198B2 (en) 2016-09-16 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel
US10540944B2 (en) 2016-09-29 2020-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising register
KR20180035709A (ko) 2016-09-29 2018-04-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 동작 방법 및 전자 기기
US10607575B2 (en) 2016-09-30 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and electronic device
US11067841B2 (en) 2016-10-03 2021-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a display device comprising polymerizing a monomer contained in a second liquid crystal layer in a region not overlapping with a coloring layer by light irradiation
JP2022130426A (ja) * 2016-10-04 2022-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2018060202A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US11049437B2 (en) 2016-10-04 2021-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US10650727B2 (en) 2016-10-04 2020-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US11043186B2 (en) 2016-11-02 2021-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, display device, and electronic device
JP2018112729A (ja) * 2016-11-02 2018-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法、表示装置、並びに電子機器
US10482833B2 (en) 2016-11-09 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of electronic device
US10923059B2 (en) 2016-11-09 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of electronic device
US11217173B2 (en) 2017-02-10 2022-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display controller, display system, and electronic device
US10490130B2 (en) 2017-02-10 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system comprising controller which process data
KR20180092840A (ko) 2017-02-10 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 컨트롤러, 표시 시스템, 및 전자 기기
US11238818B2 (en) 2018-03-27 2022-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module including electro-static discharge protection circuit
KR102180807B1 (ko) * 2018-03-27 2020-11-19 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈
KR20190113535A (ko) * 2018-03-27 2019-10-08 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈
US10930231B2 (en) 2018-03-27 2021-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module including electro-static discharge protection circuit
US11482155B2 (en) 2018-07-20 2022-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Receiving circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP4043864B2 (ja) 2008-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003157026A (ja) 表示装置及びその駆動方法
JP3898012B2 (ja) 表示装置
JP3993221B2 (ja) 表示装置
JP4122828B2 (ja) 表示装置及びその駆動方法
KR100527651B1 (ko) 표시 장치
US6697138B2 (en) Transflective liquid crystal display device and manufacturing method for the same
CN1825171B (zh) 液晶显示装置和用于该液晶显示装置的驱动方法
US7675599B2 (en) Display apparatus including self-luminescent device and non-self-luminescent device
US20030103021A1 (en) Display device
KR100688230B1 (ko) 반사투과형 액정 표시장치
US8310435B2 (en) Liquid crystal display device capable of automatically switching to a mode and method for driving the same
US20060139522A1 (en) Transflective liquid crystal display device with balanced chromaticity
US8154504B2 (en) Liquid crystal display device capable of automatically switching to a mode and method for driving the same
JP4352492B2 (ja) 液晶装置及び電子機器
US20060125982A1 (en) Liquid crystal display
JP4608768B2 (ja) 液晶表示装置
US20070070274A1 (en) Transflective liquid crystal display having electrically connected reflective electrodes
US10795226B2 (en) Display device
US20050052593A1 (en) Color filter for transflective liquid crystal display
US7443456B2 (en) Dual mode liquid crystal display device with capacitor electrodes separate from pixel electrode performing and functioning as a reflection electrode
US20230413640A1 (en) Display screen and method for display control
KR20130055205A (ko) 콜레스테릭 액정층을 구비한 액정표시장치의 구동방법
US7855499B2 (en) Back light unit using an electron emission device and display including the same
KR100464207B1 (ko) 반사형 필드순차구동 액정표시소자
US20070076145A1 (en) Display panel having a reflective layer therein

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050525

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070815

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070821

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071018

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20071018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees