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CN108682324B - 无机发光二极管显示面板和显示装置 - Google Patents

无机发光二极管显示面板和显示装置 Download PDF

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CN108682324B CN201810837542.2A CN201810837542A CN108682324B CN 108682324 B CN108682324 B CN 108682324B CN 201810837542 A CN201810837542 A CN 201810837542A CN 108682324 B CN108682324 B CN 108682324B
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Abstract

本发明公开了一种无机发光二极管显示面板和显示装置。该显示面板划分为显示区和围绕显示区的非显示区，包括：第一基板；设置于第一基板一侧的发光器件层，其中，发光器件层包括若干无机发光二极管，无机发光二极管包括第一电极、第二电极和电连接在第一电极和第二电极之间的p‑n二极管；透光率调整模块，包括第三电极、第四电极和材料层，其中，第三电极与第四电极之间的电场发生变化时，材料层的透光率发生变化；其中，显示区包括非发光区和发光区，无机发光二极管位于发光区，透光率调整模块至少位于非发光区。通过本发明，能够调整显示面板的透光率。

Description

无机发光二极管显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种无机发光二极管显示面板和显示装置。
背景技术
传统的无机发光二极管(Inorganic Light Emitting Diode，ILED)通常作为背光源用于液晶显示器的背光模组中，随着显示技术和无机发光二极管的发展，无机发光二极管作为像素应用于高分辨率显示面板中，实现了一种无机发光二极管显示面板。
但是，现有技术中基于无机发光二极管的透明显示面板的透过率不可调，限制了透明显示面板的应用场景。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种无机发光二极管显示面板和显示装置，以实现无机发光二极管显示面板透过率可调。
一方面，本发明提供了一种无机发光二极管显示面板。
本发明提供的无机发光二极管显示面板划分为显示区和围绕显示区的非显示区，包括：第一基板；设置于第一基板一侧的发光器件层，其中，发光器件层包括若干无机发光二极管，无机发光二极管包括第一电极、第二电极和电连接在第一电极和第二电极之间的p-n二极管；透光率调整模块，包括第三电极、第四电极和材料层，其中，第三电极与第四电极之间的电场发生变化时，材料层的透光率发生变化；其中，显示区包括非发光区和发光区，无机发光二极管位于发光区，透光率调整模块至少位于非发光区。
另一方面，本发明提供了一种显示装置。
该显示装置包括本发明提供的任意一种无机发光二极管显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的无机发光二极管显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：显示面板至少在显示区的非发光区设置透光率调整模块，透光率调整模块包括两个电极和位于两电极之间电场内的材料层，通过改变两电极的压差，改变两电极之间电场强度，能够调整材料层的透光率，从而实现显示面板透光率的调节，使得无机发光二极管显示面板能够根据需要，应用于对显示面板透光率需要有变化的场景。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明实施例提供的无机发光二极管显示面板的俯视结构示意图；
图2为本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图；
图3为本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的无机发光二极管的结构示意图；
图4为本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的透光率调整模块的结构示意图；
图5为本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图；
图6为本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的透光率调整模块的结构示意图；
图7为本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图；
图8为本发明实施例提供的无机发光二极管显示面板的像素电路的示意图；
图9为本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图；
图10为本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图；
图11为本发明实施例的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1为本发明实施例提供的无机发光二极管显示面板的俯视结构示意图，图2为本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图，其中，图2为沿图1中剖线C-C得到的剖视结构示意图。在一种实施例中，如图1和图2所示，显示面板划分为显示区AA和围绕显示区的非显示区BA，其中，显示区AA包括非发光区NLA和发光区LA。显示面板包括第一基板10、发光器件层和透光率调整模块30。
第一基板10可以采用LTPS、Oxide(IGZO)等半导体TFT技术，在制程上可沿用TFT-LCD的工艺参数及流程，其中，第一基板10的各膜层可采用透明材料制成。具体的，第一基板10包括衬底基板以及在衬底基板一侧形成的薄膜晶体管陈列层，薄膜晶体管陈列层包括若干薄膜晶体管。
发光器件层设置于第一基板10的一侧，包括若干无机发光二极管20，每个无机发光二极管20均位于发光区LA。图3为本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的无机发光二极管的结构示意图，如图3所示，无机发光二极管20包括第一电极21、第二电极22和电连接在第一电极21和第二电极22之间的p-n二极管23。其中，p-n二极管23包括p型半导体层、量子阱层和n型半导体层，量子阱层可以为单量子阱层或多量子阱层。当第一电极21和第二电极22施加一正向偏压，致使电流通过时，来自n型半导体层的电子和来自p型半导体层的空穴在量子阱层复合，发射出单一色光，实现无机发光二极管20发光。p-n二极管23可以基于二六族材料或三五族氮化物材料形成，其中，二六族材料例如硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)等，三五族氮化物材料例如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、磷化镓(GaP)、磷化铝铟镓(AlInGaP)、铝砷化镓(AlGaAs)或其合金。
透光率调整模块30至少位于非发光区NLA，且与发光器件层位于第一基板10的同一侧，图4为本发明一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的透光率调整模块的结构示意图，如图4所示，透光率调整模块30包括第三电极32、第四电极31和材料层33，其中，第三电极32与第四电极34可采用透明导电材料形成，并且二者之间的电场发生变化时，材料层33的透光率发生变化。具体地，第三电极32和第四电极31位于材料层33两侧，构成叠层结构，当第三电极32和第四电极31之间施加电压形成变化电场时，材料层33的透光率相应变化，使得显示面板的透光率发生变化。因此，通过调整第三电极32和第四电极31之间的压差，即可实现显示面板的透光率调节。
可选的，透光率调整模块30仅位于非发光区NLA，且位于相同颜色的子像素之间。可选的，不同颜色的子像素之间距离小于相同颜色像素之间的距离。这样可以使显示面板的非发光区NLA可以充分利用来设置透光率调整模块30，因为透光率调整模块30的设置也需要一定的空间范围，而且需要与无机发光二极管保持一定的距离。显示面板多彩画面的显示主要是靠不同颜色的子像素之间的混色来实现，因此，将透光率调整模块30设置于距离较大的相同颜色像素之间，能够为透光率调整模块提供充分的空间，同时，在不同颜色的子像素之间不设置透光率调整模块30，减小透光率调整模块对子像素混色的影响。具体地，如图1所示，显示面板包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像B，且每个无机发光二极管20对应一个子像素。在子像素的排布上，各子像素在第一方向x上依次排布形成子像素行，同一子像素行的各个子像素的颜色相同，在第二方向y上依次排布形成子像素列，同一子像素列包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像B。相邻子像素行之间的区域和相邻子像素列之间的区域均为非发光区NLA，其中，透光率调整模块30仅位于相邻子像素列之间非发光区NLA。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，至少在显示区的非发光区设置透光率调整模块，透光率调整模块包括两个电极和位于两电极之间电场内的材料层，通过改变两电极的压差，改变两电极之间电场强度，能够调整材料层的透光率，从而实现显示面板透光率的调节，使得无机发光二极管显示面板能够根据需要，应用于对显示面板透光率要求有变化的场景。其中，由于无机发光二极管尺寸较小，同时，相比于有机发光二极管，对水氧隔绝要求不高，因而，可以在设置无机发光二极管后续再进行透光率调整模块的制程，容易制作透明显示面板。比如本实施例提供的无机发光二极管显示面板可以应用于办公室玻璃、橱窗等，可以使办公室玻璃、橱窗兼具显示功能的同时还能根据不同的应用场景去调节透过率。
在另一种实施例中，图5为本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图，如图5所示，该实施例提供的无机发光二极管显示面板的透光率调整模块30同时位于发光区LA和非发光区NLA。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，透光率调整模块覆盖显示面板的显示区，可以保证在需要显示面板完全遮光的情况下，通过透光率调整模块遮光，能够保证用户隐私。
在另一种实施例中，图6为本发明另一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的透光率调整模块的结构示意图，如图6所示，实施例提供的无机发光二极管显示面板的透光率调整模块30中，第三电极32和第四电极31位于材料层33的同一侧。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，将第三电极和第四电极设置于材料层的同一层，有利于减小显示面板的膜层，实现显示面板的轻薄化。
在一种实施例中，材料层包括聚合物分散液晶，液晶分子构成的小微滴的光轴处于自由取向，当光线通过透光率调整模块时，光线被微滴强烈散射而使材料层呈不透明的乳白状态或半透明状态，通过调节第一电极和第二电极之间的电场，可调节液晶微滴的光轴取向，进而调节材料层的透光率，实现显示面板透光率的调节。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，透光率调整模块可通过聚合物分散液晶微滴的光轴取向实现透光率的调节，不需要设置偏光片，有利于显示面板的轻薄化。同时，对于透光率调整模块覆盖显示区的显示面板，既可以保证在需要显示面板完全遮光的情况下，通过聚合物分散液晶遮光，还可以保证在正常显示模式下，聚合物分散液晶不会影响显示面板的出光。
在一种实施例中，图7为本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图，如图7所示，第一基板10包括衬底基板11、位于衬底基板与发光器件层之间的若干导电层和位于相邻导电层之间的若干绝缘层，若干导电层用于形成无机发光二极管显示面板的像素电路，其中，发光器件层的每一个无机发光二极管均对应一个像素电路，每个像素电路控制一个无机发光二极管实现单独驱动点亮，像素电路与数据线和扫描线分别相连接，通过数据线的依序通电，采用扫描线扫描方式点亮发光器件层的无机发光二极管，以显示影像。在显示面板设置的透光率调整模块30中，第三电极32可与第一基板10中的导电层、第一电极21或第二电极22同层制备，第四电极31单独制备；或者，第四电极31可与第一基板10中的导电层、第一电极21或第二电极22同层制备，第三电极32单独制备；或者，第三电极32和第四电极31均可与第一基板10中的导电层、第一电极21或第二电极22同层制备，在进行同层制备时，可采用相同的材料在同一制程中形成，也可采用不同的材料。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，透光率调整模块中的电极可与显示面板显示部分的导电层同层制备，能够减少显示面板的膜层，减薄显示面板的厚度。
在一种实施例中，图8为本发明实施例提供的无机发光二极管显示面板的像素电路的示意图，如图8所示，像素电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容Cs，其中，第一薄膜晶体管T1为选择管，第二薄膜晶体管T2为驱动管，当经扫描线S2接收到扫描信号时，第一薄膜晶体管T1导通，经数据线S1接收到的数据信号传输到第二薄膜晶体管T2的栅极，给存储电容Cs充电。而后第二薄膜晶体管T2导通，电源VDD的驱动电流流经无机发光二极管20到底线Vss，实现无机发光二极管20的单独驱动点亮。其中，参考图7，图7中示出了第二薄膜晶体管T2，第二薄膜晶体管T2包括栅极G、源级S、漏极D和有源层A。栅极G、源级S、漏极D和有源层A所在的膜层均为第一基板10中的导电层，第三电极32或第四电极31可与这些导电层同层制备。
在一种实施例中，请继续参考图7，p-n二极管23包括P型扩展层、量子肼层和N型扩展层，第一电极21为无机发光二极管20的阳极，与P型扩展层电连接，第二电极22为无机发光二极管20的阴极，与N型扩展层电连接，且第二电极22位于第一电极21远离第一基板10的一侧，第二电极22所在的膜层采用透明导电材料制成，第三电极32与第二电极22同层制备，且可采用相同的材料形成，具体地，可采用铟锡氧化物或金属材料制备，例如金属银等，实现第三电极32与第二电极22的透明导电。其中，第四电极31可以位于第三电极32靠近第一基板10的一侧，也可以位于第三电极32远离第一基板10的一侧，可与显示面板显示部分的已有导电膜层同层制备，也可以单独制备。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，透光率调整模块中的第三电极与第二电极，也即二极管的阴极同层制备，能够减少显示面板的膜层结构，同时，无机发光二极管的阴极位于无机发光二极管的出光一侧，通常采用透明导电材料制成，第三电极与该阴极同层制备时，可采用相同材料在同一制程中完成，减少工艺复杂性。
在一种实施例中，请继续参考图7和图8，像素电路的第二薄膜晶体管T2包括有源层A，有源层A采用透明非晶氧化物半导体材料制成，第四电极31与有源层A同层制备，具体地，有源层A所在的膜层可采用铟镓锌氧化物制备，实现第四电极31的透明导电。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，透光率调整模块中的第四电极与第一基板中薄膜晶体管的有源层同层制备，能够减少显示面板的膜层结构，同时，薄膜晶体管的有源层可采用透明导电材料制成，第四电极与该有源层同层制备时，可采用相同材料在同一制程中完成，减少工艺复杂性。
在一种实施例中，请继续参考图7，第三电极32与第二电极22相互绝缘，第三电极32与第二电极22可各自分别施加不同的电信号，第四电极31与有源层A电连接，使得第四电极31与有源层A具有相同的电信号。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，可通过仅改变第三电极上的电压信号来达到调节第三电极和第四电极之间电场的目的，避免调节第三电极和第四电极之间电场时，对显示面板的无机发光二极管的显示过程产生影响。
在一种实施例中，请继续参考图7，至少一个薄膜晶体管T2的有源层A延伸至非发光区NLA，并复用做第四电极31。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，将薄膜晶体管有源层延伸，复用做第四电极31，进一步减少工艺复杂性。
在一种实施例中，请继续参考图7，材料层33仅设置于非发光区NLA，且位于第三电极32与第四电极31之间。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，材料层仅位于非发光区，不设置于发光区，不会影响到无机发光二极管的显示，两电极位于材料层的两侧，能够使材料层位于均匀的电场内，进而使得材料层因电场变化产生的透光率变化均匀，从而使得无机发光二极管显示面板整体的透光率变化均匀。
在一种实施例中，请继续参考图7，显示面板还包括隔堤层15，隔堤层15位于第一电极21远离第一基板10的一侧且具有暴露第一电极21的第一开口，p-n二极管23位于第一开口内，第二电极22位于p-n二极管23远离第一电极21的一侧；第一基板10包括衬底基板10和位于衬底基板10靠近无机发光二极管20一侧的多个绝缘层，其中，将隔堤层15与有源层A之间绝缘层命名为第一绝缘层，例如在图7中，第一基板10的多个绝缘层包括位于衬底基板11与栅极G所在导电层之间的缓冲层12、位于栅极G所在导电层与有源层A所在导电层之间的栅极绝缘层13，以及位于栅极绝缘层13远离衬底基板11一侧的平坦化层14，其中，平坦化层14为位于隔堤层15和有源层A之间的第一绝缘层。隔堤层15和平坦化层14形成暴露第四电极31的第二开口，材料层33填充在第二开口中。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，以隔堤层、以及隔堤层与有源层之间绝缘层作为控制材料层范围的挡墙，无需额外设置挡墙结构，减小无机发光二极管显示面板的复杂性，同时，在形成填充材料层的第二开口时，可以与形成设置无机发光二极管的第一开口在同一制程中完成，进一步减少工艺复杂性。
在一种实施例中，图9为本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图，如图9所示，第一电极21为无机发光二极管20的阳极，第二电极22为无机发光二极管20的阴极，第二电极22所在的膜层采用透明导电材料制成，第三电极32与第二电极22同层制备，第四电极31单独制备，且位于发光器件层远离第一基板10的一侧。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，透光率调整模块中的第四电极位于发光器件层远离第一基板的一侧，在工艺流程中不会影响到显示面板中第一基板以及发光器件层的制作，减小由于设置透光率调整模块而对第一基板和发光器件层产生的影响。
在一种实施例中，请继续参考图9，第三电极32与第二电极22电连接。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，由于第三电极与第二电极电连接，那么可通过第二电极向第三电极施加电压信号，无需额外设置第三电极的信号线路，降低无机发光二极管显示面板电路的复杂性，同时，由于第四电极位于发光器件层远离第一基板的一侧，通过向第四电极施加不同的电压信号来实现第三电极与第四电极之间电场的变化，减小由于透光率调整模块对显示面板显示功能的影响。
在一种实施例中，请继续参考图9，第二电极22延伸至非发光区并复用做第三电极32。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，将无机发光二极管的第二电极延伸，复用做第三电极，即第二电极为一覆盖发光区与非发光区的整面结构，这样无需额外成膜、刻蚀工艺去形成图案化的第三电极，进一步减少工艺复杂性。
在一种实施例中，请继续参考图9，第四电极31由非发光区延伸至发光区，材料层33设置于非发光区和发光区，也即覆盖无机发光二极管20，且位于第三电极33与第四电极31之间。
采用该实施例提供的无机发光二极管显示面板，材料层同时位于非发光区和发光区，能够增加显示面板透光率的调节范围，两电极位于材料层的两侧，能够使材料层位于均匀的电场内，进而使得材料层因电场变化产生的透光率变化均匀，从而使得无机发光二极管显示面板整体的透光率变化均匀。
在一种实施例中，图10为本发明又一种实施例提供的无机发光二极管显示面板的剖视结构示意图，如图10和图8所示，像素电路的第二薄膜晶体管T2包括有源层A，有源层A采用透明非晶氧化物半导体材料制成，第三电极32与有源层A同层制备，第四电极31位于第三电极32远离衬底基板11的一侧。
在一种实施例中，无机发光二极管显示面板为透明显示面板，具体地，无机发光二极管显示面板的各膜层结构采用透明材料形成，从而在一种状态下，无机发光二极管显示面板可以为不显示图像的完全透明状态，在另一种情况下，无机发光二极管显示面板可以为显示图像的半透明状态，在第三种状态下，无机发光二极管显示面板可以为不显示图像的不透明状态。
以上为本发明提供的无机发光二极管显示面板的实施例，本发明还提供了一种显示装置，图11为本发明实施例的显示装置的结构示意图，如图11所示，该显示装置包括壳体和包裹于壳体之内的显示面板，该显示面板为上述任意一种实施例提供的无机发光二极管显示面板，具有相应的技术特征和技术效果，在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的无机发光二极管显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
显示面板至少在显示区的非发光区设置透光率调整模块，透光率调整模块包括两个电极和位于两电极之间电场内的材料层，通过改变两电极的压差，改变两电极之间电场强度，能够调整材料层的透光率，从而实现显示面板透光率的调节，使得无机发光二极管显示面板能够根据需要，应用于对显示面板透光率需要有变化的场景。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (18)

1.一种无机发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板划分为显示区和围绕所述显示区的非显示区；
所述显示面板包括：
第一基板；
设置于所述第一基板一侧的发光器件层，其中，所述发光器件层包括若干无机发光二极管，所述无机发光二极管包括第一电极、第二电极和电连接在所述第一电极和所述第二电极之间的p-n二极管；
透光率调整模块，包括第三电极、第四电极和材料层，其中，所述第三电极与所述第四电极之间的电场发生变化时，所述材料层的透光率发生变化；
其中，所述显示区包括非发光区和发光区，所述无机发光二极管位于所述发光区，所述透光率调整模块至少位于所述非发光区；
相邻子像素行之间的区域和相邻子像素列之间的区域均为非发光区，透光率调整模块位于相邻子像素列之间非发光区，且位于相同颜色的子像素之间，不同颜色的子像素之间距离小于相同颜色像素之间距离。
2.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述材料层包括聚合物分散液晶。
3.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述第一基板包括衬底基板、位于所述衬底基板与所述发光器件层之间的若干导电层和位于相邻所述导电层之间的若干绝缘层，其中，所述若干导电层用于形成所述无机发光二极管显示面板的像素电路；
所述第三电极与所述若干导电层、所述第一电极或所述第二电极同层制备，和/或，所述第四电极与所述若干导电层、所述第一电极或所述第二电极同层制备。
4.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二电极为阴极，所述第二电极所在的膜层采用透明导电材料制成，所述第三电极与所述第二电极同层制备。
5.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述透明导电材料为铟锡氧化物。
6.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述像素电路包括薄膜晶体管，所述若干导电层包括所述薄膜晶体管的有源层，所述有源层采用透明非晶氧化物半导体材料制成；
所述第四电极与所述有源层同层制备。
7.根据权利要求6所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述透明非晶氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物。
8.根据权利要求6所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述第三电极与所述第二电极相互绝缘，所述第四电极与所述有源层电连接。
9.根据权利要求8所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，至少一个所述薄膜晶体管的有源层延伸至所述非发光区并复用做所述第四电极。
10.根据权利要求6所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述材料层仅设置于所述非发光区，且位于所述第三电极与所述第四电极之间。
11.根据权利要求10所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括隔堤层，所述隔堤层位于所述第一电极远离所述第一基板的一侧且具有暴露所述第一电极的第一开口，所述p-n二极管位于所述第一开口内，所述第二电极位于所述p-n二极管远离所述第一电极的一侧；
所述若干绝缘层包括位于所述隔堤层与所述有源层之间的第一绝缘层；
所述隔堤层和所述第一绝缘层形成暴露所述第四电极的第二开口，所述材料层填充在所述第二开口中。
12.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述第四电极位于所述发光器件层远离所述第一基板的一侧。
13.根据权利要求12所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述第三电极与所述第二电极电连接。
14.根据权利要求13所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述第二电极延伸至所述非发光区并复用做所述第三电极。
15.根据权利要求12所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述第四电极由所述非发光区延伸至所述发光区；
所述材料层设置于所述非发光区和所述发光区，且位于所述第三电极与所述第四电极之间。
16.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述像素电路包括薄膜晶体管，所述若干导电层包括所述薄膜晶体管的有源层，所述有源层采用透明非晶氧化物半导体材料制成；
所述第三电极与所述有源层同层制备。
17.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板，其特征在于，
所述显示面板为透明显示面板。
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至17中任一项所述的无机发光二极管显示面板。
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