JP2003107453A

JP2003107453A - 電気光学装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003107453A
Application number: JP2001294719A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Murai; 一郎村井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-09-26
Filing date: 2001-09-26
Publication date: 2003-04-09
Anticipated expiration: 2021-09-26
Also published as: JP4154880B2

Abstract

(57)【要約】【課題】携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適
に用いられる、画素内の透過モード表示におけるコント
ラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学
装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】電気光学物質を封入、保持して対向配置
された一対の基板１０、２０と、一対の基板１０、２０
のうちの一方の基板１０の電気光学物質側に形成され、
一対の基板１０、２０のうちの他方の基板２０側からの
入射光を反射するとともに、背面光源からの光を透過す
る一以上の透過窓１４をその所定箇所に貫通して有する
反射電極９と、反射電極９の下層側の透過窓１４に対応
した領域を覆うように形成された透明電極８と、反射電
極９の上層に形成された配向膜１２とを備えた電気光学
装置であって、一方の基板１０と反射電極９との間に凹
凸を有する凹凸層７が配設され、反射電極９が、凹凸層
７の凹凸に対応した、反射光を散乱させる表面凹凸形状
を有するとともに、凹凸層７が透過窓１４に対応した領
域にまで延設されてなることを特徴とする電気光学装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
その製造方法に関する。さらに詳しくは、携帯電話機、
モバイルコンピュータ等に好適に用いられる、透過窓の
部分にも配向処理が十分に施され、画素内の透過モード
表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性
にも優れた電気光学装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置（例えば、液晶表示装置、
ＥＬ発光表示装置等）は、携帯電話機、モバイルコンピ
ュータ等の各種機器の直視型の表示装置として広く用い
られている。このような電気光学装置のうち、例えば、
アクティブマトリクス型で、半透過・半反射型の液晶表
示装置においては、対向配置されたＴＦＴアレイ基板と
対向基板とがシール材で貼り合わされているとともに、
基板間のシール材で区画された領域内に電気光学物質と
しての液晶が封入、保持されている。

【０００３】また、ＴＦＴアレイ基板の表面に、対向基
板の側から入射してきた外光を対向基板の方向に反射す
るための反射電極が形成されており、対向基板側から入
射した光をＴＦＴアレイ基板の反射電極で反射し、対向
基板側から出射した光によって画像を表示する（反射モ
ード）。また、反射電極には光を透過する透過窓が形成
され、この透過窓を覆うように、反射電極の下層側に透
明電極が形成され、バックライトからの光のうち透過窓
を透過した光によって画像を表示する（透過モード）。

【０００４】このような液晶表示装置に用いられるＴＦ
Ｔアレイ基板１２０としては、例えば、図１４（Ａ）に
示すように、画素１１０の一部に、後述する凹凸層（図
示せず）と、この凹凸層上に形成された、外光を反射し
て画像を表示する反射電極１０８（反射電極１０８に
は、凹凸層の表面凹凸形状に対応した形状の反射用の凹
凸１０９が形成されている）と、反射電極１０８を形成
しない部分である透過窓１０７と、透過窓１０７に対応
した領域を覆うように形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
ＴｉｎＯｘｉｄｅ）からなる透明電極（図示せず）
とを備えたものとし、バックライト（図示せず）からの
光を、透過窓１０７から透過させて画像を表示するもの
が用いられている。このようなＴＦＴアレイ基板１２０
は、図１４（Ｂ）に示すように（図１４（Ｂ）は図１４
（Ａ）のＣ−Ｃ’線における断面図である）、基板１０
１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）等の下地保護膜
１０２、ＩＴＯ等からなる透明電極１０３及びアルミニ
ウムもしくはアルミニウムの合金あるいはアルミニウム
の積層膜からなるソース線（図示せず）、薄膜トランジ
スタ（図示せず）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の保
護膜１０４（この保護膜１０４は形成しない場合があ
る）、反射電極１０８の表面に反射用の凹凸１０９を形
成するためのアクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂の２
層からなる凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６、及びア
ルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、
窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜からな
り、透過窓１０７を有する反射電極１０８等を積層して
形成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような構成の反射
電極を用いた液晶表示装置は、外光の明るさに影響され
ず、視認性に優れた液晶表示装置を提供することを可能
にしたが、一方、反射電極１０８の表面に反射用の凹凸
１０９を形成するために用いられるアクリル樹脂等から
なる凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６の膜厚は、２層
で最大５μｍにも達するほど大きいため、凹凸形成層１
０５及び凹凸層１０６が存在しない透過窓１０７の部分
においては、画素全体ではかなり薄い構造（段差を有す
る構造）になる。このためポリイミド等の配向膜の形成
（塗布）時、配向膜は、透過窓１０７の部分には形成
（塗布）されず、また、十分な配向処理を施すことが困
難になり、表示特性に悪影響を及ぼすことになる。例え
ば、ノーマリホワイトの場合、電位を加えても、透過窓
１０７の部分だけ黒くならず、白く見えてしまうという
問題があった。

【０００６】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであって、透過窓の部分にも配向処理が十分に施され
た、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優
れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、電気光学物質を封入、
保持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板
のうちの一方の基板の前記電気光学物質側に形成され、
前記一対の基板のうちの他方の基板側からの入射光を反
射するとともに、背面光源からの光を透過する一以上の
透過窓をその所定箇所に貫通して有する反射電極と、前
記反射電極の下層側の前記透過窓に対応した領域を覆う
ように形成された透明電極と、前記反射電極の上層に形
成された配向膜とを備えた電気光学装置であって、前記
一方の基板と前記反射電極との間に凹凸を有する凹凸層
が配設され、前記反射電極が、前記凹凸層の凹凸に対応
した、反射光を散乱させる表面凹凸形状を有するととも
に、前記凹凸層が前記透過窓に対応した領域にまで延設
されてなることを特徴とする。

【０００８】このように構成することによって、反射電
極の表面に、反射光を適度に散乱させる表面凹凸形状
（反射用の凹凸）を備え、また、透過窓の部分にも配向
膜を十分に形成（塗布）して、配向処理を十分に施すこ
とが可能になり、画素内の透過モード表示におけるコン
トラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光
学装置を提供することができる。

【０００９】また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸
層の凸部分が、前記透過窓に対応した領域とそれ以外の
領域との境界部分を跨ることなく前記境界部分の内側又
は外側のいずれかに位置するように配設されるものであ
ることが好ましい。

【００１０】このように構成することによって、反射電
極にフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用い
て透過窓の形成を行う場合、エッチング剤等が、反射電
極と凹凸層の間に侵入するのを有効に防ぐことができ
る。

【００１１】また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸
層が、透光性の感光性樹脂から形成されてなるものであ
ることが好ましい。

【００１２】このように構成することによって、製造工
程を効率化することができるとともに、透過特性の低減
を防止することができる。

【００１３】また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸
層の下層側に、凹凸形成層がさらに配設されてなるもの
であることが好ましい。

【００１４】このように構成することによって、エッジ
や、平坦部分の少ない滑らかな表面凹凸形状を有する凹
凸層を容易に形成することができる。

【００１５】また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸
形成層が、透光性の感光性樹脂から形成されてなるもの
であることが好ましい。

【００１６】このように構成することによって、所望の
位置に、所望の大きさの、表面凹凸形状を有する凹凸層
を効率よく形成することができる。

【００１７】また、本発明の電気光学装置は、前記反射
電極が、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又
はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積
層膜から構成されたものであることが好ましい。

【００１８】このように構成することによって、光反射
効率を高めることができる。

【００１９】また、本発明の電気光学装置は、前記透明
電極が、ＩＴＯ膜から構成されたものであることが好ま
しい。

【００２０】このように構成することによって、透過モ
ード表示におけるコントラストを高めることができる。

【００２１】また、本発明の電気光学装置は、前記透明
電極の形成領域が、前記反射電極の形成領域よりも広い
ものであることが好ましい。

【００２２】このように構成することによって、透過モ
ード表示におけるコントラストを高めることができる。

【００２３】また、本発明の電気光学装置は、前記透明
電極と前記反射電極とが、電気的に接続されてなるもの
であることが好ましい。

【００２４】このように構成することによって、消費電
力の低減化を図ることができる。

【００２５】また、本発明の電気光学装置は、前記透明
電極が、前記透過窓の外側で電位供給線と電気的に接続
されてなるものであることが好ましい。

【００２６】このように構成することによって、消費電
力の低減化を図ることができる。

【００２７】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、電気光学物質を封入、保持して対向配置した一対の
基板のうちの、一方の基板の前記電気光学物質側に、透
明電極を形成する工程と、前記透明電極の上層側に、前
記一対の基板のうちの他方の基板側からの入射光を反射
するとともに、背面光源からの光を透過する一以上の透
過窓をその所定箇所に貫通して有する反射電極を形成す
る工程と、前記反射電極の上に配向膜を形成する工程と
を含む電気光学装置の製造方法であって、前記反射電極
を形成する工程の前に、前記一方の基板と前記反射電極
との間に凹凸を有する凹凸層を配設する工程を含み、前
記反射電極を形成する工程の際に、前記凹凸層の凹凸に
対応した、反射光を散乱させる表面凹凸形状を形成する
ことが可能であるとともに、前記凹凸層を配設する工程
の際に、前記凹凸層を前記透過窓に対応した領域にまで
延設することを特徴とする。

【００２８】このように構成することによって、反射電
極の表面に、反射光を適度に散乱させる表面凹凸形状
（反射用の凹凸）を備え、画素内の透過モード表示にお
けるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れ
た電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供すること
ができる。

【００２９】この場合、前記凹凸層の凸部分を、前記透
過窓に対応した領域とそれ以外の領域との境界部分を跨
ることなく前記境界部分の内側又は外側のいずれかに位
置するように配設することが好ましい。

【００３０】このように構成することによって、反射電
極にフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用い
て透過窓の形成を行う場合、エッチング剤等が、反射電
極と凹凸層の間に侵入するのを有効に防ぐことができ
る。

【００３１】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記凹凸層を、透光性の感光性樹脂から形成するこ
とが好ましい。

【００３２】このように構成することによって、製造工
程を効率化することができるとともに、透過特性の低減
を防止することができる。

【００３３】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記凹凸層の下層側に、凹凸形成層をさらに配設す
ることが好ましい。

【００３４】このように構成することによって、エッジ
や、平坦部分の少ない滑らかな表面凹凸形状を有する凹
凸層を効率よくかつ低コストで形成することができる。

【００３５】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記凹凸形成層を、透光性の感光性樹脂から形成す
ることが好ましい。

【００３６】このように構成することによって、所望の
位置に、所望の大きさの、表面凹凸形状を有する凹凸層
を効率よくかつ低コストで形成することができる。

【００３７】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記反射電極を、アルミニウムや銀、もしくはこれ
らの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タン
タル等との積層膜から構成することが好ましい。

【００３８】このように構成することによって、光反射
効率の高い電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供
することができる。

【００３９】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記透明電極を、ＩＴＯ膜から構成することが好ま
しい。

【００４０】このように構成することによって、透過モ
ード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を効
率よくかつ低コストで提供することができる。

【００４１】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記透明電極の形成領域を、前記反射電極の形成領
域よりも広く形成することが好ましい。

【００４２】このように構成することによって、透過モ
ード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を効
率よくかつ低コストで提供することができる。

【００４３】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記透明電極と前記反射電極とを、電気的に接続す
ることが好ましい。

【００４４】このように構成することによって、消費電
力の低減化を図った電気光学装置を効率よくかつ低コス
トで提供することができる。

【００４５】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記透明電極を、前記透過窓の外側で電位供給線と
電気的に接続することが好ましい。

【００４６】このように構成することによって、消費電
力の低減化を図った電気光学装置を効率よくかつ低コス
トで提供することができる。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電気光学装置及び
その製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的
に説明する。

【００４８】（電気光学装置の基本的な構成）図１は、
本発明の電気光学装置の一の実施の形態である液晶表示
装置を、各構成要素とともに対向基板の側から見た平面
図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線における断面図で
ある。図３は、電気光学装置（液晶表示装置）の画像表
示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素に
おける各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本
形態の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図
面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部
材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００４９】図１及び図２において、本実施の形態の電
気光学装置（液晶表示装置）１００は、ＴＦＴアレイ基
板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）と
がシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５
２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電
気光学物質としての液晶５０が封入、保持されている。
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料
からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５
２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１、及び実
装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形
成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線
駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走
査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２
０５が設けられており、さらに、周辺見切り５３の下側
等を利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられ
ることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少な
くとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材
２０６が配設されている。

【００５０】なお、データ線駆動回路２０１及び走査線
駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する
代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ
（テープオートメイテッドボンディング）基板とＴ
ＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異
方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するように
してもよい。なお、電気光学装置１００おいては、使用
する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネ
マティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等
々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリ
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここで
は図示を省略している。

【００５１】また、電気光学装置１００をカラー表示用
として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域
に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフ
ィルタをその保護膜とともに形成する。

【００５２】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画像表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチン
グ用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ
２、・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０の
ソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き
込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、この順に線順
次で（線番号の順番で）供給してもよく、相隣接する複
数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給する
ようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査
線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・
・Ｇｍをこの順に線順次で（線番号の順番で）印加する
ように構成されている。反射電極９及び透明電極８は、
ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイ
ッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態
とすることにより、データ線６ａから供給される画素信
号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミング
で書き込む。このようにして反射電極９及び透明電極８
を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ
１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対
向電極２１との間で一定期間保持される。

【００５３】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルによって分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリホワ
イトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光が
この液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリ
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大する。そ
の結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号
Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光
が出射される。

【００５４】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、反射電極９と対
向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６
０（図３参照）を付加することがある。例えば、反射電
極９及び透明電極８の電圧は、ソース電圧が印加された
時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持
される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コン
トラスト比の高い電気光学装置１００を実現することが
できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、
図３に示すように、蓄積容量６０を形成するための配線
である容量線３ｂとの間に形成する場合、及び前段の走
査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよ
い。

【００５５】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本実
施の形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複
数の画素群の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線
における画素の断面図である。

【００５６】図４において、ＴＦＴアレイ基板上には、
アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタ
ン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜か
ら構成された反射電極９がマトリクス状に形成されてお
り（図４においては一画素を示す）、これら各反射電極
９に対して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参
照）がそれぞれ透明電極８を介して電気的に接続してい
る。また、反射電極９を形成する領域の縦横の境界に沿
って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成
され、ＴＦＴ３０（図３参照）は、データ線６ａ及び走
査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６
ａは、コンタクト孔を介してＴＦＴ３０（図３参照）の
高濃度ソース領域１ａに電気的に接続し、透明電極８
は、コンタクト孔１５及びソース線６ｂを介してＴＦＴ
３０（図３参照）の高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に
接続している。また、ＴＦＴ３０（図３参照）のチャネ
ル形成用領域１ａ’に対向するように走査線３ａが延び
ている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素子）は、画素
スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）を形成するた
めの半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電
極とし、この下電極１ｆに、走査線３ａと同層の容量線
３ｂが上電極として重なった構造になっている。

【００５７】図４に示すように、このように構成した各
画素１００ａにおいては、透過窓１４を有する反射電極
９が形成され、それらの表面には、後述する凹凸層（図
示せず）が全面に形成されている。透過窓１４に対応す
る領域は、透明電極８によって覆われ、透過モードで画
像表示を行う透過領域であり、その他の領域は、後述す
る凹凸形成層（図示せず）、凹凸層（図示せず）及び反
射電極９を備えた反射領域であり、ここでは反射モード
で画像表示を行う。

【００５８】図５に示すように、この反射領域のＡ−
Ａ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ基板１０
の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板
１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリ
コン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成さ
れ、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜
１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成されている。半導
体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコ
ン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲー
ト絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの
走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１
のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対
向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になっている。
このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側には、低
濃度領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ａを備えるソース
領域が形成され、他方側には低濃度領域１ｂ及び高濃度
ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成され、そ
の中間には、ソース、ドレインのどちらの領域にも属さ
ない高濃度領域１ｃが形成されている。

【００５９】画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参
照）の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシ
リコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、及び厚さが１
００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層
間絶縁膜５（表面保護膜）が形成されている（この第２
層間絶縁膜５（表面保護膜）は形成しなくてもよい）。
第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８０
０ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａ
は、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクト孔を介し
て高濃度ソース領域１ａに電気的に接続している。

【００６０】第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の上層に
は、有機系樹脂等の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３
及び凹凸層７がこの順に形成され、凹凸層７の表面に
は、ＩＴＯ膜等からなる透明電極８が形成され、透明電
極８の上層には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの
合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル
等との積層膜からなる反射電極９が順次形成されてい
る。反射電極９の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に
対応した凹凸パターン９ｇが形成されている。

【００６１】反射電極９及び透明電極８は、コンタクト
孔１５を介してソース線６ｂと電気的に接続している。

【００６２】反射電極９の表面には、背面光源からの光
を透過するための透過窓１４が形成されている。

【００６３】反射電極９の表面側と、透過窓１４の形成
によって最上層となった透明電極８の表面側にはポリイ
ミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向
膜１２の表面側には、ラビング処理が施されている。

【００６４】また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時
形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと
同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、
蓄積容量６０（図３参照）が構成されている。

【００６５】なお、ＴＦＴ３０（図３参照）は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・
ドレイン構造）をもつが、低濃度領域１ｂに相当する領
域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造
を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０（図３参照）
は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高
濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度の
ソース及びドレイン領域を形成したセルフアライン型の
ＴＦＴであってもよい。

【００６６】また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０（図
３参照）のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイ
ン領域の間に２個配置したデュアルゲート（ダブルゲー
ト）構造としたが、１個配置したシングルゲート構造で
あってもよく、また、これらの間に３個以上のゲート電
極を配置したトリプルゲート以上の構造であってもよ
い。複数個配置した場合、各々のゲート電極には同一の
信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲー
ト（ダブルゲート）、又はトリプルゲート以上でＴＦＴ
３０（図３参照）を構成すれば、チャネルとソース−ド
レイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時
の電流を低減することができる。これらのゲート電極の
少なくとも１個をＬＤＤ構造又はオフセット構造にすれ
ば、さらに、オフ電流を低減でき、安定したスイッチン
グ素子を得ることができる。

【００６７】図４〜図５において、ＴＦＴアレイ基板１
０では、各画素１００ａの反射領域には、反射電極９の
表面のうち、ＴＦＴ３０（図３参照）の形成領域及びコ
ンタクト孔１５から外れた領域（凹凸層形成領域）に
は、前述のように凹凸パターン９ｇが形成されている。

【００６８】このような凹凸パターン９ｇを構成するに
あたって、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０では、
前述の凹凸層形成領域には、アクリル樹脂等の有機系の
透光性の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３が第２層間
絶縁膜５の表面に１〜３μｍの厚さで例えば、スピンコ
ートによって形成され、この凹凸形成層１３の上層に
は、アクリル樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂等の
ような流動性材料から形成された絶縁膜からなる凹凸層
７が１〜２μｍの厚さで例えば、スピンコートによって
積層されている。

【００６９】凹凸形成層１３には、多数の凹凸が形成さ
れている。このため、図５に示すように、反射電極９の
表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応する凹凸パタ
ーン９ｇが形成され、この凹凸パターン９ｇでは、凹凸
層７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないよ
うになっている。なお、凹凸層７を形成せずに、凹凸形
成層１３を形成した後、ベーク工程を行うことにより、
凹凸形成層１３の凹凸の縁を滑らかにしてもよい。

【００７０】（対向基板の構成）図５において、対向基
板２０では、対向基板側のガラス基板２０’上の、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０に形成されている反射電極９の縦横の
境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、又はブ
ラックストライプ等と称せられる遮光膜２３が形成さ
れ、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が
形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポ
リイミド膜からなる配向膜２２が形成される。なお、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５
０が、保持、封入されている。

【００７１】（本形態の電気光学装置の作用）このよう
に構成した電気光学装置１００（図１参照）では、アル
ミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒
化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜からなる
反射電極９が形成されているため、対向基板２０側から
入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基
板２０側から出射することができるので、この間に液晶
５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光
を利用して所望の画像を表示することができる（反射モ
ード）。

【００７２】また、電気光学装置１００（図１参照）に
おいては、図４〜図５において、反射電極９に設けられ
た透過窓１４を覆うように透明電極８が形成されている
ため、透過型の液晶表示装置としても機能する。すなわ
ち、ＴＦＴアレイ基板１０の側に配置されたバックライ
ト装置（図示せず）から出射された光は、ＴＦＴアレイ
基板１０の側に入射した後、各画素１００ａにおいて反
射電極９が形成されている領域のうち、反射電極９が形
成されていない透過領域（透明電極８によって覆われた
透過窓１４）を経由して対向基板２０側に透過する。こ
のため、液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を
行えば、バックライト装置（図示せず）から出射された
光を利用して所望の画像を表示することができる（透過
モード）。

【００７３】また、本実施の形態では、反射電極９の下
層側のうち、反射電極９と平面的に重なる領域に凹凸形
成層１３を形成し、この凹凸形成層１３の凹凸を利用し
て、反射電極９の表面に光散乱用の凹凸パターン９ｇを
形成している。また、凹凸パターン９ｇでは、凹凸層７
によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないように
なっている。従って、反射モードで画像を表示したと
き、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が
小さい。

【００７４】さらに、透過窓１４の部分にも配向膜１２
を十分に形成（塗布）して、かつ配向処理を十分に施す
ことが可能になり、画素内の透過モード表示におけるコ
ントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気
光学装置を提供することができる。

【００７５】［ＴＦＴの製造方法］このような構成のＴ
ＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図６〜図１０を
参照しつつ、具体的に説明する。

【００７６】図６〜図１０はいずれも、本実施の形態の
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。

【００７７】まず、図６（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したＴＦＴアレイ基板用のガラス基板
１０’を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の
温度条件下で、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’
の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護膜１１をプ
ラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに
形成する。このときの原料ガスとしては、例えば、モノ
シランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合ガスやＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）と
酸素、又はジシランとアンモニアを用いることができ
る。

【００７８】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の
全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズ
マＣＶＤ法により３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成す
る。このときの原料ガスとしては、例えば、ジシランや
モノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に
対してレーザ光を照射してレーザアニールを施す。その
結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却
固化過程を経て結晶化する。この際には、各領域へのレ
ーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領
域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同
時に高温に熱せられることがない。それゆえ、ＴＦＴア
レイ基板用のガラス基板１０’としてガラス基板等を用
いても熱による変形や割れ等が生じない。

【００７９】次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を介して半導体
膜１をエッチングすることにより、図６（Ｂ）に示すよ
うに、島状の半導体膜１（能動層）を形成するための半
導体膜を各々分離した状態に形成する。

【００８０】次に、３５０℃以下の温度条件下で、ＴＦ
Ｔアレイ基板用のガラス基板１０’の全面に、ＣＶＤ法
等により半導体膜１の表面に、シリコン酸化膜等からな
るゲート絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成
する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素
ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形成す
るゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン
窒化膜であってもよい。

【００８１】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不純物イオ
ンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構
成するための下電極を形成する（図４及び図５参照）。

【００８２】次に、図６（Ｃ）に示すように、スパッタ
法等により、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の
全面に、走査線３ａ等を形成するためのアルミニウム、
タンタル、モリブデン等からなる金属膜、又はこれらの
金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜３
を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォト
リソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を形成
する。

【００８３】次に、レジストマスクを介して導電膜３を
ドライエッチングし、図６（Ｄ）に示すように、走査線
３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。

【００８４】次に、画素ＴＦＴ部及び駆動回路のＮチャ
ネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲー
ト電極をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ²〜約
１０×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で低濃度の不純物イオ
ン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して自
己整合的に低濃度領域１ｂを形成する。ここで、走査線
３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入さ
れなかった部分は半導体膜１のままのチャネル形成用領
域１ａ’となる。

【００８５】次に、図７（Ａ）に示すように、画素ＴＦ
Ｔ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジ
ストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リ
ンイオン）を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０
¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１
ａ、高濃度領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｄを形成
する。

【００８６】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及び
ドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマ
スクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライ
ン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよ
い。

【００８７】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジ
ストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドー
ズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的
にＰチャネルのソース−ドレイン領域を形成する。

【００８８】この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同
様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃ
ｍ²〜約１０×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で低濃度の不純
物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃
度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマスクを
形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×
１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で打
ち込んで、ＬＤＤ構造のソース領域及びドレイン領域を
形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを行
わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状態
で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフセ
ット構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよ
い。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化
（相補型化：ＣｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙＭＯＳ化）
が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可
能になる。

【００８９】次に、図７（Ｂ）に示すように、走査線３
ａの表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等から
なる層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形
成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸
素ガスとの混合ガスを用いることができる。

【００９０】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５４を形成する。

【００９１】次に、レジストマスク５５４を介して層間
絶縁膜４にドライエッチングを行い、図７（Ｃ）に示す
ように、層間絶縁膜４においてソース領域及びドレイン
領域に対応する部分等にコンタクト孔をそれぞれ形成す
る。

【００９２】次に、図７（Ｄ）に示すように、層間絶縁
膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を構成
するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン膜、
タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のいずれ
かを主成分とする合金膜又は積層膜からなる金属膜６を
スパッタ法等で４００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成し
た後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク
５５５を形成する。

【００９３】次に、レジストマスク５５５を介して金属
膜６にドライエッチングを行い、図８（Ａ）に示すよう
に、データ線６ａ、及びソース線６ｂを形成する。

【００９４】次に、図８（Ｂ）に示すように、シリコン
窒化膜からなる第２層間絶縁膜５を、データ線６ａ、及
びソース線６ｂの表面側にＣＶＤ法等により、１００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの膜厚に形成する。

【００９５】次に、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
アクリル樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂１３ａを
１〜３μｍの厚さにスピンコートで塗布した後、感光性
樹脂１３ａをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングすることによって、厚さが１μｍ〜３μｍの凹凸形
成層１３を形成する。次いで、角をとるためベーク工程
を行ってもよい。

【００９６】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して凹凸形成層１３を形成する際、透光性の感光性樹脂
１３ａとしてはネガタイプ及びポジタイプのいずれを用
いてもよいが、図９（Ａ）には、感光性樹脂１３ａとし
てポジタイプを用いた場合を例示してあり、感光性樹脂
１３ａを除去したい部分に対して、所定の露光マスクの
透光部分を介して紫外線を照射する。

【００９７】次に、図９（Ｃ）に示すように、透明電極
８及び凹凸形成層１３の表面側に、アクリル樹脂等の有
機系の透光性の感光性樹脂７ａをスピンコートで１μｍ
〜２μｍの厚さに塗布する。

【００９８】次に、図９（Ｄ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂７ａ（図９
（Ｃ）参照）をソース線６ｂの表面に達するまで貫通、
開口させて、後述するコンタクト孔１５を形成すること
ができるように開口１４ｂを形成するとともに、この開
口１４ｂを備えた厚さが１μｍ〜２μｍの凹凸層７を形
成する。

【００９９】ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料
を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面に
は、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジ
等のない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。

【０１００】なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形
状の凹凸パターンを形成する場合には、図９（Ｂ）に示
す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を滑
らかな形状にしてもよい。

【０１０１】次に、図１０（Ａ）に示すように、凹凸層
７及びコンタクト孔１５の表面に、スパッタリング法等
によって、約５０〜２００ｎｍの厚さのＩＴＯからなる
透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術及びエッ
チング技術を用いて、所定のパターンの透明電極８を形
成する。透明電極８の表面に、アルミニウムや銀、もし
くはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデ
ン、タンタル等との積層膜のような反射性を備えた金属
膜９ａを形成する。

【０１０２】次に、図１０（Ｂ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、透過窓
１４となる部分及び隣接する画素との間を選択的に除去
して、透過窓１４を備えた反射電極９を形成する。この
ようにして形成した反射電極９は、透明電極８を介して
ドレイン電極６ｂと電気的に接続している。また、反射
電極９の表面には、凹凸形成層１３及び凹凸層７からな
る凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以
上の凹凸パターン９ｇが形成され、かつ、この凹凸パタ
ーン９ｇは、凹凸層７によって、エッジ等のない、滑ら
かな形状になっている。

【０１０３】その後、反射電極９と、透過窓１４の形成
によって最上層となった透明電極８との表面側に配向膜
（ポリイミド膜）１２を形成する。それには、ブチルセ
ロソルブやｎ−メチルピロリドン等の溶媒に５〜１０重
量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミ
ド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）
する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン
系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分
子を表面近傍で一定方向に配列させる（ラビング処理を
施す）。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド
分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列す
る。

【０１０４】以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板１０
が完成する。

【０１０５】上記のいずれの形態も、画素スイッチング
素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液
晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子と
してＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さら
には液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）
を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。

【０１０６】［電気光学装置の電子機器への応用］この
ように構成した半反射・半透過型の電気光学装置１００
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図１１〜図１３を参照しつつ具体的に
説明する。

【０１０７】図１１は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。

【０１０８】図１１において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３及び液晶表示装置７４を有す
る。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及
び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述
した電気光学装置１００を用いることができる。

【０１０９】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種
ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【０１１０】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路７６
へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧
を供給する。

【０１１１】図１２は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。

【０１１２】図１３は、他の電子機器である携帯電話機
を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操
作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる
表示部とを有している。

【０１１３】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適に用い
られる、透過窓の部分にも配向処理が十分に施された、
画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れる
とともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びその製
造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電気光学装置の一の実施の形態を対向
基板の側から見たときの平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ’線における断面図である。

【図３】本発明の電気光学装置の一の実施の形態におい
て、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された
各種素子、配線等の等価回路図である。

【図４】本発明の電気光学装置の一の実施の形態におい
て、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す
平面図である。

【図５】図４のＡ−Ａ’線における画素の断面図であ
る。

【図６】本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の
形態において、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図７】図６に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造
方法を工程順に示す断面図である。

【図８】図７に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造
方法を工程順に示す断面図である。

【図９】図８に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造
方法を工程順に示す断面図である。

【図１０】図９に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製
造方法を工程順に示す断面図である。

【図１１】本発明に係る電気光学装置を表示装置として
用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図１２】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の一
例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す
説明図である。

【図１３】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の他
の例としての携帯電話機の説明図である。

【図１４】従来の電気光学装置における画素の一部を模
式的に示す説明図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＣ−Ｃ’における断面図である。

【符号の説明】

１…半導体膜１ａ…高濃度ソース領域１ａ’…チャネル形成用領域１ｂ…低濃度領域１ｃ…高濃度領域１ｄ…高濃度ドレイン領域１ｆ…半導体膜の延設部分２…ゲート絶縁膜３ａ…走査線３ｂ…容量線４…第１層間絶縁膜５…第２層間絶縁膜（表面保護膜）６…金属膜６ａ…データ線６ｂ…ソース線７…凹凸層７ａ…凹凸層を形成するための感光性樹脂８…透明電極９…反射電極９ａ…金属膜９ｇ…凹凸パターン（表面凹凸形状）１０…ＴＦＴアレイ基板１０’…ＴＦＴアレイ基板側のガラス基板１１…下地保護膜１２…配向膜１３…凹凸形成層１３ａ…凹凸形成層を形成するための感光性樹脂１４…透過窓１４ａ…スリット形状の透過窓１４ｂ…凹凸層の開口１５…コンタクト孔２０…対向基板２０’…対向基板側のガラス基板２１…対向電極２２…配向膜３０…画素スイッチング用のＴＦＴ５０…液晶５２…シール材５３…周辺見切り６０…蓄積容量７０…表示情報出力源７１…表示情報処理回路７２…電源回路７３…タイミングジェネレータ７４…液晶表示装置７５…液晶表示パネル７６…駆動回路８０…パーソナルコンピュータ８１…キーボード８２…本体部８３…液晶表示ユニット９０…携帯電話機９１…操作ボタン１００…電気光学装置１００ａ…画素１０１…基板１０２…下地保護膜１０３…透明電極１０４…保護膜１０５…凹凸形成層１０６…凹凸層１０７…透過窓１０８…反射電極１０９…反射用の凹凸１１０…画素１２０…ＴＦＴアレイ基板２０１…データ線駆動回路２０２…実装端子２０４…走査線駆動回路２０５…配線２０６…基板間導通材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８３４９３４９ＤＨ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ 29/786 Ｆターム(参考） 2H042 BA03 BA15 BA20 DA01 DA02 DA04 DA06 2H091 FA16Y FB02 FB08 FC10 FD05 FD22 FD23 GA03 GA13 LA16 2H092 GA13 GA17 HA04 HA05 JA24 JB05 JB07 MA13 NA01 PA12 5C094 AA06 AA10 BA03 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA05 EA06 EA07 ED11 FB12 FB15 5F110 AA09 BB01 BB02 BB04 CC02 DD02 DD13 EE03 EE04 EE06 EE44 FF02 FF03 FF29 GG02 GG13 GG25 HJ01 HJ04 HJ13 HL01 HL03 HL04 HL07 HL11 HL23 HM15 NN02 NN03 NN15 NN23 NN24 NN27 NN34 NN35 NN36 NN40 NN73 PP03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学物質を封入、保持して対向配置
された一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基
板の前記電気光学物質側に形成され、前記一対の基板の
うちの他方の基板側からの入射光を反射するとともに、
背面光源からの光を透過する一以上の透過窓をその所定
箇所に貫通して有する反射電極と、前記反射電極の下層
側の前記透過窓に対応した領域を覆うように形成された
透明電極と、前記反射電極の上層に形成された配向膜と
を備えた電気光学装置であって、前記一方の基板と前記反射電極との間に凹凸を有する凹
凸層が配設され、前記反射電極が、前記凹凸層の凹凸に
対応した、反射光を散乱させる表面凹凸形状を有すると
ともに、前記凹凸層が前記透過窓に対応した領域にまで
延設されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】前記凹凸層の凸部分が、前記透過窓に対
応した領域とそれ以外の領域との境界部分を跨ることな
く前記境界部分の内側又は外側のいずれかに位置するよ
うに配設された請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】前記凹凸層が、透光性の感光性樹脂から
形成されてなる請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】前記凹凸層の下層側に、凹凸形成層がさ
らに配設されてなる請求項１〜３のいずれかに記載の電
気光学装置。
【請求項５】前記凹凸形成層が、透光性の感光性樹脂
から形成されてなる請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】前記反射電極が、アルミニウムや銀、も
しくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブ
デン、タンタル等との積層膜から構成された請求項１〜
５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】前記透明電極が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
ＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜から構成された請求項１〜６
のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】前記透明電極の形成領域が、前記反射電
極の形成領域よりも広い請求項１〜７のいずれかに記載
の電気光学装置。
【請求項９】前記透明電極と前記反射電極とが、電気
的に接続されてなる請求項１〜８のいずれかに記載の電
気光学装置。
【請求項１０】前記透明電極が、前記透過窓の外側で
電位供給線と電気的に接続されてなる請求項１〜９のい
ずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１１】電気光学物質を封入、保持して対向配
置した一対の基板のうちの、一方の基板の前記電気光学
物質側に、透明電極を形成する工程と、前記透明電極の
上層側に、前記一対の基板のうちの他方の基板側からの
入射光を反射するとともに、背面光源からの光を透過す
る一以上の透過窓をその所定箇所に貫通して有する反射
電極を形成する工程と、前記反射電極の上に配向膜を形
成する工程とを含む電気光学装置の製造方法であって、前記反射電極を形成する工程の前に、前記一方の基板と
前記反射電極との間に凹凸を有する凹凸層を配設する工
程を含み、前記反射電極を形成する工程の際に、前記凹
凸層の凹凸に対応した、反射光を散乱させる表面凹凸形
状を形成することが可能であるとともに、前記凹凸層を
配設する工程の際に、前記凹凸層を前記透過窓に対応し
た領域にまで延設することを特徴とする電気光学装置の
製造方法。
【請求項１２】前記凹凸層の凸部分を、前記透過窓に
対応した領域とそれ以外の領域との境界部分を跨ること
なく前記境界部分の内側又は外側のいずれかに位置する
ように配設する請求項１１に記載の電気光学装置の製造
方法。
【請求項１３】前記凹凸層を、透光性の感光性樹脂か
ら形成する請求項１１又は１２に記載の電気光学装置の
製造方法。
【請求項１４】前記凹凸層の下層側に、凹凸形成層を
さらに配設する請求項１１〜１３のいずれかに記載の電
気光学装置の製造方法。
【請求項１５】前記凹凸形成層を、透光性の感光性樹
脂から形成する請求項１４に記載の電気光学装置の製造
方法。
【請求項１６】前記反射電極を、アルミニウムや銀、
もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリ
ブデン、タンタル等との積層膜から構成する請求項１１
〜１５のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】前記透明電極を、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜から構成する請求項１１〜
１６のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】前記透明電極の形成領域を、前記反射
電極の形成領域よりも広く形成する請求項１１〜１７の
いずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】前記透明電極と前記反射電極とを、電
気的に接続する請求項１１〜１８のいずれかに記載の電
気光学装置の製造方法。
【請求項２０】前記透明電極を、前記透過窓の外側で
電位供給線と電気的に接続する請求項１１〜１９のいず
れかに記載の電気光学装置の製造方法。