JP2003098976A

JP2003098976A - 電気光学装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003098976A
Application number: JP2001287398A
Authority: JP
Inventors: Katsuya Ide; 勝也井出
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-09-20
Filing date: 2001-09-20
Publication date: 2003-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適
に用いられる、画素領域の面積を変えることなしに反射
率を向上させることができるとともに、光学特性に優
れ、さらに低コストの電気光学装置及びその製造方法を
提供する。【解決手段】電気光学物質を封入、保持して対向配置
された一対の基板と、一対の基板のうち、ＴＦＴ基板側
のガラス基板１０’の電気光学物質側に形成され、一対
の基板のうちの対向基板側のガラス基板２０’側からの
入射光を反射する反射板８と、反射板８の上層側に形成
された透明電極９とを積層して備えた電気光学装置であ
って、反射板８と透明電極９とが、それぞれの形成領域
の端部８ａ、９ａを一致させた状態で積層されてなるこ
とを特徴とする電気光学装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置に関
する。さらに詳しくは、携帯電話機、モバイルコンピュ
ータ等に好適に用いられる、画素領域の面積を変えるこ
となしに反射率を向上させることができるとともに、光
学特性に優れ、さらに低コストの電気光学装置及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置（例えば、液晶表示装置、
ＥＬ発光表示装置等）は、携帯電話機、モバイルコンピ
ュータ等の各種機器の直視型の表示装置として広く用い
られている。図１８は、このような電気光学装置のう
ち、例えば、アクティブマトリクス型で、反射型の液晶
表示装置の１画素部分を模式的に示す説明図で、図１８
（Ａ）は、平面図、図１８（Ｂ）は、そのＥ−Ｅ’線に
おける断面図である。図１９は、アクティブマトリクス
型で、半透過、半反射型の液晶表示装置の１画素部分を
模式的に示す説明図で、図１９（Ａ）は、平面図、図１
９（Ｂ）は、そのＦ−Ｆ’線における断面図である。図
１８及び図１９に示すように、対向配置されたＴＦＴア
レイ基板１１０と対向基板１２０とがシール材（図示せ
ず）で貼り合わされているとともに、基板間のシール材
で区画された領域内に電気光学物質としての液晶５０が
封入、保持されている。

【０００３】また、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴアレイ基板１１０に形成された凹凸を有する
凹凸層１０７の上に、対向基板１２０の側から入射して
きた外光を対向基板１２０の方向に反射するための、凹
凸層１０７の凹凸に対応した表面凹凸形状１０８ｂを有
する反射板１０８、及び反射板１０８の全体を覆うよう
に、かつ反射板１０８の端部１０８ａよりも広い領域を
形成するように透明電極１０９（その端部１０９ａ）が
形成されている。凹凸を形成するために凹凸形成層１１
３を感光性樹脂膜により形成するとともに、凹凸形成層
１１３の上層側には、凹凸のエッジを滑らかにするた
め、凹凸層１０７が形成されている。また透明電極１０
９の上には配向膜１１２が形成される。このような構成
によって、対向基板１２０側から入射した光をＴＦＴア
レイ基板１１０の反射板８で反射し、対向基板１２０側
から出射した光によって画像を表示する（反射モー
ド）。

【０００４】また、図１９（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、半透過、半反射型の場合、上述の反射モードで画像
を表示することに加え、反射板１０８には、反射板１０
８を形成しない部分である透過窓１０３が備えられてお
り、この透過窓１０３からバックライト（図示せず）か
らの光を透過させて画像を表示する（透過モード）こと
もできる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような構成の液晶
表示装置は、図１８及び図１９に示すように、透明電極
１０９（その端部１０９ａ）が反射板１０８（その端部
１０８ａ）よりも広い領域を形成するように形成され、
反射板１０８の形成領域が透明電極１０９に比べ狭いた
め、十分な反射率を確保することができないという問題
があった。

【０００６】また、反射板１０８と透明電極１０９との
形成領域がそれぞれ異なるため、反射板１０８と透明電
極１０９とをそれぞれ別個にパターニングする必要があ
り、コストが増大するという問題があった。

【０００７】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであって、画素領域の面積を変えることなしに反射率
を向上させることができるとともに、光学特性に優れ、
さらに低コストの電気光学装置及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、電気光学物質を封入、
保持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板
のうちの一方の基板の前記電気光学物質側に形成され、
前記一対の基板のうちの他方の基板側からの入射光を反
射する反射板と、前記反射板の上層側に形成された透明
電極とを積層して備えた電気光学装置であって、前記反
射板と前記透明電極とが、それぞれの形成領域の端部を
一致させた状態で積層されてなることを特徴とする。

【０００９】このように構成することによって、画素領
域の面積を変えることなしに電気光学装置の反射率を向
上させることができる。

【００１０】また、本発明の電気光学装置は、前記反射
板が、前記一方の基板上に形成された、表面に凹凸を有
する凹凸層の上に形成され、前記反射板の前記表面凹凸
形状が、前記凹凸層の凹凸に対応した形状を有してなる
ことが好ましい。

【００１１】このように構成することによって、電気光
学装置の光学特性を向上させることができる。

【００１２】また、本発明の電気光学装置は、前記反射
板が、アルミニウムや銀、もしくはその合金、又はチタ
ン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜か
ら構成されたものであることが好ましく、また、前記透
明電極が、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄ
ｅ）膜から構成されたものであることが好ましい。

【００１３】このように構成することによって、電気光
学装置の光学特性を向上させることができる。

【００１４】本発明の電気光学装置の製造方法は、電気
光学物質を封入、保持して対向配置した一対の基板のう
ちの、一方の基板の前記電気光学物質側に、前記一対の
基板のうちの他方の基板側からの入射光を反射する反射
板を形成する工程、前記反射板の上に透明電極を形成す
る工程を含む電気光学装置の製造方法であって、前記一
方の基板の前記電気光学物質側に金属膜を積層し、次い
で、前記金属膜の上層側に透明導電性膜を積層し、次い
で、前記金属膜及び前記透明導電性膜の積層体を同時に
それぞれの形成領域の端部が一致するようにパターニン
グして、それぞれの形成領域の端部が一致した所定パタ
ーンの前記反射板及び前記透明電極を同時に形成するこ
とを特徴とする。

【００１５】このように構成することによって、画素領
域の面積を変えることなしに電気光学装置の反射率を向
上させるとともに、光学特性に優れた電気光学装置を効
率よくかつ低コストで製造することができる。

【００１６】この場合、前記一方の基板上に前記金属膜
を積層する前に、前記一方の基板上に凹凸層を形成し、
前記凹凸層の上にその表面形状に対応した入射光を散乱
させることが可能な表面凹凸形状を有する前記金属膜を
積層することが好ましい。

【００１７】このように構成することによって、光学特
性を向上させた電気光学装置を効率よく低コストで製造
することができる。

【００１８】また、本発明の電気光学装置の製造方法に
おいては、前記反射板として、アルミニウムや銀、もし
くはその合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、
タンタル等との積層膜から構成したものを用いることが
好ましく、また前記透明電極として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜から構成したものを用い
ることが好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電気光学装置及び
その製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的
に説明する。

【００２０】［第１の実施の形態］（電気光学装置の基本的な構成）図１は、本発明の電気
光学装置の第１の実施の形態である液晶表示装置を、各
構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、
図２は、図１のＨ−Ｈ’線における断面図である。図３
は、電気光学装置（液晶表示装置）の画像表示領域にお
いてマトリクス状に形成された複数の画素における各種
素子、配線等の等価回路図である。なお、本実施の形態
の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上
で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎
に縮尺を異ならしめてある。

【００２１】図１及び図２において、本実施の形態の電
気光学装置（液晶表示装置）１００は、ＴＦＴアレイ基
板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）と
がシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５
２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電
気光学物質としての液晶５０が封入、保持されている。
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料
からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５
２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、及び実
装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形
成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線
駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走
査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１
０５が設けられており、さらに、周辺見切り５３の下側
等を利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられ
ることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少な
くとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材
１０６が配設されている。ここで、図２における符号２
１は対向電極、２３は遮光膜、３０は画素スイッチング
用のＴＦＴをそれぞれ示す。

【００２２】なお、データ線駆動回路１０１及び走査線
駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する
代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ
（テープオートメイテッドボンディング）基板とＴ
ＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異
方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するように
してもよい。なお、電気光学装置１００おいては、使用
する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネ
マティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等
々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリ
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここで
は図示を省略している。

【００２３】また、電気光学装置１００をカラー表示用
として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域
に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフ
ィルタをその保護膜とともに形成する。

【００２４】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画像表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、反射板８、透明
電極９及びＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ
１、Ｓ２、・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ
３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａ
に書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、この順
に線順次で（線番号の順番で）供給してもよく、相隣接
する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供
給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートに
は走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミ
ングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、
・・・Ｇｍをこの順に線順次で（線番号の順番で）印加
するように構成されている。反射板８は、ＴＦＴ３０の
ドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子
であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることに
より、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ
２、・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込
む。このようにして反射板８を介して液晶に書き込まれ
た所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図
２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間
保持される。

【００２５】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルによって分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリホワ
イトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光が
この液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリ
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大する。そ
の結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号
Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光
が出射される。

【００２６】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、反射板８と対向
電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０
（図３参照）を付加することがある。例えば、反射板８
の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長
い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これによ
り、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い
電気光学装置１００を実現することができる。なお、蓄
積容量６０を形成する方法としては、図３に示すよう
に、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３
ｂとの間に形成する場合、及び前段の走査線３ａとの間
に形成する場合のいずれであってもよい。

【００２７】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本実
施の形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複
数の画素群の平面図である。図５は、図４において斜線
で示す領域（反射板及び透明電極形成領域、すなわち画
素）の具体的な一の態様（反射型）を示す説明図で、図
５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）はそのＡ−Ａ’線におけ
る断面図である。図６は、図４において斜線で示す領域
（反射板及び透明電極形成領域、すなわち画素）の具体
的な他の態様（半透過、半反射型）を示し、図６（Ａ）
は平面図、図６（Ｂ）はそのＢ−Ｂ’線における断面図
である。なお、図５及び図６においては、対向基板及び
液晶の図示は省略している。

【００２８】図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、複数の透明なＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘ
ｉｄｅ）膜からなる透明電極９がマトリクス状に形成さ
れており、これら各透明電極９に対して画素スイッチン
グ用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、透明
電極９の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３
ａ、及び容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ
線６ａ及び走査線３ａに対して接続している。すなわ
ち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ
３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続し、透明電
極９は、コンタクト孔１５を介してＴＦＴ３の高濃度ド
レイン領域１ｄに電気的に接続している。また、ＴＦＴ
３０のチャネル形成用領域１ａ’に対向するように走査
線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素
子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するた
めの半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電
極とし、この下電極に、走査線３ｂと同層の容量線３ｂ
が上電極として重なった構造になっている。

【００２９】図５及び図６に示すように、このように構
成した各画素１００ａにおいては、反射板８及び透明電
極９が形成されている領域（この場合、反射板８と透明
電極９とは、それぞれの形成領域の端部８ａ、９ａを一
致させた状態で積層されている）のうち、反射板８に透
過窓１４が形成された領域は、透過モードで表示を行う
透過領域であり（図６に示す場合）、反射板８が形成さ
れた領域は反射領域であり、ここでは反射モードで表示
を行う（図５に示す場合）。

【００３０】ＴＦＴアレイ基板側のガラス基板１０’の
上層には、第２層間絶縁膜５が形成され、第２層間絶縁
膜５の上層には、有機系樹脂等の感光性樹脂からなる凹
凸形成層１３、凹凸層７がこの順に形成され、この凹凸
層７の表面に、アルミニウムや銀、もしくはその合金、
又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との
積層膜から構成された反射板８及びＩＴＯ膜から構成さ
れた透明電極９が積層して形成されている。

【００３１】図５〜図６に示すように、反射板８及び透
明電極９は凹凸層７の上に積層して形成されているが、
このような凹凸層７を構成するにあたって、本実施の形
態においては、反射板８の下層側のうち、有機系の感光
性樹脂からなる凹凸形成層１３が第２層間絶縁膜５の表
面に１〜３μｍの厚さに形成され、この凹凸形成層１３
の上層には、有機系樹脂等の感光性樹脂からなる流動性
材料から形成された絶縁膜からなる凹凸層７が積層され
ている。

【００３２】凹凸形成層１３には、多数の凹凸が形成さ
れている。このため、図５〜図６に示すように、反射板
８の表面には、凹凸形成層１３の凹凸に対応する凹凸パ
ターン（表面凹凸形状）８ｇが形成され、この凹凸パタ
ーン８ｇでは、凹凸層７によって、凹凸形成層１３のエ
ッジ等が現れないようになっている。なお、凹凸層７を
形成せずに、凹凸形成層１３を形成した後、ベーク工程
を行うことにより、凹凸形成層１３の凹凸の縁を滑らか
にしてもよい。

【００３３】また、透過窓１４の開口形状は、反射板８
及び透明電極９の形成領域の端部８ａ、９ａが一致する
ものである限り、特に制限はなく、図６（Ａ）に示すよ
うな長方形状であってもよく、平行四辺形、台形であっ
てもよく、又はこれらの組み合せであってもよい。その
数も反射効率を低減することがない限り、特に制限はな
い。

【００３４】また、透明電極９の上層側には配向膜１２
が形成される。この配向膜には、ラビング処理が施され
ている。なお、この配向膜は、後述の図７に示すＴＦＴ
形成領域における配向膜１２に対応する。

【００３５】図７に示すように、図４における反射領域
のＣ−Ｃ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ基
板側のガラス基板１０’の表面に、厚さが３００ｎｍ〜
５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保
護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、
厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成
されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１
５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形
成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通って
いる。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶
縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１
ａ’になっている。このチャネル形成用領域１ａ’に対
して一方側には、低濃度領域１ｂ及び高濃度ソース領域
１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度
領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン
領域が形成されている。

【００３６】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４が形成されている。第１層間
絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの
データ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層
間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃
度ソース領域１ａに電気的に接続している。第１層間絶
縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイ
ン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１
層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続している。

【００３７】第１層間絶縁膜４の上層には、シリコン窒
化膜もしくはシリコン酸化膜の単膜又はシリコン窒化膜
及びシリコン酸化膜の二つの膜等からなるからなる厚さ
が１００ｎｍ〜８００ｎｍの第２層間絶縁膜（表面保護
膜）５が形成されている（この第２層間絶縁膜（表面保
護膜）５は形成しなくてもよい）。この第２層間絶縁膜
（表面保護膜）５の上層に、有機系樹脂等の感光性樹脂
からなる凹凸形成層１３及び凹凸層７がこの順に形成さ
れ、凹凸層７の表面には、透過用の透過窓１４を有する
アルミニウム膜等からなる反射板８が形成されている。
反射板８の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応し
た凹凸パターン８ｇが形成されている。

【００３８】反射板８の上には、ＩＴＯ膜を約５０〜２
００ｎｍの厚さで積層した透明電極９が形成され、この
透明電極９は、コンタクト孔１５を介してドレイン電極
６ｂに電気的に接続している。

【００３９】透明電極９の表面側にはポリイミド膜から
なる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２に
は、ラビング処理が施されている。

【００４０】また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時
形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと
同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、
蓄積容量６０が構成されている。

【００４１】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度領域１ｂ、及び高濃度
領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行
わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦ
Ｔ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクと
して高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高
濃度のソース及びドレイン領域を形成したセルフアライ
ン型のＴＦＴであってもよい。

【００４２】また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０のゲ
ート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に
２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）構造とし
たが、１個配置したシングルゲート構造であってもよ
く、また、これらの間に３個以上のゲート電極を配置し
たトリプルゲート以上の構造であってもよい。複数個配
置した場合、各々のゲート電極には同一の信号が印加さ
れるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲ
ート）、又はトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成す
れば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリ
ーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することがで
きる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構
造又はオフセット構造にすれば、さらに、オフ電流を低
減でき、安定したスイッチング素子を得ることができ
る。

【００４３】図５〜図６において、ＴＦＴアレイ基板１
０では、各画素１００ａの反射領域には、反射板８の表
面のうち、ＴＦＴ３０（図４参照）の形成領域及び透過
窓１４から外れた領域（反射板形成領域）には、前述の
ように凹凸パターン８ｇが形成されている。

【００４４】このような凹凸パターン８ｇを構成するに
あたって、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０では、
反射板８の下層側のうち、反射板８と平面的に重なる領
域には、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂からなる
凹凸形成層１３が第２層間絶縁膜５の表面に１〜３μｍ
の厚さで例えば、スピンコートによって形成され、この
凹凸形成層１３の上層には、アクリル樹脂等の有機系の
感光性樹脂等のような流動性材料から形成された絶縁膜
からなる凹凸層７が１〜２μｍの厚さで例えば、スピン
コートによって積層されている。

【００４５】凹凸形成層１３には、多数の凹凸が形成さ
れている。このため、図５に示すように、反射板８の表
面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応する凹凸パター
ン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇでは、凹凸層
７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないよう
になっている。なお、凹凸層７を形成せずに、凹凸形成
層１３を形成した後、ベーク工程を行うことにより、凹
凸形成層１３の凹凸の縁を滑らかにしてもよい。

【００４６】（対向基板の構成）図５において、対向基
板２０では、対向基板側のガラス基板２０’上の、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０に形成されている透明電極９の縦横の
境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、又はブ
ラックストライプ等と称せられる遮光膜２３が形成さ
れ、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が
形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポ
リイミド膜からなる配向膜２２が形成される。なお、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５
０が保持、封入されている。

【００４７】（電気光学装置の作用）上述のように構成
した電気光学装置１００（図１参照）においては、反射
型の場合、アルミニウム膜等からなる反射板８が形成さ
れているため、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴ
アレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射す
ることができるので、この間に液晶５０によって各画素
１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所望の画
像を表示する（反射モード）ことができる（図５に示す
反射型の場合）。

【００４８】また、半透過、半反射型の場合、図６にお
いて透過窓１４を避けるように反射板８が形成されてい
るため、透過型の液晶表示装置としても機能する。すな
わち、ＴＦＴアレイ基板１０の側に配置されたバックラ
イト装置（図示せず）から出射された光は、ＴＦＴアレ
イ基板１０の側に入射した後、各画素１００ａ（図６参
照）において反射板８が形成されている領域のうち、反
射板８が形成されていない透過領域（透明電極９によっ
て覆われた透過窓１４）を経由して対向基板２０側に透
過する。このため、液晶５０によって各画素１００ａ毎
で光変調を行えば、バックライト装置から出射された光
を利用して所望の画像を表示する（透過モード）ことも
できる。

【００４９】また、本実施の形態では、反射板８の下層
側のうち、反射板８と平面的に重なる領域に凹凸形成層
１３を形成し、この凹凸形成層１３の凹凸を利用して、
反射板８の表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成し
ている。また、凹凸パターン８ｇでは、凹凸層７によっ
て、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないようになって
いる。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱
反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。

【００５０】また、反射板８が透明電極９によってその
表面を被覆されるため、反射板８の変質を防止すること
ができる。

【００５１】なお、本実施の形態においては、透明電極
と電位供給線（ソース線）とを電気的に接続した場合を
示しているが、透明電極と半導体層とを電気的に接続し
たものであってもよい。

【００５２】[第１の実施の形態]このような構成のＴＦ
Ｔアレイ基板を製造する方法を、図８〜図１２を参照し
つつ、具体的に説明する。

【００５３】図８〜図１２はいずれも、本実施の形態の
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。

【００５４】まず、図８（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したガラス製等のＴＦＴアレイ基板側
のガラス基板１０’を準備した後、基板温度が１５０℃
〜４５０℃の温度条件下で、ＴＦＴアレイ基板側のガラ
ス基板１０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保
護膜１１をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００
ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、
例えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混
合ガスやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ
_２Ｈ_５）_４）と酸素、又はジシランとアンモニアを用い
ることができる。

【００５５】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、ＴＦＴアレイ基板側のガラス基板１０’の
全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズ
マＣＶＤ法により３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成す
る。このときの原料ガスとしては、例えば、ジシランや
モノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に
対してレーザ光を照射してレーザアニールを施す。その
結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却
固化過程を経て結晶化する。この際には、各領域へのレ
ーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領
域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同
時に高温に熱せられることがない。それゆえ、ＴＦＴア
レイ基板側のガラス基板１０’としてガラス基板等を用
いても熱による変形や割れ等が生じない。

【００５６】次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を介して半導体
膜１をエッチングすることにより、図８（Ｂ）に示すよ
うに、島状の半導体膜１（能動層）、及び容量部を形成
するための半導体膜を各々分離した状態に形成する。

【００５７】次に、３５０℃以下の温度条件下で、ＴＦ
Ｔアレイ基板側のガラス基板１０’の全面に、ＣＶＤ法
等により半導体膜１の表面に、シリコン酸化膜等からな
るゲート絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成
する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素
ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形成す
るゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン
窒化膜であってもよい。

【００５８】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不純物イオ
ンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構
成するための下電極を形成する（図７参照）。

【００５９】次に、図８（Ｃ）に示すように、スパッタ
法等により、ＴＦＴアレイ基板側のガラス基板１０’の
全面に、走査線３ａ等を形成するためのアルミニウム、
銀、タンタル、モリブデン等からなる金属膜、又はこれ
らの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電
膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を
形成する。

【００６０】次に、レジストマスクを介して導電膜３を
ドライエッチングし、図８（Ｄ）に示すように、走査線
３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。

【００６１】次に、画素ＴＦＴ部及び駆動回路のＮチャ
ネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲー
ト電極をマスクとして、約０．１×１０^１３／ｃｍ^２〜
約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量で低濃度の不純物
イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対し
て自己整合的に低濃度領域１ｂを形成する。ここで、走
査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導
入されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル形成
用領域１ａ’となる。

【００６２】次に、図９（Ａ）に示すように、画素ＴＦ
Ｔ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジ
ストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リ
ンイオン）を約０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１
０^１５／ｃｍ^２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領
域１ａ、高濃度領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｄを
形成する。

【００６３】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及び
ドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマ
スクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライ
ン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよ
い。

【００６４】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジ
ストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己
整合的にＰチャネルのソース−ドレイン領域を形成す
る。

【００６５】この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同
様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０^１３／
ｃｍ^２〜約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量で低濃度
の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜
に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマ
スクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約
０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ド
ープト・ドレイン構造）のソース領域及びドレイン領域
を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを
行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状
態で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフ
セット構造のソース領域及びドレイン領域を形成しても
よい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ
化（相補型化：ＣｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙＭＯＳ
化）が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵
が可能になる。

【００６６】次に、図９（Ｂ）に示すように、走査線３
ａの表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等から
なる第１層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さ
に形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳ
と酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。

【００６７】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５４を形成する。

【００６８】次に、レジストマスク５５４を介して第１
層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図９（Ｃ）に
示すように、第１層間絶縁膜４においてソース領域及び
ドレイン領域に対応する部分等にコンタクトホールをそ
れぞれ形成する。

【００６９】次に、図９（Ｄ）に示すように、第１層間
絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を
構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン
膜、タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のい
ずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッ
タ法等で３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、
フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５
を形成する。

【００７０】次に、図１０（Ａ）に示すように、所定の
レジストマスクを介して導電膜６にドライエッチングを
行い、データ線６ａ、及びドレイン電極６ｂを形成す
る。

【００７１】次に、図１０（Ｂ）に示すように、第１層
間絶縁膜４の上層に、シリコン窒化膜もしくはシリコン
酸化膜の単膜又はシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の
二つの膜等からなるからなる厚さが１００ｎｍ〜３００
ｎｍ程度の厚さの第２層間絶縁膜（表面保護膜）５をプ
ラズマＣＶＤ法によって成膜することによって形成する
（この第２層間絶縁膜５は形成しなくてもよい）。

【００７２】次に、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の表面に、アクリ
ル樹脂等の有機系の感光性樹脂１３ａを１〜３μｍの厚
さにスピンコートで塗布した後、感光性樹脂１３ａをフ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることに
よって、後述する反射板８の下層側に、厚さが１μｍ〜
３μｍの凹凸形成層１３を形成する。次いで、角をとる
ためベーク工程を行ってもよい。

【００７３】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して凹凸形成層１３を形成する際、感光性樹脂１３ａと
してはネガタイプ及びポジタイプのいずれを用いてもよ
いが、図１１（Ａ）には、感光性樹脂１３ａとしてポジ
タイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３ａを除去
したい部分に対して、所定の露光マスクの透光部分を介
して紫外線を照射する。

【００７４】次に、図１１（Ｃ）に示すように、第２層
間絶縁膜（表面保護膜）５及び凹凸形成層１３の表面側
に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂７ａをスピン
コートで１μｍ〜２μｍの厚さに塗布する。

【００７５】次に、図１１（Ｄ）に示すように、感光性
樹脂７ａを露光及び現像処理をすることにより、感光性
樹脂７ａをパターニングし、第２層間絶縁膜（表面保護
膜）５の表面に達するまで貫通、開口させて（この部分
が最終的にコンタクト孔１５を形成することになる）厚
さが１μｍ〜２μｍの凹凸層７を形成する。

【００７６】ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料
を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面に
は、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジ
のない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。

【００７７】なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形
状の凹凸パターンを形成する場合には、図１０（Ｂ）に
示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を
滑らかな形状にしてもよい。

【００７８】次に、図１２（Ａ）に示すように、凹凸層
７をマスクとして第２層間絶縁膜（表面保護膜）５をド
ライエッチング技術を用いて除去してコンタクト孔１５
を形成し、後述する透明電極９とドレイン電極６ｂとが
電気的に接続できるようにする。ここでは、感光性樹脂
で構成された凹凸層７をマスクとして第２層間絶縁膜
（表面保護膜）５をエッチングするプロセスを例にとっ
て説明したが、図１１（Ａ）において、アクリル樹脂等
の有機系の感光性樹脂１３ａを塗布する前にフォトリソ
グラフィ法によって、前記第２層間絶縁膜（表面保護
膜）５にコンタクト孔１５を、あらかじめ形成しておい
ても良い。

【００７９】次に、図１２（Ｂ）に示すように、スパッ
タリング法等によって、５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さ
の、前述のアルミニウム膜等のような反射性を備えた金
属膜８ｂを形成する。

【００８０】次に、図１２（Ｃ）に示すように、スパッ
タリング法等によって、ＩＴＯ膜９ｂを約５０〜２００
ｎｍの厚さで成膜する。

【００８１】次に、図１２（Ｄ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、所定の
パターンの反射板８及び透明電極９を同時に形成する。
この場合、反射板８の形成領域の端部８ａと透明電極９
の形成領域の端部９ａとを一致させた状態でパターニン
グする。このようにして形成した反射板８及び透明電極
９の表面には、凹凸形成層１３及び凹凸層７からなる凹
凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の
凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン
８ｇは、凹凸層７によって、エッジのない、滑らかな形
状になっている。

【００８２】図１３は、図１２（Ｄ）に示すＴＦＴアレ
イ基板の平面図である。図１３のＤ−Ｄ’線における断
面図が図１２（Ｄ）に該当している。図１３に示すよう
に、反射板８の形成領域の端部と透明電極９の形成領域
の端部とが一致した状態でパターニングされ、かつ凹凸
パターン８ｇが形成されていることがわかる。

【００８３】その後、透明電極９の表面側に配向膜（ポ
リイミド膜）１２（図７参照）を形成する。それには、
ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドン等の溶媒に５
〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させた
ポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化
（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板を
レーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリ
イミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる（ラビン
グ処理を施す）。その結果、後で充填した液晶分子とポ
リイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に
配列する。このラビング処理の方向は、前述のように、
スリットの長手方向の向きと一致させることが好まし
い。

【００８４】以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板１０
（図７参照）が完成する。

【００８５】上記のいずれの形態も、画素スイッチング
素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液
晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子と
してＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さら
には液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）
を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。

【００８６】第１の実施の形態においては、フォトリソ
グラフィ技術及びエッチング技術を用いて、所定のパタ
ーンの反射板８及び透明電極９を同時に形成したが、後
に、図１４を用いて説明するように、反射板８及び透明
電極９のパターニングをそれぞれフォトリソグラフィ技
術及びエッチング技術を用いることによって個別に行っ
てもよい。

【００８７】［第２の実施の形態］図１４は、本発明の
電気光学装置の第２の実施の形態である液晶表示装置を
模式的に示す断面図で、図１４（Ａ）は反射型の場合、
図１４（Ｂ）は半透過、半反射型の場合をそれぞれ示
す。いずれの場合も、反射板８の形成領域の端部と透明
電極９の形成領域の端部とが一致した状態でパターニン
グされ、かつ凹凸パターン８ｇが形成されている。

【００８８】図１４（Ａ）に示すように、この第２の実
施の形態の液晶表示装置（反射型）は、第１の実施の形
態の液晶表示装置の場合と同様に、透明なＴＦＴアレイ
基板側のガラス基板１０’の表面に、シリコン酸化膜
（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下
地保護膜１１の表面には、島状の半導体膜１が形成され
ている。半導体膜１の表面には、シリコン酸化膜からな
るゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表
面に、走査線３ａがゲート電極として通っている。半導
体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介
して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になって
いる。このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側に
は、低濃度領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ａを備える
ソース領域が形成され、他方側には高濃度領域１ｃ及び
高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成さ
れている。

【００８９】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜（表面保
護膜）４、が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面
には、データ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、
第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介し
て高濃度ソース領域１ａに電気的に接続している。第１
層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成された
ドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂ
は、第１第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホー
ルを介して高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続して
いる。

【００９０】第１層間絶縁膜４の上層には、シリコン窒
化膜もしくはシリコン酸化膜の単膜又はシリコン窒化膜
及びシリコン酸化膜の二つの膜等からなる第２層間絶縁
膜（表面保護膜）５が形成されている。この第２層間絶
縁膜（表面保護膜）５の上層に、有機系樹脂等の感光性
樹脂からなる凹凸形成層１３及び凹凸層７がこの順に形
成され、凹凸層７の表面には、アルミニウム膜等からな
る反射板８が形成されている。反射板８の表面には、凹
凸層７の表面凹凸形状に対応した凹凸パターン８ｇが形
成されている。次に、フォトリソグラフィ技術を利用し
てパターン形成を行う。このときデータ線６ａ（ソース
電極）と画素電極のコンタクト領域は反射板を除去す
る。

【００９１】反射板８の上には、ＩＴＯ膜を積層した透
明電極９が形成され、この透明電極９は、コンタクト孔
１５を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続してい
る。

【００９２】この場合、反射板８及び透明電極９のパタ
ーニングをそれぞれフォトリソグラフィ技術及びエッチ
ング技術を用いることによって個別に行っている。

【００９３】透明電極９の表面側にはポリイミド膜から
なる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２に
は、ラビング処理が施されている。

【００９４】また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時
形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと
同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、
蓄積容量６０が構成されている。

【００９５】図１４（Ｂ）に示すように、第２の実施の
形態の液晶表示装置（半透過、半反射型）は、反射板８
に透過用の透過窓１４が形成されていること以外は、反
射型の液晶表示装置の場合と実質的に同一である。

【００９６】このように構成することによって、液晶に
かかる実効電圧が高く、高コントラスト表示が可能で、
かつ反射板の変質が防止された電気光学装置を提供する
ことができる。

【００９７】［電気光学装置の電子機器への応用］この
ように構成した反射型、又は半透過・半反射型の電気光
学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いる
ことができるが、その一例を、図１５〜図１７を参照し
つつ具体的に説明する。

【００９８】図１５は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。

【００９９】図１５において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、及び液晶表示装置７４を有す
る。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及
び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述
した電気光学装置１００を用いることができる。

【０１００】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種
ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【０１０１】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。

【０１０２】図１６は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。

【０１０３】図１７は、他の電子機器である携帯電話機
を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操
作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる
表示部とを有している。

【０１０４】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適に用い
られる、画素領域の面積を変えることなしに反射率を向
上させることができるとともに、光学特性に優れ、さら
に低コストの電気光学装置及びその製造方法を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電気光学装置の第１の実施の形態を
対向基板の側から見たときの平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ’線における断面図である。

【図３】本発明の電気光学装置の第１の実施の形態に
おいて、マトリクス状に配置された複数の画素に形成さ
れた各種素子、配線等の等価回路図である。

【図４】本発明の電気光学装置の第１の実施の形態に
おいて、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を
示す平面図である。

【図５】本発明の電気光学装置の第１の実施の形態
（反射型）において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各
画素の構成を示す説明図で、図５（Ａ）は平面図、図５
（Ｂ）は図５（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であ
る。

【図６】本発明の電気光学装置の第１の実施の形態
（半透過、半反射型）において、ＴＦＴアレイ基板に形
成された各画素の構成を示す説明図で、図６（Ａ）は平
面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’線における断
面図である。

【図７】本発明の電気光学装置の第１の実施の形態に
おいて、ＴＦＴ形成領域を模式的に示す断面図である。

【図８】本発明の電気光学装置の第１の実施の形態の
製造方法を工程順に示す断面図である。

【図９】図８に示す工程以降の製造方法を工程順に示
す断面図である。

【図１０】図９に示す工程以降の製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図１１】図１０に示す工程以降の製造方法を工程順
に示す断面図である。

【図１２】図１１に示す工程以降の製造方法を工程順
に示す断面図である。

【図１３】図１２（Ｄ）に示すＴＦＴアレイ基板の断
面図である。

【図１４】本発明の電気光学装置の第２の実施の形態
において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成
を模式的に示す断面図で、図１４（Ａ）は反射型の場
合、図１４（Ｂ）は半透過、半反射型の場合をそれぞれ
示す。

【図１５】本発明に係る電気光学装置を表示装置とし
て用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図１６】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の
一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示
す説明図である。

【図１７】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の
他の例としての携帯電話機の説明図である。

【図１８】従来の反射型の液晶表示装置の１画素部分
を模式的に示す説明図で、図１８（Ａ）は平面図、図１
８（Ｂ）はそのＥ−Ｅ’線における断面図である。

【図１９】従来の半透過、半反射型の液晶表示装置の
１画素部分を模式的に示す説明図で、図１９（Ａ）は平
面図、図１９（Ｂ）はそのＦ−Ｆ’線における断面図で
ある。

【符号の説明】

１…半導体膜１ａ…高濃度ソース領域１ａ’…チャネル形成用領域１ｂ…低濃度領域１ｃ…高濃度領域１ｄ…高濃度ドレイン領域１ｆ…高濃度ドレイン領域からの延設部分２…ゲート絶縁膜３ａ…走査線３ｂ…容量線４…第１層間絶縁膜５…第２層間絶縁膜（表面保護膜）６ａ…データ線６ｂ…ドレイン電極７…凹凸層７ａ…感光性樹脂８…反射板８ａ…反射板の形成領域の端部８ｂ…金属膜８ｇ…凹凸パターン（表面凹凸形状）９…透明電極９ａ…透明電極の形成領域の端部９ｂ…透明導電性膜１０…ＴＦＴアレイ基板１０’…ＴＦＴアレイ基板側のガラス基板１１…下地保護膜１２…配向膜１３…凹凸形成層１３ａ…感光性樹脂１４…透過窓１５…コンタクト孔２０…対向基板２０’…対向基板側のガラス基板２１…対向電極２２…配向膜２３…遮光膜３０…画素スイッチング用のＴＦＴ５０…液晶６０…蓄積容量１００…電気光学装置１００ａ…画素１０１…データ線駆動回路１０２…実装端子１０３…透過窓１０４…走査線駆動回路１０５…配線１０６…基板間導通材１０７…凹凸層１０８…反射板１０８ａ…反射板の形成領域の端部１０８ｂ…表面凹凸形状１０９…透明電極１０９ａ…透明電極の形成領域の端部１１０…ＴＦＴアレイ基板１１２…配向膜１１３…凹凸形成層１２０…対向基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Y FB08 FC01 FC10 FC14 FC26 GA03 GA06 GA13 HA06 HA07 HA10 LA12 LA16 2H092 GA13 GA17 GA21 HA04 HA05 HA06 JA24 JA46 KB04 KB25 MA05 MA14 MA15 MA19 MA27 NA01 NA27 NA29 PA02 5C094 AA10 AA15 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 EB04 ED11 FA04 HA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学物質を封入、保持して対向配置
された一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基
板の前記電気光学物質側に形成され、前記一対の基板の
うちの他方の基板側からの入射光を反射するとともに、
背面光源からの光を透過する一以上の透過窓をその所定
箇所に貫通して有する反射板と、前記反射板の上層側に
形成された透明電極とを積層して備えた電気光学装置で
あって、前記反射板と前記透明電極とが、それぞれの形成領域の
端部を一致させた状態で積層されてなることを特徴とす
る電気光学装置。
【請求項２】前記反射板が、入射光を散乱させること
が可能な表面凹凸形状を有してなる請求項１に記載の電
気光学装置。
【請求項３】前記反射板が、前記一方の基板上に形成
された、表面に凹凸を有する凹凸層の上に形成され、前
記反射板の前記表面凹凸形状が、前記凹凸層の凹凸に対
応した形状を有してなる請求項１又は２に記載の電気光
学装置。
【請求項４】前記反射板が、アルミニウムや銀、もし
くはその合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、
タンタル、等との積層膜から構成された請求項１〜３の
いずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】前記透明電極が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
ＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜から構成された請求項１〜４
のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】電気光学物質を封入、保持して対向配置
した一対の基板のうちの、一方の基板の前記電気光学物
質側に、前記一対の基板のうちの他方の基板側からの入
射光を反射する反射板を形成する工程、前記反射板の上
に透明電極を形成する工程を含む電気光学装置の製造方
法であって、前記一方の基板の前記電気光学物質側に金属膜を積層
し、次いで、前記金属膜の上層側に透明導電性膜を積層
し、次いで、前記金属膜及び前記透明導電性膜の積層体
を同時にそれぞれの形成領域の端部が一致するようにパ
ターニングして、それぞれの形成領域の端部が一致した
所定パターンの前記反射板及び前記透明電極を同時に形
成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】前記一方の基板上に前記金属膜を積層す
る前に、前記一方の基板上に凹凸層を形成し、前記凹凸
層の上にその表面形状に対応した入射光を散乱させるこ
とが可能な表面凹凸形状を有する前記金属膜を積層する
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】前記反射板として、アルミニウムや銀、
もしくはその合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデ
ン、タンタル等との積層膜から構成したものを用いる請
求項６又は７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】前記透明電極として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜から構成したものを用い
る請求項６〜８のいずれかに記載の電気光学装置の製造
方法。