JP2003057673A - アクティブマトリックス表示装置とその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリックス表示装置とその製造方法Info
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- JP2003057673A JP2003057673A JP2001304224A JP2001304224A JP2003057673A JP 2003057673 A JP2003057673 A JP 2003057673A JP 2001304224 A JP2001304224 A JP 2001304224A JP 2001304224 A JP2001304224 A JP 2001304224A JP 2003057673 A JP2003057673 A JP 2003057673A
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】アクティブマトリックス型液晶表示装置で視野
角特性がすぐれておりかつカラーシフトが少なくかつ明
るく表示ムラの発生しにくい高品質大画面画像を低価格
で実現する。 【解決手段】横電界方式液晶パネルに関して画素電極
（共通電極４２，４３と液晶駆動電極４４）を光透過性
の導電体で形成しその厚さを７００オングストローム以
下とした。さらに液晶分子の配向方向に対して画素電極
を０度から３０度の範囲内で１画素内で１回以上屈曲さ
せた構造とした。
角特性がすぐれておりかつカラーシフトが少なくかつ明
るく表示ムラの発生しにくい高品質大画面画像を低価格
で実現する。 【解決手段】横電界方式液晶パネルに関して画素電極
（共通電極４２，４３と液晶駆動電極４４）を光透過性
の導電体で形成しその厚さを７００オングストローム以
下とした。さらに液晶分子の配向方向に対して画素電極
を０度から３０度の範囲内で１画素内で１回以上屈曲さ
せた構造とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低コストで広視野角・
高画質の大画面アクティブ・マトリックス型表示装置に
関する。
高画質の大画面アクティブ・マトリックス型表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の横電界方式液晶表示装置では、走
査線と共通電極を形成する時、図１，図４にあるように
ホトマスクを２回使用していた。この目的は画素共通電
極の膜厚を可能なかぎり薄くし、ラビング配向処理時の
ラビング不良発生をおさえるためである。画素共通電極
の膜厚が１０００Åを越えるとテーパー加工なしでは、
ラビング不良が発生し、黒表示で光ぬけ現象が多発して
いた。図１，図４にあるように画素共通電極の膜厚を５
００Å程度にすることで、光ぬけの現象は解決できる。
査線と共通電極を形成する時、図１，図４にあるように
ホトマスクを２回使用していた。この目的は画素共通電
極の膜厚を可能なかぎり薄くし、ラビング配向処理時の
ラビング不良発生をおさえるためである。画素共通電極
の膜厚が１０００Åを越えるとテーパー加工なしでは、
ラビング不良が発生し、黒表示で光ぬけ現象が多発して
いた。図１，図４にあるように画素共通電極の膜厚を５
００Å程度にすることで、光ぬけの現象は解決できる。
【０００３】映像信号配線と液晶駆動電極も従来は、図
２のように映像信号配線と液晶駆動電極を同時に形成し
ていた。しかしこれでは小型・中型の横電界方式液晶表
示装置では問題とならなかったが、大型の場合、配線膜
厚が２０００Åを越えてしまいラビング不良が発生しや
すくなった。これらの解決として図３のようにホトマス
クを２回使用して映像信号配線と液晶駆動電極を別々に
形成する方法が、用いられている。
２のように映像信号配線と液晶駆動電極を同時に形成し
ていた。しかしこれでは小型・中型の横電界方式液晶表
示装置では問題とならなかったが、大型の場合、配線膜
厚が２０００Åを越えてしまいラビング不良が発生しや
すくなった。これらの解決として図３のようにホトマス
クを２回使用して映像信号配線と液晶駆動電極を別々に
形成する方法が、用いられている。
【０００４】従来のフリンジ・フィールド・スイッチン
グ（ＦＦＳ）方式液晶表示装置では、共通電極と液晶駆
動電極を光透過性導電性電極で形成しなければならずホ
トマスクの工程数がＴＮモードや横電界方式液晶表示装
置よりも多く必要とされていた。
グ（ＦＦＳ）方式液晶表示装置では、共通電極と液晶駆
動電極を光透過性導電性電極で形成しなければならずホ
トマスクの工程数がＴＮモードや横電界方式液晶表示装
置よりも多く必要とされていた。
【０００５】垂直配向液晶表示装置では、カラーフィル
ター基板側にホトリソ工程でバンプを形成したり、カラ
ーフィルター側の共通電極にホトリソ工程を用いてエッ
チングすることでスリットを形成していた。高速応答の
ためにセルギャップを３μｍ付近に設定する時スペーサ
ー散布方式ではスペーサービーズの均一散布がむずかし
くなるため、ホトリソ工程を用いたスペーサー形成技術
を用いている。このために、バンプ形成とホトリソ・ス
ペーサー形成のためにホトマスク工程が２回必要になっ
ていた。
ター基板側にホトリソ工程でバンプを形成したり、カラ
ーフィルター側の共通電極にホトリソ工程を用いてエッ
チングすることでスリットを形成していた。高速応答の
ためにセルギャップを３μｍ付近に設定する時スペーサ
ー散布方式ではスペーサービーズの均一散布がむずかし
くなるため、ホトリソ工程を用いたスペーサー形成技術
を用いている。このために、バンプ形成とホトリソ・ス
ペーサー形成のためにホトマスク工程が２回必要になっ
ていた。
【０００６】従来の垂直配向液晶装置では、バンプやス
リット電極は、ストレート形状のものが用いられてい
た。高速応答性を改善するためスリット電極をくし歯状
にした電極も用いられているが、大幅な高速応答性の改
善にはいたっていない。
リット電極は、ストレート形状のものが用いられてい
た。高速応答性を改善するためスリット電極をくし歯状
にした電極も用いられているが、大幅な高速応答性の改
善にはいたっていない。
【０００７】従来の反射型アクティブマトリックス液晶
表示装置の製造工程では、図１３０にあるように散乱ド
ット形成工程と光透過領域のコンタクトホール形成工程
は、別になっており、別々のホトマスクを使用してい
た。
表示装置の製造工程では、図１３０にあるように散乱ド
ット形成工程と光透過領域のコンタクトホール形成工程
は、別になっており、別々のホトマスクを使用してい
た。
【０００８】従来のボトムゲート型ポリシリコン薄膜ト
ランジスタ素子は図１２３や図１２４にあるように素子
形成にホトマスク工程が４〜６回必要である。トランジ
スタがオフしている時のリーク電流を低減するために、
図１２３ではＬＤＤ構造を採用しており、図１２４で
は、オフセット・ゲート構造を採用している。
ランジスタ素子は図１２３や図１２４にあるように素子
形成にホトマスク工程が４〜６回必要である。トランジ
スタがオフしている時のリーク電流を低減するために、
図１２３ではＬＤＤ構造を採用しており、図１２４で
は、オフセット・ゲート構造を採用している。
【０００９】大型アクティブマトリックス型表示装置を
製造する時、従来のステッパー方式露光装置では特開平
１１−２５８６２９や特開２０００−１８０８９４にあ
るようなジグザグ・ランダム・ホトマスク接合技術を用
いている。このステッパー方式露光装置を用いるかぎり
四つのホトマスクが接合される部分が必ず発生する。
製造する時、従来のステッパー方式露光装置では特開平
１１−２５８６２９や特開２０００−１８０８９４にあ
るようなジグザグ・ランダム・ホトマスク接合技術を用
いている。このステッパー方式露光装置を用いるかぎり
四つのホトマスクが接合される部分が必ず発生する。
【００１０】従来のエキシマレーザーを用いたレーザー
結晶化技術では、大きな結晶粒径を作ることは不可能で
あった。さらにパルスレーザー発振のためにレーザーエ
ネルギーの安定度が悪るく特性のそろった素子を大面積
に形成することは非常にむずかしかった。ＣＷレーザー
の第２高調波を用いて大きな結晶粒径を作ることも可能
になってきたが、トランジスタの特性の再現性の点で多
くの問題が残されている。オン・オフ特性をそろえるに
はグレインバウンダリー（結晶粒界）の方向性と１個の
トランジスタのチャネル内でのグレインバウンダリーの
数をそろえなければならない。
結晶化技術では、大きな結晶粒径を作ることは不可能で
あった。さらにパルスレーザー発振のためにレーザーエ
ネルギーの安定度が悪るく特性のそろった素子を大面積
に形成することは非常にむずかしかった。ＣＷレーザー
の第２高調波を用いて大きな結晶粒径を作ることも可能
になってきたが、トランジスタの特性の再現性の点で多
くの問題が残されている。オン・オフ特性をそろえるに
はグレインバウンダリー（結晶粒界）の方向性と１個の
トランジスタのチャネル内でのグレインバウンダリーの
数をそろえなければならない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図１，図４にあるよう
に、従来の共通電極構造では、ホトマスク工程を２回使
用することで、ラビング配向処理時の不良問題を解決し
ていたが、工程数が多くなるためコストアップの問題が
あった。さらに従来のプロセスでは共通電極に光透過性
の電極材料を用いておらず、開口率の小さい表示装置と
なっており表示の明るさを要求された場合、バックライ
トの輝度をあげるしか方法がなく、消費電力の増大をふ
せぐ方法がなかった。
に、従来の共通電極構造では、ホトマスク工程を２回使
用することで、ラビング配向処理時の不良問題を解決し
ていたが、工程数が多くなるためコストアップの問題が
あった。さらに従来のプロセスでは共通電極に光透過性
の電極材料を用いておらず、開口率の小さい表示装置と
なっており表示の明るさを要求された場合、バックライ
トの輝度をあげるしか方法がなく、消費電力の増大をふ
せぐ方法がなかった。
【００１２】液晶駆動電極も同様にラビング配向処理時
の配向不良の問題を解決するために図３のようにホトマ
スク工程を２回使用して、映像信号配線と、液晶駆動電
極を別々に形成しており、コストアップの問題を、さけ
ることができなかった。以上のことは、横電界方式液晶
表示装置だけでなく、フリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置でも同様に問題となっ
ていた。
の配向不良の問題を解決するために図３のようにホトマ
スク工程を２回使用して、映像信号配線と、液晶駆動電
極を別々に形成しており、コストアップの問題を、さけ
ることができなかった。以上のことは、横電界方式液晶
表示装置だけでなく、フリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置でも同様に問題となっ
ていた。
【００１３】横電界方式液晶表示装置では、映像信号配
線の電界が画素表示領域に影響を与えやすく、垂直方向
のクロストークが発生しやすかった。これを解決するた
めにには共通電極で映像信号配線を両側からはさみこむ
方法が用いられるが共通電極の幅をセルギャップの２倍
近く大きくしなければならず、開口率低下の原因となっ
ていた。
線の電界が画素表示領域に影響を与えやすく、垂直方向
のクロストークが発生しやすかった。これを解決するた
めにには共通電極で映像信号配線を両側からはさみこむ
方法が用いられるが共通電極の幅をセルギャップの２倍
近く大きくしなければならず、開口率低下の原因となっ
ていた。
【００１４】従来の垂直配向液晶表示装置では、垂直配
向した液晶分子のたおれる方向を決定するために、ホト
リソ工程で形成したバンプやスリット電極がカラーフィ
ルター側基板に必ず必要となっていた。高速応答性を改
善するためにセルギャップを３μｍ付近に設定する場
合、スペーサー散布方式では均一な散布がむずかしい。
さらに垂直配向液晶セルでは、液晶注入時間が非常に長
くなり生産性が悪るくなる問題があり、液晶滴下はりあ
わせ工程が導入されはじめている。この新しい液晶セル
工程では、スペーサービーズを用いた場合、いろいろな
問題が多発するので、ホトリソ工程を用いたホトスペー
サーが主流になりつつある。このため、従来の方法で
は、垂直配向液晶表示用のカラーフィルター基板に、２
回のホトリソ工程を用いて、バンプやスリット電極とホ
トスペーサーを形成しなければならず、コストアップを
さけることができない。
向した液晶分子のたおれる方向を決定するために、ホト
リソ工程で形成したバンプやスリット電極がカラーフィ
ルター側基板に必ず必要となっていた。高速応答性を改
善するためにセルギャップを３μｍ付近に設定する場
合、スペーサー散布方式では均一な散布がむずかしい。
さらに垂直配向液晶セルでは、液晶注入時間が非常に長
くなり生産性が悪るくなる問題があり、液晶滴下はりあ
わせ工程が導入されはじめている。この新しい液晶セル
工程では、スペーサービーズを用いた場合、いろいろな
問題が多発するので、ホトリソ工程を用いたホトスペー
サーが主流になりつつある。このため、従来の方法で
は、垂直配向液晶表示用のカラーフィルター基板に、２
回のホトリソ工程を用いて、バンプやスリット電極とホ
トスペーサーを形成しなければならず、コストアップを
さけることができない。
【００１５】従来の垂直配向液晶モードの液晶分子のコ
ントロールは、ストレートバンプやストレート・スリッ
ト電極では完全にたおれる方向を決定することができず
応答速度の向上と光の透過率の向上をはかることがむず
かしかった。さらに従来のストレートバンプやストレー
ト・スリット電極では、電界が印加された時の液晶分子
の安定化方向が２種類存在するため、中間調表示時に、
物理的なストレスを局部的に印加した場合、ストレスを
印加された領域の液晶分子の方向が変化し、この領域が
ムラとなって残る問題が発生していた。
ントロールは、ストレートバンプやストレート・スリッ
ト電極では完全にたおれる方向を決定することができず
応答速度の向上と光の透過率の向上をはかることがむず
かしかった。さらに従来のストレートバンプやストレー
ト・スリット電極では、電界が印加された時の液晶分子
の安定化方向が２種類存在するため、中間調表示時に、
物理的なストレスを局部的に印加した場合、ストレスを
印加された領域の液晶分子の方向が変化し、この領域が
ムラとなって残る問題が発生していた。
【００１６】従来の反射型アクティブマトリックス液晶
表示装置では、図１３０にあるように２回のホトマスク
工程を用いて散乱ドットと光透過領域のコンタクトホー
ルを形成しており製造コストが高く、生産性がいちじる
しく悪るいという問題をかかえていた。中・小型の半透
過型液晶パネルでは一枚のガラス基板から多数の液晶パ
ネルが作れるのでそれほど大きな問題ではないが、大型
の半透過型液晶パネルでは、ホトマスク工程が多くなる
ことは歩留りも低下してしまうことになり、大問題とな
っている。
表示装置では、図１３０にあるように２回のホトマスク
工程を用いて散乱ドットと光透過領域のコンタクトホー
ルを形成しており製造コストが高く、生産性がいちじる
しく悪るいという問題をかかえていた。中・小型の半透
過型液晶パネルでは一枚のガラス基板から多数の液晶パ
ネルが作れるのでそれほど大きな問題ではないが、大型
の半透過型液晶パネルでは、ホトマスク工程が多くなる
ことは歩留りも低下してしまうことになり、大問題とな
っている。
【００１７】従来のボトムゲート型ポリシリコン薄膜ト
ランジスタ素子は、図１２３にあるようにＬＤＤ構造を
採用しているものと、図１２４にあるようにオフセット
ゲート構造を採用しているものとがある。両方ともに素
子形成だけに４〜６回のホトマスク工程が必要となり、
アレイ基板として完成させるにはさらに２回のホトマス
ク工程の追加が必要となります。従来のアモルファスシ
リコン薄膜トランジスタ・アレイ基板とくらべると２〜
４回ホトマスク工程が多くなり、コストアップがさけら
れない。
ランジスタ素子は、図１２３にあるようにＬＤＤ構造を
採用しているものと、図１２４にあるようにオフセット
ゲート構造を採用しているものとがある。両方ともに素
子形成だけに４〜６回のホトマスク工程が必要となり、
アレイ基板として完成させるにはさらに２回のホトマス
ク工程の追加が必要となります。従来のアモルファスシ
リコン薄膜トランジスタ・アレイ基板とくらべると２〜
４回ホトマスク工程が多くなり、コストアップがさけら
れない。
【００１８】従来のエキシマ・レーザーは、パルス発振
モードのためにレーザーのエネルギーの安定性が悪るく
膜の結晶化の再現性に大きな問題があった。最近ＣＷモ
ードの固体レーザーの第２高調波を使用してレーザーの
エネルギーの安定性が非常に改善され結晶の粒径の大き
さも非常に大きなものが得られてきている。しかし、結
晶粒界の方向性をコントロールしなければトランジスタ
素子のオン・オフ特性をそろえることができない。さら
に精密にオン・オフ特性をそろえるには、１個のトラン
ジスタのチャネル内での結晶粒界の方向性と本数を精確
に制御しなければならない。
モードのためにレーザーのエネルギーの安定性が悪るく
膜の結晶化の再現性に大きな問題があった。最近ＣＷモ
ードの固体レーザーの第２高調波を使用してレーザーの
エネルギーの安定性が非常に改善され結晶の粒径の大き
さも非常に大きなものが得られてきている。しかし、結
晶粒界の方向性をコントロールしなければトランジスタ
素子のオン・オフ特性をそろえることができない。さら
に精密にオン・オフ特性をそろえるには、１個のトラン
ジスタのチャネル内での結晶粒界の方向性と本数を精確
に制御しなければならない。
【００１９】従来のステッパー方式露光装置を用いて大
型表示装置を製造する場合、それぞれの露光ショットを
複数個連結して大画面を形成することになる。上下、左
右複数個連結した場合、必ず四つの露光ショットが、か
さなりあう接合部分が発生する。上下方向か、左右方向
かどちらか一方向の接合の場合には、接合幅全体をもち
いてなめらかに接合できるので人間の目をごまかしやす
い。しかし、四つの露光ショットがかさなりあう接合部
分では対角方向接合（斜め方向の接合）の幅がしぼられ
てしまうので人間の目をごまかしにくい。そのために、
ステッパー方式露光装置を用いた大画面表示装置の製造
はジグザグ・ランダムホトマスク接合技術を用いても、
接合境界ムラが見えやすく 歩留りが低下するという問
題をさけられない。
型表示装置を製造する場合、それぞれの露光ショットを
複数個連結して大画面を形成することになる。上下、左
右複数個連結した場合、必ず四つの露光ショットが、か
さなりあう接合部分が発生する。上下方向か、左右方向
かどちらか一方向の接合の場合には、接合幅全体をもち
いてなめらかに接合できるので人間の目をごまかしやす
い。しかし、四つの露光ショットがかさなりあう接合部
分では対角方向接合（斜め方向の接合）の幅がしぼられ
てしまうので人間の目をごまかしにくい。そのために、
ステッパー方式露光装置を用いた大画面表示装置の製造
はジグザグ・ランダムホトマスク接合技術を用いても、
接合境界ムラが見えやすく 歩留りが低下するという問
題をさけられない。
【００２０】本発明は、これらの課題を解決する手段を
提供するもので、その目的とするところは、アクティブ
マトリックス型大型表示装置の製造工場の投資効率を高
め、大型表示装置の表示特性を大幅に向上させると、同
時に、歩留り良く安価に大型表示装置を製造できる方法
を提供することにある。
提供するもので、その目的とするところは、アクティブ
マトリックス型大型表示装置の製造工場の投資効率を高
め、大型表示装置の表示特性を大幅に向上させると、同
時に、歩留り良く安価に大型表示装置を製造できる方法
を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し、上記
目的を達成するために本発明では以下の手段を用いる。
目的を達成するために本発明では以下の手段を用いる。
【００２２】〔手段１〕横電界液晶表示装置の製造工程
において、２層以上の異なる金属や導電体を用いて、走
査線と共通電極を形成する時に、透過光量を多段階に変
調させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像
後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理と
プラズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・アッシン
グ処理とを交互におこなうことで、表示画素領域の共通
電極部分を、基板に接触している下層の金属または合金
または、金属窒化物または金属酸化物または金属シリサ
イド化合物のパターンとして残した。
において、２層以上の異なる金属や導電体を用いて、走
査線と共通電極を形成する時に、透過光量を多段階に変
調させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像
後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理と
プラズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・アッシン
グ処理とを交互におこなうことで、表示画素領域の共通
電極部分を、基板に接触している下層の金属または合金
または、金属窒化物または金属酸化物または金属シリサ
イド化合物のパターンとして残した。
【００２３】〔手段２〕横電界液晶表示装置の製造工程
において、２層以上の異なる金属や導電体を用いて映像
信号配線と表示画素領域の液晶駆動電極を形成する時に
透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用いてポジ
型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェ
ットエッチング処理と、プラズマ・ドライエッチング処
理とプラズマ・アッシング処理とを交互におこなうこと
で液晶駆動電極部を基板に接触している下層の金属また
は合金または金属窒化物または金属酸化物または金属シ
リサイド化合物のパターンとして残した。
において、２層以上の異なる金属や導電体を用いて映像
信号配線と表示画素領域の液晶駆動電極を形成する時に
透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用いてポジ
型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェ
ットエッチング処理と、プラズマ・ドライエッチング処
理とプラズマ・アッシング処理とを交互におこなうこと
で液晶駆動電極部を基板に接触している下層の金属また
は合金または金属窒化物または金属酸化物または金属シ
リサイド化合物のパターンとして残した。
【００２４】〔手段３〕手段１または手段２を用いて、
形成した表示画素領域の共通電極または液晶駆動電極の
厚みを２５０オングストロームから１０００オングスト
ロームの範囲内に設定した。
形成した表示画素領域の共通電極または液晶駆動電極の
厚みを２５０オングストロームから１０００オングスト
ロームの範囲内に設定した。
【００２５】〔手段４〕手段１または手段２のすくなく
ともどちらか一方の製造方法を用いて横電界液晶表示装
置の表示画素領域の共通電極と液晶駆動電極の両方を光
透過性導電性電極で形成した。
ともどちらか一方の製造方法を用いて横電界液晶表示装
置の表示画素領域の共通電極と液晶駆動電極の両方を光
透過性導電性電極で形成した。
【００２６】〔手段５〕手段４において、映像信号配線
の両側に近接する共通電極をのぞく他の表示画素領域の
共通電極と液晶駆動電極の幅が、液晶セルのセルギャッ
プと同等かそれ以下にした。
の両側に近接する共通電極をのぞく他の表示画素領域の
共通電極と液晶駆動電極の幅が、液晶セルのセルギャッ
プと同等かそれ以下にした。
【００２７】〔手段６〕手段４において光透過性導電性
電極に、ＩｎＳｎＯｘ（ＩＴＯ）または酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ２）またはＩｎＴｉＯｘまたはＳｎＴｉＯｘまたはＴ
ｉＮｘまたはＴｉＳｉｘまたはＺｒＮｘまたはＺｒＳｉ
ｘまたはＭｏＮｘまたはＭｏＳｉｘまたはＣｒＮｘまた
はＣｒＳｉｘまたはＴａＮｘまたはＴａＳｉｘなどの高
融点金属の窒化物または高融点金属のシリサイド化合物
を用いた。
電極に、ＩｎＳｎＯｘ（ＩＴＯ）または酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ２）またはＩｎＴｉＯｘまたはＳｎＴｉＯｘまたはＴ
ｉＮｘまたはＴｉＳｉｘまたはＺｒＮｘまたはＺｒＳｉ
ｘまたはＭｏＮｘまたはＭｏＳｉｘまたはＣｒＮｘまた
はＣｒＳｉｘまたはＴａＮｘまたはＴａＳｉｘなどの高
融点金属の窒化物または高融点金属のシリサイド化合物
を用いた。
【００２８】〔手段７〕横電界液晶表示装置の製造工程
において２層以上の異なる金属や導電体を用いて、走査
線と共通電極を形成する時に、透過光量を多段階に変調
させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像後
の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプ
ラズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・アッシング
処理とを交互におこなうことで、映像信号配線の両側に
近接する共通電極の厚みを２段階に形成し、映像信号配
線に近接する側の方が厚くなるように加工した。
において２層以上の異なる金属や導電体を用いて、走査
線と共通電極を形成する時に、透過光量を多段階に変調
させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像後
の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプ
ラズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・アッシング
処理とを交互におこなうことで、映像信号配線の両側に
近接する共通電極の厚みを２段階に形成し、映像信号配
線に近接する側の方が厚くなるように加工した。
【００２９】〔手段８〕手段７において、映像信号配線
の両側に近接する共通電極の厚みがあつくなっている部
分の幅が、映像信号配線の幅よりも同等かまたは、大き
くなるようにした。
の両側に近接する共通電極の厚みがあつくなっている部
分の幅が、映像信号配線の幅よりも同等かまたは、大き
くなるようにした。
【００３０】〔手段９〕手段７において、映像信号配線
の両側に近接する共通電極の厚みが２段階になってお
り、映像信号配線側の厚みのあつい部分は、光を透過せ
ず、厚みの薄い部分は光を透過するようにした。
の両側に近接する共通電極の厚みが２段階になってお
り、映像信号配線側の厚みのあつい部分は、光を透過せ
ず、厚みの薄い部分は光を透過するようにした。
【００３１】〔手段１０〕手段３または手段４におい
て、画素共通電極と液晶駆動電極が液晶分子の配向方向
に対して０°＜θ≦３０°の範囲内で１画素内で１回以
上屈曲しているようにした。
て、画素共通電極と液晶駆動電極が液晶分子の配向方向
に対して０°＜θ≦３０°の範囲内で１画素内で１回以
上屈曲しているようにした。
【００３２】〔手段１１〕手段３または手段４におい
て、画素共通電極と液晶駆動電極が液晶分子の配向方向
に対して６０°≦θ＜９０°の範囲内で１画素内で１回
以上屈曲しているようにした。
て、画素共通電極と液晶駆動電極が液晶分子の配向方向
に対して６０°≦θ＜９０°の範囲内で１画素内で１回
以上屈曲しているようにした。
【００３３】〔手段１２〕手段３または手段４におい
て、画素共通電極と液晶駆動電極と映像信号配線とが液
晶分子の配向方向に対して０°＜θ≦３０°の範囲内で
１画素内で１回以上屈曲しているようにした。
て、画素共通電極と液晶駆動電極と映像信号配線とが液
晶分子の配向方向に対して０°＜θ≦３０°の範囲内で
１画素内で１回以上屈曲しているようにした。
【００３４】〔手段１３〕手段３または手段４において
画素共通電極と液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分
子の配向方向に対して６０°≦θ＜９０°の範囲内で１
画素内で１回以上屈曲しているようにした。
画素共通電極と液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分
子の配向方向に対して６０°≦θ＜９０°の範囲内で１
画素内で１回以上屈曲しているようにした。
【００３５】〔手段１４〕手段１２または手段１３にお
いて、カラーフィルターの遮光膜（ＢＭ）とカラーフィ
ルター層（Ｒ，Ｇ，Ｂ，）が映像信号配線の屈曲角と同
じ角度で１画素内で１回以上屈曲しているようにした。
いて、カラーフィルターの遮光膜（ＢＭ）とカラーフィ
ルター層（Ｒ，Ｇ，Ｂ，）が映像信号配線の屈曲角と同
じ角度で１画素内で１回以上屈曲しているようにした。
【００３６】〔手段１５〕フリンジ・フィールド・スイ
ッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程におい
て、２層以上の異なる金属や透明導電体を用いて走査線
と共通電極を形成する時に透過光量を多段階に変調させ
たホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の
膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプラ
ズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・アッシング処
理とを交互におこなうことで。表示画素領域の共通電極
部分を基板に接触している下層の透明導電体のパターン
として残した。
ッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程におい
て、２層以上の異なる金属や透明導電体を用いて走査線
と共通電極を形成する時に透過光量を多段階に変調させ
たホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の
膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプラ
ズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・アッシング処
理とを交互におこなうことで。表示画素領域の共通電極
部分を基板に接触している下層の透明導電体のパターン
として残した。
【００３７】〔手段１６〕フリンジ・フィールド・スイ
ッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程におい
て２層以上の異なる金属や透明導電体を用いて、映像信
号配線と液晶駆動電極を形成する時に、透過光量を多段
階に変調させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジスト
の現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング
処理と、プラズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・
アッシング処理とを交互におこなうことで、液晶駆動電
極部を基板に接触している下層の透明導電体のパターン
として残した。
ッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程におい
て２層以上の異なる金属や透明導電体を用いて、映像信
号配線と液晶駆動電極を形成する時に、透過光量を多段
階に変調させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジスト
の現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング
処理と、プラズマ・ドライエッチング処理とプラズマ・
アッシング処理とを交互におこなうことで、液晶駆動電
極部を基板に接触している下層の透明導電体のパターン
として残した。
【００３８】〔手段１７〕手段１５，手段１６のすくな
くともどちらか１方の製造方法を用いて、フリンジ・フ
ィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の
表示画素領域の共通電極と液晶駆動電極の両方を光透過
性導電性電極で形成した。
くともどちらか１方の製造方法を用いて、フリンジ・フ
ィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の
表示画素領域の共通電極と液晶駆動電極の両方を光透過
性導電性電極で形成した。
【００３９】〔手段１８〕フリンジ・フィールド・スイ
ッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程におい
て、２層以上の異なる金属や透明導電体を用いて走査線
と共通電極を形成する時に透過光量を多段階に変調させ
たホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の
膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプラ
ズマ・ドライエッチング処理プラズマ・アッシング処理
とを交互におこなうことで映像信号配線の両側に近接す
る共通電極の厚みを２段階に形成し映像信号配線に近接
する側の方が厚くなるように加工した。
ッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程におい
て、２層以上の異なる金属や透明導電体を用いて走査線
と共通電極を形成する時に透過光量を多段階に変調させ
たホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の
膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプラ
ズマ・ドライエッチング処理プラズマ・アッシング処理
とを交互におこなうことで映像信号配線の両側に近接す
る共通電極の厚みを２段階に形成し映像信号配線に近接
する側の方が厚くなるように加工した。
【００４０】〔手段１９〕手段１８において映像信号配
線の両側に近接する共通電極の厚みが、あつくなってい
る部分の幅が、映像信号配線の幅よりも同等かまたは大
きく、かつこの厚みのあつい部分は、光を透過せず、厚
みの薄い部分は、光を透過するようにした。
線の両側に近接する共通電極の厚みが、あつくなってい
る部分の幅が、映像信号配線の幅よりも同等かまたは大
きく、かつこの厚みのあつい部分は、光を透過せず、厚
みの薄い部分は、光を透過するようにした。
【００４１】〔手段２０〕手段１７において液晶駆動電
極の幅が、液晶セルのセルギャップと同等か、それ以上
であるようにした。
極の幅が、液晶セルのセルギャップと同等か、それ以上
であるようにした。
【００４２】〔手段２１〕手段１７において、１画素内
の液晶駆動電極が２つ以上の群に分割されており、それ
ぞれの液晶駆動電極は、液晶分子の配向方向に対して０
°＜θ≦３０°の範囲内で交差しており、液晶駆動電極
に信号が印加された時に、液晶分子の回転運動方向が、
それぞれの群ごとに異なっているようにした。
の液晶駆動電極が２つ以上の群に分割されており、それ
ぞれの液晶駆動電極は、液晶分子の配向方向に対して０
°＜θ≦３０°の範囲内で交差しており、液晶駆動電極
に信号が印加された時に、液晶分子の回転運動方向が、
それぞれの群ごとに異なっているようにした。
【００４３】〔手段２２〕手段１７において、１画素内
の液晶駆動電極が２つ以上の群に分割されており、それ
ぞれの液晶駆動電極は、液晶分子の配向方向に対して６
０°≦θ＜９０°の範囲内で交差しており、液晶駆動電
極に信号が印加された時、液晶分子の回転運動方向が、
それぞれの群ごとに異なるようにした。
の液晶駆動電極が２つ以上の群に分割されており、それ
ぞれの液晶駆動電極は、液晶分子の配向方向に対して６
０°≦θ＜９０°の範囲内で交差しており、液晶駆動電
極に信号が印加された時、液晶分子の回転運動方向が、
それぞれの群ごとに異なるようにした。
【００４４】〔手段２３〕手段２１または手段２２にお
いて、１画素内の液晶分子の回転運動方向が異なる群の
領域がほぼ等しい面積になるようにした。
いて、１画素内の液晶分子の回転運動方向が異なる群の
領域がほぼ等しい面積になるようにした。
【００４５】〔手段２４〕手段１７において共通電極と
液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方向に
対して０°＜θ≦３０°の範囲内で１画素内で１回以上
屈曲しているようにした。
液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方向に
対して０°＜θ≦３０°の範囲内で１画素内で１回以上
屈曲しているようにした。
【００４６】〔手段２５〕手段１７において共通電極と
液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方向に
対して６０°≦θ＜９０°の範囲内で１画素で１回以上
屈曲しているようにした。
液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方向に
対して６０°≦θ＜９０°の範囲内で１画素で１回以上
屈曲しているようにした。
【００４７】〔手段２６〕手段２４または手段２５にお
いてカラーフィルターの遮光膜（ＢＭ）とカラーフィル
ター層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が映像信号配線の屈曲角と同じ角
度で１画素内で１回以上屈曲しているようにした。
いてカラーフィルターの遮光膜（ＢＭ）とカラーフィル
ター層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が映像信号配線の屈曲角と同じ角
度で１画素内で１回以上屈曲しているようにした。
【００４８】〔手段２７〕横電界液晶表示装置の製造工
程において、カラーフィルター側基板または、アクティ
ブマトリックス素子側基板に、ホトリソグラフィー技術
を用いて、セルギャップコントロール用スペーサーを形
成する時、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを
用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に
変調することで、ホトスペーサーと垂直方向クロストー
ク防止用バンプを同時に形成するようにした。
程において、カラーフィルター側基板または、アクティ
ブマトリックス素子側基板に、ホトリソグラフィー技術
を用いて、セルギャップコントロール用スペーサーを形
成する時、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを
用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に
変調することで、ホトスペーサーと垂直方向クロストー
ク防止用バンプを同時に形成するようにした。
【００４９】〔手段２８〕手段２７において、垂直クロ
ストーク防止用バンプが映像信号配線と映像信号配線の
両側に配置された共通電極に、オーバーラップするよう
に配置した。
ストーク防止用バンプが映像信号配線と映像信号配線の
両側に配置された共通電極に、オーバーラップするよう
に配置した。
【００５０】〔手段２９〕垂直配向方式液晶表示装置の
製造工程において、カラーフィルター側基板に、ホトリ
ソグラフィー技術を用いてセルギャップコントロール用
スペーサーを形成する時に、透過光量を多段階に変調さ
せたホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像後の
膜厚を多段階に変調することで、ホトスペーサーと、マ
ルチドメイン垂直配向用バンプを同時に形成するように
した。
製造工程において、カラーフィルター側基板に、ホトリ
ソグラフィー技術を用いてセルギャップコントロール用
スペーサーを形成する時に、透過光量を多段階に変調さ
せたホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像後の
膜厚を多段階に変調することで、ホトスペーサーと、マ
ルチドメイン垂直配向用バンプを同時に形成するように
した。
【００５１】〔手段３０〕垂直配向方式液晶表示装置に
おいて、アクティブマトリックス素子側基板に形成され
た垂直配向液晶分子の運動方向を決定する透明画素電極
のスリット領域の下層に、スリットとオーバーラップす
るように共通電極を配置した。
おいて、アクティブマトリックス素子側基板に形成され
た垂直配向液晶分子の運動方向を決定する透明画素電極
のスリット領域の下層に、スリットとオーバーラップす
るように共通電極を配置した。
【００５２】〔手段３１〕手段３０において透明画素電
極のスリットの下層にスリットとオーバーラップして配
置された共通電極の電位が、アクティブマトリックス素
子基板に対向しているカラーフィルター基板の透明電極
電位とほぼ等しくなるようにした。
極のスリットの下層にスリットとオーバーラップして配
置された共通電極の電位が、アクティブマトリックス素
子基板に対向しているカラーフィルター基板の透明電極
電位とほぼ等しくなるようにした。
【００５３】〔手段３２〕手段３０において、アクティ
ブマトリックス素子基板に形成された垂直配向液晶分子
の運動方向を決定する透明画素電極のスリットが、ひし
型状（ノコギリ歯状）または、互いに向きあったくし歯
状のスリット形状をしており、これらのスリットの中央
部の下層に共通電極を配置した。
ブマトリックス素子基板に形成された垂直配向液晶分子
の運動方向を決定する透明画素電極のスリットが、ひし
型状（ノコギリ歯状）または、互いに向きあったくし歯
状のスリット形状をしており、これらのスリットの中央
部の下層に共通電極を配置した。
【００５４】〔手段３３〕垂直配向方式液晶表示装置用
カラーフィルターにおいて、垂直配向液晶分子の運動方
向を決定する、カラーフィルター基板側に形成されたバ
ンプの構造を、ピラミッド形状（四角錐）または円錐状
または半円形または半ラグビーボール形状の突起をを複
数個連結したものとした。
カラーフィルターにおいて、垂直配向液晶分子の運動方
向を決定する、カラーフィルター基板側に形成されたバ
ンプの構造を、ピラミッド形状（四角錐）または円錐状
または半円形または半ラグビーボール形状の突起をを複
数個連結したものとした。
【００５５】〔手段３４〕半透明型液晶表示装置の製造
工程において、アクティブマトリックス素子側基板にホ
トリソグラフィー技術を用いて、光散乱反射用凹凸部を
形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマス
クを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段
階に変調することで、光散乱反射用凹凸部と、光透過領
域部を同時に形成した。
工程において、アクティブマトリックス素子側基板にホ
トリソグラフィー技術を用いて、光散乱反射用凹凸部を
形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマス
クを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段
階に変調することで、光散乱反射用凹凸部と、光透過領
域部を同時に形成した。
【００５６】〔手段３５〕半透過型液晶表示装置の製造
工程において、２層以上の異なる金属や透明導電体を用
いて、映像信号配線と光透過領域の画素透明電極を形成
する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを
用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に
変調し、ウェットエッチング処理とプラズマドライエッ
チング処理とプラズマアッシング処理とを交互におこな
うことで、光透過領域の画素透明電極部を基板に接触し
ている下層の透明導電体のパターンとして残した。
工程において、２層以上の異なる金属や透明導電体を用
いて、映像信号配線と光透過領域の画素透明電極を形成
する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを
用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に
変調し、ウェットエッチング処理とプラズマドライエッ
チング処理とプラズマアッシング処理とを交互におこな
うことで、光透過領域の画素透明電極部を基板に接触し
ている下層の透明導電体のパターンとして残した。
【００５７】〔手段３６〕液晶表示装置や有機ＥＬ表示
装置の製造工程において、２層以上の異なる金属や導電
体を用いて、映像信号配線の端子部や走査線の端子部を
形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマス
クを用いてポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階
に変調し、ウェットエッチング処理とプラズマドライエ
ッチング処理と、プラズマアッシング処理とを交互にお
こなうことで、映像信号配線の端子部と走査線の端子部
を基板に接触している下層の金属または合金または金属
窒化物または金属酸化物のパターンとして残した。
装置の製造工程において、２層以上の異なる金属や導電
体を用いて、映像信号配線の端子部や走査線の端子部を
形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマス
クを用いてポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階
に変調し、ウェットエッチング処理とプラズマドライエ
ッチング処理と、プラズマアッシング処理とを交互にお
こなうことで、映像信号配線の端子部と走査線の端子部
を基板に接触している下層の金属または合金または金属
窒化物または金属酸化物のパターンとして残した。
【００５８】〔手段３７〕走査露光方式の露光装置を用
いて液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置を製造する工程に
おいて、表示画面を水平方向に２群以上に分割したホト
マスクを用いて、分割走査露光する時、２群以上に分割
したホトマスクの接合領域が、互いに重なり合い、水平
方向にジグザグ接合しているか、または水平方向にラン
ダムに分布した接合となっており、それぞれ重なりあう
接合の密度分布 式であらわされるようにした。
いて液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置を製造する工程に
おいて、表示画面を水平方向に２群以上に分割したホト
マスクを用いて、分割走査露光する時、２群以上に分割
したホトマスクの接合領域が、互いに重なり合い、水平
方向にジグザグ接合しているか、または水平方向にラン
ダムに分布した接合となっており、それぞれ重なりあう
接合の密度分布 式であらわされるようにした。
【００５９】〔手段３８〕手段３７に記載の走査露光用
分割ホトマスクに関してそれぞれ水平方向に分割された
ホトマスクの互いに重なりあった露光 式であらわされる接合密度分布関数になるようした。
分割ホトマスクに関してそれぞれ水平方向に分割された
ホトマスクの互いに重なりあった露光 式であらわされる接合密度分布関数になるようした。
【００６０】〔手段３９〕手段３７に記載の走査露光用
分割ホトマスクに関して、それぞれ水平方向に分割され
たホトマスクの互いに重なりあった露光領域が、２画素
サイズ（Ｒ＆Ｇ，Ｇ＆Ｂ，Ｂ＆Ｒ）を基本単位として なるようにした。
分割ホトマスクに関して、それぞれ水平方向に分割され
たホトマスクの互いに重なりあった露光領域が、２画素
サイズ（Ｒ＆Ｇ，Ｇ＆Ｂ，Ｂ＆Ｒ）を基本単位として なるようにした。
【００６１】〔手段４０〕手段３７に記載の走査露光用
分割ホトマスクに関して、それぞれ水平方向に分割され
たホトマスクの互いに重なりあった露光領域が、３画素
サイズ（Ｒ＆Ｇ＆Ｂ）を基本単位として、 なるようにした。
分割ホトマスクに関して、それぞれ水平方向に分割され
たホトマスクの互いに重なりあった露光領域が、３画素
サイズ（Ｒ＆Ｇ＆Ｂ）を基本単位として、 なるようにした。
【００６２】〔手段４１〕手段３７から手段４０に記載
のいずれかのホトマスクを用いて、薄膜トランジスタア
レイ基板の製造工程で、走査線と共通電極の形成工程、
薄膜半導体層形成工程、映像信号配線形成、コンタクト
ホール形成工程、画素電極形成工程のうちの、複数工程
に、ジグザグ接合または、ランダム分布接合を適した。
のいずれかのホトマスクを用いて、薄膜トランジスタア
レイ基板の製造工程で、走査線と共通電極の形成工程、
薄膜半導体層形成工程、映像信号配線形成、コンタクト
ホール形成工程、画素電極形成工程のうちの、複数工程
に、ジグザグ接合または、ランダム分布接合を適した。
【００６３】〔手段４２〕ボトムゲート型薄膜トランジ
スタ素子の製造方法に関して、次の工程を大気中にさら
すことなく、真空チェンバー内で処理するようにした。 ｉ）プラズマ界面クリーニング処理（Ｎ２プラズマまた
はＨ２プラズマ） ｉｉ）ノンドープアモルファスシリコン層２５０Å〜１
０００Åを形成する。 ｉｉｉ）脱水素処理（真空アニール） ｉＶ）Ｎ２またはＮ２とＨ２の混合ガス雰囲気（０．５
気圧または２気圧）でのＣＷモードＮｄ・ＹＡＧレーザ
ー第２高調波またはＣＷモードＮｄ・ＹＶＯ４レーザー
第２高調波によるレーザー結晶化処理 Ｖ）ノンドープ・アモルファスシリコン層１０００Å〜
２０００Åを形成する。 Ｖｉ）ｎ＋アモルファスシリコン層（リンドープ）また
はＰ＋アモルファスシリコン層（ボロンドープ）１００
Å〜５００Åを形成する。
スタ素子の製造方法に関して、次の工程を大気中にさら
すことなく、真空チェンバー内で処理するようにした。 ｉ）プラズマ界面クリーニング処理（Ｎ２プラズマまた
はＨ２プラズマ） ｉｉ）ノンドープアモルファスシリコン層２５０Å〜１
０００Åを形成する。 ｉｉｉ）脱水素処理（真空アニール） ｉＶ）Ｎ２またはＮ２とＨ２の混合ガス雰囲気（０．５
気圧または２気圧）でのＣＷモードＮｄ・ＹＡＧレーザ
ー第２高調波またはＣＷモードＮｄ・ＹＶＯ４レーザー
第２高調波によるレーザー結晶化処理 Ｖ）ノンドープ・アモルファスシリコン層１０００Å〜
２０００Åを形成する。 Ｖｉ）ｎ＋アモルファスシリコン層（リンドープ）また
はＰ＋アモルファスシリコン層（ボロンドープ）１００
Å〜５００Åを形成する。
【００６４】〔手段４３〕手段４２のレーザー結晶化工
程において、ＣＷモードのレーザー走査方向が、アクテ
ィブマトリックス基板の走査線の方向と、ほぼ平行にな
るようにした。
程において、ＣＷモードのレーザー走査方向が、アクテ
ィブマトリックス基板の走査線の方向と、ほぼ平行にな
るようにした。
【００６５】〔手段４４〕手段４２の製造方法と透過光
量変調ホトマスク・プロセスを用いて４回のホトリソ工
程でポリシリコン薄膜トランジスタ・アレイ基板を形成
した。
量変調ホトマスク・プロセスを用いて４回のホトリソ工
程でポリシリコン薄膜トランジスタ・アレイ基板を形成
した。
【００６６】〔手段４５〕手段４２の製造方法と透過光
量変調ホトマスク・プロセスとシャドーマスク・プラズ
マＣＶＤ法を用いて、３回のホトリソ工程で、ポリシリ
コン薄膜トランジスタ・アレイ基板を形成した。
量変調ホトマスク・プロセスとシャドーマスク・プラズ
マＣＶＤ法を用いて、３回のホトリソ工程で、ポリシリ
コン薄膜トランジスタ・アレイ基板を形成した。
【００６７】〔手段４６〕手段４２の製造方法と透過光
量変調ホトマスクプロセスとシャドーマスク・プラズマ
ＣＶＤ法を用いて、２回のホトリソ工程で、ポリシリコ
ン薄膜トランジスタ・アレイ基板を形成した。
量変調ホトマスクプロセスとシャドーマスク・プラズマ
ＣＶＤ法を用いて、２回のホトリソ工程で、ポリシリコ
ン薄膜トランジスタ・アレイ基板を形成した。
【００６８】〔手段４７〕ＣＷモードのレーザーを用い
てアモルファス半導体膜を結晶化する時に、レーザービ
ームの照射形状を三角関数（サイン波またはコサイン
波）の波形または、矩形波または台形波または三角波の
形状とした。
てアモルファス半導体膜を結晶化する時に、レーザービ
ームの照射形状を三角関数（サイン波またはコサイン
波）の波形または、矩形波または台形波または三角波の
形状とした。
【００６９】〔手段４８〕手段４７に記載のレーザービ
ームの照射形状がアクティブマトリックス基板の走査線
のピッチと同じ周期の関数とした。
ームの照射形状がアクティブマトリックス基板の走査線
のピッチと同じ周期の関数とした。
【００７０】〔手段４９〕手段４８に記載のレーザービ
ームを用いて、アモルファス半導体膜を結晶化する工程
において、レーザーの走査方向がアクティブ・マトリッ
クス基板の走査線の方向とほぼ平行であるようにした。
ームを用いて、アモルファス半導体膜を結晶化する工程
において、レーザーの走査方向がアクティブ・マトリッ
クス基板の走査線の方向とほぼ平行であるようにした。
【００７１】〔手段５０〕手段４７に記載のレーザービ
ームの照射形状がアクティブ・マトリックス基板の映像
信号配線のピッチと同じ周期の関数とした。
ームの照射形状がアクティブ・マトリックス基板の映像
信号配線のピッチと同じ周期の関数とした。
【００７２】〔手段５１〕手段５０に記載のレーザービ
ームを用いてアモルファス半導体膜を結晶化する工程に
おいて、レーザーの走査方向がアクティブマトリックス
基板の映像信号配線の方向とほぼ平行であるようにし
た。
ームを用いてアモルファス半導体膜を結晶化する工程に
おいて、レーザーの走査方向がアクティブマトリックス
基板の映像信号配線の方向とほぼ平行であるようにし
た。
【００７３】〔手段５２〕アモルファス半導体膜をレー
ザー結晶化させる時、レーザービームの幅と強度の異な
る２本の、ＣＷモード固体レーザーの第２高調波を基板
の表面でかさなりあわせ、ビーム幅が狭まく強度の強い
ビームがビームの走査方向側にシフトしている位置に配
置した。
ザー結晶化させる時、レーザービームの幅と強度の異な
る２本の、ＣＷモード固体レーザーの第２高調波を基板
の表面でかさなりあわせ、ビーム幅が狭まく強度の強い
ビームがビームの走査方向側にシフトしている位置に配
置した。
【００７４】〔手段５３〕手段５２に記載の２本のＣＷ
モード固体レーザーの第２高調波のうち、ビーム幅が狭
まく強度の強いレーザーの幅が５ミクロンメートルから
５０ミクロンメートルの範囲にあり、ビームの幅が広く
強度の弱いレーザーの幅が５０ミクロンメートルから５
００ミクロンメートルの範囲とした。
モード固体レーザーの第２高調波のうち、ビーム幅が狭
まく強度の強いレーザーの幅が５ミクロンメートルから
５０ミクロンメートルの範囲にあり、ビームの幅が広く
強度の弱いレーザーの幅が５０ミクロンメートルから５
００ミクロンメートルの範囲とした。
【００７５】
【作用】手段１，手段２，手段３を用いることで図１
１，図１２，図１３にあるようにホトマスク回数をふや
さずに１回のホトマスク工程で膜厚の厚い領域と膜厚の
薄い領域を作り出すことが可能となる。これにより横電
界方式液晶パネルの画素領域の共通電極と液晶駆動電極
のパターンの膜厚を薄くすることができ、ラビング配向
処理時のラビング不良発生をいちじるしく減少させるこ
とが可能となる。プロセスを短縮化でき歩留りを向上で
きるので大幅なコストダウンができる。
１，図１２，図１３にあるようにホトマスク回数をふや
さずに１回のホトマスク工程で膜厚の厚い領域と膜厚の
薄い領域を作り出すことが可能となる。これにより横電
界方式液晶パネルの画素領域の共通電極と液晶駆動電極
のパターンの膜厚を薄くすることができ、ラビング配向
処理時のラビング不良発生をいちじるしく減少させるこ
とが可能となる。プロセスを短縮化でき歩留りを向上で
きるので大幅なコストダウンができる。
【００７６】手段４，手段５，手段６，手段７，手段
８，手段９を用いることで横電界方式液晶パネルの垂直
クロストークを防止し、開口率を大幅に向上することが
できるようになるので、明るい表示パネルを作れる。図
２９，図３０にあるように、横電界表示モードでは、液
晶セルギャップと同等の幅の共通電極または液晶駆動電
極の上の液晶分子は、まわりの液晶分子の運動にひきづ
られて同じ方向に回転してしまう。この現象により共通
電極と液晶駆動電極が光透過性の導電性電極からなりた
っていれば、光は共通電極と液晶駆動電極を通過するこ
とができ非常に明るい表示パネルを作ることが可能とな
る。共通電極または液晶駆動電極の両側の液晶分子の回
転運動方向が異なる場合には、電極の中央部にディスク
リネーションラインが発生してしまい、光の透過率向上
は、それほど大きくならない。上記電極の両側の液晶分
子の回転運動方向が同じになるようにすることが、実質
的開口率向上には、必要なことなのです。
８，手段９を用いることで横電界方式液晶パネルの垂直
クロストークを防止し、開口率を大幅に向上することが
できるようになるので、明るい表示パネルを作れる。図
２９，図３０にあるように、横電界表示モードでは、液
晶セルギャップと同等の幅の共通電極または液晶駆動電
極の上の液晶分子は、まわりの液晶分子の運動にひきづ
られて同じ方向に回転してしまう。この現象により共通
電極と液晶駆動電極が光透過性の導電性電極からなりた
っていれば、光は共通電極と液晶駆動電極を通過するこ
とができ非常に明るい表示パネルを作ることが可能とな
る。共通電極または液晶駆動電極の両側の液晶分子の回
転運動方向が異なる場合には、電極の中央部にディスク
リネーションラインが発生してしまい、光の透過率向上
は、それほど大きくならない。上記電極の両側の液晶分
子の回転運動方向が同じになるようにすることが、実質
的開口率向上には、必要なことなのです。
【００７７】手段４，５，６，７，８，９のほかに手段
１０，手段１２，手段１４を用いることで、正の誘電率
異方性液晶を使用した横電界液晶表示装置の視野角を拡
大することができる。さらに、カラーシフト量を大幅に
低減でき、中間調領域での階調反転現象を完全に防止で
きるので、すぐれた画像品質を得ることができる。図３
４，図３５，図３６，図３７，図３８，図３９，図４
６，図４８，にあるように、横電界方式液晶パネルの画
素領域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に
対して屈曲させることで液晶分子の回転運動方向を左回
りと右回りの２方向にコントロールすることが可能とな
ります。このことが、視野角の拡大とカラーシフト低減
などの効果をもたらしてくれます。さらに上記電極の両
側の液晶分子の回転運動方向を同じ方向にすることで電
極上の液晶分子も同じ回転運動方向となり、電極が光透
過性の材質であれば、電極の領域も光を透過できるよう
になる。これにより横電界方式液晶パネルで問題になっ
ていた開口率の悪るさを大幅に改善することができ、明
るい、コントラストの大きな横電界液晶表示装置を作る
ことができる。
１０，手段１２，手段１４を用いることで、正の誘電率
異方性液晶を使用した横電界液晶表示装置の視野角を拡
大することができる。さらに、カラーシフト量を大幅に
低減でき、中間調領域での階調反転現象を完全に防止で
きるので、すぐれた画像品質を得ることができる。図３
４，図３５，図３６，図３７，図３８，図３９，図４
６，図４８，にあるように、横電界方式液晶パネルの画
素領域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に
対して屈曲させることで液晶分子の回転運動方向を左回
りと右回りの２方向にコントロールすることが可能とな
ります。このことが、視野角の拡大とカラーシフト低減
などの効果をもたらしてくれます。さらに上記電極の両
側の液晶分子の回転運動方向を同じ方向にすることで電
極上の液晶分子も同じ回転運動方向となり、電極が光透
過性の材質であれば、電極の領域も光を透過できるよう
になる。これにより横電界方式液晶パネルで問題になっ
ていた開口率の悪るさを大幅に改善することができ、明
るい、コントラストの大きな横電界液晶表示装置を作る
ことができる。
【００７８】手段４，５，６，７，８，９のほかに手段
１１，手段１３，手段１４を用いることで、負の誘電率
異方性液晶を使用した横電界液晶表示装置の視野角を拡
大でき、カラーシフト量を大幅に低減でき、中間調領域
の階調反転現象を完全に防止することができる。図３
４，図３５，図３６，図３７，図３８，図３９，図４
６，図４８にあるように横電界方式液晶パネルの画素領
域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に対し
て屈曲させることで、液晶分子の回転運動方向を左回り
と右回りの２方向にコントロールすることが可能とな
る。このことが、視野角の拡大とカラーシフト低減など
の効果をもたらしてくれる。さらに上記電極の両側の液
晶分子の回転運動方向を同じ方向にすることで電極上の
液晶分子も同じ回転運動方向となり、電極が光透過性の
材質であれば、電極の領域も光を透過できるようにな
る。これにより横電界方式液晶パネルで問題となってい
た開口率の悪るさを大幅に改善することができ、明る
い、コントラストの大きな横電界液晶表示装置を作るこ
とができる。
１１，手段１３，手段１４を用いることで、負の誘電率
異方性液晶を使用した横電界液晶表示装置の視野角を拡
大でき、カラーシフト量を大幅に低減でき、中間調領域
の階調反転現象を完全に防止することができる。図３
４，図３５，図３６，図３７，図３８，図３９，図４
６，図４８にあるように横電界方式液晶パネルの画素領
域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に対し
て屈曲させることで、液晶分子の回転運動方向を左回り
と右回りの２方向にコントロールすることが可能とな
る。このことが、視野角の拡大とカラーシフト低減など
の効果をもたらしてくれる。さらに上記電極の両側の液
晶分子の回転運動方向を同じ方向にすることで電極上の
液晶分子も同じ回転運動方向となり、電極が光透過性の
材質であれば、電極の領域も光を透過できるようにな
る。これにより横電界方式液晶パネルで問題となってい
た開口率の悪るさを大幅に改善することができ、明る
い、コントラストの大きな横電界液晶表示装置を作るこ
とができる。
【００７９】手段１５，手段１６，手段１７，手段１
８，手段１９，手段２０を用いることで、図１１，図１
２，図１３にあるように、ホトマスク回数をふやさずに
１回のホトマスク工程で、膜厚の厚い領域と膜厚の薄い
領域を作り出すことが可能となる。これによりフリンジ
フィールドスイッチング（ＦＦＳ）方式液晶パネルを、
従来の６回のホトマスク工程から５回のホトマスク工程
または４回のホトマスク工程へとプロセスを大幅に短縮
できる。これにより歩留り向上と大幅なコストダウンも
可能になる。
８，手段１９，手段２０を用いることで、図１１，図１
２，図１３にあるように、ホトマスク回数をふやさずに
１回のホトマスク工程で、膜厚の厚い領域と膜厚の薄い
領域を作り出すことが可能となる。これによりフリンジ
フィールドスイッチング（ＦＦＳ）方式液晶パネルを、
従来の６回のホトマスク工程から５回のホトマスク工程
または４回のホトマスク工程へとプロセスを大幅に短縮
できる。これにより歩留り向上と大幅なコストダウンも
可能になる。
【００８０】手段１５，１６，１７，１８，１９，２０
のほかに手段２１，手段２３，手段２４，手段２６を用
いることで、正の誘電率異方性液晶を使用したＦＦＳ方
式液晶表示装置の視野角を拡大することができ、カラー
シフト量も大幅に低減でき、中間調領域の階調反転現象
を完全に防止できます。図４０，図４１，図４２，図４
７，図４９にあるようにＦＦＳ方式液晶表示装置の画素
領域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に対
して屈曲させることで液晶分子の回転運動方向を左回り
と右回りの２方向にコントロールすることが可能となり
ます。このことが視野角の拡大とカラーシフト低減など
の効果をもたらしてくれます。
のほかに手段２１，手段２３，手段２４，手段２６を用
いることで、正の誘電率異方性液晶を使用したＦＦＳ方
式液晶表示装置の視野角を拡大することができ、カラー
シフト量も大幅に低減でき、中間調領域の階調反転現象
を完全に防止できます。図４０，図４１，図４２，図４
７，図４９にあるようにＦＦＳ方式液晶表示装置の画素
領域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に対
して屈曲させることで液晶分子の回転運動方向を左回り
と右回りの２方向にコントロールすることが可能となり
ます。このことが視野角の拡大とカラーシフト低減など
の効果をもたらしてくれます。
【００８１】手段１５，１６，１７，１８，１９，２０
のほかに手段２２，手段２３，手段２５手段２６を用い
ることで、負の誘電率異方性液晶を使用したＦＦＳ方式
液晶表示装置の視野角を拡大することができ、カラーシ
フト量も大幅に低減でき、中間調領域の階調反転現象を
完全に防止できます。図４０，図４１，図４２，図４
７，図４９にあるようにＦＦＳ方式液晶表示装置の画素
領域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に対
して屈曲させることで液晶分子の回転運動方向を左回り
と右回りの２方向にコントロールすることが可能となり
ます。このことが、視野角の拡大と、カラーシフト低減
などの効果をもたらしてくれる。
のほかに手段２２，手段２３，手段２５手段２６を用い
ることで、負の誘電率異方性液晶を使用したＦＦＳ方式
液晶表示装置の視野角を拡大することができ、カラーシ
フト量も大幅に低減でき、中間調領域の階調反転現象を
完全に防止できます。図４０，図４１，図４２，図４
７，図４９にあるようにＦＦＳ方式液晶表示装置の画素
領域共通電極と液晶駆動電極を液晶分子の配向方向に対
して屈曲させることで液晶分子の回転運動方向を左回り
と右回りの２方向にコントロールすることが可能となり
ます。このことが、視野角の拡大と、カラーシフト低減
などの効果をもたらしてくれる。
【００８２】手段２７，手段２８を用いることで１回の
ホトマスク工程でホトリソスペーサーと垂直クロストー
ク防止用バンプを形成することができるのでコスト上昇
なしで横電界方式液晶パネルの開口率を向上できる。横
電界方式液晶パネルの液晶のスレショールド電圧は、セ
ルギャップが小さくなると大きく増加する傾向にある。
セルギャップが４μｍの場合と２μｍの場合では液晶の
スレショールド電圧が数ボルト程度大きくなる。さらに
垂直クロストーク防止用バンプを図６１にあるようにア
クティブマトリックス基板側に形成すると映像信号配線
と映像信号配線を両側からはさみこんでいる共通電極と
の間で発生する電界が垂直クロストーク防止用バンプの
表面部分では弱くなっているため垂直クロストーク防止
用バンプの上の配向膜に接する液晶分子は動きずらくな
り実質的な液晶のスレショールド電圧は非常に大きなも
のとなる。このため映像信号配線を両側からはさみこん
でいる共通電極の幅を映像信号配線と同程度の幅まで細
くしても垂直ストロークが発生しなくなる。これにより
カラーフィルター基板側のＢＭの幅も細くすることがで
き、開口率を向上することができる。
ホトマスク工程でホトリソスペーサーと垂直クロストー
ク防止用バンプを形成することができるのでコスト上昇
なしで横電界方式液晶パネルの開口率を向上できる。横
電界方式液晶パネルの液晶のスレショールド電圧は、セ
ルギャップが小さくなると大きく増加する傾向にある。
セルギャップが４μｍの場合と２μｍの場合では液晶の
スレショールド電圧が数ボルト程度大きくなる。さらに
垂直クロストーク防止用バンプを図６１にあるようにア
クティブマトリックス基板側に形成すると映像信号配線
と映像信号配線を両側からはさみこんでいる共通電極と
の間で発生する電界が垂直クロストーク防止用バンプの
表面部分では弱くなっているため垂直クロストーク防止
用バンプの上の配向膜に接する液晶分子は動きずらくな
り実質的な液晶のスレショールド電圧は非常に大きなも
のとなる。このため映像信号配線を両側からはさみこん
でいる共通電極の幅を映像信号配線と同程度の幅まで細
くしても垂直ストロークが発生しなくなる。これにより
カラーフィルター基板側のＢＭの幅も細くすることがで
き、開口率を向上することができる。
【００８３】手段２９を用いることで１回のホトマスク
工程で、ホトリソスペーサーとマルチドメイン垂直配向
用バンプを形成することができるのでコスト上昇なしで
垂直配向モードの液晶パネル用カラーフィルターを作る
ことができる。さらに透過光量変調ホトマスク技術を用
いることでホストスペーサーやマルチドメイン垂直配向
用バンプのテーパー角度を自由にコントロールすること
ができるので、ディスクリネーショラインの発生が少な
い、明るく、コントラストの高い垂直配向モードの液晶
パネルを作ることができる。
工程で、ホトリソスペーサーとマルチドメイン垂直配向
用バンプを形成することができるのでコスト上昇なしで
垂直配向モードの液晶パネル用カラーフィルターを作る
ことができる。さらに透過光量変調ホトマスク技術を用
いることでホストスペーサーやマルチドメイン垂直配向
用バンプのテーパー角度を自由にコントロールすること
ができるので、ディスクリネーショラインの発生が少な
い、明るく、コントラストの高い垂直配向モードの液晶
パネルを作ることができる。
【００８４】手段３０と手段３１，手段３２を用いるこ
とでマルチドメイン垂直配向モードの液晶パネルの応答
速度を大幅に短かくでき、中間調領域のムラを激減させ
ることができる。これにより歩留りの低かったマルチド
メイン垂直配向モードの液晶パネルの歩留りを大幅に向
上できる。従来のマルチドメイン垂直配向モードの液晶
パネルではカラーフィルター側に形成したバンプの領域
が液晶のスレショールド電圧と中間調領域のガンマーカ
ーブの形状を決定していた。バンプの領域の液晶分子の
運動方向は非常に複雑で、バンプの傾斜の方向にたおれ
る液晶分子のほかに、バンプの長さ方向に平行にたおれ
る液晶分子も存在する。この場合バンプの傾斜に対して
左方向と右方向にたおれる、２つの方向が存在します。
この方向を決定することはできず直線状のバンプの場
合、左方向と右方向のバランスがとれている場合には、
ムラの発生がなく均一な中間調（灰色）が得られるが、
左方向と右方向のバランスがとれていない領域が発生す
ると、この領域はムラとなって均一な中間調（灰色）が
得られなくなる。手段３０にあるようにアクティブマト
リックス基板側に形成された画素電極のスリットの下層
にスリットとオーバーラップするように共通電極を配置
することで、液晶のスレショールド電圧をスリット電極
と共通電極の電界が決定するようになる。これによりス
レショールド電圧も小さくなり、幾何学的なバラツキが
影響しなくなる、さらにスリット電極と共通電極の電界
の方向で液晶分子がコントロールされるため液晶分子の
たおれる方向はスリットの形状により一方向に決定され
る。このことにより均一な中間調を得ることができる。
とでマルチドメイン垂直配向モードの液晶パネルの応答
速度を大幅に短かくでき、中間調領域のムラを激減させ
ることができる。これにより歩留りの低かったマルチド
メイン垂直配向モードの液晶パネルの歩留りを大幅に向
上できる。従来のマルチドメイン垂直配向モードの液晶
パネルではカラーフィルター側に形成したバンプの領域
が液晶のスレショールド電圧と中間調領域のガンマーカ
ーブの形状を決定していた。バンプの領域の液晶分子の
運動方向は非常に複雑で、バンプの傾斜の方向にたおれ
る液晶分子のほかに、バンプの長さ方向に平行にたおれ
る液晶分子も存在する。この場合バンプの傾斜に対して
左方向と右方向にたおれる、２つの方向が存在します。
この方向を決定することはできず直線状のバンプの場
合、左方向と右方向のバランスがとれている場合には、
ムラの発生がなく均一な中間調（灰色）が得られるが、
左方向と右方向のバランスがとれていない領域が発生す
ると、この領域はムラとなって均一な中間調（灰色）が
得られなくなる。手段３０にあるようにアクティブマト
リックス基板側に形成された画素電極のスリットの下層
にスリットとオーバーラップするように共通電極を配置
することで、液晶のスレショールド電圧をスリット電極
と共通電極の電界が決定するようになる。これによりス
レショールド電圧も小さくなり、幾何学的なバラツキが
影響しなくなる、さらにスリット電極と共通電極の電界
の方向で液晶分子がコントロールされるため液晶分子の
たおれる方向はスリットの形状により一方向に決定され
る。このことにより均一な中間調を得ることができる。
【００８５】手段３３を用いることで、直線状バンプで
発生していた中間調領域でのムラの発生を防止すること
ができ、歩留り向上を実現できる。直線状のバンプで
は、バンプの傾斜領域の液晶分子はいろいろな方向にラ
ンダムにたおれるために方向が異なる領域ではディスク
リネーションラインが発生する。このディスクリネーシ
ョンラインの発生確率はランダムなので、多発する領域
とまったく発生していない領域では光の透過率も異な
り、ムラとなって人の目に見えてしまう。図５５，図６
２，図６３，図１０６，図１０７，図１０８にあるよう
にバンプを四角錐や円錐または半円形などの突起物を複
数個連結したもので形成することでディスクリネーショ
ンラインの発生を均一化することができる。これにより
ムラの発生を減少させることができ歩留りを向上でき
る。
発生していた中間調領域でのムラの発生を防止すること
ができ、歩留り向上を実現できる。直線状のバンプで
は、バンプの傾斜領域の液晶分子はいろいろな方向にラ
ンダムにたおれるために方向が異なる領域ではディスク
リネーションラインが発生する。このディスクリネーシ
ョンラインの発生確率はランダムなので、多発する領域
とまったく発生していない領域では光の透過率も異な
り、ムラとなって人の目に見えてしまう。図５５，図６
２，図６３，図１０６，図１０７，図１０８にあるよう
にバンプを四角錐や円錐または半円形などの突起物を複
数個連結したもので形成することでディスクリネーショ
ンラインの発生を均一化することができる。これにより
ムラの発生を減少させることができ歩留りを向上でき
る。
【００８６】手段３４を用いることで１回のホトリソ工
程で半透過型液晶表示装置用の光散乱反射凹凸部と光透
過領域を形成できるようになりコストダウンができる。
従来は図１３０にあるように２回のホトマスク工程を用
いて光散乱反射凹凸部と光透過領域を形成していた。こ
のため大型の半透過型液晶表示装置のコストは非常に高
くなっていしまい実用化されにくかった。さらに手段３
５と組み合わせることで従来よりもホトマスク工程を２
回から３回低減できるようになり通常のＴＮモードの透
過型液晶とかわらないコストで生産できるようになる。
程で半透過型液晶表示装置用の光散乱反射凹凸部と光透
過領域を形成できるようになりコストダウンができる。
従来は図１３０にあるように２回のホトマスク工程を用
いて光散乱反射凹凸部と光透過領域を形成していた。こ
のため大型の半透過型液晶表示装置のコストは非常に高
くなっていしまい実用化されにくかった。さらに手段３
５と組み合わせることで従来よりもホトマスク工程を２
回から３回低減できるようになり通常のＴＮモードの透
過型液晶とかわらないコストで生産できるようになる。
【００８７】手段３６、を用いることでホトマスク工程
をふやさずに接合端子部を機械的強度の強い材質におき
かえることができ、ＴＡＢやＣＯＦのリペアーがやりや
すくなる。さらに可視光や紫外光を透過する材質で端子
を形成した場合、可視光や紫外光硬化型の異方導電接着
材を用いて端子部の接合が可能となり、超高密度端子接
合が実現できる。従来の端子接合は熱硬化型の接着材を
用いており端子接合時には１２０℃以上の熱を必要とし
ていた。ＴＡＢやＣＯＦのフィルムの熱膨張係数とガラ
スの熱膨張係数は大きな差があり、これが超高密度端子
接合を防害していた。室温で可視光や紫外光を用いて端
子が接合できれば熱膨張係数の差は問題なくなり、超高
密度端子接合が実現できる。
をふやさずに接合端子部を機械的強度の強い材質におき
かえることができ、ＴＡＢやＣＯＦのリペアーがやりや
すくなる。さらに可視光や紫外光を透過する材質で端子
を形成した場合、可視光や紫外光硬化型の異方導電接着
材を用いて端子部の接合が可能となり、超高密度端子接
合が実現できる。従来の端子接合は熱硬化型の接着材を
用いており端子接合時には１２０℃以上の熱を必要とし
ていた。ＴＡＢやＣＯＦのフィルムの熱膨張係数とガラ
スの熱膨張係数は大きな差があり、これが超高密度端子
接合を防害していた。室温で可視光や紫外光を用いて端
子が接合できれば熱膨張係数の差は問題なくなり、超高
密度端子接合が実現できる。
【００８８】手段３７，手段３８，手段３９，手段４
０，手段４１を用いることで、走査露光方式の露光機に
よる分割ホトマスク分割露光方法が実現可能となる。従
来のステップ露光方式露光装置を用いて大型パネルを露
光する場合、露光領域が小さいために上下方向，左右方
向、２次元の方向にマトリックス状に露光しなければな
らない。このため必ず四つの露光ショットが重なり合う
接合部分が発生する。この領域は特に人の目に見えやす
くムラとなり歩留り低下の原因となっていた。走査露光
方式では、走査方向の長さに制限はない。水平方向に露
光しこれを垂直方向にくりかえすことで、超大型表示装
置を作ることができる。水平方向の接合の場合ジグザグ
接合技術やランダム接合技術を用いることで接合部の境
界ムラを見えにくくすることができる。接合領域をなめ
らかに接合することで境界ムラは、目に見えなくなる。
本発明では接合の関数を 見えにくい接合を実現できる。
０，手段４１を用いることで、走査露光方式の露光機に
よる分割ホトマスク分割露光方法が実現可能となる。従
来のステップ露光方式露光装置を用いて大型パネルを露
光する場合、露光領域が小さいために上下方向，左右方
向、２次元の方向にマトリックス状に露光しなければな
らない。このため必ず四つの露光ショットが重なり合う
接合部分が発生する。この領域は特に人の目に見えやす
くムラとなり歩留り低下の原因となっていた。走査露光
方式では、走査方向の長さに制限はない。水平方向に露
光しこれを垂直方向にくりかえすことで、超大型表示装
置を作ることができる。水平方向の接合の場合ジグザグ
接合技術やランダム接合技術を用いることで接合部の境
界ムラを見えにくくすることができる。接合領域をなめ
らかに接合することで境界ムラは、目に見えなくなる。
本発明では接合の関数を 見えにくい接合を実現できる。
【００８９】手段４２，手段４３，手段４４，手段４
５，手段４６を用いることでアモルファスシリコン薄膜
トランジスタ基板と同等の製造コストで低温ポリシリコ
ン薄膜トランジスタ基板を作ることが可能となる。低温
ポリシリコン薄膜トランジスタ素子はトランジスターの
オフ電流がアモルファスシリコントランジスタとくらべ
て２けたから３けた大きいため、このオフ電流低減のた
めに図１２３や図１２４のように、ＬＤＤ構造やオフセ
ットゲート構造を採用していた。この構造実現のために
は、ホトマスク工程がアモルファスシリコン薄膜トラン
ジスタの場合よりも２回以上多くなることをさけられな
かった。ＬＤＤプロセスでは、不純物のドーピングコン
トロールがむずかしく、均一な特性を得ることがむずか
しい。オフセットゲートの場合にもオフセット長を均一
に再現よくコントロールすることは非常にむずかしい。
ステップ露光や走査露光でのアライメント精度は±０．
５μｍ程度しかなく、１μｍのオフセットを精度よく実
現することは不可能である。このためセルフアライメン
トプロセスを用いる場合もあるが工程がさらに増加して
しまいコストダウンすることはできない。手段４２を用
いることで図１２５にあるような低温ポリシリコン薄膜
トランジスタ素子を作ることが可能となる。この素子の
場合ノンドープのアモルファスシリコン層がオフセット
構造のオフセット領域と同様な効果をもたらす。ポリシ
リコンの結晶粒界がどの方向にならんでいてもアモルフ
ァスシリコン層と接合することで結晶粒界の問題はすべ
て改善されます。横方向オフセット構造から縦方向オフ
セット構造になったと考えると良く理解することができ
ます。アモルファスシリコンの膜厚の均一性は５％から
１０％程度でコントロール可能なためオフ電流もこの範
囲でコントロール可能となり均一な画像を実現できま
す。低温ポリシリコンとアモルファスシリコンの接合
は、界面に酸化膜を作らなければ問題とはなりません。
低温ポリシリコン膜を作る時、窒素雰囲気でレーザーア
ニールしても接合特性に問題は生じない。アモルファス
シリコンをポリシリコン膜の上に形成する時、プラズマ
ＣＶＤ法を用いることで、活性な水素ラジカルが多数発
生するのでポリシリコン界面とポリシリコン結晶粒界に
存在するダングリングボンドは大部分水素ラジカルによ
り消失させることができ良好な、トランジスタ特性を自
動的に得ることができる。手段４２は、プロセス全体を
短縮でき、簡単な構造ですぐれた特性を有する低温ポリ
シリコン薄膜トランジスタ素子を均一に再現性良く製造
することができる。
５，手段４６を用いることでアモルファスシリコン薄膜
トランジスタ基板と同等の製造コストで低温ポリシリコ
ン薄膜トランジスタ基板を作ることが可能となる。低温
ポリシリコン薄膜トランジスタ素子はトランジスターの
オフ電流がアモルファスシリコントランジスタとくらべ
て２けたから３けた大きいため、このオフ電流低減のた
めに図１２３や図１２４のように、ＬＤＤ構造やオフセ
ットゲート構造を採用していた。この構造実現のために
は、ホトマスク工程がアモルファスシリコン薄膜トラン
ジスタの場合よりも２回以上多くなることをさけられな
かった。ＬＤＤプロセスでは、不純物のドーピングコン
トロールがむずかしく、均一な特性を得ることがむずか
しい。オフセットゲートの場合にもオフセット長を均一
に再現よくコントロールすることは非常にむずかしい。
ステップ露光や走査露光でのアライメント精度は±０．
５μｍ程度しかなく、１μｍのオフセットを精度よく実
現することは不可能である。このためセルフアライメン
トプロセスを用いる場合もあるが工程がさらに増加して
しまいコストダウンすることはできない。手段４２を用
いることで図１２５にあるような低温ポリシリコン薄膜
トランジスタ素子を作ることが可能となる。この素子の
場合ノンドープのアモルファスシリコン層がオフセット
構造のオフセット領域と同様な効果をもたらす。ポリシ
リコンの結晶粒界がどの方向にならんでいてもアモルフ
ァスシリコン層と接合することで結晶粒界の問題はすべ
て改善されます。横方向オフセット構造から縦方向オフ
セット構造になったと考えると良く理解することができ
ます。アモルファスシリコンの膜厚の均一性は５％から
１０％程度でコントロール可能なためオフ電流もこの範
囲でコントロール可能となり均一な画像を実現できま
す。低温ポリシリコンとアモルファスシリコンの接合
は、界面に酸化膜を作らなければ問題とはなりません。
低温ポリシリコン膜を作る時、窒素雰囲気でレーザーア
ニールしても接合特性に問題は生じない。アモルファス
シリコンをポリシリコン膜の上に形成する時、プラズマ
ＣＶＤ法を用いることで、活性な水素ラジカルが多数発
生するのでポリシリコン界面とポリシリコン結晶粒界に
存在するダングリングボンドは大部分水素ラジカルによ
り消失させることができ良好な、トランジスタ特性を自
動的に得ることができる。手段４２は、プロセス全体を
短縮でき、簡単な構造ですぐれた特性を有する低温ポリ
シリコン薄膜トランジスタ素子を均一に再現性良く製造
することができる。
【００８９】手段４７，手段４８，手段４９，手段５
０，手段５１を用いることでポリシリコンの結晶粒界の
方向性と結晶粒径の大きさをコントロールすることが可
能である。レーザーの照射形状を図１１２，図１１３の
ようにすることで結晶化のはじまる位置を決定すること
ができ、結晶粒径を大きくする領域と、結晶粒界の密度
を多くする領域をコントロールすることができる。これ
により薄膜トランジスタの特性バラツキをおさえ均一化
することが可能となる。図１２８にあるようにトランジ
スタのチャネル長の方向と同じ方向に結晶粒界をそろえ
ることでトランジスタのオン電流特性を最大にすること
ができ特性の均一化も実現できる。
０，手段５１を用いることでポリシリコンの結晶粒界の
方向性と結晶粒径の大きさをコントロールすることが可
能である。レーザーの照射形状を図１１２，図１１３の
ようにすることで結晶化のはじまる位置を決定すること
ができ、結晶粒径を大きくする領域と、結晶粒界の密度
を多くする領域をコントロールすることができる。これ
により薄膜トランジスタの特性バラツキをおさえ均一化
することが可能となる。図１２８にあるようにトランジ
スタのチャネル長の方向と同じ方向に結晶粒界をそろえ
ることでトランジスタのオン電流特性を最大にすること
ができ特性の均一化も実現できる。
【００９０】手段５２，手段５３を用いることで低温ポ
リシリコンの結晶粒径を大きくすることが可能となる。
さらに走査速度を大幅に向上することができるので生産
性を向上できる。１本のレーザービームだけでは溶融し
ている状態のシリコンをゆっくりと冷却して結晶粒径を
大きくすることは不可能であるが、２本のレーザー光を
組みあわせることで冷却工程を自由にコントロールする
ことができるようになる。これにより低温ポリシリコン
の均一性と再現性と生産性を同時に大幅に向上させるこ
とが可能である。
リシリコンの結晶粒径を大きくすることが可能となる。
さらに走査速度を大幅に向上することができるので生産
性を向上できる。１本のレーザービームだけでは溶融し
ている状態のシリコンをゆっくりと冷却して結晶粒径を
大きくすることは不可能であるが、２本のレーザー光を
組みあわせることで冷却工程を自由にコントロールする
ことができるようになる。これにより低温ポリシリコン
の均一性と再現性と生産性を同時に大幅に向上させるこ
とが可能である。
【００９１】
【実施例】〔実施例１〕図５，図６，図７は本発明で使
用する透過光量変調ホトマスクの断面図である。図５
は、使用する露光装置の解像力よりもこまかいパターン
を用いることで透過光量をコントロールする方式のホト
マスクである。図６は露光する光を必要な量だけ吸収し
たり反射したりする特性の膜を用いることで透過光量コ
ントロールする方式のホトマスクである。図７は、露光
する光を必要な量だけ吸収する特性のガラス基板を用い
ることで透過光量をコントロールする方式のホトマスク
である。本発明で用いる透過光量変調ホトマスクは上記
３方式のどのホトマスクを用いても良い。図９，図１０
は本発明の横電界方式液晶パネルを製造する時に用いる
透過光量変調ホトマスクの平面図である。図９は、走査
線と共通電極の露光に用いるものである。図１０は映像
信号配線と液晶駆動電極の露光に用いるものである。
用する透過光量変調ホトマスクの断面図である。図５
は、使用する露光装置の解像力よりもこまかいパターン
を用いることで透過光量をコントロールする方式のホト
マスクである。図６は露光する光を必要な量だけ吸収し
たり反射したりする特性の膜を用いることで透過光量コ
ントロールする方式のホトマスクである。図７は、露光
する光を必要な量だけ吸収する特性のガラス基板を用い
ることで透過光量をコントロールする方式のホトマスク
である。本発明で用いる透過光量変調ホトマスクは上記
３方式のどのホトマスクを用いても良い。図９，図１０
は本発明の横電界方式液晶パネルを製造する時に用いる
透過光量変調ホトマスクの平面図である。図９は、走査
線と共通電極の露光に用いるものである。図１０は映像
信号配線と液晶駆動電極の露光に用いるものである。
【００９２】〔実施例２〕図１１，図１２，図１３は本
発明の透過光量変調ホトマスクを用いて共通電極や液晶
電極や走査線の端子部や映像信号配線の端子部を形成す
る時のプロセスフローの説明図である。ウェットエッチ
ングや、ドライエッチングの選択性を利用して１回のホ
トマスクで特性の異なる材質のパターンを形成してい
る。図５，図６，図７の透過光量変調ホトマスクを用い
て露光し現像すると図８にあるようなポジ型のレジスト
の断面形状が得られる。ポジ型レジストは薄くなっても
ウェットエッチング工程では問題とならない。ドライエ
ッチングでも短時間ならほとんど問題は生じない。アッ
シング工程によりポジ型レジストの薄い領域はレジスト
が消失してしまう。厚いポジレジスト部分は残る。再度
ウェットエッチング処理して残ったポジレジストをはく
りすれば完成である。ＩｎＺｎＯｘやＩｎＳｎＯｘやＳ
ｎＯｘと直接アルミニウムやアルミニウム合金が接合さ
れる場合接合界面で酸化アルミニウムが形成されコンタ
クト不良が多発する。これを防止するために、接合界面
にＣｒやＭｏやＴｉなどの金属をバリアーメタルとして
はさみこむ構造が用いられる。図１３がその例である。
ウェットエッチングやドライエッチングの選択性が確保
されればどんな材質でも用いることが可能である。図１
１の場合▲３１▼の材質に窒化チタンなどの高融点金属
の窒化物を用いれば、▲３０▼の材質としてＣｒやＭｏ
やＡｌ合金やＣｕやＣｕ合金を用いることができる。▲
３１▼材質としてＩｎＺｎＯｘやＩｎＳｎＯｘなどの透
過導電膜を用いれば▲３０▼の材質としてＣｒやＭｏの
高融点金属を用いることになる。図１２の場合、▲３４
▼の材質に窒化チタンなどの高融点金属の窒化物を用い
れば、▲３３▼の材質としてＣｒやＭｏやＡｌやＡｌ合
金やＣｕやＣｕ合金を用い、▲３２▼の材質としてＣｒ
やＭｏなどの高融点金属を用いることになる。異種材料
の接合界面で問題が生じた場合界面の材質のどちらか一
方を窒化処理することでたやすく問題を解決できる。
発明の透過光量変調ホトマスクを用いて共通電極や液晶
電極や走査線の端子部や映像信号配線の端子部を形成す
る時のプロセスフローの説明図である。ウェットエッチ
ングや、ドライエッチングの選択性を利用して１回のホ
トマスクで特性の異なる材質のパターンを形成してい
る。図５，図６，図７の透過光量変調ホトマスクを用い
て露光し現像すると図８にあるようなポジ型のレジスト
の断面形状が得られる。ポジ型レジストは薄くなっても
ウェットエッチング工程では問題とならない。ドライエ
ッチングでも短時間ならほとんど問題は生じない。アッ
シング工程によりポジ型レジストの薄い領域はレジスト
が消失してしまう。厚いポジレジスト部分は残る。再度
ウェットエッチング処理して残ったポジレジストをはく
りすれば完成である。ＩｎＺｎＯｘやＩｎＳｎＯｘやＳ
ｎＯｘと直接アルミニウムやアルミニウム合金が接合さ
れる場合接合界面で酸化アルミニウムが形成されコンタ
クト不良が多発する。これを防止するために、接合界面
にＣｒやＭｏやＴｉなどの金属をバリアーメタルとして
はさみこむ構造が用いられる。図１３がその例である。
ウェットエッチングやドライエッチングの選択性が確保
されればどんな材質でも用いることが可能である。図１
１の場合▲３１▼の材質に窒化チタンなどの高融点金属
の窒化物を用いれば、▲３０▼の材質としてＣｒやＭｏ
やＡｌ合金やＣｕやＣｕ合金を用いることができる。▲
３１▼材質としてＩｎＺｎＯｘやＩｎＳｎＯｘなどの透
過導電膜を用いれば▲３０▼の材質としてＣｒやＭｏの
高融点金属を用いることになる。図１２の場合、▲３４
▼の材質に窒化チタンなどの高融点金属の窒化物を用い
れば、▲３３▼の材質としてＣｒやＭｏやＡｌやＡｌ合
金やＣｕやＣｕ合金を用い、▲３２▼の材質としてＣｒ
やＭｏなどの高融点金属を用いることになる。異種材料
の接合界面で問題が生じた場合界面の材質のどちらか一
方を窒化処理することでたやすく問題を解決できる。
【００９３】〔実施例３〕図３３は本発明の透過光量変
調ホトマスクを映像信号配線とドレイン電極の形成に適
用するときのホトマスクの平面図である。図１４がこの
図３３の透過光量変調ホトマスクを用いて薄膜トランジ
スタ素子と映像信号配線とドレイン電極を形成するとき
のプロセスフローの説明図である。ウェットエッチング
とドライエッチングを用いてアモルファスシリコンのト
ランジスタ領域を形成した後アッシング処理してトラン
ジスタのチャネル領域の薄いポジレストを除去する。次
にウェットエッチングとドライエッチング処理してトラ
ンジスタのチャネル領域をノンドープの半導体層だけ残
す。次にパッシベーション膜をたいせきさせた後コンタ
クトホールをあけ透明画素電極を形成する。図１４の走
査線（ゲート電極）は２層構造になっているが、３層で
も４層でも良い。ガラス基板に接触している下層の電極
材料が高透過性導電電極材料で厚みが２５０オングスト
ロームから１０００オングストロームの範囲に設定して
ある。
調ホトマスクを映像信号配線とドレイン電極の形成に適
用するときのホトマスクの平面図である。図１４がこの
図３３の透過光量変調ホトマスクを用いて薄膜トランジ
スタ素子と映像信号配線とドレイン電極を形成するとき
のプロセスフローの説明図である。ウェットエッチング
とドライエッチングを用いてアモルファスシリコンのト
ランジスタ領域を形成した後アッシング処理してトラン
ジスタのチャネル領域の薄いポジレストを除去する。次
にウェットエッチングとドライエッチング処理してトラ
ンジスタのチャネル領域をノンドープの半導体層だけ残
す。次にパッシベーション膜をたいせきさせた後コンタ
クトホールをあけ透明画素電極を形成する。図１４の走
査線（ゲート電極）は２層構造になっているが、３層で
も４層でも良い。ガラス基板に接触している下層の電極
材料が高透過性導電電極材料で厚みが２５０オングスト
ロームから１０００オングストロームの範囲に設定して
ある。
【００９４】〔実施例４〕図１５，図１６，図１７は、
本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られた横電
界方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。図１
８，図１９，図２０は、アレイ基板の断面図である。映
像信号配線をはさみこんだ共通電極の厚みが２段階にな
っており画素領域の共通電極は薄い構造になっている。
液晶駆動電極も同様に薄くなっており、ラビング配向処
理時のラビング不良の発生を完全におさえることが可能
である。図１８では透過光量変調ホトマスクを走査線と
共通電極の形成時と映像信号配線と液晶駆動電極の形成
時の２ヶ所に適用している。図１９では透過光量変調ホ
トマスクを走査線と共通電極の形成時と薄膜トランジス
タの形成時の２ヶ所に適用している。図２０では透過光
量変調ホトマスクを映像信号配線と液晶駆動電極の形成
時に適用している。共通電極と液晶駆動電極の幅をセル
ギャップと同等かそれよりも小さくすることと、共通電
極と液晶駆動電極の材料を光透過性導電材料にすること
で光の透過率を大幅に向上することができ、明るいコン
トラストの良い液晶パネルを実現できる。
本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られた横電
界方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。図１
８，図１９，図２０は、アレイ基板の断面図である。映
像信号配線をはさみこんだ共通電極の厚みが２段階にな
っており画素領域の共通電極は薄い構造になっている。
液晶駆動電極も同様に薄くなっており、ラビング配向処
理時のラビング不良の発生を完全におさえることが可能
である。図１８では透過光量変調ホトマスクを走査線と
共通電極の形成時と映像信号配線と液晶駆動電極の形成
時の２ヶ所に適用している。図１９では透過光量変調ホ
トマスクを走査線と共通電極の形成時と薄膜トランジス
タの形成時の２ヶ所に適用している。図２０では透過光
量変調ホトマスクを映像信号配線と液晶駆動電極の形成
時に適用している。共通電極と液晶駆動電極の幅をセル
ギャップと同等かそれよりも小さくすることと、共通電
極と液晶駆動電極の材料を光透過性導電材料にすること
で光の透過率を大幅に向上することができ、明るいコン
トラストの良い液晶パネルを実現できる。
【００９５】〔実施例５〕図２１，図２２，図２７は本
発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られたフリン
ジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式液晶パネ
ルのアレイ基板の平面図である。図２３，図２４，図２
８は、アレイ基板の断面図である。映像信号配線に近接
している共通電極の部分は厚くなっているが画素領域の
共通電極は薄くなっている。液晶駆動電極も同様に薄く
なっており、ラビリング配向処理時のラビリング不良の
発生を完全におさえることが可能である。図２３では、
透過光量変調ホトマスクを走査線と共通電極の形成時
と、映像信号配線と液晶駆動電極の形成時の２ヶ所に適
用している。図２４では、透過光量変調ホトマスクを走
査線と共通電極の形成時と、薄膜トランジスタの形成時
の２ヶ所に適用している。図２８では透過光量変調ホト
マスクを、映像信号配線と液晶駆動電極の形成時に適用
している。従来のＦＦＳ方式液晶パネルの製造工程より
も大幅なコストダウンが実現できる。
発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られたフリン
ジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式液晶パネ
ルのアレイ基板の平面図である。図２３，図２４，図２
８は、アレイ基板の断面図である。映像信号配線に近接
している共通電極の部分は厚くなっているが画素領域の
共通電極は薄くなっている。液晶駆動電極も同様に薄く
なっており、ラビリング配向処理時のラビリング不良の
発生を完全におさえることが可能である。図２３では、
透過光量変調ホトマスクを走査線と共通電極の形成時
と、映像信号配線と液晶駆動電極の形成時の２ヶ所に適
用している。図２４では、透過光量変調ホトマスクを走
査線と共通電極の形成時と、薄膜トランジスタの形成時
の２ヶ所に適用している。図２８では透過光量変調ホト
マスクを、映像信号配線と液晶駆動電極の形成時に適用
している。従来のＦＦＳ方式液晶パネルの製造工程より
も大幅なコストダウンが実現できる。
【００９６】〔実施例６〕図２５は、本発明の透過光量
変調ホトマスクを用いて作られた、ＴＮモード液晶パネ
ルのアレイ基板の平面図である。図２６はアレイ基板の
断面図である。映像信号配線に近接している共通電極の
部分は厚くなっているが、画素領域の画素電極と重なり
合っている共通電極は薄くなっている。ラビリング配向
時のラビリング不良の発生を完全におさえることができ
る。共通電極が透明電極でできている場合透過光量が増
大するので明るいコントラストの良い液晶パネルを作る
ことができる。ＴＮモードばかりでなくマルチドメイン
垂直配向モードの液晶パネルにも適用できる。図２６で
は、透過光量変調ホトマスクを走査線と共通電極の形成
時と、薄膜トランジスタの形成時の２ケ所に適用してい
る。
変調ホトマスクを用いて作られた、ＴＮモード液晶パネ
ルのアレイ基板の平面図である。図２６はアレイ基板の
断面図である。映像信号配線に近接している共通電極の
部分は厚くなっているが、画素領域の画素電極と重なり
合っている共通電極は薄くなっている。ラビリング配向
時のラビリング不良の発生を完全におさえることができ
る。共通電極が透明電極でできている場合透過光量が増
大するので明るいコントラストの良い液晶パネルを作る
ことができる。ＴＮモードばかりでなくマルチドメイン
垂直配向モードの液晶パネルにも適用できる。図２６で
は、透過光量変調ホトマスクを走査線と共通電極の形成
時と、薄膜トランジスタの形成時の２ケ所に適用してい
る。
【００９７】〔実施例７〕図３１は本発明の透過光量変
調ホトマスクを走査線と共通電極の形成に適用する時の
ホトマスクの平面図である。図３２は、映像信号配線と
液晶駆動電極の形成に適用する時のホトマスクの平面図
である。正の誘電率異方性液晶分子の配向方向に対して
０°＜θ≦３０°の範囲で屈曲した構造になっている。
負の誘電率異方性液晶分子の場合、配向方向に対し６０
°≦θ＜９０°の範囲で屈曲した構造となっている。図
３１，図３２ともに１画素内で１回屈曲した構造となっ
ているが、屈曲の回数は２回でも、３回でも回数に制限
はない。
調ホトマスクを走査線と共通電極の形成に適用する時の
ホトマスクの平面図である。図３２は、映像信号配線と
液晶駆動電極の形成に適用する時のホトマスクの平面図
である。正の誘電率異方性液晶分子の配向方向に対して
０°＜θ≦３０°の範囲で屈曲した構造になっている。
負の誘電率異方性液晶分子の場合、配向方向に対し６０
°≦θ＜９０°の範囲で屈曲した構造となっている。図
３１，図３２ともに１画素内で１回屈曲した構造となっ
ているが、屈曲の回数は２回でも、３回でも回数に制限
はない。
【００９８】〔実施例８〕図３４，図３５，図３６，図
４６は本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られ
た横電界方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。
映像信号配線は直線状に形成されているが、表示画素内
の共通電極と液晶駆動電極は１画素内で１回以上ジグザ
クに屈曲している。正の誘電率異方性液晶分子の配向方
向はこれらの場合、映像信号配線方向とほぼ同じ方向を
しておりこの方向に対して表示画素内の共通電極と液晶
駆動電極は０°＜θ≦３０°の範囲内で屈曲している。
負の誘電率異方性液晶分子の場合には、配向方向は走査
線とほぼ同じ方向となり、この方向に対して表示画素内
の共通電極と液晶駆動電極は６０°≦θ＜９０°の範囲
で屈曲している。映像信号配線に近接している共通電極
の部分は、厚くなっているが、画素領域の共通電極は薄
くなっている。液晶駆動電極も薄く、２５０オングスト
ロームから１０００オングストロームの範囲の厚みが用
いられる。これにより配向不良の発生をおさえ光の透過
率を向上し視野角を拡大しカラーシフト量も低減でき
る。
４６は本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られ
た横電界方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。
映像信号配線は直線状に形成されているが、表示画素内
の共通電極と液晶駆動電極は１画素内で１回以上ジグザ
クに屈曲している。正の誘電率異方性液晶分子の配向方
向はこれらの場合、映像信号配線方向とほぼ同じ方向を
しておりこの方向に対して表示画素内の共通電極と液晶
駆動電極は０°＜θ≦３０°の範囲内で屈曲している。
負の誘電率異方性液晶分子の場合には、配向方向は走査
線とほぼ同じ方向となり、この方向に対して表示画素内
の共通電極と液晶駆動電極は６０°≦θ＜９０°の範囲
で屈曲している。映像信号配線に近接している共通電極
の部分は、厚くなっているが、画素領域の共通電極は薄
くなっている。液晶駆動電極も薄く、２５０オングスト
ロームから１０００オングストロームの範囲の厚みが用
いられる。これにより配向不良の発生をおさえ光の透過
率を向上し視野角を拡大しカラーシフト量も低減でき
る。
【００９９】〔実施例９〕図３７，図３８，図３９，図
４８は本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られ
た横電界方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。
映像信号配線と共通電極と液晶駆動電極とが１画素内で
１回以上ジグザクに屈曲している。正の誘電率異方性液
晶分子の配向方向に対して０°＜θ≦３０°の範囲で屈
曲した構造になっている。負の誘電率異方性液晶分子の
配向方向に対して６０°≦θ＜９０°の範囲で屈曲した
構造になっている。映像信号配線に近接している共通電
極の部分は厚くなっているが、画素領域の共通電極は薄
くなっている。液晶駆動電極も薄く２５０オングストロ
ームから１０００オングストロームの範囲の厚みが用い
られる。これにより、配向不良の発生をおさえ、光の透
過率を向上し、視野角を拡大し、カラーシフト量も低減
できる。
４８は本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られ
た横電界方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。
映像信号配線と共通電極と液晶駆動電極とが１画素内で
１回以上ジグザクに屈曲している。正の誘電率異方性液
晶分子の配向方向に対して０°＜θ≦３０°の範囲で屈
曲した構造になっている。負の誘電率異方性液晶分子の
配向方向に対して６０°≦θ＜９０°の範囲で屈曲した
構造になっている。映像信号配線に近接している共通電
極の部分は厚くなっているが、画素領域の共通電極は薄
くなっている。液晶駆動電極も薄く２５０オングストロ
ームから１０００オングストロームの範囲の厚みが用い
られる。これにより、配向不良の発生をおさえ、光の透
過率を向上し、視野角を拡大し、カラーシフト量も低減
できる。
【０１００】〔実施例１０〕図４０，図４１，図４２，
図４９は、本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作
られたフリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）
方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。映像信号
配線と共通電極と液晶駆動電極とが１画素内で１回以上
ジグザクに屈曲している。正の誘電率異方性液晶分子の
配向方向に対して０°＜θ≦３０°の範囲で屈曲した構
造になっている。負の誘電率異方性液晶分子の配向方向
に対して６０°≦θ＜９０°の範囲で屈曲した構造にな
っている。映像信号配線に近接している共通電極の部分
は厚くなっているが、画素領域の共通電極は薄くなって
いる。液晶駆動電極のあつさは、２５０オングストロー
ムから１０００オングストロームの範囲が用いられる。
薄すければ薄すいほど配向不良の発生が低減できる。さ
らに、カラーシフト量の低減と、視野角の拡大が実現で
きる。
図４９は、本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作
られたフリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）
方式液晶パネルのアレイ基板の平面図である。映像信号
配線と共通電極と液晶駆動電極とが１画素内で１回以上
ジグザクに屈曲している。正の誘電率異方性液晶分子の
配向方向に対して０°＜θ≦３０°の範囲で屈曲した構
造になっている。負の誘電率異方性液晶分子の配向方向
に対して６０°≦θ＜９０°の範囲で屈曲した構造にな
っている。映像信号配線に近接している共通電極の部分
は厚くなっているが、画素領域の共通電極は薄くなって
いる。液晶駆動電極のあつさは、２５０オングストロー
ムから１０００オングストロームの範囲が用いられる。
薄すければ薄すいほど配向不良の発生が低減できる。さ
らに、カラーシフト量の低減と、視野角の拡大が実現で
きる。
【０１０１】〔実施例１１〕図４７は、本発明の透過光
量変調ホトマスクを用いて、作られたフリンジ・フィー
ルド・スイッチング（ＦＦＳ）方式液晶パネルのアレイ
基板の平面図である。映像信号配線は、直線状に形成さ
れているが、液晶駆動電極は１画素内で２つ以上のグル
ープに分かれており、それらのグループは、ほぼ同じ面
積をしめている。それぞれのグループでの液晶分子の回
転運動方向が異なるように、液晶分子の配向方向と液晶
駆動電極とは交差している。実施例８，実施例９，実施
例１０，実施例１１ともに液晶分子の回転運動方向は左
回りと右回りの２方向が存在し、それぞれのグループの
面積は、ほぼ等しいように設計されている。液晶駆動電
極や共通電極の両側の領域の液晶分子は同じ回転方向に
運動するようになっている。図２９，図３０にあるよう
に液晶セルギャップと同等かそれよりも電極幅がせまけ
れば、電極の上の液晶分子も両側の液晶分子と同じ回転
方向の運動をする。電極が光を透過する特性をもってい
れば、電極の領域の液晶分子の回転運動により光の透過
量をコントロールすることができ、開口率の大きな液晶
表示装置を作ることが可能となる。
量変調ホトマスクを用いて、作られたフリンジ・フィー
ルド・スイッチング（ＦＦＳ）方式液晶パネルのアレイ
基板の平面図である。映像信号配線は、直線状に形成さ
れているが、液晶駆動電極は１画素内で２つ以上のグル
ープに分かれており、それらのグループは、ほぼ同じ面
積をしめている。それぞれのグループでの液晶分子の回
転運動方向が異なるように、液晶分子の配向方向と液晶
駆動電極とは交差している。実施例８，実施例９，実施
例１０，実施例１１ともに液晶分子の回転運動方向は左
回りと右回りの２方向が存在し、それぞれのグループの
面積は、ほぼ等しいように設計されている。液晶駆動電
極や共通電極の両側の領域の液晶分子は同じ回転方向に
運動するようになっている。図２９，図３０にあるよう
に液晶セルギャップと同等かそれよりも電極幅がせまけ
れば、電極の上の液晶分子も両側の液晶分子と同じ回転
方向の運動をする。電極が光を透過する特性をもってい
れば、電極の領域の液晶分子の回転運動により光の透過
量をコントロールすることができ、開口率の大きな液晶
表示装置を作ることが可能となる。
【０１０２】〔実施例１２〕図５０，図５１は実施例
９，実施例１０のアレイ基板に対応するカラーフィルタ
ー基板の平面図である。遮光膜（ＢＭ）とカラーフィル
ター層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が映像信号配線の屈曲角とほぼ同
じ角度で屈曲している。このような屈曲構造を採用する
ことで、開口率を大きくすることができ、明るくコント
ラストの良い液晶パネルを実現できる。
９，実施例１０のアレイ基板に対応するカラーフィルタ
ー基板の平面図である。遮光膜（ＢＭ）とカラーフィル
ター層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が映像信号配線の屈曲角とほぼ同
じ角度で屈曲している。このような屈曲構造を採用する
ことで、開口率を大きくすることができ、明るくコント
ラストの良い液晶パネルを実現できる。
【０１０３】〔実施例１３〕図４３，図４４，図４５
は、本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られた
走査線や映像信号配線の端子部の平面図である。本発明
のプロセスを用いることでホトマスク工程をふやさずに
端子部の領域を光透過導電性電極で形成できる。これに
よりＵＶ硬化樹脂を用いた室温ＴＡＢ接合や室温ＣＯＦ
接合が可能となる。超高密度実装が実現できる。
は、本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて作られた
走査線や映像信号配線の端子部の平面図である。本発明
のプロセスを用いることでホトマスク工程をふやさずに
端子部の領域を光透過導電性電極で形成できる。これに
よりＵＶ硬化樹脂を用いた室温ＴＡＢ接合や室温ＣＯＦ
接合が可能となる。超高密度実装が実現できる。
【０１０４】〔実施例１４〕図６０，図６１が本発明の
透過光量変調ホトマスクを用いて作られたホトリソスペ
ーサーと垂直クロストーク防止用セルギャップコントロ
ール・バンプの断面図である。図６０は、ホトリソ・ス
ペーサーと垂直クロストーク防止用セルギャップ・コン
トロール・バンプをカラーフィルター側に形成した断面
図である。図６１は、ホトリソスペーサーと垂直クロス
トーク防止用セルギャップ・コントロール・バンプをア
クティブ・マトリックス・アレイ基板側に形成した断面
図である。本発明は垂直クロストークの発生しやすい横
電界方式液晶表示装置に適用することで、大きな効果を
もたらす。透過光量変調ホトマスクを用いてポジ型レジ
ストでホトスペーサーを形成する時に、同時に図６１に
あるように映像信号配線と映像信号配線を両側からはさ
みこんでいる共通電極オーバーラップするように映像信
号配線にそう配置で形成する。横電界方式の液晶パネル
の液晶スレショールド電圧は、セルギャップが小さくな
るようにつれ急激に増大する。図６０や図６１のように
共通電極と映像信号配線の上のセルギャップが小さくな
ると、この領域の液晶分子は、うごきにくくなりクロス
トーク発生がよくせいされる。図７２が本実施例で使用
するホトマスクの平面図である。
透過光量変調ホトマスクを用いて作られたホトリソスペ
ーサーと垂直クロストーク防止用セルギャップコントロ
ール・バンプの断面図である。図６０は、ホトリソ・ス
ペーサーと垂直クロストーク防止用セルギャップ・コン
トロール・バンプをカラーフィルター側に形成した断面
図である。図６１は、ホトリソスペーサーと垂直クロス
トーク防止用セルギャップ・コントロール・バンプをア
クティブ・マトリックス・アレイ基板側に形成した断面
図である。本発明は垂直クロストークの発生しやすい横
電界方式液晶表示装置に適用することで、大きな効果を
もたらす。透過光量変調ホトマスクを用いてポジ型レジ
ストでホトスペーサーを形成する時に、同時に図６１に
あるように映像信号配線と映像信号配線を両側からはさ
みこんでいる共通電極オーバーラップするように映像信
号配線にそう配置で形成する。横電界方式の液晶パネル
の液晶スレショールド電圧は、セルギャップが小さくな
るようにつれ急激に増大する。図６０や図６１のように
共通電極と映像信号配線の上のセルギャップが小さくな
ると、この領域の液晶分子は、うごきにくくなりクロス
トーク発生がよくせいされる。図７２が本実施例で使用
するホトマスクの平面図である。
【０１０５】〔実施例１５〕図５２，図５３は、本発明
の透過光量変調ホトマスクをホトリソスペーサーと、マ
ルチドメイン垂直配向モード用ホトリソバンプの形成に
適用するときのホトマスクの平面図である。図５２は、
半透過膜を使用した透過光量変調ホトマスクであり、図
５３は、露光装置の解像力よりもこまかいパターンを用
いた透過光量変調ホトマスクである。ポジレジストをカ
ラーフィルター側基板に塗布した後図５２，図５３のホ
トマスクを用いて露光し、現像したものが図５４であ
る。ホトリソ・スペーサーは３μｍから４μｍの範囲の
高さで直径が１０μｍ〜２０μｍ程度のものがよく用い
られる。マルチドメイン垂直配向モード用ホトリソバン
プは０．８μｍ〜２．０μｍの範囲の高さで、幅が３μ
ｍ〜１０μｍ程度のものがよく用いられる。本発明の透
過光量変調ホトマスクプロセスを使用すれば１回のホト
リソ工程でホトリソスペーサーとマルチドメイン垂直配
向モード用ホトリソバンプが同時に形成できるので、コ
ストダウンをはかることができる。
の透過光量変調ホトマスクをホトリソスペーサーと、マ
ルチドメイン垂直配向モード用ホトリソバンプの形成に
適用するときのホトマスクの平面図である。図５２は、
半透過膜を使用した透過光量変調ホトマスクであり、図
５３は、露光装置の解像力よりもこまかいパターンを用
いた透過光量変調ホトマスクである。ポジレジストをカ
ラーフィルター側基板に塗布した後図５２，図５３のホ
トマスクを用いて露光し、現像したものが図５４であ
る。ホトリソ・スペーサーは３μｍから４μｍの範囲の
高さで直径が１０μｍ〜２０μｍ程度のものがよく用い
られる。マルチドメイン垂直配向モード用ホトリソバン
プは０．８μｍ〜２．０μｍの範囲の高さで、幅が３μ
ｍ〜１０μｍ程度のものがよく用いられる。本発明の透
過光量変調ホトマスクプロセスを使用すれば１回のホト
リソ工程でホトリソスペーサーとマルチドメイン垂直配
向モード用ホトリソバンプが同時に形成できるので、コ
ストダウンをはかることができる。
【０１０６】〔実施例１６〕図５５，図５６は本発明の
ひし形スリットとピラミッド型（四角錐）バンプを用い
た垂直配向モードの液晶パネルの平面図と断面図であ
る。カラーフィルター側基板にピラミッド型のバンプを
連結配置し、アクティブマトリックス側基板の画素電極
には、ひし型ののこぎり歯状のスリットを形成してい
る。図６２，図６３のような円形スリットや直線状スリ
ットでも良い。図１０６，図１０７，図１０８は、１画
素のスリットとバンプの配置図である。本発明のスリッ
トやバンプを用いることでディスクリネーションの発生
を均一化でき、画面全体のムラ発生を防止できる。スリ
ットの幅は５μｍから１０μｍ程度で、ピラミッドバン
プの高さは０．８μｍから２．０μｍの範囲で底辺の長
さは３μｍから１０μｍ程度の大きさである。図１０４
や図１０５のような形状のくみ合わせも効果的である。
ひし形スリットとピラミッド型（四角錐）バンプを用い
た垂直配向モードの液晶パネルの平面図と断面図であ
る。カラーフィルター側基板にピラミッド型のバンプを
連結配置し、アクティブマトリックス側基板の画素電極
には、ひし型ののこぎり歯状のスリットを形成してい
る。図６２，図６３のような円形スリットや直線状スリ
ットでも良い。図１０６，図１０７，図１０８は、１画
素のスリットとバンプの配置図である。本発明のスリッ
トやバンプを用いることでディスクリネーションの発生
を均一化でき、画面全体のムラ発生を防止できる。スリ
ットの幅は５μｍから１０μｍ程度で、ピラミッドバン
プの高さは０．８μｍから２．０μｍの範囲で底辺の長
さは３μｍから１０μｍ程度の大きさである。図１０４
や図１０５のような形状のくみ合わせも効果的である。
【０１０７】〔実施例１７〕図６４，図６５，図６６
は、本発明のくし歯状スリット電極の下層に共通電極を
配置した垂直配向モードの液晶パネルの断面図とアクテ
ィブマトリックス基板側の画素電極と共通電極の平面図
である。この構造ではカラーフィルター側基板にバンプ
を形成する必要がなくなるのでコストダウンがはかれ
る。共通電極の幅は３μｍから１０μｍ程度で、くし歯
状のスリット電極の幅も３μｍから５μｍ程度である。
は、本発明のくし歯状スリット電極の下層に共通電極を
配置した垂直配向モードの液晶パネルの断面図とアクテ
ィブマトリックス基板側の画素電極と共通電極の平面図
である。この構造ではカラーフィルター側基板にバンプ
を形成する必要がなくなるのでコストダウンがはかれ
る。共通電極の幅は３μｍから１０μｍ程度で、くし歯
状のスリット電極の幅も３μｍから５μｍ程度である。
【０１０８】〔実施例１８〕図５８，図５９，図６７，
図６８，図６９，図７０は、本発明のスリット電極の下
層に共通電極を配置し、カラーフィルター側に、バンプ
またはスリット電極を形成した垂直配向モードの液晶パ
ネルの断面図と平面図である。バンプはピラミッド型
（四角錐）か円錐型か半円型かラグビーボール型（半ダ
円型）をしていれば良い。実施例１７，実施例１８とも
に液晶分子の運動はアクティブマトッリクス基板側のス
リット電極と共通電極に印加される電界に支配されるの
で従来の垂直配向モードの液晶パネルよりも高速応答が
実現できる。さらにバンプ形状を従来の直線状からピラ
ミッド型にかえたことでディスクリネーションの発生を
均一化できるので画面全体のムラ発生をよくせいでき
る。バンプからスリットまでの距離は１０μｍから３０
μｍの範囲にあれば問題は生じない。本発明の液晶パネ
ルの断面図には配向膜はすべて省略してあります。透過
光量変調ホトマスクを用いて、ピラミッド型バンプとホ
トリソスペーサーを同時に形成することでコストダウン
をはかることもできる。
図６８，図６９，図７０は、本発明のスリット電極の下
層に共通電極を配置し、カラーフィルター側に、バンプ
またはスリット電極を形成した垂直配向モードの液晶パ
ネルの断面図と平面図である。バンプはピラミッド型
（四角錐）か円錐型か半円型かラグビーボール型（半ダ
円型）をしていれば良い。実施例１７，実施例１８とも
に液晶分子の運動はアクティブマトッリクス基板側のス
リット電極と共通電極に印加される電界に支配されるの
で従来の垂直配向モードの液晶パネルよりも高速応答が
実現できる。さらにバンプ形状を従来の直線状からピラ
ミッド型にかえたことでディスクリネーションの発生を
均一化できるので画面全体のムラ発生をよくせいでき
る。バンプからスリットまでの距離は１０μｍから３０
μｍの範囲にあれば問題は生じない。本発明の液晶パネ
ルの断面図には配向膜はすべて省略してあります。透過
光量変調ホトマスクを用いて、ピラミッド型バンプとホ
トリソスペーサーを同時に形成することでコストダウン
をはかることもできる。
【０１０９】〔実施例１９〕図７１は、本発明の透過光
量変調ホトマスクを半透過型液晶パネルの散乱反射ドッ
トと光透過領域のコンタクトホールの形成に適用する時
のホトマスクの平面図である。図７３と図７４が図７１
のホトマスクを用いて形成した半透過型液晶パネルのア
クティブマトリックス基板の断面図である。図７４で
は、透過光量変調ホトマスクを映像信号配線とドレイン
電極の形成に適用しており全工程では、５回のホトマス
ク工程のみでアクティブマトリックス基板が完成する。
▲９３▼の光透過領域の画素電極にＴｉＮｘなどの金属
窒化物を用いることで歩留りを大幅に向上できる。この
構造ならば１４インチ程度の大型半透過型液晶パネルを
作ってもコストの問題は生じない。▲９５▼の散乱凹凸
誘電体層の厚みは２μｍから３μｍ程度で、散乱ドット
の凹凸は０．５μｍ〜１．０μｍ程度で大きさは３μｍ
から１０μｍ程度のものが複数に混在している。
量変調ホトマスクを半透過型液晶パネルの散乱反射ドッ
トと光透過領域のコンタクトホールの形成に適用する時
のホトマスクの平面図である。図７３と図７４が図７１
のホトマスクを用いて形成した半透過型液晶パネルのア
クティブマトリックス基板の断面図である。図７４で
は、透過光量変調ホトマスクを映像信号配線とドレイン
電極の形成に適用しており全工程では、５回のホトマス
ク工程のみでアクティブマトリックス基板が完成する。
▲９３▼の光透過領域の画素電極にＴｉＮｘなどの金属
窒化物を用いることで歩留りを大幅に向上できる。この
構造ならば１４インチ程度の大型半透過型液晶パネルを
作ってもコストの問題は生じない。▲９５▼の散乱凹凸
誘電体層の厚みは２μｍから３μｍ程度で、散乱ドット
の凹凸は０．５μｍ〜１．０μｍ程度で大きさは３μｍ
から１０μｍ程度のものが複数に混在している。
【０１１０】〔実施例２０〕図１０１，図１０２，図１
０３は、本発明の走査露光用ジグザグ接合ホトマスクと
ランダム接合ホトマスクを用いてある画面の層を露光し
て組み合わせ平面図である。図１０１，図１０２では
上，下２組のホトマスクで１層の画面を構築している。
図１０３では上，中，下３組のホトマスクで１層の画面
を構築している。図１２０，図１２１，図１２２は、ジ
グザグ接合ホトマスクやランダム接合ホトマスクを用い
て走査露光するときの走査方向に関して説明した平面図
である。どの場合にも画面の横長方向に走査して露光す
る方法を採用している。この方式を用いれば走査幅がせ
まくても走査方向の寸法には制限がないので巨大な画面
でも分割露光することができる。
０３は、本発明の走査露光用ジグザグ接合ホトマスクと
ランダム接合ホトマスクを用いてある画面の層を露光し
て組み合わせ平面図である。図１０１，図１０２では
上，下２組のホトマスクで１層の画面を構築している。
図１０３では上，中，下３組のホトマスクで１層の画面
を構築している。図１２０，図１２１，図１２２は、ジ
グザグ接合ホトマスクやランダム接合ホトマスクを用い
て走査露光するときの走査方向に関して説明した平面図
である。どの場合にも画面の横長方向に走査して露光す
る方法を採用している。この方式を用いれば走査幅がせ
まくても走査方向の寸法には制限がないので巨大な画面
でも分割露光することができる。
【０１１１】〔実施例２１〕図１１８，図１１９は実施
例２０の走査露光用ジグザグ接合ホトマスクとランダム
接合ホトマスクの２つのマスクが接合しあう領域の基本
単位となる画素の密度分布関数を説明し 関数を採用している。基本単位となる画素はＲ，Ｇ，Ｂ
それぞれ１画素の場合と、Ｒ＋Ｇ，Ｂ＋Ｒ，Ｇ＋Ｂの画
素の場合と、Ｒ＋Ｇ＋Ｂの３画の場合の３つの場合が考
えられる。合成画面が小さい場合にはＲ，Ｇ，Ｂの１画
素を基本単位とすれば良い。合成画面が大きい場合に
は、２画素や３画素を基本単位としても良い。本発明の
露光方式を用いることで４０インチや５０インチ，６０
インチの大型液晶パネルも歩留りを低下させずに製造す
ることができる。
例２０の走査露光用ジグザグ接合ホトマスクとランダム
接合ホトマスクの２つのマスクが接合しあう領域の基本
単位となる画素の密度分布関数を説明し 関数を採用している。基本単位となる画素はＲ，Ｇ，Ｂ
それぞれ１画素の場合と、Ｒ＋Ｇ，Ｂ＋Ｒ，Ｇ＋Ｂの画
素の場合と、Ｒ＋Ｇ＋Ｂの３画の場合の３つの場合が考
えられる。合成画面が小さい場合にはＲ，Ｇ，Ｂの１画
素を基本単位とすれば良い。合成画面が大きい場合に
は、２画素や３画素を基本単位としても良い。本発明の
露光方式を用いることで４０インチや５０インチ，６０
インチの大型液晶パネルも歩留りを低下させずに製造す
ることができる。
【０１１２】〔実施例２２〕図１１０が本発明の低温ポ
リシリコン薄膜トランジスタ素子を形成するための、成
膜プロセス・フロー図である。走査線（ゲート電極）の
上に、アルカリイオン拡散防止のためのシリコン窒化膜
を５００オング・ストロームから１０００オングストロ
ームたいせきする。その上にゲート絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜を２０００オングストロームから４０００オン
グストローム程度たいせきする。ここまでは別の真空装
置を使用してたいせきしても良い。装置のメンテナンス
などの点を考えると同一真空装置ですべて処理するより
もこの点で装置を分離しておく方が問題が少ない。図１
１０にあるように、シリコン酸化膜の表面のプラズマク
リーニングから、オーミックコンタクト層のたいせきま
では大気中にさらさずに、連続してひとつの真空装置で
処理しなければならない。この点が特に重要である。ノ
ンドープアモルファスシリコンは、プラズマＣＶＤ法で
もスパッタ法でもどちらでも良いが、ここではプラズマ
ＣＶＤ法を用いている。２５０オングストロームから１
０００オングストローム程度たいせきした後脱水素処理
してからＣＷモードの個体レーザーの第２高調波を照射
して結晶化させる。この結晶化の雰囲気はＮ２雰囲気
（０．５ａｔｍ〜２ａｔｍ）か、Ｎ２とＨ２の混合雰囲
気が用いられる。大気中にさらさなければできるだけ圧
力の高い条件の方が良い。アルゴン雰囲気でも良い。レ
ーザー結晶化後再度真空雰囲気にもどしプラズマＣＶＤ
法を用いてノンドープアモルファスシリコンを１０００
オングストロームから２０００オングストロームたいせ
きする。この時のたいせき方法は、プラズマＣＶＤ法が
一番良い。水素ラジカルにより、ポリシリコン層のダン
グリングボンドが自動的に消滅してしまうからである。
その次にオーミックコンタクト層を１００〜５００オン
グストローム程度たいせきする。オーミックコンタクト
層としてはリンをドープしたｎ＋アモルファスシリコン
やボロンをドープしたＰ＋アモルファスシリコンが考え
られるが、不純物をドープしたマイクロクリスタルシリ
コンでも良い。図１０９が本実施例の成膜プロセスをお
こなう枚葉式のマルチチェンバ一型装置である。
リシリコン薄膜トランジスタ素子を形成するための、成
膜プロセス・フロー図である。走査線（ゲート電極）の
上に、アルカリイオン拡散防止のためのシリコン窒化膜
を５００オング・ストロームから１０００オングストロ
ームたいせきする。その上にゲート絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜を２０００オングストロームから４０００オン
グストローム程度たいせきする。ここまでは別の真空装
置を使用してたいせきしても良い。装置のメンテナンス
などの点を考えると同一真空装置ですべて処理するより
もこの点で装置を分離しておく方が問題が少ない。図１
１０にあるように、シリコン酸化膜の表面のプラズマク
リーニングから、オーミックコンタクト層のたいせきま
では大気中にさらさずに、連続してひとつの真空装置で
処理しなければならない。この点が特に重要である。ノ
ンドープアモルファスシリコンは、プラズマＣＶＤ法で
もスパッタ法でもどちらでも良いが、ここではプラズマ
ＣＶＤ法を用いている。２５０オングストロームから１
０００オングストローム程度たいせきした後脱水素処理
してからＣＷモードの個体レーザーの第２高調波を照射
して結晶化させる。この結晶化の雰囲気はＮ２雰囲気
（０．５ａｔｍ〜２ａｔｍ）か、Ｎ２とＨ２の混合雰囲
気が用いられる。大気中にさらさなければできるだけ圧
力の高い条件の方が良い。アルゴン雰囲気でも良い。レ
ーザー結晶化後再度真空雰囲気にもどしプラズマＣＶＤ
法を用いてノンドープアモルファスシリコンを１０００
オングストロームから２０００オングストロームたいせ
きする。この時のたいせき方法は、プラズマＣＶＤ法が
一番良い。水素ラジカルにより、ポリシリコン層のダン
グリングボンドが自動的に消滅してしまうからである。
その次にオーミックコンタクト層を１００〜５００オン
グストローム程度たいせきする。オーミックコンタクト
層としてはリンをドープしたｎ＋アモルファスシリコン
やボロンをドープしたＰ＋アモルファスシリコンが考え
られるが、不純物をドープしたマイクロクリスタルシリ
コンでも良い。図１０９が本実施例の成膜プロセスをお
こなう枚葉式のマルチチェンバ一型装置である。
【０１１３】〔実施例２３〕実施例２２で成膜した基板
に図１４で用いている透過光量変調ホトマスク工程を適
用してできた低温ポリシリコン薄膜トランジスタ素子の
断面図が図１２５である。図１２３や図１２４の従来の
ボトムゲート型ポリシリコン薄膜トランジスタ素子にく
らべて半分の工程で完成してしまう。図１２５の低温ポ
リシリコンは、ポリシリコンとアモルファスシリコンの
接合を用いている点に特徴がある。アモルファスシリコ
ン層は図１２４のオフセットゲートの領域と同じ作用を
しておりオフ時のリーク電流の低減に大きな効果があ
る。ポリシリコン層は１００％シリコンでなくても良
く、０．１％から３０％程度ゲルマニウムをふくんでい
ても良い。アモルファスシリコン層は１００％シリコン
でなくても良く、アモルファスシリコンカーバイド（炭
化シリコン）層でも良い。炭化シリコンは、シリコンよ
りもバンドギャップの幅が広いのでリーク電流低減には
効果的である。
に図１４で用いている透過光量変調ホトマスク工程を適
用してできた低温ポリシリコン薄膜トランジスタ素子の
断面図が図１２５である。図１２３や図１２４の従来の
ボトムゲート型ポリシリコン薄膜トランジスタ素子にく
らべて半分の工程で完成してしまう。図１２５の低温ポ
リシリコンは、ポリシリコンとアモルファスシリコンの
接合を用いている点に特徴がある。アモルファスシリコ
ン層は図１２４のオフセットゲートの領域と同じ作用を
しておりオフ時のリーク電流の低減に大きな効果があ
る。ポリシリコン層は１００％シリコンでなくても良
く、０．１％から３０％程度ゲルマニウムをふくんでい
ても良い。アモルファスシリコン層は１００％シリコン
でなくても良く、アモルファスシリコンカーバイド（炭
化シリコン）層でも良い。炭化シリコンは、シリコンよ
りもバンドギャップの幅が広いのでリーク電流低減には
効果的である。
【０１１４】〔実施例２４〕図７５，図７６，図７７，
図７８，図７９，図８０，図８１，図８２は本発明の低
温ポリシリコン薄膜トランジスタプロセスと、透過光量
変調ホトマスクプロセスを用いて作った横電界方式アク
ティブマトリックス基板の断面図である。シャドーマス
クを用いて端子部にゲート絶縁膜やパッシベーション膜
がたいせきしないようにする方法を用いることで、非常
にすくないホトマスク工程で横電界方式液晶パネルを生
産することが可能である。大幅な生産性向上と歩留り向
上が実現できる。投資効率も大幅に向上する本発明の低
温ポリシリコンの電子移動度の５０以上あり従来のアモ
ルファスシリコンの約１００倍以上の性能である。これ
により従来のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ素
子では画素電極に信号を伝達するのに５μｓｅｃ程度の
書きこみ時間が必要であったが、本発明の低温ポリシリ
コン薄膜トランジスタ素子を用いれば５０ナノ秒で信号
を書きこめることになり、走査線が増大してもデータド
ライバー・コストの増大をおさえることが可能である。
図７８，図７９，図８０，図８１，図８２は本発明の低
温ポリシリコン薄膜トランジスタプロセスと、透過光量
変調ホトマスクプロセスを用いて作った横電界方式アク
ティブマトリックス基板の断面図である。シャドーマス
クを用いて端子部にゲート絶縁膜やパッシベーション膜
がたいせきしないようにする方法を用いることで、非常
にすくないホトマスク工程で横電界方式液晶パネルを生
産することが可能である。大幅な生産性向上と歩留り向
上が実現できる。投資効率も大幅に向上する本発明の低
温ポリシリコンの電子移動度の５０以上あり従来のアモ
ルファスシリコンの約１００倍以上の性能である。これ
により従来のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ素
子では画素電極に信号を伝達するのに５μｓｅｃ程度の
書きこみ時間が必要であったが、本発明の低温ポリシリ
コン薄膜トランジスタ素子を用いれば５０ナノ秒で信号
を書きこめることになり、走査線が増大してもデータド
ライバー・コストの増大をおさえることが可能である。
【０１１５】〔実施例２５〕図８３，図８４，図８５，
は、本発明の低温ポリシリコン薄膜トランジスタプロセ
スと透過光量変調ホトマスク・プロセスを用いて作った
フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式ア
クティブマトリックス基板の断面図である。従来６回の
ホトマスク工程を必要としていたものが、３回や４回の
ホトマスク工程で生産することが可能となります。大幅
なコストダウンと歩留りの向上が実現できます。
は、本発明の低温ポリシリコン薄膜トランジスタプロセ
スと透過光量変調ホトマスク・プロセスを用いて作った
フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式ア
クティブマトリックス基板の断面図である。従来６回の
ホトマスク工程を必要としていたものが、３回や４回の
ホトマスク工程で生産することが可能となります。大幅
なコストダウンと歩留りの向上が実現できます。
【０１１６】〔実施例２６〕図８６，図８７，図８８，
図９２，図９３，図９４は、本発明の低温ポリシリコン
薄膜トランジスタプロセスと透過光量変調ホトマスク・
プロセスを用いて作った垂直配向モード用アクティブ・
マトリックス基板の断面図である。図８６，図８７，図
８８にあるように画素電極のスリットの下層に共通電極
を配置することで、スリットの幅を従来の半分の３μｍ
程度までせばめることが可能となり大幅に開口率を向上
することが可能となる。
図９２，図９３，図９４は、本発明の低温ポリシリコン
薄膜トランジスタプロセスと透過光量変調ホトマスク・
プロセスを用いて作った垂直配向モード用アクティブ・
マトリックス基板の断面図である。図８６，図８７，図
８８にあるように画素電極のスリットの下層に共通電極
を配置することで、スリットの幅を従来の半分の３μｍ
程度までせばめることが可能となり大幅に開口率を向上
することが可能となる。
【０１１７】〔実施例２７〕図８９，図９０，図９１
は、本発明の低温ポリシリコン薄膜トランジスタ・プロ
セスと透過光量変調ホトマスク・プロセスを用いて作っ
たＴＮモード方式アクティブマトリックス基板の断面図
である。図８９は有機ＥＬ表示装置にもそのまま使用す
ることができる構造である。
は、本発明の低温ポリシリコン薄膜トランジスタ・プロ
セスと透過光量変調ホトマスク・プロセスを用いて作っ
たＴＮモード方式アクティブマトリックス基板の断面図
である。図８９は有機ＥＬ表示装置にもそのまま使用す
ることができる構造である。
【０１１８】〔実施例２８〕図９５，図９６は、静電気
対策用保護回路であり、図７６のアレイプロセスに適用
されるものである。図９７，図９８は、図７７，図７
９，図８３，図８６，図８９，図９２のアレイプロセス
に適用されるものである。図９９，図１００は、図７
８，図８０，図８４，図８７，図９０，図９３のアレイ
プロセスに適用されるものである。これらの静電気対策
用保護回路を設置できないアレイプロセスは、量産する
ことは不可能である。本発明の静電気対策用保護回路の
薄膜トランジスタはすべて低温ポリシリコン薄膜トラン
ジスタで構成されている。これらの回路を表示画素領域
の周辺部に配置することで、生産工程で発生する静電気
トラブルを激減させることが可能である。
対策用保護回路であり、図７６のアレイプロセスに適用
されるものである。図９７，図９８は、図７７，図７
９，図８３，図８６，図８９，図９２のアレイプロセス
に適用されるものである。図９９，図１００は、図７
８，図８０，図８４，図８７，図９０，図９３のアレイ
プロセスに適用されるものである。これらの静電気対策
用保護回路を設置できないアレイプロセスは、量産する
ことは不可能である。本発明の静電気対策用保護回路の
薄膜トランジスタはすべて低温ポリシリコン薄膜トラン
ジスタで構成されている。これらの回路を表示画素領域
の周辺部に配置することで、生産工程で発生する静電気
トラブルを激減させることが可能である。
【０１１９】〔実施例２９〕図１１２，図１１３が本発
明のＣＷモード固体レーザーの第２高調波の照射ビーム
形状である。走査線のピッチにあわせた周期的な形状を
している。レーザーの走査方向を走査線の方向にあわせ
ることで走査線の上の結晶粒径を選択的に大きく育成す
ることができる。図１１５は、図１１２，図１１３のビ
ーム形状を作り出すためのメカニカルマスクである。図
１１６にあるような光学系を用いてアモルファスシリコ
ン膜を結晶化させることができる。図１１７は複数のＣ
Ｗモードのレーザー光を組みあわせて照射する場合の平
面図である。図１２６にあるように複数のレーザービー
ム照射窓を設置し、図１２７にあるようなリニアーモー
ターを用いたエアーベアリング・スライダーに光学系を
設置して機械的に走査する方法を用いている。ガラス基
板はエアーベアリング・スライダーに同期して一軸方向
のみ一定の距離を移動していく。図１２９にあるように
レーザービームを２方向から照射する光学系も照射する
時間を短縮するには有効である。
明のＣＷモード固体レーザーの第２高調波の照射ビーム
形状である。走査線のピッチにあわせた周期的な形状を
している。レーザーの走査方向を走査線の方向にあわせ
ることで走査線の上の結晶粒径を選択的に大きく育成す
ることができる。図１１５は、図１１２，図１１３のビ
ーム形状を作り出すためのメカニカルマスクである。図
１１６にあるような光学系を用いてアモルファスシリコ
ン膜を結晶化させることができる。図１１７は複数のＣ
Ｗモードのレーザー光を組みあわせて照射する場合の平
面図である。図１２６にあるように複数のレーザービー
ム照射窓を設置し、図１２７にあるようなリニアーモー
ターを用いたエアーベアリング・スライダーに光学系を
設置して機械的に走査する方法を用いている。ガラス基
板はエアーベアリング・スライダーに同期して一軸方向
のみ一定の距離を移動していく。図１２９にあるように
レーザービームを２方向から照射する光学系も照射する
時間を短縮するには有効である。
【０１２０】〔実施例３０〕図１１１は従来もちいられ
てきたＣＷモード固体レーザーの第２高調波の照射ビー
ム形状である。図１１４の直線状スリットを用いビーム
を整形することでより細いビームを作り出すことが可能
である。しかしビームを細くしぼりすぎるとエネルギー
密度が高くなりすぎビームの走査速度を大きくしなけれ
ばならなくなる。ビームの走査速度が速すぎると結晶粒
径が大きくならない。本発明では図１３１の光学系を用
いて２本の太さの異なるレーザービームを重なりあわせ
ている。図１３２が２本のビームの強度とビームの太さ
に関係する図である。細くビーム強度の大きいレーザー
の位置は太いビームの中心よりも走査方向側にシフトし
ている。この２本のレーザービームを用いる方法では走
査速度を大きくしても結晶粒径の大きなポリシリコンを
得ることが可能である。走査速度はリニアモーターの制
限から２００ｃｍ／ｓｅｃである。
てきたＣＷモード固体レーザーの第２高調波の照射ビー
ム形状である。図１１４の直線状スリットを用いビーム
を整形することでより細いビームを作り出すことが可能
である。しかしビームを細くしぼりすぎるとエネルギー
密度が高くなりすぎビームの走査速度を大きくしなけれ
ばならなくなる。ビームの走査速度が速すぎると結晶粒
径が大きくならない。本発明では図１３１の光学系を用
いて２本の太さの異なるレーザービームを重なりあわせ
ている。図１３２が２本のビームの強度とビームの太さ
に関係する図である。細くビーム強度の大きいレーザー
の位置は太いビームの中心よりも走査方向側にシフトし
ている。この２本のレーザービームを用いる方法では走
査速度を大きくしても結晶粒径の大きなポリシリコンを
得ることが可能である。走査速度はリニアモーターの制
限から２００ｃｍ／ｓｅｃである。
【０１２１】
【発明の効果】本発明の透過光量変調ホトマスク工程を
用いることでいろいろなモードの液晶パネルを低コスト
で歩留り良く生産することができる。特に横電界方式液
晶パネルに適用した場合、ラビング時の配向不良を激減
させるだけでなく開口率も大幅に向上させることができ
る。本発明の低温ポリシリコンプロセスと組みあわせる
ことで４０インチ以上の超大型液晶表示装置を低価格で
量産することが可能である。さらに本発明の走査露光用
ホトマスクを用いることで６０インチ以上の超大型横電
界方式液晶表示装置を量産することも可能である。
用いることでいろいろなモードの液晶パネルを低コスト
で歩留り良く生産することができる。特に横電界方式液
晶パネルに適用した場合、ラビング時の配向不良を激減
させるだけでなく開口率も大幅に向上させることができ
る。本発明の低温ポリシリコンプロセスと組みあわせる
ことで４０インチ以上の超大型液晶表示装置を低価格で
量産することが可能である。さらに本発明の走査露光用
ホトマスクを用いることで６０インチ以上の超大型横電
界方式液晶表示装置を量産することも可能である。
【０１２２】本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
の液晶パネルでは、従来のストレートバンプをピラミッ
ドバンプにおきかえることでムラの発生を激減させるこ
とができ大幅な歩留りを向上することができる。さらに
スリット電極の下層に共通電極を配置することで高速応
答化を実現できる。中小型のＴＶ表示には最適な表示モ
ードにまで完成度を向上させることができる。
の液晶パネルでは、従来のストレートバンプをピラミッ
ドバンプにおきかえることでムラの発生を激減させるこ
とができ大幅な歩留りを向上することができる。さらに
スリット電極の下層に共通電極を配置することで高速応
答化を実現できる。中小型のＴＶ表示には最適な表示モ
ードにまで完成度を向上させることができる。
【図１】 従来の横電界方式液晶表示パネルの走査線と
共通電極の平面図。
共通電極の平面図。
【図２】 従来の横電界方式液晶表示パネルの映像信号
配線と液晶駆動電極の平面図。
配線と液晶駆動電極の平面図。
【図３】 従来の横電界方式液晶表示パネルの映像信号
配線とコンタクトホールと液晶駆動電極の平面図。
配線とコンタクトホールと液晶駆動電極の平面図。
【図４】 従来の横電界方式液晶表示パネルの走査線と
共通電極の断面図
共通電極の断面図
【図５】 本発明で用いるハーフトーン露光用スリット
マスクの断面図
マスクの断面図
【図６】 本発明で用いるハーフトーン露光用半透過マ
スクの断面図
スクの断面図
【図７】 本発明で用いるハーフトーン露光用半透過マ
スクの断面図
スクの断面図
【図８】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて露
光現像処理したポジレジストの断面図。
光現像処理したポジレジストの断面図。
【図９】本発明の透過光量変調技術を用いた横電界方式
液晶パネルの走査線と共通電極のホトマスクの平面図
液晶パネルの走査線と共通電極のホトマスクの平面図
【図１０】 本発明の透過光量変調技術を用いた横電界
方式液晶パネルの映像信号配線と液晶駆動電極のホトマ
スクの平面図。
方式液晶パネルの映像信号配線と液晶駆動電極のホトマ
スクの平面図。
【図１１】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いた
多層金属膜配線の加工プロセスフロー
多層金属膜配線の加工プロセスフロー
【図１２】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いた
多層金属膜配線の加工プロセスフロー
多層金属膜配線の加工プロセスフロー
【図１３】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いた
多層金属膜配線の加工プロセスフロー
多層金属膜配線の加工プロセスフロー
【図１４】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いた
薄膜トランジスタ素子のプロセスフロー
薄膜トランジスタ素子のプロセスフロー
【図１５】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたシングルドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたシングルドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図１６】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたシングルドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたシングルドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図１７】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたシングルドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたシングルドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図１８】 本発明の横電界方式薄膜トランジスタ基板
の断面図
の断面図
【図１９】 本発明の横電界方式薄膜トランジスタ基板
の断面図
の断面図
【図２０】 本発明の横電界方式薄膜トランジスタ基板
の断面図
の断面図
【図２１】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の平面図
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の平面図
【図２２】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の平面図
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の平面図
【図２３】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の断面図
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の断面図
【図２４】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の断面図
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の断面図
【図２５】 本発明のＴＮモード方式薄膜トランジスタ
基板の平面図
基板の平面図
【図２６】 本発明のＴＮモード方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図２７】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の平面図。
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の平面図。
【図２８】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の断面図。
ング（ＦＦＳ）方式薄膜トランジスタ基板の断面図。
【図２９】 本発明の横電界方式液晶駆動電極付近の正
の誘電率異方性液晶分子の電界印加時の回転運動方向説
明図
の誘電率異方性液晶分子の電界印加時の回転運動方向説
明図
【図３０】 本発明の横電界方式液晶駆動電極付近の負
の誘電率異方性流晶分子の電界印加時の回転運動方向の
説明図
の誘電率異方性流晶分子の電界印加時の回転運動方向の
説明図
【図３１】 本発明の透過光量変調技術を用いた横電界
方式液晶パネルの走査線と共通電極のホトマスクの平面
図
方式液晶パネルの走査線と共通電極のホトマスクの平面
図
【図３２】 本発明の透過光量変調技術を用いた横電界
方式液晶パネルの映像信号配線と液晶駆動電極のホトマ
スクの平面図
方式液晶パネルの映像信号配線と液晶駆動電極のホトマ
スクの平面図
【図３３】 本発明の透過光量変調技術を用いた映像信
号配線とドレイン電極のホトマスクの平面図
号配線とドレイン電極のホトマスクの平面図
【図３４】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図３５】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図３６】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図３７】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図３８】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図３９】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式の薄膜トラ
ンジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式の薄膜トラ
ンジスタ基板の平面図
【図４０】 本発明のダブル・ドメイン・ＦＦＳ方式薄
膜トランジスタ基板の平面図
膜トランジスタ基板の平面図
【図４１】 本発明のダブル・ドメイン・ＦＦＳ方式薄
膜トランジスタ基板の平面図
膜トランジスタ基板の平面図
【図４２】 本発明のダブル・ドメイン・ＦＦＳ方式薄
膜トランジスタ基板の平面図
膜トランジスタ基板の平面図
【図４３】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて
形成した端子部の平面図
形成した端子部の平面図
【図４４】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて
形成した端子部の平面図
形成した端子部の平面図
【図４５】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて
形成した端子部の平面図
形成した端子部の平面図
【図４６】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図４７】 本発明のダブル・ドメイン・ＦＦＳ方式薄
膜トランジスタ基板の平面図
膜トランジスタ基板の平面図
【図４８】 本発明の共通電極と液晶駆動電極に透明電
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
極材料を用いたダブル・ドメイン横電界方式薄膜トラン
ジスタ基板の平面図
【図４９】 本発明のダブル・ドメイン・ＦＦＳ方式薄
膜トランジスタ基板の平面図
膜トランジスタ基板の平面図
【図５０】 本発明のダブル・ドメイン横電界方式液晶
パネルやダブル・ドメインＦＦＳ方式液晶パネルで用い
るカラーフィルターと遮光膜の平面図
パネルやダブル・ドメインＦＦＳ方式液晶パネルで用い
るカラーフィルターと遮光膜の平面図
【図５１】 本発明のダブル・ドメイン横電界方式液晶
パネルやダブル・ドメインＦＦＳ方式液晶パネルで用い
るカラーフィルターと遮光膜の平面図
パネルやダブル・ドメインＦＦＳ方式液晶パネルで用い
るカラーフィルターと遮光膜の平面図
【図５２】 本発明の透過光量変調技術を用いたマルチ
ドメイン垂直配向液晶モード用バンプとホトリソ・スペ
ーサーのホトマスクの平面図
ドメイン垂直配向液晶モード用バンプとホトリソ・スペ
ーサーのホトマスクの平面図
【図５３】 本発明の透過光量変調技術を用いたマルチ
ドメイン垂直配向液晶モード用バンプとホトリソ・スペ
ーサーのホトマスクの平面図
ドメイン垂直配向液晶モード用バンプとホトリソ・スペ
ーサーのホトマスクの平面図
【図５４】 本発明の透過光量変調ホトマスクを用いて
露光現像処理した後のホトリソ・スペーサーとマルチド
メイン垂直配向モード用バンプの断面図
露光現像処理した後のホトリソ・スペーサーとマルチド
メイン垂直配向モード用バンプの断面図
【図５５】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用ひし型スリットとピラミッド型バンプの平面図
用ひし型スリットとピラミッド型バンプの平面図
【図５６】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用液晶パネルの断面図
用液晶パネルの断面図
【図５７】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用液晶パネルの断面図
用液晶パネルの断面図
【図５８】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用液晶パネルの断面図
用液晶パネルの断面図
【図５９】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用液晶パネルの断面図
用液晶パネルの断面図
【図６０】 本発明の横電界方式液晶パネル用クロスト
ーク防止セルギャップコントロールバンプとホトリソス
ペーサーの断面図
ーク防止セルギャップコントロールバンプとホトリソス
ペーサーの断面図
【図６１】 本発明の横電界方式液晶パネル用クロスト
ーク防止セルギャップコントロールバンプとホトリソス
ペーサーの断面図
ーク防止セルギャップコントロールバンプとホトリソス
ペーサーの断面図
【図６２】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用円型スリットとピラミッド型バンプの平面図
用円型スリットとピラミッド型バンプの平面図
【図６３】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用直線型スリットとピラミッド型バンプの平面図
用直線型スリットとピラミッド型バンプの平面図
【図６４】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用液晶パネルの断面図
用液晶パネルの断面図
【図６５】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用くし歯状画素透明電極と電界コントロール用共通電極
の平面図
用くし歯状画素透明電極と電界コントロール用共通電極
の平面図
【図６６】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用くし歯状画素透明電極と電界コントロール用共通電極
の平面図
用くし歯状画素透明電極と電界コントロール用共通電極
の平面図
【図６７】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用液晶パネルの断面図
用液晶パネルの断面図
【図６８】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用液晶パネルの断面図
用液晶パネルの断面図
【図６９】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用ひし型スリット電極と電界コントロール用共通電極と
ピラミッド型バンプの平面配置図
用ひし型スリット電極と電界コントロール用共通電極と
ピラミッド型バンプの平面配置図
【図７０】 本発明のマルチ・ドメイン垂直配向モード
用直線型スリット電極と電界コントロール用共通電極と
ピラミッド型バンプの平面配置図
用直線型スリット電極と電界コントロール用共通電極と
ピラミッド型バンプの平面配置図
【図７１】 本発明の半透過型液晶モード用散乱ドット
形成用ホトマスクの平面図
形成用ホトマスクの平面図
【図７２】 本発明の横電界方式液晶パネル用クロスト
ーク防止セルギャップコントロールバンプとホトリソ・
スペーサー形成用ホトマスクの平面図
ーク防止セルギャップコントロールバンプとホトリソ・
スペーサー形成用ホトマスクの平面図
【図７３】 本発明の半透過型液晶パネルの薄膜トラン
ジスタ基板の断面図
ジスタ基板の断面図
【図７４】 本発明の半透過型液晶パネルの薄膜トラン
ジスタ基板の断面図
ジスタ基板の断面図
【図７５】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図７６】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図７７】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図７８】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図７９】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図８０】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図８１】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図８２】 本発明の横電界液晶方式薄膜トランジスタ
基板の断面図
基板の断面図
【図８３】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング液晶方式薄膜トランジスタ基板の断面図
ング液晶方式薄膜トランジスタ基板の断面図
【図８４】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング液晶方式薄膜トランジスタ基板の断面図
ング液晶方式薄膜トランジスタ基板の断面図
【図８５】 本発明のフリンジ・フィールド・スイッチ
ング液晶方式薄膜トランジスタ基板の断面図
ング液晶方式薄膜トランジスタ基板の断面図
【図８６】 本発明のマルチドメイン・垂直配向液晶方
式薄膜トランジスタ基板の断面図
式薄膜トランジスタ基板の断面図
【図８７】 本発明のマルチドメイン・垂直配向液晶方
式薄膜トランジスタ基板の断面図
式薄膜トランジスタ基板の断面図
【図８８】 本発明のマルチドメイン垂直配向液晶方式
薄膜トランジスタ基板の断面図
薄膜トランジスタ基板の断面図
【図８９】 本発明のＴＮモード液晶方式薄膜トランジ
スタ基板の断面図
スタ基板の断面図
【図９０】 本発明のＴＮモード液晶方式薄膜トランジ
スタ基板の断面図
スタ基板の断面図
【図９１】 本発明のＴＮモード液晶方式薄膜トランジ
スタ基板の断面図
スタ基板の断面図
【図９２】 本発明のマルチドメイン垂直配向液晶方式
薄膜トランジスタ基板の断面図
薄膜トランジスタ基板の断面図
【図９３】 本発明のマルチドメイン垂直配向液晶方式
薄膜トランジスタ基板の断面図
薄膜トランジスタ基板の断面図
【図９４】 本発明のマルチドメイン垂直配向液晶方式
薄膜トランジスタ基板の断面図
薄膜トランジスタ基板の断面図
【図９５】 本発明の静電気対策保護トランジスタ素子
の平面図
の平面図
【図９６】 本発明の静電気対策保護トランジスタ素子
の平面図
の平面図
【図９７】 本発明の静電気対策保護トランジスタ素子
の平面図
の平面図
【図９８】 本発明の静電気対策保護トランジスタ素子
の平面図
の平面図
【図９９】 本発明の静電気対策保護トランジスタ素子
の平面図
の平面図
【図１００】 本発明の静電気対策保護トランジスタ素
子の平面図
子の平面図
【図１０１】 本発明による分割露光方式の上下隣接シ
ョットの関係を示した平面図
ョットの関係を示した平面図
【図１０２】 本発明による分割露光方式の上下隣接シ
ョットの関係を示した平面図
ョットの関係を示した平面図
【図１０３】 本発明による分割露光方式の上下隣接シ
ョットの関係を示した平面図
ョットの関係を示した平面図
【図１０４】 本発明のマルチドメイン垂直配向モード
用ひし型スリット電極と円錐型バンプの平面配置図
用ひし型スリット電極と円錐型バンプの平面配置図
【図１０５】 本発明のマルチドメイン垂直配向モード
用だ円型スリット電極と円錐型バンプの平面配置図
用だ円型スリット電極と円錐型バンプの平面配置図
【図１０６】 本発明のマルチドメイン垂直配向液晶パ
ネルの画素平面図
ネルの画素平面図
【図１０７】 本発明のマルチドメイン垂直配向液晶パ
ネルの画素平面図
ネルの画素平面図
【図１０８】 本発明のマルチドメイン垂直配向液晶パ
ネルの画素平面図
ネルの画素平面図
【図１０９】 本発明の低温ポリシリコン薄膜トランジ
スタ素子製造装置
スタ素子製造装置
【図１１０】 本発明の低温ポリシリコン薄膜トランジ
スタ製造プロセス・フロー
スタ製造プロセス・フロー
【図１１１】 本発明のＣＷ・レーザーを用いたレーザ
ー結晶化のためのレーザービームの形状説明図
ー結晶化のためのレーザービームの形状説明図
【図１１２】 本発明のＣＷ・レーザーを用いたレーザ
ー結晶化のためのレーザービームの形状説明図
ー結晶化のためのレーザービームの形状説明図
【図１１３】 本発明のＣＷ・レーザーを用いたレーザ
ー結晶化のためのレーザービームの形状説明図
ー結晶化のためのレーザービームの形状説明図
【図１１４】 本発明のＣＷ・レーザーのレーザービー
ム位置決定用スリットマスク
ム位置決定用スリットマスク
【図１１５】 本発明のＣＷ・レーザーのレーザービー
ム位置決定用スリットマスク
ム位置決定用スリットマスク
【図１１６】 本発明の複数のＣＷ・レーザーを用いた
レーザー光学系
レーザー光学系
【図１１７】 本発明の複数のＣＷ・レーザーを用いて
レーザー結晶化をする時の複数のＣＷ・レーザーの照射
位置の関係説明図
レーザー結晶化をする時の複数のＣＷ・レーザーの照射
位置の関係説明図
【図１１８】 本発明の分割露光方式における重さなり
合い領域の密度分布図
合い領域の密度分布図
【図１１９】 本発明の分割露光方式における重さなり
合い領域の密度分布図
合い領域の密度分布図
【図１２０】 本発明の画面水平分割走査露光方法の走
査露光方向説明図
査露光方向説明図
【図１２１】 本発明の画面水平分割走査露光方法の走
査露光方向説明図
査露光方向説明図
【図１２２】 本発明の画面水平分割走査露光方法の走
査露光方向説明図
査露光方向説明図
【図１２３】 従来のボトム・ゲート型ライトリー・ド
ープト・ドレイン（ＬＤＤ）構造のポリシリコンＴＦＴ
ープト・ドレイン（ＬＤＤ）構造のポリシリコンＴＦＴ
【図１２４】 従来のボトム・ゲート型オフセット・ゲ
ート構造のポリシリコンＴＦＴ
ート構造のポリシリコンＴＦＴ
【図１２５】 本発明のボトム・ゲート型ポリシリコン
ＴＦＴ
ＴＦＴ
【図１２６】 本発明のＣＷモード固体レーザーを用い
たレーザーアニール装置のレーザー走査方向と基板移動
方向の説明図
たレーザーアニール装置のレーザー走査方向と基板移動
方向の説明図
【図１２７】 本発明のエアーベアリングとリニアモー
ターを用いたレーザー走査光学系の説明図
ターを用いたレーザー走査光学系の説明図
【図１２８】 本発明の４ホトマスクプロセスで作った
レーザー薄膜トランジスタ素子の平面図
レーザー薄膜トランジスタ素子の平面図
【図１２９】 本発明のエアーベアリングとリニアモー
ターを用いたレーザー走査光学系の説明図
ターを用いたレーザー走査光学系の説明図
【図１３０】 従来の反射型液晶表示装置の光散乱面形
成工程図
成工程図
【図１３１】 本発明のＣＷモード固体レーザーを用い
たレーザーアニール光学系の説明図
たレーザーアニール光学系の説明図
【図１３２】 本発明のＣＷモード固体レーザーアニー
ルの基板表面部でのレーザービーム強度分布図
ルの基板表面部でのレーザービーム強度分布図
１‥‥第１層走査線
２‥‥第２層走査線
３‥‥第１層共通電極
４‥‥第２層共通電極
５‥‥走査線と共通電極の切断位置
６‥‥映像信号配線
７‥‥横電界方式液晶駆動電極（画素電極）
８‥‥ドレイン電極
９‥‥コンタクトホール
１０‥‥横電界方式液晶駆動電極（透明画素電極）
１１‥‥ガラス基板
１２‥‥ホトマスク用石英ガラス基板
１３‥‥ホトマスク金属
１４‥‥半透過ホトマスク領域（露光装置の解像力より
小さいパターン） １５‥‥半透過膜領域 １６‥‥ハイネルギー ビーム センシィティブ ガラ
ス（ＨＥＢＳ−ＧＬＡＳＳ） １７‥‥ＵＶ光不透過領域 １８‥‥ＵＶ光半透過領域 １９‥‥ポジレジストＵＶ露光完全遮断領域の現像後の
膜厚 ２０‥‥ポジレジストＵＶ露光半透過領域の現像後の膜
厚 ２１‥‥ＵＶ光不透過・走査線用ホトマスク領域 ２２‥‥ＵＶ光半透過・走査線用ホトマスク領域（映像
信号線交差部） ２３‥‥ＵＶ光半透過・共通電極用ホトマスク領域（映
像信号線交差部） ２４‥‥ＵＶ光半透過・共通電極用ホトマスク領域（画
素共通電極） ２５‥‥ＵＶ光不透過・共通電極用ホトマスク領域 ２６‥‥ＵＶ光不透過・映像信号配線用ホトマスク領域 ２７‥‥ＵＶ光不透過・ドレイン電極用ホトマスク領域 ２８‥‥ＵＶ光半透過・液晶駆動電極用ホトマスク領域 ２９‥‥ハーフ・トーン露光法を用いた現像後のポジレ
ジスト ３０‥‥上層金属電極 ３１‥‥下層透明電極 ３２‥‥キャップ金属電極 ３３‥‥中層金属電極 ３４‥‥最下層透明電極 ３５‥‥バリアー電極（酸素拡散防止層） ３６‥‥透明電極（ＩＴＯ または ＳｎＯ２） ３７‥‥リンをドープしたｎ＋半導体層 ３８‥‥薄膜半導体層（ノンドープ層） ３９‥‥ゲート絶縁膜 ４０‥‥薄膜トランジスター素子 ４１‥‥走査線 ４２‥‥共通電極 ４３‥‥透明共通電極 ４４‥‥透明液晶駆動電極 ４５‥‥共通電極コンタクトホール ４６‥‥ＩＴＯ共通電極 ４７‥‥パッシベーション膜（保護膜） ４８‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式液晶駆動電極（透明電極） ４９‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式透明共通電極 ５０‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式ＩＴＯ液晶駆動電極 ５１‥‥ＴＮモード・保持容量形成用透明共通電極 ５２‥‥ＴＮモード・透明画素電極 ５３‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式ＩＴＯ共通電極 ５４‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式透明画素電極 ５５‥‥液晶分子配向方向 ５６‥‥正の誘電率異方性液晶分子 ５７‥‥負の誘電率異方性液晶分子 ５８‥‥ＵＶ光半透過・薄膜トランジスタ・チャネル部
用ホトマスク領域 ５９‥‥端子部透明電極 ６０‥‥１画素内で１回屈曲しているブラックマスク
（遮光膜） ６１‥‥１画素内で１回屈曲しているカラーフィルター
層 ６２‥‥１画素内で３回屈曲しているブラックマスク
（遮光膜） ６３‥‥１画素内で３回屈曲しているカラーフィルター
層 ６４‥‥ＵＶ光半透過・マルチドメイン垂直配向モード
用バンプ形成用ホトマスク領域 ６５‥‥ＵＶ光不透過・マルチドメイン垂直配向モード
用ホトリソ・スペーサー形成用ホトマスク領域 ６６‥‥ＵＶ光半透過・マルチドメイン垂直配向モード
用バンプ形成用ホトマスク領域 ６７‥‥カラーフィルター用ガラス基板 ６８‥‥カラーフィルター層 ６９‥‥平担化膜 ７０‥‥マルチドメイン垂直配向モード用バンプ ７１‥‥マルチドメイン垂直配向モード用ホトリソ・ス
ペーサー ７２‥‥マルチドメイン垂直配向モード用ピラミッド型
バンプ ７３‥‥マルチドメイン垂直配向モード用ひし型スリッ
ト ７４‥‥ブラックマスク（遮光膜） ７５‥‥カラーフィルター層 ７６‥‥平担化膜 ７７‥‥ＩＴＯ透明電極（ＣＦ側共通電極） ７８‥‥ＴＦＴ基板側画素透明電極 ７９‥‥ホトリソ・スペーサー ８０‥‥マルチドメイン垂直配向モード用円型スリット ８１‥‥マルチドメイン垂直配向モード用直線型スリッ
ト ８２‥‥画素透明電極のスリット部分の電界コントロー
ル用共通電極 ８３‥‥ＵＶ光不透過・横電界液晶表示モード用ホトリ
ソスペーサー・ホトマスク領域 ８４‥‥ＵＶ光半透過・横電界液晶表示モード用クロス
トーク防止セルギャップコントロールバンプ・ホトマス
ク領域 ８５‥‥横電界表示モード用ホトリソ・スペーサー ８６‥‥横電界表示モード用クロストーク防止セルギャ
ップ・コントロール・バンプ。 ８７‥‥マルチドメイン垂直配向モード用くし歯状画素
透明電極（ＴＦＴ基板側） ８８‥‥マルチドメイン垂直配向モード用くし歯状画素
透明電極（ＣＦ基板側） ８９‥‥ＵＶ光不透過・反射型液晶モード用平担化・ホ
トマスク領域 ９０‥‥ＵＶ光不透過・反射型液晶モード用散乱ドット
・ホトマスク領域 ９１‥‥ＵＶ光完全透過・反射型液晶モード用バックラ
イト光通過口・ホトマスク領域 ９２‥‥ＵＶ光半透過・反射型液晶モード用散乱凹部・
ホトマスク領域 ９３‥‥バックライト光透過領域・画素透明電極 ９４‥‥反射画素電極 ９５‥‥散乱凹凸誘電体層 ９６‥‥走査線端子部 ９７‥‥走査線端子部コンタクトホール ９８‥‥不純物ドーピング・オーミック接合層 ９９‥‥ノンドープ アモルファス シリコン層 １００‥‥ポリシリコン層 １０１‥‥映像信号配線端子部コンタクトホール １０２‥‥映像信号配線端子部 １０３‥‥上層金属走査線 １０４……下層透明走査線 １０５……有効画素領域周辺共通電極 １０６……ゲート絶縁膜局所堆積領域 １０７……パッシベーション膜局所堆積領域 １０８……静電気対策用保護薄膜トランジスタ素子 １０９……スキャン露光用相互画素拡散接合型ホトマス
ク（Ａ） １１０……スキャン露光用相互画素拡散接合型ホトマス
ク（Ｂ） １１１……スキャン露光用相互画素拡散接合型ホトマス
ク（Ｃ） １１２……マルチドメイン垂直配向モード用円錐型バン
プ １１３……マルチドメイン垂直配向モード用放物線型ス
リット １１４……スキャン露光用ジグザグ接合ホトマスク
（Ａ） １１５……スキャン露光用ジグザグ接合ホトマスク
（Ｂ） １１６……アルカリイオン拡散防止用シリコン窒化膜 １１７……シリコン酸化膜（ゲート絶縁膜） １１８……ＣＷ−Ｎｄ・Ｙ・ＶＯ４第２高調波レーザー
の直線状レーザービーム １１９……ＣＷ−Ｎｄ・Ｙ・ＶＯ４第２高調波レーザー
のサイン波状レーザービーム １２０……ＣＷ−Ｎｄ・Ｙ・ＶＯ４第２高調波レーザー
のくけい波状レーザービーム １２１……レーザービーム・アライメント用直線状スリ
ットマスク（上側スリット…ａ） １２２……レーザービーム・アライメント用直線状スリ
ットマスク（下側スリット…ｂ） １２３……レーザービーム・アライメント用ジグザグ状
スリットマスク（上側スリット…ａ） １２４……レーザービーム・アライメント用ジグザグ状
スリットマスク（下側スリット…ｂ） １２５……上側スリットを通過してきたレーザー光 １２６……下側スリットを通過してきたレーザー光 １２７……反射ミラー １２８……シリンドリカルレンズ １２９……脱水素処理されたａ−ｓｉ １３０……ポリシリコン薄膜 １３１……ディスクリネーション発生防止バンプ １３２……ホトマスクＡを用いて走査露光された領域 １３３……ホトマスクＢを用いて走査露光された領域 １３４……ホトマスクＣを用いて走査露光された領域 Ａ……ホトマスクＡを用いて走査露光する走査幅 Ｂ……ホトマスクＢを用いて走査露光する走査幅 Ｃ……ホトマスクＣを用いて走査露光する走査幅 Ｌ……異なるホトマスクが互いに重なりあう幅 Ｄ……オフセット領域 １３５……不純物をうすくドーピングした領域 １３６……レーザービーム照射窓 １３７……レーザービーム照射走査方向 １３８……ガラス基板走査方向 １３９……リニアモーター駆動方式エアースライダー １４０……低温ポリシリコンの結晶粒界の方向 １４１……リニアモーター １４２……ポジレジストを用いた散乱ドット １４３……ハードベーク処理により角が丸くなった散乱
ドット １４４……コンタクトホール １４５……感光性オーバーコート膜 １４６……シリンドリカルレンズの半分 １４７……シリンドリカルレンズまたはプリズムの半分 １４８……アシスト用レーザービーム １４９……ＣＷ−個体レーザーの第２高調波のビーム強
度分布（溶融用メインビーム） １５０……アシスト用レーザービームの強度分布
小さいパターン） １５‥‥半透過膜領域 １６‥‥ハイネルギー ビーム センシィティブ ガラ
ス（ＨＥＢＳ−ＧＬＡＳＳ） １７‥‥ＵＶ光不透過領域 １８‥‥ＵＶ光半透過領域 １９‥‥ポジレジストＵＶ露光完全遮断領域の現像後の
膜厚 ２０‥‥ポジレジストＵＶ露光半透過領域の現像後の膜
厚 ２１‥‥ＵＶ光不透過・走査線用ホトマスク領域 ２２‥‥ＵＶ光半透過・走査線用ホトマスク領域（映像
信号線交差部） ２３‥‥ＵＶ光半透過・共通電極用ホトマスク領域（映
像信号線交差部） ２４‥‥ＵＶ光半透過・共通電極用ホトマスク領域（画
素共通電極） ２５‥‥ＵＶ光不透過・共通電極用ホトマスク領域 ２６‥‥ＵＶ光不透過・映像信号配線用ホトマスク領域 ２７‥‥ＵＶ光不透過・ドレイン電極用ホトマスク領域 ２８‥‥ＵＶ光半透過・液晶駆動電極用ホトマスク領域 ２９‥‥ハーフ・トーン露光法を用いた現像後のポジレ
ジスト ３０‥‥上層金属電極 ３１‥‥下層透明電極 ３２‥‥キャップ金属電極 ３３‥‥中層金属電極 ３４‥‥最下層透明電極 ３５‥‥バリアー電極（酸素拡散防止層） ３６‥‥透明電極（ＩＴＯ または ＳｎＯ２） ３７‥‥リンをドープしたｎ＋半導体層 ３８‥‥薄膜半導体層（ノンドープ層） ３９‥‥ゲート絶縁膜 ４０‥‥薄膜トランジスター素子 ４１‥‥走査線 ４２‥‥共通電極 ４３‥‥透明共通電極 ４４‥‥透明液晶駆動電極 ４５‥‥共通電極コンタクトホール ４６‥‥ＩＴＯ共通電極 ４７‥‥パッシベーション膜（保護膜） ４８‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式液晶駆動電極（透明電極） ４９‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式透明共通電極 ５０‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式ＩＴＯ液晶駆動電極 ５１‥‥ＴＮモード・保持容量形成用透明共通電極 ５２‥‥ＴＮモード・透明画素電極 ５３‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式ＩＴＯ共通電極 ５４‥‥フリンジ・フィールド・スィッチング（ＦＦ
Ｓ）方式透明画素電極 ５５‥‥液晶分子配向方向 ５６‥‥正の誘電率異方性液晶分子 ５７‥‥負の誘電率異方性液晶分子 ５８‥‥ＵＶ光半透過・薄膜トランジスタ・チャネル部
用ホトマスク領域 ５９‥‥端子部透明電極 ６０‥‥１画素内で１回屈曲しているブラックマスク
（遮光膜） ６１‥‥１画素内で１回屈曲しているカラーフィルター
層 ６２‥‥１画素内で３回屈曲しているブラックマスク
（遮光膜） ６３‥‥１画素内で３回屈曲しているカラーフィルター
層 ６４‥‥ＵＶ光半透過・マルチドメイン垂直配向モード
用バンプ形成用ホトマスク領域 ６５‥‥ＵＶ光不透過・マルチドメイン垂直配向モード
用ホトリソ・スペーサー形成用ホトマスク領域 ６６‥‥ＵＶ光半透過・マルチドメイン垂直配向モード
用バンプ形成用ホトマスク領域 ６７‥‥カラーフィルター用ガラス基板 ６８‥‥カラーフィルター層 ６９‥‥平担化膜 ７０‥‥マルチドメイン垂直配向モード用バンプ ７１‥‥マルチドメイン垂直配向モード用ホトリソ・ス
ペーサー ７２‥‥マルチドメイン垂直配向モード用ピラミッド型
バンプ ７３‥‥マルチドメイン垂直配向モード用ひし型スリッ
ト ７４‥‥ブラックマスク（遮光膜） ７５‥‥カラーフィルター層 ７６‥‥平担化膜 ７７‥‥ＩＴＯ透明電極（ＣＦ側共通電極） ７８‥‥ＴＦＴ基板側画素透明電極 ７９‥‥ホトリソ・スペーサー ８０‥‥マルチドメイン垂直配向モード用円型スリット ８１‥‥マルチドメイン垂直配向モード用直線型スリッ
ト ８２‥‥画素透明電極のスリット部分の電界コントロー
ル用共通電極 ８３‥‥ＵＶ光不透過・横電界液晶表示モード用ホトリ
ソスペーサー・ホトマスク領域 ８４‥‥ＵＶ光半透過・横電界液晶表示モード用クロス
トーク防止セルギャップコントロールバンプ・ホトマス
ク領域 ８５‥‥横電界表示モード用ホトリソ・スペーサー ８６‥‥横電界表示モード用クロストーク防止セルギャ
ップ・コントロール・バンプ。 ８７‥‥マルチドメイン垂直配向モード用くし歯状画素
透明電極（ＴＦＴ基板側） ８８‥‥マルチドメイン垂直配向モード用くし歯状画素
透明電極（ＣＦ基板側） ８９‥‥ＵＶ光不透過・反射型液晶モード用平担化・ホ
トマスク領域 ９０‥‥ＵＶ光不透過・反射型液晶モード用散乱ドット
・ホトマスク領域 ９１‥‥ＵＶ光完全透過・反射型液晶モード用バックラ
イト光通過口・ホトマスク領域 ９２‥‥ＵＶ光半透過・反射型液晶モード用散乱凹部・
ホトマスク領域 ９３‥‥バックライト光透過領域・画素透明電極 ９４‥‥反射画素電極 ９５‥‥散乱凹凸誘電体層 ９６‥‥走査線端子部 ９７‥‥走査線端子部コンタクトホール ９８‥‥不純物ドーピング・オーミック接合層 ９９‥‥ノンドープ アモルファス シリコン層 １００‥‥ポリシリコン層 １０１‥‥映像信号配線端子部コンタクトホール １０２‥‥映像信号配線端子部 １０３‥‥上層金属走査線 １０４……下層透明走査線 １０５……有効画素領域周辺共通電極 １０６……ゲート絶縁膜局所堆積領域 １０７……パッシベーション膜局所堆積領域 １０８……静電気対策用保護薄膜トランジスタ素子 １０９……スキャン露光用相互画素拡散接合型ホトマス
ク（Ａ） １１０……スキャン露光用相互画素拡散接合型ホトマス
ク（Ｂ） １１１……スキャン露光用相互画素拡散接合型ホトマス
ク（Ｃ） １１２……マルチドメイン垂直配向モード用円錐型バン
プ １１３……マルチドメイン垂直配向モード用放物線型ス
リット １１４……スキャン露光用ジグザグ接合ホトマスク
（Ａ） １１５……スキャン露光用ジグザグ接合ホトマスク
（Ｂ） １１６……アルカリイオン拡散防止用シリコン窒化膜 １１７……シリコン酸化膜（ゲート絶縁膜） １１８……ＣＷ−Ｎｄ・Ｙ・ＶＯ４第２高調波レーザー
の直線状レーザービーム １１９……ＣＷ−Ｎｄ・Ｙ・ＶＯ４第２高調波レーザー
のサイン波状レーザービーム １２０……ＣＷ−Ｎｄ・Ｙ・ＶＯ４第２高調波レーザー
のくけい波状レーザービーム １２１……レーザービーム・アライメント用直線状スリ
ットマスク（上側スリット…ａ） １２２……レーザービーム・アライメント用直線状スリ
ットマスク（下側スリット…ｂ） １２３……レーザービーム・アライメント用ジグザグ状
スリットマスク（上側スリット…ａ） １２４……レーザービーム・アライメント用ジグザグ状
スリットマスク（下側スリット…ｂ） １２５……上側スリットを通過してきたレーザー光 １２６……下側スリットを通過してきたレーザー光 １２７……反射ミラー １２８……シリンドリカルレンズ １２９……脱水素処理されたａ−ｓｉ １３０……ポリシリコン薄膜 １３１……ディスクリネーション発生防止バンプ １３２……ホトマスクＡを用いて走査露光された領域 １３３……ホトマスクＢを用いて走査露光された領域 １３４……ホトマスクＣを用いて走査露光された領域 Ａ……ホトマスクＡを用いて走査露光する走査幅 Ｂ……ホトマスクＢを用いて走査露光する走査幅 Ｃ……ホトマスクＣを用いて走査露光する走査幅 Ｌ……異なるホトマスクが互いに重なりあう幅 Ｄ……オフセット領域 １３５……不純物をうすくドーピングした領域 １３６……レーザービーム照射窓 １３７……レーザービーム照射走査方向 １３８……ガラス基板走査方向 １３９……リニアモーター駆動方式エアースライダー １４０……低温ポリシリコンの結晶粒界の方向 １４１……リニアモーター １４２……ポジレジストを用いた散乱ドット １４３……ハードベーク処理により角が丸くなった散乱
ドット １４４……コンタクトホール １４５……感光性オーバーコート膜 １４６……シリンドリカルレンズの半分 １４７……シリンドリカルレンズまたはプリズムの半分 １４８……アシスト用レーザービーム １４９……ＣＷ−個体レーザーの第２高調波のビーム強
度分布（溶融用メインビーム） １５０……アシスト用レーザービームの強度分布
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1337 Ｇ０２Ｆ 1/1337 ３Ｋ００７
1/1339 ５００ 1/1339 ５００ ５Ｃ０９４
1/1345 1/1345 ５Ｆ０５２
1/1368 1/1368 ５Ｆ１１０
Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ５Ｇ３２３
３６５ ３６５Ｚ
9/35 9/35
Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ
５０３Ｄ
Ｈ０１Ｌ 21/20 Ｈ０１Ｌ 21/20
21/336 Ｈ０５Ｂ 33/10
29/786 33/12 Ｂ
Ｈ０５Ｂ 33/10 33/14 Ａ
33/12 33/26 Ｚ
33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｃ
33/26 ６１２Ｄ
Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BA45 BB01 BB02 BB07
BB41 BB42
2H089 NA13 QA16 SA17
2H090 LA01 LA02 MA07
2H091 FA02Y FA35Y FD07 GA03
KA10 LA16
2H092 GA14 GA17 GA25 GA26 GA33
GA34 HA03 JB23 JB24 JB32
JB33 MA14 MA17 MA30
3K007 AB02 BA06 CA03 EB00 FA01
GA00
5C094 AA03 AA10 BA03 BA27 BA43
CA19 CA24 EA04 EA05 EA07
EB05 ED03
5F052 AA02 BA07 BA12 BA15 BB04
DA02 DB03 DB07 JA01
5F110 AA16 AA28 BB01 CC07 EE14
FF02 FF03 FF09 FF36 GG01
GG02 GG13 GG15 GG19 GG25
GG43 GG45 HK09 HM14 NN72
PP03 PP06 PP07 PP13 PP35
QQ02 QQ04 QQ05 QQ09 QQ25
5G323 BC00 BC03 CA00
Claims (67)
- 【請求項１】横電界液晶表示装置の製造工程において、
２層以上の異なる金属や導電体を用いて走査線と共通電
極を形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホト
マスクを用いてポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多
段階に変調し、ウェットエッチング処理と、プラズマド
ライエッチング処理とプラズマアッシング処理と交互に
おこなうことで、表示画素領域の共通電極部分を、基板
に接触している下層の金属または合金または金属窒化物
または金属酸化物または金属シリサイド化合物のパター
ンとして残すことを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】横電界液晶表示装置の製造工程において２
層以上の異なる金属や導電体を用いて、映像信号配線と
表示画素領域の液晶駆動電極を形成する時に、透過光量
を多段階に変調させたホトマスクを用いてポジ型ホトレ
ジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッ
チング処理とプラズマドライエッチング処理とプラズマ
アッシング処理とを交互におこなうことで、液晶駆動電
極部を基板に接触している下層の金属または合金または
金属窒化物または金属酸化物または金属シリサイド化合
物のパターンとして残すことを特徴とする製造方法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２の製造方法を用い
て形成した表示画素領域の共通電極または液晶駆動電極
の厚みが２５０オングスロームから１０００オングスト
ロームの範囲内にあることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項１，請求項２のすくなくともどちら
か１方の製造方法を用いて横電界液晶表示装置の表示画
素領域の共通電極と液晶駆動電極の両方を光透過性導電
性電極で形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】請求項４において映像信号配線の両側に近
接する共通電極をのぞく他の表示画素領域の共通電極と
液晶駆動電極の電極幅が、液晶セルのセルギャップと同
等かそれ以下であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項４において、光透過性導電性電極が
ＩｎＳｎＯｘ（ＩＴＯ）または、酸化スズ（ＳｎＯ２）
またはＩｎＴｉＯｘまたはＳｎＴｉＯｘまたはＴｉＮｘ
またはＴｉＳｉｘまたはＺｒＮｘまたはＺｒＳｉｘまた
はＭｏＮｘまたはＭｏＳｉｘまたはＣｒＮｘまたはＣｒ
ＳｉｘまたはＴａＮｘまたはＴａＳｉｘなどの高融点金
属の窒化物または高融点金属のシリサイド化合物である
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】横電界液晶表示装置の製造工程において、
２層以上の異なる金属や導電体を用いて走査線と共通電
極を形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホト
マスクを用いてポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多
段階に変調し、ウェットエッチング処理と、プラズマド
ライエッチング処理とプラズマ・アッシング処理とを交
互におこなうことで、映像信号配線の両側に近接する共
通電極の厚みを２段階に形成し、映像信号配線に近接す
る側の方が厚くなるように加工することを特徴とする製
造方法。 - 【請求項８】請求項７において映像信号配線の両側に近
接する共通電極の厚みがあつくなっている部分の幅が、
映像信号配線の幅よりも同等かまたは大きいことを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項９】請求項７において、映像信号配線の両側に
近接する共通電極の厚みが２段階になっており、映像信
号配線側の厚みのあつい部分は、光を透過せず、厚みの
薄い部分は光を透過することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１０】請求項３または４において画素共通電極
と液晶駆動電極が液晶分子の配向方向に対して０°＜θ
≦３０°の範囲内で１画素内で１回以上屈曲しているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】請求項３または４において、画素共通電
極と液晶駆動電極が液晶分子の配向方向に対して６０°
≦θ＜９０°の範囲内で１画素内で１回以上屈曲してい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】請求項３または４において、画素共通電
極と液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方
向に対して０°＜θ≦３０°の範囲内で１画素内で１回
以上屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１３】請求項３または４において、画素共通電
極と液晶駆動電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方
向に対して６０°≦θ＜９０°の範囲内で１画素内で１
回以上屈曲していることを特徴とする液晶表示装置 - 【請求項１４】請求項１２または請求項１３において、
カラーフィルターの遮光膜（ＢＭ）とカラーフィルター
層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が映像信号配線の屈曲角と同じ角度で
１画素内で１回以上屈曲していることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項１５】フリンジ・フィールド・スイッチング
（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程において、２層
以上の異なる金属や透明導電体を用いて、走査線と共通
電極を形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホ
トマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現象後の膜厚
を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプラズマ
・ドライエッチング処理とプラズマアッシング処理とを
交互におこなうことで、表示画素領域の共通電極部分を
基板に接触している下層の透明導電体のパターンとして
残すことを特徴とする製造方法。 - 【請求項１６】フリンジ・フィールド・スイッチング
（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程において、２層
以上の異なる金属や透明導電体を用いて、映像信号配線
と液晶駆動電極を形成する時に、透過光量を多段階に変
調させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像
後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理と
プラズマ・ドライエッチング処理と、プラズマ・アッシ
ング処理とを交互におこなうことで、液晶駆動電極部を
基板に接触している下層の透明導電体のパターンとして
残すことを特徴とする製造方法。 - 【請求項１７】請求項１５，請求項１６のすくなくとも
どちらか１方の製造方法を用いてフリンジ・フィールド
・スイッチング（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の表示画素
領域の共通電極と液晶駆動電極の両方を光透過性導電性
電極で形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１８】フリンジ・フィールド・スイッチング
（ＦＦＳ）方式液晶表示装置の製造工程において２層以
上の異なる金属や透明導電体を用いて走査線と共通電極
を形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマ
スクを用いて、ポジ型ホトレジストの現象後の膜厚を多
段階に変調し、ウェットエッチング処理と、プラズマ・
ドライエッチング処理と、プラズマ・アッシング処理と
を交互におこなうことで、映像信号配線の両側に近接す
る共通電極の厚みを２段階に形成し、映像信号配線に近
接する側の方が厚くなるように加工することを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項１９】請求項１８において映像信号配線の両側
に近接する共通電極の厚みが、あつくなっている部分の
幅が、映像信号配線の幅よりも同等かまたは大きく、こ
の厚みのあつい部分は、光を透過せず、厚みの薄い部分
は、光を透過することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２０】請求項１７において、液晶駆動電極の幅
が液晶セルのセルギャップと同等か、それ以上であるこ
とを特徴とする液晶表示装置 - 【請求項２１】請求項１７において、１画素内の液晶駆
動電極が２つ以上の群に分割されており、それぞれの液
晶駆動電極は液晶分子の配向方向に対して０°＜θ≦３
０°の範囲内で交差しており、液晶駆動電極に信号が印
加された時液晶分子の回転運動方向が、それぞれの群ご
とに異なっていることを特徴とする液晶表示装置 - 【請求項２２】請求項１７において１画素内の液晶駆動
電極が、２つ以上の群に分割されており、それぞれの液
晶駆動電極は液晶分子の配向方向に対して６０°≦θ＜
９０°の範囲内で交差しており、液晶駆動電極に信号が
印加された時、液晶分子の回転運動方向が、それぞれの
群ごとに異なっていることを特徴とする液晶表示装置 - 【請求項２３】請求項２１または請求項２２において、
１画素内の液晶分子の回転運動方向が異なる群の領域が
ほぼ等しい面積であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２４】請求項１７において、共通電極と液晶駆
動電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方向に対して
０°＜θ≦３０°の範囲内で１画素内で１回以上屈曲し
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２５】請求項１７において共通電極と液晶駆動
電極と映像信号配線とが液晶分子の配向方向に対して６
０°≦θ＜９０°の範囲内で１画素内で１回以上屈曲し
ている、ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２６】請求項２４または請求項２５においてカ
ラーフィルターの遮光膜（ＢＭ）とカラーフィルター層
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が映像信号配線の屈曲角と同じ角度で１
画素内で１回以上屈曲していることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２７】横電界液晶表示装置の製造工程におい
て、カラーフィルター側基板たは、アクティブマトリッ
クス素子側基板にホトリソグラフィー技術を用いてセル
ギャップコントロール用スペーサーを形成する時に、透
過光量を多段階に変調させたホトマスクを用いて、ポジ
型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調すること
で、ホトスペーサーと垂直方向クロストーク防止用バン
プを同時に形成することを特徴とする製造方法 - 【請求項２８】請求項２７において、垂直ストローク防
止用バンプが、映像信号配線と、映像信号配線の両側に
配置された共通電極に、オーバーラップするように配置
されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２９】請求項２７における製造方法を用いて製
造されたホトスペーサーと垂直方向クロストーク防止用
バンプを有する横電界液晶表示装置用カラーフィルター
基板。 - 【請求項３０】垂直配向方式液晶表示装置の製造工程に
おいて、カラーフィルター側基板にホトリソグラフィー
技術を用いてセルギャップ・コントロール用スペーサー
を形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマ
スクを用いて、ポジ型ホトレジストの現象後の膜厚を多
段階に変調することで、ホト・スペーサーとマルチドメ
イン垂直配向用バンプを同時に形成することを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項３１】請求項３０における製造方法を用いて製
造されたホト・スペーサーとマルチドメイン形成用バン
プを有する垂直配向方式液晶表示装置用カラーフィルタ
ー基板。 - 【請求項３２】請求項３０に記載の製造方法を用いて製
造された垂直配向方式液晶表示装置 - 【請求項３３】垂直配向方式液晶表示装置において、ア
クティブマトリックス素子側基板に形成された、垂直配
向液晶分子の運動方向を決定する透明画素電極のスリッ
ト領域の下層に、スリットとオーバーラップするように
共通電極を配置した構造を特徴とする液晶表示装置 - 【請求項３４】請求項３３において、透明画素電極のス
リットの下層にスリットとオーバーラップして配置され
た共通電極の電位がアクティブマトリックス素子基板に
対向しているカラーフィルター基板の透明電極電位と
ほぼ等しいことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３５】請求項３３においてアクティブマトリッ
クス素子側基板に形成された垂直配向液晶分子の運動方
向を決定する透明画素電極のスリットが、ひし型状（ノ
コギリ歯状）または互いに向きあったくし歯状のスリッ
ト形状をしており、これらのスリットの中央部の下層に
共通電極が配置されていることを特徴とする液晶表示装
置 - 【請求項３６】垂直配向方式液晶表示装置用カラーフィ
ルターにおいて、垂直配向液晶分子の運動方向を決定す
る、カラーフィルター基板側に形成されたバンプの構造
が、ピラミッド形状（四角錐）または、円錐状または半
円形または半ラグビーボール形の形状を複数個連結した
構造になっていることを特徴とするカラーフィルター基
板。 - 【請求項３７】請求項３３または請求項３５において、
請求項３６に記載のカラーフィルター基板を用いたこと
を特徴とする垂直配向液晶表示装置 - 【請求項３８】半透過型液晶表示装置の製造工程におい
て、アクティブマトリックス素子側基板にホトリソグラ
フィー技術を用いて、光散乱反射用凹凸部を形成する時
に、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用い
て、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調
することで、光散乱反射用凹凸部と、光透過領域部を同
時に形成することを特徴とする製造方法。 - 【請求項３９】半透過型液晶表示装置の製造工程におい
て、２層以上の異なる金属や透明導電体を用いて、映像
信号配線と光透過領域の画素透過電極を形成する時に、
透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用いてポジ
型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェ
ット・エッチング処理とプラズマ・ドライエッチング処
理と、プラズマ・アッシング処理とを交互におこなうこ
とで、光透過領域の画素透明電極部を、基板に接触して
いる下層の透明導電体のパターンとして残すことを特徴
とする製造方法。 - 【請求項４０】請求項３８に記載の製造方法を用いて、
光散乱反射用凹凸部と光透過領域部を同時に形成したこ
とを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 【請求項４１】請求項３９に記載の製造方法を用いて、
映像信号配線と光透過領域の画素透明電極を１度のホト
リソ工程で形成したことを特徴とする半透過型液晶表示
装置 - 【請求項４２】請求項３８と請求項３９に記載製造方法
を用いて製造したことを特徴とする半透過型液晶表示装
置 - 【請求項４３】液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の製造
工程において、２層以上の異なる金属や導電体を用いて
映像信号配線の端子部や走査線の端子部を形成する時
に、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用いて
ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、
ウェット・エッチング処理とプラズマ・ドライ・エッチ
ング処理と、プラズマアッシング処理とを交互におこな
うことで、映像信号配線の端子部と走査線の端子部を基
板に接触している下層の金属または合金または金属窒化
物または金属酸化物のパターンとして残すことを特徴と
する端子部の製造方法。 - 【請求項４４】請求項４３に記載の製造方法を用いて、
映像信号配線の端子部と走査線の端子部を光透過性導電
性電極で形成したことを特徴とする液晶表示装置または
有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項４５】走査露光方式の露光装置を用いて液晶表
示装置や有機ＥＬ表示装置を製造する工程において、表
示画面を水平方向に２群以上に分割したホトマスクを用
いて、分割走査露光する時、２群以上に水平分割したホ
トマスクの接合領域が互いに重なり合い、水平方向にジ
グザグ接合しているか、または水平方向にランダムに分
布した接合となっており、それぞれ重なりあう接合の密
度分布関数が、重なり あらわされていることを特徴とする走査露光用分割ホト
マスク。 - 【請求項４６】請求項４５に記載の走査露光用分割ホト
マスクに関して、それぞれ水平方向に分割されたホトマ
スクの互いに重なりあった露光領域が、１画素サイズ
を、基本単位として、請求項４５に記載した接合密度分
布関数の関係で配置構成されていることを特徴とするホ
トマスク。 - 【請求項４７】請求項４５に記載の走査露光用分割ホト
マスクに関して、それぞれ水平方向に分割されたホトマ
スクの互いに重なりあった露光領域が、２画素サイズ
（Ｒ＆Ｇ，Ｇ＆Ｂ，Ｂ＆Ｒ）を基本単位として、請求項
４５に記載した接合密度分布関数の関係で配置構成され
ていることを特徴とするホトマスク。 - 【請求項４８】請求項４５に記載の走査露光分割ホトマ
スクに関して、それぞれ水平方向に分割されたホトマス
クの互いに重なりあった露光領域が、３画素サイズ（Ｒ
＆Ｇ＆Ｂ）を基本単位として、請求項４５に記載した接
合密度分布関数の関係で配置構成されていることを特徴
とするホトマスク。 - 【請求項４９】請求項４５から請求項４８に記載のいず
れかのホトマスクを用いて、薄膜トランジスタアレイ基
板の製造工程で、走査線と共通電極の形成工程薄膜半導
体層形成工程、映像信号配線形成工程、コンタクトホー
ル形成工程、画素電極形成工程のうちの複数工程にジグ
ザグ接合または、ランダム分布接合を適用したことを特
徴とする液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項５０】請求項４５から請求項４８に記載のいず
れかのホトマスクを用いて製造された液晶表示装置また
は、有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項５１】ボトムゲート型薄膜トランジスタ素子の
製造方法に関して、次の工程を大気中にさらすことな
く、連続して真空チェンバー内で処理することを特徴と
する製造方法。 ｉ）プラズマ界面クリーニング処理（Ｎ２プラズマまた
はＨ２プラズマ） ｉｉ）ノンドープアモルファスシリコン層２５０Å〜１
０００Åを形成する ｉｉｉ）脱水素処理（真空アニール） ｉｖ）Ｎ２または、Ｎ２とＨ２の混合ガス雰囲気（０．
５気圧〜２気圧）でのＣＷモード・Ｎｄ・ＹＡＧレーザ
ー第２高調波またはＣＷモードＮｄ・ＹＶＯ４レーザー
第２高調波によるレーザー結晶化処理 ｖ）ノンドープアモルファスシリコン層１０００Å〜２
０００ÅをプラズマＣＶＤ法で形成する。 ｖｉ）ｎ＋アモルファスシリコン層またはＰ＋アモルフ
ァスシリコン層２００Å〜５００Åを形成する。 - 【請求項５２】請求項５１のレーザー結晶化処理工程に
おいて、ＣＷモードのレーザー走査方向がアクティブ・
マトリックス基板の走査線の方向とほぼ平行であること
を特徴とする製造方法 - 【請求項５３】請求項５１の製造方法と透過光量変調ホ
トマスク・プロセスを用いて４回のホトリソ工程でポリ
シリコン薄膜トランジスタ・アレイ基板を形成すること
を特徴とする製造方法。 - 【請求項５４】請求項５１の製造方法と透過光量変調ホ
トマスク・プロセスと、シャドーマスク・プラズマＣＶ
Ｄ法を用いて、３回のホトリソ工程で、ポリシリコン薄
膜トランジスタ・アレイ基板を形成することを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項５５】請求項５１の製造方法と透過光量変調ホ
トマスク・プロセスと、シャドーマスク・プラズマＣＶ
Ｄ法を用いて、２回のホトリソ工程で、ポリシリコン薄
膜トランジスタ・アレイ基板を形成することを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項５６】請求項５３または請求項５４または請求
項５５に記載の製造方法を用いた液晶表示装置 - 【請求項５７】請求項５３に記載の製造方法を用いた有
機ＥＬ表示装置 - 【請求項５８】ＣＷモードのレーザーを用いてアモルフ
ァス半導体膜を結晶化処理する時、レーザービームの照
射形状が三角関数（サイン波またはコサイン波）の波形
または矩形波または台形波または三角波の形状をしてい
ることを特徴とするレーザー結晶化装置。 - 【請求項５９】請求項５８に記載のレーザービームの照
射形状がアクティブマトリックス基板の走査線のピッチ
と同じ周期の関数形状をしていることを特徴とするレー
ザー結晶化装置。 - 【請求項６０】請求項５９に記載のレーザービームを用
いて、アモルファス半導体膜を結晶化する工程におい
て、レーザーの走査方向がアクティブマトリックス基板
の走査線の方向とほぼ平行であることを特徴とする製造
方法。 - 【請求項６１】請求項５８に記載のレーザービームの照
射形状がアクティブマトリックス基板の映像信号配線の
ピッチと同じ周期の関数形状をしていることを特徴とす
るレーザー結晶化装置。 - 【請求項６２】請求項６１に記載のレーザービームを用
いて、アモルファス半導体膜を結晶化する工程におい
て、レーザーの走査方向が、アクティブマトリックス基
板の映像信号配線の方向とほぼ平行であることを特徴と
する製造方法。 - 【請求項６３】請求項６０または請求項６２に記載の製
造を用いて作くられた液晶表示装置または、有機ＥＬ表
示装置 - 【請求項６４】アクティブマトリックス素子を用いた有
機ＥＬ表示装置において有効表示画面の外周部で、共通
電極をかいして走査線と映像信号配線とが薄膜トランジ
スタ保護回路で電気的に連結されていることを特徴とす
る有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項６５】請求項１，請求項２，請求項７，請求項
１５，請求項１６，請求項１８，請求項２７，請求項３
０，請求項３８，請求項３９，請求項４３に記載の製造
方法で用いられる透過光量変調ホトマスク。 - 【請求項６６】アモルファス半導体膜をレーザー照射し
て結晶化させる方法において、レーザービームの幅と強
度の異なる２本の、ＣＷモード固体レーザーの第２高調
波を、基板の表面で、かさなりあわせ、ビームの幅が大
きく強度の弱いレーザーに対して、ビームの幅が狭まく
強度の強いレーザーの位置がビームの走査方向側にシフ
トしていることを特徴とするレーザー結晶化方法と、レ
ーザー結晶化装置。 - 【請求項６７】請求項６６において、２本のＣＷモード
固体レーザーの第２高調波のうち、ビームの幅が狭まく
強度の強いレーザーの幅が５ミクロンメートルから５０
ミクロンメートルの範囲にあり、ビームの幅が広く強度
の弱いレーザーの幅が５０ミクロンメートルから５００
ミクロンメートルの範囲にあることを特徴とするレーザ
ー結晶化装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001304224A JP3831868B2 (ja) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | アクティブマトリックス表示装置とその製造方法 |
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| JP2001304224A JP3831868B2 (ja) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | アクティブマトリックス表示装置とその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003057673A true JP2003057673A (ja) | 2003-02-26 |
| JP3831868B2 JP3831868B2 (ja) | 2006-10-11 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3831868B2 (ja) |
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005196162A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示素子 |
| WO2006041027A1 (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | 機能基板 |
| JP2007011340A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2007011343A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-18 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2007193324A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Nec Corp | 液晶表示装置及びそれを用いた端末装置 |
| JP2007304554A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007310334A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mikuni Denshi Kk | ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法 |
| CN100353243C (zh) * | 2004-05-10 | 2007-12-05 | 统宝光电股份有限公司 | 边界电场型液晶显示器的电极数组结构 |
| JP2007334275A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Mikuni Denshi Kk | 低コスト大画面広視野角高速応答液晶表示装置 |
| JP2008310367A (ja) * | 2003-06-30 | 2008-12-25 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| CN100464235C (zh) * | 2005-06-15 | 2009-02-25 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器件及其制造方法 |
| JP2009049388A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JP2009049399A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| WO2009035066A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Fujifilm Corporation | Thin resin film and production method thereof, and color filter for liquid crystal display and production method thereof |
| US7569793B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-08-04 | Lg Display Co., Ltd. | Sequential lateral solidification device and method of crystallizing silicon using the same |
| JP2009218604A (ja) * | 2003-10-13 | 2009-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板の製造方法 |
| JP2009245422A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-10-22 | Kobe Steel Ltd | タッチパネルセンサー |
| KR20090124941A (ko) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 소니 가부시끼 가이샤 | 표시장치 |
| JP2010108957A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2010181785A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2010207605A (ja) * | 2010-05-24 | 2010-09-24 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| KR20100113937A (ko) * | 2009-04-14 | 2010-10-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US7852445B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-12-14 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and terminal device that uses same |
| KR20110059509A (ko) * | 2009-11-27 | 2011-06-02 | 한양대학교 산학협력단 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20110065044A (ko) * | 2009-12-09 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR20110072310A (ko) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| CN102736321A (zh) * | 2011-04-01 | 2012-10-17 | Jsr株式会社 | 液晶显示元件、液晶取向剂和液晶取向膜的制造方法 |
| US8593605B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| WO2014092035A1 (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | シャープ株式会社 | 部品固定構造、回路基板、及び表示パネル |
| KR101443368B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2014-09-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2014157234A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 昭和電工株式会社 | 透明導電基板の製造方法及び透明導電基板 |
| JP2015073106A (ja) * | 2007-07-06 | 2015-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9576547B2 (en) | 2008-12-24 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel with alternating sub-pixel electrodes |
| KR101757918B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2017-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| TWI622321B (zh) * | 2008-03-05 | 2018-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JP2018141995A (ja) * | 2007-07-06 | 2018-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2018180241A (ja) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | Jnc株式会社 | 液晶表示素子 |
| JP2019204119A (ja) * | 2006-06-02 | 2019-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| CN110676294A (zh) * | 2013-10-24 | 2020-01-10 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN112736087A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板 |
| CN115657377A (zh) * | 2022-12-08 | 2023-01-31 | 惠科股份有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
| WO2023123857A1 (zh) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09269497A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Hosiden Corp | 液晶表示素子 |
| JPH11316382A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-11-16 | Sharp Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP2000259099A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP2001059976A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-06 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2001127307A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-05-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 単一のフォトリソグラフィ・ステップでドレインとソースを画定するための自動整合薄膜トランジスタを製造する方法 |
-
2001
- 2001-08-13 JP JP2001304224A patent/JP3831868B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09269497A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Hosiden Corp | 液晶表示素子 |
| JPH11316382A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-11-16 | Sharp Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP2000259099A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP2001059976A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-06 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2001127307A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-05-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 単一のフォトリソグラフィ・ステップでドレインとソースを画定するための自動整合薄膜トランジスタを製造する方法 |
Cited By (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008310367A (ja) * | 2003-06-30 | 2008-12-25 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| JP2009218604A (ja) * | 2003-10-13 | 2009-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板の製造方法 |
| US7569793B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-08-04 | Lg Display Co., Ltd. | Sequential lateral solidification device and method of crystallizing silicon using the same |
| JP2005196162A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示素子 |
| CN100353243C (zh) * | 2004-05-10 | 2007-12-05 | 统宝光电股份有限公司 | 边界电场型液晶显示器的电极数组结构 |
| WO2006041027A1 (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | 機能基板 |
| US7910271B2 (en) | 2004-10-13 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Functional substrate |
| US8294862B2 (en) | 2005-06-15 | 2012-10-23 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| CN100464235C (zh) * | 2005-06-15 | 2009-02-25 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器件及其制造方法 |
| JP2007011343A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-18 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2007011340A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2007193324A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Nec Corp | 液晶表示装置及びそれを用いた端末装置 |
| US7852445B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-12-14 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and terminal device that uses same |
| US7876390B2 (en) | 2006-05-12 | 2011-01-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display fabrication method |
| US8325317B2 (en) | 2006-05-12 | 2012-12-04 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display fabrication method |
| JP2007304554A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007310334A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mikuni Denshi Kk | ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法 |
| US7602456B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-10-13 | Mikuni Electoron Co. Ltd | Method of manufacturing LCD apparatus by using halftone exposure method |
| CN101075584B (zh) * | 2006-05-19 | 2012-12-26 | 三国电子有限会社 | 使用半色调曝光法的液晶显示装置的制造法 |
| JP2021009417A (ja) * | 2006-06-02 | 2021-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP7534571B1 (ja) | 2006-06-02 | 2024-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP7223735B2 (ja) | 2006-06-02 | 2023-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US11657770B2 (en) | 2006-06-02 | 2023-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| JP2019204119A (ja) * | 2006-06-02 | 2019-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US11600236B2 (en) | 2006-06-02 | 2023-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| JP2007334275A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Mikuni Denshi Kk | 低コスト大画面広視野角高速応答液晶表示装置 |
| KR101443368B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2014-09-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US11726378B2 (en) | 2007-07-06 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2015073106A (ja) * | 2007-07-06 | 2015-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US11194207B2 (en) | 2007-07-06 | 2021-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2018046300A (ja) * | 2007-07-06 | 2018-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US12066730B2 (en) | 2007-07-06 | 2024-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2018141995A (ja) * | 2007-07-06 | 2018-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US10338447B2 (en) | 2007-07-06 | 2019-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2019194700A (ja) * | 2007-07-06 | 2019-11-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US10712625B2 (en) | 2007-07-06 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2016192561A (ja) * | 2007-07-06 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10678107B2 (en) | 2007-07-06 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2009049388A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JP2009049399A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| KR101493300B1 (ko) | 2007-07-26 | 2015-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| JP2021073524A (ja) * | 2007-07-26 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2009035066A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Fujifilm Corporation | Thin resin film and production method thereof, and color filter for liquid crystal display and production method thereof |
| JP2009069224A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 樹脂製薄膜及びその製造方法、並びに液晶用カラーフィルタ及びその製造方法 |
| JP2009245422A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-10-22 | Kobe Steel Ltd | タッチパネルセンサー |
| TWI622321B (zh) * | 2008-03-05 | 2018-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| KR20090124941A (ko) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 소니 가부시끼 가이샤 | 표시장치 |
| KR101587864B1 (ko) * | 2008-05-30 | 2016-01-22 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시장치 |
| JP2010108957A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| US9576547B2 (en) | 2008-12-24 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel with alternating sub-pixel electrodes |
| JP2010181785A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101643267B1 (ko) | 2009-04-14 | 2016-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20100113937A (ko) * | 2009-04-14 | 2010-10-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101636515B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2016-07-05 | 한양대학교 산학협력단 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20110059509A (ko) * | 2009-11-27 | 2011-06-02 | 한양대학교 산학협력단 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101699486B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2017-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR20110065044A (ko) * | 2009-12-09 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR101709530B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2017-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR20110072310A (ko) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101757918B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2017-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP2010207605A (ja) * | 2010-05-24 | 2010-09-24 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US8854588B2 (en) | 2011-02-24 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US8593605B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| CN102736321A (zh) * | 2011-04-01 | 2012-10-17 | Jsr株式会社 | 液晶显示元件、液晶取向剂和液晶取向膜的制造方法 |
| CN102736321B (zh) * | 2011-04-01 | 2016-08-17 | Jsr株式会社 | 液晶显示元件、液晶取向剂和液晶取向膜的制造方法 |
| US20150319849A1 (en) * | 2012-12-12 | 2015-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Component fixing structure, circuit board, and display panel |
| WO2014092035A1 (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | シャープ株式会社 | 部品固定構造、回路基板、及び表示パネル |
| WO2014157234A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 昭和電工株式会社 | 透明導電基板の製造方法及び透明導電基板 |
| CN110676294B (zh) * | 2013-10-24 | 2023-05-26 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN110676294A (zh) * | 2013-10-24 | 2020-01-10 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| US11930652B2 (en) | 2013-10-24 | 2024-03-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus including sub light emitting layers |
| US11527733B2 (en) | 2013-10-24 | 2022-12-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| JP2018180241A (ja) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | Jnc株式会社 | 液晶表示素子 |
| CN112736087A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板 |
| CN112736087B (zh) * | 2019-10-10 | 2024-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板 |
| WO2023123857A1 (zh) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
| CN116685900A (zh) * | 2021-12-29 | 2023-09-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
| CN115657377A (zh) * | 2022-12-08 | 2023-01-31 | 惠科股份有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
| US12130522B2 (en) | 2022-12-08 | 2024-10-29 | HKC Corporation Limited | Liquid crystal display panel and display device having a gating module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3831868B2 (ja) | 2006-10-11 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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