JP2003017763A - 熱電モジュール用基板およびその製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モジュール - Google Patents
熱電モジュール用基板およびその製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モジュールInfo
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱電素子を容易に、かつ、正確に実装でき、
その固定強度を高くできる熱電モジュール用基板を提供
する。 【解決手段】 絶縁性基板１の表面に複数の導電性パタ
ーン２，１０を互いに間隔を介して配列形成し、それぞ
れの導電性パターン２，１０上には該導電性パターン
２，１０に実装される熱電素子５をガイドする位置決め
ガイド部９を形成する。位置決めガイド部９は実装され
る熱電素子５を配置する凹部とその周りの厚みが厚い部
分との段差部位とし、位置決めガイド部９に囲まれた凹
部に熱電素子５を実装することにより、熱電素子５を容
易に、かつ、正確に位置決めし、熱電素子５と導電性パ
ターン２，１０との接合面積を的確にする。
その固定強度を高くできる熱電モジュール用基板を提供
する。 【解決手段】 絶縁性基板１の表面に複数の導電性パタ
ーン２，１０を互いに間隔を介して配列形成し、それぞ
れの導電性パターン２，１０上には該導電性パターン
２，１０に実装される熱電素子５をガイドする位置決め
ガイド部９を形成する。位置決めガイド部９は実装され
る熱電素子５を配置する凹部とその周りの厚みが厚い部
分との段差部位とし、位置決めガイド部９に囲まれた凹
部に熱電素子５を実装することにより、熱電素子５を容
易に、かつ、正確に位置決めし、熱電素子５と導電性パ
ターン２，１０との接合面積を的確にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面に、電
流を通電することにより冷却・加熱を行うペルチェ素子
や、発電を生じせしめるゼーベック素子等の、複数の熱
電素子を実装するための熱電モジュール用基板およびそ
の製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モ
ジュールに関するものである。
流を通電することにより冷却・加熱を行うペルチェ素子
や、発電を生じせしめるゼーベック素子等の、複数の熱
電素子を実装するための熱電モジュール用基板およびそ
の製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モ
ジュールに関するものである。
【０００２】
【背景技術】熱電素子として一般的に知られているペル
チェ素子は、ビスマス・テルル等の金属間化合物にアン
チモン、セレン等の元素を添加することにより、ｐ、ｎ
型素子を形成し、このｐ、ｎ型素子を、注入電極を介在
させ交互に直列に並べ、該直列素子の両端に、電圧を印
加し、電流を流すことにより、素子と電極界面で冷却・
加熱効果を生ぜしめる素子である。
チェ素子は、ビスマス・テルル等の金属間化合物にアン
チモン、セレン等の元素を添加することにより、ｐ、ｎ
型素子を形成し、このｐ、ｎ型素子を、注入電極を介在
させ交互に直列に並べ、該直列素子の両端に、電圧を印
加し、電流を流すことにより、素子と電極界面で冷却・
加熱効果を生ぜしめる素子である。
【０００３】図６の（ａ）、（ｂ）には、ペルチェ素子
等の複数の熱電素子５を、互いに間隔を介して重ね合わ
せ配置された熱電モジュール用基板６，７の間に配設し
て形成される熱電モジュールの例が示されている。同図
の（ａ）は熱電モジュールを分解状態で示す説明図であ
り、同図の（ｂ）は熱電モジュールの断面図である。こ
れらの図に示すように、熱電モジュール用基板６，７
は、厚さ０．３〜１ｍｍ程度のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）
等のセラミック薄板等からなる絶縁性基板１の表面側
に、複数の銅等の導電性パターン（電極）２，１０を形
成して成る。
等の複数の熱電素子５を、互いに間隔を介して重ね合わ
せ配置された熱電モジュール用基板６，７の間に配設し
て形成される熱電モジュールの例が示されている。同図
の（ａ）は熱電モジュールを分解状態で示す説明図であ
り、同図の（ｂ）は熱電モジュールの断面図である。こ
れらの図に示すように、熱電モジュール用基板６，７
は、厚さ０．３〜１ｍｍ程度のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）
等のセラミック薄板等からなる絶縁性基板１の表面側
に、複数の銅等の導電性パターン（電極）２，１０を形
成して成る。
【０００４】熱電素子５は直径０．６〜３ｍｍ程度、長
さ０．５〜３ｍｍ程度のｐ型、ｎ型のビスマス・テルル
等からなり、熱電モジュール用基板６，７の基板面に沿
ってｐ型の熱電素子５とｎ型の熱電素子５とが隣り合わ
せに交互に配置されている。各熱電素子５の端部が上下
の各熱電モジュール用基板６，７側の導電性パターン
２，１０に接続されてｐ型の熱電素子５とｎ型の熱電素
子５とが交互に直列接続されている。
さ０．５〜３ｍｍ程度のｐ型、ｎ型のビスマス・テルル
等からなり、熱電モジュール用基板６，７の基板面に沿
ってｐ型の熱電素子５とｎ型の熱電素子５とが隣り合わ
せに交互に配置されている。各熱電素子５の端部が上下
の各熱電モジュール用基板６，７側の導電性パターン
２，１０に接続されてｐ型の熱電素子５とｎ型の熱電素
子５とが交互に直列接続されている。
【０００５】なお、熱電素子５と、導電性パターン２，
１０とは、図示しない半田、接着剤等により固定されて
いる。導電性パターン１０はリード端子電極として機能
し、この導電性パターン１０にはリード端子８が接続さ
れている。
１０とは、図示しない半田、接着剤等により固定されて
いる。導電性パターン１０はリード端子電極として機能
し、この導電性パターン１０にはリード端子８が接続さ
れている。
【０００６】上記熱電モジュールを作製するときには、
例えば、まず、銅箔等の薄膜状の導電性パターン２，１
０を絶縁性基板１の表面に形成し、更に半田をメッキ等
により形成し、設定寸法に切断されたｐ及びｎ型熱電素
子５を交互に熱電モジュール用基板６の導電性パターン
２，１０に載せる。
例えば、まず、銅箔等の薄膜状の導電性パターン２，１
０を絶縁性基板１の表面に形成し、更に半田をメッキ等
により形成し、設定寸法に切断されたｐ及びｎ型熱電素
子５を交互に熱電モジュール用基板６の導電性パターン
２，１０に載せる。
【０００７】そして、熱電素子５を配置した熱電モジュ
ール用基板６をトンネル炉まで搬送し、トンネル炉内で
熱電素子５と熱電モジュール用基板６の導電性パターン
２，１０間を固定する。固定後、上側に熱電モジュール
用基板７を載せ、同様の方法で熱処理し、半田等で固定
することで熱電モジュールを作製する。なお、半田の代
わりに接着剤を用いて熱電素子５を導電性パターン２，
１０上に固定することも行なわれている。
ール用基板６をトンネル炉まで搬送し、トンネル炉内で
熱電素子５と熱電モジュール用基板６の導電性パターン
２，１０間を固定する。固定後、上側に熱電モジュール
用基板７を載せ、同様の方法で熱処理し、半田等で固定
することで熱電モジュールを作製する。なお、半田の代
わりに接着剤を用いて熱電素子５を導電性パターン２，
１０上に固定することも行なわれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
熱電モジュール用基板６，７は、銅箔等の平滑な導電性
パターン２，１０を形成したものであるため、熱電素子
５の位置決めが難しく、熱電素子５を正確に設定位置に
固定するためには、大がかりな位置決め装置が必要であ
るといった問題があった。
熱電モジュール用基板６，７は、銅箔等の平滑な導電性
パターン２，１０を形成したものであるため、熱電素子
５の位置決めが難しく、熱電素子５を正確に設定位置に
固定するためには、大がかりな位置決め装置が必要であ
るといった問題があった。
【０００９】また、従来の熱電モジュール用基板６，７
においては、導電性パターン２，１０の表面が平滑なた
め、熱電素子５を配置してからトンネル炉まで運ぶ間等
に熱電素子５が導電性パターン２，１０と位置ずれする
ことがあり、そうなると、熱電素子５の導電性パターン
２，１０との接合面積が小さくなって、熱電素子５の固
定強度が不十分になるといった問題もあった。
においては、導電性パターン２，１０の表面が平滑なた
め、熱電素子５を配置してからトンネル炉まで運ぶ間等
に熱電素子５が導電性パターン２，１０と位置ずれする
ことがあり、そうなると、熱電素子５の導電性パターン
２，１０との接合面積が小さくなって、熱電素子５の固
定強度が不十分になるといった問題もあった。
【００１０】本発明は、上記従来の課題を解決するため
に成されたものであり、基板に形成した導電性パターン
上に実装される熱電素子の位置決めを、容易に、かつ、
正確に行なうことができ、実装される熱電素子の固定強
度を十分な強度にできる熱電モジュール用基板およびそ
の製造方法ならびに熱電モジュール用基板を用いた熱電
モジュールを提供することを目的とする。
に成されたものであり、基板に形成した導電性パターン
上に実装される熱電素子の位置決めを、容易に、かつ、
正確に行なうことができ、実装される熱電素子の固定強
度を十分な強度にできる熱電モジュール用基板およびそ
の製造方法ならびに熱電モジュール用基板を用いた熱電
モジュールを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のような構成をもって、課題を解決する
手段としている。すなわち、第１の発明の熱電モジュー
ル用基板は、基板表面に複数の導電性パターンが互いに
間隔を介して配列形成されており、それぞれの導電性パ
ターン上には該導電性パターンに実装される熱電素子を
ガイドする位置決めガイド部が形成されている構成をも
って課題を解決する手段としている。
するために、次のような構成をもって、課題を解決する
手段としている。すなわち、第１の発明の熱電モジュー
ル用基板は、基板表面に複数の導電性パターンが互いに
間隔を介して配列形成されており、それぞれの導電性パ
ターン上には該導電性パターンに実装される熱電素子を
ガイドする位置決めガイド部が形成されている構成をも
って課題を解決する手段としている。
【００１２】また、第２の発明の熱電モジュール用基板
の製造方法は、上記第１の発明の熱電モジュール用基板
の製造方法であって、基板表面に導電性パターン形成用
の金属膜を形成し、該金属膜表面の複数の熱電素子実装
部位にレジストを形成して該レジスト形成領域を除く前
記金属膜表面にメッキを施すことにより、前記レジスト
形成領域における前記金属膜の厚みよりも前記レジスト
形成領域の周りの金属膜の厚みを厚くしてその金属膜の
厚みの段差部位を位置決めガイド部として形成し、然る
後に、導電性パターンの形成領域を除く部分をエッチン
グ除去することにより前記それぞれのレジスト形成領域
の部位に位置決めガイド部を有する導電性パターンを複
数互いに間隔を介して配列形成する構成をもって課題を
解決する手段としている。
の製造方法は、上記第１の発明の熱電モジュール用基板
の製造方法であって、基板表面に導電性パターン形成用
の金属膜を形成し、該金属膜表面の複数の熱電素子実装
部位にレジストを形成して該レジスト形成領域を除く前
記金属膜表面にメッキを施すことにより、前記レジスト
形成領域における前記金属膜の厚みよりも前記レジスト
形成領域の周りの金属膜の厚みを厚くしてその金属膜の
厚みの段差部位を位置決めガイド部として形成し、然る
後に、導電性パターンの形成領域を除く部分をエッチン
グ除去することにより前記それぞれのレジスト形成領域
の部位に位置決めガイド部を有する導電性パターンを複
数互いに間隔を介して配列形成する構成をもって課題を
解決する手段としている。
【００１３】さらに、第３の発明の熱電モジュールは、
複数の導電性パターンを形成した熱電モジュール用基板
が間隔を介して重ね合わせ配置され、これらの熱電モジ
ュール用基板の間には基板面に沿ってｐ型の熱電素子と
ｎ型の熱電素子とが隣り合わせに交互に配置されてお
り、これらの各熱電素子の端部が上下の各熱電モジュー
ル用基板側の導電性パターンに接続されてｐ型の熱電素
子とｎ型の熱電素子とが交互に直列接続されている熱電
モジュールの前記上下の熱電モジュール用基板の少なく
とも一方側を第１の発明の熱電モジュール用基板により
形成した構成をもって課題を解決する手段としている。
複数の導電性パターンを形成した熱電モジュール用基板
が間隔を介して重ね合わせ配置され、これらの熱電モジ
ュール用基板の間には基板面に沿ってｐ型の熱電素子と
ｎ型の熱電素子とが隣り合わせに交互に配置されてお
り、これらの各熱電素子の端部が上下の各熱電モジュー
ル用基板側の導電性パターンに接続されてｐ型の熱電素
子とｎ型の熱電素子とが交互に直列接続されている熱電
モジュールの前記上下の熱電モジュール用基板の少なく
とも一方側を第１の発明の熱電モジュール用基板により
形成した構成をもって課題を解決する手段としている。
【００１４】上記構成の本発明の熱電モジュール用基板
において、基板表面に間隔を介して配列形成されたそれ
ぞれの導電性パターン上には該導電性パターンに実装さ
れる熱電素子をガイドする位置決めガイド部が形成され
ているので、大掛かりな装置等を用いなくても、導電性
パターンに実装される熱電素子の位置決めを容易に、か
つ、正確に行なうことができる。
において、基板表面に間隔を介して配列形成されたそれ
ぞれの導電性パターン上には該導電性パターンに実装さ
れる熱電素子をガイドする位置決めガイド部が形成され
ているので、大掛かりな装置等を用いなくても、導電性
パターンに実装される熱電素子の位置決めを容易に、か
つ、正確に行なうことができる。
【００１５】また、本発明の熱電モジュール用基板は、
その製造方法を用いて形成できるものであり、例えば、
複数の熱電素子実装部位にレジスト形成領域を形成し、
その周りの金属膜の厚みを厚くして金属膜の厚みの段差
部位を位置決めガイド部として形成できるので、熱電素
子実装部位に熱電素子を配置することにより、熱電モジ
ュール用基板を搬送する際等に熱電素子が位置ずれする
ことを抑制できるため、熱電素子と導電性パターンとの
接合面積が小さくなることを抑制でき、熱電素子を十分
に高い強度で固定できる。
その製造方法を用いて形成できるものであり、例えば、
複数の熱電素子実装部位にレジスト形成領域を形成し、
その周りの金属膜の厚みを厚くして金属膜の厚みの段差
部位を位置決めガイド部として形成できるので、熱電素
子実装部位に熱電素子を配置することにより、熱電モジ
ュール用基板を搬送する際等に熱電素子が位置ずれする
ことを抑制できるため、熱電素子と導電性パターンとの
接合面積が小さくなることを抑制でき、熱電素子を十分
に高い強度で固定できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例を図面
に基づき説明する。なお、以下の説明において、従来例
と共通の構成部分には共通の符号を付して、重複説明は
省略又は簡略化する。図１には、本発明に係る熱電モジ
ュール用基板の一実施形態例がこの基板に実装される熱
電素子５と共に示されている。
に基づき説明する。なお、以下の説明において、従来例
と共通の構成部分には共通の符号を付して、重複説明は
省略又は簡略化する。図１には、本発明に係る熱電モジ
ュール用基板の一実施形態例がこの基板に実装される熱
電素子５と共に示されている。
【００１７】同図に示すように、熱電モジュール用基板
6は、絶縁性基板１の表面に複数の導電性パターン２，
１０を互いに間隔を介して配列形成し、それぞれの導電
性パターン２，１０上に、該導電性パターン２，１０に
実装される熱電素子５をガイドする位置決めガイド部９
を形成していることを特徴とする。
6は、絶縁性基板１の表面に複数の導電性パターン２，
１０を互いに間隔を介して配列形成し、それぞれの導電
性パターン２，１０上に、該導電性パターン２，１０に
実装される熱電素子５をガイドする位置決めガイド部９
を形成していることを特徴とする。
【００１８】本実施形態例においても、絶縁性基板１、
熱電素子５の構成は従来例と同様であり、導電性パター
ン２，１０も銅箔により形成されているが、本実施形態
例では、この銅箔に凹凸を形成し、その凹部を熱電素子
５の実装部とし、凹部と凸部の段差部位を熱電素子５の
位置決めガイド部９としている。
熱電素子５の構成は従来例と同様であり、導電性パター
ン２，１０も銅箔により形成されているが、本実施形態
例では、この銅箔に凹凸を形成し、その凹部を熱電素子
５の実装部とし、凹部と凸部の段差部位を熱電素子５の
位置決めガイド部９としている。
【００１９】以下、本実施形態例の熱電モジュール用基
板６の製造方法について説明する。まず、図２の（ａ）
に示す基板としての絶縁性基板１の表面に、同図の
（ｂ）に示すように、導電性パターン２，１０形成用の
金属膜２ａを蒸着等により形成し、同図の（ｃ）に示す
ように、金属膜２ａの表面の複数の熱電素子実装部位
に、熱電素子５の形状に対応させてメッキ用のレジスト
３を印刷等により形成する。本実施形態例では、熱電素
子５を円柱形状としており、レジスト３を真円形状とし
ている。
板６の製造方法について説明する。まず、図２の（ａ）
に示す基板としての絶縁性基板１の表面に、同図の
（ｂ）に示すように、導電性パターン２，１０形成用の
金属膜２ａを蒸着等により形成し、同図の（ｃ）に示す
ように、金属膜２ａの表面の複数の熱電素子実装部位
に、熱電素子５の形状に対応させてメッキ用のレジスト
３を印刷等により形成する。本実施形態例では、熱電素
子５を円柱形状としており、レジスト３を真円形状とし
ている。
【００２０】次に、図３の（ａ）に示すように、メッキ
用レジスト３の形成領域を除く前記金属膜２ａの表面に
メッキを施すことにより、前記レジスト３の形成領域に
おける前記金属膜２ａの厚みよりも前記レジスト３の形
成領域の周りの金属膜２ｂの厚みを厚くしてその金属膜
２ａ，２ｂの厚みの段差部位を位置決めガイド部９とし
て形成する。
用レジスト３の形成領域を除く前記金属膜２ａの表面に
メッキを施すことにより、前記レジスト３の形成領域に
おける前記金属膜２ａの厚みよりも前記レジスト３の形
成領域の周りの金属膜２ｂの厚みを厚くしてその金属膜
２ａ，２ｂの厚みの段差部位を位置決めガイド部９とし
て形成する。
【００２１】然る後に、導電性パターン２，１０の形成
領域に、エッチング用のフォトレジスト４を印刷等によ
り形成し、このフォトレジスト４の形成部位（導電性パ
ターン２，１０の形成領域）を除く部分をエッチング除
去することにより、それぞれの前記メッキ用レジスト３
の形成領域の部位に位置決めガイド部９を有する導電性
パターン２，１０を複数互いに間隔を介して配列形成す
る。
領域に、エッチング用のフォトレジスト４を印刷等によ
り形成し、このフォトレジスト４の形成部位（導電性パ
ターン２，１０の形成領域）を除く部分をエッチング除
去することにより、それぞれの前記メッキ用レジスト３
の形成領域の部位に位置決めガイド部９を有する導電性
パターン２，１０を複数互いに間隔を介して配列形成す
る。
【００２２】その後、レジスト３，フォトレジスト４を
アルカリ溶液により溶かして除去する。なお、レジスト
３は、フォトレジスト４の形成前に除去してもよい。
アルカリ溶液により溶かして除去する。なお、レジスト
３は、フォトレジスト４の形成前に除去してもよい。
【００２３】本実施形態例は以上のようにして製造され
ており、図１に示すように、導電性パターン２，１０の
位置決めガイド部９をガイドとして位置決めガイド部９
に囲まれた凹部（熱電素子５の実装部）に熱電素子５を
実装し、半田等により固定することにより、非常に容易
に、かつ、正確に、複数の熱電素子５を対応する導電性
パターン２，１０上に実装することができる。
ており、図１に示すように、導電性パターン２，１０の
位置決めガイド部９をガイドとして位置決めガイド部９
に囲まれた凹部（熱電素子５の実装部）に熱電素子５を
実装し、半田等により固定することにより、非常に容易
に、かつ、正確に、複数の熱電素子５を対応する導電性
パターン２，１０上に実装することができる。
【００２４】また、本実施形態例の熱電モジュール用基
板６は、それぞれの導電性パターン２，１０上に段差を
形成してその段差部位を位置決めガイド部９としている
ので、熱電モジュール用基板６を搬送する際等に熱電素
子５が位置ずれすることを抑制でき、熱電素子５と導電
性パターン２，１０との接合面積が小さくなることを抑
制できるため、熱電素子５を十分に高い強度で固定でき
る。
板６は、それぞれの導電性パターン２，１０上に段差を
形成してその段差部位を位置決めガイド部９としている
ので、熱電モジュール用基板６を搬送する際等に熱電素
子５が位置ずれすることを抑制でき、熱電素子５と導電
性パターン２，１０との接合面積が小さくなることを抑
制できるため、熱電素子５を十分に高い強度で固定でき
る。
【００２５】図４には、本実施形態例の熱電モジュール
用基板６を用いた熱電モジュールの製造方法が示されて
いる。上記のようにして、本実施形態例の熱電モジュー
ル用基板６の導電性パターン２，１０に対応する熱電素
子５を実装し、さらに、導電性パターン１０にはリード
端子８を接続し、複数の熱電素子５の上側に熱電モジュ
ール用基板７を配置する。なお、熱電モジュール用基板
７も本実施形態例の熱電モジュール用基板６と同様に構
成すると、熱電モジュール用基板７と熱電素子５との位
置決めも容易に、かつ、正確に行なうことができる。
用基板６を用いた熱電モジュールの製造方法が示されて
いる。上記のようにして、本実施形態例の熱電モジュー
ル用基板６の導電性パターン２，１０に対応する熱電素
子５を実装し、さらに、導電性パターン１０にはリード
端子８を接続し、複数の熱電素子５の上側に熱電モジュ
ール用基板７を配置する。なお、熱電モジュール用基板
７も本実施形態例の熱電モジュール用基板６と同様に構
成すると、熱電モジュール用基板７と熱電素子５との位
置決めも容易に、かつ、正確に行なうことができる。
【００２６】そして、熱処理により、熱電素子５と導電
性パターン２，１０を半田等で固定することで本発明の
熱電モジュールが作製される。図５の（ａ）には、この
ようにして作製された熱電モジュールの斜視図が示され
ており、同図の（ｂ）にはその断面図が示されている。
性パターン２，１０を半田等で固定することで本発明の
熱電モジュールが作製される。図５の（ａ）には、この
ようにして作製された熱電モジュールの斜視図が示され
ており、同図の（ｂ）にはその断面図が示されている。
【００２７】同図に示す熱電モジュールは、熱電素子５
を熱電モジュール用基板６に実装することにより、その
基板面に沿ってｐ型の熱電素子５とｎ型の熱電素子５と
を隣り合わせに交互に配置し、これらの各熱電素子５の
端部を上下の各熱電モジュール用基板６，７側の導電性
パターン２，１０に接続し、ｐ型の熱電素子５とｎ型の
熱電素子５とを交互に直列接続したものである。
を熱電モジュール用基板６に実装することにより、その
基板面に沿ってｐ型の熱電素子５とｎ型の熱電素子５と
を隣り合わせに交互に配置し、これらの各熱電素子５の
端部を上下の各熱電モジュール用基板６，７側の導電性
パターン２，１０に接続し、ｐ型の熱電素子５とｎ型の
熱電素子５とを交互に直列接続したものである。
【００２８】本実施形態例の熱電モジュール用基板６お
よび同様に構成した熱電モジュール用基板７を適用して
上記のような熱電モジュールを形成すると、熱電素子５
の実装を容易に、かつ、正確にできるので、熱電モジュ
ールの歩留まりを向上させ、コストを低減できるし、熱
電素子５の固定強度を十分に高くできるので、熱電モジ
ュールの長期信頼性も良好にできる。
よび同様に構成した熱電モジュール用基板７を適用して
上記のような熱電モジュールを形成すると、熱電素子５
の実装を容易に、かつ、正確にできるので、熱電モジュ
ールの歩留まりを向上させ、コストを低減できるし、熱
電素子５の固定強度を十分に高くできるので、熱電モジ
ュールの長期信頼性も良好にできる。
【００２９】なお、本発明は上記実施形態例に限定され
ることなく様々な実施の形態を採り得る。例えば、上記
実施形態例において、熱電素子５は円柱形状に形成し、
それに合わせて位置決めガイド部９は断面真円形状の凹
部を囲む形状に形成したが、熱電素子５は例えば角柱形
状に形成してもよく、その場合、熱電素子５の形状に対
応させて、角形の凹部を囲む形状に位置決めガイド部９
を形成するとよい。このように、位置決めガイド部９の
形状は適宜設定されるものである。
ることなく様々な実施の形態を採り得る。例えば、上記
実施形態例において、熱電素子５は円柱形状に形成し、
それに合わせて位置決めガイド部９は断面真円形状の凹
部を囲む形状に形成したが、熱電素子５は例えば角柱形
状に形成してもよく、その場合、熱電素子５の形状に対
応させて、角形の凹部を囲む形状に位置決めガイド部９
を形成するとよい。このように、位置決めガイド部９の
形状は適宜設定されるものである。
【００３０】また、上記実施形態例では、導電性パター
ン２，１０を銅箔により形成したが、導電性パターン
２，１０は銅箔以外の様々な金属箔（金属膜）等により
形成することができる。
ン２，１０を銅箔により形成したが、導電性パターン
２，１０は銅箔以外の様々な金属箔（金属膜）等により
形成することができる。
【００３１】さらに、上記実施形態例では、熱電モジュ
ール用基板６，７の導電性パターン２，１０に熱電素子
５を固定する際、半田により固定したが、接着剤によっ
て熱電素子５を熱電モジュール用基板６，７の導電性パ
ターン２，１０に固定してもよい。
ール用基板６，７の導電性パターン２，１０に熱電素子
５を固定する際、半田により固定したが、接着剤によっ
て熱電素子５を熱電モジュール用基板６，７の導電性パ
ターン２，１０に固定してもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明の熱電モジュール用基板によれ
ば、基板表面に間隔を介して配列形成されたそれぞれの
導電性パターン上には該導電性パターンに実装される熱
電素子をガイドする位置決めガイド部が形成されている
ので、大掛かりな装置等を用いなくても、導電性パター
ンに実装される熱電素子の位置決めを容易に、かつ、正
確に行なうことができる。
ば、基板表面に間隔を介して配列形成されたそれぞれの
導電性パターン上には該導電性パターンに実装される熱
電素子をガイドする位置決めガイド部が形成されている
ので、大掛かりな装置等を用いなくても、導電性パター
ンに実装される熱電素子の位置決めを容易に、かつ、正
確に行なうことができる。
【００３３】また、本発明の熱電モジュール用基板は、
その製造方法を用いて形成できるものであり、例えば、
複数の熱電素子実装部位にレジスト形成領域を形成し、
その周りの金属膜の厚みを厚くして金属膜の厚みの段差
部位を位置決めガイド部として形成できるので、熱電素
子実装部位に熱電素子を配置することにより、熱電モジ
ュール用基板を搬送する際等に実装熱電素子が位置ずれ
することも抑制できるため、熱電素子と導電性パターン
との接合面積が小さくなることを抑制でき、熱電素子を
十分に高い強度で固定できる。
その製造方法を用いて形成できるものであり、例えば、
複数の熱電素子実装部位にレジスト形成領域を形成し、
その周りの金属膜の厚みを厚くして金属膜の厚みの段差
部位を位置決めガイド部として形成できるので、熱電素
子実装部位に熱電素子を配置することにより、熱電モジ
ュール用基板を搬送する際等に実装熱電素子が位置ずれ
することも抑制できるため、熱電素子と導電性パターン
との接合面積が小さくなることを抑制でき、熱電素子を
十分に高い強度で固定できる。
【００３４】さらに、本発明の熱電モジュール用基板の
製造方法によれば、非常に容易に、かつ、効率的に上記
優れた効果を奏する熱電モジュール用基板を製造するこ
とができる。
製造方法によれば、非常に容易に、かつ、効率的に上記
優れた効果を奏する熱電モジュール用基板を製造するこ
とができる。
【００３５】さらに、本発明の熱電モジュールによれ
ば、上記優れた効果を奏する本発明の熱電モジュール用
基板を用いて熱電モジュールを構成することにより、製
造が容易で歩留まりが高く、さらに、長期信頼性が高
い、通信用レーザダイオード等の温度制御用として適し
た優れた熱電モジュールを実現することができる。
ば、上記優れた効果を奏する本発明の熱電モジュール用
基板を用いて熱電モジュールを構成することにより、製
造が容易で歩留まりが高く、さらに、長期信頼性が高
い、通信用レーザダイオード等の温度制御用として適し
た優れた熱電モジュールを実現することができる。
【図１】本発明に係る熱電モジュール用基板の一実施形
態例の構成を示す説明図である。
態例の構成を示す説明図である。
【図２】上記実施形態例の熱電モジュール用基板の製造
工程を示す説明図である。
工程を示す説明図である。
【図３】上記実施形態例の熱電モジュール用基板の製造
工程を図２に続いて示す説明図である。
工程を図２に続いて示す説明図である。
【図４】上記実施形態例の熱電モジュール用基板を用い
た熱電モジュールの製造方法を示す説明図である。
た熱電モジュールの製造方法を示す説明図である。
【図５】上記実施形態例の熱電モジュール用基板を用い
て形成される熱電モジュールの例を示す説明図である。
て形成される熱電モジュールの例を示す説明図である。
【図６】従来の熱電モジュールの説明図である。
【符号の説明】
１ 絶縁性基板
２，１０ 導電性パターン
５ 熱電素子
６，７ 熱電モジュール用基板
９ 位置決めガイド部
Claims (3)
- 【請求項１】 基板表面に複数の導電性パターンが互い
に間隔を介して配列形成されており、それぞれの導電性
パターン上には該導電性パターンに実装される熱電素子
をガイドする位置決めガイド部が形成されていることを
特徴とする熱電モジュール用基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の熱電モジュール用基板の
製造方法であって、基板表面に導電性パターン形成用の
金属膜を形成し、該金属膜表面の複数の熱電素子実装部
位にレジストを形成して該レジスト形成領域を除く前記
金属膜表面にメッキを施すことにより、前記レジスト形
成領域における前記金属膜の厚みよりも前記レジスト形
成領域の周りの金属膜の厚みを厚くしてその金属膜の厚
みの段差部位を位置決めガイド部として形成し、然る後
に、導電性パターンの形成領域を除く部分をエッチング
除去することにより前記それぞれのレジスト形成領域の
部位に位置決めガイド部を有する導電性パターンを複数
互いに間隔を介して配列形成することを特徴とする熱電
モジュール用基板の製造方法。 - 【請求項３】 複数の導電性パターンを形成した熱電モ
ジュール用基板が間隔を介して重ね合わせ配置され、こ
れらの熱電モジュール用基板の間には基板面に沿ってｐ
型の熱電素子とｎ型の熱電素子とが隣り合わせに交互に
配置されており、これらの各熱電素子の端部が上下の各
熱電モジュール用基板側の導電性パターンに接続されて
ｐ型の熱電素子とｎ型の熱電素子とが交互に直列接続さ
れている熱電モジュールの前記上下の熱電モジュール用
基板の少なくとも一方側を請求項１記載の熱電モジュー
ル用基板により形成したことを特徴とする熱電モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001200726A JP2003017763A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 熱電モジュール用基板およびその製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001200726A JP2003017763A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 熱電モジュール用基板およびその製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017763A true JP2003017763A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19037801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001200726A Pending JP2003017763A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 熱電モジュール用基板およびその製造方法並びに熱電モジュール用基板を用いた熱電モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003017763A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278352A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-12 | Seiko Instruments Inc | 熱電素子及び熱電素子の製造方法 |
| JP2009117645A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Showa Denko Kk | 熱電素子用電極および熱電モジュール |
| JP2012099836A (ja) * | 2004-12-27 | 2012-05-24 | Intel Corp | 内蔵熱電冷却機を備えるマイクロエレクトロニクス・アセンブリおよびその製造方法 |
| WO2013105355A1 (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-18 | パナソニック株式会社 | 静電霧化装置 |
| JP2018137374A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換モジュール、及び、熱電変換モジュールの製造方法 |
| US10141594B2 (en) | 2011-10-07 | 2018-11-27 | Vrb Energy Inc. | Systems and methods for assembling redox flow battery reactor cells |
| US10651492B2 (en) | 2010-06-22 | 2020-05-12 | Vrb Energy Inc. | Integrated system for electrochemical energy storage system |
-
2001
- 2001-07-02 JP JP2001200726A patent/JP2003017763A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099836A (ja) * | 2004-12-27 | 2012-05-24 | Intel Corp | 内蔵熱電冷却機を備えるマイクロエレクトロニクス・アセンブリおよびその製造方法 |
| JP2006278352A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-12 | Seiko Instruments Inc | 熱電素子及び熱電素子の製造方法 |
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| US10651492B2 (en) | 2010-06-22 | 2020-05-12 | Vrb Energy Inc. | Integrated system for electrochemical energy storage system |
| US10141594B2 (en) | 2011-10-07 | 2018-11-27 | Vrb Energy Inc. | Systems and methods for assembling redox flow battery reactor cells |
| WO2013105355A1 (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-18 | パナソニック株式会社 | 静電霧化装置 |
| JP2018137374A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換モジュール、及び、熱電変換モジュールの製造方法 |
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