JP2003005384A - フォトレジスト剥離剤組成物 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物Info
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- JP2003005384A JP2003005384A JP2001190128A JP2001190128A JP2003005384A JP 2003005384 A JP2003005384 A JP 2003005384A JP 2001190128 A JP2001190128 A JP 2001190128A JP 2001190128 A JP2001190128 A JP 2001190128A JP 2003005384 A JP2003005384 A JP 2003005384A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＬＣＤの製造工程において、透明導電膜のドラ
イエッチング時に発生するフォトレジスト残渣に対し、
その除去性に優れ、かつ有機溶媒を含有しない安全で簡
便な剥離剤組成物を提供すること。 【解決手段】脂肪族ポリカルボン酸を含む水溶液、脂肪
族ポリカルボン酸及びアニオン性界面活性剤を含有する
水溶液、並びに、脂肪族ポリカルボン酸、アニオン性界
面活性剤およびリン酸系キレ−ト剤を含有する水溶液か
らなる剥離剤。
イエッチング時に発生するフォトレジスト残渣に対し、
その除去性に優れ、かつ有機溶媒を含有しない安全で簡
便な剥離剤組成物を提供すること。 【解決手段】脂肪族ポリカルボン酸を含む水溶液、脂肪
族ポリカルボン酸及びアニオン性界面活性剤を含有する
水溶液、並びに、脂肪族ポリカルボン酸、アニオン性界
面活性剤およびリン酸系キレ−ト剤を含有する水溶液か
らなる剥離剤。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（LCD）の製造で使用される透明導電膜のドライエッチ
ング時に発生するフォトレジスト残渣物を除去するため
のフォトレジスト剥離剤組成物に関するものである。
（LCD）の製造で使用される透明導電膜のドライエッチ
ング時に発生するフォトレジスト残渣物を除去するため
のフォトレジスト剥離剤組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイ（LCD）は、CRT
では実現できない薄型、軽量、低消費電力を武器にノ−
トPC、モニタ−、携帯情報端末の分野で躍進を続けてい
る。このような中、LCDの市場として、CRTでは技術的に
実現が難しいとされる高精細ディスプレイが注目されて
いる。高精細ディスプレイでは、画面の構成単位である
絵素のサイズが小さくなるため、表面輝度を決めている
バックライト光の透過率を確保するために、素子の加工
精度を向上させ、絵素電極であるITOと各配線とのギャ
ップを狭くすることが要求される。これらの薄膜加工に
は加工精度と歩留まりの観点からドライエッチング法が
一般的に有利とされており、液晶業界においても半導体
層、金属層、および絶縁膜の加工にはドライエッチング
法が広く採用されている。ドライエッチングプロセスは
基板上に、スパッタやCVD等により配線材料や絶縁膜等
を成膜し、さらに、膜上に、フォトレジストを塗布、露
光、現像によりパタ−ンを形成し、次に、該フォトレジ
ストをマスクとして反応性ガスを用いたドライエッチン
グにより、絶縁膜や配線パタ−ンを形成するプロセスで
ある。このパタ−ン化の後、アッシングを行い、マスク
として用いたフォトレジストを灰化除去後に、さらに、
残留しているレジスト残渣を剥離液により除去するプロ
セスが一般的である。この様なドライエッチングにより
発生するレジスト残渣は、フォトレジストがドライエッ
チング中に物理的、化学的にダメ−ジを受け、さらに、
配線材料、ドライエッチングガス等との反応物を形成す
るために、通常のフォトレジストと比較して極めて剥離
されにくくなる。上記の様な、ドライエッチング時に発
生するフォトレジスト残渣を剥離する為に、フッ素化合
物を含有するもの（特開平7-201794号公報）、第四級ア
ンモニウム水酸化物を含有するもの（特開平8-262746号
公報）等が提案されているが、いずれもITOのドライエ
ッチング後のフォトレジスト残渣を、完全に除去出来な
く、配線材料、絶縁膜へのアタックがなく、フォトレジ
スト残渣が完全に剥離出来る剥離液が要望されている。
では実現できない薄型、軽量、低消費電力を武器にノ−
トPC、モニタ−、携帯情報端末の分野で躍進を続けてい
る。このような中、LCDの市場として、CRTでは技術的に
実現が難しいとされる高精細ディスプレイが注目されて
いる。高精細ディスプレイでは、画面の構成単位である
絵素のサイズが小さくなるため、表面輝度を決めている
バックライト光の透過率を確保するために、素子の加工
精度を向上させ、絵素電極であるITOと各配線とのギャ
ップを狭くすることが要求される。これらの薄膜加工に
は加工精度と歩留まりの観点からドライエッチング法が
一般的に有利とされており、液晶業界においても半導体
層、金属層、および絶縁膜の加工にはドライエッチング
法が広く採用されている。ドライエッチングプロセスは
基板上に、スパッタやCVD等により配線材料や絶縁膜等
を成膜し、さらに、膜上に、フォトレジストを塗布、露
光、現像によりパタ−ンを形成し、次に、該フォトレジ
ストをマスクとして反応性ガスを用いたドライエッチン
グにより、絶縁膜や配線パタ−ンを形成するプロセスで
ある。このパタ−ン化の後、アッシングを行い、マスク
として用いたフォトレジストを灰化除去後に、さらに、
残留しているレジスト残渣を剥離液により除去するプロ
セスが一般的である。この様なドライエッチングにより
発生するレジスト残渣は、フォトレジストがドライエッ
チング中に物理的、化学的にダメ−ジを受け、さらに、
配線材料、ドライエッチングガス等との反応物を形成す
るために、通常のフォトレジストと比較して極めて剥離
されにくくなる。上記の様な、ドライエッチング時に発
生するフォトレジスト残渣を剥離する為に、フッ素化合
物を含有するもの（特開平7-201794号公報）、第四級ア
ンモニウム水酸化物を含有するもの（特開平8-262746号
公報）等が提案されているが、いずれもITOのドライエ
ッチング後のフォトレジスト残渣を、完全に除去出来な
く、配線材料、絶縁膜へのアタックがなく、フォトレジ
スト残渣が完全に剥離出来る剥離液が要望されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＬＣＤの製
造工程において、透明導電膜のドライエッチング時に発
生するフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、
かつ有機溶媒を含有しない安全で簡便な剥離剤組成物を
提供することにある。
造工程において、透明導電膜のドライエッチング時に発
生するフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、
かつ有機溶媒を含有しない安全で簡便な剥離剤組成物を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決すべく鋭意研究を行った結果、脂肪族ポリカルボ
ン酸を含む水溶液、脂肪族ポリカルボン酸及びアニオン
性界面活性剤を含有する水溶液、並びに、脂肪族ポリカ
ルボン酸、アニオン性界面活性剤およびリン酸系キレ−
ト剤を含有する水溶液からなる剥離剤が透明導電膜のド
ライエッチング時に発生するフォトレジスト残渣の除去
性に優れた効果を有することを見出し、本発明を完成す
るに至った。
を解決すべく鋭意研究を行った結果、脂肪族ポリカルボ
ン酸を含む水溶液、脂肪族ポリカルボン酸及びアニオン
性界面活性剤を含有する水溶液、並びに、脂肪族ポリカ
ルボン酸、アニオン性界面活性剤およびリン酸系キレ−
ト剤を含有する水溶液からなる剥離剤が透明導電膜のド
ライエッチング時に発生するフォトレジスト残渣の除去
性に優れた効果を有することを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に使用される脂肪族ポリカ
ルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マ
レイン酸、アジピン酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸等
が挙げられる。上記脂肪族ポリカルボン酸の濃度は、0.
1〜15重量％の範囲で使用されるが、0.1重量％より低い
濃度では、フォトレジスト残渣の除去性が悪くなり、15
重量％以上では、透明導電材料への腐食が激しくなり好
ましくない。
ルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マ
レイン酸、アジピン酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸等
が挙げられる。上記脂肪族ポリカルボン酸の濃度は、0.
1〜15重量％の範囲で使用されるが、0.1重量％より低い
濃度では、フォトレジスト残渣の除去性が悪くなり、15
重量％以上では、透明導電材料への腐食が激しくなり好
ましくない。
【０００６】本発明で使用されるアニオン系界面活性剤
としては、脂肪酸塩、高級アルコ−ル硫酸エステル塩
類、液体脂肪油硫酸エステル塩類、脂肪族アミンおよび
脂肪族アミドの硫酸塩類、脂肪族アルコ−ルリン酸エス
テル塩類、二塩基性脂肪酸エステルのスルホン酸類、脂
肪酸アミドスルホン酸塩類、アルキルアリルスルホン酸
塩類等のアニオン系界面活性剤があげられる。上記アニ
オン系界面活性剤の濃度は、0.001〜1重量％の範囲であ
り、0.001重量％以下では、フォトレジスト残渣物の除
去性が悪く、1重量％以上では、フォトレジスト残渣物
の除去性は向上せず、得策ではない。
としては、脂肪酸塩、高級アルコ−ル硫酸エステル塩
類、液体脂肪油硫酸エステル塩類、脂肪族アミンおよび
脂肪族アミドの硫酸塩類、脂肪族アルコ−ルリン酸エス
テル塩類、二塩基性脂肪酸エステルのスルホン酸類、脂
肪酸アミドスルホン酸塩類、アルキルアリルスルホン酸
塩類等のアニオン系界面活性剤があげられる。上記アニ
オン系界面活性剤の濃度は、0.001〜1重量％の範囲であ
り、0.001重量％以下では、フォトレジスト残渣物の除
去性が悪く、1重量％以上では、フォトレジスト残渣物
の除去性は向上せず、得策ではない。
【０００７】一方、本発明に使用されるリン酸系キレ−
ト剤としては、メチルジホスホン酸、アミノトリスメチ
レンホスホン酸、エチリデンジホスホン酸、1-ヒドロキ
シエチリデン-1、1-ジホスホン酸、1-ヒドロキシプロピ
リデン-1、1-ジホスホン酸、エチルアミノビスメチレン
ホスホン酸、ドデシルアミノビスメチレンホスホン酸、
ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン
ビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキス
メチレンホスホン酸、ヘキサンジアミンテトラキスメチ
レンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレン
ホスホン酸、1,2-プロパンジアミンテトラメチレンホス
ホン酸等の分子中にホスホン酸基を1個以上有するホス
ホン酸系キレ−ト剤、あるいはこれらのアンモニウム
塩、有機アミン塩、アルカリ金属塩等が挙げられ、それ
らの酸化体としては、これらホスホン酸系キレ-ト剤の
内その分子中に窒素原子を有するものが酸化されてN-オ
キシド体となっているものが挙げられる。また、縮合リ
ン酸類として、メタリン酸、テトラメタリン酸、ヘキサ
メタリン酸、トリポリリン酸、あるいはこれらのアンモ
ニウム塩、金属塩、有機アミン塩等があげられる。上記
キレ−ト剤は何れも使用できるが、より好ましくは、分
子中にホスホン酸基2個以上有するものが挙げられ、さ
らに好ましくは、分子中にホスホン酸基を2〜6個有する
ものが挙げられる。具体的には、1,2-プロパンジアミン
テトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペン
タメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメ
チレンホスホン酸等が好ましく、特に好ましいのは、1,
2-プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、エチレ
ンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸である。本発
明で使用される上記キレ−ト剤は、単独でも2種類以上
でも適宜組み合わせて用いても良い。また、上記キレ−
ト剤の濃度は通常、全液中0.001〜5重量％の濃度で使用
され、好ましくは0.005〜3重量％である。
ト剤としては、メチルジホスホン酸、アミノトリスメチ
レンホスホン酸、エチリデンジホスホン酸、1-ヒドロキ
シエチリデン-1、1-ジホスホン酸、1-ヒドロキシプロピ
リデン-1、1-ジホスホン酸、エチルアミノビスメチレン
ホスホン酸、ドデシルアミノビスメチレンホスホン酸、
ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン
ビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキス
メチレンホスホン酸、ヘキサンジアミンテトラキスメチ
レンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレン
ホスホン酸、1,2-プロパンジアミンテトラメチレンホス
ホン酸等の分子中にホスホン酸基を1個以上有するホス
ホン酸系キレ−ト剤、あるいはこれらのアンモニウム
塩、有機アミン塩、アルカリ金属塩等が挙げられ、それ
らの酸化体としては、これらホスホン酸系キレ-ト剤の
内その分子中に窒素原子を有するものが酸化されてN-オ
キシド体となっているものが挙げられる。また、縮合リ
ン酸類として、メタリン酸、テトラメタリン酸、ヘキサ
メタリン酸、トリポリリン酸、あるいはこれらのアンモ
ニウム塩、金属塩、有機アミン塩等があげられる。上記
キレ−ト剤は何れも使用できるが、より好ましくは、分
子中にホスホン酸基2個以上有するものが挙げられ、さ
らに好ましくは、分子中にホスホン酸基を2〜6個有する
ものが挙げられる。具体的には、1,2-プロパンジアミン
テトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペン
タメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメ
チレンホスホン酸等が好ましく、特に好ましいのは、1,
2-プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、エチレ
ンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸である。本発
明で使用される上記キレ−ト剤は、単独でも2種類以上
でも適宜組み合わせて用いても良い。また、上記キレ−
ト剤の濃度は通常、全液中0.001〜5重量％の濃度で使用
され、好ましくは0.005〜3重量％である。
【０００８】本発明の剥離剤組成物は、ドライエッチン
グ後のフォトレジスト残渣の除去を目的とするものであ
り、基本的には水溶液の形で使用される。本発明で対象
となるフォトレジスト残渣としては、LCDの製造に用い
られる透明導電膜であり、具体的には、インジウム錫酸
化物（ITO）が一般的であるが、この他インジウム酸化
物、錫酸化物、亜鉛酸化物等のドライエッチング時に発
生するフォトレジスト残渣物である。本発明の剥離剤組
成物を使用する温度は常温〜90℃であり、剥離時間は約
1〜30分程度である。本発明は、上記の剥離剤の処理の
後、リンスは水で充分であり、有機溶剤を使用する必要
はない。
グ後のフォトレジスト残渣の除去を目的とするものであ
り、基本的には水溶液の形で使用される。本発明で対象
となるフォトレジスト残渣としては、LCDの製造に用い
られる透明導電膜であり、具体的には、インジウム錫酸
化物（ITO）が一般的であるが、この他インジウム酸化
物、錫酸化物、亜鉛酸化物等のドライエッチング時に発
生するフォトレジスト残渣物である。本発明の剥離剤組
成物を使用する温度は常温〜90℃であり、剥離時間は約
1〜30分程度である。本発明は、上記の剥離剤の処理の
後、リンスは水で充分であり、有機溶剤を使用する必要
はない。
【０００９】
【００１０】実施例1
絶縁膜であるSiNx２上に、ITO４をスパッタリングし、
フォトレジストをマスクとし、ドライエッチングを行
い、酸素プラズマによるアッシングを行ってフォトレジ
ストを除去した基板の状態を図1に示す。図1の基板を電
子顕微鏡（SEM）で観察した結果、ITO４およびSiNx２上
にフォトレジスト残渣３が残留していた。図1に示した
基板を用いて、3重量％のシュウ酸を含有する水溶液で
ある剥離剤を用いて50℃、15分、上記剥離剤中に浸漬
し、水でリンスを行った後、乾燥し、SEM観察を行った
結果、図2に示される様にフォトレジスト残渣物３は、
完全に除去されていた。
フォトレジストをマスクとし、ドライエッチングを行
い、酸素プラズマによるアッシングを行ってフォトレジ
ストを除去した基板の状態を図1に示す。図1の基板を電
子顕微鏡（SEM）で観察した結果、ITO４およびSiNx２上
にフォトレジスト残渣３が残留していた。図1に示した
基板を用いて、3重量％のシュウ酸を含有する水溶液で
ある剥離剤を用いて50℃、15分、上記剥離剤中に浸漬
し、水でリンスを行った後、乾燥し、SEM観察を行った
結果、図2に示される様にフォトレジスト残渣物３は、
完全に除去されていた。
【００１１】実施例２
実施例1で使用した基板を用い、シュウ酸3重量％、さら
にポリオキシエチレンアルキルフェニルエ−テル硫酸エ
ステル塩であるアニオン系界面活性剤ハイテノ−ルNE-0
5（第一工業製薬株式会社製）を0.01重量％含有する水
溶液である剥離剤中に、50℃、10分間浸漬を行った後、
水でリンスを行い、乾燥後SEM観察を行った。その結
果、フォトレジスト残渣は完全に除去されていた。
にポリオキシエチレンアルキルフェニルエ−テル硫酸エ
ステル塩であるアニオン系界面活性剤ハイテノ−ルNE-0
5（第一工業製薬株式会社製）を0.01重量％含有する水
溶液である剥離剤中に、50℃、10分間浸漬を行った後、
水でリンスを行い、乾燥後SEM観察を行った。その結
果、フォトレジスト残渣は完全に除去されていた。
【００１２】実施例３
実施例1で使用した基板を用い、シュウ酸3重量％、ポリ
オキシエチレンアルキルフェニルエ−テル硫酸塩である
アニオン系界面活性剤ハイテノ−ルNE-05（第一工業製
薬株式会社製）を0.01重量％、さらに、エチレンジアミ
ンテトラキスメチレンホスホン酸0.01重量％を含有する
水溶液である剥離剤中に、50℃、5分間浸漬を行った
後、水でリンスを行い、乾燥後SEM観察を行った。その
結果、フォトレジスト残渣は完全に除去されていた。
オキシエチレンアルキルフェニルエ−テル硫酸塩である
アニオン系界面活性剤ハイテノ−ルNE-05（第一工業製
薬株式会社製）を0.01重量％、さらに、エチレンジアミ
ンテトラキスメチレンホスホン酸0.01重量％を含有する
水溶液である剥離剤中に、50℃、5分間浸漬を行った
後、水でリンスを行い、乾燥後SEM観察を行った。その
結果、フォトレジスト残渣は完全に除去されていた。
【００１３】実施例4〜9、比較例1〜2
実施例1で用いた基板を使用し、表-1で示した剥離剤で
処理を行い、水でリンスを行った後、SEM観察を行った
結果を示した。SEM観察の剥離性の判定基準は、下記の
基準に従った。 ◎：フォトレジスト残渣は完全に除去された。 ×：フォトレジスト残渣は大部分が残存していた。
処理を行い、水でリンスを行った後、SEM観察を行った
結果を示した。SEM観察の剥離性の判定基準は、下記の
基準に従った。 ◎：フォトレジスト残渣は完全に除去された。 ×：フォトレジスト残渣は大部分が残存していた。
【００１４】
【比較例3】実施例1と同一の基板を用いて、フッ化アン
モニウム1.0重量％と、ジメチルスルホキシド70重量
％、残部が水である剥離剤に、23℃、15分浸漬を行った
後、水でリンスを行い、乾燥後SEM観察を行った。その
結果、フォトレジスト残渣は、大部分が残存していた。
モニウム1.0重量％と、ジメチルスルホキシド70重量
％、残部が水である剥離剤に、23℃、15分浸漬を行った
後、水でリンスを行い、乾燥後SEM観察を行った。その
結果、フォトレジスト残渣は、大部分が残存していた。
【００１５】比較例4
実施例1と同一の基板を用いて、テトラメチルアンモニ
ウム水酸化物0.3重量％、ソルビト−ル5.0重量％、残部
が水である剥離剤を用いて、23℃、15分間浸漬を行った
後、水でリンス後、乾燥しSEM観察を行った。その結
果、フォトレジスト残渣は大部分が残存していた。
ウム水酸化物0.3重量％、ソルビト−ル5.0重量％、残部
が水である剥離剤を用いて、23℃、15分間浸漬を行った
後、水でリンス後、乾燥しSEM観察を行った。その結
果、フォトレジスト残渣は大部分が残存していた。
【００１６】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を
使用すると、透明導電膜のドライエッチング時に発生す
るフォトレジスト残渣を完全に除去でき、且つ、配線材
料、絶縁膜の腐食が無い。
使用すると、透明導電膜のドライエッチング時に発生す
るフォトレジスト残渣を完全に除去でき、且つ、配線材
料、絶縁膜の腐食が無い。
【図１】絶縁膜上に、ITOをスパッタリングし、フォト
レジストをマスクとし、ドライエッチングを行い、酸素
プラズマによるアッシングを行ってフォトレジストを除
去した後の基板の状態図である。
レジストをマスクとし、ドライエッチングを行い、酸素
プラズマによるアッシングを行ってフォトレジストを除
去した後の基板の状態図である。
【図２】図1に示した基板を、3重量％のシュウ酸を含有
する水溶液である剥離剤中に浸漬し、水でリンスを行
い、乾燥した後の状態図である。
する水溶液である剥離剤中に浸漬し、水でリンスを行
い、乾燥した後の状態図である。
１：基板 ２：ＳｉＮｘ ３：フォトレジスト残渣
４：ＩＴＯ
４：ＩＴＯ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 阿部 久起
新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱
瓦斯化学株式会社新潟研究所内
(72)発明者 青山 哲男
新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱
瓦斯化学株式会社新潟研究所内
Ｆターム(参考） 2H096 AA27 AA28 HA23 LA03
4J038 RA02 RA05 RA09 RA12 RA17
5F043 AA40 BB28 CC16 DD12 GG10
5F046 MA02
Claims (4)
- 【請求項１】透明導電膜のドライエッチング時に発生す
るフォトレジスト残渣を剥離するのに使用する、脂肪族
ポリカルボン酸を含有する水溶液からなるフォトレジス
ト剥離剤組成物。 - 【請求項２】 透明導電膜がインジウム錫酸化物である
請求項１記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項３】 更に、アニオン性界面活性剤を加える請
求項１または２に記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項４】 更に、リン酸系キレ−ト剤を加える請求
項１〜３何れか１項に記載のフォトレジスト剥離剤組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001190128A JP4582278B2 (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001190128A JP4582278B2 (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003005384A true JP2003005384A (ja) | 2003-01-08 |
| JP4582278B2 JP4582278B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=19028947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001190128A Expired - Lifetime JP4582278B2 (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4582278B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003005385A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| KR101154836B1 (ko) | 2004-03-31 | 2012-06-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리제 조성물 |
| JP2014183264A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Toppan Printing Co Ltd | エッチング液組成物 |
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| JP2000214599A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
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-
2001
- 2001-06-22 JP JP2001190128A patent/JP4582278B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4582278B2 (ja) | 2010-11-17 |
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