JP2002368164A - 平型半導体スタック装置 - Google Patents
平型半導体スタック装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平型半導体素子と放熱体とを交互に重合し重
合方向に加圧された平型半導体スタック装置において、
平型半導体素子と放熱体とが、損傷することなく容易で
正確に位置合わせでき、平型半導体素子の交換も容易に
可能にする。 【解決手段】 平型半導体素子１にピン７を突出して設
け、放熱体２の接合面に、上記ピン７が嵌合する位置決
め凹部８ａと、この凹部８ａに連続して放熱体２の端面
から一体的に設けられたガイド溝８とを備え、ピン７を
ガイド溝８に挿入して移動させ、位置決め凹部８ａにて
停止させることにより、平型半導体素子１と放熱体２と
を位置合わせする。
合方向に加圧された平型半導体スタック装置において、
平型半導体素子と放熱体とが、損傷することなく容易で
正確に位置合わせでき、平型半導体素子の交換も容易に
可能にする。 【解決手段】 平型半導体素子１にピン７を突出して設
け、放熱体２の接合面に、上記ピン７が嵌合する位置決
め凹部８ａと、この凹部８ａに連続して放熱体２の端面
から一体的に設けられたガイド溝８とを備え、ピン７を
ガイド溝８に挿入して移動させ、位置決め凹部８ａにて
停止させることにより、平型半導体素子１と放熱体２と
を位置合わせする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平型半導体素子
を用いた半導体電力変換装置に関し、特に平型半導体素
子と放熱体とを交互に重合して構成したスタック装置に
関するものである。
を用いた半導体電力変換装置に関し、特に平型半導体素
子と放熱体とを交互に重合して構成したスタック装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体電力変換装置に用いられ
る平型半導体スタック装置は、ＧＣＴ素子などの平型半
導体素子とその素子を冷却するためのヒートシンクなど
の放熱体とを交互に重合し、その重合方向に加圧して構
成される。近年、平型半導体素子は大容量化が進み、外
形寸法の大型化と共に放熱量も増大し、その熱を放熱す
る放熱体も大型化している。このような平型半導体素子
を多段に重合して、電力変換装置をコンパクト構成とす
る要求が増大しており、平型半導体スタック装置は、重
要度を増している。大型化した平型半導体素子と放熱体
とを多段に重合した平型半導体スタック装置では、組立
作業あるいは平型半導体素子を交換する作業において、
平型半導体素子の中心を正確に合わせて重合することが
重要になる。また近年、平型半導体素子にそれを駆動す
るゲート回路を一体化させて性能を向上させたゲート一
体型平型半導体素子があり、更に平型半導体素子の重量
も増す中で正確に中心を合わせる技術が重要である。
る平型半導体スタック装置は、ＧＣＴ素子などの平型半
導体素子とその素子を冷却するためのヒートシンクなど
の放熱体とを交互に重合し、その重合方向に加圧して構
成される。近年、平型半導体素子は大容量化が進み、外
形寸法の大型化と共に放熱量も増大し、その熱を放熱す
る放熱体も大型化している。このような平型半導体素子
を多段に重合して、電力変換装置をコンパクト構成とす
る要求が増大しており、平型半導体スタック装置は、重
要度を増している。大型化した平型半導体素子と放熱体
とを多段に重合した平型半導体スタック装置では、組立
作業あるいは平型半導体素子を交換する作業において、
平型半導体素子の中心を正確に合わせて重合することが
重要になる。また近年、平型半導体素子にそれを駆動す
るゲート回路を一体化させて性能を向上させたゲート一
体型平型半導体素子があり、更に平型半導体素子の重量
も増す中で正確に中心を合わせる技術が重要である。
【０００３】図７は、従来の平型半導体スタック装置の
スタック構成を示す側面図である。図７に示すように、
平型半導体素子１とそれを冷却するための放熱体２とが
交互に所定数重合され、重合方向の両端に加圧部材（図
示せず）を備えて、重合方向に加圧されている。図８
は、図７で示した平型半導体スタック装置における、平
型半導体素子１と放熱体２との位置合わせ手段を示す斜
視図である。図８に示すように、平型半導体素子１の接
合面の中心に位置決め穴３ａを設け、この位置決め穴３
ａと対応する位置の放熱体２の接合面にセンタピン３が
突出するように固定される。そしてこのセンタピン３を
平型半導体素子１の位置決め穴３ａに挿入することで、
平型半導体素子１と放熱体２とを位置合わせする。この
ような構成の平型半導体スタック装置において、一旦製
作された後に平型半導体素子１のみを交換する場合は、
図９で示すように、平型半導体素子１と放熱体２との間
に、センタピン３の高さ以上の空間をとって、平型半導
体素子１をセンタピン３で傷を付けないように持ち上げ
て引き抜く。また平型半導体素子１を挿入する際には、
平型半導体素子１をセンタピン３で傷を付けないように
持ち上げて、センタピン３を平型半導体素子１の位置決
め穴３ａに正確に合わせて挿入し、先の空間を取り除き
交換作業が完了する。
スタック構成を示す側面図である。図７に示すように、
平型半導体素子１とそれを冷却するための放熱体２とが
交互に所定数重合され、重合方向の両端に加圧部材（図
示せず）を備えて、重合方向に加圧されている。図８
は、図７で示した平型半導体スタック装置における、平
型半導体素子１と放熱体２との位置合わせ手段を示す斜
視図である。図８に示すように、平型半導体素子１の接
合面の中心に位置決め穴３ａを設け、この位置決め穴３
ａと対応する位置の放熱体２の接合面にセンタピン３が
突出するように固定される。そしてこのセンタピン３を
平型半導体素子１の位置決め穴３ａに挿入することで、
平型半導体素子１と放熱体２とを位置合わせする。この
ような構成の平型半導体スタック装置において、一旦製
作された後に平型半導体素子１のみを交換する場合は、
図９で示すように、平型半導体素子１と放熱体２との間
に、センタピン３の高さ以上の空間をとって、平型半導
体素子１をセンタピン３で傷を付けないように持ち上げ
て引き抜く。また平型半導体素子１を挿入する際には、
平型半導体素子１をセンタピン３で傷を付けないように
持ち上げて、センタピン３を平型半導体素子１の位置決
め穴３ａに正確に合わせて挿入し、先の空間を取り除き
交換作業が完了する。
【０００４】図１０は図８で示した従来の平型半導体素
子１と放熱体２との位置合わせの例を、同一基板４上に
平型半導体素子１とそれを駆動するゲート回路５とを共
に搭載して一体化したゲート一体型平型半導体素子６に
適用した場合を示す。この場合も、図８にて示した場合
と同様に、平型半導体素子１の接合面の中心に設けた位
置決め穴３ａに、放熱体２の接合面に突出して固定され
たセンタピン３を挿入することで、ゲート一体型平型半
導体素子６と放熱体２とを位置合わせする。なお、この
場合、平型半導体素子１の裏面側では、位置決め穴３ａ
は基板４に設けられ、基板４裏面と放熱体２とが接合す
る。
子１と放熱体２との位置合わせの例を、同一基板４上に
平型半導体素子１とそれを駆動するゲート回路５とを共
に搭載して一体化したゲート一体型平型半導体素子６に
適用した場合を示す。この場合も、図８にて示した場合
と同様に、平型半導体素子１の接合面の中心に設けた位
置決め穴３ａに、放熱体２の接合面に突出して固定され
たセンタピン３を挿入することで、ゲート一体型平型半
導体素子６と放熱体２とを位置合わせする。なお、この
場合、平型半導体素子１の裏面側では、位置決め穴３ａ
は基板４に設けられ、基板４裏面と放熱体２とが接合す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の平型半導体スタ
ック装置では、以上のように平型半導体素子１と放熱体
２とを位置合わせするため、平型半導体素子１を交換す
る場合、平型半導体素子１と放熱体２との間に、センタ
ピン３の高さ以上の距離空間をあける必要がある。この
ため、各平型半導体素子１および各放熱体２の重合方向
での位置は、それぞれの間にセンタピン３の高さ以上の
距離空間をあけるための大きなマージンが必要で、装置
構成を煩雑にするものであった。また、平型半導体素子
１を持ち上げてスタック構成から引き抜き、挿入する必
要があり、大型化、重量化している平型半導体素子１を
持ち上げるための強い力か、もしくは専用の治具が必要
となる。またこのとき、平型半導体素子１をセンタピン
３で傷付ける恐れがあり、その場合、平型半導体素子１
の信頼性を著しく劣化させる。さらに、平型半導体素子
１と放熱体２との位置合わせは、目視にてセンタピン３
と位置決め穴３ａとの位置を合わせる作業となるが、平
型半導体素子１の大型化により中心位置が作業者位置か
ら遠方となり、調整が困難で時間を要するものであっ
た。また、センタ位置が合わない状態で空間を取り除く
と平型半導体素子１または放熱体２に傷を付けて、平型
半導体素子１の特性や、放熱体２の放熱性能を劣化させ
ることになる。
ック装置では、以上のように平型半導体素子１と放熱体
２とを位置合わせするため、平型半導体素子１を交換す
る場合、平型半導体素子１と放熱体２との間に、センタ
ピン３の高さ以上の距離空間をあける必要がある。この
ため、各平型半導体素子１および各放熱体２の重合方向
での位置は、それぞれの間にセンタピン３の高さ以上の
距離空間をあけるための大きなマージンが必要で、装置
構成を煩雑にするものであった。また、平型半導体素子
１を持ち上げてスタック構成から引き抜き、挿入する必
要があり、大型化、重量化している平型半導体素子１を
持ち上げるための強い力か、もしくは専用の治具が必要
となる。またこのとき、平型半導体素子１をセンタピン
３で傷付ける恐れがあり、その場合、平型半導体素子１
の信頼性を著しく劣化させる。さらに、平型半導体素子
１と放熱体２との位置合わせは、目視にてセンタピン３
と位置決め穴３ａとの位置を合わせる作業となるが、平
型半導体素子１の大型化により中心位置が作業者位置か
ら遠方となり、調整が困難で時間を要するものであっ
た。また、センタ位置が合わない状態で空間を取り除く
と平型半導体素子１または放熱体２に傷を付けて、平型
半導体素子１の特性や、放熱体２の放熱性能を劣化させ
ることになる。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るために成されたものであって、平型半導体素子と放熱
体との間に距離空間をあけるためのマージンを低減し、
平型半導体素子および放熱体を傷つけることがなく、容
易に平型半導体素子と放熱体とを正確に位置合わせでき
る平型半導体スタック装置を得ることを目的とする。
るために成されたものであって、平型半導体素子と放熱
体との間に距離空間をあけるためのマージンを低減し、
平型半導体素子および放熱体を傷つけることがなく、容
易に平型半導体素子と放熱体とを正確に位置合わせでき
る平型半導体スタック装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
記載の平型半導体スタック装置は、平型半導体素子と放
熱体とを互いの接合面の位置合わせ手段を備えて交互に
重合し重合方向に加圧して成る平型半導体スタック装置
であって、上記位置合わせ手段が、上記平型半導体素子
を上記放熱体に対して上記重合方向と垂直の方向にスラ
イドさせ、該スライド動作を位置決め部にて停止させて
位置合わせするものである。
記載の平型半導体スタック装置は、平型半導体素子と放
熱体とを互いの接合面の位置合わせ手段を備えて交互に
重合し重合方向に加圧して成る平型半導体スタック装置
であって、上記位置合わせ手段が、上記平型半導体素子
を上記放熱体に対して上記重合方向と垂直の方向にスラ
イドさせ、該スライド動作を位置決め部にて停止させて
位置合わせするものである。
【０００８】またこの発明に係る請求項２記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、位置合わせ手
段が、上記平型半導体素子、上記放熱体のいずれか一方
の部材の接合面に突出して設けられたピンと、他方の部
材の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め凹
部と、上記他方の部材の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたものである。
導体スタック装置は、請求項１において、位置合わせ手
段が、上記平型半導体素子、上記放熱体のいずれか一方
の部材の接合面に突出して設けられたピンと、他方の部
材の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め凹
部と、上記他方の部材の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたものである。
【０００９】またこの発明に係る請求項３記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板面に接合側へ突出して設けられたピンと、
放熱体の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決
め凹部と、上記放熱体の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたものである。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板面に接合側へ突出して設けられたピンと、
放熱体の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決
め凹部と、上記放熱体の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたものである。
【００１０】またこの発明に係る請求項４記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、放熱体の接合
面に突出して設けられたピンと、上記平型半導体素子の
基板に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め穴と、上
記基板の端面から該位置決め穴に至るまで該位置決め穴
に連続して一体的に設けられたガイド溝とを備えたもの
である。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、放熱体の接合
面に突出して設けられたピンと、上記平型半導体素子の
基板に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め穴と、上
記基板の端面から該位置決め穴に至るまで該位置決め穴
に連続して一体的に設けられたガイド溝とを備えたもの
である。
【００１１】またこの発明に係る請求項５記載の平型半
導体スタック装置は、請求項２〜４のいずれかにおい
て、平型半導体素子と放熱体との接合面の各位置合わせ
手段は、ピン、位置決め穴（凹部）およびガイド溝をそ
れぞれ複数個備えたものである。
導体スタック装置は、請求項２〜４のいずれかにおい
て、平型半導体素子と放熱体との接合面の各位置合わせ
手段は、ピン、位置決め穴（凹部）およびガイド溝をそ
れぞれ複数個備えたものである。
【００１２】またこの発明に係る請求項６記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、上記平型半導体素子の基板裏面側
の上記放熱体の接合面に、その端面から上記基板をはめ
込むための溝を設け、当該溝の側壁を位置合わせ手段の
位置決め部としたものである。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、上記平型半導体素子の基板裏面側
の上記放熱体の接合面に、その端面から上記基板をはめ
込むための溝を設け、当該溝の側壁を位置合わせ手段の
位置決め部としたものである。
【００１３】またこの発明に係る請求項７記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め板を備えたものである。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め板を備えたものである。
【００１４】またこの発明に係る請求項８記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め部としての複数個のピンを備えたものである。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め部としての複数個のピンを備えたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図について詳細に説明する。図１（ａ）
は、この発明の実施の形態１による平型半導体スタック
装置のスタック構成を示す側面図である。また、図１
（ｂ）は、図１（ａ）で示した平型半導体スタック装置
における、平型半導体素子１と放熱体２との位置合わせ
手段を示す斜視図である。なお、図１（ｂ）では便宜
上、平型半導体素子１と放熱体２とを離間させて図示す
る。図１（ａ）に示すように、平型半導体素子１とそれ
を冷却するための放熱体２とが交互に所定数重合され、
重合方向の両端に加圧部材（図示せず）を備えて、重合
方向（Ａ方向）に加圧されている。また、図１（ａ）、
図１（ｂ）に示すように、平型半導体素子１の接合面中
心にセンタピン７が突出するように固定され、このセン
タピン７と対応する位置の放熱体２の接合面に、センタ
ピン７が嵌合するための位置決め凹部８ａとそれに連続
して放熱体２の一端面まで開口されたガイド溝８とを設
けた。このガイド溝８は位置決め凹部８ａと一体的に形
成されており、即ち放熱体２の一端面から開口されたガ
イド溝８の終端が、放熱体２の接合面の中心線上の位置
決め凹部８ａとなる。このようなセンタピン７、位置決
め凹部８ａおよびガイド溝８は平型半導体素子１の上側
と下側との双方に、重合されたときの対応する位置に同
様に設けられる。なお、ガイド溝８および位置決め凹部
８ａの深さは、平型半導体素子１の接合面に突出したセ
ンタピン７の高さよりも若干大きく設定する。
実施の形態１を図について詳細に説明する。図１（ａ）
は、この発明の実施の形態１による平型半導体スタック
装置のスタック構成を示す側面図である。また、図１
（ｂ）は、図１（ａ）で示した平型半導体スタック装置
における、平型半導体素子１と放熱体２との位置合わせ
手段を示す斜視図である。なお、図１（ｂ）では便宜
上、平型半導体素子１と放熱体２とを離間させて図示す
る。図１（ａ）に示すように、平型半導体素子１とそれ
を冷却するための放熱体２とが交互に所定数重合され、
重合方向の両端に加圧部材（図示せず）を備えて、重合
方向（Ａ方向）に加圧されている。また、図１（ａ）、
図１（ｂ）に示すように、平型半導体素子１の接合面中
心にセンタピン７が突出するように固定され、このセン
タピン７と対応する位置の放熱体２の接合面に、センタ
ピン７が嵌合するための位置決め凹部８ａとそれに連続
して放熱体２の一端面まで開口されたガイド溝８とを設
けた。このガイド溝８は位置決め凹部８ａと一体的に形
成されており、即ち放熱体２の一端面から開口されたガ
イド溝８の終端が、放熱体２の接合面の中心線上の位置
決め凹部８ａとなる。このようなセンタピン７、位置決
め凹部８ａおよびガイド溝８は平型半導体素子１の上側
と下側との双方に、重合されたときの対応する位置に同
様に設けられる。なお、ガイド溝８および位置決め凹部
８ａの深さは、平型半導体素子１の接合面に突出したセ
ンタピン７の高さよりも若干大きく設定する。
【００１６】このような構成の平型半導体スタック装置
において、平型半導体素子１の接合面に設けられたセン
タピン７を放熱体２のガイド溝８に挿入し、センタピン
７をガイド溝８に沿って移動させることにより、平型半
導体素子１を放熱体２に対してＢ方向にスライドさせ
る。センタピン７が位置決め凹部８ａに至ると、この位
置決め凹部８ａはガイド溝８の終端であるため、上記ス
ライド動作は停止し、センタピン７と位置決め凹部８ａ
とが嵌合する。これにより、平型半導体素子１と放熱体
２とが容易に正確に位置合わせされる。このように、平
型半導体素子１と放熱体２とを重合する方向に対して垂
直の方向に平型半導体素子１をスライドさせる。このス
ライド動作は、ガイド溝８の終端、即ち位置決め凹部８
ａが当たり止めとなって停止され、平型半導体素子１に
設けたセンタピン７と放熱体２の位置決め凹部８ａとが
嵌合した状態で、平型半導体素子１と放熱体２とが接合
される。また一旦平型半導体スタック装置が製作された
後に平型半導体素子１のみを交換のために取り出す場合
は、センタピン７を位置決め凹部８ａからガイド溝８に
沿って移動させることにより、平型半導体素子１を放熱
体２に対してＢ方向にスライドさせて、平型半導体素子
１を平型半導体スタック装置から引き抜く。
において、平型半導体素子１の接合面に設けられたセン
タピン７を放熱体２のガイド溝８に挿入し、センタピン
７をガイド溝８に沿って移動させることにより、平型半
導体素子１を放熱体２に対してＢ方向にスライドさせ
る。センタピン７が位置決め凹部８ａに至ると、この位
置決め凹部８ａはガイド溝８の終端であるため、上記ス
ライド動作は停止し、センタピン７と位置決め凹部８ａ
とが嵌合する。これにより、平型半導体素子１と放熱体
２とが容易に正確に位置合わせされる。このように、平
型半導体素子１と放熱体２とを重合する方向に対して垂
直の方向に平型半導体素子１をスライドさせる。このス
ライド動作は、ガイド溝８の終端、即ち位置決め凹部８
ａが当たり止めとなって停止され、平型半導体素子１に
設けたセンタピン７と放熱体２の位置決め凹部８ａとが
嵌合した状態で、平型半導体素子１と放熱体２とが接合
される。また一旦平型半導体スタック装置が製作された
後に平型半導体素子１のみを交換のために取り出す場合
は、センタピン７を位置決め凹部８ａからガイド溝８に
沿って移動させることにより、平型半導体素子１を放熱
体２に対してＢ方向にスライドさせて、平型半導体素子
１を平型半導体スタック装置から引き抜く。
【００１７】上述したように、平型半導体素子１をスタ
ック構成から引き抜いて取り出す場合も、平型半導体素
子１を上下の放熱体２との間に挿入して放熱体２と位置
合わせする場合も、センタピン７がガイド溝８に沿って
移動するため、重合方向の加圧を解除すれば、放熱体２
と平型半導体素子１との間の距離を特に設ける必要はな
い。このため、大型化、重量化した平型半導体素子１を
持ち上げないでスライドさせることもでき、また、平型
半導体素子１および放熱体２を傷つけることもない。
ック構成から引き抜いて取り出す場合も、平型半導体素
子１を上下の放熱体２との間に挿入して放熱体２と位置
合わせする場合も、センタピン７がガイド溝８に沿って
移動するため、重合方向の加圧を解除すれば、放熱体２
と平型半導体素子１との間の距離を特に設ける必要はな
い。このため、大型化、重量化した平型半導体素子１を
持ち上げないでスライドさせることもでき、また、平型
半導体素子１および放熱体２を傷つけることもない。
【００１８】なお、上記実施の形態では、平型半導体素
子１側にセンタピン７を設け、放熱体２側に位置決め凹
部８ａおよびガイド溝８を設けたが、必ずしもこれに限
るものではなく、逆に放熱体２側にセンタピン７を設
け、平型半導体素子１側に位置決め凹部８ａおよびガイ
ド溝８を設けることもできる。
子１側にセンタピン７を設け、放熱体２側に位置決め凹
部８ａおよびガイド溝８を設けたが、必ずしもこれに限
るものではなく、逆に放熱体２側にセンタピン７を設
け、平型半導体素子１側に位置決め凹部８ａおよびガイ
ド溝８を設けることもできる。
【００１９】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２による平型半導体スタック装置における、平型半
導体素子１と放熱体２との位置合わせ手段を示す斜視図
であり、同一基板４上に平型半導体素子１とそれを駆動
するゲート回路５とを共に搭載して一体化したゲート一
体型平型半導体素子６に適用した場合を示す。なお、こ
こでは、ゲート一体型平型半導体素子６の下側、即ち基
板４の裏面と放熱体２との位置合わせについて説明す
る。また便宜上、基板４と放熱体２とは離間させて図示
する。図２に示すように、基板４の裏面の所定の位置に
ピン９が突出するように固定され、このピン９と対応す
る位置の放熱体２の接合面に、ピン９が嵌合するための
位置決め凹部１０ａとそれに連続して放熱体２の一端面
まで開口されたガイド溝１０とを設けた。このガイド溝
１０は位置決め凹部１０ａと一体的に形成されており、
即ち放熱体２の一端面から開口されたガイド溝１０の終
端が位置決め凹部１０ａとなる。この場合、ピン９、位
置決め凹部１０ａおよびガイド溝１０は、接合面の周囲
領域にそれぞれ２個ずつ設け、２個のガイド溝１０は、
ガイド方向（ガイド溝１０の長手方向）が互いに平行に
設けられる。なお、ガイド溝１０および位置決め凹部１
０ａの深さは、基板４の裏面に突出したピン９の高さよ
りも若干大きく設定する。
形態２による平型半導体スタック装置における、平型半
導体素子１と放熱体２との位置合わせ手段を示す斜視図
であり、同一基板４上に平型半導体素子１とそれを駆動
するゲート回路５とを共に搭載して一体化したゲート一
体型平型半導体素子６に適用した場合を示す。なお、こ
こでは、ゲート一体型平型半導体素子６の下側、即ち基
板４の裏面と放熱体２との位置合わせについて説明す
る。また便宜上、基板４と放熱体２とは離間させて図示
する。図２に示すように、基板４の裏面の所定の位置に
ピン９が突出するように固定され、このピン９と対応す
る位置の放熱体２の接合面に、ピン９が嵌合するための
位置決め凹部１０ａとそれに連続して放熱体２の一端面
まで開口されたガイド溝１０とを設けた。このガイド溝
１０は位置決め凹部１０ａと一体的に形成されており、
即ち放熱体２の一端面から開口されたガイド溝１０の終
端が位置決め凹部１０ａとなる。この場合、ピン９、位
置決め凹部１０ａおよびガイド溝１０は、接合面の周囲
領域にそれぞれ２個ずつ設け、２個のガイド溝１０は、
ガイド方向（ガイド溝１０の長手方向）が互いに平行に
設けられる。なお、ガイド溝１０および位置決め凹部１
０ａの深さは、基板４の裏面に突出したピン９の高さよ
りも若干大きく設定する。
【００２０】このような構成の平型半導体スタック装置
において、基板４の裏面に設けられたピン９を放熱体２
のガイド溝１０に挿入し、ピン９をガイド溝１０に沿っ
て移動させることにより、ゲート一体型平型半導体素子
６を放熱体２に対してＢ方向にスライドさせる。ピン９
が位置決め凹部１０ａに至ると、この位置決め凹部１０
ａはガイド溝１０の終端であるため、上記スライド動作
は停止し、ピン９と位置決め凹部１０ａとが嵌合する。
これにより、平型半導体素子１と放熱体２とが容易に正
確に位置合わせされる。逆に、ゲート一体型平型半導体
素子６のみを交換のために取り出す場合は、ピン９を位
置決め凹部１０ａからガイド溝１０に沿って移動させる
ことにより、ゲート一体型平型半導体素子６を放熱体２
に対してＢ方向にスライドさせて平型半導体スタック装
置から引き抜く。
において、基板４の裏面に設けられたピン９を放熱体２
のガイド溝１０に挿入し、ピン９をガイド溝１０に沿っ
て移動させることにより、ゲート一体型平型半導体素子
６を放熱体２に対してＢ方向にスライドさせる。ピン９
が位置決め凹部１０ａに至ると、この位置決め凹部１０
ａはガイド溝１０の終端であるため、上記スライド動作
は停止し、ピン９と位置決め凹部１０ａとが嵌合する。
これにより、平型半導体素子１と放熱体２とが容易に正
確に位置合わせされる。逆に、ゲート一体型平型半導体
素子６のみを交換のために取り出す場合は、ピン９を位
置決め凹部１０ａからガイド溝１０に沿って移動させる
ことにより、ゲート一体型平型半導体素子６を放熱体２
に対してＢ方向にスライドさせて平型半導体スタック装
置から引き抜く。
【００２１】この実施の形態においても、ピン９がガイ
ド溝１０に沿って移動するため、重合方向の加圧を解除
すれば、放熱体２とゲート一体型平型半導体素子６との
間の距離を特に設ける必要はない。このため、ゲート一
体型になってさらに大型化、重量化したゲート一体型平
型半導体素子６を持ち上げないでスライドさせることも
でき、また、ゲート一体型平型半導体素子６および放熱
体２を傷つけることもない。
ド溝１０に沿って移動するため、重合方向の加圧を解除
すれば、放熱体２とゲート一体型平型半導体素子６との
間の距離を特に設ける必要はない。このため、ゲート一
体型になってさらに大型化、重量化したゲート一体型平
型半導体素子６を持ち上げないでスライドさせることも
でき、また、ゲート一体型平型半導体素子６および放熱
体２を傷つけることもない。
【００２２】なお、この場合、ピン９、位置決め凹部１
０ａおよびガイド溝１０をそれぞれ２個ずつ設けたが、
１個あるいは３個以上であっても良い。複数個設けた場
合は、中心位置の位置合わせだけでなく、回転方向のず
れの無い位置合わせができ、より信頼性の高い位置合わ
せが可能になる。
０ａおよびガイド溝１０をそれぞれ２個ずつ設けたが、
１個あるいは３個以上であっても良い。複数個設けた場
合は、中心位置の位置合わせだけでなく、回転方向のず
れの無い位置合わせができ、より信頼性の高い位置合わ
せが可能になる。
【００２３】また、この実施の形態では、ゲート一体型
平型半導体素子６とその下側の放熱体２との位置合わせ
手段について述べたが、上側の放熱体２との位置合わせ
手段の場合は、基板上面にピン９ａ（図示せず）を設
け、上側の放熱体２の接合面に位置決め凹部１０ａとガ
イド溝１０とを設ける。この場合、ピン９ａは、ゲート
回路５および平型半導体素子１の搭載領域以外の基板４
上に配し、基板裏面に設けた場合に比べ、平型半導体素
子１の厚さ分だけ高く突出させる。また、基板４の上下
の２枚の放熱体２に設けられる全てのガイド溝１０は、
ガイド方向（ガイド溝１０の長手方向）が同一方向とな
るように形成する。また、上側の放熱体２との位置合わ
せ手段については、上記実施の形態１の位置合わせ手段
を適用して、基板上の平型半導体素子１の接合面中心に
センタピン７を設け、放熱体２の接合面に、位置決め凹
部８ａとそれに連続して放熱体２の一端面まで開口され
たガイド溝８とを設けても良い。この場合も、基板４の
上下の２枚の放熱体２に設けられる全てのガイド溝８、
１０は、ガイド方向が同一方向となるように形成する。
平型半導体素子６とその下側の放熱体２との位置合わせ
手段について述べたが、上側の放熱体２との位置合わせ
手段の場合は、基板上面にピン９ａ（図示せず）を設
け、上側の放熱体２の接合面に位置決め凹部１０ａとガ
イド溝１０とを設ける。この場合、ピン９ａは、ゲート
回路５および平型半導体素子１の搭載領域以外の基板４
上に配し、基板裏面に設けた場合に比べ、平型半導体素
子１の厚さ分だけ高く突出させる。また、基板４の上下
の２枚の放熱体２に設けられる全てのガイド溝１０は、
ガイド方向（ガイド溝１０の長手方向）が同一方向とな
るように形成する。また、上側の放熱体２との位置合わ
せ手段については、上記実施の形態１の位置合わせ手段
を適用して、基板上の平型半導体素子１の接合面中心に
センタピン７を設け、放熱体２の接合面に、位置決め凹
部８ａとそれに連続して放熱体２の一端面まで開口され
たガイド溝８とを設けても良い。この場合も、基板４の
上下の２枚の放熱体２に設けられる全てのガイド溝８、
１０は、ガイド方向が同一方向となるように形成する。
【００２４】実施の形態３．上記実施の形態２ではゲー
ト一体型平型半導体素子６の基板４側にピン９を設けた
が、放熱体２側にピンを設けても良い。図３は、この発
明の実施の形態３による、ゲート一体型平型半導体素子
６の下側、即ち基板４の裏面と放熱体２との位置合わせ
手段について示した斜視図である。なお、便宜上、基板
４と放熱体２とは離間させて図示する。図３に示すよう
に、放熱体２の接合面である上面の所定の位置にピン１
１が突出するように固定され、このピン１１と対応する
位置のゲート一体型平型半導体素子６の基板４に、ピン
１１が嵌合するための位置決め穴１２ａとそれに連続し
て基板４の一端面まで開口されたガイド溝１２とを設け
た。このガイド溝１２は、平型半導体素子１、ゲート回
路５が搭載されていない領域の基板４に、位置決め穴１
２ａと一体的に形成されており、即ち基板４の一端面か
ら開口されたガイド溝１２の終端が位置決め穴１２ａと
なる。この場合も、ピン１１をガイド溝１２に挿入して
ガイド溝１２に沿って移動させることにより、ゲート一
体型平型半導体素子６を放熱体２に対してＢ方向にスラ
イドさせる。これにより、ゲート一体型平型半導体素子
６と放熱体２とが容易に位置合わせでき、また、ゲート
一体型平型半導体素子６を平型半導体スタック装置から
容易に取り出せて交換でき、上記実施の形態２と同様の
効果が得られる。
ト一体型平型半導体素子６の基板４側にピン９を設けた
が、放熱体２側にピンを設けても良い。図３は、この発
明の実施の形態３による、ゲート一体型平型半導体素子
６の下側、即ち基板４の裏面と放熱体２との位置合わせ
手段について示した斜視図である。なお、便宜上、基板
４と放熱体２とは離間させて図示する。図３に示すよう
に、放熱体２の接合面である上面の所定の位置にピン１
１が突出するように固定され、このピン１１と対応する
位置のゲート一体型平型半導体素子６の基板４に、ピン
１１が嵌合するための位置決め穴１２ａとそれに連続し
て基板４の一端面まで開口されたガイド溝１２とを設け
た。このガイド溝１２は、平型半導体素子１、ゲート回
路５が搭載されていない領域の基板４に、位置決め穴１
２ａと一体的に形成されており、即ち基板４の一端面か
ら開口されたガイド溝１２の終端が位置決め穴１２ａと
なる。この場合も、ピン１１をガイド溝１２に挿入して
ガイド溝１２に沿って移動させることにより、ゲート一
体型平型半導体素子６を放熱体２に対してＢ方向にスラ
イドさせる。これにより、ゲート一体型平型半導体素子
６と放熱体２とが容易に位置合わせでき、また、ゲート
一体型平型半導体素子６を平型半導体スタック装置から
容易に取り出せて交換でき、上記実施の形態２と同様の
効果が得られる。
【００２５】なお、上側の放熱体２との位置合わせ手段
の場合は、上側の放熱体２下面にピン１１ａ（図示せ
ず）を設ける。このとき、上側の放熱体２のピン１１ａ
は、下側の放熱体２のピン１１に比べ、平型半導体素子
１の厚さ分だけ高く突出させる。またこのピン１１ａを
挿入するためのガイド溝１２は、下側の放熱体２のピン
１１を挿入するためのガイド溝１２の位置と重ならない
ようにする。また、上側の放熱体２との位置合わせ手段
について、上記実施の形態１または２による位置合わせ
手段を適用しても良い。
の場合は、上側の放熱体２下面にピン１１ａ（図示せ
ず）を設ける。このとき、上側の放熱体２のピン１１ａ
は、下側の放熱体２のピン１１に比べ、平型半導体素子
１の厚さ分だけ高く突出させる。またこのピン１１ａを
挿入するためのガイド溝１２は、下側の放熱体２のピン
１１を挿入するためのガイド溝１２の位置と重ならない
ようにする。また、上側の放熱体２との位置合わせ手段
について、上記実施の形態１または２による位置合わせ
手段を適用しても良い。
【００２６】実施の形態４．図４は、この発明の実施の
形態４による、ゲート一体型平型半導体素子６の下側、
即ち基板４の裏面と放熱体２との位置合わせ手段につい
て示した斜視図である。なお、便宜上、基板４と放熱体
２とは離間させて図示する。図４に示すように、放熱体
２の接合面に、端面から基板４をはめ込むための溝１３
を設ける。この場合、基板１の端面を、放熱体２の端面
における溝１３に合わせ、ゲート一体型平型半導体素子
６（基板４）を放熱体２に対してＢ方向にスライドさせ
て、基板４を溝１３にはめ込む。このとき、基板４の端
面が溝１３の終端部である位置決め部としての側壁に至
ると、この溝１３の側壁が当たり止めとなって上記スラ
イド動作は停止し、平型半導体素子１と放熱体２とが容
易に正確に位置合わせされる。また、ゲート一体型平型
半導体素子６（基板４）を放熱体２に対して逆方向にス
ライドさせることにより、ゲート一体型平型半導体素子
６を平型半導体スタック装置から容易に取り出せて交換
できる。これにより上記実施の形態２と同様の効果が得
られると共に、溝１３の形状を基板４に合致するように
設けることにより、ずれが生じにくい効果が得られる。
形態４による、ゲート一体型平型半導体素子６の下側、
即ち基板４の裏面と放熱体２との位置合わせ手段につい
て示した斜視図である。なお、便宜上、基板４と放熱体
２とは離間させて図示する。図４に示すように、放熱体
２の接合面に、端面から基板４をはめ込むための溝１３
を設ける。この場合、基板１の端面を、放熱体２の端面
における溝１３に合わせ、ゲート一体型平型半導体素子
６（基板４）を放熱体２に対してＢ方向にスライドさせ
て、基板４を溝１３にはめ込む。このとき、基板４の端
面が溝１３の終端部である位置決め部としての側壁に至
ると、この溝１３の側壁が当たり止めとなって上記スラ
イド動作は停止し、平型半導体素子１と放熱体２とが容
易に正確に位置合わせされる。また、ゲート一体型平型
半導体素子６（基板４）を放熱体２に対して逆方向にス
ライドさせることにより、ゲート一体型平型半導体素子
６を平型半導体スタック装置から容易に取り出せて交換
できる。これにより上記実施の形態２と同様の効果が得
られると共に、溝１３の形状を基板４に合致するように
設けることにより、ずれが生じにくい効果が得られる。
【００２７】実施の形態５．図５は、この発明の実施の
形態５による、ゲート一体型平型半導体素子６の下側、
即ち基板４の裏面と放熱体２との位置合わせ手段につい
て示した斜視図である。なお、この場合、基板４の下側
から見た斜視図で、基板４と放熱体２とが位置合わせさ
れた状態を示す。図５に示すように、基板４の裏面側
に、放熱体２の端部（角部）をはめ込むための位置決め
板としてのＬ字板１４が２個固定される。この場合、基
板４の平型半導体素子１搭載側の端面を放熱体２上に載
置して、ゲート一体型平型半導体素子６（基板４）を放
熱体２に対してＢ方向にスライドさせる。このとき、基
板４裏面に設けられた２個のＬ字板１４に、放熱体２の
２つの端部（角部）がはめ込まれた状態で、Ｌ字板１４
が当たり止めとなって上記スライド動作は停止し、平型
半導体素子１と放熱体２とが容易に正確に位置合わせさ
れる。また、ゲート一体型平型半導体素子６（基板４）
を放熱体２に対して逆方向にスライドさせることによ
り、ゲート一体型平型半導体素子６を平型半導体スタッ
ク装置から容易に取り出せて交換できる。これにより上
記実施の形態２と同様の効果が得られると共に、ずれが
生じにくく、安価な構成の位置合わせ手段が得られる。
形態５による、ゲート一体型平型半導体素子６の下側、
即ち基板４の裏面と放熱体２との位置合わせ手段につい
て示した斜視図である。なお、この場合、基板４の下側
から見た斜視図で、基板４と放熱体２とが位置合わせさ
れた状態を示す。図５に示すように、基板４の裏面側
に、放熱体２の端部（角部）をはめ込むための位置決め
板としてのＬ字板１４が２個固定される。この場合、基
板４の平型半導体素子１搭載側の端面を放熱体２上に載
置して、ゲート一体型平型半導体素子６（基板４）を放
熱体２に対してＢ方向にスライドさせる。このとき、基
板４裏面に設けられた２個のＬ字板１４に、放熱体２の
２つの端部（角部）がはめ込まれた状態で、Ｌ字板１４
が当たり止めとなって上記スライド動作は停止し、平型
半導体素子１と放熱体２とが容易に正確に位置合わせさ
れる。また、ゲート一体型平型半導体素子６（基板４）
を放熱体２に対して逆方向にスライドさせることによ
り、ゲート一体型平型半導体素子６を平型半導体スタッ
ク装置から容易に取り出せて交換できる。これにより上
記実施の形態２と同様の効果が得られると共に、ずれが
生じにくく、安価な構成の位置合わせ手段が得られる。
【００２８】なお、位置決め板の形状はＬ字型に限るも
のではなく、例えば、１個のＬ字板１４を２方向に分割
し、互いに垂直な離間した２枚の板で構成してもよい。
のではなく、例えば、１個のＬ字板１４を２方向に分割
し、互いに垂直な離間した２枚の板で構成してもよい。
【００２９】また、図６に示すように、放熱体２の長さ
が基板４よりも短い場合は、Ｌ字板１４の替わりに、複
数の位置決めピン１５を基板４の裏面に設け、放熱体２
の端部（角部）が固定されるようにしても良い。この場
合、放熱体２の端部（角部）を加工することで、微妙な
位置合わせの補正が可能になる。
が基板４よりも短い場合は、Ｌ字板１４の替わりに、複
数の位置決めピン１５を基板４の裏面に設け、放熱体２
の端部（角部）が固定されるようにしても良い。この場
合、放熱体２の端部（角部）を加工することで、微妙な
位置合わせの補正が可能になる。
【００３０】上記実施の形態４、５では、ゲート一体型
平型半導体素子６とその下側の放熱体２との位置合わせ
手段について述べたが、上側の放熱体２との位置合わせ
手段については、上記実施の形態１、２または３で示し
た方法を適用する。
平型半導体素子６とその下側の放熱体２との位置合わせ
手段について述べたが、上側の放熱体２との位置合わせ
手段については、上記実施の形態１、２または３で示し
た方法を適用する。
【００３１】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る請求項１記
載の平型半導体スタック装置は、平型半導体素子と放熱
体とを互いの接合面の位置合わせ手段を備えて交互に重
合し重合方向に加圧して成る平型半導体スタック装置で
あって、上記位置合わせ手段が、上記平型半導体素子を
上記放熱体に対して上記重合方向と垂直の方向にスライ
ドさせ、該スライド動作を位置決め部にて停止させて位
置合わせするため、容易で正確に位置合わせでき、平型
半導体素子の交換も容易に行える。
載の平型半導体スタック装置は、平型半導体素子と放熱
体とを互いの接合面の位置合わせ手段を備えて交互に重
合し重合方向に加圧して成る平型半導体スタック装置で
あって、上記位置合わせ手段が、上記平型半導体素子を
上記放熱体に対して上記重合方向と垂直の方向にスライ
ドさせ、該スライド動作を位置決め部にて停止させて位
置合わせするため、容易で正確に位置合わせでき、平型
半導体素子の交換も容易に行える。
【００３２】またこの発明に係る請求項２記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、位置合わせ手
段が、上記平型半導体素子、上記放熱体のいずれか一方
の部材の接合面に突出して設けられたピンと、他方の部
材の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め凹
部と、上記他方の部材の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたため、ピンをガイド溝に挿入して移動さ
せ、位置決め凹部にて停止させることにより容易で正確
に位置合わせできる。また、平型半導体素子と放熱体と
の間に距離空間をあけるためのマージンが低減でき、平
型半導体素子および放熱体の損傷を防止する。さらに平
型半導体素子の交換も容易に行える。
導体スタック装置は、請求項１において、位置合わせ手
段が、上記平型半導体素子、上記放熱体のいずれか一方
の部材の接合面に突出して設けられたピンと、他方の部
材の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め凹
部と、上記他方の部材の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたため、ピンをガイド溝に挿入して移動さ
せ、位置決め凹部にて停止させることにより容易で正確
に位置合わせできる。また、平型半導体素子と放熱体と
の間に距離空間をあけるためのマージンが低減でき、平
型半導体素子および放熱体の損傷を防止する。さらに平
型半導体素子の交換も容易に行える。
【００３３】またこの発明に係る請求項３記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板面に接合側へ突出して設けられたピンと、
放熱体の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決
め凹部と、上記放熱体の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたため、ピンをガイド溝に挿入して移動さ
せ、位置決め凹部にて停止させることにより容易で正確
に位置合わせできる。また、ゲート一体型平型半導体素
子と放熱体との間に距離空間をあけるためのマージンが
低減でき、ゲート一体型平型半導体素子および放熱体の
損傷を防止する。さらにゲート一体型平型半導体素子の
交換も容易に行える。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板面に接合側へ突出して設けられたピンと、
放熱体の接合面に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決
め凹部と、上記放熱体の接合面に、その端面から該凹部
に至るまで該凹部に連続して一体的に設けられたガイド
溝とを備えたため、ピンをガイド溝に挿入して移動さ
せ、位置決め凹部にて停止させることにより容易で正確
に位置合わせできる。また、ゲート一体型平型半導体素
子と放熱体との間に距離空間をあけるためのマージンが
低減でき、ゲート一体型平型半導体素子および放熱体の
損傷を防止する。さらにゲート一体型平型半導体素子の
交換も容易に行える。
【００３４】またこの発明に係る請求項４記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、放熱体の接合
面に突出して設けられたピンと、上記平型半導体素子の
基板に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め穴と、上
記基板の端面から該位置決め穴に至るまで該位置決め穴
に連続して一体的に設けられたガイド溝とを備えたた
め、ピンをガイド溝に挿入して移動させ、位置決め穴に
て停止させることにより容易で正確に位置合わせでき
る。また、ゲート一体型平型半導体素子と放熱体との間
に距離空間をあけるためのマージンが低減でき、ゲート
一体型平型半導体素子および放熱体の損傷を防止する。
さらにゲート一体型平型半導体素子の交換も容易に行え
る。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、放熱体の接合
面に突出して設けられたピンと、上記平型半導体素子の
基板に設けられ、上記ピンが嵌合する位置決め穴と、上
記基板の端面から該位置決め穴に至るまで該位置決め穴
に連続して一体的に設けられたガイド溝とを備えたた
め、ピンをガイド溝に挿入して移動させ、位置決め穴に
て停止させることにより容易で正確に位置合わせでき
る。また、ゲート一体型平型半導体素子と放熱体との間
に距離空間をあけるためのマージンが低減でき、ゲート
一体型平型半導体素子および放熱体の損傷を防止する。
さらにゲート一体型平型半導体素子の交換も容易に行え
る。
【００３５】またこの発明に係る請求項５記載の平型半
導体スタック装置は、請求項２〜４のいずれかにおい
て、平型半導体素子と放熱体との接合面の各位置合わせ
手段は、ピン、位置決め穴（凹部）およびガイド溝をそ
れぞれ複数個備えたため、回転方向のずれも防止でき、
位置合わせがより正確で信頼性が向上する。
導体スタック装置は、請求項２〜４のいずれかにおい
て、平型半導体素子と放熱体との接合面の各位置合わせ
手段は、ピン、位置決め穴（凹部）およびガイド溝をそ
れぞれ複数個備えたため、回転方向のずれも防止でき、
位置合わせがより正確で信頼性が向上する。
【００３６】またこの発明に係る請求項６記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、上記平型半導体素子の基板裏面側
の上記放熱体の接合面に、その端面から上記基板をはめ
込むための溝を設け、当該溝の側壁を位置合わせ手段の
位置決め部としたため、基板をスライドさせて溝にはめ
込むことにより容易で正確に位置合わせできる。また、
ゲート一体型平型半導体素子と放熱体との間に距離空間
をあけるためのマージンが低減でき、ゲート一体型平型
半導体素子および放熱体の損傷を防止する。さらにゲー
ト一体型平型半導体素子の交換も容易に行える。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、上記平型半導体素子の基板裏面側
の上記放熱体の接合面に、その端面から上記基板をはめ
込むための溝を設け、当該溝の側壁を位置合わせ手段の
位置決め部としたため、基板をスライドさせて溝にはめ
込むことにより容易で正確に位置合わせできる。また、
ゲート一体型平型半導体素子と放熱体との間に距離空間
をあけるためのマージンが低減でき、ゲート一体型平型
半導体素子および放熱体の損傷を防止する。さらにゲー
ト一体型平型半導体素子の交換も容易に行える。
【００３７】またこの発明に係る請求項７記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め板を備えたため、基板をスライドさせて位置決
め板にて放熱体の端部を固定することにより容易で正確
に位置合わせできる。また、ゲート一体型平型半導体素
子と放熱体との間に距離空間をあけるためのマージンが
低減でき、ゲート一体型平型半導体素子および放熱体の
損傷を防止する。さらにゲート一体型平型半導体素子の
交換も容易に行える。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め板を備えたため、基板をスライドさせて位置決
め板にて放熱体の端部を固定することにより容易で正確
に位置合わせできる。また、ゲート一体型平型半導体素
子と放熱体との間に距離空間をあけるためのマージンが
低減でき、ゲート一体型平型半導体素子および放熱体の
損傷を防止する。さらにゲート一体型平型半導体素子の
交換も容易に行える。
【００３８】またこの発明に係る請求項８記載の平型半
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め部としての複数個のピンを備えたため、基板を
スライドさせて上記複数個のピンにて放熱体の端部を固
定することにより容易で正確に位置合わせできる。ま
た、ゲート一体型平型半導体素子と放熱体との間に距離
空間をあけるためのマージンが低減でき、ゲート一体型
平型半導体素子および放熱体の損傷を防止する。さらに
ゲート一体型平型半導体素子の交換も容易に行える。
導体スタック装置は、請求項１において、平型半導体素
子が、ゲート回路を半導体素子と共に基板上に搭載した
ゲート一体型であり、位置合わせ手段が、上記平型半導
体素子の基板裏面側に上記放熱体の端部を位置決めする
位置決め部としての複数個のピンを備えたため、基板を
スライドさせて上記複数個のピンにて放熱体の端部を固
定することにより容易で正確に位置合わせできる。ま
た、ゲート一体型平型半導体素子と放熱体との間に距離
空間をあけるためのマージンが低減でき、ゲート一体型
平型半導体素子および放熱体の損傷を防止する。さらに
ゲート一体型平型半導体素子の交換も容易に行える。
【図１】 この発明の実施の形態１による平型半導体ス
タック装置のスタック構成を示す側面図および、平型半
導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視図であ
る。
タック装置のスタック構成を示す側面図および、平型半
導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視図であ
る。
【図２】 この発明の実施の形態２によるゲート一体型
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
【図３】 この発明の実施の形態３によるゲート一体型
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
【図４】 この発明の実施の形態４によるゲート一体型
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
【図５】 この発明の実施の形態５によるゲート一体型
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
平型半導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視
図である。
【図６】 この発明の実施の形態５の別例による平型半
導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視図であ
る。
導体素子と放熱体との位置合わせ手段を示す斜視図であ
る。
【図７】 従来の平型半導体スタック装置のスタック構
成を示す側面図である。
成を示す側面図である。
【図８】 従来の平型半導体素子と放熱体との位置合わ
せ手段を示す斜視図である。
せ手段を示す斜視図である。
【図９】 従来の平型半導体スタック装置における平型
半導体素子の交換を説明する側面図である。
半導体素子の交換を説明する側面図である。
【図１０】 従来のゲート一体型平型半導体素子と放熱
体との位置合わせ手段を示す斜視図である。
体との位置合わせ手段を示す斜視図である。
１ 平型半導体素子、２ 放熱体、４ 基板、５ ゲー
ト回路、６ ゲート一体型平型半導体素子、７ センタ
ピン、８ ガイド溝、８ａ 位置決め凹部、９ ピン、
１０ ガイド溝、１０ａ 位置決め凹部、１１ ピン、
１２ ガイド溝、１２ａ 位置決め穴、１３ 溝、１４
位置決め板としてのＬ字板、１５ 位置決めピン、Ａ
加圧方向、Ｂ スライド方向。
ト回路、６ ゲート一体型平型半導体素子、７ センタ
ピン、８ ガイド溝、８ａ 位置決め凹部、９ ピン、
１０ ガイド溝、１０ａ 位置決め凹部、１１ ピン、
１２ ガイド溝、１２ａ 位置決め穴、１３ 溝、１４
位置決め板としてのＬ字板、１５ 位置決めピン、Ａ
加圧方向、Ｂ スライド方向。
Claims (8)
- 【請求項１】 平型半導体素子と放熱体とを互いの接合
面の位置合わせ手段を備えて交互に重合し重合方向に加
圧して成る平型半導体スタック装置において、上記位置
合わせ手段が、上記平型半導体素子を上記放熱体に対し
て上記重合方向と垂直の方向にスライドさせ、該スライ
ド動作を位置決め部にて停止させて位置合わせするもの
であることを特徴とする平型半導体スタック装置。 - 【請求項２】 位置合わせ手段が、平型半導体素子、放
熱体のいずれか一方の部材の接合面に突出して設けられ
たピンと、他方の部材の接合面に設けられ、上記ピンが
嵌合する位置決め凹部と、上記他方の部材の接合面に、
その端面から該凹部に至るまで該凹部に連続して一体的
に設けられたガイド溝とを備えたことを特徴とする請求
項１記載の平型半導体スタック装置。 - 【請求項３】 平型半導体素子が、ゲート回路を半導体
素子と共に基板上に搭載したゲート一体型であり、位置
合わせ手段が、上記平型半導体素子の基板面に接合側へ
突出して設けられたピンと、放熱体の接合面に設けら
れ、上記ピンが嵌合する位置決め凹部と、上記放熱体の
接合面に、その端面から該凹部に至るまで該凹部に連続
して一体的に設けられたガイド溝とを備えたことを特徴
とする請求項１記載の平型半導体スタック装置。 - 【請求項４】 平型半導体素子が、ゲート回路を半導体
素子と共に基板上に搭載したゲート一体型であり、位置
合わせ手段が、放熱体の接合面に突出して設けられたピ
ンと、上記平型半導体素子の基板に設けられ、上記ピン
が嵌合する位置決め穴と、上記基板の端面から該位置決
め穴に至るまで該位置決め穴に連続して一体的に設けら
れたガイド溝とを備えたことを特徴とする請求項１記載
の平型半導体スタック装置。 - 【請求項５】 平型半導体素子と放熱体との接合面の各
位置合わせ手段は、ピン、位置決め穴（凹部）およびガ
イド溝をそれぞれ複数個備えたことを特徴とする請求項
２から４のいずれかに記載の平型半導体スタック装置。 - 【請求項６】 平型半導体素子が、ゲート回路を半導体
素子と共に基板上に搭載したゲート一体型であり、上記
平型半導体素子の基板裏面側の上記放熱体の接合面に、
その端面から上記基板をはめ込むための溝を設け、当該
溝の側壁を位置合わせ手段の位置決め部としたことを特
徴とする請求項１記載の平型半導体スタック装置。 - 【請求項７】 平型半導体素子が、ゲート回路を半導体
素子と共に基板上に搭載したゲート一体型であり、位置
合わせ手段が、上記平型半導体素子の基板裏面側に上記
放熱体の端部を位置決めする位置決め板を備えたことを
特徴とする請求項１記載の平型半導体スタック装置。 - 【請求項８】 平型半導体素子が、ゲート回路を半導体
素子と共に基板上に搭載したゲート一体型であり、位置
合わせ手段が、上記平型半導体素子の基板裏面側に上記
放熱体の端部を位置決めする位置決め部としての複数個
のピンを備えたことを特徴とする請求項１記載の平型半
導体スタック装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170351A JP3631445B2 (ja) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | 平型半導体スタック装置 |
| US10/002,163 US6492720B1 (en) | 2001-06-06 | 2001-12-05 | Flat-type semiconductor stack |
| CNB011438584A CN1181543C (zh) | 2001-06-06 | 2001-12-14 | 平形半导体堆叠装置 |
| DE10161593A DE10161593B4 (de) | 2001-06-06 | 2001-12-14 | Flacher Halbleiterstapel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170351A JP3631445B2 (ja) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | 平型半導体スタック装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002368164A true JP2002368164A (ja) | 2002-12-20 |
| JP3631445B2 JP3631445B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=19012282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001170351A Expired - Lifetime JP3631445B2 (ja) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | 平型半導体スタック装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6492720B1 (ja) |
| JP (1) | JP3631445B2 (ja) |
| CN (1) | CN1181543C (ja) |
| DE (1) | DE10161593B4 (ja) |
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| JPH06103264B2 (ja) | 1987-12-29 | 1994-12-14 | 株式会社堀場製作所 | ガス分析計 |
| JP2553657B2 (ja) | 1988-09-01 | 1996-11-13 | 関西電力株式会社 | 小型電気湯沸器 |
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-
2001
- 2001-06-06 JP JP2001170351A patent/JP3631445B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-05 US US10/002,163 patent/US6492720B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-14 DE DE10161593A patent/DE10161593B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-14 CN CNB011438584A patent/CN1181543C/zh not_active Expired - Lifetime
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